據悉，此次落地項目由江蘇卓航致遠科技有限公司主導建設，該公司由江蘇卓遠半導體有限公司全資子公司上海卓遠方德半導體有限公司與江蘇航投未來科技產業(yè)有限公司股權合作組建。核心股東江蘇卓遠半導體有限公司為國家級高新技術企業(yè)、國家級專精特新“小巨人”企業(yè)，在半導體材料及設備領域擁有技術積淀，布局覆蓋產業(yè)鏈多個環(huán)節(jié)。
江蘇卓遠半導體有限公司長期布局第三代半導體領域，形成了從單晶制造裝備到晶圓片的產業(yè)鏈布局，重點開展碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等第三代半導體材料的應用研發(fā)與產業(yè)化工作。公司組建有AI人工智能、無機非金屬材料、微電子學等多學科研發(fā)團隊，自主研發(fā)的12英寸電子級單晶硅生長設備實現國產替代，市場占有率達20%，國產設備出貨量位居行業(yè)前列，可為第三代半導體材料規(guī)?；a提供設備支撐。
此次落地的集成電路級12英寸硅基晶圓襯底材料研發(fā)中心及產業(yè)化項目，是江蘇卓遠半導體有限公司核心產業(yè)板塊的重要組成部分。
項目聚焦半導體產業(yè)鏈核心材料環(huán)節(jié)，瞄準AI算力、航空航天、新能源、汽車電子等領域對芯片的需求，將重點推進12英寸半導體大硅片項目建設，有助于填補國內高端大硅片和MPCVD金剛石產能缺口，提升關鍵半導體材料的國產化率和產業(yè)化率。項目達產后，將完善區(qū)域半導體產業(yè)鏈條，為南京江寧區(qū)經濟發(fā)展提供助力。
麒麟科創(chuàng)園是中國科學院創(chuàng)新資源集聚程度較高的科創(chuàng)平臺，聚焦關鍵核心技術領域，推進創(chuàng)新成果轉化與高端產業(yè)集聚。為保障項目推進，園區(qū)已統(tǒng)籌人事、經發(fā)、規(guī)土、建設、招商等多部門力量，實行專人負責、定期調度機制，目前項目地塊文物勘探等前期工作已同步啟動，電力、燃氣等核心要素保障正有序對接。
（集邦化合物半導體整理）
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圖片來源：CHIPX Global社交平臺
這座工廠將成為東盟區(qū)域內首條8英寸GaN/SiC前端晶圓產線。行業(yè)分析認為，其技術方向并非傳統(tǒng)SiC功率器件或GaN射頻器件，而是聚焦光子集成電路、高帶寬光互連及先進材料工程領域，核心適配下一代人工智能數據中心、高性能計算系統(tǒng)的需求，例如為AI數據中心提供SiC光子集成電路、SiC中介層，以及面向GPU處理器的GaN晶圓等產品。
CHIPX Global 成立于2022年（注冊地英國，企業(yè)歸屬愛爾蘭），核心團隊具備半導體行業(yè)資深經驗——創(chuàng)始人欽莫伊?巴魯阿（ChinmoyBaruah）擁有材料科學領域學術背景及初創(chuàng)企業(yè)運營經驗，聯合創(chuàng)始人兼CTO姚耀成（音譯）曾任職于比亞迪、Vishay等企業(yè)，深耕模擬芯片設計與GaN技術研發(fā)，為項目技術落地提供了基礎。
1、英飛凌馬來西亞8英寸SiC廠量產
馬來西亞本身已具備半導體產業(yè)基礎，尤其在第三代半導體（SiC/GaN）領域，已吸引一些國際巨頭落地核心產能。
作為全球功率半導體龍頭，英飛凌在馬來西亞的布局堪稱標桿，其位于吉打州居林（Kulim）的制造基地已發(fā)展為全球規(guī)模領先的SiC晶圓生產中心。
早在2006年，英飛凌便在居林開設了亞洲首座前道晶圓廠，2022年正式啟動第三廠區(qū)建設，專門聚焦8英寸SiC功率半導體制造，項目總投資達70億歐元（一期20億歐元、二期50億歐元），是馬來西亞迄今最大的半導體單筆投資之一。
2024年8月，該工廠一期項目正式投產運營，馬來西亞總理安瓦爾?易卜拉欣親自出席啟動儀；一期產線初期以6英寸晶圓生產為過渡，2024年底已具備8英寸SiC晶圓量產條件，2025年第一季度已開始向汽車、可再生能源領域客戶交付8英寸SiC器件產品，預計2027年將全面轉向8英寸晶圓規(guī)?；a。
