#PDBG 是華潤微電子旗下全面負(fù)責(zé)功率器件設(shè)計(jì)、研發(fā)、制造與銷售服務(wù)的業(yè)務(wù)單元。其下設(shè)有中低壓MOS產(chǎn)品線，高壓MOS產(chǎn)品線，IGBT產(chǎn)品線，特種器件產(chǎn)品線，模塊產(chǎn)品線和汽車電子事業(yè)部。擁有CRMICRO、華晶兩個(gè)功率器件自主品牌。

華潤微電子介紹，該類模塊基于PDBG 1200V SiC MOS G4平臺(tái)芯片，采用ValueDual封裝，6/8管并聯(lián)設(shè)計(jì)，最低導(dǎo)通電阻1.6mΩ，兼具SiC器件低損耗、耐高溫特性以及ValueDual模塊的高系統(tǒng)兼容性、高系統(tǒng)效率等性能優(yōu)勢，在商用車主驅(qū)系統(tǒng)應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。

圖片來源：華潤微電子

已批量上車的ValueDual模塊采用了PDBG自主研發(fā)的第四代SiC MOS平臺(tái)的1200V 13mΩ芯片。該平臺(tái)在延續(xù)第二代平臺(tái)優(yōu)異的柵極特性的同時(shí)，通過設(shè)計(jì)和工藝創(chuàng)新，進(jìn)一步優(yōu)化了RSP、結(jié)電容、漏電等關(guān)鍵參數(shù)，顯著提升功率密度和運(yùn)行效率，為車載充電機(jī)（OBC）、主驅(qū)、高壓直流輸電（HVDC）等高功率密度、高集成度的應(yīng)用領(lǐng)域提供更高能效的系列化產(chǎn)品。

PDBG已經(jīng)快速完成第四代SiC MOS產(chǎn)品系列化，開發(fā)650V和1200V兩個(gè)電壓平臺(tái)，推出十余個(gè)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格產(chǎn)品，同時(shí)搭配公司成熟的插件、貼片封裝，包括QDPAK、TOLT等貼片頂部散熱封裝，產(chǎn)品綜合性能表現(xiàn)優(yōu)異，已成功導(dǎo)入OBC、充電樁、逆變器等領(lǐng)域的頭部客戶，并實(shí)現(xiàn)批量供貨，為產(chǎn)業(yè)升級(jí)提供高效可靠的國產(chǎn)器件支持。

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捷捷微電：攜手科研機(jī)構(gòu)，推進(jìn)碳化硅器件研發(fā)

9月15日，捷捷微電在投資者互動(dòng)平臺(tái)表示，公司與中科院微電子研究所、西安電子科大合作研發(fā)以SiC、GaN為代表的第三代半導(dǎo)體器件。目前，公司擁有氮化鎵和碳化硅相關(guān)發(fā)明專利5件和實(shí)用新型專利5件，此外還有7個(gè)發(fā)明專利和2個(gè)實(shí)用新型專利處于申請(qǐng)受理中。公司目前有少量碳化硅器件的封測，該系列產(chǎn)品仍在持續(xù)研究推進(jìn)過程中，尚未進(jìn)入量產(chǎn)階段。

捷捷微電的碳化硅器件研發(fā)成果顯著。其塑封碳化硅肖特基二極管（SiC SBD）器件，憑借超快的開關(guān)速度、極低的開關(guān)損耗、便捷的并聯(lián)特性，以及卓越的耐壓和浪涌電流承受能力，在電動(dòng)汽車、消費(fèi)類電子、新能源、軌道交通等多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用前景。2024年，捷捷微電還成功推出了1200V碳化硅MOSFET產(chǎn)品，進(jìn)一步充實(shí)了其在碳化硅器件領(lǐng)域的產(chǎn)品陣容。

