近日，青禾晶元在混合鍵合與C2W技術(shù)上取得突破。其青禾晶元新廠房鍵合設(shè)備二期擴產(chǎn)線及總部辦公建設(shè)項目已正式開工，項目建成投產(chǎn)后，預計年產(chǎn)先進半導體設(shè)備約100臺套，年產(chǎn)值近15億。

source:?青禾晶元官網(wǎng)

混合鍵合技術(shù)，作為先進鍵合領(lǐng)域的一項創(chuàng)新，其基本原理是通過將不同材料或不同工藝的芯片進行高精度、高可靠性的鍵合，實現(xiàn)芯片間的高效互聯(lián)。

這項技術(shù)不僅提高了芯片的集成度，還顯著增強了芯片的熱性能和電性能。在人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等新興領(lǐng)域，混合鍵合技術(shù)憑借其獨特的優(yōu)勢，正逐漸成為提升設(shè)備性能、降低功耗的關(guān)鍵技術(shù)。

據(jù)悉，青禾晶元作為這一領(lǐng)域的先行者，其混合鍵合技術(shù)已經(jīng)達到了行業(yè)領(lǐng)先水平。其成功攻克了高精度快速對準、鍵合偏移精密控制、晶圓變形智能補償、高效率表面活化等關(guān)鍵技術(shù)。這些技術(shù)突破不僅提升了產(chǎn)品的性能，還為客戶提供了更加可靠、高效的芯片解決方案。

C2W（芯片到晶圓）鍵合相比W2W（晶圓到晶圓）具有更高的靈活性，可單獨測試篩選優(yōu)質(zhì)芯片再鍵合，降低整體缺陷率；支持異構(gòu)集成（不同工藝節(jié)點/尺寸芯片組合），減少材料浪費，降低成本、提升效益。

據(jù)悉，青禾晶元自主研發(fā)的12英寸C2W晶圓鍵合機對準精度達到±50nm，鍵合后精度優(yōu)于100nm，創(chuàng)新的從下往上鍵合方式可以避免芯片翻轉(zhuǎn)過程中的鍵合面污染、降低顆粒增加值。相比于傳統(tǒng)的C2W鍵合技術(shù)，新技術(shù)提高了鍵合良率，進一步證明了公司在先進鍵合技術(shù)領(lǐng)域的實力。

值得注意的是，在2024年4月11日，青禾晶元成功制備了8英寸碳化硅鍵合襯底，而在2024年12月10日，青禾晶元與合作伙伴基于6英寸Emerald-SiC復合襯底，成功研發(fā)出高性能且低成本的1200V SiC MOSFET。這些進展不僅提升了產(chǎn)品性能，還為客戶提供了更加可靠、高效的芯片解決方案。

近日，青禾晶元新廠房開工儀式剛剛舉行。

據(jù)官方報道，此次開工的項目是鍵合設(shè)備二期擴產(chǎn)線及總部辦公建設(shè)項目，規(guī)劃總面積達17000平米。項目建成投產(chǎn)后，預計年產(chǎn)先進半導體設(shè)備約100臺套，年產(chǎn)值近15億。

source:?青禾晶元官網(wǎng)

新廠房的建成，將極大地擴大青禾晶元的產(chǎn)能，提升研發(fā)能力。新廠房可滿足W2W混合鍵合、C2W混合鍵合及高精度倒裝芯片鍵合、超高真空常溫晶圓鍵合、熱壓陽極晶圓鍵合等多型號設(shè)備的連續(xù)生產(chǎn)，滿足市場對高端鍵合裝備的需求。同時，新廠房還將引入智能化管理系統(tǒng)，進一步提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量。

在更早的2024年4月11日，青禾晶元通過技術(shù)創(chuàng)新，成功制備了8英寸碳化硅鍵合襯底。而在2024年12月10日，青禾晶元與中科院微電子所高頻高壓中心及南京電子器件研究所深度合作，共同基于6英寸Emerald-SiC復合襯底，成功研發(fā)出高性能且低成本的1200V SiC MOSFET。

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01、帝爾激光總部暨研發(fā)生產(chǎn)基地三期項目落戶武漢

7月9日，東湖高新區(qū)與武漢帝爾激光科技股份有限公司（下文簡稱“帝爾激光”）舉辦簽約儀式，帝爾激光總部暨研發(fā)生產(chǎn)基地三期項目落戶光谷。

source：光谷融媒體中心

目前，帝爾激光已在武漢未來科技城投資建設(shè)生產(chǎn)基地一期、二期項目。本次計劃投資30億元，設(shè)立總部暨研發(fā)生產(chǎn)基地三期項目，將建設(shè)集團總部及前沿激光技術(shù)創(chuàng)新研究院，擴充光伏組件激光封裝成套設(shè)備生產(chǎn)線，新增半導體激光設(shè)備生產(chǎn)廠房。

資料顯示，帝爾激光于2008年在光谷成立，一直致力于激光技術(shù)應(yīng)用的研發(fā)與創(chuàng)新，推出了多款全球首創(chuàng)激光加工解決方案。

在集成電路領(lǐng)域，帝爾激光聚焦第三代半導體、先進封裝等技術(shù)發(fā)展與革新需求，瞄準半導體領(lǐng)域關(guān)鍵需求和核心問題，推出了TGV激光微孔、IGBT/SiC激光退火、晶圓激光隱切等裝備。

02、晶馳機電半導體材料裝備研發(fā)生產(chǎn)項目落地河北

7月11日，河北正定縣與杭州晶馳機電科技有限公司（下文簡稱“晶馳機電”）舉行半導體材料裝備研發(fā)生產(chǎn)項目簽約儀式。

source：正定發(fā)布

簽約儀式上，正定縣人民政府、正定國控集團分別與晶馳機電簽署招商入駐協(xié)議和投資合作協(xié)議。
資料顯示，晶馳機電成立于2021年7月，致力于碳化硅、金剛石、氮化鋁、氧化鎵等第三、四代半導體材料裝備的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和應(yīng)用推廣。

