此次合作將大幅增強(qiáng)CGD的供應(yīng)鏈能力，利用格芯成熟的8英寸晶圓制程，擴(kuò)大其獨(dú)有的ICeGaN?單晶片功率器件的全球供應(yīng)規(guī)模，以滿足電動(dòng)汽車、數(shù)據(jù)中心和消費(fèi)電子等高增長(zhǎng)市場(chǎng)對(duì)高效能、高可靠性GaN解決方案的迫切需求。

圖片來(lái)源：CGD公告截圖

合作焦點(diǎn)：鞏固Fabless戰(zhàn)略，加速規(guī)模化生產(chǎn)

此次CGD與GlobalFoundries的合作，是CGD邁向全球規(guī)?；a(chǎn)的關(guān)鍵一步。通過(guò)與GF合作，CGD將能夠確保其核心ICeGaN?產(chǎn)品的制造能力和供應(yīng)鏈穩(wěn)定，這對(duì)于一家快速擴(kuò)張的公司至關(guān)重要。

CGD首席運(yùn)營(yíng)官SimonStacey表示，此次合作將利用GF卓越的代工服務(wù)和對(duì)GaN技術(shù)的投入，能夠?qū)GD的設(shè)計(jì)流程與GF的制程設(shè)計(jì)套件（PDK）相結(jié)合，大幅加快下一代GaN功率器件的開(kāi)發(fā)和上市速度。雙方將利用GlobalFoundries成熟的8英寸CMOS晶圓代工平臺(tái)，以具備競(jìng)爭(zhēng)力的成本加速CGD單晶片GaN技術(shù)的量產(chǎn)。

公開(kāi)資料顯示，CGD由Giorgia Longobardi博士和Florin Udrea教授于2016年創(chuàng)立，其技術(shù)根植于劍橋大學(xué)高壓微電子和傳感器研究組（HVMS）。公司的核心競(jìng)爭(zhēng)力在于其ICeGaN?增強(qiáng)型氮化鎵 (HEMT) 技術(shù)，它徹底改變了GaN器件的設(shè)計(jì)方式。

ICeGaN?最顯著的特點(diǎn)是采用了獨(dú)特的單晶片集成架構(gòu)。它在同一GaN晶片上集成了GaN開(kāi)關(guān)、智能介面和保護(hù)電路，與市面上大多數(shù)采用多晶片或共封裝的解決方案形成了鮮明對(duì)比。這種單晶片設(shè)計(jì)帶來(lái)了前所未有的易用性和高可靠性。

首先，ICeGaN?能夠像標(biāo)準(zhǔn)矽MOSFET一樣，直接由常用的矽MOSFET驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)，顯著簡(jiǎn)化了客戶的設(shè)計(jì)流程，消除了使用復(fù)雜驅(qū)動(dòng)電路的需求。其次，集成的保護(hù)電路提升了器件的抗雜訊能力和過(guò)壓耐受性，確保了卓越的柵極可靠性。這種整合不僅提高了GaN器件的固有優(yōu)勢(shì)——高效率和高功率密度，還解決了其在工業(yè)應(yīng)用中的易用性和可靠性挑戰(zhàn)。

除了制造端的戰(zhàn)略合作，CGD在技術(shù)應(yīng)用方面也積極布局，瞄準(zhǔn)高功率市場(chǎng)。公司最近推出了ComboICeGaN技術(shù)，這是一種混合開(kāi)關(guān)解決方案，將智能ICeGaNHEMTIC與IGBT（絕緣柵雙極晶體管）集成于同一模塊中。該技術(shù)旨在為電動(dòng)汽車逆變器提供一種具成本效益、替代昂貴碳化矽（SiC）的解決方案，是CGD進(jìn)軍高功率汽車應(yīng)用的關(guān)鍵。

此外，CGD也與工業(yè)技術(shù)研究院（ITRI）簽署了合作備忘錄，共同開(kāi)發(fā)先進(jìn)的高功率密度USB-PD適配器，為電動(dòng)汽車、電動(dòng)工具、筆記本電腦和手機(jī)等應(yīng)用提供高達(dá)140-240W的高效電源解決方案。

（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）

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圖片來(lái)源：英諾賽科公告截圖

英諾賽科在公告中指出，公司與配售代理訂立配售協(xié)議，配售代理同意作為本公司代理盡力促使不少于六名承配人按照配售協(xié)議所載條款并在其條件規(guī)限下購(gòu)20,700,000股新H股，配售價(jià)為每股H股75.58港元。

假設(shè)所有配售股份均獲悉數(shù)配售，預(yù)計(jì)配售所得款項(xiàng)總額及所得款項(xiàng)凈額（經(jīng)扣除傭金及估計(jì)開(kāi)支后）分別為1,564.506百萬(wàn)港元及約1,550.425百萬(wàn)港元（15.50億港元）。