三安光電：熱沉散熱用碳化硅材料早已開始研發(fā)，目前處于送樣階段

9月17日，三安光電在投資者互動(dòng)平臺(tái)表示，公司持續(xù)推進(jìn)碳化硅襯底在AI/AR眼鏡、熱沉散熱等方向的應(yīng)用，熱沉散熱用碳化硅材料早已開始研發(fā)，目前處于送樣階段。這表明三安光電在碳化硅材料的應(yīng)用拓展上已經(jīng)取得了一定成果，有望在未來的半導(dǎo)體器件散熱領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。

此外，三安光電在碳化硅領(lǐng)域還有其他重要進(jìn)展。10月23日，三安光電宣布旗下湖南三安在碳化硅產(chǎn)品上取得階段性進(jìn)展，實(shí)現(xiàn)8英寸襯底準(zhǔn)量產(chǎn)，部分產(chǎn)品已進(jìn)入主流新能源汽車企業(yè)供應(yīng)鏈。湖南三安8英寸碳化硅襯底已完成開發(fā)，依托精準(zhǔn)熱場控制的自主PVT工藝，實(shí)現(xiàn)了更低成本及更低缺陷密度，產(chǎn)品進(jìn)入小批量生產(chǎn)及送樣階段。

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英飛凌科技全球高級(jí)副總裁及大中華區(qū)總裁、英飛凌科技消費(fèi)、計(jì)算與通訊業(yè)務(wù)大中華區(qū)負(fù)責(zé)人潘大偉參觀兩款首次于國內(nèi)進(jìn)行實(shí)體展示的晶圓

01材料革新與系統(tǒng)重構(gòu)：英飛凌定義能效新范式

作為全球功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，英飛凌科技通過在氮化鎵（GaN）、機(jī)器人及人工智能領(lǐng)域的深度布局，持續(xù)展現(xiàn)出強(qiáng)大的技術(shù)創(chuàng)新能力與市場競爭力。

在此次峰會(huì)中，英飛凌重點(diǎn)發(fā)布的四大創(chuàng)新產(chǎn)品矩陣尤為矚目：

PSOC? Control C3 MCU：實(shí)現(xiàn)電機(jī)和功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的實(shí)時(shí)控制?；贏rm? Cortex?-M33的最新高性能微控制器（MCU）系列產(chǎn)品，具有實(shí)時(shí)控制功能和差異化控制外圍元件，頻率最高可達(dá)180MHz。在ModusToolbox?系統(tǒng)設(shè)計(jì)工具和軟件的支持下，這款綜合全面的解決方案使開發(fā)人員能夠輕松創(chuàng)建高性能、高效率、高可靠性且安全的電機(jī)控制和功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。無論是在家用電器、智能家居，還是在光伏逆變器等應(yīng)用中，PSOC? Control C3都能提供卓越的性能和可靠性。

新一代中壓CoolGaN?半導(dǎo)體器件：具備出色的性能、更高的功率密度和高可靠性，可以將系統(tǒng)效率提升至96%，同時(shí)有助于降低能耗與運(yùn)營成本。該系列半導(dǎo)體器件能夠助力中壓電機(jī)系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)更小的尺寸，為電信和數(shù)據(jù)中心提供更高的效率，在音頻應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)更高的功率密度、更輕量級(jí)的系統(tǒng)和更佳的音頻性能。

CoolMOS? 8高壓超結(jié)（SJ）MOSFET：提供了全新的“一體化”超級(jí)結(jié)（SJ）技術(shù)，產(chǎn)品系列覆蓋了從低功率到高功率的所有消費(fèi)類和工業(yè)應(yīng)用。作為寬禁帶半導(dǎo)體的高性價(jià)比替代方案之一，能夠以更低的成本實(shí)現(xiàn)更高的功率密度，同時(shí)確保器件的可靠性。CoolMOS? 8可以輕松替換CoolMOS? 7，集成了快速二極管，可提供600V和650V兩種電壓等級(jí)，其中650V特別提供了額外的50V緩沖，用于滿足數(shù)據(jù)中心和電信領(lǐng)域?qū)涣鬏斎腚妷旱奶囟ㄒ蟆?/p>

