圖片來源：新微半導(dǎo)體

據(jù)介紹，該平臺(tái)采用了4英寸GaAs/AlGaAs異質(zhì)結(jié)外延技術(shù)，結(jié)合深臺(tái)面刻蝕、側(cè)壁鈍化及BCB/PBO平坦化等關(guān)鍵工藝，具備低暗電流、低電容、高響應(yīng)度、高帶寬及高可靠性等優(yōu)越性能。其代工產(chǎn)品能夠在-40℃到85℃的寬溫范圍內(nèi)穩(wěn)定運(yùn)行，確保設(shè)備在嚴(yán)寒、高溫等嚴(yán)苛環(huán)境下的性能一致性，保障終端設(shè)備可靠運(yùn)行。

在可靠性驗(yàn)證上，其代工產(chǎn)品已通過Telcordia GR468可靠性標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試，涵蓋HTOL（高溫工作壽命）、ESD（靜電放電）、T/C（溫度循環(huán)）及THB（高溫高濕壽命）等關(guān)鍵測(cè)試項(xiàng)目。在175℃的HTOL測(cè)試以及THB（溫度85℃、濕度85%RH）測(cè)試環(huán)境中，施加-5V偏置電壓條件，三批產(chǎn)品（抽樣標(biāo)準(zhǔn)77顆樣品）經(jīng)過2000小時(shí)老化后，均實(shí)現(xiàn)零失效，產(chǎn)品可靠性滿足通信級(jí)標(biāo)準(zhǔn)。

作為先進(jìn)的化合物半導(dǎo)體晶圓代工企業(yè)，新微半導(dǎo)體自成立以來，一直專注于為功率和光電兩大應(yīng)用領(lǐng)域的客戶提供多元化的晶圓代工及配套服務(wù)。除了此次推出的砷化鎵光電探測(cè)器工藝平臺(tái)，公司還擁有基于3/4吋磷化銦（InP）材料的全系列光電工藝解決方案，以及氮化鎵（GaN）功率器件制造平臺(tái)等，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于通信、新能源、消費(fèi)電子、汽車、工業(yè)和生物醫(yī)療等多個(gè)終端應(yīng)用領(lǐng)域。

新微半導(dǎo)體總經(jīng)理王慶宇博士表示：“新微半導(dǎo)體始終致力于為客戶提供最先進(jìn)的化合物半導(dǎo)體工藝解決方案。此次高速和陣列砷化鎵光電探測(cè)器工藝平臺(tái)的推出，是我們?cè)诠怆婎I(lǐng)域的又一重大突破。我們相信，憑借該平臺(tái)的卓越性能，將幫助客戶在市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中取得優(yōu)勢(shì)，推動(dòng)行業(yè)的技術(shù)進(jìn)步和應(yīng)用拓展?！?/p>

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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01奧通碳素半導(dǎo)體級(jí)等靜壓石墨項(xiàng)目：設(shè)備調(diào)試收官+試生產(chǎn)并行

6月9日，據(jù)“最內(nèi)江”公眾號(hào)消息，奧通碳素（內(nèi)江）科技有限公司的半導(dǎo)體級(jí)等靜壓石墨項(xiàng)目目前已進(jìn)入設(shè)備調(diào)試收官與試生產(chǎn)并行階段。該項(xiàng)目位于成渝地區(qū)雙城經(jīng)濟(jì)圈的東興經(jīng)開區(qū)，是東興區(qū)布局產(chǎn)業(yè)鏈高端環(huán)節(jié)的關(guān)鍵項(xiàng)目。其瞄準(zhǔn)半導(dǎo)體芯片、光伏新能源、高端模具制造等 “卡脖子” 領(lǐng)域，所生產(chǎn)的高端等靜壓石墨主要應(yīng)用于碳化硅半導(dǎo)體制造行業(yè)、高端電火花加工行業(yè)以及3C產(chǎn)品模具行業(yè)，同時(shí)兼顧光伏產(chǎn)業(yè)。