值得關注的是，該工廠采用與奧地利菲拉赫工廠聯動的“虛擬協(xié)同工廠”模式，共享核心技術與工藝標準，目前已吸引六家全球主流整車廠及新能源企業(yè)簽訂設計訂單，累計訂單額超50億歐元，還收到約10億歐元客戶預付款，產能消化確定性強。
2、意法半導體、奧特斯完善封裝與材料配套
除英飛凌外，國際巨頭意法半導體也在馬來西亞加碼特色工藝與封裝測試環(huán)節(jié)。
意法半導體在馬來西亞柔佛州麻坡（Muar）打造了先進的功率半導體封裝測試基地，重點聚焦汽車級SiC器件的后道工藝。
該基地配備了針對SiC功率模塊的高可靠性封裝生產線，產品廣泛應用于新能源汽車主逆變器、工業(yè)變頻器等場景，與英飛凌的晶圓制造產能形成工藝互補，共同完善了馬來西亞SiC產業(yè)鏈的“制造-封裝”閉環(huán)。
此外，奧地利科技企業(yè)奧特斯（AT&S）于2024年在吉打州居林高科技園區(qū)啟用高端半導體封裝載板工廠，總投資超10億歐元，專為AMD等企業(yè)的第三代半導體相關芯片提供封裝載板支持，2024年底已正式量產。封裝載板作為SiC/GaN芯片封裝的核心材料，其本地化供應進一步降低了馬來西亞第三代半導體產業(yè)的供應鏈成本。
3、中企加碼SiC襯底與封測環(huán)節(jié)
中國企業(yè)方面，國內半導體設備龍頭#晶盛機電 的全球化布局成為馬來西亞第三代半導體產業(yè)的重要補充。
2025年7月，晶盛機電子公司浙江晶瑞SuperSiC在檳城州舉行8英寸SiC襯底制造工廠奠基儀式，項目總占地面積4萬平方米，一期建成后將實現24萬片/年的8英寸SiC襯底產能，產品主要供應電動汽車充電器、電信基站電源等領域。
圖片來源：晶盛機電
該工廠整合了晶體生長、切割、拋光等全流程工藝，是東南亞地區(qū)規(guī)模領先的SiC襯底生產基地，不僅填補了當地第三代半導體核心材料制造的空白，還能依托檳城已有的300多家半導體企業(yè)集群，快速接入全球供應鏈。
此外，通富微電、華天科技等中企通過收購馬來西亞當地封測企業(yè)，已將業(yè)務延伸至SiC器件的封裝測試領域，成為馬來西亞第三代半導體后道環(huán)節(jié)的重要力量。
（集邦化合物半導體 金水 整理）
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圖片來源：陜西新聞聯播
具體而言，該工廠主體工程和設備安裝基本完成。8月中旬的設備通電聯調是投產前的關鍵環(huán)節(jié)，將對所有生產設備進行功能性測試和校準。9月的流片試生產，意味著芯片設計版圖將首次在晶圓上實際制造，這是驗證生產線工藝成熟度和產品良率的重要一步。
公開資料顯示，陜西電子芯業(yè)時代科技有限公司（全文簡稱“芯業(yè)時代”）成立于2022年2月22日，注冊資本20億元。它是陜西電子信息集團作為投資主體組建的混合所有制企業(yè)，肩負著填補陜西8英寸芯片制造領域空白、提升區(qū)域集成電路產業(yè)競爭力的重要使命。
據悉，該項目主要建成一條8英寸高性能高可靠功率器件、功率集成電路生產線，同時廠房基建預先滿足未來12英寸生產線可擴展性的要求，項目80%的設備可滿足第三代半導體芯片生產要求。項目總投資45億元，設計月產能5萬片，未來可拓展至10萬片。
圖片來源：陜西新聞聯播
在8英寸晶圓制造領域，雖然通用邏輯工藝產能日趨飽和，但特色工藝（如模擬芯片、功率器件、MEMS傳感器、射頻芯片等）需求依然旺盛，且利潤空間相對較高。這些芯片廣泛應用于新能源汽車、工業(yè)控制、物聯網、5G通信等高增長領域。
據陜西電子信息集團副總經理、陜西電子芯業(yè)時代科技有限公司董事長楊柯介紹，該項目的目標產品具有廣泛應用，主要包括工業(yè)級、消費級和車規(guī)級等中高端功率器件。并且目前，公司已和清華大學等國內高校在光電融合、第三代半導體等領域進行了深入布局，將為我國在功率器件領域的發(fā)展提供助力。
（集邦化合物半導體整理）