目前公司產(chǎn)品包括6英寸、8英寸水平進氣和6英寸及8英寸兼容型垂直進氣碳化硅外延設(shè)備（LPCVD 法），金剛石生長設(shè)備（MPCVD 法），金剛石外延設(shè)備、氮化鋁長晶設(shè)備，碳化硅源粉合成爐，氧化鎵單晶生長爐（導模法、CZ法），各種晶體和晶片熱處理爐。

值得一提的是，5月末，晶馳機電還中標了清華柔性電子技術(shù)研究院單晶MPCVD設(shè)備采購項目。（集邦化合物半導體Morty整理）

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晶亦精微成立于2019年9月23日，公司控股股東是中電科四十五所，實際控制人為中國電科集團。晶亦精微主營半導體設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售及技術(shù)服務(wù)，主要產(chǎn)品為化學機械拋光（CMP）設(shè)備及其配件，并提供技術(shù)服務(wù)。

據(jù)介紹，CMP設(shè)備通過化學腐蝕與機械研磨的協(xié)同配合作用，實現(xiàn)晶圓表面多余材料的高效去除與全局納米級平坦化，主要用于集成電路制造領(lǐng)域。

值得注意的是，為把握第三代半導體的機遇，晶亦精微在2020年便推出了6/8英寸兼容CMP設(shè)備Horizon-T并進入產(chǎn)線驗證，目前主要用于硅基半導體材料。該設(shè)備適用于SiC、GaN等第三代半導體材料的特殊需求表面拋光處理工藝，截至2023年底，晶亦精微已向境內(nèi)客戶A銷售1臺6/8 英寸兼容CMP設(shè)備，用途是第三代半導體材料處理。

募資12.9億元擴產(chǎn)，含第三代半導體CMP設(shè)備

本次發(fā)行上市，晶亦精微擬募資12.9億元，投向“高端半導體裝備研發(fā)項目”、“高端半導體裝備工藝提升及產(chǎn)業(yè)化項目”、“高端半導體裝備研發(fā)與制造中心建設(shè)項目”。

其中，高端半導體裝備研發(fā)與制造中心建設(shè)項目總投資5.55億元，將重點布局第三代半導體材料CMP成套工藝及設(shè)備的開發(fā)，重點攻克SiC高效全局平坦化，實現(xiàn)研磨液循環(huán)利用系統(tǒng)、研磨液均勻分布系統(tǒng)等在研技術(shù)的產(chǎn)品化及產(chǎn)業(yè)化落地。

具體來看，該項目擬對現(xiàn)有產(chǎn)品進行擴產(chǎn)，同時實現(xiàn)第三代半導體材料CMP成套工藝及設(shè)備的開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)。項目建成后，可形成第三代半導體材料CMP設(shè)備18臺/年、8英寸CMP設(shè)備12臺/年、12 英寸CMP設(shè)備22臺/年（面向28nm及以上制程）、6/8英寸兼容CMP設(shè)備10臺/年的生產(chǎn)規(guī)模。

通過本項目的建設(shè)，晶亦精微計劃在2026 年完成SiC CMP產(chǎn)品線布局，推出滿足第三代半導體材料全局平坦化的CMP設(shè)備 Horizon-W，并基于該產(chǎn)品完成客戶端的工藝開發(fā)及性能驗證。

國產(chǎn)替代時機下，業(yè)績持續(xù)增長

據(jù)化合物半導體市場了解，在第三代半導體設(shè)備領(lǐng)域，目前長晶設(shè)備國產(chǎn)化率較高，而切磨拋設(shè)備仍高度依賴進口，目前是國產(chǎn)設(shè)備廠商突破的重要方向之一。

據(jù)介紹，第三代半導體材料硬度相對較大，拋光時需要提供更大的拋光壓力，需要配備更大壓力的拋光頭及更精準的壓力控制系統(tǒng)以滿足第三代半導體的拋光需求。而晶亦精微創(chuàng)立不久就研發(fā)出適用于SiC材料的CMP設(shè)備并實現(xiàn)批量銷售，可見其具備較強的研發(fā)實力。

在未來發(fā)展方向上，晶亦精微也將深化CMP技術(shù)在第三代半導體材料領(lǐng)域的應(yīng)用作為技術(shù)攻關(guān)之一，將持續(xù)加大研發(fā)投入。同時，隨著項目的建設(shè)，晶亦精微也將逐步擴充第三代半導體CMP設(shè)備的產(chǎn)能，在國產(chǎn)替代時機下更好地滿足市場需求。

在此機遇下，國產(chǎn)設(shè)備廠商近幾年來也迎來了豐收期，晶亦精微也趕上了這一波紅利期。據(jù)披露，2020-2022年，晶亦精微分別實現(xiàn)營收9,984萬元、2.2億元、5.06億元，逐年成倍數(shù)增長；凈利潤方面，2021年開始盈利，并實現(xiàn)逐年增長。

2023年上半年，晶亦精微營收也達到3.09億元，全年營收預計約5.8 – 6億元，同比增長14.67% – 18.62%；預計實現(xiàn)凈利潤1.55-1.6億元，同比增長20.86% – 24.76%；預計實現(xiàn)扣除非經(jīng)常性損益后的凈利潤約1.28 -1.31億元，同比增長0.93% – 3.30%。總體經(jīng)營情況持續(xù)向好，業(yè)績保持持續(xù)增長。（文：集邦化合物半導體Jenny）

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