英諾賽科披露了關(guān)于此次配售所得款項(xiàng)的用途：

約4.82億港元用于產(chǎn)能擴(kuò)充及產(chǎn)品迭代升級(jí)；英諾賽科計(jì)劃未來(lái)三年將持續(xù)擴(kuò)充產(chǎn)能，以滿足氮化鎵功率器件市場(chǎng)指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)需求，并對(duì)產(chǎn)線進(jìn)行改造，以生產(chǎn)應(yīng)用于車規(guī)、工業(yè)、數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域的更高等級(jí)產(chǎn)品。

此外，約3.76億港元用于償還有息負(fù)債；約6.92億港元用于營(yíng)運(yùn)資金及一般公司用途，包括：薪金、社會(huì)保障、住房公積金及其他人力資源支出、向供應(yīng)商及服務(wù)提供商支付的款項(xiàng)及潛在境內(nèi)外投資。

英諾賽科配售后，公司注冊(cè)資本及股份總數(shù)將分別變更為人民幣915,100,653元及915,100,653股。公司將向聯(lián)交所申請(qǐng)批準(zhǔn)配售股份上市及買賣，并根據(jù)中國(guó)證監(jiān)會(huì)備案規(guī)則進(jìn)行備案。

資料顯示，英諾賽科已于2024年12月30日在香港聯(lián)合交易所主板上市，成為全球首家實(shí)現(xiàn)8英寸GaN晶圓大規(guī)模量產(chǎn)的IDM上市公司。

作為國(guó)內(nèi)GaN技術(shù)的重要推動(dòng)者，英諾賽科產(chǎn)品涵蓋15V至900V電壓范圍的Single GaN、雙向GaN（VGaN）、雙冷卻LGA封裝以及系統(tǒng)級(jí)封裝SolidGaN等多個(gè)產(chǎn)品系列，覆蓋家電、數(shù)據(jù)中心、新能源、汽車和機(jī)器人等多個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域，具備在高壓、高功率密度應(yīng)用方面的技術(shù)實(shí)力。

與此同時(shí)，英諾賽科在氮化鎵領(lǐng)域也在積極瞄準(zhǔn)產(chǎn)業(yè)協(xié)同，與多家公司實(shí)現(xiàn)戰(zhàn)略合作。今年9月29日，英諾賽科便宣布與聯(lián)合電子以及納芯微共同簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，三方將聚焦新能源汽車功率電子系統(tǒng)，聯(lián)合研發(fā)智能集成氮化鎵（GaN）相關(guān)產(chǎn)品。

（集邦化合物半導(dǎo)體 Flora 整理）

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1、imec啟動(dòng)12英寸氮化鎵項(xiàng)目，公布首批合作伙伴

近期，比利時(shí)微電子研究中心（imec）宣布，AIXTRON、格芯、科磊、新思科技和維易科成為其300毫米（12英寸）氮化鎵低壓和高壓電力電子應(yīng)用開(kāi)放創(chuàng)新計(jì)劃的首批合作伙伴。

上述項(xiàng)目是imec氮化鎵電力電子工業(yè)聯(lián)盟計(jì)劃（IIAP）的組成部分，旨在研發(fā)300毫米氮化鎵外延生長(zhǎng)技術(shù)，以及低壓、高壓氮化鎵高電子遷移率晶體管（HEMT）工藝流程。

資料顯示，目前市場(chǎng)上氮化鎵產(chǎn)能主要集中在200毫米規(guī)格，imec依托自身在200毫米氮化鎵領(lǐng)域的技術(shù)積累， 推出了300毫米氮化鎵項(xiàng)目，邁出了技術(shù)發(fā)展的下一步。

imec表示，向300毫米晶圓轉(zhuǎn)型的優(yōu)勢(shì)不僅限于擴(kuò)大產(chǎn)能和降低制造成本，而且還將推動(dòng)更先進(jìn)電力電子器件的研發(fā)，例如用于CPU和GPU的高效低壓負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器。

imec在成功完成300毫米晶圓處理測(cè)試與掩模版研發(fā)后，正式啟動(dòng)了此次項(xiàng)目，并計(jì)劃于2025年底前在其300毫米潔凈室中全面部署相關(guān)技術(shù)能力。

2、英諾賽科攜手聯(lián)合電子與納芯微，瞄準(zhǔn)新能源汽車功率電子領(lǐng)域

近期，英諾賽科宣布與聯(lián)合電子以及納芯微共同簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，三方將聚焦新能源汽車功率電子系統(tǒng)，聯(lián)合研發(fā)智能集成氮化鎵（GaN）相關(guān)產(chǎn)品。

