圖片來源：Nature Communications截圖

氧化鎵（β-Ga?O?）因超寬禁帶、高擊穿場強和低成本晶體生長優(yōu)勢，被視為下一代高功率、光電子器件的核心材料。然而，Ga?O?的相對較低的熱導率（約10-30W/m·K），僅為金剛石的六分之一，這給高功率半導體器件帶來了巨大挑戰(zhàn)。

隨著器件功率密度的增加，熱積累效應迅速加劇，導致性能下降，限制了Ga?O?高功率潛力的充分發(fā)揮。因此，熱管理已成為限制Ga?O?基功率器件發(fā)展和廣泛應用的主要技術(shù)瓶頸之一。引入熱導率高導熱的金剛石作為散熱襯底，是當前最具潛力的熱管理策略。

盡管單晶金剛石襯底具有優(yōu)異的熱導性能，但其晶圓尺寸受限、制備成本高昂，限制了其在產(chǎn)業(yè)界的規(guī)?；瘧?。因此，在低成本的多晶襯底上實現(xiàn)高質(zhì)量β-Ga?O?外延成為更具可行性的技術(shù)路徑，但面臨晶向紊亂、界面缺陷多和熱應力積聚等重大挑戰(zhàn)。

本研究揭示了二維材料輔助下β-Ga?O?在多晶襯底上成核取向的智能篩選和應力的高效釋放，通過引入石墨烯作為晶格解耦層，有效屏蔽多晶金剛石襯底晶向無序帶來的晶格失配影響，借助弱界面耦合和晶格失配系數(shù)-氧表面密度調(diào)控（The oxygen-lattice co-modulation model），成功實現(xiàn)(-201)取向β-Ga?O?薄膜的可控外延，突破性闡明了二維材料輔助下在多晶襯底上實現(xiàn)單晶薄膜生長的物理機理。

本研究利用石墨烯層釋放界面由于巨大熱失配系數(shù)導致的拉應力，大幅降低界面熱阻，實驗測得β-Ga?O?/金剛石界面的熱邊界電阻僅2.82 m2·K/GW，比現(xiàn)有技術(shù)降低一個數(shù)量級。

基于該范德華異質(zhì)結(jié)構(gòu)制備的光電探測器表現(xiàn)出高達106的光暗電流比和210A/W的響應度，證實其在熱管理與光電性能方面的顯著優(yōu)勢，為氧化鎵基高性能功率電子器件的熱管理難題提供了全新解決路徑，實現(xiàn)了高導熱襯底與超寬禁帶半導體的高效集成，對推動下一代高功率器件發(fā)展具有重要意義。（文章來源：西電集成電路學部）

（集邦化合物半導體整理）

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深圳平湖實驗室檢測結(jié)果顯示，本次測試樣品為氧化鎵8英寸襯底，取點共計5個，XRD搖擺曲線半高寬測試結(jié)果：22~26 arcsec。

圖片來源：鎵仁半導體

圖為8英寸襯底XRD搖擺曲線半高寬第三方測試結(jié)果-（深圳平湖實驗室）

馬爾文帕納科亞太卓越應用中心檢測結(jié)果顯示，本次測試樣品為氧化鎵8英寸襯底，取點共計5個，XRD搖擺曲線半高寬測試結(jié)果分別為：16.7 arcsec、16.2 arcsec、15.4 arcsec、15.3 arcsec、12.4 arcsec。

資料顯示，2025年3月，鎵仁半導體發(fā)布全球首顆第四代半導體氧化鎵8英寸單晶，并加工出8英寸襯底。

圖片來源：鎵仁半導體

目前在售的氧化鎵襯底晶圓主要以2英寸和4英寸為主，難以與主流的Fab場產(chǎn)線設(shè)備兼容，這提高了下游器件廠商研發(fā)的難度與成本，導致氧化鎵應用推進緩慢。

鎵仁半導體表示，上述第三方檢測結(jié)果表明，8英寸襯底XRD搖擺曲線半高寬<30 arcsec，達到國際領(lǐng)先水平。同時，該公司指出，本次質(zhì)量檢測結(jié)果充分證明，鎵仁半導體8英寸晶圓襯底質(zhì)量能夠滿足硅基8英寸產(chǎn)線生產(chǎn)要求，這將大幅降低下游應用端研發(fā)的難度與成本，促進產(chǎn)業(yè)化應用的快速落地。

