圖片來(lái)源:銀河微電公告截圖
公開(kāi)資料顯示,銀河微電當(dāng)前主營(yíng)小信號(hào)器件、功率器件、光電器件、電源管理IC以及第三代半導(dǎo)體器件(SiC、GaN),產(chǎn)品覆蓋汽車電子、工業(yè)控制、新能源和5G通信等場(chǎng)景。
2025年一季度該公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)收2.18億元,同比增長(zhǎng)12.11%。同期,歸母凈利潤(rùn)610.02萬(wàn)元,同比下降64.77%;扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤(rùn)96.11萬(wàn)元,同比下降91.44%。利潤(rùn)下滑主因在于市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)導(dǎo)致產(chǎn)品毛利率下降,以及為擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模而新設(shè)控股子公司帶來(lái)的固定資產(chǎn)折舊和管理費(fèi)用增加。研發(fā)投入則同比增長(zhǎng)24.64%,顯示公司持續(xù)在技術(shù)創(chuàng)新上投入。
此前該公司披露,2024年全年?duì)I收達(dá)9.09億元,同比增長(zhǎng)30.75%;歸母凈利潤(rùn)7187.42萬(wàn)元,同比增長(zhǎng)12.21%。然而,盡管訂單持續(xù)增長(zhǎng),受限于現(xiàn)有生產(chǎn)場(chǎng)地、設(shè)備及人力資源,公司產(chǎn)能已無(wú)法充分滿足市場(chǎng)需求。
據(jù)悉,銀河微電敢于大規(guī)模擴(kuò)產(chǎn),源于其深厚的技術(shù)積累。公司不僅在傳統(tǒng)硅基平臺(tái)有所建樹(shù),更成功建立了SiC MOSFET和GaN HEMT芯片設(shè)計(jì)能力,并已實(shí)現(xiàn)小批量出貨。
在SiC MOSFET方面,今年3月4日,銀河微電與復(fù)旦大學(xué)聯(lián)合發(fā)布了“新能源汽車用SiC MOSFET關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)階段成果”。其中,1200V車規(guī)級(jí)SiC芯片已完成三輪流片,并通過(guò)AEC-Q101可靠性驗(yàn)證,預(yù)計(jì)將在2025年第四季度導(dǎo)入一期基地的小批量生產(chǎn)線。
針對(duì)GaN HEMT,繼2023年11月與晶通半導(dǎo)體簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議后,2025年6月,公司已在6英寸產(chǎn)線上成功完成650V/900V HEMT工程批生產(chǎn),DFN8×8和TOLL兩種封裝良率均達(dá)92%以上。銀河微電計(jì)劃將GaN器件優(yōu)先應(yīng)用于對(duì)效率和小型化要求極高的快充和服務(wù)器電源市場(chǎng)。
此外,今年5月,銀河微電還披露了12個(gè)已結(jié)題或在研項(xiàng)目。其中,多項(xiàng)與此次擴(kuò)產(chǎn)直接相關(guān)例如:
為提高資金使用效率,2025年7月12日,銀河微電董事會(huì)和監(jiān)事會(huì)審議通過(guò)了《關(guān)于使用部分暫時(shí)閑置可轉(zhuǎn)換公司債券募集資金進(jìn)行現(xiàn)金管理的議案》。同日,公司也公告了一項(xiàng)募投項(xiàng)目建設(shè)時(shí)間的調(diào)整。受土地獲取和施工進(jìn)度等因素影響,首次公開(kāi)發(fā)行股票募投項(xiàng)目“車規(guī)級(jí)半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”的建設(shè)時(shí)間由原計(jì)劃的2025年7月調(diào)整至2026年7月。雖然單個(gè)項(xiàng)目建設(shè)周期有所延長(zhǎng),但整體擴(kuò)產(chǎn)戰(zhàn)略并未改變。
(集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理)
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