圖片來(lái)源：英諾賽科

全新開(kāi)發(fā)的智能GaN產(chǎn)品將依托三方技術(shù)積淀，提供更可靠的驅(qū)動(dòng)及GaN保護(hù)集成方案，進(jìn)一步提升系統(tǒng)功率密度。三方還將協(xié)同推動(dòng)相關(guān)解決方案的產(chǎn)業(yè)化落地，助力新能源汽車產(chǎn)業(yè)的可持續(xù)發(fā)展與價(jià)值提升。

英諾賽科表示，此次合作，三方將充分發(fā)揮各自優(yōu)勢(shì)，以聯(lián)合研發(fā)與應(yīng)用驗(yàn)證為抓手，突破效率、可靠性與成本等關(guān)鍵挑戰(zhàn)，為行業(yè)客戶提供兼具性能與成本優(yōu)勢(shì)的創(chuàng)新解決方案。聯(lián)合電子擁有豐富的整車及系統(tǒng)集成經(jīng)驗(yàn)，納芯微在高性能模擬與混合信號(hào)芯片領(lǐng)域積累深厚，英諾賽科則專精于GaN等先進(jìn)功率器件研發(fā)。三方將攜手構(gòu)建跨領(lǐng)域協(xié)同創(chuàng)新平臺(tái)，共同應(yīng)對(duì)未來(lái)系統(tǒng)應(yīng)用的發(fā)展需求。

此次戰(zhàn)略合作標(biāo)志著英諾賽科、聯(lián)合電子與納芯微在新能源汽車功率電子領(lǐng)域的合作邁出了堅(jiān)實(shí)且關(guān)鍵的一步。作為第三代半導(dǎo)體氮化鎵的引領(lǐng)者，英諾賽科具備先進(jìn)的氮化鎵研發(fā)與制造能力，其車規(guī)級(jí)GaN已通過(guò)驗(yàn)證并在汽車市場(chǎng)上驗(yàn)證。

（集邦化合物半導(dǎo)體 秦妍 整理）

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安費(fèi)諾推出高效氮化鎵微型逆變器，開(kāi)辟商用市場(chǎng)新機(jī)遇

安費(fèi)諾能源（Enphase Energy）近日在加州發(fā)布了其最新的三相微型逆變器IQ9N-3P，專為商用光伏項(xiàng)目設(shè)計(jì)。這款逆變器首次引入氮化鎵（GaN）技術(shù)，氮化鎵是一種高效能半導(dǎo)體材料，有助于提升轉(zhuǎn)換效率和降低功率損耗，具有97.5%的轉(zhuǎn)換效率。

據(jù)了解，IQ9N-3P適用于480伏的商用項(xiàng)目，能夠承受16安培的直流持續(xù)電流，峰值輸出功率可達(dá)427伏安，支持高達(dá)600瓦的組件。安費(fèi)諾表示，該產(chǎn)品不僅適合100千瓦以下的小型商用系統(tǒng)，還能擴(kuò)展至數(shù)百千瓦的大型系統(tǒng)，具備靈活性，未來(lái)擴(kuò)容時(shí)無(wú)需重新設(shè)計(jì)。

公開(kāi)資料顯示，安費(fèi)諾能源（Enphase Energy）成立于2006年，2012年在納斯達(dá)克上市，總部位于加利福尼亞州弗里蒙特，主要產(chǎn)品包括太陽(yáng)能微逆變器、電池儲(chǔ)能系統(tǒng)和電動(dòng)汽車充電站。

氮矽科技推出TOLL封裝的增強(qiáng)型硅基氮化鎵（GaN）晶體管

近日，氮矽科技官微宣布，推出TOLL封裝的增強(qiáng)型硅基氮化鎵（GaN）晶體管。

圖片來(lái)源：氮矽科技

據(jù)介紹，DX65TA030是一款650V, 30mΩ增強(qiáng)型硅基氮化鎵（GaN）晶體管，采用TOLL封裝與寬禁帶技術(shù)，實(shí)現(xiàn)高功率密度。具備開(kāi)爾文連接，抗干擾能力強(qiáng)，符合工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，具備高可靠性，是高性能電力電子應(yīng)用的優(yōu)選方案。

氮矽科技成立于2019年，是一家專注于氮化鎵功率半導(dǎo)體研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化的高新技術(shù)企業(yè)。公司擁有 “E-mode GaN HEMT、GaN Driver、GaN PIIP?（Power integrated in package）和PWM GaN”四大產(chǎn)品線，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)市場(chǎng)、新能源汽車、航空航天等領(lǐng)域。

瑞薩發(fā)布用于功率轉(zhuǎn)換的650V GaN FET

瑞薩電子推出3款新型高壓650V GaN FET，分別為T(mén)P65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS。