據(jù)悉，鎵仁半導體氧化鎵襯底已逐步實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，為下游客戶提供大尺寸高質(zhì)量的氧化鎵單晶襯底產(chǎn)品。目前，鎵仁半導體8英寸襯底已實現(xiàn)產(chǎn)品銷售出貨。

資料顯示，氧化鎵（Ga?O?）是第四代半導體材料，因其超寬禁帶、高擊穿場強和低成本潛力，正成為電力電子、軍事雷達、電動汽車充電等領(lǐng)域的關(guān)鍵材料。

氧化鎵熔點高達1900℃，不溶于水，微溶于熱酸或堿溶液。其β相穩(wěn)定性最佳，具有4.9eV的禁帶寬度（遠超硅的1.1eV和碳化硅的3.3eV），以及8MV/cm的高擊穿場強，使其在高壓、高頻、高溫等極端環(huán)境下表現(xiàn)優(yōu)異，未來發(fā)展?jié)摿薮?，全球競相角逐研發(fā)，我國也不例外。

業(yè)界指出，我國在氧化鎵領(lǐng)域已形成從材料生長到器件研發(fā)的完整產(chǎn)業(yè)鏈，部分技術(shù)達國際領(lǐng)先水平，主要氧化鎵公司包括北京鎵族科技、杭州富加鎵業(yè)、中電科46所、鎵仁半導體等。與此同時，西安電子科技大學、浙江大學等高校也為氧化鎵技術(shù)突破做出了貢獻。

（集邦化合物半導體 秦妍 整理）

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目前最新進展是該項目整個主體建筑已全部封頂；辦公大樓、研發(fā)樓、宿舍正在進行內(nèi)部精裝修；主體廠房潔凈車間班組已入駐；動力中心正在內(nèi)部調(diào)試，預計8月可進行機電設(shè)備的入駐；此外，正在進行外部場地的平整以及污水管網(wǎng)的挖掘和鋪建。整體來看，項目正有序推進中。此前7月初，根據(jù)龍巖市融媒體中心報道，該項目預計9月份試產(chǎn)。

福建晶旭半導體基于氧化鎵壓電薄膜新材料的高頻濾波器芯片生產(chǎn)項目，位于上杭工業(yè)園區(qū)南崗金銅產(chǎn)業(yè)園，總投資16.8億元，項目建設(shè)136畝工業(yè)廠區(qū)，將建成全球首條超寬禁帶半導體高頻濾波芯片生產(chǎn)線。項目建成后，不僅可以填補國內(nèi)氧化鎵壓電薄膜新材料領(lǐng)域的空白，更將為上杭縣新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入強勁動力。

福建晶旭半導體科技有限公司成立于2020年，是一家專注于氧化鎵基通訊射頻濾波器晶圓材料及芯片研發(fā)生產(chǎn)和服務的高新技術(shù)企業(yè)。其技術(shù)團隊從2005年開始研究5G聲波濾波器制備，擁有光電集成芯片和化合物單晶薄膜材料專利100多項，特別在5G核心器件射頻濾波器壓電薄膜材料芯片制備技術(shù)上，處于領(lǐng)先地位。

氧化鎵（Ga?O?）是一種寬禁帶半導體材料，其中ε相氧化鎵（ε-Ga?O?）具有優(yōu)異的壓電性能和高頻特性（能響應極高頻率的電信號），利用這種特性，可制成聲波濾波器芯片，通過電信號激發(fā)氧化鎵薄膜的機械振動，篩選出特定頻率的信號（如5G通信所需的高頻信號），同時過濾掉雜波，實現(xiàn)信號的 “提純”。

隨著5G、6G、衛(wèi)星通信等技術(shù)發(fā)展，信號頻率從傳統(tǒng)的sub-6GHz向更高的毫米波（24GHz以上）邁進。氧化鎵基濾波器在高頻段下的信號損耗更低、穩(wěn)定性更高，能滿足高速率、大容量通信的需求，可以覆蓋通信、航天、國防等關(guān)鍵領(lǐng)域。

