圖片來(lái)源：杭州富加鎵業(yè)科技有限公司

富加鎵業(yè)成立于2019年，核心產(chǎn)品為氧化鎵單晶襯底、MOCVD/MBE外延片、布里奇曼法（VB法）及導(dǎo)模法(EFG法)晶體生長(zhǎng)裝備、襯底研磨拋光裝備等。

設(shè)備領(lǐng)域，富加鎵業(yè)研制了國(guó)際上首臺(tái)具備“一鍵長(zhǎng)晶”EFG設(shè)備，可以滿足2-6英寸晶體生長(zhǎng)需求，可提供設(shè)備及配套工藝包。

同時(shí)，富加鎵業(yè)自行研制了全自動(dòng)VB晶體生長(zhǎng)設(shè)備，并在國(guó)內(nèi)率先突破了6英寸單晶生長(zhǎng)技術(shù)瓶頸，實(shí)現(xiàn)了大尺寸VB法單晶制備，可根據(jù)客戶需求提供VB設(shè)備及工藝包。此外，該公司還研發(fā)了2-6英寸氧化鎵單晶襯底研磨拋光設(shè)備，并根據(jù)客戶需要可提供成熟的研磨拋光及清洗工藝包。

單晶及外延片方面，富加鎵業(yè)已經(jīng)建立企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)2項(xiàng)，獲得ISO9001質(zhì)量體系認(rèn)證，向市場(chǎng)提供10mm至6英寸的多種晶向的氧化鎵單晶襯底10mm至6英寸的MOCVD氧化鎵外延片及10×15mm MBE氧化鎵外延片。

氧化鎵作為極具潛力的第四代半導(dǎo)體材料，能承受超高電壓、成本低，在電動(dòng)汽車、軌道交通、5G/6G基站、智能電網(wǎng)、航空航天等系統(tǒng)中應(yīng)用廣泛，被譽(yù)為下一代高功率電子器件的“明星材料”，陸續(xù)吸引眾多廠商進(jìn)行研發(fā)。

稍早之前，宣布在氧化鎵同質(zhì)外延技術(shù)上取得重大突破，成功實(shí)現(xiàn)了高質(zhì)量6英寸氧化鎵同質(zhì)外延生長(zhǎng)。

據(jù)悉，#鎵仁半導(dǎo)體 6英寸氧化鎵同質(zhì)外延片外延層厚度超過(guò)10微米，厚度均勻性優(yōu)異，方差σ小于1%。高分辨XRD搖擺曲線半高寬小于40弧秒，表明外延層結(jié)晶質(zhì)量高、晶格完整性良好。通過(guò)電容-電壓（C-V）法測(cè)試，外延層載流子濃度介于1.60E16cm?3至1.92E16cm?3之間，標(biāo)準(zhǔn)方差為6.08%，證實(shí)外延層電學(xué)均勻性良好。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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此次鎵仁半導(dǎo)體 的6英寸氧化鎵同質(zhì)外延片表現(xiàn)優(yōu)異。外延層厚度超過(guò)10微米，厚度均勻性優(yōu)異，方差σ小于1%。高分辨XRD搖擺曲線半高寬小于40弧秒，表明外延層結(jié)晶質(zhì)量高、晶格完整性良好。通過(guò)電容-電壓（C-V）法測(cè)試，外延層載流子濃度介于1.60E16cm?3至1.92E16cm?3之間，標(biāo)準(zhǔn)方差為6.08%，證實(shí)外延層電學(xué)均勻性良好。

圖片來(lái)源：鎵仁半導(dǎo)體 圖為紅外反射膜厚測(cè)試曲線

圖片來(lái)源：鎵仁半導(dǎo)體 圖為膜厚測(cè)試點(diǎn)位分布及對(duì)應(yīng)結(jié)果

圖片來(lái)源：鎵仁半導(dǎo)體 圖為高分辨XRD搖擺曲線及對(duì)應(yīng)點(diǎn)位測(cè)試結(jié)果

圖片來(lái)源：鎵仁半導(dǎo)體 圖為C-V測(cè)試點(diǎn)位分布及對(duì)應(yīng)結(jié)果

此次突破具有里程碑意義。同質(zhì)外延避免了異質(zhì)外延中常見(jiàn)的晶格失配和熱膨脹系數(shù)差異問(wèn)題，能生長(zhǎng)出高質(zhì)量的外延層，減少缺陷密度，從而使得基于同質(zhì)外延材料制造的功率器件更接近氧化鎵材料的理論性能極限，具備更低的能量損耗、更高的擊穿電壓和更穩(wěn)定的可靠性。此外，6英寸尺寸適配主流硅基半導(dǎo)體產(chǎn)線，可大幅降低下游企業(yè)的產(chǎn)業(yè)化成本。

公開(kāi)資料顯示，鎵仁半導(dǎo)體成立于2022年9月，是一家專注于氧化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體材料及設(shè)備研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的科技型企業(yè)。公司依托浙江大學(xué)硅及先進(jìn)半導(dǎo)體材料全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室和浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心，已形成一支以中科院院士楊德仁為首席顧問(wèn)的研發(fā)和生產(chǎn)團(tuán)隊(duì)。公司開(kāi)創(chuàng)了鑄造法氧化鎵單晶生長(zhǎng)新技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了8英寸單晶生長(zhǎng)技術(shù)突破，成為國(guó)際首家掌握該技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化公司。

