1、西湖儀器率先實現(xiàn)12英寸碳化硅襯底激光剝離

3月26日消息，西湖儀器近日成功實現(xiàn)12英寸碳化硅襯底激光剝離自動化解決方案，大幅降低損耗，提升加工速度，推進了碳化硅行業(yè)的降本增效。

此前，西湖儀器已推出“8英寸導電型碳化硅襯底激光剝離設備”，并于今年1月榮獲“國內(nèi)首臺（套）裝備”認定。

碳化硅領(lǐng)域，襯底材料成本占據(jù)整體成本的比例居高不下，阻礙了碳化硅器件大規(guī)模的產(chǎn)業(yè)化推廣。西湖儀器指出，降本增效的重要途徑之一是制造更大尺寸的碳化硅襯底材料。

與6英寸和8英寸襯底相比，12英寸襯底材料能夠進一步擴大單片晶圓上可用于芯片制造的面積，在同等生產(chǎn)條件下，顯著提升產(chǎn)量，降低單位成本。

source：西湖儀器

國內(nèi)碳化硅頭部企業(yè)去年已披露了最新一代12英寸碳化硅襯底，這也帶來了12英寸以上的超大尺寸碳化硅襯底切片需求。

為此，西湖儀器推出了“超大尺寸碳化硅襯底激光剝離技術(shù)”，率先解決了12英寸及更大尺寸的碳化硅襯底“切片”難題，該技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)對碳化硅晶錠的精準定位、均勻加工、連續(xù)剝離，具有自動化、低損耗與高效率等優(yōu)勢。

2、天岳先進攜全球首發(fā)的全系列12英寸碳化硅襯底產(chǎn)品亮相上海

在3月25日于上海舉辦的亞洲化合物半導體大會上，天岳先進攜全球首發(fā)的全系列12英寸碳化硅襯底產(chǎn)品登場，包括12英寸高純半絕緣型碳化硅襯底、12英寸導電P型及12英寸導電N型碳化硅襯底。其中，12英寸高純碳化硅襯底、12英寸P型碳化硅襯底為全球首展。

source：山東天岳先進科技股份有限公司

天岳先進在會上分享了超大尺寸襯底量產(chǎn)經(jīng)驗、液相法制備工藝等前沿成果，與全球產(chǎn)業(yè)鏈上下游共議碳化硅技術(shù)趨勢。

12英寸產(chǎn)品，在產(chǎn)品面積上較8英寸持續(xù)擴大，單片晶圓芯片產(chǎn)出量躍升2.5倍，尺寸擴大有效降低單位成本，是行業(yè)發(fā)展的必然趨勢。天岳先進認為，碳化硅行業(yè)已經(jīng)正式邁入”12英寸時代”，2025年將是大尺寸技術(shù)突破元年。

應用領(lǐng)域方面，天岳先進表示碳化硅產(chǎn)品的技術(shù)裂變也將助力新能源汽車、光伏儲能、智能電網(wǎng)、5G基站等多種高壓應用場景，催生AR眼鏡、衛(wèi)星通信及低空經(jīng)濟等多重新興領(lǐng)域蓬勃發(fā)展，助力萬物互聯(lián)時代的算力革命。（集邦化合物半導體 奉穎嫻 整理）

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該榜單由中國企業(yè)評價協(xié)會主持并聯(lián)合北京大學國家發(fā)展研究院和中指研究院連續(xù)五年開展。從創(chuàng)新驅(qū)動、盈利能力、成長速度等多個維度，挖掘新產(chǎn)業(yè)、新業(yè)態(tài)、新商業(yè)模式的示范企業(yè)，提升新經(jīng)濟品牌的示范效應。

此次入選企業(yè)均為各自領(lǐng)域的佼佼者，其中，天岳先進作為國內(nèi)領(lǐng)先的碳化硅襯底生產(chǎn)商，專注于SiC單晶襯底的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。其產(chǎn)品廣泛應用于新能源汽車、光伏儲能、通信等領(lǐng)域。該公司2024年度業(yè)績快報公告，實現(xiàn)營業(yè)收入17.68億元，同比增長41.37%，凈利潤1.8億元，成功扭虧為盈（集邦化合物半導體整理）

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天岳先進2024年業(yè)績快報顯示，報告期內(nèi)，該公司實現(xiàn)營業(yè)收入17.68億元，同比增長41.37%；對應實現(xiàn)歸母凈利潤1.80億元，扭虧為盈。

