SEMICON China 2025期間，中國電科第二研究所胡北辰博士代表電科裝備作“大尺寸SiC襯底制備整線解決方案”的專題報告。
source：中國電科
胡北辰博士指出，SiC單晶生長與切磨拋加工是第三代半導體器件成本降低、良率提升的重要工藝環(huán)節(jié)。針對這一重點問題，2所以“裝備+工藝+服務”的理念，面向行業(yè)迫切需求，將電科裝備的單晶生長、激光剝離、晶錠/晶圓減薄、化學機械拋光、缺陷檢測等核心設備產(chǎn)品有機結合，并融入信息化系統(tǒng)，形成了大尺寸碳化硅晶片生長加工的整線智能制造解決方案。
與傳統(tǒng)的材料加工自動化程度不高、重點依賴人力相比，該方案核心設備都具備高度自動化能力，且通過協(xié)作機器人在機臺間的物料傳輸，實現(xiàn)整線協(xié)同控制與柔性調(diào)度，減少設備等待時間，提高整體生產(chǎn)效率。同時，自動化生產(chǎn)流程能讓人為誤差降至最低，保障產(chǎn)品良率和一致性，配套的全流程數(shù)據(jù)記錄與分析也更利于工程師快速定位質(zhì)量問題根源，不斷改進生產(chǎn)工藝。
該方案通過晶體生長與加工多工藝協(xié)同優(yōu)化，可將8英寸單片切割時間由90分鐘縮短到25分鐘左右，單片加工損耗從220微米降低到80微米，助力客戶實現(xiàn)降本增效，提升產(chǎn)品競爭力。
目前該解決方案已獲得市場積極反饋，進入用戶產(chǎn)線開展試驗驗證，并與多家頭部企業(yè)達成意向合作。（集邦化合物半導體整理）
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