據(jù)悉,該實驗室的成立旨在聚焦半導體功率電子領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)問題,通過產(chǎn)學研深度融合,推動我國功率半導體產(chǎn)業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展。
公開消息顯示,揚杰科技中央研究院按照國內(nèi)一流電子實驗室標準建設(shè),總建筑面積達5000平方米,分為可靠性實驗室、失效分析實驗室、模擬仿真實驗室和綜合研發(fā)實驗室。實驗室已通過CNAS(中國合格評定國家認可委員會)認證,具備芯片設(shè)計模擬仿真、環(huán)境測試、物理化學失效分析以及產(chǎn)品電、熱及機械應力模擬仿真等多項功能。
中央研究院整合了揚杰科技的多個研發(fā)團隊,涵蓋SiC、GaN、IGBT、MOSFET、二三極管芯片等多個領(lǐng)域。此外,該公司還與東南大學共建“寬禁帶功率器件技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心”,專注于第三代半導體的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化。實驗室的成立將進一步推動公司在高端功率半導體器件領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新,特別是在SiC、IGBT等關(guān)鍵產(chǎn)品上實現(xiàn)技術(shù)突破。
揚杰科技中央研究院獲批省重點實驗室后,將重點解決大功率半導體器件的前沿技術(shù)和共性關(guān)鍵技術(shù),助力我國在IGBT等新型功率半導體器件領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)技術(shù)自主可控。此外,實驗室還將為揚杰科技新產(chǎn)品開發(fā)、技術(shù)瓶頸突破以及市場版圖擴展提供強有力的保障。(集邦化合物半導體整理)
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圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫
順為科技集團IGBT/SiC功率半導體模塊項目位于田心高科園,主要生產(chǎn)工業(yè)調(diào)頻、充電樁、儲能逆變、光伏/風力發(fā)電用IGBT模塊等。
該項目總投資7.5億元,預計在今年年底啟動建設(shè),明年上半年正式投產(chǎn),建成達產(chǎn)400萬個IGBT模塊及100萬個SiC模塊,預計年產(chǎn)值8億元。(文:全球半導體觀察)
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