圖片來源：JX官網(wǎng)新聞稿截圖

此輪追加投資額與該公司7月份宣布的投資合并計算，總投資額約達33億日元（約合2200萬美元），旨在將公司InP襯底的產(chǎn)能提升約50%（相比2025年水平）。此舉明確指向由生成式AI驅(qū)動的全球超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心建設熱潮。

AI推動光通信材料需求急增
此次大規(guī)模擴產(chǎn)的核心驅(qū)動力是AI算力對高速光通信的爆炸性需求。

磷化銦（InP）襯底是制造高性能光通信器件的關鍵核心材料。隨著生成式AI的快速普及，全球數(shù)據(jù)中心的建設正在加速，導致數(shù)據(jù)中心內(nèi)部和之間的數(shù)據(jù)傳輸量呈指數(shù)級增長。InP襯底對于生產(chǎn)光通信中的光發(fā)射器和接收器至關重要，是保障數(shù)據(jù)在光模塊中實現(xiàn)高速、大容量、低能耗傳輸?shù)幕?/p>

JX金屬在7月份宣布了首輪約15億日元的投資計劃（將產(chǎn)能提高約20%）。然而，鑒于AI持續(xù)演進帶來的InP需求激增速度遠超預期，公司決定進一步追加投資。

JX金屬在新聞稿中表示，建立一個能應對InP襯底需求急劇增加的系統(tǒng)已成為當務之急。

InP：未來光電融合技術的關鍵
作為全球少數(shù)幾家擁有40多年InP襯底制造經(jīng)驗的制造商之一，JX金屬此舉不僅是為了滿足當前光通信市場的需求，更是對未來技術的戰(zhàn)略布局。

InP襯底除了廣泛應用于光通信模塊外，還是光電融合技術（Photonic-Electronic Convergence Technology）的潛在核心材料。光電融合技術被視為下一代信息通信基礎設施的關鍵，它有望將高速數(shù)據(jù)處理能力和極低的能耗帶入板間、甚至芯片封裝間的通信。

通過此次總額達33億日元的投資，JX金屬將顯著強化其在化合物半導體材料領域的全球競爭力和供應鏈地位，為全球AI和高速通信基礎設施提供強有力的支持。

（集邦化合物半導體整理）

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圖片來源：九峰山實驗室（圖為九峰山實驗室6英寸磷化銦PIN探測器外延片）

該成果不僅將關鍵性能指標提升至國際領先水平，更是國內(nèi)首次在大尺寸磷化銦材料制備上實現(xiàn)從核心設備到關鍵材料的全面國產(chǎn)化，為我國光電子器件產(chǎn)業(yè)的規(guī)模化發(fā)展提供了有力支撐。

作為光通信、量子計算等前沿領域的核心材料，磷化銦（InP）的產(chǎn)業(yè)化應用一直受限于大尺寸制備的技術瓶頸。長期以來，行業(yè)主流停留在3英寸工藝階段，高昂的生產(chǎn)成本難以滿足光通信、激光雷達、太赫茲通信等下游產(chǎn)業(yè)的爆發(fā)式增長需求。

九峰山實驗室此次的突破在于，依托國產(chǎn)MOCVD設備和國內(nèi)合作伙伴云南鑫耀的6英寸磷化銦襯底技術，成功解決了大尺寸外延均勻性控制這一世界性難題。

其自主研發(fā)的6英寸外延生長工藝，使得FP激光器量子阱PL發(fā)光波長片內(nèi)標準差小于1.5nm，組分與厚度均勻性小于1.5%；PIN探測器材料本底濃度小于4×101?cm?3，遷移率大于11000cm2/V·s，這些關鍵性能指標均達到國際領先水平。

此項技術突破有望將國產(chǎn)光芯片的制造成本降低至3英寸工藝的60%至70%，顯著增強我國光芯片的市場競爭力。

九峰山實驗室本次技術突破的另一大亮點是其協(xié)同創(chuàng)新模式。通過聯(lián)合國內(nèi)上下游產(chǎn)業(yè)鏈，實驗室實現(xiàn)了從襯底、外延設備到關鍵工藝的“全鏈路”突破。其中，云南鑫耀作為合作方，其6英寸高品質(zhì)磷化銦單晶片的產(chǎn)業(yè)化關鍵技術已取得突破，即將進入量產(chǎn)階段。