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近期，國(guó)內(nèi)氧化鎵領(lǐng)域頻頻傳出重大進(jìn)展。

富加鎵業(yè)突破6英寸VB法氧化鎵單晶制備技術(shù)

9月15日，杭州富加鎵業(yè)科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱富加鎵業(yè)）宣布在氧化鎵晶體生長(zhǎng)領(lǐng)域取得重大突破——利用垂直布里奇曼法（VB法）在國(guó)內(nèi)首次成功制備出6英寸氧化鎵單晶晶錠，晶體等徑高度達(dá)30mm，為功率器件所需導(dǎo)電性材料，可滿足完整6英寸氧化鎵導(dǎo)電型襯底的加工需求。

圖片來(lái)源：杭州富加鎵業(yè)科技有限公司

圖為6英寸VB法氧化鎵單晶錠

此前2024年12月，富加鎵業(yè)率先在國(guó)內(nèi)實(shí)現(xiàn)4英寸VB法氧化鎵晶體制備，此次6英寸單晶的突破，實(shí)現(xiàn)晶體尺寸上的跨越式升級(jí)。

迄今為止，富加鎵業(yè)進(jìn)行了多輪次2-6英寸VB法氧化鎵晶體生長(zhǎng)，不斷升級(jí)裝備性能，驗(yàn)證生長(zhǎng)裝備穩(wěn)定性。該公司已推出擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的VB法氧化鎵晶體生長(zhǎng)設(shè)備及配套生長(zhǎng)工藝包，加速氧化鎵領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)生態(tài)構(gòu)建，推動(dòng)氧化鎵半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展。

未來(lái)，富加鎵業(yè)將繼續(xù)秉持創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)發(fā)展和繁榮氧化鎵行業(yè)的理念，積極聯(lián)合高校、科研院所及產(chǎn)業(yè)鏈上下游單位，不斷提升裝備與工藝技術(shù)水平，共同推進(jìn)氧化鎵材料的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。

蘇州納米所納米加工平臺(tái)在β-Ga?O? 垂直功率器件方面取得進(jìn)展

近日，中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所納米加工平臺(tái)在氧化鎵（β-Ga?O?）功率器件領(lǐng)域取得兩項(xiàng)重要突破：首次基于納米加工平臺(tái)開(kāi)發(fā)工藝制備了多鰭通道歐姆接觸陽(yáng)極β-Ga?O?二極管（MFCD），實(shí)現(xiàn)超低漏電的千伏級(jí)擊穿電壓；同時(shí)研制出高性能增強(qiáng)型垂直β-Ga?O?多鰭晶體管，創(chuàng)下4.3mΩ·cm2最低比導(dǎo)通電阻紀(jì)錄。兩項(xiàng)成果可為高溫高壓應(yīng)用場(chǎng)景提供全新的解決方案。

1、多鰭通道二極管——打破傳統(tǒng)垂直結(jié)構(gòu)限制

圖片來(lái)源：中國(guó)科學(xué)院蘇州納米所? 圖(a) 多鰭通道β-Ga?O?二極管的示意圖，(b) 器件的關(guān)鍵工藝步驟，(c)鰭干法蝕刻后的掃描電子顯微鏡（SEM）圖像， (d) 鰭寬400 nm二極管 SEM橫截面圖像

該器件通過(guò)獨(dú)創(chuàng)的歐姆接觸陽(yáng)極設(shè)計(jì)替代傳統(tǒng)肖特基結(jié)構(gòu)，結(jié)合亞微米鰭溝道引發(fā)的側(cè)壁自耗盡效應(yīng)，成功解決了寬禁帶半導(dǎo)體器件在高電場(chǎng)下的漏電失控難題。在無(wú)任何場(chǎng)板或鈍化層輔助的情況下，0.1μm窄鰭器件展現(xiàn)出1148V擊穿電壓，反向漏電流穩(wěn)定維持在1μA/cm2的商用水平，且在150℃高溫環(huán)境下未出現(xiàn)性能衰減。歐姆接觸的引入使比導(dǎo)通電阻降至7mΩ·cm2，較同類溝槽肖特基二極管降低35%，這一突破性進(jìn)展可為光伏逆變器、電動(dòng)汽車快充樁等高壓場(chǎng)景提供全新的解決方案。

圖片來(lái)源：中國(guó)科學(xué)院蘇州納米所 圖(a) 垂直二極管的漏電流與擊穿電壓基準(zhǔn)性能對(duì)比，(b) 本工作中β-Ga?O?垂直二極管和溝槽SBD的導(dǎo)通電阻與擊穿電壓基準(zhǔn)性能對(duì)比，以及文獻(xiàn)中報(bào)道的結(jié)果對(duì)比

該成果以Kilovolt-Class β-Ga?O??Multi-Fin-Channel Diodes with Ohmic-Contact Anode為題發(fā)表在功率電子器件領(lǐng)域國(guó)際頂級(jí)會(huì)議IEEE 37th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs 2025，第一作者為中國(guó)科學(xué)院蘇州納米所郭高甫和張曉東，通訊作者為張寶順研究員和河南師范大學(xué)戴憲起教授。