圖片來(lái)源：Renesas瑞薩電子

這三款產(chǎn)品基于第四代增強(qiáng)型SuperGaN?平臺(tái)，該平臺(tái)采用經(jīng)實(shí)際應(yīng)用驗(yàn)證的耗盡型（d-mode）常關(guān)斷架構(gòu)，由Transphorm公司首創(chuàng)，瑞薩電子于2024年6月收購(gòu)了該公司。與硅基、碳化硅（SiC）和其它GaN產(chǎn)品相比，基于低損耗耗盡型技術(shù)的產(chǎn)品具有更高的效率。

這些第四代增強(qiáng)型（Gen IV Plus）器件專為多千瓦級(jí)應(yīng)用而設(shè)計(jì)，將高效GaN技術(shù)與硅兼容柵極驅(qū)動(dòng)輸入相結(jié)合，在保留硅FET操作簡(jiǎn)便性的同時(shí)，顯著降低了開(kāi)關(guān)功率損耗。

新產(chǎn)品適用于人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器電源（包括新型800V高壓直流架構(gòu)）、電動(dòng)汽車充電、不間斷電源電池備份設(shè)備、電池儲(chǔ)能和太陽(yáng)能逆變器等領(lǐng)域。此外，在工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域，也能提供高可靠性、高效率的功率轉(zhuǎn)換，支持設(shè)備小型化與能效升級(jí)。

（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）

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PCIM Asia作為亞太地區(qū)電力電子與可再生能源管理領(lǐng)域的重要盛會(huì)，持續(xù)推動(dòng)寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)新與應(yīng)用。本次展會(huì)聚焦碳化硅、氮化鎵、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和運(yùn)動(dòng)控制等熱點(diǎn)領(lǐng)域，英諾賽科作為國(guó)內(nèi)GaN技術(shù)的重要推動(dòng)者，帶來(lái)了涵蓋15V至900V電壓范圍的Single GaN、雙向GaN（VGaN）、雙冷卻LGA封裝以及系統(tǒng)級(jí)封裝SolidGaN等多個(gè)產(chǎn)品系列，展現(xiàn)了其在高壓、高功率密度應(yīng)用方面的技術(shù)實(shí)力。

本次展會(huì)上，#英諾賽科 六大創(chuàng)新方案首次亮相，覆蓋家電、數(shù)據(jù)中心、新能源、汽車和機(jī)器人等多個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域，顯示出GaN技術(shù)在提升能效與系統(tǒng)集成度方面的廣泛適用性：

家電領(lǐng)域：推出300W高壓電機(jī)解決方案，助力家電能效升級(jí)；

數(shù)據(jù)中心：展示12kW 800-48V DCDC轉(zhuǎn)換器及8kW 54-12V 16相Buck轉(zhuǎn)換器，提升服務(wù)器電源效率；

新能源應(yīng)用：700W微逆方案適用于光伏儲(chǔ)能場(chǎng)景；

汽車電子：6.6kW單級(jí)車載充電器（OBC）具備高功率密度，支持電動(dòng)車快速充電；

機(jī)器人：3kW電機(jī)驅(qū)動(dòng)與關(guān)節(jié)模塊，增強(qiáng)機(jī)器人動(dòng)力響應(yīng)與緊湊化設(shè)計(jì)。

值得一提的是，6.6kW單級(jí)OBC系統(tǒng)峰值效率達(dá)97%，體積小巧（224×186×48mm），功率密度為54W/inch3，采用四顆ISG6121BTA與INV650TQ015E芯片，顯示出英諾賽科在整合設(shè)計(jì)與半導(dǎo)體性能方面的協(xié)同優(yōu)勢(shì)。

機(jī)器人用3kW電機(jī)驅(qū)動(dòng)方案同樣表現(xiàn)突出，支持48–72V寬電壓輸入，最高相電流95A，在無(wú)風(fēng)冷條件下仍保持良好溫控，結(jié)構(gòu)緊湊，適用于高關(guān)節(jié)負(fù)載應(yīng)用場(chǎng)景。

與此同時(shí)，英諾賽科GaN IC設(shè)計(jì)產(chǎn)品副總陳敏在氮化鎵專題論壇中發(fā)表題為《創(chuàng)新型氮化鎵InnoGaN為下一代電力電子應(yīng)用賦能》的演講，從技術(shù)演進(jìn)與行業(yè)趨勢(shì)角度，解析GaN器件在高頻、高效電能轉(zhuǎn)換中的核心價(jià)值與發(fā)展前景。

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山東鎵數(shù)氮化鎵單晶襯底項(xiàng)目全面達(dá)產(chǎn)