這一模式對促進我國化合物半導體產(chǎn)業(yè)鏈的協(xié)同發(fā)展、奠定產(chǎn)業(yè)自主可控的基礎具有深遠影響。未來，九峰山實驗室將繼續(xù)優(yōu)化6英寸InP外延平臺，并推動下游產(chǎn)品驗證，為我國光電子產(chǎn)業(yè)的升級貢獻力量。

（集邦化合物半導體整理）

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該公司預計未來InP襯底的需求將持續(xù)走高，也正在考慮根據(jù)需要靈活地進行進一步投資。

早在2019年，JX先進金屬公司便已將其重點業(yè)務（包括半導體材料、信息通信材料等先進材料）定位為增長戰(zhàn)略的核心，該公司一直在努力打造繼半導體濺射靶材、壓延銅箔等主力產(chǎn)品之后的下一代收入支柱，磷化銦襯底被寄予厚望。

資料顯示，磷化銦可廣泛應用于光通信收發(fā)器件、可穿戴設備中的接近傳感器及工業(yè)級圖像傳感器領域。作為全球少數(shù)具備磷化銦襯底量產(chǎn)能力的制造商之一，JX先進金屬已深耕該材料研發(fā)與生產(chǎn)長達四十余年。該公司看好磷化銦未來前景，認為隨著光通信越來越多地用于數(shù)據(jù)中心內(nèi)的數(shù)據(jù)傳輸，市場對磷化銦襯底的需求也在不斷增長。

業(yè)界指出，在AI技術重塑全球產(chǎn)業(yè)格局的今天，半導體材料作為底層支撐正經(jīng)歷深刻變革。磷化銦憑借超高速電子傳輸、精準光譜匹配、耐極端環(huán)境等特性，有望成為AI時代高速通信、高頻計算與量子技術的核心材料。

（文/集邦化合物半導體整理）

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該設備專為砷化物/磷化物應用設計，采用創(chuàng)新的注入器和先進溫控技術，使關鍵層的晶圓均勻性較前代產(chǎn)品提升4倍，同時，具備全自動盒到盒操作能力，并通過原位清洗確保工藝穩(wěn)定性，為高質(zhì)量PIC生產(chǎn)提供了可靠保障。

愛思強成立于1983年，其技術解決方案廣泛應用于激光/LED、顯示技術、數(shù)據(jù)傳輸、電源管理等前沿領域。

SMART Photonics是愛思強的長期合作伙伴，成立于2012年，依托埃因霍溫理工大學的技術支持，已成為歐洲領先的InP PIC代工廠。

此次設備交付，標志著兩家公司在磷化銦光子集成電路制造領域的合作進入新階段，將為全球光電子產(chǎn)業(yè)鏈提供更強大的技術支持。

業(yè)界指出，近年，得益于5G/6G通信、醫(yī)療健康、人工智能等領域的快速發(fā)展，以及汽車激光雷達等傳感技術的廣泛應用，基于磷化銦的光子集成電路市場需求快速上升。愛思強G10-AsP系統(tǒng)有望提升SMART Photonics在GaAs/InP材料領域的大規(guī)模生產(chǎn)能力，助力其應對快速增長的市場需求。（集邦化合物半導體 Flora 整理）

source：先導科技集團

消息稱，該項目位于高新六路以南、光谷五路以東，建筑面積26萬平方米，共19棟建筑，包括研發(fā)中心、生產(chǎn)調(diào)度中心、辦公大樓等，整個項目力爭2025年年底實現(xiàn)投產(chǎn)運營。未來，半導體襯底、外延材料就將自這4座生產(chǎn)廠房下線，有力補強光谷光通信及激光產(chǎn)業(yè)供應鏈。

此次封頂?shù)?棟生產(chǎn)廠房將承擔核心材料制造，具體來看：

M1廠房?? 砷化鎵襯底生產(chǎn)線（應用于5G射頻芯片）
M2廠房?? 磷化銦襯底生產(chǎn)線（光通信激光器核心材料）
M3廠房?? 可調(diào)諧激光器量產(chǎn)線
M4廠房?? 鍺片生產(chǎn)基地（紅外探測器關鍵材料）