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]]>該公司聯席CEO陳橋梁先生表示，龍騰半導體作為陜西省半導體及集成電路重點產業(yè)鏈“鏈主”企業(yè)，通過不斷的技術革新、產品升級與IDM戰(zhàn)略布局，成功構建了“應用+設計+工藝+材料+設備”五位一體的融合創(chuàng)新商業(yè)模式。在8英寸功率半導體器件制造項目方面，一期已順利投產，二期晶圓產線也在如火如荼地進行中，預計全部達產后將具有年產8英寸晶圓60萬片的生產能力。
龍騰半導體在當前雙碳目標的引領下，正在積極深化在人工智能、電動化、數字化及低空經濟等領域的應用布局與技術創(chuàng)新。公司致力于通過不斷推進技術創(chuàng)新與業(yè)務模式的轉型升級，為半導體的高質量發(fā)展注入強勁動力。（集邦化合物半導體整理）
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]]>印度國防部表示，SiC/GaN技術是國防、航空航天和清潔能源領域下一代應用的關鍵推動因素。這類先進技術可提高器件效率、減小尺寸和重量，并增強性能，使其在未來作戰(zhàn)系統(tǒng)、雷達、電子戰(zhàn)系統(tǒng)和綠色能源解決方案發(fā)揮重要作用。
隨著未來作戰(zhàn)系統(tǒng)對更輕、更緊湊電源的需求不斷增長，碳化硅/氮化鎵技術為軍事和商業(yè)領域的通信、情報、偵察和無人系統(tǒng)(包括電動汽車和可再生能源)提供了重要基礎。報道還指出，位于海得拉巴邦的SiC/GaN技術中心，可通過本土技術初步生產碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）MMIC，可滿足新一代太空、航空航天和 5G/衛(wèi)星通信的廣泛應用。
印度多個SiC/GaN項目加速推進
據集邦化合物半導體了解到，今年印度多個SiC/GaN項目有新進展，具體如下：
今年6月中旬，總部位于印度欽奈的SiCSem宣布，計劃在印度奧里薩邦建立一座涵蓋碳化硅（SiC）制造、組裝、測試和封裝（ATMP）工廠。
與此同時，SiCSem與印度理工學院布巴內斯瓦爾分校（IIT-BBS）就化合物半導體領域研究事宜簽署了合作協(xié)議。根據協(xié)議，雙方之間首個項目是在IIT-BBS實現SiC晶體生長的本土化。這一項目專注于6英寸和8英寸SiC晶圓的大批量生產，預估耗資4.5億盧比。
8月5日，印度首家半導體芯片制造商Polymatech正式收購了美國公司Nisene。據悉，Nisene在Si和SiC材料方面的擁有專業(yè)知識，結合Polymatech的藍寶石基半導體技術，將幫助后者成為一家多晶圓公司。
8月中旬，L & T Semiconductor Technologies（LTSCT）計劃投資100億~120億美元，在未來5到10年內在印度建立三個半導體制造工廠，分別專注于硅、SiC和GaN技術。
9月4日，美國Silicon Power Group在印子公司RIR Power Electronics Limited宣布，公司投資62億盧比在印度奧里薩邦建設的SiC制造工廠已奠基動工。該工廠將用于生產6英寸SiC晶圓，預計2025年全面投產。
9月20日，印度Zoho集團宣布，計劃在印度奧里薩邦Khurda區(qū)投資303.4億盧比建設一座SiC制造工廠。該工廠的設計將覆蓋整個SiC生產鏈，從晶錠制造到晶圓、MOSFET、模塊，再到后續(xù)的改裝和封裝。工廠年產能預計包括7.2萬片SiC外延晶圓、7.2萬個MOSFET和模塊，產品將應用于電動汽車、汽車及可再生能源領域。
9月22日，印度總理莫迪宣布，美印兩國將共同在印度建立一家芯片制造廠。該工廠將專注于為國家安全、下一代電信和綠色能源應用提供先進的感應、通信和電力電子技術，生產紅外、GaN和SiC芯片。據悉，印度半導體任務以及巴拉特半導體公司、3rdiTech公司和美國太空部隊的戰(zhàn)略技術合作將為其提供支持。