近期，山東鎵數(shù)智能科技有限公司的氮化鎵單晶襯底項(xiàng)目已全面達(dá)產(chǎn)，該公司總經(jīng)理梁如儉介紹道，該項(xiàng)目規(guī)劃50條生產(chǎn)線，年產(chǎn)量可達(dá)10萬(wàn)片氮化鎵單晶襯底。

上述項(xiàng)目位于臨沂電創(chuàng)產(chǎn)業(yè)園，主要生產(chǎn)高亮度、高結(jié)晶質(zhì)量的2英寸GaN襯底，2024年規(guī)模化投產(chǎn)，2025年5月開(kāi)始試產(chǎn)沖刺，截至目前已建設(shè)10條國(guó)際領(lǐng)先的生產(chǎn)線。

該項(xiàng)目曾以畝均稅收50萬(wàn)元、年產(chǎn)值2.3億元的經(jīng)濟(jì)效益榮獲臨沂市2024年度“十大好項(xiàng)目”，產(chǎn)品已于今年6月進(jìn)入中科院采購(gòu)目錄，并已形成訂單。

另?yè)?jù)山東鎵數(shù)董事馬賽賽表示，公司HVPE設(shè)備已實(shí)現(xiàn)三片同時(shí)生長(zhǎng)，已具備六片生長(zhǎng)的技術(shù)儲(chǔ)備，且可以生長(zhǎng)出大尺寸的單晶襯底晶片。

東部高科：將推出專屬氮化鎵多項(xiàng)目晶圓（MPW）項(xiàng)目

近期，外媒報(bào)道，東部高科DB HiTek宣布，公司650VGaN HEMT工藝開(kāi)發(fā)已進(jìn)入最終階段，計(jì)劃于10月底推出專屬氮化鎵多項(xiàng)目晶圓（MPW）項(xiàng)目。

與傳統(tǒng)硅基功率器件相比，氮化鎵半導(dǎo)體在高壓、高頻及高溫工作環(huán)境下具備卓越性能，功率效率出眾。特別是650V增強(qiáng)型氮化鎵HEMT，憑借其高速開(kāi)關(guān)性能與穩(wěn)健的運(yùn)行穩(wěn)定性，成為電動(dòng)汽車充電設(shè)施、超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)及先進(jìn)5G網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的理想選擇。

據(jù)悉，完成650V工藝開(kāi)發(fā)后，DB HiTek還計(jì)劃在2026年底前推出200V GaN工藝及針對(duì)集成電路優(yōu)化的650V GaN工藝，并逐步拓展更廣泛的電壓范圍。

東部高科負(fù)責(zé)人透露，“通過(guò)新增氮化鎵工藝能力，我們將以更廣泛的技術(shù)組合增強(qiáng)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。”

為支持以上舉措，東部高科還在進(jìn)一步完善產(chǎn)能建設(shè)。媒體報(bào)道，東部高科韓國(guó)忠清北道Fab2潔凈室設(shè)施正在擴(kuò)建，預(yù)計(jì)每月將新增約3.5萬(wàn)片8英寸晶圓產(chǎn)能，用于氮化鎵、BCDMOS和碳化硅工藝的生產(chǎn)。擴(kuò)建完成后，DB HiTek的晶圓月總產(chǎn)能將提升23%，從15.4萬(wàn)片增至19萬(wàn)片。

（集邦化合物半導(dǎo)體 Flora 整理）

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東芝電子元件將進(jìn)軍氮化鎵市場(chǎng)

近期，外媒報(bào)道東芝電子元件計(jì)劃今年進(jìn)軍氮化鎵市場(chǎng)，瞄準(zhǔn)電力系統(tǒng)與人工智能數(shù)據(jù)中心等新興需求。

東芝電子元件預(yù)計(jì)2026年推出“常關(guān)型”產(chǎn)品，以簡(jiǎn)化驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，提升易用性。為支持上述戰(zhàn)略，東芝計(jì)劃在2024至2026財(cái)年投入約1000億日元用于半導(dǎo)體設(shè)備投資，包括維護(hù)與升級(jí)生產(chǎn)設(shè)備。未來(lái)，該公司將重點(diǎn)拓展電動(dòng)車車載充電器與AI服務(wù)器電源市場(chǎng)。

資料顯示，作為#功率半導(dǎo)體?大廠，東芝電子元件公司憑借在半導(dǎo)體等領(lǐng)域的深厚技術(shù)積累，持續(xù)為電力能源行業(yè)提供高效可靠的解決方案，其功率半導(dǎo)體產(chǎn)品兼具高功率密度與質(zhì)量穩(wěn)定性，通過(guò)提升功率轉(zhuǎn)換效率，為減少環(huán)境負(fù)荷做出了貢獻(xiàn)。其中，SiC MOSFET兼具低導(dǎo)通電阻與高可靠性，而IGBT則具有大電流與高可靠性，兩者均擁有豐富的市場(chǎng)應(yīng)用案例。

