資料顯示,具身智能(Embodied Intelligence)是指智能系統(tǒng)通過(guò)與環(huán)境的互動(dòng),利用身體的感知和運(yùn)動(dòng)能力來(lái)實(shí)現(xiàn)學(xué)習(xí)和推理的能力。這種智能形式強(qiáng)調(diào)身體在認(rèn)知過(guò)程中的重要性,認(rèn)為智能不僅僅是腦部的活動(dòng),還包括身體的運(yùn)動(dòng)和感知。它強(qiáng)調(diào)智能體(如機(jī)器人)與其物理形態(tài)和所處環(huán)境之間的密切聯(lián)系,認(rèn)為智能行為是通過(guò)身體與環(huán)境的交互而產(chǎn)生的,且在實(shí)踐過(guò)程中通過(guò)循環(huán)的感知、決策、行動(dòng)和反饋來(lái)實(shí)現(xiàn)“智能增長(zhǎng)”。
隨著人工智能和機(jī)器人技術(shù)的飛速發(fā)展,具身智能逐漸成為人工智能領(lǐng)域的研究熱點(diǎn),未來(lái)前景廣闊。
根據(jù)TrendForce集邦咨詢的研究,2025年各機(jī)器人大廠逐步實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的前提下,預(yù)估2027年全球人形機(jī)器人市場(chǎng)產(chǎn)值有望超越20億美元,2024年至2027年間的市場(chǎng)規(guī)模年復(fù)合成長(zhǎng)率將達(dá)154%。
業(yè)界指出,正如AI驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展一樣,具身智能也可以為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來(lái)助力,尤其是功率半導(dǎo)體領(lǐng)域。此前,特斯拉的Optimus人形機(jī)器人搭載了28個(gè)關(guān)節(jié)驅(qū)動(dòng)器,每個(gè)驅(qū)動(dòng)器都通過(guò)電機(jī)驅(qū)動(dòng),而每個(gè)電機(jī)則需要1~2顆IGBT等功率器件。
除IGBT之外,氮化鎵在具身智能產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用潛力也不斷凸顯。
此前,英飛凌詳細(xì)介紹了氮化鎵在機(jī)器人領(lǐng)域的應(yīng)用優(yōu)勢(shì),該公司認(rèn)為氮化鎵在提升能效與縮小體積方面具備優(yōu)勢(shì),將推動(dòng)人行機(jī)器人、護(hù)理機(jī)器人和送貨無(wú)人機(jī)市場(chǎng)增長(zhǎng)。
英飛凌認(rèn)為,隨著機(jī)器人技術(shù)集成自然語(yǔ)言處理(NLP)和計(jì)算機(jī)視覺等AI先進(jìn)技術(shù),氮化鎵將為打造更高效、更緊湊的設(shè)計(jì)帶來(lái)必要的能效?;贕aN的電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)能提供優(yōu)異能效和性能、更高功率密度、更少電機(jī)損耗和更高速的開關(guān)能力。這些技術(shù)帶來(lái)了諸多優(yōu)勢(shì),比如無(wú)需笨重的電解電容器、縮小尺寸并提高了可靠性。將逆變器集成到電機(jī)機(jī)箱中,可減少散熱器的需求,同時(shí)優(yōu)化關(guān)節(jié)/軸的布線,并簡(jiǎn)化了EMC設(shè)計(jì)。更高效的控制頻率可改善動(dòng)態(tài)響應(yīng)能力。
具有高開關(guān)頻率的GaN基電機(jī)控制設(shè)計(jì)還支持在緊湊的密封外殼中實(shí)現(xiàn)更高的功率,在高頻下,GaN能夠提供優(yōu)異的性能,這進(jìn)一步提高了系統(tǒng)的效率(包括逆變器和電機(jī)的損耗),并保持較低工作溫度。
國(guó)內(nèi)應(yīng)用方面,近期,中科半導(dǎo)體團(tuán)隊(duì)推出了首顆基于氮化鎵(GaN)可編程具身機(jī)器人動(dòng)力系統(tǒng)芯片,縮短了具身機(jī)器人開發(fā)成本和姿態(tài)學(xué)習(xí)時(shí)間,有望加速具身機(jī)器人產(chǎn)業(yè)的商用化步伐。