目前，全球高頻濾波器市場長期被國外企業(yè)壟斷，且傳統(tǒng)材料在高頻段的性能瓶頸明顯。如福建晶旭半導體的相關(guān)項目建成后，將成為全球首條氧化鎵基高頻濾波器芯片量產(chǎn)線，填補國內(nèi)在該領(lǐng)域的空白，對半導體產(chǎn)業(yè)鏈自主可控具有重要意義。

（集邦化合物半導體 金水 整理）

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瀚薪科技浙江麗水新建碳化硅封測建設(shè)項目順利封頂

5月27日，瀚薪科技通過全資子公司-浙江瀚薪芯昊半導體有限公司在麗水投建的“新建碳化硅封測建設(shè)項目”主體結(jié)構(gòu)正式封頂。

圖片來源：瀚薪科技

這一里程碑的達成，標志著公司在第三代半導體產(chǎn)業(yè)化的征程中邁出了關(guān)鍵一步。未來瀚薪科技的產(chǎn)品生產(chǎn)將進一步實現(xiàn)自主可控，研發(fā)技術(shù)快速迭代，以期為客戶提供更全面、更優(yōu)質(zhì)的碳化硅解決方案，助力“雙碳”目標與新能源產(chǎn)業(yè)升級！

資料顯示，瀚薪專注SiC功率器件研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化超15年，擁有自主知識產(chǎn)權(quán)及國際領(lǐng)先的芯片設(shè)計、封裝工藝與測試能力。公司產(chǎn)品已通過車規(guī)級AEC-Q101及工規(guī)級JEDEC認證，與多家知名企業(yè)建立了緊密的合作關(guān)系。

廣州這個氧化鎵外延項目即將投產(chǎn)

近期，由香港科技大學霍英東研究院與香港科技大學（廣州）聯(lián)合孵化的“拓諾稀科技”傳出新進展，其位于南沙的首個先進生產(chǎn)廠房正式啟用。

該廠房配備高標準潔凈室設(shè)施和完善的生產(chǎn)研發(fā)配套，具備批量化外延制備能力，實現(xiàn) “從實驗室走向產(chǎn)業(yè)”，為大規(guī)模推進氧化鎵外延產(chǎn)品走向市場奠定了堅實基礎(chǔ)。

圖片來源：香港科技大學快訊

氧化鎵（Ga?O?）作為一種具有超寬禁帶的半導體材料，在高壓功率電子、射頻通訊、光電探測等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應用潛力。由香港科技大學（廣州）陳子強教授與其博士生共同創(chuàng)立的拓諾稀科技，聚焦于氧化鎵外延薄膜的制備及高性能半導體器件的開發(fā)，是全球獨家通過MOCVD工藝實現(xiàn)了穩(wěn)定p型導電氧化鎵外延層的企業(yè)，填補了氧化鎵材料體系中長期缺失的p型導電空白。

據(jù)悉，拓諾稀科技通過實現(xiàn)p型導電，使得氧化鎵材料具備構(gòu)建pn結(jié)及其他雙極型器件（如BJT、IGBT）的能力，顯著拓展在新能源汽車、工業(yè)機器人、電力能源等領(lǐng)域的應用空間。團隊采用自主研發(fā)的MOCVD外延及加工工藝，形成全球獨有的技術(shù)體系，支持多層pn結(jié)構(gòu)設(shè)計以實現(xiàn)差異化器件性能。工藝兼容半導體行業(yè)標準設(shè)備，具備大規(guī)模量產(chǎn)與高度產(chǎn)業(yè)化的可行性，為晶圓加工和芯片集成提供堅實支撐。

（集邦化合物半導體 秦妍 整理）

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資料顯示，NextGO Epi成立于2025年， 專注于高品質(zhì) β-Ga?O? (氧化鎵) 外延片的大規(guī)模制造，旨在為高功率和光電探測應用提供關(guān)鍵材料。NextGO Epi 是德國萊布尼茨晶體生長研究所（IKZ）的孵化企業(yè)，由周大順博士、Andreas Popp 博士和 Andreas Fiedler 博士共同創(chuàng)立。

source：鎵仁半導體——圖為NextGO Epi?坐落于德國柏林萊布尼茨晶體研究所

鎵仁半導體則是一家專注于氧化鎵等寬禁帶半導體材料研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的科技型企業(yè)。鎵仁半導體引領(lǐng)行業(yè)創(chuàng)新，采用自主研發(fā)的鑄造法單晶生長新技術(shù)，全球首發(fā)8英寸氧化鎵單晶襯底，創(chuàng)造了從2英寸到8英寸，每年升級一個尺寸的行業(yè)紀錄；開發(fā)了國內(nèi)首臺包含工藝包的氧化鎵專用VB長晶設(shè)備，全面對外銷售。

