據(jù)悉，此次落地項目由江蘇卓航致遠(yuǎn)科技有限公司主導(dǎo)建設(shè)，該公司由江蘇卓遠(yuǎn)半導(dǎo)體有限公司全資子公司上海卓遠(yuǎn)方德半導(dǎo)體有限公司與江蘇航投未來科技產(chǎn)業(yè)有限公司股權(quán)合作組建。核心股東江蘇卓遠(yuǎn)半導(dǎo)體有限公司為國家級高新技術(shù)企業(yè)、國家級專精特新“小巨人”企業(yè)，在半導(dǎo)體材料及設(shè)備領(lǐng)域擁有技術(shù)積淀，布局覆蓋產(chǎn)業(yè)鏈多個環(huán)節(jié)。

江蘇卓遠(yuǎn)半導(dǎo)體有限公司長期布局第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，形成了從單晶制造裝備到晶圓片的產(chǎn)業(yè)鏈布局，重點開展碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等第三代半導(dǎo)體材料的應(yīng)用研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化工作。公司組建有AI人工智能、無機(jī)非金屬材料、微電子學(xué)等多學(xué)科研發(fā)團(tuán)隊，自主研發(fā)的12英寸電子級單晶硅生長設(shè)備實現(xiàn)國產(chǎn)替代，市場占有率達(dá)20%，國產(chǎn)設(shè)備出貨量位居行業(yè)前列，可為第三代半導(dǎo)體材料規(guī)?；a(chǎn)提供設(shè)備支撐。

此次落地的集成電路級12英寸硅基晶圓襯底材料研發(fā)中心及產(chǎn)業(yè)化項目，是江蘇卓遠(yuǎn)半導(dǎo)體有限公司核心產(chǎn)業(yè)板塊的重要組成部分。

項目聚焦半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈核心材料環(huán)節(jié)，瞄準(zhǔn)AI算力、航空航天、新能源、汽車電子等領(lǐng)域?qū)π酒男枨螅瑢⒅攸c推進(jìn)12英寸半導(dǎo)體大硅片項目建設(shè)，有助于填補國內(nèi)高端大硅片和MPCVD金剛石產(chǎn)能缺口，提升關(guān)鍵半導(dǎo)體材料的國產(chǎn)化率和產(chǎn)業(yè)化率。項目達(dá)產(chǎn)后，將完善區(qū)域半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈條，為南京江寧區(qū)經(jīng)濟(jì)發(fā)展提供助力。

麒麟科創(chuàng)園是中國科學(xué)院創(chuàng)新資源集聚程度較高的科創(chuàng)平臺，聚焦關(guān)鍵核心技術(shù)領(lǐng)域，推進(jìn)創(chuàng)新成果轉(zhuǎn)化與高端產(chǎn)業(yè)集聚。為保障項目推進(jìn)，園區(qū)已統(tǒng)籌人事、經(jīng)發(fā)、規(guī)土、建設(shè)、招商等多部門力量，實行專人負(fù)責(zé)、定期調(diào)度機(jī)制，目前項目地塊文物勘探等前期工作已同步啟動，電力、燃?xì)獾群诵囊乇Ｕ险行驅(qū)印?/p>

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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圖片來源：CHIPX Global社交平臺

這座工廠將成為東盟區(qū)域內(nèi)首條8英寸GaN/SiC前端晶圓產(chǎn)線。行業(yè)分析認(rèn)為，其技術(shù)方向并非傳統(tǒng)SiC功率器件或GaN射頻器件，而是聚焦光子集成電路、高帶寬光互連及先進(jìn)材料工程領(lǐng)域，核心適配下一代人工智能數(shù)據(jù)中心、高性能計算系統(tǒng)的需求，例如為AI數(shù)據(jù)中心提供SiC光子集成電路、SiC中介層，以及面向GPU處理器的GaN晶圓等產(chǎn)品。