項(xiàng)目分三期建設(shè)，一期工程總投資1.5億元，新建了年產(chǎn)2000噸石墨粉、配料、混捏生產(chǎn)線，目前大型設(shè)備已全部安裝完畢，調(diào)試工作進(jìn)入最后階段，預(yù)計(jì)9月可全面投產(chǎn)。二期工程計(jì)劃總投資4億元，將建設(shè)8.7萬平方米廠房，新建年產(chǎn)5000噸半導(dǎo)體級(jí)等靜壓石墨全工藝流程生產(chǎn)線，目前前期工作已啟動(dòng)，計(jì)劃于2026年建成投產(chǎn)。

三期工程規(guī)劃投資4.5億元，將建設(shè)11.3萬平方米廠房及配套生產(chǎn)線，將在二期投產(chǎn)當(dāng)年同步啟動(dòng)。項(xiàng)目整體建成后，可形成年產(chǎn)1萬噸半導(dǎo)體級(jí)等靜壓石墨產(chǎn)能，預(yù)計(jì)實(shí)現(xiàn)年?duì)I收15億元，帶動(dòng)當(dāng)?shù)?00余人就業(yè)。

02全磊光電化合物半導(dǎo)體外延片/芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目：順利封頂

6月8日，全磊光電的化合物半導(dǎo)體外延片/芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目也披露最新進(jìn)展，該項(xiàng)目順利封頂。項(xiàng)目位于火炬（翔安）產(chǎn)業(yè)區(qū)，由全磊光電股份有限公司投建，計(jì)劃采購金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積設(shè)備等主要生產(chǎn)工藝設(shè)備、測(cè)試設(shè)備和配套設(shè)備設(shè)施，用于生產(chǎn)化合物半導(dǎo)體外延片/芯片產(chǎn)品。

圖片來源：天映投資集團(tuán)有限公司

建成投產(chǎn)后，全磊光電將從現(xiàn)有的砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）基外延片產(chǎn)品，逐步拓展至氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品，并應(yīng)用于光通信、智能傳感、微波射頻、功率器件等領(lǐng)域。

項(xiàng)目建設(shè)期為兩年，其中一期建設(shè)內(nèi)容為生產(chǎn)車間、綜合樓以及動(dòng)力車間等，計(jì)劃于2026年1月份投產(chǎn)；二期主要建設(shè)3號(hào)樓和4號(hào)樓的研發(fā)車間，將于2027年2月份投產(chǎn)，投產(chǎn)后產(chǎn)能是年產(chǎn)40萬片化合物半導(dǎo)體的外延片和芯片。該項(xiàng)目的推進(jìn)將進(jìn)一步完善廈門市化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的核心環(huán)節(jié)，填補(bǔ)國內(nèi)光通信領(lǐng)域高端產(chǎn)品的空白。

03晶旭半導(dǎo)體超寬禁帶半導(dǎo)體高頻濾波芯片生產(chǎn)線：沖刺試產(chǎn)

據(jù)“上杭融媒”6月9日消息，全球首條超寬禁帶半導(dǎo)體高頻濾波芯片生產(chǎn)線進(jìn)入沖刺試產(chǎn)階段。該項(xiàng)目由福建#晶旭半導(dǎo)體?科技有限公司投資建設(shè)，總投資16.8億元，建設(shè)136畝工業(yè)廠區(qū)。目前，項(xiàng)目土建部分以及主體的封頂工程已經(jīng)完成，正在進(jìn)行雨污管網(wǎng)和路面的建設(shè)，內(nèi)部裝修也全面進(jìn)入精裝修工程，動(dòng)力站機(jī)房的建設(shè)以及廠房的裝修工程預(yù)計(jì)在9月份可完成初步試產(chǎn)動(dòng)作。