XDP?數(shù)字電源（DigitalPower）：包括XDP? XDPP1140/48數(shù)字控制器和3kW DR-HSC 12V-48V穩(wěn)壓IBC，均能夠?qū)崿F(xiàn)效率與功率密度的雙提升，展示出在系統(tǒng)設(shè)計(jì)與可靠性層面的雙重優(yōu)勢，使用靈活，同時(shí)又能夠優(yōu)化成本。

同時(shí)，英飛凌還于近期推出了新一代高密度功率模塊，即OptiMOS?TDM2454xx四相功率模塊也在國內(nèi)首次亮相。而在大會(huì)的主題展區(qū)，英飛凌還展示了雙足機(jī)器人、具身智能人形機(jī)器人“五指靈巧手”、IoT智能小車、8kW高效高密AI數(shù)據(jù)中心電源模塊、用于數(shù)據(jù)中心和人工智能訓(xùn)練模型的12kW PSU等展品。

ICIC 2025主題展區(qū)吸引了大量與會(huì)者參觀體驗(yàn)

總體來看，在氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域，該公司不僅實(shí)現(xiàn)了300mm GaN功率半導(dǎo)體晶圓的量產(chǎn)突破，其新一代中壓CoolGaN?器件更將系統(tǒng)效率提升至96%，顯著降低數(shù)據(jù)中心、電信及家電領(lǐng)域的能耗和成本。與此同時(shí)，英飛凌在硅基半導(dǎo)體領(lǐng)域也持續(xù)突破創(chuàng)新，推出的20μm超薄硅晶圓技術(shù)助于大幅提高功率轉(zhuǎn)換解決方案的能效、功率密度和可靠性。

在機(jī)器人領(lǐng)域，英飛凌提供從電源產(chǎn)品、傳感器、微控制器、連接芯片到電機(jī)驅(qū)動(dòng)的全棧解決方案，通過模塊化設(shè)計(jì)加速產(chǎn)品上市周期，推動(dòng)機(jī)器人領(lǐng)域的創(chuàng)新。其展示的”五指靈巧手”具身智能系統(tǒng)與雙足機(jī)器人技術(shù)，展現(xiàn)了在人機(jī)協(xié)作與智能制造等智能機(jī)器人應(yīng)用場景中的前沿探索。
針對(duì)人工智能基礎(chǔ)設(shè)施的高能效需求，英飛凌全面構(gòu)建了硅、碳化硅與氮化鎵協(xié)同共進(jìn)的混合技術(shù)矩陣，為AI服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心提供高效電源解決方案。特別值得一提的是，英飛凌推出的12kW PSU電源模塊可用于數(shù)據(jù)中心及支持AI訓(xùn)練模型部署。得益于AI浪潮的推動(dòng)，預(yù)計(jì)2025財(cái)年，英飛凌AI業(yè)務(wù)營收將突破6億歐元，2027年有望突破10億歐元。

英飛凌科技副總裁、英飛凌科技消費(fèi)、計(jì)算與通訊業(yè)務(wù)大中華區(qū)市場營銷負(fù)責(zé)人劉偉在ICIC 2025上發(fā)表主題演講

英飛凌科技副總裁、英飛凌科技消費(fèi)、計(jì)算與通訊業(yè)務(wù)大中華區(qū)市場營銷負(fù)責(zé)人劉偉強(qiáng)調(diào)，英飛凌正通過覆蓋”電網(wǎng)-核心-邊緣-用戶”的全鏈路能效解決方案，為AI、機(jī)器人及家電行業(yè)提供更環(huán)保、更高效、更智能的技術(shù)解決方案，賦能產(chǎn)業(yè)發(fā)展和應(yīng)用場景的擴(kuò)維升級(jí)，特別是其邊緣AI方案結(jié)合安全芯片和連接產(chǎn)品的組合，已在IoT智能小車等場景實(shí)現(xiàn)落地應(yīng)用。

