此前，該領域的商業(yè)供應主要局限于100毫米（4英寸）及以下尺寸，而150毫米則是當前全球功率半導體主流生產(chǎn)線（如碳化硅產(chǎn)線）的標準物理規(guī)格。

NCT成功實現(xiàn)這一尺寸的跨越，意味著下游功率器件制造商無需進行大規(guī)模的設備更替，即可利用現(xiàn)有的6英寸晶圓加工配套設施進行氧化鎵器件的規(guī)模化試制與量產(chǎn)準備。

氧化鎵作為一種超寬禁帶材料，其物理特性在電力電子領域極具競爭力。其禁帶寬度約為4.5至4.9eV，遠超硅（Si）和碳化硅（SiC），這賦予了材料極高的擊穿電場強度和極低的能量損耗。在同等耐壓水平下，氧化鎵器件理論上能實現(xiàn)比碳化硅更小的芯片尺寸和更高的能量轉換效率。

更重要的是，氧化鎵支持從熔體中直接生長（Melt-growth method），相比于生長環(huán)境嚴苛且極其緩慢的碳化硅，其在大規(guī)模生產(chǎn)中的成本優(yōu)勢和產(chǎn)能擴張潛力被業(yè)界寄予厚望。

根據(jù)NCT公布的最新戰(zhàn)略路線圖，公司在開啟150毫米襯底樣品的交付后，計劃于2027年推出配套的150毫米氧化鎵外延片。

此外，為進一步優(yōu)化成本結構，NCT正在研發(fā)更為先進的液滴饋入生長法工藝，旨在通過消除對昂貴銥金坩堝的依賴，在2029年實現(xiàn)150毫米晶圓的低成本全面量產(chǎn)。放眼未來，NCT設定了在2035年左右供應200毫米（8英寸）襯底的遠景目標。

（集邦化合物半導體整理）

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該項目聚焦6/8英寸大尺寸氧化鎵單晶襯底的規(guī)?；a(chǎn)，是富加鎵業(yè)在氧化鎵材料產(chǎn)業(yè)化布局中的重要落地項目。從6英寸氧化鎵晶體研制成功，到8英寸VB法氧化鎵晶體的國際首發(fā)，再到本次萬片級產(chǎn)線完成環(huán)保驗收，企業(yè)完成了從核心技術研發(fā)到規(guī)?；a(chǎn)布局的關鍵推進，后續(xù)該產(chǎn)線將正式釋放產(chǎn)能，供應大尺寸氧化鎵單晶襯底相關產(chǎn)品。

作為超寬禁帶半導體材料領域的核心品類，氧化鎵是第四代半導體的關鍵材料，相較硅、碳化硅等傳統(tǒng)半導體材料，其擁有禁帶寬度大、擊穿電場強度高、介電常數(shù)低、電子遷移率高以及制備成本相對可控等特性，是制作高壓、高頻、高功率、低損耗半導體器件的理想材料。

在產(chǎn)業(yè)應用層面，氧化鎵材料可廣泛適配新能源汽車高壓快充、光伏逆變器、智能電網(wǎng)輸配電、軌道交通供電、深紫外光電探測、微波射頻器件等多個領域的器件研發(fā)與生產(chǎn)需求，能夠有效提升相關器件的能量轉換效率、降低能耗、縮小器件體積，契合新能源、新一代信息技術、高端裝備制造等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的技術升級與發(fā)展需求。

同時，氧化鎵材料的產(chǎn)業(yè)化發(fā)展，也為半導體產(chǎn)業(yè)突破傳統(tǒng)材料性能瓶頸、向更高端化方向發(fā)展提供了新的技術路徑，是全球半導體材料領域的重要研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化方向。

此次項目完成竣工環(huán)境保護驗收，意味著國內(nèi)氧化鎵材料產(chǎn)業(yè)化在規(guī)模化生產(chǎn)環(huán)節(jié)實現(xiàn)重要進展，將進一步提升國內(nèi)大尺寸氧化鎵單晶襯底的市場供給能力，完善國內(nèi)超寬禁帶半導體材料的產(chǎn)業(yè)鏈布局。富加鎵業(yè)方面表示，后續(xù)將依托該產(chǎn)線的產(chǎn)能保障，加速6/8英寸氧化鎵產(chǎn)品的市場推廣，為市場提供相關氧化鎵材料解決方案。