圖片來源：上杭融媒

福建晶旭半導(dǎo)體科技有限公司是一家擁有獨(dú)立自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的高新技術(shù)企業(yè)，面向5G通信中高頻聲波濾波器晶圓及芯片材料。其技術(shù)團(tuán)隊(duì)從2005年開始研究5G聲波濾波器制備，擁有光電集成芯片和化合物單晶薄膜材料專利100多項(xiàng)，特別在5G核心器件射頻濾波器壓電薄膜材料芯片制備技術(shù)上處于國際領(lǐng)先地位。該生產(chǎn)線建成后，不僅將填補(bǔ)國內(nèi)在氧化鎵壓電薄膜新材料領(lǐng)域的空白，同時(shí)也對(duì)上杭縣新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有重要推動(dòng)作用 。

隨著這些項(xiàng)目的逐步推進(jìn)和落地，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將迎來更快速的發(fā)展，有望在能源、通信、汽車等多個(gè)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)廣泛應(yīng)用，為相關(guān)產(chǎn)業(yè)的升級(jí)和創(chuàng)新發(fā)展提供有力支撐 。

（集邦化合物半導(dǎo)體 妮蔻 整理）

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圖片來源：合肥芯谷微電子

芯谷微砷化鎵晶圓制造線項(xiàng)目于2023年啟動(dòng)建設(shè)，規(guī)劃為6英寸砷化鎵晶圓生產(chǎn)線，旨在完善公司從芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測(cè)試到微波組件生產(chǎn)的全產(chǎn)業(yè)鏈能力，推動(dòng)其向IDM（垂直整合制造）模式轉(zhuǎn)型。項(xiàng)目投產(chǎn)后，將進(jìn)一步提升芯谷微在半導(dǎo)體領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力，助力國產(chǎn)半導(dǎo)體制造技術(shù)的突破與應(yīng)用落地。

芯谷微成立于2014年，總部位于合肥高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)，核心技術(shù)團(tuán)隊(duì)源自美國Excelics公司及國內(nèi)外知名企業(yè)，具備近30年微波集成電路設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)。芯谷微專注于微波、毫米波單片集成電路的研發(fā)與生產(chǎn)，基于砷化鎵（GaAs）和氮化鎵（GaN）工藝技術(shù)，其產(chǎn)品覆蓋DC-110GHz頻段的低噪聲放大器、功率放大器、多功能芯片等，廣泛應(yīng)用于電子對(duì)抗、雷達(dá)探測(cè)、軍用通信等國防軍工領(lǐng)域，并逐步拓展至5G毫米波通信、衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)及醫(yī)療設(shè)備等民用市場(chǎng)。

2022年，芯谷微完成C輪4億元融資，由廣發(fā)乾和領(lǐng)投，基石資本等跟投，主要用于推動(dòng)公司向IDM（垂直整合制造）模式轉(zhuǎn)型，支持技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)能擴(kuò)張。

值得注意的是，芯谷微曾在2023年5月5日正式向科創(chuàng)板提交上市申請(qǐng)，2023年5月至2024年4月期間經(jīng)歷多輪問詢，因財(cái)報(bào)更新兩次中止審核，此后在2024年4月17日，芯谷微及保薦人國元證券主動(dòng)撤回上市申請(qǐng)，上交所終止審核。

（集邦化合物半導(dǎo)體 niko 整理）

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值得注意的是，這并不是該公司首次開啟IPO。早在2022年10月，飛驤科技科創(chuàng)板IPO申請(qǐng)文件曾獲上海證券交易所受理，該公司當(dāng)時(shí)擬募資15.22億元。2024 年 9 月，公司及保薦機(jī)構(gòu)向上海證券交易所撤回發(fā)行上市申請(qǐng)，上海證券交易所于2024年10月終止公司的發(fā)行上市審核。

公開資料顯示，飛驤科技成立于2015年，前身為深圳國民飛驤科技有限公司。該公司法定代表人是公司創(chuàng)始人龍華，其控股股東上海上驤企業(yè)管理中心（有限合伙），直接持股14.30%，通過特別表決權(quán)股份安排實(shí)際享有37.34%的表決權(quán)。

飛驤科技是一家專注于射頻前端芯片研發(fā)、設(shè)計(jì)和銷售的公司，核心業(yè)務(wù)覆蓋2G – 5G全品類射頻前端芯片，產(chǎn)品包括射頻功率放大器、射頻開關(guān)、濾波器等。