02英飛凌加速布局機(jī)器人產(chǎn)業(yè)：從核心器件到生態(tài)協(xié)同

英飛凌將機(jī)器人視為未來有高增長潛力的核心賽道，其布局貫穿“以氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體技術(shù)-涵蓋感知、連接、人機(jī)交互等核心環(huán)節(jié)的全面半導(dǎo)體產(chǎn)品組合-系統(tǒng)級(jí)解決方案”全鏈條。

氮化鎵正驅(qū)動(dòng)著機(jī)器人走向輕量化革命，據(jù)英飛凌科技全球高級(jí)副總裁及大中華區(qū)總裁、英飛凌科技消費(fèi)、計(jì)算與通訊業(yè)務(wù)大中華區(qū)負(fù)責(zé)人潘大偉表示：“在機(jī)器人關(guān)節(jié)中，將氮化鎵技術(shù)用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)可將系統(tǒng)的體積縮小、重量降低，并顯著提升電池的續(xù)航能力?！?這一點(diǎn)在業(yè)界的相關(guān)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)中也可以窺見一斑，數(shù)據(jù)顯示，以人形機(jī)器人為例，若搭載30個(gè)采用氮化鎵技術(shù)的關(guān)節(jié)，其總重量可減少20kg，充電周期延長50%。

此外，英飛凌的創(chuàng)新技術(shù)和全棧解決方案正賦能機(jī)器人走向智能化、高效化和輕量化。英飛凌提供從MEMS傳感器、到支持實(shí)時(shí)決策的MCU，再到連接芯片和安全芯片的完整方案。在雙足機(jī)器人中，基于CoolGaN?的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)使動(dòng)態(tài)響應(yīng)速度提升25-50%。

目前，英飛凌正與本土伙伴聯(lián)合開發(fā)專用方案，如為某頭部企業(yè)定制的模塊化關(guān)節(jié)控制器，集成驅(qū)動(dòng)、傳感與安全功能，成本降低20%。其技術(shù)團(tuán)隊(duì)深度參與客戶設(shè)計(jì)，提供從器件選型到系統(tǒng)優(yōu)化的全流程支持。

03英飛凌深耕中國：本土化戰(zhàn)略的四維進(jìn)階

作為深耕中國市場30年的領(lǐng)先半導(dǎo)體企業(yè)，英飛凌將繼續(xù)持續(xù)堅(jiān)持“在中國、為中國”為本土化戰(zhàn)略，深化覆蓋運(yùn)營、創(chuàng)新、生產(chǎn)、生態(tài)的立體化本土布局。

在此次ICIC 2025大會(huì)上，英飛凌科技全球高級(jí)副總裁及大中華區(qū)總裁、英飛凌科技消費(fèi)、計(jì)算與通訊業(yè)務(wù)大中華區(qū)負(fù)責(zé)人潘大偉表示：“2025年是英飛凌在華30周年。在30年行業(yè)深耕的基礎(chǔ)之上，英飛凌將深入推進(jìn)本土化戰(zhàn)略，圍繞‘運(yùn)營、創(chuàng)新、生產(chǎn)、生態(tài)’等方面，持續(xù)為客戶增加價(jià)值，推動(dòng)在華業(yè)務(wù)的長期、穩(wěn)健、可持續(xù)發(fā)展。”