據(jù)公開信息，杭州富加鎵業(yè)科技有限公司成立于2019年12月31日，主營超寬禁帶半導體氧化鎵材料產(chǎn)業(yè)化相關業(yè)務，核心產(chǎn)品包含氧化鎵單晶襯底、氧化鎵外延片、晶體生長裝備等，目前已形成覆蓋氧化鎵設備、襯底、外延片的產(chǎn)品體系，可提供“襯底-外延”一體化解決方案，同時牽頭起草氧化鎵領域首個國家標準，承擔并參與多項國家及省部級相關科研項目。

（集邦化合物半導體 Niko 整理）

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圖片來源：北京中小企業(yè)服務平臺

本輪融資將主要用于6英寸氧化鎵襯底技術研發(fā)與量產(chǎn)、建設2-4英寸氧化鎵襯底中試產(chǎn)線、超寬禁帶半導體未來產(chǎn)業(yè)培育、以及磷化銦多晶產(chǎn)線規(guī)模化擴產(chǎn)。

銘鎵半導體核心布局氧化鎵、磷化銦等關鍵材料。2025年初，企業(yè)運用新工藝成功制備了4英吋（010）氧化鎵晶坯，為全球首次，為制造更大尺寸、更低成本的氧化鎵器件創(chuàng)造了條件。

大尺寸氧化鎵技術邁向產(chǎn)業(yè)化

作為第四代超寬禁帶半導體材料的核心代表，氧化鎵憑借4.9eV超寬禁帶、高臨界擊穿場強等特性，在高壓功率器件、高頻射頻、新能源等領域展現(xiàn)出替代碳化硅、氮化鎵的潛力，成為國內(nèi)半導體產(chǎn)業(yè)突破的關鍵賽道。

杭州富加鎵業(yè)科技有限公司成立于2019年，核心產(chǎn)品包括氧化鎵單晶襯底、MOCVD/MBE外延片及VB法、EFG法晶體生長裝備，已掌握從晶體生長、襯底加工到外延制備的完整技術鏈。

2025年12月，中國科學院上海光機所聯(lián)合#富加鎵業(yè)，在國際上首次采用垂直布里奇曼法（VB法）制備出8英寸氧化鎵晶體。去年9月，富加鎵業(yè)獲近億元融資，將主要用于建設國內(nèi)首條6英寸氧化鎵單晶及外延片生產(chǎn)線，預計2026年底實現(xiàn)年產(chǎn)萬片產(chǎn)能。

圖片來源：杭州富加鎵業(yè)科技有限公司

杭州鎵仁半導體有限公司成立于2022 年，依托浙江大學硅及先進半導體材料全國重點實驗室，首創(chuàng)鑄造法氧化鎵單晶生長技術，全球首發(fā)8英寸氧化鎵單晶襯底，開發(fā)國內(nèi)首臺帶工藝包的氧化鎵專用 VB 長晶設備并對外銷售，在大尺寸襯底與裝備自主化方面處于國際領先。

2025年10月，#鎵仁半導體 宣布在氧化鎵同質外延技術上取得重大突破，成功實現(xiàn)了高質量6英寸氧化鎵同質外延生長。

地方政策精準加碼氧化鎵發(fā)展

產(chǎn)業(yè)突破的背后，地方政策支持持續(xù)加碼。2026年開年以來，廣州、浙江兩地相繼發(fā)布專項規(guī)劃，將氧化鎵納入重點發(fā)展范疇，形成政策引導與產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新的良性互動，為第四代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展筑牢生態(tài)基礎。

2026年1月8日，廣州市人民政府辦公廳正式印發(fā)《廣州市加快建設先進制造業(yè)強市規(guī)劃（2024—2035年）》（以下簡稱《規(guī)劃》），明確將半導體與集成電路列為五大戰(zhàn)略先導產(chǎn)業(yè)之一，提出大力發(fā)展碳化硅、氮化鎵、氧化鎵等第三代半導體材料制造，通過全產(chǎn)業(yè)鏈布局、核心技術攻關與產(chǎn)業(yè)生態(tài)構建，推動廣州成為國家集成電路第三極核心承載區(qū)。