CHIPX Global 成立于2022年（注冊地英國，企業(yè)歸屬愛爾蘭），核心團(tuán)隊具備半導(dǎo)體行業(yè)資深經(jīng)驗——創(chuàng)始人欽莫伊?巴魯阿（ChinmoyBaruah）擁有材料科學(xué)領(lǐng)域?qū)W術(shù)背景及初創(chuàng)企業(yè)運營經(jīng)驗，聯(lián)合創(chuàng)始人兼CTO姚耀成（音譯）曾任職于比亞迪、Vishay等企業(yè)，深耕模擬芯片設(shè)計與GaN技術(shù)研發(fā)，為項目技術(shù)落地提供了基礎(chǔ)。

1、英飛凌馬來西亞8英寸SiC廠量產(chǎn)

馬來西亞本身已具備半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)，尤其在第三代半導(dǎo)體（SiC/GaN）領(lǐng)域，已吸引一些國際巨頭落地核心產(chǎn)能。

作為全球功率半導(dǎo)體龍頭，英飛凌在馬來西亞的布局堪稱標(biāo)桿，其位于吉打州居林（Kulim）的制造基地已發(fā)展為全球規(guī)模領(lǐng)先的SiC晶圓生產(chǎn)中心。

早在2006年，英飛凌便在居林開設(shè)了亞洲首座前道晶圓廠，2022年正式啟動第三廠區(qū)建設(shè)，專門聚焦8英寸SiC功率半導(dǎo)體制造，項目總投資達(dá)70億歐元（一期20億歐元、二期50億歐元），是馬來西亞迄今最大的半導(dǎo)體單筆投資之一。

2024年8月，該工廠一期項目正式投產(chǎn)運營，馬來西亞總理安瓦爾?易卜拉欣親自出席啟動儀；一期產(chǎn)線初期以6英寸晶圓生產(chǎn)為過渡，2024年底已具備8英寸SiC晶圓量產(chǎn)條件，2025年第一季度已開始向汽車、可再生能源領(lǐng)域客戶交付8英寸SiC器件產(chǎn)品，預(yù)計2027年將全面轉(zhuǎn)向8英寸晶圓規(guī)?；a(chǎn)。

值得關(guān)注的是，該工廠采用與奧地利菲拉赫工廠聯(lián)動的“虛擬協(xié)同工廠”模式，共享核心技術(shù)與工藝標(biāo)準(zhǔn)，目前已吸引六家全球主流整車廠及新能源企業(yè)簽訂設(shè)計訂單，累計訂單額超50億歐元，還收到約10億歐元客戶預(yù)付款，產(chǎn)能消化確定性強。

2、意法半導(dǎo)體、奧特斯完善封裝與材料配套

除英飛凌外，國際巨頭意法半導(dǎo)體也在馬來西亞加碼特色工藝與封裝測試環(huán)節(jié)。

意法半導(dǎo)體在馬來西亞柔佛州麻坡（Muar）打造了先進(jìn)的功率半導(dǎo)體封裝測試基地，重點聚焦汽車級SiC器件的后道工藝。

該基地配備了針對SiC功率模塊的高可靠性封裝生產(chǎn)線，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于新能源汽車主逆變器、工業(yè)變頻器等場景，與英飛凌的晶圓制造產(chǎn)能形成工藝互補，共同完善了馬來西亞SiC產(chǎn)業(yè)鏈的“制造-封裝”閉環(huán)。

此外，奧地利科技企業(yè)奧特斯（AT&S）于2024年在吉打州居林高科技園區(qū)啟用高端半導(dǎo)體封裝載板工廠，總投資超10億歐元，專為AMD等企業(yè)的第三代半導(dǎo)體相關(guān)芯片提供封裝載板支持，2024年底已正式量產(chǎn)。封裝載板作為SiC/GaN芯片封裝的核心材料，其本地化供應(yīng)進(jìn)一步降低了馬來西亞第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的供應(yīng)鏈成本。

3、中企加碼SiC襯底與封測環(huán)節(jié)

中國企業(yè)方面，國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備龍頭#晶盛機(jī)電 的全球化布局成為馬來西亞第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要補充。