11月，印度GaN初創(chuàng)公司Agnit已經完成350萬美元的種子輪融資。
該筆資金將用于提升4英寸GaN-on-SiC外延片的生產質量，滿足射頻器件的需求，同時提高6英寸GaN-on-Silicon晶圓的生產能力，以應對功率器件市場需求。資金還將用于增強器件的可靠性，符合市場的多種標準。此外，這筆投資還將支持原型開發(fā)，尤其是面向印度本土市場的功率器件和電信領域的射頻器件。
結語
近年來，隨著以SiC、GaN為代表的第三代半導體發(fā)展迅猛，促使一些國家開始重視該產業(yè)的發(fā)展。印度今年多個三代半項目落地，可以從側面反映其在推動本土技術和產業(yè)發(fā)展方面的決心。（集邦化合物半導體Morty整理）
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]]>得益于AlN單晶復合襯底的材料優(yōu)勢 (位錯密度居于2×108 cm-2數量級)，AlGaN緩沖層厚度降至350 nm，外延成本大幅下降，且有效控制晶圓翹曲。
研究發(fā)現，AlN單晶復合襯底表面存在的Si、O雜質會造成寄生漏電通道，使得HEMTs器件無法正常關斷。團隊據此創(chuàng)新提出二次生長AlN埋層方法覆蓋雜質層，使其在超寬禁帶材料中無法離化，從而顯著抑制漏電。
實驗結果顯示，團隊所提出的350 nm無摻雜超薄AlGaN緩沖層的橫向擊穿電壓輕松突破10 kV，HEMTs器件關態(tài)耐壓超8 kV，動態(tài)電流崩塌＜20%，閾值電壓漂移＜10%，初步通過可靠性評估。
圖：基于6英寸AlN單晶復合襯底制造的GaN晶圓，轉移特性曲線，動態(tài)輸出特性曲線和動態(tài)轉移特性曲線（來源：致能科技）
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8英寸SiC晶錠激光全自動剝離設備（source：通用半導體）
資料顯示，通用半導體成立于2019年，致力于高端半導體產業(yè)裝備與材料的研發(fā)和制造。
在融資方面，通用半導體在2021年8月和2023年8月分別完成天使輪和A輪融資，投資方包括天演基金、拉薩楚源、渾璞投資、東北證券、鼎心資本等機構。
在產品方面，通用半導體于2020年研發(fā)出國內首臺半導體激光隱形切割機；2022年成功推出國內首臺18納米及以下SDBG激光隱切設備（針對3D Memory)；2023年成功研發(fā)國內首臺8英寸全自動SiC晶錠激光剝離產線；2024年研制成功SDTT激光隱切設備（針對3D HBM）。
值的一提的是，2023年12月，通用半導體自主研發(fā)的8英寸碳化硅（SiC）晶錠剝離產線已完成交付。
通用半導體表示，隨著公司激光隱切設備產品覆蓋度持續(xù)提升，市場應用規(guī)模的不斷擴大，且公司持續(xù)保持高強度的研發(fā)投入，迭代升級各產品系列。（來源：通用半導體、集邦化合物半導體整理）
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]]>利用3C-SiC制備場效應晶體管，可解決柵氧界面缺陷多導致的器件可靠性差等問題。但3C-SiC基晶體管進展緩慢，主要是缺乏單晶襯底。前期大量研究表明，3C-SiC在生長過程中很容易發(fā)生相變，已有的生長方法不能獲得單一晶型的晶體。
根據經典晶體生長理論，對于光滑界面晶體，同質二維形核需要克服臨界勢壘，存在臨界Gibbs自由能或過飽和度，而生長則可以在任意小的過飽和度下進行。對于異質形核，由于引入了新的固-固界面能，二維形核需克服更高的臨界勢壘。因此在相同過飽和度下，同質形核和生長在能量上明顯優(yōu)于異質形核和生長，使得后者很難發(fā)生。
近期，中國科學院物理研究所/北京凝聚態(tài)物理國家研究中心的陳小龍團隊提出了調控固-液界面能，在異質籽晶上較同質籽晶優(yōu)先形核和生長的學術思想。