今年8月，東芝電子元件宣布與基本半導(dǎo)體就功率模塊產(chǎn)品正式簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議。9月2025 PCIM Asia展會(huì)期間，東芝與基本半導(dǎo)體通過(guò)聯(lián)合展臺(tái)，共同展示了雙方在碳化硅領(lǐng)域深度合作的最新產(chǎn)品與解決方案。

圖片來(lái)源：東芝半導(dǎo)體芯資訊

憑借東芝先進(jìn)的碳化硅MOSFET、IGBT芯片、功率模塊設(shè)計(jì)和封測(cè)技術(shù)，基本半導(dǎo)體與其聯(lián)合開(kāi)發(fā)了Pcore2 E2B、Pcore2 L3工業(yè)級(jí)全碳化硅功率模塊及Pcore6 E3B混碳功率模塊等產(chǎn)品。該系列產(chǎn)品采用了雙方的SiC MOSFET和東芝的RC-IGBT芯片技術(shù)，而模塊封裝方面采用高可靠的氮化硅陶瓷（Si3N4）基板、Press-Fit壓接工藝，銅底板散熱結(jié)構(gòu)等技術(shù)，在導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)損耗、雜散電感、可靠性等方面表現(xiàn)出色，可應(yīng)用于APF、PCS、DC/DC變換器、大功率充電樁、固態(tài)斷路器、矩陣變換器和電池功化成等領(lǐng)域應(yīng)用。

氮化鎵未來(lái)潛力無(wú)限

在碳化硅、IGBT等領(lǐng)域深耕之后，此次東芝電子元件又將目光瞄準(zhǔn)氮化鎵，有望借此進(jìn)一步打開(kāi)電力系統(tǒng)與人工智能數(shù)據(jù)中心等新興需求領(lǐng)域。

業(yè)界指出，隨著全球?qū)η鍧嵞茉吹淖非笠约爸悄茈娋W(wǎng)建設(shè)的加速推進(jìn)，電力系統(tǒng)對(duì)于高效、可靠的功率半導(dǎo)體元件需求與日俱增。氮化鎵憑借其出色的高頻、高效特性，能夠在電力轉(zhuǎn)換和傳輸過(guò)程中顯著降低能量損耗，提高系統(tǒng)的整體效率，正好契合了電力系統(tǒng)升級(jí)換代的需求。

而在人工智能領(lǐng)域，隨著數(shù)據(jù)爆炸式增長(zhǎng)以及計(jì)算任務(wù)的日益復(fù)雜，數(shù)據(jù)中心的能耗問(wèn)題愈發(fā)突出。氮化鎵器件可以應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心的電源供應(yīng)系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)更高的功率密度和更低的能耗，幫助數(shù)據(jù)中心降低運(yùn)營(yíng)成本，同時(shí)滿足綠色環(huán)保的發(fā)展趨勢(shì)。

以AI服務(wù)器電源為例，傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體在應(yīng)對(duì)AI服務(wù)器高功率密度需求時(shí)逐漸力不從心。單臺(tái)機(jī)架式AI服務(wù)器峰值功耗已突破千瓦，GPU功耗逼近2kW，傳統(tǒng)電源方案在效率、體積和散熱方面難以滿足要求。氮化鎵的出現(xiàn)為這一難題提供了解決方案。氮化鎵電子遷移率是硅的10倍，可支持MHz級(jí)高頻開(kāi)關(guān)，動(dòng)態(tài)損耗降低70%，在相同功率下導(dǎo)通電阻僅為硅基器件的1/5，發(fā)熱量減少50%。這些特性使氮化鎵有望成為AI服務(wù)器電源領(lǐng)域的核心材料，為數(shù)據(jù)中心綠色低碳轉(zhuǎn)型提供關(guān)鍵支撐。

總而言之，電力系統(tǒng)與人工智能數(shù)據(jù)中心這兩個(gè)領(lǐng)域正處于快速發(fā)展階段，市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大，有望為東芝的氮化鎵產(chǎn)品提供了廣闊的市場(chǎng)空間和巨大的發(fā)展?jié)摿Α?/p>

（集邦化合物半導(dǎo)體 秦妍 整理）

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與傳統(tǒng)鍵合集成工藝相比，Hybrid Bonding工藝為整個(gè)行業(yè)帶來(lái)了三個(gè)“顯著提升”。

首先，光提取效率顯著提升。煙山科技采用倒梯形三面反射的高出光結(jié)構(gòu)，使得MicroLED芯片的光提取效率提升了數(shù)倍，從而保持更高的發(fā)光效率。