2、增強(qiáng)型垂直晶體管——破解”常開(kāi)”難題

圖(a) 多鰭通道 β-Ga?O??FinFET示意圖，（b）鰭寬300 nm二極管 SEM 橫截面圖像

針對(duì)氧化鎵材料缺乏p型摻雜的核心瓶頸，研究團(tuán)隊(duì)同步研發(fā)出國(guó)際領(lǐng)先的增強(qiáng)型垂直多鰭晶體管。通過(guò)雙柵極鰭形溝道幾何限域技術(shù)，無(wú)需依賴p型層即實(shí)現(xiàn)可靠常關(guān)特性，其閾值電壓達(dá)0.87V，開(kāi)關(guān)比突破7×10?。創(chuàng)新地采用電子束光刻與非金屬掩?？涛g工藝，實(shí)現(xiàn)350nm鰭寬精度控制，配合雙自對(duì)準(zhǔn)平面化技術(shù)精準(zhǔn)構(gòu)筑源漏接觸區(qū)。

最終器件在10V工作電壓下輸出760A/cm2的超高電流密度，比導(dǎo)通電阻僅4.3mΩ·cm2，同時(shí)維持975V擊穿電壓與0.22GW/cm2的優(yōu)異功率品質(zhì)因數(shù)（PFOM），為數(shù)據(jù)中心電源及工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片國(guó)產(chǎn)化奠定關(guān)鍵技術(shù)基礎(chǔ)。

圖片來(lái)源：中國(guó)科學(xué)院蘇州納米所 圖為最新垂直β-Ga?O??MOSFET器件的Vbr與R(on,sp)性能對(duì)比圖

該成果以975V/4.3mΩ·cm2?Enhancement-mode (001) β-Ga?O??Vertical Multi-fin Power Transistors為題發(fā)表在半導(dǎo)體領(lǐng)域國(guó)際會(huì)議9th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing 2025，第一作者為中國(guó)科學(xué)院蘇州納米所郭高甫，通訊作者為張寶順研究員和河南師范大學(xué)戴憲起教授。

氧化鎵與“導(dǎo)熱王者”金剛石成功“牽手”

中國(guó)科學(xué)報(bào)消息，中國(guó)科學(xué)院院士、西安電子科技大學(xué)教授郝躍團(tuán)隊(duì)的教授張進(jìn)成、寧?kù)o巧妙引入石墨烯作為“翻譯官”，讓氧化鎵與“導(dǎo)熱王者”金剛石成功“牽手”，解決了散熱難題，讓芯片從此“冷靜”工作。相關(guān)研究成果近日發(fā)表于《自然-通訊》。

圖片來(lái)源：《自然-通訊》文章截圖

氧化鎵雖然應(yīng)用前景廣闊，但其存在散熱性差這一痛點(diǎn)。據(jù)悉，氧化鎵的導(dǎo)熱能力只有硅材料的1/5，容易導(dǎo)致器件損壞、性能下降。為給氧化鎵“降溫”，研究團(tuán)隊(duì)起初想到了導(dǎo)熱性能極好的金剛石，但單晶金剛石尺寸小、價(jià)格昂貴，難以大規(guī)模使用。于是團(tuán)隊(duì)轉(zhuǎn)向成本更低的“多晶金剛石”，但在多晶上生長(zhǎng)氧化鎵薄膜時(shí)，材料會(huì)“亂長(zhǎng)”（晶向紊亂），產(chǎn)生裂縫和應(yīng)力，散熱效果大打折扣。

最后，團(tuán)隊(duì)引入“石墨烯”作為中間緩沖層，它解決了兩種材料之間的“溝通障礙”，屏蔽了多晶襯底的粗糙影響，使得氧化鎵薄膜能夠平整又高質(zhì)量地生長(zhǎng)在多晶金剛石上。團(tuán)隊(duì)還通過(guò)“氧-晶格協(xié)同調(diào)控”技術(shù)，即精細(xì)控制氧氣和原子排列，實(shí)現(xiàn)了高質(zhì)量氧化鎵薄膜的穩(wěn)定外延，從而使材料不再“亂長(zhǎng)”，熱應(yīng)力也大幅降低。

實(shí)驗(yàn)測(cè)得，氧化鎵和金剛石之間的熱阻只有2.82平方米·開(kāi)爾文/吉瓦——界面熱阻大幅降低，只有傳統(tǒng)技術(shù)的1/10左右。

這項(xiàng)突破不只是實(shí)驗(yàn)室成果，還解決了氧化鎵器件的“自熱”痛點(diǎn)，讓高導(dǎo)熱金剛石和氧化鎵高效“聯(lián)姻”，為解決氧化鎵器件發(fā)熱問(wèn)題提供了全新思路，也為未來(lái)高性能、高可靠性電子器件的發(fā)展奠定了基礎(chǔ)。