該款芯片主要應(yīng)用于多關(guān)節(jié)具身機(jī)器人及智能裝備領(lǐng)域,根據(jù)推理大模型生成的3D虛擬模型與姿態(tài)坐標(biāo),通過(guò)芯片自帶的“邊緣物理模型”輸出的陣列PWM電流信號(hào)控制上100條仿真肌肉及伺服電機(jī)系統(tǒng)來(lái)完成復(fù)雜的原子操作,單個(gè)姿態(tài)運(yùn)動(dòng)達(dá)32個(gè)自由度。通過(guò)“邊緣物理模型”輸出PWM信號(hào)控制物理量信號(hào),使機(jī)器人具有人一樣的復(fù)雜肢體動(dòng)作和物理質(zhì)量的約束。(集邦化合物半導(dǎo)體Flora整理)
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]]>該項(xiàng)目總投資約6億元,占地面積46667平方米,將新建工業(yè)廠房30543平米,并引進(jìn)光刻機(jī)、磁控濺射機(jī)等設(shè)備約100臺(tái)套,用于生產(chǎn)通信用氮化鎵射頻芯片先導(dǎo)線,預(yù)計(jì)年產(chǎn)能將為3000片。
項(xiàng)目一期用地約33200平方米,主營(yíng)4英寸氮化鎵射頻芯片、功放管,形成從GaN管芯到GaN氮化鎵功放管的系列化產(chǎn)品平臺(tái),滿足客戶多元化的應(yīng)用場(chǎng)景需求;二期則將拓展到6英寸砷化鎵(GaAs)射頻芯片產(chǎn)品。
圖片來(lái)源:拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)
公開資料顯示,博康(嘉興)半導(dǎo)體成立于2022年10月,主營(yíng)業(yè)務(wù)包括半導(dǎo)體分立器件制造、銷售及服務(wù)等。(化合物半導(dǎo)體市場(chǎng) Winter整理)
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]]>Gallium Semiconductor專注于為5G移動(dòng)通訊網(wǎng)絡(luò)、航空航天、國(guó)防、工業(yè)、科學(xué)及醫(yī)療等領(lǐng)域設(shè)計(jì)、開發(fā)與量產(chǎn)高性能、高能效的GaN射頻/微波/毫米波元件,包括一系列GaN-on-SiC HEMTs產(chǎn)品,公司團(tuán)隊(duì)遍布亞洲、歐洲和美國(guó),是一家國(guó)際化的企業(yè)。
產(chǎn)品方面,Gallium Semiconductor主要提供射頻功率放大器器件,擁有DFN、QFN、ACC、ACP等多種封裝方式。菲律賓工廠將生產(chǎn)最新的射頻功率晶體管技術(shù),新產(chǎn)線配備了先進(jìn)的組裝和測(cè)試技術(shù),生產(chǎn)的產(chǎn)品將推向全球市場(chǎng)。
目前,全球市場(chǎng)對(duì)射頻功率晶體管及放大器的需求正在不斷增長(zhǎng),Gallium Semiconductor著眼于開拓全球射頻氮化鎵半導(dǎo)體業(yè)務(wù),積極加強(qiáng)在其他地區(qū)的業(yè)務(wù)布局。
在菲律賓新廠開業(yè)之前,該公司去年剛在荷蘭設(shè)立了研發(fā)中心,目的是充分利用荷蘭的高科技生態(tài)環(huán)境,更好地為本地客戶服務(wù)。隨著菲律賓新工廠的運(yùn)營(yíng),Gallium Semiconductor的新技術(shù)新產(chǎn)品將進(jìn)一步滿足市場(chǎng)持續(xù)增長(zhǎng)的需求,也有利于其鞏固在5G通訊、航空航天、國(guó)防及其他應(yīng)用領(lǐng)域作為高性能解決方案供應(yīng)商的市場(chǎng)地位。(化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)Jenny編譯)
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