天岳先進表示，報告期內(nèi)，公司深入開拓市場與客戶資源，加強與國內(nèi)外知名客戶長期合作；持續(xù)產(chǎn)能釋放并優(yōu)化產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，產(chǎn)銷量持續(xù)增加，因而實現(xiàn)營業(yè)收入同比大幅增長。其中，營業(yè)收入同比增長41.37%，主要系公司大尺寸、導電型產(chǎn)品產(chǎn)能產(chǎn)量的持續(xù)提升，銷售量持續(xù)增加所致。

資料顯示，天岳先進成立于2010年11月，注冊資本4.3億元，其主營業(yè)務是碳化硅半導體材料的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，產(chǎn)品可廣泛應用于微波電子、電力電子等領(lǐng)域。

2022年1月天岳先進在上交所上市，2024年12月底，天岳先進宣布，為加快公司的國際化戰(zhàn)略及海外業(yè)務布局，增強公司的境外融資能力，天岳先進董事會已經(jīng)同意公司在境外公開發(fā)行股票H股，并將在香港聯(lián)交所主板上市交易。

赴港上市進展方面，在2025年第一次臨時股東大會上，天岳先進有關(guān)赴港上市等13項議案獲得高票通過。這標志著公司在赴港上市的道路上邁出了重要一步。

結(jié)合公司自身資金需求及未來業(yè)務發(fā)展的資本需求，天岳先進擬申請公開發(fā)行不超過本次發(fā)行后公司總股本的15%的H股。發(fā)行對象為包括中國境外（含港澳臺、外國）投資者以及依據(jù)中國相關(guān)法律有權(quán)進行境外證券投資的境內(nèi)合格投資者等。

2月24日港交所披露，天岳先進遞表港交所，中金公司和中信證券為其聯(lián)席保薦人。同日，天岳先進公告，公司正在進行申請境外公開發(fā)行股票（H股）并在港交所主板上市的相關(guān)工作，向港交所遞交了此次發(fā)行的申請，并于同日在港交所網(wǎng)站刊登了此次發(fā)行的申請資料。

招股書顯示，此次天岳先進申報港股IPO的募集資金，擬用于擴張8英寸或更大尺寸碳化硅襯底產(chǎn)能、持續(xù)加強研發(fā)能力等。（集邦化合物半導體Flora整理）

天岳先進表示，報告期內(nèi)，公司深入開拓市場與客戶資源，加強與國內(nèi)外知名客戶長期合作；持續(xù)產(chǎn)能釋放并優(yōu)化產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，產(chǎn)銷量持續(xù)增加，因而實現(xiàn)營業(yè)收入同比大幅增長。其中，營業(yè)收入同比增長41.37%，主要系公司大尺寸、導電型產(chǎn)品產(chǎn)能產(chǎn)量的持續(xù)提升，銷售量持續(xù)增加所致。

資料顯示，天岳先進成立于2010年11月，注冊資本4.3億元，其主營業(yè)務是碳化硅半導體材料的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，產(chǎn)品可廣泛應用于微波電子、電力電子等領(lǐng)域。（集邦化合物半導體整理）

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天岳先進成立于2010年11月，注冊資本4.3億元。作為一家寬禁帶半導體材料生產(chǎn)商，其主營業(yè)務是碳化硅半導體材料的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，產(chǎn)品可廣泛應用于微波電子、電力電子等領(lǐng)域。

2022年1月天岳先進在上交所上市，2024年12月底，天岳先進宣布，為加快公司的國際化戰(zhàn)略及海外業(yè)務布局，增強公司的境外融資能力，天岳先進董事會已經(jīng)同意公司在境外公開發(fā)行股票H股，并將在香港聯(lián)交所主板上市交易。

天岳先進所募集的資金將計劃用于持續(xù)擴張國內(nèi)外8英寸或更大尺寸襯底產(chǎn)能，提升現(xiàn)有產(chǎn)能的生產(chǎn)效率，加強技術(shù)研發(fā)，保持創(chuàng)新領(lǐng)先性，豐富產(chǎn)品組合和營運資金及其他一般企業(yè)用途。

source：天岳先進

公開資料顯示，2024 年更是在全球?qū)щ娦吞蓟枰r底材料市場占有率躍居第二。在技術(shù)創(chuàng)新上，天岳先進掌握了碳化硅單晶生長設備、熱場設計制造、高純碳化硅粉料制備、精準雜質(zhì)控制及電學性能控制等一系列核心技術(shù)。

此次天岳先進對上海天岳的增資，旨在增強上海天岳的持續(xù)經(jīng)營和發(fā)展能力。通過補充流動資金，降低上海天岳的資產(chǎn)負債率和融資成本，為其后續(xù)發(fā)展提供更為穩(wěn)定的資金支持。