資料顯示，先導科技集團有限公司是全球稀散金屬龍頭企業(yè)。2024年3月，該項目落戶光谷，投資120億元建設高端化合物半導體材料及芯片產(chǎn)業(yè)化基地項目。項目投產(chǎn)后具備砷化鎵襯底、磷化銦襯底、鍺片、可調(diào)諧激光器及其他產(chǎn)品等生產(chǎn)能力。

“這相當于在光谷建造了一個‘化合物半導體超市’。”項目總工程師李明透露，項目達產(chǎn)后可年產(chǎn)8英寸襯底材料50萬片，滿足全球15%的高端需求。

化合物半導體呈現(xiàn)多元化態(tài)勢化合物半導體被視為“后摩爾時代”的戰(zhàn)略材料。行業(yè)數(shù)據(jù)顯示，我國砷化鎵襯底進口依存度仍高達83%，磷化銦更是超過90%。

化合物半導體行業(yè)正處于蓬勃發(fā)展與關鍵變革的重要節(jié)點。從市場規(guī)模來看，隨著5G通信、光通信、汽車電子、消費電子等眾多領域?qū)Ω咝阅馨雽w材料需求的持續(xù)攀升，化合物半導體市場呈現(xiàn)出增長態(tài)勢。業(yè)界預測，未來幾年全球化合物半導體市場規(guī)模有望保持兩位數(shù)的年增長率，市場前景極為廣闊。

在技術創(chuàng)新層面，各國科研團隊與企業(yè)不斷加大研發(fā)投入，致力于攻克技術難題。在材料生長工藝上，分子束外延（MBE）和金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）等先進技術持續(xù)優(yōu)化，能夠生長出更高質(zhì)量、更大尺寸的化合物半導體材料，為后續(xù)芯片制造奠定堅實基礎。在芯片設計與制造工藝方面，也取得了諸多突破，例如新型器件結構的研發(fā)，有效提升了化合物半導體芯片的性能與集成度。

競爭格局呈現(xiàn)多元化態(tài)勢。國際上，歐美日等發(fā)達國家和地區(qū)的企業(yè)憑借長期積累的技術、品牌和市場優(yōu)勢，在高端產(chǎn)品領域占據(jù)主導地位。

美國的Wolfspeed在碳化硅（SiC）領域技術領先，其產(chǎn)品廣泛應用于新能源汽車、工業(yè)電源等對功率器件要求嚴苛的高端領域，為提升系統(tǒng)效率與可靠性發(fā)揮著關鍵作用。

博通有限公司在砷化鎵（GaAs）等化合物半導體產(chǎn)品方面技術成熟，產(chǎn)品在5G通信、航空航天等領域有著廣泛應用，例如其生產(chǎn)的射頻芯片為眾多通信設備提供了穩(wěn)定高效的信號處理能力。

同時，韓國的三星、LG等企業(yè)依托自身在半導體領域的深厚積淀與大規(guī)模生產(chǎn)能力，積極布局化合物半導體業(yè)務，在中低端市場通過成本控制與產(chǎn)能優(yōu)勢具備較強競爭力。

隨著中國政策的大力扶持以及企業(yè)自身的努力，近年來取得了顯著進展。

source：穩(wěn)懋半導體

穩(wěn)懋半導體等企業(yè)專注于化合物半導體代工領域，憑借豐富的代工經(jīng)驗與較高的生產(chǎn)效率，在全球化合物半導體代工市場占據(jù)重要份額，為全球眾多設計公司提供生產(chǎn)制造服務。

而上述提到的先導科技集團在光谷投資建設的120億元化合物半導體基地，更是國內(nèi)行業(yè)發(fā)展的一個重要縮影。

越來越多的國內(nèi)企業(yè)開始涉足化合物半導體領域，在部分領域?qū)崿F(xiàn)了從無到有的突破，逐步縮小與國際先進水平的差距。但整體而言，國內(nèi)企業(yè)在技術研發(fā)實力、高端人才儲備以及產(chǎn)業(yè)生態(tài)完善程度等方面，與國際領先水平仍存在一定差距。

從應用領域拓展來看，除了傳統(tǒng)的通信、電子領域，化合物半導體在新能源汽車的功率器件、光伏的高效逆變器、醫(yī)療的高靈敏度探測器等新興領域的應用也日益廣泛。業(yè)界表示，可預見的是，隨著技術的不斷成熟和成本的逐步降低，化合物半導體將在更多領域大放異彩，成為推動全球科技產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要力量。（集邦化合物半導體南清整理）

