#PDBG 是華潤微電子旗下全面負責功率器件設計、研發(fā)、制造與銷售服務的業(yè)務單元。其下設有中低壓MOS產(chǎn)品線，高壓MOS產(chǎn)品線，IGBT產(chǎn)品線，特種器件產(chǎn)品線，模塊產(chǎn)品線和汽車電子事業(yè)部。擁有CRMICRO、華晶兩個功率器件自主品牌。
華潤微電子介紹，該類模塊基于PDBG 1200V SiC MOS G4平臺芯片，采用ValueDual封裝，6/8管并聯(lián)設計，最低導通電阻1.6mΩ，兼具SiC器件低損耗、耐高溫特性以及ValueDual模塊的高系統(tǒng)兼容性、高系統(tǒng)效率等性能優(yōu)勢，在商用車主驅系統(tǒng)應用中表現(xiàn)優(yōu)異。
圖片來源：華潤微電子
已批量上車的ValueDual模塊采用了PDBG自主研發(fā)的第四代SiC MOS平臺的1200V 13mΩ芯片。該平臺在延續(xù)第二代平臺優(yōu)異的柵極特性的同時，通過設計和工藝創(chuàng)新，進一步優(yōu)化了RSP、結電容、漏電等關鍵參數(shù)，顯著提升功率密度和運行效率，為車載充電機（OBC）、主驅、高壓直流輸電（HVDC）等高功率密度、高集成度的應用領域提供更高能效的系列化產(chǎn)品。
PDBG已經(jīng)快速完成第四代SiC MOS產(chǎn)品系列化，開發(fā)650V和1200V兩個電壓平臺，推出十余個標準規(guī)格產(chǎn)品，同時搭配公司成熟的插件、貼片封裝，包括QDPAK、TOLT等貼片頂部散熱封裝，產(chǎn)品綜合性能表現(xiàn)優(yōu)異，已成功導入OBC、充電樁、逆變器等領域的頭部客戶，并實現(xiàn)批量供貨，為產(chǎn)業(yè)升級提供高效可靠的國產(chǎn)器件支持。
（集邦化合物半導體 Flora 整理）
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]]>捷捷微電：攜手科研機構，推進碳化硅器件研發(fā)
9月15日，捷捷微電在投資者互動平臺表示，公司與中科院微電子研究所、西安電子科大合作研發(fā)以SiC、GaN為代表的第三代半導體器件。目前，公司擁有氮化鎵和碳化硅相關發(fā)明專利5件和實用新型專利5件，此外還有7個發(fā)明專利和2個實用新型專利處于申請受理中。公司目前有少量碳化硅器件的封測，該系列產(chǎn)品仍在持續(xù)研究推進過程中，尚未進入量產(chǎn)階段。
捷捷微電的碳化硅器件研發(fā)成果顯著。其塑封碳化硅肖特基二極管（SiC SBD）器件，憑借超快的開關速度、極低的開關損耗、便捷的并聯(lián)特性，以及卓越的耐壓和浪涌電流承受能力，在電動汽車、消費類電子、新能源、軌道交通等多個領域展現(xiàn)出廣泛的應用前景。2024年，捷捷微電還成功推出了1200V碳化硅MOSFET產(chǎn)品，進一步充實了其在碳化硅器件領域的產(chǎn)品陣容。
三安光電：熱沉散熱用碳化硅材料早已開始研發(fā)，目前處于送樣階段
9月17日，三安光電在投資者互動平臺表示，公司持續(xù)推進碳化硅襯底在AI/AR眼鏡、熱沉散熱等方向的應用，熱沉散熱用碳化硅材料早已開始研發(fā)，目前處于送樣階段。這表明三安光電在碳化硅材料的應用拓展上已經(jīng)取得了一定成果，有望在未來的半導體器件散熱領域發(fā)揮重要作用。
此外，三安光電在碳化硅領域還有其他重要進展。10月23日，三安光電宣布旗下湖南三安在碳化硅產(chǎn)品上取得階段性進展，實現(xiàn)8英寸襯底準量產(chǎn)，部分產(chǎn)品已進入主流新能源汽車企業(yè)供應鏈。湖南三安8英寸碳化硅襯底已完成開發(fā)，依托精準熱場控制的自主PVT工藝，實現(xiàn)了更低成本及更低缺陷密度，產(chǎn)品進入小批量生產(chǎn)及送樣階段。
（集邦化合物半導體 竹子 整理）