上海天岳作為天岳先進的全資子公司，在公司的整體戰(zhàn)略布局中占據(jù)著重要地位。天岳先進期望借助此次資本注入，助力上海天岳在激烈的市場競爭中鞏固優(yōu)勢地位，為其業(yè)務拓展和技術(shù)創(chuàng)新筑牢根基。

此前，天岳先進發(fā)布2024年業(yè)績預告，公司預計2024年度實現(xiàn)營業(yè)收入17.5億元至18.5億元，相較于上一年度，同比增長幅度在39.92%到47.92%之間。在凈利潤方面，則成功實現(xiàn)扭虧為盈，預計達到1.7億元至2.05億元，而上一年同期公司還處于虧損4572.05萬元的狀態(tài)。

近期，關(guān)于天岳先進港股上市方面，該公司集中在公司治理方面進行完善，主要包括獨立董事的提名與承諾，以及為境外上市而進行的公司治理制度修訂。為加快國際化戰(zhàn)略及海外業(yè)務布局，增強境外融資能力，天岳先進董事會已經(jīng)同意公司在境外公開發(fā)行股票H股，并將在香港聯(lián)交所主板上市交易。

結(jié)合自身資金需求及未來業(yè)務發(fā)展的資本需求，在未行使超額配售權(quán)的情形下，公司擬申請公開發(fā)行不超過本次發(fā)行后公司總股本的15%的H股，募集資金用于持續(xù)擴張國內(nèi)外8英寸或更大尺寸襯底產(chǎn)能，提升現(xiàn)有產(chǎn)能的生產(chǎn)效率；加強技術(shù)研發(fā)，保持創(chuàng)新領(lǐng)先性，豐富產(chǎn)品組合和營運資金及其他一般企業(yè)用途。

此外，天岳先進還披露了該公司的高管變動，該公司同意提名李婉越為公司第二屆董事會非獨立董事候選人，提名黎國鴻為公司第二屆董事會獨立董事候選人，以及公司第二屆審計委員會委員、第二屆薪酬與考核委員會主任委員以及第二屆提名委員會委員。

公開資料顯示，李婉越自2023年7月至今兼任中建材私募基金管理（北京）有限公司財務負責人；黎國鴻從2013年8月至今，任盛洋投資（控股）有限公司執(zhí)行董事及投資委員會成員，以及2017年2月至今，任樺欣控股有限公司獨立非執(zhí)行董事及審核及風險管理委員會主席。（集邦化合物半導體整理）

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天岳先進2024年利潤扭虧為盈，A+H上市加速邁進

天岳先進預計2024年年度實現(xiàn)營業(yè)收入17.5億元至18.5億元，與上年同期相比，將增加4.99億元至5.99億元，同比增長39.92%到47.92%。預計凈利潤為1.7億元至2.05億元，與上年同期相比，將增加2.16億元至2.51億元，同比增長471.82%到548.38%，成功實現(xiàn)扭虧為盈。

預計2024年年度歸屬于母公司所有者的扣除非經(jīng)常性損益后的凈利潤為1.44億元至1.79億元，與上年同期相比，將增加2.57億元至2.92億元，同比增長227.75%到258.80%。

關(guān)于業(yè)績增長，天岳先進表示，全球能源電氣化、低碳化發(fā)展，以及電動汽車800V高壓平臺加速推進，碳化硅襯底材料需求大增。公司4-8英寸襯底產(chǎn)品實現(xiàn)批量供應，2024年產(chǎn)能利用率提升，產(chǎn)品產(chǎn)銷量持續(xù)增長，規(guī)模效應顯現(xiàn)，成本優(yōu)化，高品質(zhì)導電型碳化硅襯底產(chǎn)品加速“出?！?，推動營收和毛利大幅增長。

值得注意的是，2024年12月27日，天岳先進宣布擬在境外發(fā)行股份（H股），并在香港聯(lián)交所上市。公司表示，此舉是為了加快公司的國際化戰(zhàn)略及海外業(yè)務布局，增強公司的境外融資能力，進一步提高公司的資本實力和綜合競爭力。

若上市成功，天岳先進將成為“A+H”上市公司。目前天岳先進正在為本次H股上市做前期籌備工作，相關(guān)細節(jié)還有待披露。

多家廠商8英寸碳化硅將在2025年迎來進展，加速產(chǎn)業(yè)升級

在8英寸碳化硅領(lǐng)域，天岳先進不僅實現(xiàn)8英寸碳化硅襯底本土化替代，還率先實現(xiàn)海外客戶批量銷售。目前天岳先進上海臨港工廠已經(jīng)能夠達到年產(chǎn)30萬片導電型襯底的大規(guī)模量產(chǎn)能力，并且該工廠二期8英寸碳化硅襯底擴產(chǎn)計劃正在推進中。