2025年7月，晶盛機(jī)電子公司浙江晶瑞SuperSiC在檳城州舉行8英寸SiC襯底制造工廠奠基儀式，項目總占地面積4萬平方米，一期建成后將實現(xiàn)24萬片/年的8英寸SiC襯底產(chǎn)能，產(chǎn)品主要供應(yīng)電動汽車充電器、電信基站電源等領(lǐng)域。

圖片來源：晶盛機(jī)電

該工廠整合了晶體生長、切割、拋光等全流程工藝，是東南亞地區(qū)規(guī)模領(lǐng)先的SiC襯底生產(chǎn)基地，不僅填補了當(dāng)?shù)氐谌雽?dǎo)體核心材料制造的空白，還能依托檳城已有的300多家半導(dǎo)體企業(yè)集群，快速接入全球供應(yīng)鏈。

此外，通富微電、華天科技等中企通過收購馬來西亞當(dāng)?shù)胤鉁y企業(yè)，已將業(yè)務(wù)延伸至SiC器件的封裝測試領(lǐng)域，成為馬來西亞第三代半導(dǎo)體后道環(huán)節(jié)的重要力量。

（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）

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圖片來源：陜西新聞聯(lián)播

具體而言，該工廠主體工程和設(shè)備安裝基本完成。8月中旬的設(shè)備通電聯(lián)調(diào)是投產(chǎn)前的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，將對所有生產(chǎn)設(shè)備進(jìn)行功能性測試和校準(zhǔn)。9月的流片試生產(chǎn)，意味著芯片設(shè)計版圖將首次在晶圓上實際制造，這是驗證生產(chǎn)線工藝成熟度和產(chǎn)品良率的重要一步。

公開資料顯示，陜西電子芯業(yè)時代科技有限公司（全文簡稱“芯業(yè)時代”）成立于2022年2月22日，注冊資本20億元。它是陜西電子信息集團(tuán)作為投資主體組建的混合所有制企業(yè)，肩負(fù)著填補陜西8英寸芯片制造領(lǐng)域空白、提升區(qū)域集成電路產(chǎn)業(yè)競爭力的重要使命。

據(jù)悉，該項目主要建成一條8英寸高性能高可靠功率器件、功率集成電路生產(chǎn)線，同時廠房基建預(yù)先滿足未來12英寸生產(chǎn)線可擴(kuò)展性的要求，項目80%的設(shè)備可滿足第三代半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)要求。項目總投資45億元，設(shè)計月產(chǎn)能5萬片，未來可拓展至10萬片。

圖片來源：陜西新聞聯(lián)播

在8英寸晶圓制造領(lǐng)域，雖然通用邏輯工藝產(chǎn)能日趨飽和，但特色工藝（如模擬芯片、功率器件、MEMS傳感器、射頻芯片等）需求依然旺盛，且利潤空間相對較高。這些芯片廣泛應(yīng)用于新能源汽車、工業(yè)控制、物聯(lián)網(wǎng)、5G通信等高增長領(lǐng)域。

據(jù)陜西電子信息集團(tuán)副總經(jīng)理、陜西電子芯業(yè)時代科技有限公司董事長楊柯介紹，該項目的目標(biāo)產(chǎn)品具有廣泛應(yīng)用，主要包括工業(yè)級、消費級和車規(guī)級等中高端功率器件。并且目前，公司已和清華大學(xué)等國內(nèi)高校在光電融合、第三代半導(dǎo)體等領(lǐng)域進(jìn)行了深入布局，將為我國在功率器件領(lǐng)域的發(fā)展提供助力。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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該公司聯(lián)席CEO陳橋梁先生表示，龍騰半導(dǎo)體作為陜西省半導(dǎo)體及集成電路重點產(chǎn)業(yè)鏈“鏈主”企業(yè)，通過不斷的技術(shù)革新、產(chǎn)品升級與IDM戰(zhàn)略布局，成功構(gòu)建了“應(yīng)用+設(shè)計+工藝+材料+設(shè)備”五位一體的融合創(chuàng)新商業(yè)模式。在8英寸功率半導(dǎo)體器件制造項目方面，一期已順利投產(chǎn)，二期晶圓產(chǎn)線也在如火如荼地進(jìn)行中，預(yù)計全部達(dá)產(chǎn)后將具有年產(chǎn)8英寸晶圓60萬片的生產(chǎn)能力。

