1、晶馳機(jī)電成功開發(fā)出電阻法12寸碳化硅晶體生長(zhǎng)設(shè)備

3月24日晶馳機(jī)電官微消息，今年3月晶馳機(jī)電自主研發(fā)的“電阻法碳化硅單晶生長(zhǎng)設(shè)備”通過創(chuàng)新熱場(chǎng)方案完成十二寸多晶生長(zhǎng)驗(yàn)證，為第三代半導(dǎo)體材料低成本擴(kuò)徑量產(chǎn)提供了全新解決方案。

晶馳機(jī)電描述，晶錠形態(tài)完美，表面微凸度精準(zhǔn)控制在2.4mm以內(nèi)，成功突破同一爐臺(tái)多尺寸生長(zhǎng)技術(shù)壁壘，實(shí)現(xiàn)了同一臺(tái)設(shè)備既可穩(wěn)定量產(chǎn)八寸碳化硅單晶，又完全具備生長(zhǎng)十二寸碳化硅單晶的能力。

source：晶馳機(jī)電

晶馳機(jī)電是浙江大學(xué)杭州科創(chuàng)中心的孵化企業(yè)，產(chǎn)品主要覆蓋第三代、第四代半導(dǎo)體材料裝備碳化硅晶體生長(zhǎng)設(shè)備（PVT法）、金剛石生長(zhǎng)設(shè)備（MPCVD法）、氧化鎵單晶生長(zhǎng)爐、碳化硅源粉合成爐等。

除了國(guó)內(nèi)市場(chǎng)之外，今年晶馳機(jī)電海外訂單也取得了喜人進(jìn)展。今年1月，該公司自主研發(fā)、設(shè)計(jì)并生產(chǎn)的“全自動(dòng)碳化硅腐蝕清洗設(shè)備”成功交付海外標(biāo)桿客戶。

設(shè)備采用雙工位設(shè)計(jì)，集SiC晶片熱強(qiáng)堿腐蝕、快速清洗，再次超聲清洗和晶片烘干為一體。全封閉式工作臺(tái)和強(qiáng)排風(fēng)系統(tǒng)充分避免了操作人員與腐蝕性強(qiáng)堿溶劑的接觸，也有效防止了腐蝕性堿蒸汽對(duì)操作人員的身體傷害。整個(gè)工藝流程全部自動(dòng)化控制，操作人員只需完成取放片操作，腐蝕效率高，適合產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。

該設(shè)備的交付，不僅標(biāo)志著該公司向海外市場(chǎng)邁出重要一步，也為晶馳機(jī)電后續(xù)碳化硅材料制備相關(guān)系列裝備的海外銷售提供了強(qiáng)有力的支持。

2、臻晶半導(dǎo)體自主研發(fā)液相法碳化硅電阻爐技術(shù)

近期，臻晶半導(dǎo)體推出自主研發(fā)的液相法碳化硅電阻爐技術(shù)，為碳化硅晶體生長(zhǎng)提供了全新的解決方案。

該單晶爐具有6 – 8英寸大直徑設(shè)計(jì)，能夠滿足不同尺寸晶體生長(zhǎng)的需求。同時(shí)，它還具備多點(diǎn)溫度實(shí)時(shí)精確監(jiān)控功能，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)溫場(chǎng)空間的實(shí)時(shí)穩(wěn)定調(diào)控。臻晶半導(dǎo)體的多元活性助溶技術(shù)，通過使用優(yōu)化助熔劑配方，增加了高溫區(qū)碳源的供應(yīng)，從而提高了溶碳量。這一技術(shù)的應(yīng)用，不僅提升了晶體生長(zhǎng)的速率，還有效提高了晶體的良率。

臻晶半導(dǎo)體介紹，液相法SiC長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定長(zhǎng)晶工藝，是其產(chǎn)品差異化的核心競(jìng)爭(zhēng)力之一。該工藝通過精確控制生長(zhǎng)參數(shù)，實(shí)現(xiàn)了碳化硅晶體的可控生長(zhǎng)。這種可控性不僅體現(xiàn)在晶體生長(zhǎng)的速度和質(zhì)量上，還體現(xiàn)在晶體的尺寸和形狀上。通過這一工藝，常州臻晶半導(dǎo)體能夠生產(chǎn)出高品質(zhì)、大尺寸、形狀規(guī)則的碳化硅晶體，滿足了市場(chǎng)對(duì)于高性能碳化硅材料的需求。