業(yè)界指出，氧化鎵（Ga?O?）是第四代半導體材料，因其超寬禁帶、高擊穿場強和低成本潛力，正成為電力電子、軍事雷達、電動汽車充電等領(lǐng)域的關(guān)鍵材料。

我國在氧化鎵領(lǐng)域已形成從材料生長到器件研發(fā)的完整產(chǎn)業(yè)鏈，部分技術(shù)達國際領(lǐng)先水平，主要氧化鎵公司包括北京鎵族科技、杭州富加鎵業(yè)、中電科46所、鎵仁半導體等。與此同時，西安電子科技大學、浙江大學等高校也為氧化鎵技術(shù)突破做出了貢獻。

（集邦化合物半導體 Flora 整理）

氧化鎵熔點高達1900℃，不溶于水，微溶于熱酸或堿溶液。其β相穩(wěn)定性最佳，具有4.9eV的禁帶寬度（遠超硅的1.1eV和碳化硅的3.3eV），以及8MV/cm的高擊穿場強，使其在高壓、高頻、高溫等極端環(huán)境下表現(xiàn)優(yōu)異，未來發(fā)展?jié)摿薮?，全球競相角逐研發(fā)，其中亞洲市場表現(xiàn)亮眼，近期傳出新動態(tài)。

1、日本NCT全球首發(fā)全氧化鎵基Planar SBD器件

近期，日本株式會社（NCT）宣布向全球合作客戶推出其創(chuàng)新的Planar SBD（肖特基勢壘二極管）器件。該器件基于全氧化鎵材料制造，標志著NCT在氧化鎵半導體領(lǐng)域的重大突破。

此次推出的Planar SBD器件為Research Sample（RS）級別，專為科研及早期應用探索而設(shè)計。產(chǎn)品提供兩種電極尺寸規(guī)格供客戶選擇：

規(guī)格一：電極尺寸為2.4mm square，適用于特定測試及應用場景。
規(guī)格二：電極尺寸為3.2mm square，提供更大的電極面積，滿足不同客戶的測試需求。此次發(fā)布的

Planar SBD器件旨在滿足客戶對氧化鎵器件的測試、分析及應用探索需求，進一步推動氧化鎵行業(yè)的產(chǎn)業(yè)化發(fā)展。

氧化鎵布局上，NCT公司于2021年推出了全球首個量產(chǎn)4英寸氧化鎵晶圓，并計劃2028年實現(xiàn)8英寸氧化鎵量產(chǎn)。

2、鎵仁半導體成功制備全球首款8英寸氧化鎵晶圓襯底

今年3月，杭州鎵仁半導體有限公司(以下簡稱“鎵仁半導體”)宣布，基于自主創(chuàng)新的氧化鎵單晶生長技術(shù)與大尺寸襯底加工技術(shù)，公司成功制備了全球首款8英寸（200mm）氧化鎵晶圓襯底，國內(nèi)第四代半導體氧化鎵晶圓襯底率先邁入8英寸時代。

source：鎵仁半導體

資料顯示，鎵仁半導體氧化鎵晶圓襯底尺寸快速演進：2022年推出2英寸襯底，2023年推出4英寸襯底，2024年推出6英寸襯底，2025年推出8英寸襯底。

鎵仁半導體指出，未來氧化鎵應用前景廣闊，主要表現(xiàn)在三個領(lǐng)域：

功率器件領(lǐng)域，尤其是大于650V的中壓、高壓以及特高壓功率器件領(lǐng)域，比如新能源汽車快充、工業(yè)電源、電網(wǎng)高壓功率模塊等。

高功率射頻器件領(lǐng)域，氧化鎵的電子飽和速度、約翰遜優(yōu)值較高，在射頻器件領(lǐng)域具有很大應用潛力，比如通信基站和雷達系統(tǒng)等，對于通信、國防、航空航天等領(lǐng)域具有重要意義。

