大連連城數(shù)控于1月24日發(fā)布2024年年度業(yè)績(jī)預(yù)告，預(yù)計(jì)年度歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)為2.9億元至3.75億元，同比下降44.97%至57.45%；扣除非經(jīng)常性損益后的凈利潤(rùn)為2.4億元至3.1億元，同比下降47.40%至59.28%。

業(yè)績(jī)下滑主要源于光伏行業(yè)快速發(fā)展致使市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)加劇，產(chǎn)業(yè)鏈價(jià)格下跌，整體毛利率和盈利水平受影響。

不過(guò)，在第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)布局上，該公司及下屬全資子公司連科半導(dǎo)體計(jì)劃在無(wú)錫市投資建設(shè)“第三代半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)制造項(xiàng)目”，擬投資不超過(guò)10.5億元。

此外，2023年其液相法碳化硅長(zhǎng)晶爐順利下線并取得客戶數(shù)臺(tái)訂單，隨著項(xiàng)目推進(jìn)，有望在第三代半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域進(jìn)一步提升產(chǎn)能與綜合競(jìng)爭(zhēng)力，未來(lái)隨著第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)需求的釋放，該業(yè)務(wù)有望改善公司業(yè)績(jī)表現(xiàn)。

中微半導(dǎo)體（深圳）2024年年度業(yè)績(jī)預(yù)告顯示，預(yù)計(jì)營(yíng)業(yè)收入約90.65億元，較2023年增加約28.02億元，同比增長(zhǎng)約44.73%。

其中，刻蝕設(shè)備銷售約72.76億元，同比增長(zhǎng)約54.71%。預(yù)計(jì)實(shí)現(xiàn)歸母公司所有者的凈利潤(rùn)為15.00億元至17.00億元，雖同比減少約16.01%至4.81%，但扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤(rùn)為12.80億元至14.30億元，同比增加約7.43%至20.02%。

凈利潤(rùn)下滑主要是2023年度出售拓荊科技股份獲得高額收益墊高基數(shù)，以及2024年研發(fā)投入同比大幅增長(zhǎng)約94.13%。

在第三代半導(dǎo)體及Micro-LED等領(lǐng)域，中微公司刻蝕設(shè)備技術(shù)創(chuàng)新成果顯著，新增付運(yùn)量及銷售額大幅提升，訂單量持續(xù)增長(zhǎng)，新增訂單總額高達(dá)76.4億元，同比增長(zhǎng)52.0%，展現(xiàn)出強(qiáng)大的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

江豐電子2024年度業(yè)績(jī)預(yù)告亮眼，預(yù)計(jì)歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)3.58億元～4.22億元，同比增長(zhǎng)40.00%～65.00%；歸屬于上市公司股東的扣除非經(jīng)常性損益后的凈利潤(rùn)2.8億元～3.44億元，同比增長(zhǎng)79.84%～120.86%。

在第三代半導(dǎo)體材料領(lǐng)域，江豐電子憑借技術(shù)優(yōu)勢(shì)，研發(fā)的濺射靶材等產(chǎn)品在5G通信、新能源汽車等對(duì)碳化硅、氮化鎵需求旺盛的領(lǐng)域應(yīng)用不斷擴(kuò)大，成為業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)的重要驅(qū)動(dòng)力，穩(wěn)固了其在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上游的地位。

高測(cè)股份發(fā)布2024年年度業(yè)績(jī)預(yù)虧公告，預(yù)計(jì)歸屬于母公司所有者的凈利潤(rùn)為-7400萬(wàn)元到-3700萬(wàn)元，歸屬于母公司所有者的扣除非經(jīng)常性損益后的凈利潤(rùn)為-13600萬(wàn)元到-9900萬(wàn)元。

對(duì)于業(yè)績(jī)下滑，該公司表示主要是受到全球光伏行業(yè)供需失衡等影響。該公司在半導(dǎo)體等創(chuàng)新業(yè)務(wù)上持續(xù)發(fā)力，保持競(jìng)爭(zhēng)力領(lǐng)先。在第三代半導(dǎo)體碳化硅切割設(shè)備技術(shù)研發(fā)上取得關(guān)鍵突破，研發(fā)出適配碳化硅晶片切割的高效切割工藝與設(shè)備，盡管目前該業(yè)務(wù)收入雖然占比小，但隨著碳化硅市場(chǎng)需求增長(zhǎng)，未來(lái)有望扭轉(zhuǎn)業(yè)績(jī)局面。

綜合來(lái)看，盡管各公司在2024年業(yè)績(jī)表現(xiàn)各異，但第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)均呈現(xiàn)出巨大發(fā)展?jié)摿?。隨著全球在新能源汽車、5G通信等領(lǐng)域?qū)Φ谌雽?dǎo)體需求持續(xù)攀升，相關(guān)企業(yè)持續(xù)投入研發(fā)與市場(chǎng)拓展，有望推動(dòng)整個(gè)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)邁向新高度。（集邦化合物半導(dǎo)體EMMA整理）

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其中，時(shí)代電氣旗下中車時(shí)代半導(dǎo)體于9月26日全資成立了合肥中車時(shí)代半導(dǎo)體有限公司，該公司法定代表人為羅海輝，注冊(cè)資本3.1億元，經(jīng)營(yíng)范圍含半導(dǎo)體分立器件制造、半導(dǎo)體分立器件銷售等。

目前，時(shí)代電氣碳化硅產(chǎn)品已完成第4代溝槽柵芯片開(kāi)發(fā)，碳化硅產(chǎn)線改造完成，新能源車用碳化硅產(chǎn)品處于持續(xù)驗(yàn)證階段。