其次，加工良率顯著提升。Hybrid Bonding工藝的引入極大地降低了死點(diǎn)數(shù)，能夠確保6N以上的連通率，將MicroLED的加工良率提升近乎一倍。

最后，分辨率顯著提升。由于Hybrid Bonding采用了CMOS/LED晶圓的高精度對(duì)準(zhǔn)鍵合，像素間距下降了超3倍，能夠?qū)崿F(xiàn)超20000 PPI的高清分辨率。

在最新的樣機(jī)中，煙山科技的MicroLED面板表現(xiàn)出色。測(cè)試數(shù)據(jù)顯示，該面板整體點(diǎn)亮良率顯著提升，死點(diǎn)率大幅下降，光電性能穩(wěn)定可靠。更高的光效意味著同等功耗下的亮度提升，而均勻的發(fā)光一致性則為高分辨率顯示奠定了基礎(chǔ)。

對(duì)于整個(gè)顯示產(chǎn)業(yè)而言，煙山科技率先打通的8英寸硅基MicroLED Hybrid Bonding工藝具有重要意義。高良率和高光效的實(shí)現(xiàn)，將推動(dòng)MicroLED加速走向量產(chǎn)階段，并使其在消費(fèi)級(jí)AR眼鏡、微投影、光通信等領(lǐng)域展現(xiàn)出強(qiáng)大的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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圖片來(lái)源：中鎵半導(dǎo)體

這一成果依托于#中鎵半導(dǎo)體 自主研發(fā)的超大型氫化物氣相外延設(shè)備（HVPE），不僅填補(bǔ)了國(guó)際上HVPE工藝在6英寸及8英寸GaN單晶襯底領(lǐng)域的技術(shù)空白，更標(biāo)志著我國(guó)在該領(lǐng)域成功搶占了技術(shù)制高點(diǎn)。

氮化鎵（GaN）作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體的代表性材料，憑借其寬帶隙、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高電子遷移率、優(yōu)異的抗輻射能力等電學(xué)與物理特性，在消費(fèi)電子、光電子、電力電子器件、通信與雷達(dá)等領(lǐng)域具有重要應(yīng)用。

大尺寸襯底支撐的同質(zhì)外延生長(zhǎng)優(yōu)勢(shì)，將進(jìn)一步提升器件性能及拓展相關(guān)應(yīng)用。然而，目前業(yè)界主流的GaN單晶襯底仍處在2-4英寸階段，其制約因素主要體現(xiàn)在兩點(diǎn)：一是用于GaN單晶生長(zhǎng)的HVPE設(shè)備通常只兼容2-4英寸襯底；二是異質(zhì)襯底（如藍(lán)寶石、硅）與GaN間存在晶格失配與熱膨脹系數(shù)差異，導(dǎo)致GaN中存在難以解決的晶格應(yīng)力及伴生的翹曲問(wèn)題。

圖片來(lái)源：中鎵半導(dǎo)體 圖為中鎵半導(dǎo)體2-8英寸GaN單晶襯底

中鎵半導(dǎo)體通過(guò)自主研發(fā)的超大型HVPE設(shè)備，于2024年初攻克了大尺寸GaN單晶生長(zhǎng)中常見(jiàn)的開(kāi)裂與翹曲難題，成功開(kāi)發(fā)出6英寸GaN單晶襯底；近期更進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)了8英寸GaN單晶襯底的突破性開(kāi)發(fā)，并通過(guò)研磨與粗精拋光工藝獲得完整單晶襯底，其關(guān)鍵性能指標(biāo)已達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平，為大尺寸GaN進(jìn)入半導(dǎo)體制程奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

據(jù)悉，中鎵半導(dǎo)體的8英寸GaN單晶襯底具備以下卓越性能指標(biāo)：

襯底厚度＞450μm；
表面粗糙度Ra＜0.1nm；
位錯(cuò)密度＜2×10^6 cm^-2；
FWHM＜80 arcsec；
材料本底載流子濃度＜5×10^16 cm^-3；
電子遷移率＞800 cm2/(V·s)。

據(jù)悉，中鎵半導(dǎo)體的這一技術(shù)突破具有重要的產(chǎn)業(yè)價(jià)值。長(zhǎng)期以來(lái)，大尺寸GaN單晶襯底技術(shù)主要由日本企業(yè)主導(dǎo)。此次突破不僅打破了國(guó)外技術(shù)壟斷，更使我國(guó)在該領(lǐng)域掌握關(guān)鍵話語(yǔ)權(quán)，有望推動(dòng)8英寸GaN單晶襯底成為國(guó)際主流工藝標(biāo)準(zhǔn)，重新定義行業(yè)新規(guī)范。