深紫外光電器件領(lǐng)域，氧化鎵還可用于日盲探測、輻射探測等特有領(lǐng)域?！叭彰ぁ弊贤馓綔y是近年來迅速發(fā)展起來的一種新型探測技術(shù)，主要應用于紫外預警、紫外偵察、紫外制導和紫外非視線通訊等軍事領(lǐng)域，以及環(huán)境監(jiān)測、生化檢測、工業(yè)燃燒過程控制、醫(yī)學紫外成像等民用領(lǐng)域。（集邦化合物半導體秦妍整理）

source：鎵仁半導體（圖為鎵仁半導體8英寸氧化鎵單晶）

據(jù)悉，8英寸氧化鎵能夠與現(xiàn)有硅基芯片廠的8英寸產(chǎn)線兼容，這將會顯著加快其產(chǎn)業(yè)化應用的步伐。其次，氧化鎵襯底尺寸增大可提升其利用率，降低生產(chǎn)成本，提升生產(chǎn)效率。

第四代半導體材料

在半導體材料的發(fā)展歷程中，每一代新材料的出現(xiàn)都推動著行業(yè)邁向新的高度。從第一代硅（Si）、鍺（Ge），到第二代砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP），再到第三代碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN），如今，第四代半導體材料正嶄露頭角，其中氧化鎵（Ga?O?）備受矚目。

氧化鎵作為第四代半導體的代表，具有諸多令人矚目的特性。它擁有超寬帶隙，范圍在4.-4.9eV，這一數(shù)值遠高于第三代半導體碳化硅的3.2eV和氮化鎵的3.39eV。更寬的禁帶寬度意味著電子需要更多能量從價帶躍遷到導帶，使得氧化鎵具備耐高壓、耐高溫、大功率、抗輻照等突出特性。其超高臨界擊穿場強可達8MV/cm，能承受比SiC或GaN器件更高的工作電壓，且導通電阻更低。

在應用領(lǐng)域方面，氧化鎵展現(xiàn)出了廣泛的潛力。在功率電子器件領(lǐng)域，它可用于數(shù)據(jù)中心，助力數(shù)據(jù)中心實現(xiàn)更高效的節(jié)能；在軌道交通、光伏逆變器、大功率通信等高壓、大電流場景中，能夠顯著提升系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。

其中值得注意的是，在新能源汽車領(lǐng)域，隨著汽車高壓化趨勢日益明顯，從400V逐步提升至800V，甚至未來可能采用1200V及更高的電壓平臺架構(gòu)，氧化鎵制備的功率器件有望大顯身手，將新能源汽車的充電時間大幅縮短，例如從現(xiàn)在快充的30分鐘縮短至7分鐘左右，極大地提升用戶體驗。
然而，盡管氧化鎵前景廣闊，但目前在產(chǎn)業(yè)化進程中仍面臨一些挑戰(zhàn)。其中，降低成本是關(guān)鍵問題之一。氧化鎵襯底的制備難度雖低于部分其他第四代半導體材料如金剛石和氮化鋁，但其成本仍有待進一步降低，以提升市場競爭力。此前，氧化鎵襯底主要通過EFG法生產(chǎn)，該方法需在約1800℃的高溫且含氧環(huán)境中進行晶體生長，對生長環(huán)境要求極高，坩堝需使用耐高溫、耐氧且不污染晶體的材料，綜合性能與成本考量，只有貴金屬銥適合用于氧化鎵熔體，這使得成本居高不下。

行業(yè)項目/技術(shù)進展

從當前行業(yè)進展看，除了鎵仁半導體以外，在更早之前的2024年9月，富加鎵業(yè)打造的國內(nèi)首條6英寸氧化鎵單晶及外延片生長線在杭州富陽開工建設(shè)，預計2025年年初投入使用。

另外，在2024年8月末，鴻海科技集團旗下的鴻海研究院前瞻技術(shù)研發(fā)取得重要成果。鴻海研究院半導體所所長暨國立陽明交通大學講座教授郭浩中及半導體所研究團隊，攜手陽明交大電子所洪瑞華教授團隊，在第四代化合物半導體的關(guān)鍵技術(shù)上取得突破。