龍騰半導(dǎo)體在當(dāng)前雙碳目標(biāo)的引領(lǐng)下，正在積極深化在人工智能、電動化、數(shù)字化及低空經(jīng)濟(jì)等領(lǐng)域的應(yīng)用布局與技術(shù)創(chuàng)新。公司致力于通過不斷推進(jìn)技術(shù)創(chuàng)新與業(yè)務(wù)模式的轉(zhuǎn)型升級，為半導(dǎo)體的高質(zhì)量發(fā)展注入強勁動力。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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印度國防部表示，SiC/GaN技術(shù)是國防、航空航天和清潔能源領(lǐng)域下一代應(yīng)用的關(guān)鍵推動因素。這類先進(jìn)技術(shù)可提高器件效率、減小尺寸和重量，并增強性能，使其在未來作戰(zhàn)系統(tǒng)、雷達(dá)、電子戰(zhàn)系統(tǒng)和綠色能源解決方案發(fā)揮重要作用。

隨著未來作戰(zhàn)系統(tǒng)對更輕、更緊湊電源的需求不斷增長，碳化硅/氮化鎵技術(shù)為軍事和商業(yè)領(lǐng)域的通信、情報、偵察和無人系統(tǒng)(包括電動汽車和可再生能源)提供了重要基礎(chǔ)。報道還指出，位于海得拉巴邦的SiC/GaN技術(shù)中心，可通過本土技術(shù)初步生產(chǎn)碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）MMIC，可滿足新一代太空、航空航天和 5G/衛(wèi)星通信的廣泛應(yīng)用。

印度多個SiC/GaN項目加速推進(jìn)

據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體了解到，今年印度多個SiC/GaN項目有新進(jìn)展，具體如下：

今年6月中旬，總部位于印度欽奈的SiCSem宣布，計劃在印度奧里薩邦建立一座涵蓋碳化硅（SiC）制造、組裝、測試和封裝（ATMP）工廠。

與此同時，SiCSem與印度理工學(xué)院布巴內(nèi)斯瓦爾分校（IIT-BBS）就化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域研究事宜簽署了合作協(xié)議。根據(jù)協(xié)議，雙方之間首個項目是在IIT-BBS實現(xiàn)SiC晶體生長的本土化。這一項目專注于6英寸和8英寸SiC晶圓的大批量生產(chǎn)，預(yù)估耗資4.5億盧比。

8月5日，印度首家半導(dǎo)體芯片制造商Polymatech正式收購了美國公司Nisene。據(jù)悉，Nisene在Si和SiC材料方面的擁有專業(yè)知識，結(jié)合Polymatech的藍(lán)寶石基半導(dǎo)體技術(shù)，將幫助后者成為一家多晶圓公司。

8月中旬，L & T Semiconductor Technologies（LTSCT）計劃投資100億~120億美元，在未來5到10年內(nèi)在印度建立三個半導(dǎo)體制造工廠，分別專注于硅、SiC和GaN技術(shù)。

9月4日，美國Silicon Power Group在印子公司RIR Power Electronics Limited宣布，公司投資62億盧比在印度奧里薩邦建設(shè)的SiC制造工廠已奠基動工。該工廠將用于生產(chǎn)6英寸SiC晶圓，預(yù)計2025年全面投產(chǎn)。

9月20日，印度Zoho集團(tuán)宣布，計劃在印度奧里薩邦Khurda區(qū)投資303.4億盧比建設(shè)一座SiC制造工廠。該工廠的設(shè)計將覆蓋整個SiC生產(chǎn)鏈，從晶錠制造到晶圓、MOSFET、模塊，再到后續(xù)的改裝和封裝。工廠年產(chǎn)能預(yù)計包括7.2萬片SiC外延晶圓、7.2萬個MOSFET和模塊，產(chǎn)品將應(yīng)用于電動汽車、汽車及可再生能源領(lǐng)域。