主要包括：1)3C(111)面和4H(0001)面的晶格失配度小，固-固界面能很低；2)4H和3C體相Gibbs自由能的差別較??；3)如果通過調控熔體成份，使得3C(111)-熔體的界面能較4H(0001)-熔體的界面能足夠低，二維形核以及后續(xù)生長的Gibbs自由能則對于3C相更有利。該團隊自主設計、搭建了超高溫熔體表面張力和固-液接觸角測試設備，在高溫下測量了不同成份熔體的表面張力，熔體與4H-SiC、3C-SiC的接觸角，獲得了4H-SiC、3C-SiC與高溫熔體的固-液界面能的變化規(guī)律，驗證了界面能調控的可行性。該團隊利用高溫液相法，實現了相同過飽和度條件下3C-SiC的Gibbs自由能更低的要求，抑制了生長過程中的相變，在國際上首次生長出了直徑2-4英寸、厚度4-10mm、單一晶型的3C-SiC單晶，如圖1和圖2所示。
圖1. 采用高溫液相法，在六方碳化硅(4H-SiC)籽晶上實現了2-4英寸、厚度4-10 mm、立方碳化硅(3C-SiC)的異質形核和晶體穩(wěn)定生長
沿晶體厚度方向的Raman散射光譜測量結果表明，生長一開始，3C-SiC即在4H-SiC籽晶上形核、生長，兩者共存區(qū)小于20 μm，見圖2(a-b)，進一步證實了上述理論。(111)生長面的X射線搖擺曲線半高寬的平均值為30 arcsec，表明生長的3C-SiC具有高的結晶質量。3C-SiC單晶的室溫電阻率只有0.58 mΩ·cm，為商業(yè)化4H-SiC晶片電阻率(15-28 mΩ·cm)的~1/40，有望降低器件的能量損耗。
圖2. 3C-SiC晶型的確定。a) 在(111)生長面上隨機選取20個點的Raman散射光譜圖，插圖為測試點在晶體上的位置分布圖。b) 沿晶體厚度方向的Raman散射光譜圖。c) 300 K測量的光致發(fā)光(PL)圖譜。d) 高角環(huán)形暗場掃描透射電鏡(HAADF-STEM)圖。插圖為沿[110]晶帶軸的選區(qū)電子衍射(SAED)圖晶圓級3C-SiC單晶的生長填補了國內外空白，使3C-SiC晶體的量產成為可能，也為開發(fā)性能優(yōu)異的電力電子器件提供了新的契機。同時，異質籽晶上較同質籽晶優(yōu)先形核和生長的機制拓展了傳統(tǒng)的晶體生長理論。
來源：中國工陶
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]]>該公司計劃提供金剛石基板作為改善熱性能的途徑，這反過來又可以改善人工智能計算和無線通信以及更小的電力電子設備。
該公司使用一種稱為異質外延的工藝來沉積碳原子，并在可擴展的基底上制造單晶金剛石。以前已經生產過金剛石晶片，但它是基于壓縮金剛石粉末，缺乏單晶金剛石的特性。
Diamond Foundry 表示，其下一個目標是降低金剛石晶圓的缺陷密度，以實現比Si高 17,200倍、比SiC高60倍的品質因數。
目前，Diamond Foundry在華盛頓州經營一家鉆石和晶圓生產工廠。
據悉，該公司成立于2012年，業(yè)務涉及珠寶和奢侈品市場以及半導體行業(yè)。該公司在其 Linkedin 網站上表示，已獲得 5.15 億美元的融資，并正在執(zhí)行一項數十億美元的擴張計劃，利用零排放能源將溫室氣體轉化為金剛石Si片。
據他們所說，公司可以通過將金剛石以原子方式粘合到以埃級精度減薄的集成電路 (IC) 晶圓上，實現了最終的熱芯片封裝。
圖片來源：拍信網正版圖庫
從熱導性上看，沒有其他材料能像單晶金剛石那樣有效地導熱，從而使芯片運行得更快、使用壽命更長。這就讓金剛石晶圓在工作芯片晶體管的原子距離內提供了一條熱高速公路。它以理想的效率散熱，減少熱點并使芯片的計算速度提高三倍。
同時，這還是一個極端的電絕緣體，最薄的金剛石切片可以隔離非常高的電壓，從而使電力電子器件的小型化達到新的水平。
得益于這些領先特性，Diamond Foundry認為公司的解決方案適用于所有領先的高功率芯片，經過驗證的硅芯片與金剛石半導體基板的結合極大地加速了云和人工智能計算，這意味著使用數據中心一半的空間即可獲得相同的性能。
這些優(yōu)勢也讓其能簡化逆變器設計，會因為金剛石晶圓的導熱性和電絕緣性的極端特性使得新穎的架構能夠從根本上推進小型化、效率和魯棒性。