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英飛凌科技全球高級副總裁及大中華區(qū)總裁、英飛凌科技消費、計算與通訊業(yè)務大中華區(qū)負責人潘大偉參觀兩款首次于國內進行實體展示的晶圓
01材料革新與系統(tǒng)重構：英飛凌定義能效新范式
作為全球功率半導體領域的領軍企業(yè)，英飛凌科技通過在氮化鎵（GaN）、機器人及人工智能領域的深度布局，持續(xù)展現(xiàn)出強大的技術創(chuàng)新能力與市場競爭力。
在此次峰會中，英飛凌重點發(fā)布的四大創(chuàng)新產(chǎn)品矩陣尤為矚目：
PSOC? Control C3 MCU：實現(xiàn)電機和功率轉換系統(tǒng)的實時控制?；贏rm? Cortex?-M33的最新高性能微控制器（MCU）系列產(chǎn)品，具有實時控制功能和差異化控制外圍元件，頻率最高可達180MHz。在ModusToolbox?系統(tǒng)設計工具和軟件的支持下，這款綜合全面的解決方案使開發(fā)人員能夠輕松創(chuàng)建高性能、高效率、高可靠性且安全的電機控制和功率轉換系統(tǒng)。無論是在家用電器、智能家居，還是在光伏逆變器等應用中，PSOC? Control C3都能提供卓越的性能和可靠性。
新一代中壓CoolGaN?半導體器件：具備出色的性能、更高的功率密度和高可靠性，可以將系統(tǒng)效率提升至96%，同時有助于降低能耗與運營成本。該系列半導體器件能夠助力中壓電機系統(tǒng)實現(xiàn)更小的尺寸，為電信和數(shù)據(jù)中心提供更高的效率，在音頻應用中實現(xiàn)更高的功率密度、更輕量級的系統(tǒng)和更佳的音頻性能。
CoolMOS? 8高壓超結（SJ）MOSFET：提供了全新的“一體化”超級結（SJ）技術，產(chǎn)品系列覆蓋了從低功率到高功率的所有消費類和工業(yè)應用。作為寬禁帶半導體的高性價比替代方案之一，能夠以更低的成本實現(xiàn)更高的功率密度，同時確保器件的可靠性。CoolMOS? 8可以輕松替換CoolMOS? 7，集成了快速二極管，可提供600V和650V兩種電壓等級，其中650V特別提供了額外的50V緩沖，用于滿足數(shù)據(jù)中心和電信領域對交流輸入電壓的特定要求。
XDP?數(shù)字電源（DigitalPower）：包括XDP? XDPP1140/48數(shù)字控制器和3kW DR-HSC 12V-48V穩(wěn)壓IBC，均能夠實現(xiàn)效率與功率密度的雙提升，展示出在系統(tǒng)設計與可靠性層面的雙重優(yōu)勢，使用靈活，同時又能夠優(yōu)化成本。
同時，英飛凌還于近期推出了新一代高密度功率模塊，即OptiMOS?TDM2454xx四相功率模塊也在國內首次亮相。而在大會的主題展區(qū)，英飛凌還展示了雙足機器人、具身智能人形機器人“五指靈巧手”、IoT智能小車、8kW高效高密AI數(shù)據(jù)中心電源模塊、用于數(shù)據(jù)中心和人工智能訓練模型的12kW PSU等展品。
ICIC 2025主題展區(qū)吸引了大量與會者參觀體驗
總體來看，在氮化鎵技術領域，該公司不僅實現(xiàn)了300mm GaN功率半導體晶圓的量產(chǎn)突破，其新一代中壓CoolGaN?器件更將系統(tǒng)效率提升至96%，顯著降低數(shù)據(jù)中心、電信及家電領域的能耗和成本。與此同時，英飛凌在硅基半導體領域也持續(xù)突破創(chuàng)新，推出的20μm超薄硅晶圓技術助于大幅提高功率轉換解決方案的能效、功率密度和可靠性。
在機器人領域，英飛凌提供從電源產(chǎn)品、傳感器、微控制器、連接芯片到電機驅動的全棧解決方案，通過模塊化設計加速產(chǎn)品上市周期，推動機器人領域的創(chuàng)新。其展示的”五指靈巧手”具身智能系統(tǒng)與雙足機器人技術，展現(xiàn)了在人機協(xié)作與智能制造等智能機器人應用場景中的前沿探索。