對(duì)于英飛凌消費(fèi)、計(jì)算與通訊業(yè)務(wù)在本土的發(fā)展，他圍繞“從電網(wǎng)到核心，驅(qū)動(dòng)AI算力”、“從云到端，賦能AI生態(tài)”、“從首到足，加速機(jī)器人發(fā)展”系統(tǒng)介紹了英飛凌的市場策略及優(yōu)勢，表示將以機(jī)器人、AI數(shù)據(jù)中心和邊緣計(jì)算等市場為主要驅(qū)動(dòng)力，依托領(lǐng)先的半導(dǎo)體技術(shù)和本土應(yīng)用創(chuàng)新生態(tài)賦能客戶的價(jià)值創(chuàng)造，推動(dòng)各種應(yīng)用場景落地，引領(lǐng)行業(yè)創(chuàng)新發(fā)展。

談及本土化生產(chǎn)，英飛凌表示將擴(kuò)大MCUs、MOSFETs等通用半導(dǎo)體產(chǎn)品的本地化生產(chǎn)制造。潘大偉指出，這兩款器件作為通用的半導(dǎo)體產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于新能源、汽車、工業(yè)控制、消費(fèi)電子等領(lǐng)域，市場需求穩(wěn)定且規(guī)模龐大。通過優(yōu)先擴(kuò)大此類通用半導(dǎo)體器件的本地化生產(chǎn)，既能快速響應(yīng)本土客戶需求，增強(qiáng)供應(yīng)鏈韌性，又能為后續(xù)探討更復(fù)雜產(chǎn)品（如汽車高壓模塊、傳感器等）的本地化生產(chǎn)積累經(jīng)驗(yàn)。（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）

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據(jù)悉，新公司專注光通信設(shè)備制造、集成電路芯片及產(chǎn)品制造、光電子器件制造、半導(dǎo)體分立器件制造、電子元器件制造、電子專用材料制造和研發(fā)、集成電路芯片設(shè)計(jì)及服務(wù)、半導(dǎo)體分立器件銷售等。

source：企查查截圖

公開資料顯示，度亙核芯成立于2017年，公司以高端激光芯片研發(fā)制造為核心競爭力，聚焦產(chǎn)業(yè)鏈上游器件與模塊的設(shè)計(jì)與制造，擁有覆蓋化合物半導(dǎo)體激光器完整工藝流程的工程技術(shù)能力和量產(chǎn)制造能力?，F(xiàn)有高功率芯片、單模泵浦模塊、陣列激光器、VCSEL、光纖耦合模塊構(gòu)成的五大類、多系列產(chǎn)品矩陣，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于工業(yè)加工、智能感知、光通訊、醫(yī)療美容和科學(xué)研究等領(lǐng)域。

值得注意的是，該公司通過其激光加工技術(shù)和設(shè)備，在碳化硅和氮化鎵的加工制造環(huán)節(jié)提供了重要的技術(shù)支持。

在碳化硅領(lǐng)域，該公司產(chǎn)品和技術(shù)可以應(yīng)用于碳化硅晶錠的切片、晶圓加工等環(huán)節(jié)。例如，其碳化硅晶錠切片設(shè)備能夠?qū)崿F(xiàn)碳化硅晶片從晶錠上的分離。此外，公司還提供碳化硅激光退火設(shè)備，滿足4/6寸SiC的激光退火功能。

在氮化鎵領(lǐng)域，度亙核芯的激光加工設(shè)備可用于氮化鎵外延片的加工，其的激光加工技術(shù)還可以應(yīng)用于氮化鎵基藍(lán)綠激光器的生產(chǎn)。

此次在上海成立新公司，是度亙核芯在長三角地區(qū)的重要布局。上海作為中國的經(jīng)濟(jì)中心和科技創(chuàng)新高地，擁有完善的產(chǎn)業(yè)配套、豐富的科研資源以及優(yōu)越的政策環(huán)境。新公司的成立將有助于度亙核芯更好地整合資源，同時(shí)上海的國際化視野和人才優(yōu)勢也將為度亙核芯的國際化發(fā)展提供有力支持。（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）