9月22日，印度總理莫迪宣布，美印兩國將共同在印度建立一家芯片制造廠。該工廠將專注于為國家安全、下一代電信和綠色能源應(yīng)用提供先進(jìn)的感應(yīng)、通信和電力電子技術(shù)，生產(chǎn)紅外、GaN和SiC芯片。據(jù)悉，印度半導(dǎo)體任務(wù)以及巴拉特半導(dǎo)體公司、3rdiTech公司和美國太空部隊的戰(zhàn)略技術(shù)合作將為其提供支持。

11月，印度GaN初創(chuàng)公司Agnit已經(jīng)完成350萬美元的種子輪融資。

該筆資金將用于提升4英寸GaN-on-SiC外延片的生產(chǎn)質(zhì)量，滿足射頻器件的需求，同時提高6英寸GaN-on-Silicon晶圓的生產(chǎn)能力，以應(yīng)對功率器件市場需求。資金還將用于增強器件的可靠性，符合市場的多種標(biāo)準(zhǔn)。此外，這筆投資還將支持原型開發(fā)，尤其是面向印度本土市場的功率器件和電信領(lǐng)域的射頻器件。

結(jié)語

近年來，隨著以SiC、GaN為代表的第三代半導(dǎo)體發(fā)展迅猛，促使一些國家開始重視該產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。印度今年多個三代半項目落地，可以從側(cè)面反映其在推動本土技術(shù)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展方面的決心。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）

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得益于AlN單晶復(fù)合襯底的材料優(yōu)勢 (位錯密度居于2×108 cm-2數(shù)量級)，AlGaN緩沖層厚度降至350 nm，外延成本大幅下降，且有效控制晶圓翹曲。

研究發(fā)現(xiàn)，AlN單晶復(fù)合襯底表面存在的Si、O雜質(zhì)會造成寄生漏電通道，使得HEMTs器件無法正常關(guān)斷。團(tuán)隊據(jù)此創(chuàng)新提出二次生長AlN埋層方法覆蓋雜質(zhì)層，使其在超寬禁帶材料中無法離化，從而顯著抑制漏電。

實驗結(jié)果顯示，團(tuán)隊所提出的350 nm無摻雜超薄AlGaN緩沖層的橫向擊穿電壓輕松突破10 kV，HEMTs器件關(guān)態(tài)耐壓超8 kV，動態(tài)電流崩塌＜20%，閾值電壓漂移＜10%，初步通過可靠性評估。

圖：基于6英寸AlN單晶復(fù)合襯底制造的GaN晶圓，轉(zhuǎn)移特性曲線，動態(tài)輸出特性曲線和動態(tài)轉(zhuǎn)移特性曲線（來源：致能科技）

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8英寸SiC晶錠激光全自動剝離設(shè)備（source：通用半導(dǎo)體）

資料顯示，通用半導(dǎo)體成立于2019年，致力于高端半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與材料的研發(fā)和制造。

在融資方面，通用半導(dǎo)體在2021年8月和2023年8月分別完成天使輪和A輪融資，投資方包括天演基金、拉薩楚源、渾璞投資、東北證券、鼎心資本等機(jī)構(gòu)。

在產(chǎn)品方面，通用半導(dǎo)體于2020年研發(fā)出國內(nèi)首臺半導(dǎo)體激光隱形切割機(jī)；2022年成功推出國內(nèi)首臺18納米及以下SDBG激光隱切設(shè)備（針對3D Memory)；2023年成功研發(fā)國內(nèi)首臺8英寸全自動SiC晶錠激光剝離產(chǎn)線；2024年研制成功SDTT激光隱切設(shè)備（針對3D HBM）。