2020年6月，飛驤科技發(fā)布了第一套完整支持所有5G頻段的國產(chǎn)射頻前端解決方案和第一套采用國產(chǎn)工藝實(shí)現(xiàn)5G性能的射頻前端模塊，提供5G/4G/3G/2G射頻方案、IoT射頻方案、Wi-Fi射頻方案?，F(xiàn)在該公司已量產(chǎn)出貨L-PAMiF、PAMiF、L-FEM等高集成度5G模組，技術(shù)難度更大的高集成度5G模組L-PAMiD和L-DiFEM已完成設(shè)計(jì)并開始樣品驗(yàn)證。

其核心終端客戶涵蓋傳音、聯(lián)想（摩托羅拉）、聞泰科技、天瓏移動(dòng)、華勤技術(shù)、中諾通訊、龍旗科技、榮耀等知名品牌，并且成功進(jìn)入這些知名ODM廠商的供應(yīng)鏈體系。

據(jù)飛驤科技公布財(cái)報(bào)，其在2019-2024年上半年分別實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入為1.16億元、3.65億元、9.16億元、10.22億元、17.17億元和11.31億元。2019-2023年五年復(fù)合增長率為96.19%，其中2023年?duì)I收同比增長68.08%，2024年上半年同比增長107.25%。

具體來看，2019-2023年飛驤科技處于虧損狀態(tài)，其中2019年到2022年分別虧損1.2億元、1.75億元、3.41億元、3.62億元，2023年則大幅縮窄到虧損1.93億元。五年累計(jì)虧損額約為11.91億元。在2024年上半年。飛驤科技持續(xù)大幅扭虧，至凈利潤在1327.99萬元至1827.99萬元的區(qū)間，實(shí)現(xiàn)扭虧為盈。

官方表示，業(yè)績轉(zhuǎn)好主要得益于5G模組及泛連接等產(chǎn)品的良好表現(xiàn)。自從銷售5G產(chǎn)品以來，飛驤科技5G產(chǎn)品營收從2020年的不足億元增長至2023年的4億元，毛利率達(dá)22.19%。該公司泛連接產(chǎn)品營收也從2021年的418萬元增長至2023年的1.17億元。此外，飛驤科技還披露其高技術(shù)門檻的L-PAMiD產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)突破并放量出貨。

飛驤科技表示，2024年至2025年，預(yù)計(jì)公司將綜合受益于Wi-Fi、L-PAMiD、車載、衛(wèi)星通信等高附加值產(chǎn)品的導(dǎo)入帶來的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)優(yōu)化以及客戶結(jié)構(gòu)優(yōu)化（A 公司、榮耀、vivo）等品牌客戶占比提升，以及期間費(fèi)用將趨于穩(wěn)定或緩增，預(yù)計(jì)會(huì)迎來盈利拐點(diǎn)。

另外，公開資料顯示，從2015年至今，飛驤科技共計(jì)完成14輪融資，引入招商證券、聞泰科技等戰(zhàn)略投資者，研發(fā)投入累計(jì)超10億元，公司專利206項(xiàng)。

值得注意的是，飛驤科技自2015年起便錨定國產(chǎn)砷化鎵（GaAs）工藝替代，其5G模組采用自主設(shè)計(jì)的國產(chǎn)GaAs工藝平臺(tái)量產(chǎn)，較進(jìn)口方案成本降低30%，并率先進(jìn)入三星Galaxy系列供應(yīng)鏈。（集邦化合物半導(dǎo)體竹子整理）

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source：先導(dǎo)科技集團(tuán)

消息稱，該項(xiàng)目位于高新六路以南、光谷五路以東，建筑面積26萬平方米，共19棟建筑，包括研發(fā)中心、生產(chǎn)調(diào)度中心、辦公大樓等，整個(gè)項(xiàng)目力爭(zhēng)2025年年底實(shí)現(xiàn)投產(chǎn)運(yùn)營。未來，半導(dǎo)體襯底、外延材料就將自這4座生產(chǎn)廠房下線，有力補(bǔ)強(qiáng)光谷光通信及激光產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈。