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此次新品發(fā)布精準(zhǔn)滿足了眾多高功率（工業(yè)）應(yīng)用領(lǐng)域?qū)Ψ至⑹絊iC MOSFET不斷增長的需求，該系列器件借助頂部散熱技術(shù)的優(yōu)勢，得以實(shí)現(xiàn)卓越的熱性能表現(xiàn)。這些器件在電池儲(chǔ)能系統(tǒng)(BESS)、光伏逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器以及不間斷電源(UPS)等工業(yè)應(yīng)用場景中表現(xiàn)卓越。此外，在包括充電樁在內(nèi)的電動(dòng)汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域同樣能發(fā)揮出眾效能。

X.PAK封裝允許將散熱器直接連接至引線框架，進(jìn)一步提升了Nexperia SiC MOSFET的散熱性能，實(shí)現(xiàn)從外殼頂部高效散熱。這一設(shè)計(jì)有效降低了通過PCB散熱所帶來的負(fù)面影響。同時(shí)，Nexperia的X.PAK封裝使表面貼裝組件具備低電感特性，并支持自動(dòng)化電路板封裝流程。?新款X.PAK封裝器件具備Nexperia SiC MOSFET一貫的優(yōu)異品質(zhì)因數(shù)(FoM)。

其中，RDS(on)作為關(guān)鍵參數(shù)，對(duì)導(dǎo)通損耗影響顯著。然而，許多制造商往往僅關(guān)注該參數(shù)（常溫）的標(biāo)稱值，卻忽略了一個(gè)事實(shí)，即隨著器件工作溫度的升高，標(biāo)稱值可能會(huì)增加100%以上，從而造成相當(dāng)大的導(dǎo)通損耗。與之不同，Nexperia SiC MOSFET展現(xiàn)出出色的溫度穩(wěn)定性，在25℃至175℃的工作溫度區(qū)間內(nèi)，RDS(on)的標(biāo)稱值僅增加38%。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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雙方將在以下三方面展開產(chǎn)學(xué)研資源深度融合：

共建創(chuàng)新平臺(tái)：意法半導(dǎo)體在智能功率技術(shù)、寬禁帶帶隙半導(dǎo)體、汽車芯片、邊緣人工智能、傳感以及數(shù)字和混合信號(hào)技術(shù)等多個(gè)重要技術(shù)領(lǐng)域，都是公認(rèn)的半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新先鋒，今年已是第七次被評(píng)為“全球百強(qiáng)創(chuàng)新企業(yè)”。意法半導(dǎo)體與重慶郵電大學(xué)在車聯(lián)網(wǎng)、功率電子等領(lǐng)域的科研能力（依托移動(dòng)通信終端與網(wǎng)絡(luò)控制國家工程研究中心等平臺(tái)）形成合力，雙方將共建新能源汽車人才培養(yǎng)和聯(lián)合創(chuàng)新中心，突破產(chǎn)業(yè)技術(shù)瓶頸。

加速校企人才合作：建立“需求導(dǎo)向”的人才培養(yǎng)機(jī)制，強(qiáng)化實(shí)踐性與國際性，通過校企聯(lián)合項(xiàng)目培養(yǎng)適配產(chǎn)業(yè)的高端技術(shù)人才。

助推科研成果轉(zhuǎn)化：搭建技術(shù)轉(zhuǎn)化服務(wù)網(wǎng)絡(luò)，加速科研成果在重慶本土企業(yè)的應(yīng)用驗(yàn)證，推動(dòng)創(chuàng)新鏈與產(chǎn)業(yè)鏈深度融合。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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該平臺(tái)采用芯粵能自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的溝槽MOSFET結(jié)構(gòu)，可顯著降低比導(dǎo)通電阻、提高電流密度，并在確保產(chǎn)品可靠性的同時(shí)，有效突破平面MOSFET性能提升瓶頸問題，進(jìn)一步提升芯片性能、大幅降低成本。