針對人工智能基礎設施的高能效需求，英飛凌全面構建了硅、碳化硅與氮化鎵協(xié)同共進的混合技術矩陣，為AI服務器和數(shù)據(jù)中心提供高效電源解決方案。特別值得一提的是，英飛凌推出的12kW PSU電源模塊可用于數(shù)據(jù)中心及支持AI訓練模型部署。得益于AI浪潮的推動，預計2025財年，英飛凌AI業(yè)務營收將突破6億歐元，2027年有望突破10億歐元。
英飛凌科技副總裁、英飛凌科技消費、計算與通訊業(yè)務大中華區(qū)市場營銷負責人劉偉在ICIC 2025上發(fā)表主題演講
英飛凌科技副總裁、英飛凌科技消費、計算與通訊業(yè)務大中華區(qū)市場營銷負責人劉偉強調，英飛凌正通過覆蓋”電網(wǎng)-核心-邊緣-用戶”的全鏈路能效解決方案，為AI、機器人及家電行業(yè)提供更環(huán)保、更高效、更智能的技術解決方案，賦能產(chǎn)業(yè)發(fā)展和應用場景的擴維升級，特別是其邊緣AI方案結合安全芯片和連接產(chǎn)品的組合，已在IoT智能小車等場景實現(xiàn)落地應用。
02英飛凌加速布局機器人產(chǎn)業(yè)：從核心器件到生態(tài)協(xié)同
英飛凌將機器人視為未來有高增長潛力的核心賽道，其布局貫穿“以氮化鎵為代表的第三代半導體技術-涵蓋感知、連接、人機交互等核心環(huán)節(jié)的全面半導體產(chǎn)品組合-系統(tǒng)級解決方案”全鏈條。
氮化鎵正驅動著機器人走向輕量化革命，據(jù)英飛凌科技全球高級副總裁及大中華區(qū)總裁、英飛凌科技消費、計算與通訊業(yè)務大中華區(qū)負責人潘大偉表示：“在機器人關節(jié)中，將氮化鎵技術用于電機驅動可將系統(tǒng)的體積縮小、重量降低，并顯著提升電池的續(xù)航能力。” 這一點在業(yè)界的相關統(tǒng)計數(shù)據(jù)中也可以窺見一斑，數(shù)據(jù)顯示，以人形機器人為例，若搭載30個采用氮化鎵技術的關節(jié)，其總重量可減少20kg，充電周期延長50%。
此外，英飛凌的創(chuàng)新技術和全棧解決方案正賦能機器人走向智能化、高效化和輕量化。英飛凌提供從MEMS傳感器、到支持實時決策的MCU，再到連接芯片和安全芯片的完整方案。在雙足機器人中，基于CoolGaN?的驅動系統(tǒng)使動態(tài)響應速度提升25-50%。
目前，英飛凌正與本土伙伴聯(lián)合開發(fā)專用方案，如為某頭部企業(yè)定制的模塊化關節(jié)控制器，集成驅動、傳感與安全功能，成本降低20%。其技術團隊深度參與客戶設計，提供從器件選型到系統(tǒng)優(yōu)化的全流程支持。
03英飛凌深耕中國：本土化戰(zhàn)略的四維進階
作為深耕中國市場30年的領先半導體企業(yè)，英飛凌將繼續(xù)持續(xù)堅持“在中國、為中國”為本土化戰(zhàn)略，深化覆蓋運營、創(chuàng)新、生產(chǎn)、生態(tài)的立體化本土布局。
在此次ICIC 2025大會上，英飛凌科技全球高級副總裁及大中華區(qū)總裁、英飛凌科技消費、計算與通訊業(yè)務大中華區(qū)負責人潘大偉表示：“2025年是英飛凌在華30周年。在30年行業(yè)深耕的基礎之上，英飛凌將深入推進本土化戰(zhàn)略，圍繞‘運營、創(chuàng)新、生產(chǎn)、生態(tài)’等方面，持續(xù)為客戶增加價值，推動在華業(yè)務的長期、穩(wěn)健、可持續(xù)發(fā)展?！?/p>
對于英飛凌消費、計算與通訊業(yè)務在本土的發(fā)展，他圍繞“從電網(wǎng)到核心，驅動AI算力”、“從云到端，賦能AI生態(tài)”、“從首到足，加速機器人發(fā)展”系統(tǒng)介紹了英飛凌的市場策略及優(yōu)勢，表示將以機器人、AI數(shù)據(jù)中心和邊緣計算等市場為主要驅動力，依托領先的半導體技術和本土應用創(chuàng)新生態(tài)賦能客戶的價值創(chuàng)造，推動各種應用場景落地，引領行業(yè)創(chuàng)新發(fā)展。