值的一提的是，2023年12月，通用半導(dǎo)體自主研發(fā)的8英寸碳化硅（SiC）晶錠剝離產(chǎn)線已完成交付。
通用半導(dǎo)體表示，隨著公司激光隱切設(shè)備產(chǎn)品覆蓋度持續(xù)提升，市場應(yīng)用規(guī)模的不斷擴(kuò)大，且公司持續(xù)保持高強度的研發(fā)投入，迭代升級各產(chǎn)品系列。（來源：通用半導(dǎo)體、集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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利用3C-SiC制備場效應(yīng)晶體管，可解決柵氧界面缺陷多導(dǎo)致的器件可靠性差等問題。但3C-SiC基晶體管進(jìn)展緩慢，主要是缺乏單晶襯底。前期大量研究表明，3C-SiC在生長過程中很容易發(fā)生相變，已有的生長方法不能獲得單一晶型的晶體。

根據(jù)經(jīng)典晶體生長理論，對于光滑界面晶體，同質(zhì)二維形核需要克服臨界勢壘，存在臨界Gibbs自由能或過飽和度，而生長則可以在任意小的過飽和度下進(jìn)行。對于異質(zhì)形核，由于引入了新的固-固界面能，二維形核需克服更高的臨界勢壘。因此在相同過飽和度下，同質(zhì)形核和生長在能量上明顯優(yōu)于異質(zhì)形核和生長，使得后者很難發(fā)生。

近期，中國科學(xué)院物理研究所/北京凝聚態(tài)物理國家研究中心的陳小龍團(tuán)隊提出了調(diào)控固-液界面能，在異質(zhì)籽晶上較同質(zhì)籽晶優(yōu)先形核和生長的學(xué)術(shù)思想。

主要包括：1)3C(111)面和4H(0001)面的晶格失配度小，固-固界面能很低；2)4H和3C體相Gibbs自由能的差別較??；3)如果通過調(diào)控熔體成份，使得3C(111)-熔體的界面能較4H(0001)-熔體的界面能足夠低，二維形核以及后續(xù)生長的Gibbs自由能則對于3C相更有利。該團(tuán)隊自主設(shè)計、搭建了超高溫熔體表面張力和固-液接觸角測試設(shè)備，在高溫下測量了不同成份熔體的表面張力，熔體與4H-SiC、3C-SiC的接觸角，獲得了4H-SiC、3C-SiC與高溫熔體的固-液界面能的變化規(guī)律，驗證了界面能調(diào)控的可行性。該團(tuán)隊利用高溫液相法，實現(xiàn)了相同過飽和度條件下3C-SiC的Gibbs自由能更低的要求，抑制了生長過程中的相變，在國際上首次生長出了直徑2-4英寸、厚度4-10mm、單一晶型的3C-SiC單晶，如圖1和圖2所示。

圖1. 采用高溫液相法，在六方碳化硅(4H-SiC)籽晶上實現(xiàn)了2-4英寸、厚度4-10 mm、立方碳化硅(3C-SiC)的異質(zhì)形核和晶體穩(wěn)定生長

沿晶體厚度方向的Raman散射光譜測量結(jié)果表明，生長一開始，3C-SiC即在4H-SiC籽晶上形核、生長，兩者共存區(qū)小于20 μm，見圖2(a-b)，進(jìn)一步證實了上述理論。(111)生長面的X射線搖擺曲線半高寬的平均值為30 arcsec，表明生長的3C-SiC具有高的結(jié)晶質(zhì)量。3C-SiC單晶的室溫電阻率只有0.58 mΩ·cm，為商業(yè)化4H-SiC晶片電阻率(15-28 mΩ·cm)的~1/40，有望降低器件的能量損耗。

圖2. 3C-SiC晶型的確定。a) 在(111)生長面上隨機(jī)選取20個點的Raman散射光譜圖，插圖為測試點在晶體上的位置分布圖。b) 沿晶體厚度方向的Raman散射光譜圖。c) 300 K測量的光致發(fā)光(PL)圖譜。d) 高角環(huán)形暗場掃描透射電鏡(HAADF-STEM)圖。插圖為沿[110]晶帶軸的選區(qū)電子衍射(SAED)圖晶圓級3C-SiC單晶的生長填補了國內(nèi)外空白，使3C-SiC晶體的量產(chǎn)成為可能，也為開發(fā)性能優(yōu)異的電力電子器件提供了新的契機(jī)。同時，異質(zhì)籽晶上較同質(zhì)籽晶優(yōu)先形核和生長的機(jī)制拓展了傳統(tǒng)的晶體生長理論。