圖片來源：廣州市人民政府辦公廳文件截圖

2026年1月初，浙江省經(jīng)濟和信息化廳發(fā)布的《浙江省“十五五”新型工業(yè)化規(guī)劃（征求意見稿）》也明確將氧化鎵、金剛石、碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導體材料列為新一代半導體領域重點發(fā)展方向，與3-7nm晶圓制程突破、先進半導體設備研發(fā)等任務協(xié)同推進。

業(yè)內(nèi)指出，國內(nèi)氧化鎵產(chǎn)業(yè)已實現(xiàn)從實驗室研發(fā)向中試及規(guī)?；苽涞年P鍵跨越，疊加地方政策的精準賦能，有望加速在電力電子等領域的應用驗證，推動我國在第四代半導體賽道確立國際競爭優(yōu)勢。

（集邦化合物半導體 金水 整理）

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華潤微電子作為集團科技與新興產(chǎn)業(yè)板塊重要組成，展區(qū)圍繞“芯創(chuàng)前沿 科創(chuàng)領航”“芯鏈科創(chuàng)成果 賦能全鏈路”“芯啟科創(chuàng) 賦能出行”三大主題，綜合運用產(chǎn)品實物、模型演示、顯微鏡互動等多種形式，生動呈現(xiàn)了公司在前沿技術突破、全產(chǎn)業(yè)鏈自主可控以及汽車電子應用等方面的創(chuàng)新成果與實踐路徑。

圖片來源：華潤微電子芯聞號

“芯創(chuàng)前沿 科創(chuàng)領航”展區(qū)重點展示了華潤微電子“十四五”期間的戰(zhàn)略布局與突破。其中，第四代功率半導體氧化鎵已實現(xiàn)全鏈條技術布局，外延及器件性能達國際先進水平；下一代新型鐵電存儲器、抗量子安全芯片等產(chǎn)品已步入商用階段。

“芯鏈科創(chuàng)成果 賦能全鏈路”展區(qū)，以半導體制造全鏈條為主線，通過硅錠至芯片的完整產(chǎn)業(yè)鏈實物模型，清晰呈現(xiàn)華潤微在芯片設計、掩模制造、晶圓制造到封裝測試的全流程自主能力。

“芯啟科創(chuàng) 賦能出行”展區(qū)緊密圍繞汽車產(chǎn)業(yè)升級需求，集中展示了華潤微在汽車電子領域的規(guī)?；瘧贸晒?。產(chǎn)品布局從充電樁、車載充電器等基礎部件，延伸至主驅模塊、高級駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）超聲波雷達芯片等核心領域。

資料顯示，“十四五”期間，華潤微電子圍繞“產(chǎn)品與方案”及“制造與服務”兩大業(yè)務板塊持續(xù)深化布局。在自主產(chǎn)品方面，公司開發(fā)的SGT MOS、SJ MOS、SBD、FRD、IGBT等工藝平臺及相應模塊與系統(tǒng)應用方案，技術水平位居國內(nèi)前列，并積極布局SiC與GaN第三代化合物半導體，持續(xù)拓展技術前沿。同時，公司依托覆蓋掩模制造、晶圓制造、封裝測試的“一站式”特色工藝服務，專注于為客戶提供定制化、差異化的制造解決方案，有力支撐客戶供應鏈的安全與穩(wěn)定，展現(xiàn)了全鏈條服務能力與產(chǎn)業(yè)協(xié)同優(yōu)勢。

展望“十五五”，華潤微電子將以創(chuàng)新為引擎，加速突破#氧化鎵 等第四代半導體技術，深化后摩爾時代核心工藝。同時，聚焦新能源車、機器人、人工智能等戰(zhàn)略領域，推動芯片從功率向算力升級，為半導體產(chǎn)業(yè)攀登價值鏈高端、加快發(fā)展新質生產(chǎn)力貢獻核心動能，奮力書寫“科技致美好”的新篇章。