在碳化硅芯片技術(shù)方面，時(shí)代電氣突破了高可靠性低界面缺陷柵氧氮化、低損傷高深寬比溝槽刻蝕、亞微米精細(xì)光刻、高溫離子選區(qū)注入、高溫激活退火等關(guān)鍵工藝技術(shù)。

同時(shí)，時(shí)代電氣攻克了有源區(qū)柵氧電場(chǎng)屏蔽、JFET區(qū)摻雜、載流子擴(kuò)展以及高可靠性、高效率空間電場(chǎng)調(diào)制場(chǎng)環(huán)終端設(shè)計(jì)等功率芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)技術(shù)。

此外，時(shí)代電氣掌握了具有核心自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的MOSFET芯片及SBD芯片的設(shè)計(jì)與制造技術(shù)，構(gòu)建了全套特色先進(jìn)碳化硅工藝技術(shù)的6英寸專業(yè)碳化硅芯片制造平臺(tái)，全電壓等級(jí)MOSFET及SBD芯片產(chǎn)品可應(yīng)用于新能源汽車、軌道交通、光伏、工業(yè)傳動(dòng)等多個(gè)領(lǐng)域。

江豐電子則于9月19日全資成立了寧波江豐同創(chuàng)電子材料有限公司，該公司法定代表人為姚力軍，注冊(cè)資本5000萬(wàn)元，經(jīng)營(yíng)范圍含電子專用材料研發(fā)；電子專用材料制造；電子專用材料銷售；顯示器件制造；電子元器件制造；電力電子元器件銷售；光伏設(shè)備及元器件制造；光伏設(shè)備及元器件銷售；電子專用設(shè)備銷售；電子專用設(shè)備制造等。

江豐電子主要專注于超高純金屬濺射靶材、半導(dǎo)體精密零部件的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，其中，超高純?yōu)R射靶材包括鋁靶、鈦靶、鉭靶、銅靶以及各種超高純金屬合金靶材等，這些產(chǎn)品主要應(yīng)用于超大規(guī)模集成電路芯片、平板顯示器的物理氣相沉積（PVD）工藝，用于制備電子薄膜材料。

半導(dǎo)體精密零部件包括金屬、陶瓷、樹(shù)脂等多種材料經(jīng)復(fù)雜工藝加工而成的精密零部件，主要用于半導(dǎo)體芯片以及平板顯示器生產(chǎn)線的機(jī)臺(tái)，覆蓋了包括PVD、CVD、刻蝕、離子注入以及產(chǎn)業(yè)機(jī)器人等應(yīng)用領(lǐng)域。

目前，江豐電子已經(jīng)在化合物半導(dǎo)體材料領(lǐng)域取得一定進(jìn)展，其控股子公司寧波江豐同芯已搭建完成國(guó)內(nèi)首條具備世界先進(jìn)水平、自主化設(shè)計(jì)的化合物半導(dǎo)體功率器件模組核心材料制造生產(chǎn)線，掌握了覆銅陶瓷基板DBC及AMB生產(chǎn)工藝，主要產(chǎn)品高端覆銅陶瓷基板已初步獲得市場(chǎng)認(rèn)可。其控股子公司晶豐芯馳正在全面布局碳化硅外延領(lǐng)域，碳化硅外延片產(chǎn)品已經(jīng)得到多家客戶認(rèn)可。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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資料顯示，江豐電子創(chuàng)建于2005年，專業(yè)從事超大規(guī)模集成電路制造用超高純金屬材料及濺射靶材的研發(fā)生產(chǎn)，公司已于2017年6月在深交所成功上市。通過(guò)天眼查大數(shù)據(jù)分析，江豐電子共對(duì)外投資了50家企業(yè)，參與招投標(biāo)項(xiàng)目27次；知識(shí)產(chǎn)權(quán)方面有商標(biāo)信息1條，專利信息1450條，著作權(quán)信息1條；此外企業(yè)還擁有行政許可11個(gè)。

由于SiC業(yè)務(wù)并非其主業(yè)，此前在今年9月25日，江豐電子攜SiC外延片等多種產(chǎn)品亮相北京微電子國(guó)際研討會(huì)暨IC WORLD大會(huì)，引發(fā)了外界對(duì)其SiC外延片業(yè)務(wù)進(jìn)展的持續(xù)關(guān)注。

值得一提的是，浙江六方半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱六方半導(dǎo)體）在今年3月完成A+輪融資，投資方之一便是江豐電子。

圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

官網(wǎng)資料顯示，六方半導(dǎo)體致力于半導(dǎo)體新材料研發(fā)，聚焦SiC涂層技術(shù)的研發(fā)及其在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的應(yīng)用，公司主要產(chǎn)品為L(zhǎng)ED芯片外延用SiC涂層基座、第三代半導(dǎo)體外延基座和組件等。據(jù)悉，六方半導(dǎo)體已在第三代半導(dǎo)體外延等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了量產(chǎn)供應(yīng)。

六方半導(dǎo)體在SiC外延技術(shù)方面具有一定的實(shí)力，并實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)品落地，江豐電子投資六方半導(dǎo)體，有助于接觸到先進(jìn)的SiC外延技術(shù)，提升自身的技術(shù)水平。

既通過(guò)控股子公司進(jìn)行自主研發(fā)，又投資相關(guān)廠商，江豐電子正在通過(guò)多種手段入局SiC領(lǐng)域，為產(chǎn)業(yè)未來(lái)的爆發(fā)提前準(zhǔn)備技術(shù)和產(chǎn)能。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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