他們以創(chuàng)新的離子布植技術(shù)成功制造出具備優(yōu)異電性表現(xiàn)的氧化鎵pn二極管（pndiode）。通過磷離子布植和快速熱退火技術(shù)實現(xiàn)了第四代半導體p型Ga?O?的制造，并在其上重新生長n型和n?型Ga?O?，形成了pnGa?O?二極管。這一突破性技術(shù)不僅大幅提升了元件的穩(wěn)定性和可靠性，顯著降低電阻，更為未來高功率電子元件開辟了新的可能性，推動了氧化鎵在高壓、高溫應用領(lǐng)域的發(fā)展。

氧化鎵的定義氧化鎵（Gallium Oxide，Ga?O?）是一種化學式為 Ga?O? 的無機化合物，是鎵的氧化物。它具有寬禁帶、高擊穿電場和優(yōu)異的化學穩(wěn)定性，是一種重要的寬禁帶半導體材料。特性：·CAS Number：12024-21-4·分子量：187.44 g/mol熔點：1900 °C (約)·外觀：通常為白色或淡黃色粉末或晶體·密度：6.44 g/cm3·溶解性：不溶于水，但可溶于強酸。

氧化鎵的特性與應用氧化鎵是一種寬禁帶半導體材料，其帶隙寬度高達 4.8 eV，遠超傳統(tǒng)的硅（1.1 eV）和碳化硅（3.3 eV）。這種特性使得氧化鎵在以下領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢：功率電子器件：氧化鎵具備高擊穿電場，能夠制造出更高效率、更小尺寸的功率器件，如高壓開關(guān)和高功率變換器。紫外探測器：由于其對紫外光的高敏感性，氧化鎵被廣泛用于紫外光傳感和安全檢測。透明電子器件：氧化鎵具有優(yōu)異的透明性，可應用于透明顯示和導電膜。

氧化鎵在韓國的市場現(xiàn)狀韓國作為全球半導體和顯示產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導者，對氧化鎵的研發(fā)和應用極為重視。在韓國，氧化鎵的流通主要體現(xiàn)在以下幾個方面：研發(fā)與技術(shù)合作：韓國多所大學和研究機構(gòu)正在積極研究氧化鎵的制備方法、晶體生長技術(shù)和器件應用。

例如，韓國科學技術(shù)院（KAIST）和三星電子正在開發(fā)基于氧化鎵的新型功率器件。進口與供應鏈：氧化鎵的高質(zhì)量晶體主要依賴于全球供應鏈。韓國企業(yè)通過從日本、美國等地進口氧化鎵晶體和靶材，用于國內(nèi)的半導體制造和科研項目。市場前景：隨著5G基站、新能源汽車充電設(shè)備等需求的增加，氧化鎵在功率電子器件中的應用潛力被進一步激發(fā)。韓國企業(yè)正在加大對氧化鎵器件的投資，力圖在未來市場中占據(jù)一席之地。

氧化鎵的挑戰(zhàn)與機遇盡管氧化鎵有諸多優(yōu)勢，但在生產(chǎn)和應用中仍面臨一些挑戰(zhàn)：晶體生長難度：高質(zhì)量氧化鎵單晶的生長技術(shù)尚未完全成熟，生產(chǎn)成本較高。器件可靠性：氧化鎵器件在高功率、高溫環(huán)境下的長期穩(wěn)定性需要進一步驗證。然而，隨著技術(shù)的進步，這些問題正在逐步得到解決。韓國的企業(yè)和科研機構(gòu)正在不斷推動氧化鎵產(chǎn)業(yè)鏈的完善，從晶體生長、材料加工到器件制造，力圖實現(xiàn)全產(chǎn)業(yè)鏈的本地化。

結(jié)語氧化鎵（Ga?O?）作為新興的寬禁帶半導體材料，正在引領(lǐng)技術(shù)革命。從功率電子到光電探測，氧化鎵展現(xiàn)了廣闊的應用前景。在韓國，隨著科研投入的增加和市場需求的推動，氧化鎵產(chǎn)業(yè)正逐步壯大。對于未來，氧化鎵不僅僅是一種材料，更是一種開啟新技術(shù)時代的鑰匙。（來源：Lumim）