此次封頂?shù)?棟生產(chǎn)廠房將承擔(dān)核心材料制造，具體來看：

M1廠房?? 砷化鎵襯底生產(chǎn)線（應(yīng)用于5G射頻芯片）
M2廠房?? 磷化銦襯底生產(chǎn)線（光通信激光器核心材料）
M3廠房?? 可調(diào)諧激光器量產(chǎn)線
M4廠房?? 鍺片生產(chǎn)基地（紅外探測(cè)器關(guān)鍵材料）

資料顯示，先導(dǎo)科技集團(tuán)有限公司是全球稀散金屬龍頭企業(yè)。2024年3月，該項(xiàng)目落戶光谷，投資120億元建設(shè)高端化合物半導(dǎo)體材料及芯片產(chǎn)業(yè)化基地項(xiàng)目。項(xiàng)目投產(chǎn)后具備砷化鎵襯底、磷化銦襯底、鍺片、可調(diào)諧激光器及其他產(chǎn)品等生產(chǎn)能力。

“這相當(dāng)于在光谷建造了一個(gè)‘化合物半導(dǎo)體超市’?！表?xiàng)目總工程師李明透露，項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后可年產(chǎn)8英寸襯底材料50萬片，滿足全球15%的高端需求。

化合物半導(dǎo)體呈現(xiàn)多元化態(tài)勢(shì)化合物半導(dǎo)體被視為“后摩爾時(shí)代”的戰(zhàn)略材料。行業(yè)數(shù)據(jù)顯示，我國砷化鎵襯底進(jìn)口依存度仍高達(dá)83%，磷化銦更是超過90%。

化合物半導(dǎo)體行業(yè)正處于蓬勃發(fā)展與關(guān)鍵變革的重要節(jié)點(diǎn)。從市場(chǎng)規(guī)模來看，隨著5G通信、光通信、汽車電子、消費(fèi)電子等眾多領(lǐng)域?qū)Ω咝阅馨雽?dǎo)體材料需求的持續(xù)攀升，化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)呈現(xiàn)出增長態(tài)勢(shì)。業(yè)界預(yù)測(cè)，未來幾年全球化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模有望保持兩位數(shù)的年增長率，市場(chǎng)前景極為廣闊。

在技術(shù)創(chuàng)新層面，各國科研團(tuán)隊(duì)與企業(yè)不斷加大研發(fā)投入，致力于攻克技術(shù)難題。在材料生長工藝上，分子束外延（MBE）和金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCVD）等先進(jìn)技術(shù)持續(xù)優(yōu)化，能夠生長出更高質(zhì)量、更大尺寸的化合物半導(dǎo)體材料，為后續(xù)芯片制造奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。在芯片設(shè)計(jì)與制造工藝方面，也取得了諸多突破，例如新型器件結(jié)構(gòu)的研發(fā)，有效提升了化合物半導(dǎo)體芯片的性能與集成度。

競(jìng)爭(zhēng)格局呈現(xiàn)多元化態(tài)勢(shì)。國際上，歐美日等發(fā)達(dá)國家和地區(qū)的企業(yè)憑借長期積累的技術(shù)、品牌和市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)，在高端產(chǎn)品領(lǐng)域占據(jù)主導(dǎo)地位。

美國的Wolfspeed在碳化硅（SiC）領(lǐng)域技術(shù)領(lǐng)先，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于新能源汽車、工業(yè)電源等對(duì)功率器件要求嚴(yán)苛的高端領(lǐng)域，為提升系統(tǒng)效率與可靠性發(fā)揮著關(guān)鍵作用。

博通有限公司在砷化鎵（GaAs）等化合物半導(dǎo)體產(chǎn)品方面技術(shù)成熟，產(chǎn)品在5G通信、航空航天等領(lǐng)域有著廣泛應(yīng)用，例如其生產(chǎn)的射頻芯片為眾多通信設(shè)備提供了穩(wěn)定高效的信號(hào)處理能力。