展望未來，臻晶半導(dǎo)體指出，從技術(shù)角度來看，液相法生長(zhǎng)碳化硅具有諸多優(yōu)勢(shì)，如較低的生長(zhǎng)溫度、容易實(shí)現(xiàn)擴(kuò)徑、長(zhǎng)晶厚度不受限制、晶體缺陷密度低等。這些優(yōu)勢(shì)使得液相法碳化硅電阻爐在滿足高質(zhì)量要求、降低能耗和成本等方面具有巨大的潛力。

從市場(chǎng)角度來看，隨著新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、AR應(yīng)用和光儲(chǔ)充等新興產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，對(duì)高性能碳化硅材料的需求不斷增加。液相法碳化硅電阻爐能夠生長(zhǎng)出高質(zhì)量的碳化硅單晶，滿足這些新興產(chǎn)業(yè)對(duì)材料的嚴(yán)格要求，因此在市場(chǎng)中具有廣闊的應(yīng)用空間。（集邦化合物半導(dǎo)體 奉穎嫻 整理）

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北京晶飛半導(dǎo)體SiC激光剝離設(shè)備出貨

1月20日，北京晶飛半導(dǎo)體宣布，公司SiC激光剝離設(shè)備成功發(fā)運(yùn)行業(yè)頭部企業(yè)客戶。

資料顯示，北京晶飛半導(dǎo)體成立于2023年，是一家專注于半導(dǎo)體激光加工設(shè)備研發(fā)的企業(yè)。公司主要聚焦于半導(dǎo)體領(lǐng)域激光相關(guān)設(shè)備的設(shè)計(jì)、開發(fā)與制造，以及激光工藝技術(shù)的研發(fā)。其主打產(chǎn)品為碳化硅晶圓激光垂直剝離設(shè)備，該設(shè)備通過超快激光技術(shù)，能夠顯著降低碳化硅襯底的加工損耗，提高材料利用率。

據(jù)介紹，北京晶飛半導(dǎo)體的激光垂直剝離技術(shù)相比傳統(tǒng)切割方式，能夠?qū)⑻蓟枰r底的加工損耗大幅降低至100微米以下，顯著提升襯底產(chǎn)量。此外，該技術(shù)還可應(yīng)用于器件晶圓的減薄過程，實(shí)現(xiàn)材料的二次利用。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

晶馳機(jī)電SiC晶片全自動(dòng)腐蝕爐交付海外客戶

近日，晶馳機(jī)電宣布，公司SiC晶片全自動(dòng)腐蝕爐成功交付海外標(biāo)桿客戶。

晶馳機(jī)電介紹，該設(shè)備采用雙工位設(shè)計(jì)，集SiC晶片熱強(qiáng)堿腐蝕、快速清洗，再次超聲清洗和晶片烘干為一體。全封閉式工作臺(tái)和強(qiáng)排風(fēng)系統(tǒng)充分避免了操作人員與腐蝕性強(qiáng)堿溶劑的接觸，也有效防止了腐蝕性堿蒸汽對(duì)操作人員的身體傷害。整個(gè)工藝流程全部自動(dòng)化控制，操作人員只需完成取放片操作，腐蝕效率高，適合產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。

資料顯示，晶馳機(jī)電科技專注于第三代、第四代半導(dǎo)體材料裝備研發(fā)、生產(chǎn)、銷售及應(yīng)用推廣。公司產(chǎn)品主要覆蓋第三代、第四代半導(dǎo)體材料裝備碳化硅晶體生長(zhǎng)設(shè)備（PVT法）、金剛石生長(zhǎng)設(shè)備（MPCVD法）、氧化鎵單晶生長(zhǎng)爐、碳化硅源粉合成爐等。

在產(chǎn)業(yè)布局方面，晶馳機(jī)電在河北正定、浙江嘉興兩地分別投建的半導(dǎo)體材料裝備研發(fā)生產(chǎn)項(xiàng)目都已實(shí)現(xiàn)投產(chǎn)。此外，晶馳機(jī)電還開發(fā)了8英寸碳化硅電阻式長(zhǎng)晶爐，并已通過客戶驗(yàn)證，開啟小批量交付。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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source：晶馳機(jī)電

據(jù)介紹，該設(shè)備采用獨(dú)特的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，結(jié)合過程控制理論和自動(dòng)化控制方法，實(shí)現(xiàn)了長(zhǎng)晶過程中工藝參數(shù)的精準(zhǔn)控制和設(shè)備運(yùn)行的高度智能化。通過創(chuàng)新的熱場(chǎng)設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)均勻的徑向溫度和寬范圍精準(zhǔn)可調(diào)的軸向溫度梯度。熱場(chǎng)穩(wěn)定性高，使用壽命長(zhǎng)，大幅提升了晶體的質(zhì)量和良品率。