它釋放了界面熱應(yīng)力，讓熱量高效傳遞。實(shí)驗(yàn)測(cè)得，氧化鎵和金剛石之間的熱阻只有2.82平方米·開(kāi)爾文/吉瓦——界面熱阻大幅降低，只有傳統(tǒng)技術(shù)的1/10左右?！?/p>

（集邦化合物半導(dǎo)體 秦妍 整理）

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圖片來(lái)源：Nature Communications截圖

氧化鎵（β-Ga?O?）因超寬禁帶、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)和低成本晶體生長(zhǎng)優(yōu)勢(shì)，被視為下一代高功率、光電子器件的核心材料。然而，Ga?O?的相對(duì)較低的熱導(dǎo)率（約10-30W/m·K），僅為金剛石的六分之一，這給高功率半導(dǎo)體器件帶來(lái)了巨大挑戰(zhàn)。

隨著器件功率密度的增加，熱積累效應(yīng)迅速加劇，導(dǎo)致性能下降，限制了Ga?O?高功率潛力的充分發(fā)揮。因此，熱管理已成為限制Ga?O?基功率器件發(fā)展和廣泛應(yīng)用的主要技術(shù)瓶頸之一。引入熱導(dǎo)率高導(dǎo)熱的金剛石作為散熱襯底，是當(dāng)前最具潛力的熱管理策略。

盡管單晶金剛石襯底具有優(yōu)異的熱導(dǎo)性能，但其晶圓尺寸受限、制備成本高昂，限制了其在產(chǎn)業(yè)界的規(guī)?；瘧?yīng)用。因此，在低成本的多晶襯底上實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量β-Ga?O?外延成為更具可行性的技術(shù)路徑，但面臨晶向紊亂、界面缺陷多和熱應(yīng)力積聚等重大挑戰(zhàn)。

本研究揭示了二維材料輔助下β-Ga?O?在多晶襯底上成核取向的智能篩選和應(yīng)力的高效釋放，通過(guò)引入石墨烯作為晶格解耦層，有效屏蔽多晶金剛石襯底晶向無(wú)序帶來(lái)的晶格失配影響，借助弱界面耦合和晶格失配系數(shù)-氧表面密度調(diào)控（The oxygen-lattice co-modulation model），成功實(shí)現(xiàn)(-201)取向β-Ga?O?薄膜的可控外延，突破性闡明了二維材料輔助下在多晶襯底上實(shí)現(xiàn)單晶薄膜生長(zhǎng)的物理機(jī)理。

本研究利用石墨烯層釋放界面由于巨大熱失配系數(shù)導(dǎo)致的拉應(yīng)力，大幅降低界面熱阻，實(shí)驗(yàn)測(cè)得β-Ga?O?/金剛石界面的熱邊界電阻僅2.82 m2·K/GW，比現(xiàn)有技術(shù)降低一個(gè)數(shù)量級(jí)。

基于該范德華異質(zhì)結(jié)構(gòu)制備的光電探測(cè)器表現(xiàn)出高達(dá)106的光暗電流比和210A/W的響應(yīng)度，證實(shí)其在熱管理與光電性能方面的顯著優(yōu)勢(shì)，為氧化鎵基高性能功率電子器件的熱管理難題提供了全新解決路徑，實(shí)現(xiàn)了高導(dǎo)熱襯底與超寬禁帶半導(dǎo)體的高效集成，對(duì)推動(dòng)下一代高功率器件發(fā)展具有重要意義。（文章來(lái)源：西電集成電路學(xué)部）

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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深圳平湖實(shí)驗(yàn)室檢測(cè)結(jié)果顯示，本次測(cè)試樣品為氧化鎵8英寸襯底，取點(diǎn)共計(jì)5個(gè)，XRD搖擺曲線半高寬測(cè)試結(jié)果：22~26 arcsec。

圖片來(lái)源：鎵仁半導(dǎo)體

圖為8英寸襯底XRD搖擺曲線半高寬第三方測(cè)試結(jié)果-（深圳平湖實(shí)驗(yàn)室）

馬爾文帕納科亞太卓越應(yīng)用中心檢測(cè)結(jié)果顯示，本次測(cè)試樣品為氧化鎵8英寸襯底，取點(diǎn)共計(jì)5個(gè)，XRD搖擺曲線半高寬測(cè)試結(jié)果分別為：16.7 arcsec、16.2 arcsec、15.4 arcsec、15.3 arcsec、12.4 arcsec。

資料顯示，2025年3月，鎵仁半導(dǎo)體發(fā)布全球首顆第四代半導(dǎo)體氧化鎵8英寸單晶，并加工出8英寸襯底。

圖片來(lái)源：鎵仁半導(dǎo)體

目前在售的氧化鎵襯底晶圓主要以2英寸和4英寸為主，難以與主流的Fab場(chǎng)產(chǎn)線設(shè)備兼容，這提高了下游器件廠商研發(fā)的難度與成本，導(dǎo)致氧化鎵應(yīng)用推進(jìn)緩慢。

鎵仁半導(dǎo)體表示，上述第三方檢測(cè)結(jié)果表明，8英寸襯底XRD搖擺曲線半高寬<30 arcsec，達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。同時(shí)，該公司指出，本次質(zhì)量檢測(cè)結(jié)果充分證明，鎵仁半導(dǎo)體8英寸晶圓襯底質(zhì)量能夠滿足硅基8英寸產(chǎn)線生產(chǎn)要求，這將大幅降低下游應(yīng)用端研發(fā)的難度與成本，促進(jìn)產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用的快速落地。