同時(shí)，韓國的三星、LG等企業(yè)依托自身在半導(dǎo)體領(lǐng)域的深厚積淀與大規(guī)模生產(chǎn)能力，積極布局化合物半導(dǎo)體業(yè)務(wù)，在中低端市場(chǎng)通過成本控制與產(chǎn)能優(yōu)勢(shì)具備較強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)力。

隨著中國政策的大力扶持以及企業(yè)自身的努力，近年來取得了顯著進(jìn)展。

source：穩(wěn)懋半導(dǎo)體

穩(wěn)懋半導(dǎo)體等企業(yè)專注于化合物半導(dǎo)體代工領(lǐng)域，憑借豐富的代工經(jīng)驗(yàn)與較高的生產(chǎn)效率，在全球化合物半導(dǎo)體代工市場(chǎng)占據(jù)重要份額，為全球眾多設(shè)計(jì)公司提供生產(chǎn)制造服務(wù)。

而上述提到的先導(dǎo)科技集團(tuán)在光谷投資建設(shè)的120億元化合物半導(dǎo)體基地，更是國內(nèi)行業(yè)發(fā)展的一個(gè)重要縮影。

越來越多的國內(nèi)企業(yè)開始涉足化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域，在部分領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了從無到有的突破，逐步縮小與國際先進(jìn)水平的差距。但整體而言，國內(nèi)企業(yè)在技術(shù)研發(fā)實(shí)力、高端人才儲(chǔ)備以及產(chǎn)業(yè)生態(tài)完善程度等方面，與國際領(lǐng)先水平仍存在一定差距。

從應(yīng)用領(lǐng)域拓展來看，除了傳統(tǒng)的通信、電子領(lǐng)域，化合物半導(dǎo)體在新能源汽車的功率器件、光伏的高效逆變器、醫(yī)療的高靈敏度探測(cè)器等新興領(lǐng)域的應(yīng)用也日益廣泛。業(yè)界表示，可預(yù)見的是，隨著技術(shù)的不斷成熟和成本的逐步降低，化合物半導(dǎo)體將在更多領(lǐng)域大放異彩，成為推動(dòng)全球科技產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要力量。（集邦化合物半導(dǎo)體南清整理）

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source：珠海建安

據(jù)悉，由華芯微電子主導(dǎo)的格創(chuàng)·華芯砷化鎵晶圓生產(chǎn)基地項(xiàng)目是廣東省重點(diǎn)項(xiàng)目、珠海市產(chǎn)業(yè)立柱項(xiàng)目，格創(chuàng)·華芯半導(dǎo)體園區(qū)總投資33.87億元。

該項(xiàng)目于2023年7月正式開工建設(shè)。2024年8月，華芯微電子將首批設(shè)備移入園區(qū)。同年11月，華芯微電子首條6英寸砷化鎵晶圓生產(chǎn)線正式調(diào)通，并生產(chǎn)出第一片6英寸2um砷化鎵HBT晶圓，預(yù)計(jì)將于2025年上半年實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。

據(jù)介紹，該晶圓具備高增益、高效能的特性，可應(yīng)用于先進(jìn)5G Phase 7/8手機(jī)功率放大器模組以及Wi-Fi 6/7等設(shè)備。

資料顯示，華芯微電子于2023年2月在珠海高新區(qū)成立，是華芯（珠海）半導(dǎo)體有限公司全資子公司，專注于化合物半導(dǎo)體晶圓代工業(yè)務(wù)，面向手機(jī)、Wi-Fi路由器、基站、衛(wèi)星通訊、雷達(dá)等高中低頻射頻應(yīng)用終端市場(chǎng)。