據(jù)悉，目前主流碳化硅長(zhǎng)晶爐主要包括物理氣相輸運(yùn)（PVT）法和電阻加熱法兩種技術(shù)。

其中，PVT法是目前碳化硅單晶生長(zhǎng)的主流技術(shù)，已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了商業(yè)化應(yīng)用。其工作原理是將碳化硅粉末在高溫下升華為氣態(tài)組分，這些氣態(tài)組分在溫度梯度的作用下輸運(yùn)至籽晶處重新結(jié)晶，形成單晶結(jié)構(gòu)。PVT法的優(yōu)勢(shì)在于能夠制備高純度、大尺寸的晶體。

而電阻加熱法是一種新興的碳化硅長(zhǎng)晶技術(shù)，其加熱方式主要通過電阻或感應(yīng)加熱。這種方法的優(yōu)勢(shì)在于能夠更好地控制溫度梯度，減少晶體缺陷，適合生長(zhǎng)厚尺寸、高質(zhì)量的晶體。電阻加熱長(zhǎng)晶爐通常具有結(jié)構(gòu)緊湊、可兼容多種加熱方式、控溫精度高等特點(diǎn)，能夠滿足6-8英寸碳化硅單晶的生長(zhǎng)需求。

碳化硅長(zhǎng)晶爐是襯底生長(zhǎng)的核心工藝設(shè)備，對(duì)行業(yè)的發(fā)展起到?jīng)Q定性作用，已吸引眾多國(guó)內(nèi)碳化硅設(shè)備廠商涉足。

其中，連科半導(dǎo)體在5月發(fā)布的8英寸碳化硅長(zhǎng)晶爐，具有結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊、長(zhǎng)晶工藝靈活、節(jié)約環(huán)保等特點(diǎn)；6月，優(yōu)晶科技8英寸電阻法碳化硅單晶生長(zhǎng)設(shè)備獲行業(yè)專家認(rèn)可，成功通過技術(shù)鑒定評(píng)審；晶升股份第一批8英寸碳化硅長(zhǎng)晶設(shè)備已于2024年7月在重慶完成交付；而在近日，松瓷機(jī)電碳化硅單晶爐成功制備出8英寸碳化硅單晶晶體。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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據(jù)悉，該項(xiàng)目由晶馳機(jī)電（嘉興）有限公司作為實(shí)施主體。公司成立于2023年，主要從事碳化硅、金剛石、氮化鋁等第三代、第四代半導(dǎo)體設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。公司分別與浙江大學(xué)杭州國(guó)際創(chuàng)新中心、杭州電子科技大學(xué)共建聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室。

source：平湖新埭

目前公司產(chǎn)品包括6英寸水平進(jìn)氣和8英寸垂直進(jìn)氣碳化硅外延設(shè)備（LPCVD法），金剛石晶體生長(zhǎng)設(shè)備（MPCVD法），氮化鋁晶體生長(zhǎng)設(shè)備，碳化硅源粉合成爐，碳化硅晶體生長(zhǎng)設(shè)備（PVT法），氧化鎵單晶生長(zhǎng)爐（導(dǎo)模法、CZ法），各種晶體和晶片熱處理爐。達(dá)產(chǎn)后預(yù)計(jì)實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)值1.4億元。

值的一提的是，晶馳機(jī)電在河北石家莊也有一個(gè)半導(dǎo)體材料裝備研發(fā)生產(chǎn)項(xiàng)目，并于今年11月2日投產(chǎn)。

資料顯示，晶馳機(jī)電河北石家莊項(xiàng)目總投資2億元，占地約50.26畝，總建筑面積約20000平方米，項(xiàng)目分兩期建設(shè)，一期建設(shè)計(jì)劃時(shí)間為2025年—2026年。項(xiàng)目以金剛石設(shè)備與碳化硅外延設(shè)備為產(chǎn)品核心，專注于第三代和第四代半導(dǎo)體材料裝備的研發(fā)、生產(chǎn)。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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source：網(wǎng)信正定

據(jù)悉，晶馳機(jī)電在今年7月11日與河北正定縣舉行半導(dǎo)體材料裝備研發(fā)生產(chǎn)項(xiàng)目簽約儀式。簽約儀式上，正定縣人民政府、正定國(guó)控集團(tuán)分別與晶馳機(jī)電簽署招商入駐協(xié)議和投資合作協(xié)議。

