官網(wǎng)顯示，思銳智能成立于2018年，總部位于青島，在北京、上海設(shè)有研發(fā)中心。公司主要聚焦關(guān)鍵半導(dǎo)體前道工藝設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，提供具有自主可控的核心關(guān)鍵技術(shù)的系統(tǒng)裝備產(chǎn)品和技術(shù)服務(wù)方案。公司產(chǎn)品包括原子層沉積（ALD）設(shè)備及離子注入（IMP）設(shè)備，廣泛應(yīng)用于集成電路、第三代半導(dǎo)體、新能源、光學(xué)、零部件鍍膜等諸多高精尖領(lǐng)域。

從股權(quán)結(jié)構(gòu)來看，思銳智能無控股股東、無實際控制人，第一大股東為中車青島四方車輛研究所有限公司，持股比例為19.48%。

在2018年，思銳智能完成了對ALD技術(shù)公司倍耐克100%股權(quán)的收購工作。思銳智能整合倍耐克海外前沿技術(shù)研發(fā)資源，開展ALD技術(shù)國內(nèi)外聯(lián)合研發(fā)與國內(nèi)產(chǎn)業(yè)化落地工作，建立了完善的ALD產(chǎn)品體系，覆蓋全球眾多頭部客戶并在眾多細(xì)分領(lǐng)域取得領(lǐng)先的市場競爭地位。目前思銳智能及其子公司擁有300余項相關(guān)專利，在ALD技術(shù)及應(yīng)用方面具備雄厚的技術(shù)積累。

source：思銳智能官網(wǎng)

思銳智能在推進(jìn)ALD業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)型升級后，布局離子注入設(shè)備業(yè)務(wù)并取得突破。2024年，該公司在半導(dǎo)體前道工藝設(shè)備領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)多項關(guān)鍵技術(shù)突破。繼2023年成功交付高能離子注入機(jī)并獲得市場認(rèn)可后，2024年其順利交付大束流離子注入機(jī)，標(biāo)志著思銳智能離子注入裝備全線布局落地。

思銳智能以高能離子注入機(jī)為切入點(diǎn)開展研發(fā)，解決國內(nèi)高端離子注入機(jī)”卡脖子“問題，逐步完成硅基及化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域全系列機(jī)型的布局。

在資本運(yùn)作上，思銳智能也動作頻頻。2024年5月，公司宣布完成B+輪融資，投資方包括中車四方車輛研究所、中車資本、中金資本等。同年9月，該公司發(fā)生工商變更，股東新增上汽旗下嘉興上汽創(chuàng)永股權(quán)投資合伙企業(yè)（有限合伙）、河南尚頎匯融尚成一號產(chǎn)業(yè)基金合伙企業(yè)（有限合伙）等，同時注冊資本由約9.5億人民幣增至約11.2億人民幣。

此前，該公司還成功完成數(shù)億元B輪融資，上汽集團(tuán)戰(zhàn)略直投，尚頎資本、鼎暉投資聯(lián)合領(lǐng)投，老股東持續(xù)加持。2025年2月7日，思銳智能順利完成股份制改制，公司名稱正式變更為“青島思銳智能科技股份有限公司”，這為其IPO之路奠定了堅實基礎(chǔ)。

此次思銳智能擬A股IPO，若成功上市，思銳智能將獲得更充足的資金用于技術(shù)研發(fā)、市場拓展和產(chǎn)能提升，進(jìn)一步提升并鞏固其在半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域的地位。未來，隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的持續(xù)發(fā)展，思銳智能有望在資本市場的助力下，為我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的自主可控和高質(zhì)量發(fā)展貢獻(xiàn)更大力量。（集邦化合物半導(dǎo)體竹子整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。

據(jù)介紹，思銳智能主要聚焦關(guān)鍵半導(dǎo)體前道工藝設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，提供具有自主可控的核心關(guān)鍵技術(shù)的系統(tǒng)裝備產(chǎn)品和技術(shù)服務(wù)方案，公司產(chǎn)品有原子層沉積鍍膜(ALD)設(shè)備、薄膜電發(fā)光顯示器(LDI)設(shè)備以及離子注入（IMP）設(shè)備三大產(chǎn)品系列，廣泛應(yīng)用于集成電路、第三代半導(dǎo)體、新能源、光學(xué)、零部件鍍膜等諸多高精尖領(lǐng)域。

在融資端來看，天眼查顯示，目前思銳智能已完成5輪融資。其中，披露的A輪和B輪都達(dá)到了數(shù)億元。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

在產(chǎn)品端來看，針對SiC，思銳智能推出了兩款離子注入設(shè)備——SRII-200 SiC中能大束流離子注入機(jī)和SRII-4.5M SiC高能離子注入機(jī)，廣泛應(yīng)用于SiC材料研究和半導(dǎo)體器件制備領(lǐng)域。

由于GaN領(lǐng)域涉及到非常多ALD相關(guān)的應(yīng)用，而思銳智能的Transform系列量產(chǎn)型ALD沉積鍍膜設(shè)備能夠有效增強(qiáng)GaN器件的性能，該系列設(shè)備于2023年7月獲得了GaN器件大廠英諾賽科的訂單。思銳智能Transform系列量產(chǎn)型ALD沉積鍍膜設(shè)備將被用于英諾賽科GaN晶圓制造前道工藝，用以支持其8英寸硅基GaN晶圓產(chǎn)線的擴(kuò)充。

值得一提的是，思銳智能的Transform系列已進(jìn)入歐洲、北美、日本和中國大陸及臺灣地區(qū)知名廠商，并實現(xiàn)重復(fù)訂單。

此次融資的完成，有望助力思銳智能推進(jìn)ALD業(yè)務(wù)升級和離子注入設(shè)備業(yè)務(wù)取得突破，逐步完成硅基及化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域全系列機(jī)型的布局。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。