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根據(jù)公告，兆馳股份擬通過全資子公司兆馳半導體或其下屬子公司以自有資金或自籌資金投資建設“年產(chǎn)1億顆光通信半導體激光芯片項目（一期）”，并建設砷化鎵、磷化銦化合物半導體激光晶圓制造生產(chǎn)線，主要應用為光芯片技術領域的VCSEL激光芯片及光通信半導體激光芯片。本次投資為項目一期，項目一期建設擬投資金額不超過5億元。

資料顯示，兆馳半導體目前專注于氮化鎵和砷化鎵LED外延及芯片的研發(fā)、生產(chǎn)及銷售，產(chǎn)品線涵蓋全色系LED芯片，廣泛應用于半導體照明、背光、超高清顯示等多個領域。自2023年起，兆馳半導體進一步布局光通信領域，已初步建立起涵蓋終端光通訊器件、模塊及核心原材料芯片的垂直產(chǎn)業(yè)鏈。

近期，國內(nèi)還有多個砷化鎵、磷化銦芯片相關項目披露了最新進展，分別由縱慧芯光、芯辰半導體等廠商主導建設。

10月23日，縱慧芯光正式宣布，旗下“3英寸化合物半導體芯片制造項目”已完成封頂。該項目總投資5.5億元，規(guī)劃用地40畝，預計明年1月投產(chǎn)，達產(chǎn)后將形成年產(chǎn)3英寸砷化鎵芯片和3英寸磷化銦芯片合計約5000萬顆的生產(chǎn)能力。

另據(jù)“勢能資本”消息，芯辰半導體外延設備已于近日投產(chǎn)，覆蓋砷化鎵及磷化銦光芯片四元化合物全材料體系。芯辰半導體專注于生產(chǎn)VCSEL和EEL激光器芯片，致力于在江蘇太倉打造砷化鎵和磷化銦系光芯片自主制造基地，其產(chǎn)品廣泛應用于光通信、激光雷達等領域。（集邦化合物半導體Zac整理）

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該項目將通過增加先進的晶圓制造設備，擴建全球首個6英寸（150mm）InP生產(chǎn)線，以擴大InP器件的規(guī)?；a(chǎn)。

6英寸InP晶圓（ source：Coherent）

據(jù)悉，今年3月，Coherent宣布已建立全球首個6英寸InP晶圓生產(chǎn)能力。公司分別在其德克薩斯州謝爾曼和瑞典J?rf?lla的晶圓廠建設了6英寸InP產(chǎn)能，未來將實現(xiàn)60%以上的成本降幅，賦能光通訊、數(shù)據(jù)通信收發(fā)器、AI智能互聯(lián)、消費電子及可穿戴設備用先進傳感、醫(yī)療與汽車、甚至往后的6G無線網(wǎng)絡、衛(wèi)星通信網(wǎng)絡等應用場景。

Coherent預期在未來幾年，InP大部分生產(chǎn)將從3英寸向6英寸過渡，以充分利用大尺寸晶圓、更高產(chǎn)量及更優(yōu)性能等的優(yōu)勢，鞏固其在通信和傳感領域的可持續(xù)競爭力。
除了InP，Coherent今年在碳化硅（SiC）與砷化鎵（GaAs）領域都有不同程度進展。

·碳化硅領域

2024年4月，Coherent基于CHIPS法案獲得1500萬美元的資金，用于加速下一代寬帶隙和超寬帶隙半導體（分別為碳化硅和單晶金剛石）的商業(yè)化。

9月26日，Coherent宣布推出其8英寸碳化硅外延片，其350微米和500微米厚度的襯底和外延晶圓目前正在出貨中。

·砷化鎵領域

9月27日，為簡化運營，Coherent將其位于英國北部達勒姆郡牛頓艾克利夫（Newton Aycliffe,County Durham）的晶圓廠出售給了英國政府，售價為2000萬英鎊。

Newton Aycliffe晶圓廠主要面向通信和航空航天與國防領域制造III-V族化合物半導體射頻微電子和光電子器件，生產(chǎn)用于戰(zhàn)斗機等軍事技術的砷化鎵半導體。