據(jù)悉，鎵仁半導(dǎo)體氧化鎵襯底已逐步實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，為下游客戶提供大尺寸高質(zhì)量的氧化鎵單晶襯底產(chǎn)品。目前，鎵仁半導(dǎo)體8英寸襯底已實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品銷售出貨。

資料顯示，氧化鎵（Ga?O?）是第四代半導(dǎo)體材料，因其超寬禁帶、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)和低成本潛力，正成為電力電子、軍事雷達(dá)、電動(dòng)汽車充電等領(lǐng)域的關(guān)鍵材料。

氧化鎵熔點(diǎn)高達(dá)1900℃，不溶于水，微溶于熱酸或堿溶液。其β相穩(wěn)定性最佳，具有4.9eV的禁帶寬度（遠(yuǎn)超硅的1.1eV和碳化硅的3.3eV），以及8MV/cm的高擊穿場(chǎng)強(qiáng)，使其在高壓、高頻、高溫等極端環(huán)境下表現(xiàn)優(yōu)異，未來(lái)發(fā)展?jié)摿薮?，全球?jìng)相角逐研發(fā)，我國(guó)也不例外。

業(yè)界指出，我國(guó)在氧化鎵領(lǐng)域已形成從材料生長(zhǎng)到器件研發(fā)的完整產(chǎn)業(yè)鏈，部分技術(shù)達(dá)國(guó)際領(lǐng)先水平，主要氧化鎵公司包括北京鎵族科技、杭州富加鎵業(yè)、中電科46所、鎵仁半導(dǎo)體等。與此同時(shí)，西安電子科技大學(xué)、浙江大學(xué)等高校也為氧化鎵技術(shù)突破做出了貢獻(xiàn)。

（集邦化合物半導(dǎo)體 秦妍 整理）

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目前最新進(jìn)展是該項(xiàng)目整個(gè)主體建筑已全部封頂；辦公大樓、研發(fā)樓、宿舍正在進(jìn)行內(nèi)部精裝修；主體廠房潔凈車間班組已入駐；動(dòng)力中心正在內(nèi)部調(diào)試，預(yù)計(jì)8月可進(jìn)行機(jī)電設(shè)備的入駐；此外，正在進(jìn)行外部場(chǎng)地的平整以及污水管網(wǎng)的挖掘和鋪建。整體來(lái)看，項(xiàng)目正有序推進(jìn)中。此前7月初，根據(jù)龍巖市融媒體中心報(bào)道，該項(xiàng)目預(yù)計(jì)9月份試產(chǎn)。

福建晶旭半導(dǎo)體基于氧化鎵壓電薄膜新材料的高頻濾波器芯片生產(chǎn)項(xiàng)目，位于上杭工業(yè)園區(qū)南崗金銅產(chǎn)業(yè)園，總投資16.8億元，項(xiàng)目建設(shè)136畝工業(yè)廠區(qū)，將建成全球首條超寬禁帶半導(dǎo)體高頻濾波芯片生產(chǎn)線。項(xiàng)目建成后，不僅可以填補(bǔ)國(guó)內(nèi)氧化鎵壓電薄膜新材料領(lǐng)域的空白，更將為上杭縣新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入強(qiáng)勁動(dòng)力。

福建晶旭半導(dǎo)體科技有限公司成立于2020年，是一家專注于氧化鎵基通訊射頻濾波器晶圓材料及芯片研發(fā)生產(chǎn)和服務(wù)的高新技術(shù)企業(yè)。其技術(shù)團(tuán)隊(duì)從2005年開(kāi)始研究5G聲波濾波器制備，擁有光電集成芯片和化合物單晶薄膜材料專利100多項(xiàng)，特別在5G核心器件射頻濾波器壓電薄膜材料芯片制備技術(shù)上，處于領(lǐng)先地位。

氧化鎵（Ga?O?）是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，其中ε相氧化鎵（ε-Ga?O?）具有優(yōu)異的壓電性能和高頻特性（能響應(yīng)極高頻率的電信號(hào)），利用這種特性，可制成聲波濾波器芯片，通過(guò)電信號(hào)激發(fā)氧化鎵薄膜的機(jī)械振動(dòng)，篩選出特定頻率的信號(hào)（如5G通信所需的高頻信號(hào)），同時(shí)過(guò)濾掉雜波，實(shí)現(xiàn)信號(hào)的 “提純”。

隨著5G、6G、衛(wèi)星通信等技術(shù)發(fā)展，信號(hào)頻率從傳統(tǒng)的sub-6GHz向更高的毫米波（24GHz以上）邁進(jìn)。氧化鎵基濾波器在高頻段下的信號(hào)損耗更低、穩(wěn)定性更高，能滿足高速率、大容量通信的需求，可以覆蓋通信、航天、國(guó)防等關(guān)鍵領(lǐng)域。