8英寸GaN單晶襯底可直接適配現(xiàn)有8英寸硅基半導(dǎo)體產(chǎn)線設(shè)備，顯著縮短GaN on GaN器件的研發(fā)周期，同時(shí)降低產(chǎn)線轉(zhuǎn)型成本，加速產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。此外，8英寸GaN單晶襯底能提升材料利用率，單片晶圓可切割的芯片數(shù)量顯著增加，從而大幅降低器件單位成本，并提高整體生產(chǎn)效率。

公開(kāi)資料顯示，中鎵半導(dǎo)體成立于2009年1月，是廣東光大企業(yè)集團(tuán)在半導(dǎo)體領(lǐng)域布局的重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，致力于第三代半導(dǎo)體氮化鎵研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化的高新技術(shù)企業(yè)。公司位于廣東省東莞市松山湖高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)區(qū)，擁有氮化鎵襯底材料及半導(dǎo)體設(shè)備生產(chǎn)基地。中鎵半導(dǎo)體掌握GaN單晶襯底制備、GaN外延生長(zhǎng)、GaN器件制造等核心技術(shù)，并自主開(kāi)發(fā)HVPE氮化鎵晶體生長(zhǎng)設(shè)備，形成核心技術(shù)壁壘。

值得注意的是，目前，行業(yè)內(nèi)多家企業(yè)在6/8英寸GaN襯底制備領(lǐng)域積極布局，展現(xiàn)出良好的發(fā)展態(tài)勢(shì)。

鎵仁半導(dǎo)體在今年上半年采用完全自主創(chuàng)新的鑄造法成功實(shí)現(xiàn)8英寸氧化鎵單晶生長(zhǎng)，并可加工出相應(yīng)尺寸的晶圓襯底；西電廣研院已在6英寸、8英寸藍(lán)寶石襯底上實(shí)現(xiàn)GaN功率器件的關(guān)鍵突破，外延片的晶體質(zhì)量、均勻性均達(dá)到商用標(biāo)準(zhǔn)；中電化合物半導(dǎo)體則實(shí)現(xiàn)了4英寸、6英寸半絕緣碳化硅襯底上GaN異質(zhì)結(jié)的穩(wěn)定供應(yīng)；英諾賽 在蘇州建設(shè)的8英寸硅基GaN產(chǎn)線已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，月產(chǎn)能達(dá)到3萬(wàn)片；晶湛半導(dǎo)體計(jì)劃在未來(lái)幾年內(nèi)將12英寸GaN外延片的年產(chǎn)能提升至100萬(wàn)片。

（集邦化合物半導(dǎo)體 EMMA 整理）

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會(huì)上，工業(yè)和信息化部副部長(zhǎng)辛國(guó)斌提到，“十四五”期間，國(guó)家高新區(qū)內(nèi)先后誕生了全球首臺(tái)超導(dǎo)量子計(jì)算機(jī)、全球首個(gè)通用人工智能系統(tǒng)原型等原創(chuàng)技術(shù)和產(chǎn)品。今年上半年，全球首個(gè)氮化鎵量子光源芯片在成都高新區(qū)正式發(fā)布、全球最快的磁懸浮試驗(yàn)速度在武漢東湖高新區(qū)被成功刷新，實(shí)現(xiàn)了多項(xiàng)全球領(lǐng)先。

資料顯示，今年5月9日，位于成都未來(lái)科技城的天府絳溪實(shí)驗(yàn)室與電子科技大學(xué)在成都聯(lián)合發(fā)布了全球首個(gè)氮化鎵量子光源芯片。這一突破性成果標(biāo)志著中國(guó)在量子科技領(lǐng)域邁出了重要一步，為量子互聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展提供了關(guān)鍵硬件支撐。

據(jù)悉，氮化鎵量子光源芯片的實(shí)際尺寸僅有0.14平方毫米，但其發(fā)光范圍、出射亮度、糾纏質(zhì)量等關(guān)鍵指標(biāo)均處于國(guó)際先進(jìn)水平。

同時(shí)，該芯片攻克了高質(zhì)量氮化鎵晶體薄膜生長(zhǎng)、波導(dǎo)側(cè)壁與表面散射損耗等技術(shù)難題，在國(guó)際上首次運(yùn)用氮化鎵材料，使芯片的輸出波長(zhǎng)范圍從25.6納米增加到100納米，并朝著單片集成方向發(fā)展。

電子科技大學(xué)教授、天府絳溪實(shí)驗(yàn)室量子互聯(lián)網(wǎng)前沿研究中心主任周強(qiáng)表示，包括氮化鎵量子光源芯片在內(nèi)的量子產(chǎn)品有望在2026年實(shí)現(xiàn)多場(chǎng)景技術(shù)驗(yàn)證。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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