來源：中國工陶

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該公司計劃提供金剛石基板作為改善熱性能的途徑，這反過來又可以改善人工智能計算和無線通信以及更小的電力電子設(shè)備。

該公司使用一種稱為異質(zhì)外延的工藝來沉積碳原子，并在可擴(kuò)展的基底上制造單晶金剛石。以前已經(jīng)生產(chǎn)過金剛石晶片，但它是基于壓縮金剛石粉末，缺乏單晶金剛石的特性。

Diamond Foundry 表示，其下一個目標(biāo)是降低金剛石晶圓的缺陷密度，以實現(xiàn)比Si高 17,200倍、比SiC高60倍的品質(zhì)因數(shù)。

目前，Diamond Foundry在華盛頓州經(jīng)營一家鉆石和晶圓生產(chǎn)工廠。

據(jù)悉，該公司成立于2012年，業(yè)務(wù)涉及珠寶和奢侈品市場以及半導(dǎo)體行業(yè)。該公司在其 Linkedin 網(wǎng)站上表示，已獲得 5.15 億美元的融資，并正在執(zhí)行一項數(shù)十億美元的擴(kuò)張計劃，利用零排放能源將溫室氣體轉(zhuǎn)化為金剛石Si片。

據(jù)他們所說，公司可以通過將金剛石以原子方式粘合到以埃級精度減薄的集成電路 (IC) 晶圓上，實現(xiàn)了最終的熱芯片封裝。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

從熱導(dǎo)性上看，沒有其他材料能像單晶金剛石那樣有效地導(dǎo)熱，從而使芯片運行得更快、使用壽命更長。這就讓金剛石晶圓在工作芯片晶體管的原子距離內(nèi)提供了一條熱高速公路。它以理想的效率散熱，減少熱點并使芯片的計算速度提高三倍。

同時，這還是一個極端的電絕緣體，最薄的金剛石切片可以隔離非常高的電壓，從而使電力電子器件的小型化達(dá)到新的水平。

得益于這些領(lǐng)先特性，Diamond Foundry認(rèn)為公司的解決方案適用于所有領(lǐng)先的高功率芯片，經(jīng)過驗證的硅芯片與金剛石半導(dǎo)體基板的結(jié)合極大地加速了云和人工智能計算，這意味著使用數(shù)據(jù)中心一半的空間即可獲得相同的性能。

這些優(yōu)勢也讓其能簡化逆變器設(shè)計，會因為金剛石晶圓的導(dǎo)熱性和電絕緣性的極端特性使得新穎的架構(gòu)能夠從根本上推進(jìn)小型化、效率和魯棒性。

這個領(lǐng)先的設(shè)計也讓其能在無線通信領(lǐng)域提供幫助。

據(jù)介紹，GaN半導(dǎo)體為越來越多的最有效的無線通信提供動力。但金剛石晶圓解決了過熱和電壓問題，使GaN在每一項指標(biāo)上都優(yōu)于SiC。

而金剛石基 GaN MOSFET 的功率密度是不含金剛石的GaN的三倍。通過降低熱應(yīng)力以及將 GaN 原子互連到DF（Diamond Foundry）單晶金剛石，提高了可靠性。

類似的公司 Diamfab SA（法國格勒諾布爾）于2019年在歐洲成立。Diamfab 合成并摻雜在其他基板上生長的金剛石外延層，以期用金剛石制造卓越的功率器件。（文：全球半導(dǎo)體觀察）

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“今天，我們公司在擴(kuò)大制造足跡的過程中邁出了重要的一步。這座新工廠是我們長期300毫米制造路線圖的一部分，旨在打造客戶未來幾十年所需的產(chǎn)能。”Ilan說道。“在TI，我們的熱情是通過讓電子產(chǎn)品變得更便宜來創(chuàng)造一個更美好的世界通過半導(dǎo)體。我們很自豪能夠成為該組織中不斷壯大的成員猶他州社區(qū)，并制造對當(dāng)今幾乎所有類型的電子系統(tǒng)都至關(guān)重要的模擬和嵌入式處理半導(dǎo)體?！?/p>