談及本土化生產(chǎn)，英飛凌表示將擴大MCUs、MOSFETs等通用半導體產(chǎn)品的本地化生產(chǎn)制造。潘大偉指出，這兩款器件作為通用的半導體產(chǎn)品，廣泛應用于新能源、汽車、工業(yè)控制、消費電子等領域，市場需求穩(wěn)定且規(guī)模龐大。通過優(yōu)先擴大此類通用半導體器件的本地化生產(chǎn)，既能快速響應本土客戶需求，增強供應鏈韌性，又能為后續(xù)探討更復雜產(chǎn)品（如汽車高壓模塊、傳感器等）的本地化生產(chǎn)積累經(jīng)驗。（集邦化合物半導體 竹子 整理）
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]]>據(jù)悉，新公司專注光通信設備制造、集成電路芯片及產(chǎn)品制造、光電子器件制造、半導體分立器件制造、電子元器件制造、電子專用材料制造和研發(fā)、集成電路芯片設計及服務、半導體分立器件銷售等。
source：企查查截圖
公開資料顯示，度亙核芯成立于2017年，公司以高端激光芯片研發(fā)制造為核心競爭力，聚焦產(chǎn)業(yè)鏈上游器件與模塊的設計與制造，擁有覆蓋化合物半導體激光器完整工藝流程的工程技術能力和量產(chǎn)制造能力?，F(xiàn)有高功率芯片、單模泵浦模塊、陣列激光器、VCSEL、光纖耦合模塊構成的五大類、多系列產(chǎn)品矩陣，產(chǎn)品廣泛應用于工業(yè)加工、智能感知、光通訊、醫(yī)療美容和科學研究等領域。
值得注意的是，該公司通過其激光加工技術和設備，在碳化硅和氮化鎵的加工制造環(huán)節(jié)提供了重要的技術支持。
在碳化硅領域，該公司產(chǎn)品和技術可以應用于碳化硅晶錠的切片、晶圓加工等環(huán)節(jié)。例如，其碳化硅晶錠切片設備能夠實現(xiàn)碳化硅晶片從晶錠上的分離。此外，公司還提供碳化硅激光退火設備，滿足4/6寸SiC的激光退火功能。
在氮化鎵領域，度亙核芯的激光加工設備可用于氮化鎵外延片的加工，其的激光加工技術還可以應用于氮化鎵基藍綠激光器的生產(chǎn)。
此次在上海成立新公司，是度亙核芯在長三角地區(qū)的重要布局。上海作為中國的經(jīng)濟中心和科技創(chuàng)新高地，擁有完善的產(chǎn)業(yè)配套、豐富的科研資源以及優(yōu)越的政策環(huán)境。新公司的成立將有助于度亙核芯更好地整合資源，同時上海的國際化視野和人才優(yōu)勢也將為度亙核芯的國際化發(fā)展提供有力支持。（集邦化合物半導體 竹子 整理）
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]]>此次新品發(fā)布精準滿足了眾多高功率（工業(yè)）應用領域對分立式SiC MOSFET不斷增長的需求，該系列器件借助頂部散熱技術的優(yōu)勢，得以實現(xiàn)卓越的熱性能表現(xiàn)。這些器件在電池儲能系統(tǒng)(BESS)、光伏逆變器、電機驅動器以及不間斷電源(UPS)等工業(yè)應用場景中表現(xiàn)卓越。此外，在包括充電樁在內的電動汽車充電基礎設施領域同樣能發(fā)揮出眾效能。
X.PAK封裝允許將散熱器直接連接至引線框架，進一步提升了Nexperia SiC MOSFET的散熱性能，實現(xiàn)從外殼頂部高效散熱。這一設計有效降低了通過PCB散熱所帶來的負面影響。同時，Nexperia的X.PAK封裝使表面貼裝組件具備低電感特性，并支持自動化電路板封裝流程。?新款X.PAK封裝器件具備Nexperia SiC MOSFET一貫的優(yōu)異品質因數(shù)(FoM)。
其中，RDS(on)作為關鍵參數(shù)，對導通損耗影響顯著。然而，許多制造商往往僅關注該參數(shù)（常溫）的標稱值，卻忽略了一個事實，即隨著器件工作溫度的升高，標稱值可能會增加100%以上，從而造成相當大的導通損耗。與之不同，Nexperia SiC MOSFET展現(xiàn)出出色的溫度穩(wěn)定性，在25℃至175℃的工作溫度區(qū)間內，RDS(on)的標稱值僅增加38%。（集邦化合物半導體整理）