據(jù)介紹，晶馳機(jī)電半導(dǎo)體材料裝備研發(fā)生產(chǎn)項(xiàng)目總投資2億元，占地約50.26畝，總建筑面積約20000平方米，項(xiàng)目分兩期建設(shè)，一期建設(shè)計(jì)劃時(shí)間為2025年—2026年。項(xiàng)目以金剛石設(shè)備與碳化硅外延設(shè)備為產(chǎn)品核心，專注于第三代和第四代半導(dǎo)體材料裝備的研發(fā)、生產(chǎn)。

官微資料顯示，晶馳機(jī)電成立于2021年7月，其總部與研發(fā)中心位于杭州市浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心，專注于碳化硅、金剛石、氮化鋁等第三、四代半導(dǎo)體材料裝備的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和應(yīng)用推廣。

今年10月，晶馳機(jī)電完成數(shù)千萬元天使輪融資，由河北正茂產(chǎn)業(yè)投資有限公司（正定縣政府產(chǎn)業(yè)投資基金）領(lǐng)投。

晶馳機(jī)電表示，本次融資將有助于推動(dòng)其在第三代、第四代半導(dǎo)體材料裝備的研發(fā)和市場(chǎng)推廣，提升其在國(guó)內(nèi)第三代、第四代半導(dǎo)體裝備行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力，加速推動(dòng)半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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source：正定發(fā)布

據(jù)介紹，晶馳機(jī)電半導(dǎo)體材料裝備研發(fā)生產(chǎn)項(xiàng)目總投資2億元，占地約50.26畝，總建筑面積約20000平方米，項(xiàng)目分兩期建設(shè)，一期建設(shè)計(jì)劃時(shí)間為2025年—2026年。項(xiàng)目以金剛石設(shè)備與碳化硅外延設(shè)備為產(chǎn)品核心，專注于第三代和第四代半導(dǎo)體材料裝備的研發(fā)、生產(chǎn)。

該項(xiàng)目于今年7月落地河北正定縣，目前已經(jīng)完成了廠房的基本改造，展廳的搭建、辦公室的搭建以及凈化生產(chǎn)車間的搭建。項(xiàng)目負(fù)責(zé)人表示，下一步將加快項(xiàng)目建設(shè)進(jìn)度，爭(zhēng)取在十月下旬正式投產(chǎn)。

資料顯示，晶馳機(jī)電成立于2021年7月，其總部與研發(fā)中心位于杭州市浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心，致力于碳化硅、金剛石、氮化鋁、氧化鎵等第三、四代半導(dǎo)體材料裝備的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和應(yīng)用推廣。

目前公司產(chǎn)品包括6英寸、8英寸水平進(jìn)氣和6英寸及8英寸兼容型垂直進(jìn)氣碳化硅外延設(shè)備（LPCVD 法），金剛石生長(zhǎng)設(shè)備（MPCVD 法），金剛石外延設(shè)備、氮化鋁長(zhǎng)晶設(shè)備，碳化硅源粉合成爐，氧化鎵單晶生長(zhǎng)爐（導(dǎo)模法、CZ法），各種晶體和晶片熱處理爐。

據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體此前報(bào)道，晶馳機(jī)電還在本月完成了數(shù)千萬首輪融資，該筆資金由河北正茂產(chǎn)業(yè)投資有限公司（正定縣政府產(chǎn)業(yè)投資基金）領(lǐng)投。

晶馳機(jī)電表示，該筆融資的完成將有助于推動(dòng)其在第三代、第四代半導(dǎo)體材料裝備的研發(fā)和市場(chǎng)推廣，提升其在國(guó)內(nèi)第三代、第四代半導(dǎo)體裝備行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力，加速推動(dòng)半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）

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圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

碳化硅設(shè)備廠晶馳機(jī)電完成數(shù)千萬首輪融資

10月7日，據(jù)杭州晶馳機(jī)電科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱：晶馳機(jī)電）官微披露，晶馳機(jī)電近日完成數(shù)千萬首輪融資，由河北正茂產(chǎn)業(yè)投資有限公司（正定縣政府產(chǎn)業(yè)投資基金）領(lǐng)投。

晶馳機(jī)電表示，本次融資將有助于推動(dòng)其在第三代、第四代半導(dǎo)體材料裝備的研發(fā)和市場(chǎng)推廣，提升其在國(guó)內(nèi)第三代、第四代半導(dǎo)體裝備行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力，加速推動(dòng)半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程。

官微資料顯示，晶馳機(jī)電成立于2021年7月，其總部與研發(fā)中心位于杭州市浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心，專注于碳化硅、金剛石、氮化鋁等第三、四代半導(dǎo)體材料裝備的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和應(yīng)用推廣。