這個領先的設計也讓其能在無線通信領域提供幫助。
據介紹，GaN半導體為越來越多的最有效的無線通信提供動力。但金剛石晶圓解決了過熱和電壓問題，使GaN在每一項指標上都優(yōu)于SiC。
而金剛石基 GaN MOSFET 的功率密度是不含金剛石的GaN的三倍。通過降低熱應力以及將 GaN 原子互連到DF（Diamond Foundry）單晶金剛石，提高了可靠性。
類似的公司 Diamfab SA（法國格勒諾布爾）于2019年在歐洲成立。Diamfab 合成并摻雜在其他基板上生長的金剛石外延層，以期用金剛石制造卓越的功率器件。（文：全球半導體觀察）
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“今天，我們公司在擴大制造足跡的過程中邁出了重要的一步。這座新工廠是我們長期300毫米制造路線圖的一部分，旨在打造客戶未來幾十年所需的產能?！盜lan說道。“在TI，我們的熱情是通過讓電子產品變得更便宜來創(chuàng)造一個更美好的世界通過半導體。我們很自豪能夠成為該組織中不斷壯大的成員猶他州社區(qū)，并制造對當今幾乎所有類型的電子系統(tǒng)都至關重要的模擬和嵌入式處理半導體。”
2 月份，TI宣布110億美元投資于猶他州，標志著該州歷史上最大的經濟投資。LFAB2 將為TI創(chuàng)造約800個額外工作崗位以及數千個間接工作崗位，首批生產最早將于2026年投入使用。
“TI的制造業(yè)務不斷增長猶他州將為我們州帶來變革，為猶他州創(chuàng)造數百個高薪就業(yè)機會，以制造至關重要的技術?！豹q他州州長斯賓塞·考克斯?！拔覀?yōu)榘雽w制造而感到自豪猶他州猶他州的項目——將為我們國家的經濟和國家安全奠定基礎的創(chuàng)新提供動力?！?/p>
建設更強大的社區(qū)
作為TI對教育承諾的一部分，公司將投資900萬美元在Alpine 學區(qū)，為幼兒園至12年級的所有學生開發(fā)該州第一個科學、技術、工程和數學(STEM)學習社區(qū)。該多年計劃將把STEM概念更深入地融入到學區(qū)85,000名學生的課程中，并為其教師和管理人員提供以STEM為導向的專業(yè)發(fā)展。該學區(qū)范圍內的計劃將為學生提供必要的STEM 技能，例如批判性思維、協(xié)作和創(chuàng)造性解決問題的能力，以便在畢業(yè)后取得成功。
高山學區(qū)負責人Dr. Alpine表示：“我們很高興這種合作關系將幫助我們的學生培養(yǎng)必要的知識和技能，為他們在生活中取得成功以及在技術領域可能的職業(yè)生涯做好準備。”肖恩·法恩斯沃斯。“與城市合作萊希、德州儀器和我們的學校，這項合作投資將影響學生及其家庭的子孫后代?！?/p>
可持續(xù)建設
TI長期致力于負責任的可持續(xù)制造。LFAB2將成為該公司最環(huán)保的晶圓廠之一，旨在滿足領先能源與環(huán)境設計 (LEED) 建筑評級系統(tǒng)結構效率和可持續(xù)性的最高水平之一：LEED金級第4版。
LFAB2的目標是由 100% 可再生電力提供動力，并采用先進的12吋設備和工藝萊希將進一步減少廢物、水和能源的消耗。事實上，LFAB2 的水回收率預計是TI現有晶圓廠的近兩倍。萊希。
構建半導體制造的下一個時代
LFAB2 將補充TI現有的12吋晶圓廠，其中包括 LFAB1 (猶他州李海）、DMOS6（達拉斯），以及RFAB1和RFAB2（都在德克薩斯州理查森）。TI還在美國建設四家新的12吋晶圓廠德克薩斯州謝爾曼（SM1、SM2、SM3和SM4），第一座晶圓廠最早將于2025年開始生產。
在《芯片》和《科學法案》的預期支持下，TI 的制造擴張將為模擬和嵌入式處理產品提供可靠的供應。這些在制造和技術方面的投資體現了公司對長期產能規(guī)劃的承諾。（圖文：半導體行業(yè)觀察）
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