據(jù)悉，芯粵能第一代碳化硅溝槽MOSFET工藝平臺(tái)的1200V試制品單片最高良率超過97%，23mm2芯片尺寸下導(dǎo)通電阻為12.5mΩ，比導(dǎo)通電阻為2.3mΩ?cm2，比肩國際領(lǐng)先廠商主流產(chǎn)品性能指標(biāo)，溫升系數(shù)、開關(guān)損耗、抗雪崩和抗短路能力均能有效滿足產(chǎn)業(yè)應(yīng)用要求，2025年1月已經(jīng)零失效通過HTGB、HTRB、HV-H3TRB等關(guān)鍵可靠性摸底測試的1000小時(shí)考核。

除第一代產(chǎn)品外，芯粵能也在積極研發(fā)布局第二代、第三代溝槽MOSFET，進(jìn)一步鞏固其在國內(nèi)的技術(shù)領(lǐng)先地位，實(shí)現(xiàn)對(duì)國際領(lǐng)先廠商的趕超。

此前2024年，芯粵能完成10億元A輪融資，由廣東省集成電路基金、國投創(chuàng)業(yè)等機(jī)構(gòu)領(lǐng)投，資金將用于8英寸產(chǎn)線建設(shè)及市場拓展。據(jù)透露，芯粵能規(guī)劃總投資75億元，分兩期建設(shè)年產(chǎn)48萬片碳化硅晶圓生產(chǎn)線，目標(biāo)在2026年實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能全面釋放。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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作為一家半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)界的創(chuàng)新科技公司，芯聯(lián)集成致力于成為新能源產(chǎn)業(yè)、智能化產(chǎn)業(yè)核心芯片和模組的支柱性力量。

芯聯(lián)集成通過持續(xù)的高強(qiáng)度研發(fā)來保障技術(shù)的創(chuàng)新性和引領(lǐng)性。過去幾年，公司每年研發(fā)投入在30%左右，保持每1-2年進(jìn)入新的賽道，且每進(jìn)入到一個(gè)新賽道，都用3-4年時(shí)間做到中國技術(shù)領(lǐng)先水平，6-7年躋身業(yè)界領(lǐng)先行列。

正是基于公司不斷推進(jìn)技術(shù)創(chuàng)新，芯聯(lián)集成與聯(lián)合電子之間的合作得以持續(xù)深化。未來，芯聯(lián)集成將進(jìn)一步加強(qiáng)與聯(lián)合電子等全球客戶的緊密合作，充分發(fā)揮自身技術(shù)優(yōu)勢，賦能客戶產(chǎn)品技術(shù)的創(chuàng)新與升級(jí)，攜手為行業(yè)發(fā)展注入新的活力。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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上述聯(lián)盟主攻技術(shù)主權(quán)、供應(yīng)鏈韌性與創(chuàng)新競爭力三大核心方向，將重點(diǎn)攻關(guān)2納米以下先進(jìn)制程、第三代半導(dǎo)體材料與AI芯片架構(gòu)等技術(shù)領(lǐng)域。

資料顯示，歐洲在第三代半導(dǎo)體（以碳化硅SiC和氮化鎵GaN為核心）領(lǐng)域擁有多家具有全球影響力的企業(yè)，這些企業(yè)在技術(shù)研發(fā)、生產(chǎn)制造和市場應(yīng)用方面均處于行業(yè)前沿。

意法半導(dǎo)體是歐洲最早布局第三代半導(dǎo)體的龍頭企業(yè)之一，通過收購瑞典碳化硅晶圓制造商N(yùn)orstel AB，以及與Cree（現(xiàn)Wolfspeed）簽訂長期SiC晶圓供應(yīng)協(xié)議，構(gòu)建了從材料到器件的全產(chǎn)業(yè)鏈能力。意法半導(dǎo)體SiC產(chǎn)品已用于特斯拉、寶馬等車企的800V高壓平臺(tái)，并計(jì)劃在意大利投資54億美元建設(shè)SiC芯片工廠，提升電動(dòng)汽車專用芯片產(chǎn)能。

source：意法半導(dǎo)體

英飛凌通過收購美國國際整流器公司（IR）和德國Siltectra的冷切割技術(shù)，強(qiáng)化了SiC晶圓處理能力。其SiC MOSFET和GaN HEMT器件在新能源汽車、可再生能源領(lǐng)域占據(jù)重要份額。