目前，全球高頻濾波器市場(chǎng)長(zhǎng)期被國(guó)外企業(yè)壟斷，且傳統(tǒng)材料在高頻段的性能瓶頸明顯。如福建晶旭半導(dǎo)體的相關(guān)項(xiàng)目建成后，將成為全球首條氧化鎵基高頻濾波器芯片量產(chǎn)線，填補(bǔ)國(guó)內(nèi)在該領(lǐng)域的空白，對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主可控具有重要意義。

（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）

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瀚薪科技浙江麗水新建碳化硅封測(cè)建設(shè)項(xiàng)目順利封頂

5月27日，瀚薪科技通過(guò)全資子公司-浙江瀚薪芯昊半導(dǎo)體有限公司在麗水投建的“新建碳化硅封測(cè)建設(shè)項(xiàng)目”主體結(jié)構(gòu)正式封頂。

圖片來(lái)源：瀚薪科技

這一里程碑的達(dá)成，標(biāo)志著公司在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化的征程中邁出了關(guān)鍵一步。未來(lái)瀚薪科技的產(chǎn)品生產(chǎn)將進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)自主可控，研發(fā)技術(shù)快速迭代，以期為客戶提供更全面、更優(yōu)質(zhì)的碳化硅解決方案，助力“雙碳”目標(biāo)與新能源產(chǎn)業(yè)升級(jí)！

資料顯示，瀚薪專注SiC功率器件研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化超15年，擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)及國(guó)際領(lǐng)先的芯片設(shè)計(jì)、封裝工藝與測(cè)試能力。公司產(chǎn)品已通過(guò)車規(guī)級(jí)AEC-Q101及工規(guī)級(jí)JEDEC認(rèn)證，與多家知名企業(yè)建立了緊密的合作關(guān)系。

廣州這個(gè)氧化鎵外延項(xiàng)目即將投產(chǎn)

近期，由香港科技大學(xué)霍英東研究院與香港科技大學(xué)（廣州）聯(lián)合孵化的“拓諾稀科技”傳出新進(jìn)展，其位于南沙的首個(gè)先進(jìn)生產(chǎn)廠房正式啟用。

該廠房配備高標(biāo)準(zhǔn)潔凈室設(shè)施和完善的生產(chǎn)研發(fā)配套，具備批量化外延制備能力，實(shí)現(xiàn) “從實(shí)驗(yàn)室走向產(chǎn)業(yè)”，為大規(guī)模推進(jìn)氧化鎵外延產(chǎn)品走向市場(chǎng)奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

圖片來(lái)源：香港科技大學(xué)快訊

氧化鎵（Ga?O?）作為一種具有超寬禁帶的半導(dǎo)體材料，在高壓功率電子、射頻通訊、光電探測(cè)等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。由香港科技大學(xué)（廣州）陳子強(qiáng)教授與其博士生共同創(chuàng)立的拓諾稀科技，聚焦于氧化鎵外延薄膜的制備及高性能半導(dǎo)體器件的開(kāi)發(fā)，是全球獨(dú)家通過(guò)MOCVD工藝實(shí)現(xiàn)了穩(wěn)定p型導(dǎo)電氧化鎵外延層的企業(yè)，填補(bǔ)了氧化鎵材料體系中長(zhǎng)期缺失的p型導(dǎo)電空白。

據(jù)悉，拓諾稀科技通過(guò)實(shí)現(xiàn)p型導(dǎo)電，使得氧化鎵材料具備構(gòu)建pn結(jié)及其他雙極型器件（如BJT、IGBT）的能力，顯著拓展在新能源汽車、工業(yè)機(jī)器人、電力能源等領(lǐng)域的應(yīng)用空間。團(tuán)隊(duì)采用自主研發(fā)的MOCVD外延及加工工藝，形成全球獨(dú)有的技術(shù)體系，支持多層pn結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)以實(shí)現(xiàn)差異化器件性能。工藝兼容半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備，具備大規(guī)模量產(chǎn)與高度產(chǎn)業(yè)化的可行性，為晶圓加工和芯片集成提供堅(jiān)實(shí)支撐。

（集邦化合物半導(dǎo)體 秦妍 整理）

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資料顯示，NextGO Epi成立于2025年， 專注于高品質(zhì) β-Ga?O? (氧化鎵) 外延片的大規(guī)模制造，旨在為高功率和光電探測(cè)應(yīng)用提供關(guān)鍵材料。NextGO Epi 是德國(guó)萊布尼茨晶體生長(zhǎng)研究所（IKZ）的孵化企業(yè)，由周大順博士、Andreas Popp 博士和 Andreas Fiedler 博士共同創(chuàng)立。

source：鎵仁半導(dǎo)體——圖為NextGO Epi?坐落于德國(guó)柏林萊布尼茨晶體研究所

鎵仁半導(dǎo)體則是一家專注于氧化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體材料研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的科技型企業(yè)。鎵仁半導(dǎo)體引領(lǐng)行業(yè)創(chuàng)新，采用自主研發(fā)的鑄造法單晶生長(zhǎng)新技術(shù)，全球首發(fā)8英寸氧化鎵單晶襯底，創(chuàng)造了從2英寸到8英寸，每年升級(jí)一個(gè)尺寸的行業(yè)紀(jì)錄；開(kāi)發(fā)了國(guó)內(nèi)首臺(tái)包含工藝包的氧化鎵專用VB長(zhǎng)晶設(shè)備，全面對(duì)外銷售。