（集邦化合物半導體整理）

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圖片來源：杭州富加鎵業(yè)科技有限公司

作為第四代半導體領域的代表性材料，#氧化鎵 憑借4.9eV超寬禁帶寬度和8MV/cm超高擊穿場強的特性，在新能源汽車充電、電網(wǎng)換流、數(shù)據(jù)中心電源等超高壓場景中具有不可替代的優(yōu)勢。相較于傳統(tǒng)硅材料及第三代半導體碳化硅、氮化鎵，氧化鎵器件可實現(xiàn)更高能效、更小體積和更低能耗，被視為下一代功率電子產(chǎn)業(yè)的核心突破口。

資料顯示，富加鎵業(yè)成立于2019年，是我國超寬禁帶半導體氧化鎵領域的領先企業(yè)，公司核心業(yè)務聚焦寬禁帶半導體氧化鎵材料的產(chǎn)業(yè)化，已構建起“裝備-襯底-外延-器件驗證”全鏈條產(chǎn)業(yè)化體系，是國內(nèi)少數(shù)實現(xiàn)氧化鎵材料與裝備雙線自主可控的企業(yè)。

富加鎵業(yè)董事長齊紅基曾表示，富加鎵業(yè)突破導模法6寸生長關鍵技術，達到了氧化鎵電力電子器件產(chǎn)業(yè)化門檻要求，并且通過發(fā)展自主可控“AI”晶體裝備，成功實現(xiàn)“一鍵長晶”。

今年9月，富加鎵業(yè)完成A+輪融資，融資金額近億元，由深創(chuàng)投、中網(wǎng)投、仁智資本、中贏創(chuàng)投、盛德投資等知名機構共同參與。融資將主要用于建設國內(nèi)首條6英寸氧化鎵單晶及外延片生產(chǎn)線，預計2026年底實現(xiàn)年產(chǎn)萬片產(chǎn)能。

上海光機所作為國內(nèi)較早從事氧化鎵晶體研究的單位，在VB法方面，聯(lián)合富加鎵業(yè)大力發(fā)展提升關鍵裝備制造、高精度模擬仿真、確定性熱場設計三大核心技術。2024年7月在國內(nèi)首次實現(xiàn)3英寸晶體制備，2024年12月成功制備4英寸晶體，2025年9月在國內(nèi)首次實現(xiàn)6英寸晶體制備，2025年12月刷新國際VB法制備氧化鎵晶體的最大尺寸紀錄。

圖片來源：杭州富加鎵業(yè)科技有限公司

從產(chǎn)業(yè)視角看，8英寸尺寸的突破具有里程碑意義。當前國內(nèi)功率器件產(chǎn)線以8英寸平臺為主流，該尺寸晶體可直接適配現(xiàn)有產(chǎn)線工藝，大幅降低產(chǎn)業(yè)鏈適配成本。”晶片尺寸越大，單位面積器件產(chǎn)出越多，成本攤薄效應越顯著。此次突破讓氧化鎵從實驗室走向產(chǎn)業(yè)應用的步伐大幅加快。”行業(yè)專家分析指出。

值得了解的是，VB法在制備氧化鎵晶體方面具有多項顯著優(yōu)勢，是實現(xiàn)大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化的理想路徑：生長過程無需使用銥金，大大降低生長成本；生長過程溫度場均勻、溫度梯度小，更易實現(xiàn)大尺寸、高質量氧化鎵晶體的生長；可生長柱狀晶體，有效提升材料制備效率；生長過程穩(wěn)定，更適合自動、規(guī)?；a(chǎn)。

當前，我國一批核心企業(yè)正加速布局以氧化鎵、金剛石為代表的下一代超寬禁帶半導體材料，初步形成多元協(xié)同的產(chǎn)業(yè)生態(tài)。

三安光電作為行業(yè)龍頭，在氧化鎵材料研發(fā)與器件制備領域積極投入，依托其成熟的半導體制造體系推進技術產(chǎn)業(yè)化進程；杭州鎵仁半導體宣稱已成功研制8英寸氧化鎵單晶，在大尺寸晶體生長技術上取得重要進展；鎵創(chuàng)未來則探索異質外延技術路線，致力于降低氧化鎵外延片成本，緩解產(chǎn)業(yè)化瓶頸。