此外，愛思強(qiáng)、Soitec等設(shè)備與材料供應(yīng)商以及晶圓代工廠商格芯均有碳化硅相關(guān)業(yè)務(wù)。

業(yè)界指出，歐洲第三代半導(dǎo)體材料在新能源汽車、智能電網(wǎng)、軌道交通以及5G通訊等多個(gè)領(lǐng)域均發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。隨著全球?qū)π履茉雌嚨募铀偻茝V和智能化、數(shù)字化浪潮的席卷，歐洲第三代半導(dǎo)體的市場需求將持續(xù)增長。特別是在新能源汽車領(lǐng)域，歐洲市場正在積極推動(dòng)電動(dòng)化進(jìn)程，對(duì)SiC和GaN等第三代半導(dǎo)體材料的需求將大幅增加。（集邦化合物半導(dǎo)體 Flora 整理）

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近期，明報(bào)新聞網(wǎng)報(bào)道，香港微電子研發(fā)院（MRDI）正在設(shè)立兩條8英寸第三代半導(dǎo)體中試線，分別負(fù)責(zé)碳化硅及氮化鎵研發(fā)和生產(chǎn)，預(yù)計(jì)在今年內(nèi)完成安裝及調(diào)試。

2024年5月，香港立法會(huì)批準(zhǔn)28.4億港元設(shè)立香港微電子研發(fā)院，專注第三代半導(dǎo)體技術(shù)研發(fā)，包括碳化硅和氮化鎵中試線，支持產(chǎn)學(xué)研合作。香港微電子研發(fā)院計(jì)劃拿出其中24.78億港元用于建立中試線，其余資金為5年內(nèi)的運(yùn)營開支。

近年，香港積極布局第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，重點(diǎn)聚焦碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）技術(shù)，旨在通過重大項(xiàng)目、政府支持及區(qū)域協(xié)同發(fā)展，打造全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)。

同時(shí)，香港《創(chuàng)新科技發(fā)展藍(lán)圖》明確提出支持半導(dǎo)體先進(jìn)制造，推動(dòng)“新型工業(yè)化”，重點(diǎn)扶持第三代半導(dǎo)體技術(shù)突破與產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。
項(xiàng)目方面，除了上述兩條產(chǎn)線外，今年1月，杰立方半導(dǎo)體與香港工業(yè)總會(huì)（FHKI）正式簽署了合作備忘錄（MOU），將在香港建立第三代半導(dǎo)體碳化硅8英寸晶圓廠，該項(xiàng)目預(yù)計(jì)總投資約69億港元，計(jì)劃于2026年正式投產(chǎn)。達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)24萬片晶圓，將能滿足150萬輛新能源車的生產(chǎn)需求，預(yù)計(jì)年產(chǎn)值將超過110億港元。

該項(xiàng)目是香港首座第三代半導(dǎo)體碳化硅晶圓廠，定位為垂直整合制造（IDM）模式，結(jié)合研發(fā)與生產(chǎn)，目標(biāo)推動(dòng)大灣區(qū)芯片供應(yīng)鏈自主化。

此前，亦有媒體報(bào)道，MassPhoton公司將投資2億港元在香港新建晶圓生產(chǎn)線，并在香港科學(xué)園設(shè)立GaN技術(shù)研發(fā)中心，目標(biāo)是將其GaN晶圓應(yīng)用于顯示技術(shù)、汽車和數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。（集邦化合物半導(dǎo)體 秦妍 整理）

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