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source：鎵仁半導體

11月29日，據(jù)鎵仁半導體官微消息，今年10月，鎵仁半導體在氧化鎵晶體的直拉法生長與電學性能調(diào)控方面實現(xiàn)技術(shù)突破，成功生長出2英寸N型氧化鎵單晶并制備出2英寸晶圓級N型(010)晶面氧化鎵單晶襯底，襯底平均電阻率＜30mΩ·cm，電阻率均勻性＜5%。

據(jù)介紹，鎵仁半導體致力于直拉法氧化鎵晶體生長技術(shù)的研發(fā)，于今年相繼完成2英寸UID和半絕緣直拉晶體的技術(shù)突破，并成功解決了（010）晶面襯底加工技術(shù)難題，成為目前唯一的2英寸（010）晶面襯底產(chǎn)品供應商。

在2英寸UID和半絕緣直拉法晶錠的中試階段，鎵仁半導體通過工藝革新，提高放肩和等徑生長的穩(wěn)定性，于近期實現(xiàn)一次成晶的技術(shù)，從而克服Sn摻高揮發(fā)的缺陷，成功制備出導電型氧化鎵單晶。

資料顯示，在氧化鎵單晶襯底的主流晶面中，（010）晶面因其卓越的物理特性和外延表現(xiàn)而備受青睞。（010）晶面熱導率最高，有利于提升功率器件性能；（010）晶面外延容許生長速率最快，符合產(chǎn)業(yè)化需求；并且基于（010）晶面制備的器件性能相較于其它晶面更為優(yōu)異。

國內(nèi)廠商方面，9月12日，據(jù)富加鎵業(yè)官微消息，其6英寸氧化鎵單晶及外延片生長線于9月10日在杭州富陽開工建設(shè)。

國外廠商方面，10月18日，據(jù)外媒消息，日本東北大學近日宣布成立FOX公司，該公司以低成本大規(guī)模生產(chǎn)β-氧化鎵（β-Ga2O3）晶片為目標。FOX采用了無貴金屬單晶生長技術(shù)，旨在以比碳化硅更低的成本生產(chǎn)出低缺陷程度與硅相當?shù)摩?氧化鎵襯底。（集邦化合物半導體Zac整理）

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source：鎵仁半導體

據(jù)介紹，在二期工廠中，鎵仁半導體自主研發(fā)并對外銷售的垂直布里奇曼法（VB法）氧化鎵專用長晶爐已進線，而且在現(xiàn)有基礎(chǔ)上對工藝進行持續(xù)優(yōu)化。

鎵仁半導體技術(shù)總監(jiān)夏寧表示，垂直布里奇曼法是全球公認的氧化鎵產(chǎn)業(yè)化的關(guān)鍵技術(shù)，而鎵仁半導體是目前國內(nèi)唯一能提供此類設(shè)備的供應商。

官網(wǎng)資料顯示，鎵仁半導體成立于2022年9月，目前坐落于杭州市蕭山區(qū)機器人小鎮(zhèn)，是一家專注于寬禁帶半導體材料（氧化鎵等第四代半導體）研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的科技型企業(yè)。

鎵仁半導體產(chǎn)品包括不同尺寸、晶向和電阻率的氧化鎵拋光片，可定制的氧化鎵籽晶等。產(chǎn)品主要應用于面向國家電網(wǎng)、新能源汽車、軌道交通、5G通信等領(lǐng)域的電力電子器件。

業(yè)務進展方面，9月20日，鎵仁半導體發(fā)布其首臺氧化鎵專用晶體生長設(shè)備。該設(shè)備不僅滿足氧化鎵晶體生長的各項需求，還集成了多項自主創(chuàng)新技術(shù)。

今年以來，鎵仁半導體持續(xù)在氧化鎵技術(shù)方面取得突破。4月，鎵仁半導體推出了2英寸晶圓級（010）氧化鎵半絕緣單晶襯底，并實現(xiàn)了2英寸（010）氧化鎵單晶襯底的自主量產(chǎn)，打破了國際壟斷；7月，鎵仁半導體成功制備出了3英寸晶圓級（010）氧化鎵單晶襯底；9月上旬，鎵仁半導體宣布成功研制超薄6英寸氧化鎵襯底，襯底厚度小于200微米。（集邦化合物半導體Zac整理）

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