業(yè)界指出，氧化鎵（Ga?O?）是第四代半導(dǎo)體材料，因其超寬禁帶、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)和低成本潛力，正成為電力電子、軍事雷達(dá)、電動(dòng)汽車充電等領(lǐng)域的關(guān)鍵材料。

我國(guó)在氧化鎵領(lǐng)域已形成從材料生長(zhǎng)到器件研發(fā)的完整產(chǎn)業(yè)鏈，部分技術(shù)達(dá)國(guó)際領(lǐng)先水平，主要氧化鎵公司包括北京鎵族科技、杭州富加鎵業(yè)、中電科46所、鎵仁半導(dǎo)體等。與此同時(shí)，西安電子科技大學(xué)、浙江大學(xué)等高校也為氧化鎵技術(shù)突破做出了貢獻(xiàn)。

（集邦化合物半導(dǎo)體 Flora 整理）

氧化鎵熔點(diǎn)高達(dá)1900℃，不溶于水，微溶于熱酸或堿溶液。其β相穩(wěn)定性最佳，具有4.9eV的禁帶寬度（遠(yuǎn)超硅的1.1eV和碳化硅的3.3eV），以及8MV/cm的高擊穿場(chǎng)強(qiáng)，使其在高壓、高頻、高溫等極端環(huán)境下表現(xiàn)優(yōu)異，未來(lái)發(fā)展?jié)摿薮?，全球?jìng)相角逐研發(fā)，其中亞洲市場(chǎng)表現(xiàn)亮眼，近期傳出新動(dòng)態(tài)。

1、日本NCT全球首發(fā)全氧化鎵基Planar SBD器件

近期，日本株式會(huì)社（NCT）宣布向全球合作客戶推出其創(chuàng)新的Planar SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）器件。該器件基于全氧化鎵材料制造，標(biāo)志著NCT在氧化鎵半導(dǎo)體領(lǐng)域的重大突破。

此次推出的Planar SBD器件為Research Sample（RS）級(jí)別，專為科研及早期應(yīng)用探索而設(shè)計(jì)。產(chǎn)品提供兩種電極尺寸規(guī)格供客戶選擇：

規(guī)格一：電極尺寸為2.4mm square，適用于特定測(cè)試及應(yīng)用場(chǎng)景。
規(guī)格二：電極尺寸為3.2mm square，提供更大的電極面積，滿足不同客戶的測(cè)試需求。此次發(fā)布的

Planar SBD器件旨在滿足客戶對(duì)氧化鎵器件的測(cè)試、分析及應(yīng)用探索需求，進(jìn)一步推動(dòng)氧化鎵行業(yè)的產(chǎn)業(yè)化發(fā)展。

氧化鎵布局上，NCT公司于2021年推出了全球首個(gè)量產(chǎn)4英寸氧化鎵晶圓，并計(jì)劃2028年實(shí)現(xiàn)8英寸氧化鎵量產(chǎn)。

2、鎵仁半導(dǎo)體成功制備全球首款8英寸氧化鎵晶圓襯底

今年3月，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司(以下簡(jiǎn)稱“鎵仁半導(dǎo)體”)宣布，基于自主創(chuàng)新的氧化鎵單晶生長(zhǎng)技術(shù)與大尺寸襯底加工技術(shù)，公司成功制備了全球首款8英寸（200mm）氧化鎵晶圓襯底，國(guó)內(nèi)第四代半導(dǎo)體氧化鎵晶圓襯底率先邁入8英寸時(shí)代。

source：鎵仁半導(dǎo)體

資料顯示，鎵仁半導(dǎo)體氧化鎵晶圓襯底尺寸快速演進(jìn)：2022年推出2英寸襯底，2023年推出4英寸襯底，2024年推出6英寸襯底，2025年推出8英寸襯底。

鎵仁半導(dǎo)體指出，未來(lái)氧化鎵應(yīng)用前景廣闊，主要表現(xiàn)在三個(gè)領(lǐng)域：

功率器件領(lǐng)域，尤其是大于650V的中壓、高壓以及特高壓功率器件領(lǐng)域，比如新能源汽車快充、工業(yè)電源、電網(wǎng)高壓功率模塊等。

高功率射頻器件領(lǐng)域，氧化鎵的電子飽和速度、約翰遜優(yōu)值較高，在射頻器件領(lǐng)域具有很大應(yīng)用潛力，比如通信基站和雷達(dá)系統(tǒng)等，對(duì)于通信、國(guó)防、航空航天等領(lǐng)域具有重要意義。