此外，南大光電聚焦核心前驅體材料研發(fā)，藍曉科技等企業(yè)在高純金屬提純方面提供支撐，國機精工、晶盛機電等則在金剛石半導體等細分方向取得階段性突破，共同推動從原材料、晶體生長到器件制造的全鏈條能力建設。

（集邦化合物半導體 Niko 整理）

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圖片來源：中國電子材料行業(yè)協(xié)會公告截圖

鎵仁半導體牽頭兩項氧化鎵團體標準正式發(fā)布！

《β相氧化鎵同質外延片》（T/CEMIA 050-2025）的牽頭單位為杭州鎵仁半導體有限公司。

其它參編單位有中國電子科技集團公司第四十六研究所、中國科學技術大學、中國電子科技集團公司第十三研究所、西安電子科技大學、南京大學、中山大學、甬江實驗室、浙江大學、浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心、杭州富加鎵業(yè)科技有限公司、進化半導體有限公司、深圳平湖實驗室、華潤微電子有限公司、NEXTGO EPI UG、電子科技大學、安徽大學、廈門大學、中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所、鎵創(chuàng)未來半導體科技(晉江)有限公司、大連理工大學、中國科學院東莞材料科學與技術研究院、湖北九峰山實驗室、杭州芯創(chuàng)德半導體有限公司、西南大學、香港科技大學。

《氧化鎵單晶位錯密度測試方法》（T/CEMIA 051-2025）的牽頭單位為杭州鎵仁半導體有限公司。

其它參編單位有中國電子科技集團公司第四十六研究所、中國科學技術大學、中國電子科技集團公司第十三研究所、西安電子科技大學、南京大學、中山大學、甬江實驗室、浙江大學、浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心、杭州富加鎵業(yè)科技有限公司、進化半導體有限公司、深圳平湖實驗室、華潤微電子有限公司、NEXTGO EPI UG、電子科技大學、安徽大學、廈門大學、中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所、鎵創(chuàng)未來半導體科技(晉江)有限公司、大連理工大學、中國科學院東莞材料科學與技術研究院、湖北九峰山實驗室、杭州芯創(chuàng)德半導體有限公司、西南大學、香港科技大學。

這兩項由中國電子材料行業(yè)協(xié)會發(fā)布的氧化鎵領域團體標準，將為β相氧化鎵同質外延片的質量管控與氧化鎵單晶位錯密度的統(tǒng)一測試提供依據(jù)。標準的落地將推動氧化鎵從實驗室走向規(guī)?；a(chǎn)，為我國在超寬禁帶半導體賽道建立技術與產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢奠定基礎，助力實現(xiàn) “超寬禁帶半導體之王” 的產(chǎn)業(yè)化價值釋放，支撐國家新能源與高端制造戰(zhàn)略。

鎵仁半導體賦能氧化鎵研究新突破

杭州#鎵仁半導體 有限公司成立于2022年9月，位于浙江省杭州市蕭山區(qū)，是一家專注于寬禁帶半導體氧化鎵單晶材料研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的科技型企業(yè)。公司核心產(chǎn)品包括：2-8英寸氧化鎵單晶與襯底（其中8英寸為國際首發(fā)）、氧化鎵垂直布里奇曼法（VB法）長晶設備、氧化鎵外延片等，致力于構建 “設備-晶體-襯底-外延” 全鏈條產(chǎn)品體系，為全球客戶提供系統(tǒng)性解決方案。

2025年3月，鎵仁半導體發(fā)布全球首顆第四代半導體氧化鎵8英寸單晶，并加工出8英寸襯底，刷新了氧化鎵單晶尺寸的全球紀錄。7月，鎵仁半導體研發(fā)的8英寸氧化鎵襯底通過了國內(nèi)/國外知名機構的檢測，并聯(lián)合發(fā)布檢測結果。

第三方檢測結果表明，8英寸襯底XRD搖擺曲線半高寬<30 arcsec，達到國際領先水平。8英寸高質量氧化鎵襯底的問世，標志著氧化鎵產(chǎn)業(yè)化應用邁入全面加速落地階段，是產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要里程碑。

2025年11月，鎵仁半導體完成Pre-A+輪戰(zhàn)略融資。根據(jù)企查查信息顯示，本輪融資由余杭金控、九智資本、方廣資本、深創(chuàng)投、華睿投資等共同投資。