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]]>雙方將在以下三方面展開產(chǎn)學研資源深度融合：
共建創(chuàng)新平臺：意法半導體在智能功率技術、寬禁帶帶隙半導體、汽車芯片、邊緣人工智能、傳感以及數(shù)字和混合信號技術等多個重要技術領域，都是公認的半導體技術創(chuàng)新先鋒，今年已是第七次被評為“全球百強創(chuàng)新企業(yè)”。意法半導體與重慶郵電大學在車聯(lián)網(wǎng)、功率電子等領域的科研能力（依托移動通信終端與網(wǎng)絡控制國家工程研究中心等平臺）形成合力，雙方將共建新能源汽車人才培養(yǎng)和聯(lián)合創(chuàng)新中心，突破產(chǎn)業(yè)技術瓶頸。
加速校企人才合作：建立“需求導向”的人才培養(yǎng)機制，強化實踐性與國際性，通過校企聯(lián)合項目培養(yǎng)適配產(chǎn)業(yè)的高端技術人才。
助推科研成果轉化：搭建技術轉化服務網(wǎng)絡，加速科研成果在重慶本土企業(yè)的應用驗證，推動創(chuàng)新鏈與產(chǎn)業(yè)鏈深度融合。（集邦化合物半導體整理）
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]]>該平臺采用芯粵能自主知識產(chǎn)權的溝槽MOSFET結構，可顯著降低比導通電阻、提高電流密度，并在確保產(chǎn)品可靠性的同時，有效突破平面MOSFET性能提升瓶頸問題，進一步提升芯片性能、大幅降低成本。
據(jù)悉，芯粵能第一代碳化硅溝槽MOSFET工藝平臺的1200V試制品單片最高良率超過97%，23mm2芯片尺寸下導通電阻為12.5mΩ，比導通電阻為2.3mΩ?cm2，比肩國際領先廠商主流產(chǎn)品性能指標，溫升系數(shù)、開關損耗、抗雪崩和抗短路能力均能有效滿足產(chǎn)業(yè)應用要求，2025年1月已經(jīng)零失效通過HTGB、HTRB、HV-H3TRB等關鍵可靠性摸底測試的1000小時考核。
除第一代產(chǎn)品外，芯粵能也在積極研發(fā)布局第二代、第三代溝槽MOSFET，進一步鞏固其在國內的技術領先地位，實現(xiàn)對國際領先廠商的趕超。
此前2024年，芯粵能完成10億元A輪融資，由廣東省集成電路基金、國投創(chuàng)業(yè)等機構領投，資金將用于8英寸產(chǎn)線建設及市場拓展。據(jù)透露，芯粵能規(guī)劃總投資75億元，分兩期建設年產(chǎn)48萬片碳化硅晶圓生產(chǎn)線，目標在2026年實現(xiàn)產(chǎn)能全面釋放。（集邦化合物半導體整理）
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]]>作為一家半導體產(chǎn)業(yè)界的創(chuàng)新科技公司，芯聯(lián)集成致力于成為新能源產(chǎn)業(yè)、智能化產(chǎn)業(yè)核心芯片和模組的支柱性力量。
芯聯(lián)集成通過持續(xù)的高強度研發(fā)來保障技術的創(chuàng)新性和引領性。過去幾年，公司每年研發(fā)投入在30%左右，保持每1-2年進入新的賽道，且每進入到一個新賽道，都用3-4年時間做到中國技術領先水平，6-7年躋身業(yè)界領先行列。
正是基于公司不斷推進技術創(chuàng)新，芯聯(lián)集成與聯(lián)合電子之間的合作得以持續(xù)深化。未來，芯聯(lián)集成將進一步加強與聯(lián)合電子等全球客戶的緊密合作，充分發(fā)揮自身技術優(yōu)勢，賦能客戶產(chǎn)品技術的創(chuàng)新與升級，攜手為行業(yè)發(fā)展注入新的活力。（集邦化合物半導體整理）