2 月份，TI宣布110億美元投資于猶他州，標(biāo)志著該州歷史上最大的經(jīng)濟(jì)投資。LFAB2 將為TI創(chuàng)造約800個額外工作崗位以及數(shù)千個間接工作崗位，首批生產(chǎn)最早將于2026年投入使用。

“TI的制造業(yè)務(wù)不斷增長猶他州將為我們州帶來變革，為猶他州創(chuàng)造數(shù)百個高薪就業(yè)機(jī)會，以制造至關(guān)重要的技術(shù)?！豹q他州州長斯賓塞·考克斯?！拔覀?yōu)榘雽?dǎo)體制造而感到自豪猶他州猶他州的項目——將為我們國家的經(jīng)濟(jì)和國家安全奠定基礎(chǔ)的創(chuàng)新提供動力。”

建設(shè)更強大的社區(qū)

作為TI對教育承諾的一部分，公司將投資900萬美元在Alpine 學(xué)區(qū)，為幼兒園至12年級的所有學(xué)生開發(fā)該州第一個科學(xué)、技術(shù)、工程和數(shù)學(xué)(STEM)學(xué)習(xí)社區(qū)。該多年計劃將把STEM概念更深入地融入到學(xué)區(qū)85,000名學(xué)生的課程中，并為其教師和管理人員提供以STEM為導(dǎo)向的專業(yè)發(fā)展。該學(xué)區(qū)范圍內(nèi)的計劃將為學(xué)生提供必要的STEM 技能，例如批判性思維、協(xié)作和創(chuàng)造性解決問題的能力，以便在畢業(yè)后取得成功。

高山學(xué)區(qū)負(fù)責(zé)人Dr. Alpine表示：“我們很高興這種合作關(guān)系將幫助我們的學(xué)生培養(yǎng)必要的知識和技能，為他們在生活中取得成功以及在技術(shù)領(lǐng)域可能的職業(yè)生涯做好準(zhǔn)備?！毙ざ鳌しǘ魉刮炙埂！芭c城市合作萊希、德州儀器和我們的學(xué)校，這項合作投資將影響學(xué)生及其家庭的子孫后代。”

可持續(xù)建設(shè)

TI長期致力于負(fù)責(zé)任的可持續(xù)制造。LFAB2將成為該公司最環(huán)保的晶圓廠之一，旨在滿足領(lǐng)先能源與環(huán)境設(shè)計 (LEED) 建筑評級系統(tǒng)結(jié)構(gòu)效率和可持續(xù)性的最高水平之一：LEED金級第4版。
LFAB2的目標(biāo)是由 100% 可再生電力提供動力，并采用先進(jìn)的12吋設(shè)備和工藝萊希將進(jìn)一步減少廢物、水和能源的消耗。事實上，LFAB2 的水回收率預(yù)計是TI現(xiàn)有晶圓廠的近兩倍。萊希。

構(gòu)建半導(dǎo)體制造的下一個時代

LFAB2 將補充TI現(xiàn)有的12吋晶圓廠，其中包括 LFAB1 (猶他州李海）、DMOS6（達(dá)拉斯），以及RFAB1和RFAB2（都在德克薩斯州理查森）。TI還在美國建設(shè)四家新的12吋晶圓廠德克薩斯州謝爾曼（SM1、SM2、SM3和SM4），第一座晶圓廠最早將于2025年開始生產(chǎn)。

在《芯片》和《科學(xué)法案》的預(yù)期支持下，TI 的制造擴(kuò)張將為模擬和嵌入式處理產(chǎn)品提供可靠的供應(yīng)。這些在制造和技術(shù)方面的投資體現(xiàn)了公司對長期產(chǎn)能規(guī)劃的承諾。（圖文：半導(dǎo)體行業(yè)觀察）

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