格力集團(tuán)此前消息顯示，2023年3月，格力金投與中芯聚源聯(lián)合領(lǐng)投華芯半導(dǎo)體，助力華芯珠海核心團(tuán)隊(duì)完成數(shù)億元融資，推動(dòng)華芯（珠海）半導(dǎo)體砷化鎵總部研產(chǎn)基地項(xiàng)目落戶珠海，并在珠海投資建設(shè)產(chǎn)能達(dá)1.5萬片/月的6英寸砷化鎵晶圓代工廠。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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根據(jù)公告，兆馳股份擬通過全資子公司兆馳半導(dǎo)體或其下屬子公司以自有資金或自籌資金投資建設(shè)“年產(chǎn)1億顆光通信半導(dǎo)體激光芯片項(xiàng)目（一期）”，并建設(shè)砷化鎵、磷化銦化合物半導(dǎo)體激光晶圓制造生產(chǎn)線，主要應(yīng)用為光芯片技術(shù)領(lǐng)域的VCSEL激光芯片及光通信半導(dǎo)體激光芯片。本次投資為項(xiàng)目一期，項(xiàng)目一期建設(shè)擬投資金額不超過5億元。

資料顯示，兆馳半導(dǎo)體目前專注于氮化鎵和砷化鎵LED外延及芯片的研發(fā)、生產(chǎn)及銷售，產(chǎn)品線涵蓋全色系LED芯片，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體照明、背光、超高清顯示等多個(gè)領(lǐng)域。自2023年起，兆馳半導(dǎo)體進(jìn)一步布局光通信領(lǐng)域，已初步建立起涵蓋終端光通訊器件、模塊及核心原材料芯片的垂直產(chǎn)業(yè)鏈。

近期，國內(nèi)還有多個(gè)砷化鎵、磷化銦芯片相關(guān)項(xiàng)目披露了最新進(jìn)展，分別由縱慧芯光、芯辰半導(dǎo)體等廠商主導(dǎo)建設(shè)。

10月23日，縱慧芯光正式宣布，旗下“3英寸化合物半導(dǎo)體芯片制造項(xiàng)目”已完成封頂。該項(xiàng)目總投資5.5億元，規(guī)劃用地40畝，預(yù)計(jì)明年1月投產(chǎn)，達(dá)產(chǎn)后將形成年產(chǎn)3英寸砷化鎵芯片和3英寸磷化銦芯片合計(jì)約5000萬顆的生產(chǎn)能力。

另據(jù)“勢(shì)能資本”消息，芯辰半導(dǎo)體外延設(shè)備已于近日投產(chǎn)，覆蓋砷化鎵及磷化銦光芯片四元化合物全材料體系。芯辰半導(dǎo)體專注于生產(chǎn)VCSEL和EEL激光器芯片，致力于在江蘇太倉打造砷化鎵和磷化銦系光芯片自主制造基地，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于光通信、激光雷達(dá)等領(lǐng)域。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

據(jù)介紹，該晶圓具備高增益、高效能的特性，可應(yīng)用于先進(jìn)5G Phase 7/8手機(jī)功率放大器模組以及Wi-Fi 6/7等設(shè)備。

資料顯示，華芯微電子于2023年2月在珠海高新區(qū)成立，是華芯（珠海）半導(dǎo)體有限公司全資子公司，專注于化合物半導(dǎo)體晶圓代工業(yè)務(wù)，面向手機(jī)、Wi-Fi路由器、基站、衛(wèi)星通訊、雷達(dá)等高中低頻射頻應(yīng)用終端市場(chǎng)。

華芯（珠海）半導(dǎo)體有限公司主營數(shù)通VCSEL芯片，是以IDM模式實(shí)現(xiàn)25G&56G PAM4 VCSEL芯片大規(guī)模出貨的廠商，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于光通信、物聯(lián)網(wǎng)、車聯(lián)網(wǎng)、移動(dòng)穿戴裝置、光傳感裝置等新興產(chǎn)業(yè)場(chǎng)景。

據(jù)悉，華芯微電子主導(dǎo)的格創(chuàng)·華芯砷化鎵晶圓生產(chǎn)基地項(xiàng)目是廣東省重點(diǎn)項(xiàng)目、珠海市產(chǎn)業(yè)立柱項(xiàng)目，格創(chuàng)·華芯半導(dǎo)體園區(qū)總投資33.87億元。