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]]>上述聯(lián)盟主攻技術主權、供應鏈韌性與創(chuàng)新競爭力三大核心方向，將重點攻關2納米以下先進制程、第三代半導體材料與AI芯片架構等技術領域。
資料顯示，歐洲在第三代半導體（以碳化硅SiC和氮化鎵GaN為核心）領域擁有多家具有全球影響力的企業(yè)，這些企業(yè)在技術研發(fā)、生產(chǎn)制造和市場應用方面均處于行業(yè)前沿。
意法半導體是歐洲最早布局第三代半導體的龍頭企業(yè)之一，通過收購瑞典碳化硅晶圓制造商Norstel AB，以及與Cree（現(xiàn)Wolfspeed）簽訂長期SiC晶圓供應協(xié)議，構建了從材料到器件的全產(chǎn)業(yè)鏈能力。意法半導體SiC產(chǎn)品已用于特斯拉、寶馬等車企的800V高壓平臺，并計劃在意大利投資54億美元建設SiC芯片工廠，提升電動汽車專用芯片產(chǎn)能。
source：意法半導體
英飛凌通過收購美國國際整流器公司（IR）和德國Siltectra的冷切割技術，強化了SiC晶圓處理能力。其SiC MOSFET和GaN HEMT器件在新能源汽車、可再生能源領域占據(jù)重要份額。
此外，愛思強、Soitec等設備與材料供應商以及晶圓代工廠商格芯均有碳化硅相關業(yè)務。
業(yè)界指出，歐洲第三代半導體材料在新能源汽車、智能電網(wǎng)、軌道交通以及5G通訊等多個領域均發(fā)揮著至關重要的作用。隨著全球對新能源汽車的加速推廣和智能化、數(shù)字化浪潮的席卷，歐洲第三代半導體的市場需求將持續(xù)增長。特別是在新能源汽車領域，歐洲市場正在積極推動電動化進程，對SiC和GaN等第三代半導體材料的需求將大幅增加。（集邦化合物半導體 Flora 整理）
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]]>近期，明報新聞網(wǎng)報道，香港微電子研發(fā)院（MRDI）正在設立兩條8英寸第三代半導體中試線，分別負責碳化硅及氮化鎵研發(fā)和生產(chǎn)，預計在今年內完成安裝及調試。
2024年5月，香港立法會批準28.4億港元設立香港微電子研發(fā)院，專注第三代半導體技術研發(fā)，包括碳化硅和氮化鎵中試線，支持產(chǎn)學研合作。香港微電子研發(fā)院計劃拿出其中24.78億港元用于建立中試線，其余資金為5年內的運營開支。
近年，香港積極布局第三代半導體產(chǎn)業(yè)，重點聚焦碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）技術，旨在通過重大項目、政府支持及區(qū)域協(xié)同發(fā)展，打造全球半導體供應鏈的關鍵節(jié)點。
同時，香港《創(chuàng)新科技發(fā)展藍圖》明確提出支持半導體先進制造，推動“新型工業(yè)化”，重點扶持第三代半導體技術突破與產(chǎn)業(yè)化應用。
項目方面，除了上述兩條產(chǎn)線外，今年1月，杰立方半導體與香港工業(yè)總會（FHKI）正式簽署了合作備忘錄（MOU），將在香港建立第三代半導體碳化硅8英寸晶圓廠，該項目預計總投資約69億港元，計劃于2026年正式投產(chǎn)。達產(chǎn)后年產(chǎn)24萬片晶圓，將能滿足150萬輛新能源車的生產(chǎn)需求，預計年產(chǎn)值將超過110億港元。
該項目是香港首座第三代半導體碳化硅晶圓廠，定位為垂直整合制造（IDM）模式，結合研發(fā)與生產(chǎn)，目標推動大灣區(qū)芯片供應鏈自主化。
此前，亦有媒體報道，MassPhoton公司將投資2億港元在香港新建晶圓生產(chǎn)線，并在香港科學園設立GaN技術研發(fā)中心，目標是將其GaN晶圓應用于顯示技術、汽車和數(shù)據(jù)中心等領域。（集邦化合物半導體 秦妍 整理）
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