2025年12月，鎵仁半導體推出 “SCIENCE系列” 科研級VB法長晶設備，專為2-6英寸氧化鎵科研場景量身打造，以全自主核心技術助力科研工作者在長晶、摻雜、缺陷控制及材料性能優(yōu)化等領域高效探索。

（集邦化合物半導體 Flora 整理）

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圖片來源：鎵仁半導體

半導體材料的發(fā)展歷經(jīng)數(shù)代更迭：從以硅、鍺為代表的第一代，到以砷化鎵等化合物為代表的第二代，再到以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代。如今，被譽為“第四代半導體”的氧化鎵，憑借其更耐高溫、更耐高壓、性能更優(yōu)等特性，成為下一代電力電子器件領域的“理想材料”，備受全球關注。

不過，作為新興材料，氧化鎵仍面臨較大技術難題。比如氧化鎵在高溫熔融狀態(tài)下性質很不穩(wěn)定，用主流方法很難讓它規(guī)規(guī)矩矩地結晶。同時，它的結晶過程就像在鍛造一件精密瓷器，對“火候”（溫度）和環(huán)境的要求極高，稍有偏差，晶體就會產(chǎn)生缺陷甚至碎裂，難以得到完整、高質量的單晶。因此，穩(wěn)定制備大尺寸氧化鎵單晶的挑戰(zhàn)，曾是其邁向大規(guī)模應用的主要瓶頸。

這一背景下，杭州鎵仁半導體有限公司聚焦氧化鎵單晶制備技術攻關，依托自主研發(fā)的“鑄造法”，在材料生長上取得重要突破。該方法具備成本低、效率高、工藝簡單可控、尺寸易放大等優(yōu)勢。

今年初，杭州鎵仁半導體有限公司團隊成功發(fā)布全球首顆8英寸氧化鎵單晶，標志著我國在超寬禁帶半導體領域實現(xiàn)“換道超車”。該成果可與現(xiàn)有硅基8英寸產(chǎn)線完全兼容，為氧化鎵從實驗室走向規(guī)?；瘧玫於藞詫嵒A。

（集邦化合物半導體整理）

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“晉江產(chǎn)經(jīng)報道”官微消息，近日，晉江西安離岸創(chuàng)新中心孵化出的第一個產(chǎn)業(yè)化項目，專注于第四代超寬禁帶半導體材料——氧化鎵科技企業(yè)“鎵創(chuàng)未來”正式落戶晉江并完成千萬級天使輪融資。

資料顯示，鎵創(chuàng)未來半導體科技（晉江）有限公司，依托于西安電子科技大學—-寬帶隙半導體技術國家重點學科實驗室和寬禁帶半導體國家工程研究中心，也是晉江西安離岸創(chuàng)新中心孵化出的第一個產(chǎn)業(yè)化項目，目前已具備異質外延片小批量生產(chǎn)能力。公司創(chuàng)始人團隊均為微電子學與固體電子學博士，在材料外延生長、摻雜及器件制備等全產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)積累了近10年的經(jīng)驗。

該公司董事長彭博透露，公司氧化鎵一個最突出的優(yōu)勢就是它的寬禁帶度更寬，能耐更高的電壓通更大的電流，目前新能源車要做快充，基本800伏平臺的充電器約30分鐘把一輛車車從空電充到滿電，如果使用鎵創(chuàng)未來氧化鎵的器件，7分鐘就可以把它電充滿。

彭博介紹，前期已與二十多家科研機構建立合作關系，與多家半導體客戶簽訂采購合同。目前，隨著項目正式入駐晉江，彭博將聯(lián)合團隊專注產(chǎn)品落地，滿足不同應用場景的需求。

（集邦化合物半導體整理）

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圖片來源：西安電子科技大學——圖為郝躍（中）團隊在實驗室

氧化鎵因其超寬禁帶特性在高壓、大功率應用中具備顯著優(yōu)勢，但其本身的熱導率僅為硅的約五分之一，工作時容易出現(xiàn)過熱問題。金剛石的熱導率高達約2000?W·m?1·K?1，是已知材料中最高的散熱介質，理論上可以大幅降低器件溫升。