Coherent首席執(zhí)行官Jim Anderson表示：“剝離Newton Aycliffe工廠是公司優(yōu)化投資組合和簡化運營努力的一部分，這使我們能夠?qū)⑼顿Y和資本集中在公司最長期增長和盈利能力的領域?！保罨衔锇雽wMorty編譯）

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對于此次調(diào)價的原因，銦杰半導體指出，原材料高純銦價格自2024年1月開始持續(xù)上漲，漲幅超40%，同時，其余材料成本也都有所上升，在此背景下，公司決定調(diào)整產(chǎn)品價格。

據(jù)了解，銦資源極度稀缺，是戰(zhàn)略金屬資源之一，在科技領域用途廣泛。據(jù)曲合期貨行情中心顯示，近一年來，銦的報價從2000元/千克上漲至今年5月10日的3000元/千克，漲幅達50%，價格創(chuàng)2016年以來新高。

而磷化銦是一種多功能的化合物半導體材料，在光電子和微電子行業(yè)中扮演著重要角色，尤其在5G高速通信、光模塊、自動駕駛激光雷達以及可穿戴設備傳感器等領域有著廣泛的應用，是現(xiàn)代光電子產(chǎn)業(yè)重要的基礎材料。

銦杰半導體致力于磷化銦化合物半導體多晶材料的研究與開發(fā)，擁有完全自主產(chǎn)權的設備、工藝和控制系統(tǒng)，據(jù)稱已實現(xiàn)核心材料進口替代，是國內(nèi)唯一一家可以批量生產(chǎn)高純磷化銦多晶的本土企業(yè)。目前，該公司正在建設年產(chǎn)220噸磷化銦材料生產(chǎn)線項目。

從產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)來看，磷化銦材料漲價將傳導至下游光電芯片等領域，相關廠商如三安光電、長光華芯、縱慧芯光、源杰半導體等。若后續(xù)更多材料廠商作出產(chǎn)品調(diào)整的通知，光電芯片等下游產(chǎn)品的價格或?qū)⑼缴蠞q。（集邦化合物半導體Jenny整理）

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具體來看，Coherent在其美國德克薩斯州謝爾曼縣（Sherman, Texas）和瑞典J?rf?lla的晶圓廠分別建設了6英寸InP產(chǎn)能，未來將實現(xiàn)60%以上的成本降幅，賦能光通訊、數(shù)據(jù)通信收發(fā)器、AI智能互聯(lián)、消費電子及可穿戴設備用先進傳感、醫(yī)療與汽車、甚至往后的6G無線網(wǎng)絡、衛(wèi)星通信網(wǎng)絡等應用場景。

來源：Coherent官網(wǎng)

目前，Coherent正在推進幾款基于6英寸InP平臺產(chǎn)品的驗證，如200G電吸收調(diào)制激光器（EML）、200G分布反饋激光器、馬赫-曾德爾調(diào)制器（DFB-MZ）、100G電吸收調(diào)制激光器（EML）、高速光探測器、硅光子用高功率連續(xù)波（CW）激光器等。

Coherent表示，此次成功擴建6英寸InP產(chǎn)能，得益于公司在創(chuàng)新與技術開發(fā)領域的持續(xù)投入，也是多年來在智能手機傳感用VCSEL陣列制造領域的投資與運營經(jīng)驗的成果。

據(jù)了解，Coherent去年以來在VCSEL領域取得了不少成果。產(chǎn)品開發(fā)方面，其發(fā)布了集成VCSEL陣列的超緊湊動態(tài)照明與傳感專利模塊架構，該產(chǎn)品針對光學傳感應用進行了優(yōu)化，可實現(xiàn)動態(tài)場景中對關注區(qū)域的選擇性照明；今年初，Coherent發(fā)布了面向汽車及工業(yè)近中距離LiDAR（激光雷達）應用，推出了VCSEL照明模塊平臺。產(chǎn)品出貨量方面，截至2023年8月1日，Coherent傳感器用VCSEL發(fā)射器出貨量超2000億顆。

在未來幾年的時間里，Coherent預期InP大部分生產(chǎn)將從3英寸向6英寸過渡，以充分利用大尺寸晶圓、更高產(chǎn)量及更優(yōu)性能等的優(yōu)勢，鞏固其在通信和傳感領域的可持續(xù)競爭力。（來源：LEDinside）

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