格力集團(tuán)此前消息顯示，2023年3月，格力金投與中芯聚源聯(lián)合領(lǐng)投華芯半導(dǎo)體，助力華芯珠海核心團(tuán)隊(duì)完成數(shù)億元融資，推動(dòng)華芯(珠海)半導(dǎo)體砷化鎵總部研產(chǎn)基地項(xiàng)目落戶珠海，并在珠海投資建設(shè)總投資約34億元、產(chǎn)能達(dá)1.5萬片/月的6英寸砷化鎵晶圓代工廠。

隨后在2023年8月17日，珠海高新區(qū)25個(gè)重點(diǎn)項(xiàng)目集中開工建設(shè)，其中包括由格力集團(tuán)投資打造的華芯（珠海）半導(dǎo)體砷化鎵總部研產(chǎn)基地項(xiàng)目。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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據(jù)此前中電三公司與武進(jìn)日?qǐng)?bào)披露，該項(xiàng)目總投資5.5億元，規(guī)劃用地40畝，預(yù)計(jì)明年1月投產(chǎn)，達(dá)產(chǎn)后將形成年產(chǎn)3英寸砷化鎵芯片和3英寸磷化銦芯片合計(jì)約5000萬顆的生產(chǎn)能力。

source：縱慧芯光

資料顯示，縱慧芯光成立于2015年，致力于垂直腔面激光發(fā)射器（VCSEL）的研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和制造。企業(yè)自有6寸外延產(chǎn)線，可實(shí)現(xiàn)每月2000片6寸砷化鎵外延片的量產(chǎn)產(chǎn)能，并建有封裝產(chǎn)線。公司產(chǎn)品主要應(yīng)用于消費(fèi)電子，汽車電子，光通訊等領(lǐng)域。

企查查顯示，截至目前，縱慧芯光已完成了多輪融資。其中，能見到不少知名大企的身影——2020年6月，華為旗下投資平臺(tái)哈勃投資入股了該公司；隨后，小米于2020年12月對(duì)其進(jìn)行了投資；比亞迪也參與了縱慧芯光2021年、2022年的兩輪融資。

值得一提的是，同獲得華為哈勃投資的長光華芯，公司旗下化合物半導(dǎo)體光電子平臺(tái)項(xiàng)目也于9月封頂。

該項(xiàng)目將打造先進(jìn)化合物半導(dǎo)體光電子研發(fā)生產(chǎn)平臺(tái)，進(jìn)行氮化鎵（GaN）、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等激光器和探測(cè)器用2-3英寸芯片產(chǎn)線建設(shè)及器件封裝等。建成后，將具備年產(chǎn)1億顆芯片、500萬器件的能力。項(xiàng)目于2023年12月開工，預(yù)計(jì)2025年建成并全面投產(chǎn)。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）

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圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

格力集團(tuán)消息顯示，今年3月，格力金投與中芯聚源聯(lián)合領(lǐng)投華芯半導(dǎo)體，助力華芯珠海核心團(tuán)隊(duì)完成數(shù)億元融資，”以投促引”推動(dòng)華芯(珠海)半導(dǎo)體砷化鎵總部研產(chǎn)基地項(xiàng)目落戶珠海，并在珠海投資建設(shè)總投資約34億元、產(chǎn)能達(dá)1.5萬片/月的6寸砷化鎵晶圓代工廠。

同時(shí)，格力集團(tuán)通過旗下建設(shè)投資板塊出資約6.21億元，為華芯半導(dǎo)體分兩期建設(shè)總計(jì)容建面約8.26萬平方米的定制化5.0產(chǎn)業(yè)新空間。該項(xiàng)目預(yù)計(jì)2024年7月具備入駐條件、9月試投產(chǎn)，滿產(chǎn)后年產(chǎn)值可達(dá)32億元。（文：集邦化合物半導(dǎo)體 Doris整理）

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