深紫外光電器件領(lǐng)域，氧化鎵還可用于日盲探測(cè)、輻射探測(cè)等特有領(lǐng)域?！叭彰ぁ弊贤馓綔y(cè)是近年來(lái)迅速發(fā)展起來(lái)的一種新型探測(cè)技術(shù)，主要應(yīng)用于紫外預(yù)警、紫外偵察、紫外制導(dǎo)和紫外非視線通訊等軍事領(lǐng)域，以及環(huán)境監(jiān)測(cè)、生化檢測(cè)、工業(yè)燃燒過(guò)程控制、醫(yī)學(xué)紫外成像等民用領(lǐng)域。（集邦化合物半導(dǎo)體秦妍整理）

source：鎵仁半導(dǎo)體（圖為鎵仁半導(dǎo)體8英寸氧化鎵單晶）

據(jù)悉，8英寸氧化鎵能夠與現(xiàn)有硅基芯片廠的8英寸產(chǎn)線兼容，這將會(huì)顯著加快其產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用的步伐。其次，氧化鎵襯底尺寸增大可提升其利用率，降低生產(chǎn)成本，提升生產(chǎn)效率。

第四代半導(dǎo)體材料

在半導(dǎo)體材料的發(fā)展歷程中，每一代新材料的出現(xiàn)都推動(dòng)著行業(yè)邁向新的高度。從第一代硅（Si）、鍺（Ge），到第二代砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP），再到第三代碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN），如今，第四代半導(dǎo)體材料正嶄露頭角，其中氧化鎵（Ga?O?）備受矚目。

氧化鎵作為第四代半導(dǎo)體的代表，具有諸多令人矚目的特性。它擁有超寬帶隙，范圍在4.-4.9eV，這一數(shù)值遠(yuǎn)高于第三代半導(dǎo)體碳化硅的3.2eV和氮化鎵的3.39eV。更寬的禁帶寬度意味著電子需要更多能量從價(jià)帶躍遷到導(dǎo)帶，使得氧化鎵具備耐高壓、耐高溫、大功率、抗輻照等突出特性。其超高臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)可達(dá)8MV/cm，能承受比SiC或GaN器件更高的工作電壓，且導(dǎo)通電阻更低。

在應(yīng)用領(lǐng)域方面，氧化鎵展現(xiàn)出了廣泛的潛力。在功率電子器件領(lǐng)域，它可用于數(shù)據(jù)中心，助力數(shù)據(jù)中心實(shí)現(xiàn)更高效的節(jié)能；在軌道交通、光伏逆變器、大功率通信等高壓、大電流場(chǎng)景中，能夠顯著提升系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。

其中值得注意的是，在新能源汽車領(lǐng)域，隨著汽車高壓化趨勢(shì)日益明顯，從400V逐步提升至800V，甚至未來(lái)可能采用1200V及更高的電壓平臺(tái)架構(gòu)，氧化鎵制備的功率器件有望大顯身手，將新能源汽車的充電時(shí)間大幅縮短，例如從現(xiàn)在快充的30分鐘縮短至7分鐘左右，極大地提升用戶體驗(yàn)。
然而，盡管氧化鎵前景廣闊，但目前在產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程中仍面臨一些挑戰(zhàn)。其中，降低成本是關(guān)鍵問(wèn)題之一。氧化鎵襯底的制備難度雖低于部分其他第四代半導(dǎo)體材料如金剛石和氮化鋁，但其成本仍有待進(jìn)一步降低，以提升市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。此前，氧化鎵襯底主要通過(guò)EFG法生產(chǎn)，該方法需在約1800℃的高溫且含氧環(huán)境中進(jìn)行晶體生長(zhǎng)，對(duì)生長(zhǎng)環(huán)境要求極高，坩堝需使用耐高溫、耐氧且不污染晶體的材料，綜合性能與成本考量，只有貴金屬銥適合用于氧化鎵熔體，這使得成本居高不下。

行業(yè)項(xiàng)目/技術(shù)進(jìn)展

從當(dāng)前行業(yè)進(jìn)展看，除了鎵仁半導(dǎo)體以外，在更早之前的2024年9月，富加鎵業(yè)打造的國(guó)內(nèi)首條6英寸氧化鎵單晶及外延片生長(zhǎng)線在杭州富陽(yáng)開(kāi)工建設(shè)，預(yù)計(jì)2025年年初投入使用。

另外，在2024年8月末，鴻海科技集團(tuán)旗下的鴻海研究院前瞻技術(shù)研發(fā)取得重要成果。鴻海研究院半導(dǎo)體所所長(zhǎng)暨國(guó)立陽(yáng)明交通大學(xué)講座教授郭浩中及半導(dǎo)體所研究團(tuán)隊(duì)，攜手陽(yáng)明交大電子所洪瑞華教授團(tuán)隊(duì)，在第四代化合物半導(dǎo)體的關(guān)鍵技術(shù)上取得突破。

他們以創(chuàng)新的離子布植技術(shù)成功制造出具備優(yōu)異電性表現(xiàn)的氧化鎵pn二極管（pndiode）。通過(guò)磷離子布植和快速熱退火技術(shù)實(shí)現(xiàn)了第四代半導(dǎo)體p型Ga?O?的制造，并在其上重新生長(zhǎng)n型和n?型Ga?O?，形成了pnGa?O?二極管。這一突破性技術(shù)不僅大幅提升了元件的穩(wěn)定性和可靠性，顯著降低電阻，更為未來(lái)高功率電子元件開(kāi)辟了新的可能性，推動(dòng)了氧化鎵在高壓、高溫應(yīng)用領(lǐng)域的發(fā)展。