目前，晶馳機(jī)電主要產(chǎn)品有六英寸和八英寸碳化硅外延設(shè)備（LPCVD法）、金剛石單晶生長(zhǎng)及外延設(shè)備（MPCVD法）、氮化鋁晶體生長(zhǎng)設(shè)備（PVT法）、碳化硅粉料合成設(shè)備、碳化硅晶錠及晶片退火設(shè)備和碳化硅晶片氧化設(shè)備。其在第三代、第四代半導(dǎo)體材料裝備方面產(chǎn)品線豐富，具備提供整套材料制造解決方案的能力。

晶馳機(jī)電已分別與浙江大學(xué)、杭州電子科技大學(xué)共建聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，擁有一支由中國(guó)科學(xué)院院士及多名教授專家領(lǐng)銜的技術(shù)研發(fā)團(tuán)隊(duì)，擁有15項(xiàng)已授權(quán)及在申請(qǐng)專利，預(yù)計(jì)每年新增10余項(xiàng)技術(shù)專利。

產(chǎn)線建設(shè)方面，晶馳機(jī)電在今年7月11日與河北正定縣舉行半導(dǎo)體材料裝備研發(fā)生產(chǎn)項(xiàng)目簽約儀式。簽約儀式上，正定縣人民政府、正定國(guó)控集團(tuán)分別與晶馳機(jī)電簽署招商入駐協(xié)議和投資合作協(xié)議。

市場(chǎng)拓展方面，晶馳機(jī)電在5月末中標(biāo)了清華柔性電子技術(shù)研究院?jiǎn)尉PCVD設(shè)備采購(gòu)項(xiàng)目。

碳化硅材料廠云嶺半導(dǎo)體完成天使輪融資

企查查資料顯示，9月26日，無錫云嶺半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱：云嶺半導(dǎo)體）完成天使輪融資，投資方為無錫創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)天使投資引導(dǎo)基金（有限合伙）。

公開資料顯示，云嶺半導(dǎo)體成立于2023年5月，是一家主要做碳化硅晶圓片原材料的公司，經(jīng)營(yíng)范圍含新材料技術(shù)研發(fā)、電子元器件零售、電子專用設(shè)備制造、電子專用設(shè)備銷售、半導(dǎo)體器件專用設(shè)備制造等。

據(jù)悉，今年2月，云嶺半導(dǎo)體拿到了無錫的環(huán)評(píng)審批文件，將在無錫投資2億元，建設(shè)擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的碳化硅晶圓片用CMP研磨液為α態(tài)納米氧化鋁顆粒的生產(chǎn)線。

該項(xiàng)目是云嶺半導(dǎo)體的二廠，其一廠可生產(chǎn)研磨液600噸，碳化硅襯底材料6000片，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體精密加工所需材料以及CMP拋光液的空白。

氮化鎵芯片廠氮矽科技獲得千萬級(jí)戰(zhàn)略投資

近日，氮矽科技完成千萬級(jí)人民幣戰(zhàn)略融資，本次投資方為諾輝投資和上海矽米企業(yè)管理合伙企業(yè)（有限合伙），融資資金將主要用于產(chǎn)品研發(fā)以及產(chǎn)品銷售等方面。

自2019年4月成立以來，氮矽科技專注于氮化鎵產(chǎn)品的研發(fā)與銷售，致力于推動(dòng)氮化鎵技術(shù)在多個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域的創(chuàng)新與應(yīng)用。

近年來，隨著全球?qū)Ω咝?、?jié)能、環(huán)保技術(shù)的需求日益增長(zhǎng)，氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，以其超低導(dǎo)通電阻、超高頻、無反向?qū)〒p耗等優(yōu)異性能，在快充、5G基站電源、數(shù)據(jù)中心、新能源汽車、光伏儲(chǔ)能等多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出較大的應(yīng)用潛力。

氮矽科技先后推出了“E-mode GaN HEMT、GaN Driver、GaN PIIP?（Power Integrated in Package）和PWM GaN”四大產(chǎn)品線，產(chǎn)品覆蓋多種封裝形式，電壓范圍涵蓋40V-650V，能夠滿足不同領(lǐng)域客戶的多樣化需求。

目前，氮矽科技致力于研發(fā)分離式氮化鎵柵極驅(qū)動(dòng)芯片及增強(qiáng)型氮化鎵晶體管，其驅(qū)動(dòng)及晶體管產(chǎn)品已完成流片、封裝及應(yīng)用搭建，正在進(jìn)行客戶導(dǎo)入。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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