然而，直接將氧化鎵貼合在金剛石上會因晶格和熱膨脹系數(shù)的差異產(chǎn)生界面缺陷，導致散熱效果不佳。為此，團隊在兩者之間引入單層或多層石墨烯，石墨烯既能提供柔性匹配，又保持極高的熱傳導通道，使熱流能夠快速從氧化鎵傳遞到金剛石。

實驗結果顯示，加入石墨烯后，散熱阻降低約十倍，器件工作溫度下降30?°C以上，顯著提升了功率密度和可靠性。采用該散熱方案的Ga?O?功率開關器件在5kV以上的擊穿電壓下仍保持低正向壓降和高速開關特性，適用于5G/6G基站、雷達、衛(wèi)星通信以及電動汽車功率模塊等高壓高功率場景。

這項突破不只是實驗室成果，還解決了氧化鎵器件的“自熱”痛點，讓高導熱金剛石和氧化鎵高效“聯(lián)姻”，為解決氧化鎵器件發(fā)熱問題提供了全新思路，也為未來高性能、高可靠性電子器件的發(fā)展奠定了基礎。

在該技術的基礎上，團隊開發(fā)了一種新的范德華極化工程異質集成技術，成功在藍寶石襯底上生長了高質量的氮化鎵外延層，并以此為基礎制備出高性能的氮化鎵基射頻器件。該器件具有高電子遷移率、高飽和電流密度和低截止電流，適用于高頻高功率放大器。

據(jù)介紹，這項技術有望在未來5G/6G通信基站、雷達系統(tǒng)、衛(wèi)星通信等關鍵領域發(fā)揮重要作用。低缺陷密度的氮化鎵外延層還適用于電動汽車充電樁、數(shù)據(jù)中心電源等高效率、高頻率的功率開關器件。

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圖片來源：杭州富加鎵業(yè)科技有限公司

富加鎵業(yè)成立于2019年，核心產(chǎn)品為氧化鎵單晶襯底、MOCVD/MBE外延片、布里奇曼法（VB法）及導模法(EFG法)晶體生長裝備、襯底研磨拋光裝備等。

設備領域，富加鎵業(yè)研制了國際上首臺具備“一鍵長晶”EFG設備，可以滿足2-6英寸晶體生長需求，可提供設備及配套工藝包。

同時，富加鎵業(yè)自行研制了全自動VB晶體生長設備，并在國內(nèi)率先突破了6英寸單晶生長技術瓶頸，實現(xiàn)了大尺寸VB法單晶制備，可根據(jù)客戶需求提供VB設備及工藝包。此外，該公司還研發(fā)了2-6英寸氧化鎵單晶襯底研磨拋光設備，并根據(jù)客戶需要可提供成熟的研磨拋光及清洗工藝包。

單晶及外延片方面，富加鎵業(yè)已經(jīng)建立企業(yè)標準2項，獲得ISO9001質量體系認證，向市場提供10mm至6英寸的多種晶向的氧化鎵單晶襯底10mm至6英寸的MOCVD氧化鎵外延片及10×15mm MBE氧化鎵外延片。

氧化鎵作為極具潛力的第四代半導體材料，能承受超高電壓、成本低，在電動汽車、軌道交通、5G/6G基站、智能電網(wǎng)、航空航天等系統(tǒng)中應用廣泛，被譽為下一代高功率電子器件的“明星材料”，陸續(xù)吸引眾多廠商進行研發(fā)。

稍早之前，宣布在氧化鎵同質外延技術上取得重大突破，成功實現(xiàn)了高質量6英寸氧化鎵同質外延生長。

據(jù)悉，#鎵仁半導體 6英寸氧化鎵同質外延片外延層厚度超過10微米，厚度均勻性優(yōu)異，方差σ小于1%。高分辨XRD搖擺曲線半高寬小于40弧秒，表明外延層結晶質量高、晶格完整性良好。通過電容-電壓（C-V）法測試，外延層載流子濃度介于1.60E16cm?3至1.92E16cm?3之間，標準方差為6.08%，證實外延層電學均勻性良好。

（集邦化合物半導體整理）

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