除了天岳先進外，還有各個廠商也在積極布局，近期有望取得了諸多新進展。

士蘭微旗下士蘭集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目總投資120億元。目前一期正在進行上部結(jié)構(gòu)施工，預計2025年一季度封頂，四季度末初步通線，2026年一季度進行試生產(chǎn)。一期項目達產(chǎn)后年產(chǎn)42萬片8英寸碳化硅功率器件芯片，兩期全部建成投產(chǎn)后，將形成年產(chǎn)72萬片的生產(chǎn)能力。

安意法半導體方面，近期據(jù)安意法半導體副總經(jīng)理李志勇介紹，三安光電和意法半導體在重慶合資建設的安意法半導體8英寸碳化硅外延、芯片項目，預計到2025年2月底生產(chǎn)線通線并開始投片生產(chǎn)，有望三季度末實現(xiàn)大規(guī)模批量生產(chǎn)。

項目預計投資總額達32億美元，規(guī)劃年產(chǎn)8英寸碳化硅車規(guī)級MOSFET功率芯片48萬片，2028年全面達產(chǎn)。芯聯(lián)集成的8英寸碳化硅器件研發(fā)產(chǎn)線已于2024年通線。其8英寸碳化硅產(chǎn)線計劃總投資金額為9.61億元，全面建成后將形成6/8英寸碳化硅晶圓6萬片/年的生產(chǎn)規(guī)模，計劃2025年內(nèi)提早實現(xiàn)量產(chǎn)。

湖南三安SiC項目總投資160億人民幣，旨在打造6英寸/8英寸兼容SiC全產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合量產(chǎn)平臺。該項目此前預計到2024年12月，8英寸SiC芯片正式投產(chǎn)，達產(chǎn)后具備年產(chǎn)36萬片6英寸SiC晶圓、48萬片8英寸SiC晶圓的制造能力。

據(jù)行業(yè)內(nèi)最新消息，目前該項目8英寸碳化硅芯片設備正在安裝調(diào)試中，投產(chǎn)腳步漸近。

方正微電子Fab2的8英寸SiC生產(chǎn)線原預計2024年底通線，長遠規(guī)劃產(chǎn)能6萬片/月。其Fab1當前已實現(xiàn)SiC產(chǎn)能9000片/月（6英寸），預計2025年具備16.8萬片/年車規(guī)SiC MOS生產(chǎn)能力。（集邦化合物半導體 竹子）

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2024年以來披露IPO動態(tài)的廠商不算少，但直到2025年1月初，只有英諾賽科和黃山谷捷2家企業(yè)完成了最終的上市。其中，英諾賽科是全球首家實現(xiàn)量產(chǎn)8英寸硅基氮化鎵晶圓的企業(yè)，而黃山谷捷是車規(guī)級功率半導體模塊散熱基板行業(yè)的頭部企業(yè)。

分行業(yè)來看，英諾賽科是披露IPO進展中的少數(shù)氮化鎵企業(yè)之一，而其他大部分廠商都和碳化硅直接相關(guān)。這主要系氮化鎵產(chǎn)業(yè)目前市場規(guī)模較小，國內(nèi)有能力沖刺IPO的廠商并不多，碳化硅產(chǎn)業(yè)體量更大，國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)眾多，已有一部分廠商具備了登錄資本市場的實力。

分產(chǎn)業(yè)鏈各個環(huán)節(jié)來看，英諾賽科是僅有的IDM模式玩家，其他廠商分布在材料、器件、設備等各個細分領(lǐng)域。其中，材料領(lǐng)域企業(yè)涵蓋了瀚天天成、博雅新材、鑫華半導體、天域半導體、天岳先進等。在器件領(lǐng)域，披露IPO進展的廠商較少，僅有芯長征、瑞能半導體、華太電子、英諾賽科等企業(yè)。

在設備領(lǐng)域，披露IPO進展的廠商相對較多，包括納設智能、邑文科技、芯三代、萊普科技、高裕電子、志橙股份、頂立科技等。這從側(cè)面反映了在第三代半導體產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展的趨勢下，設備領(lǐng)域似乎更加受益。

在碳化硅產(chǎn)業(yè)8英寸轉(zhuǎn)型趨勢下，國內(nèi)碳化硅設備廠商紛紛積極布局8英寸設備，商業(yè)化正在加速推進當中，這些設備企業(yè)有望成為第三代半導體下一波IPO的主力軍。

化合物半導體企業(yè)沖刺IPO的背后

2024年，化合物半導體相關(guān)廠商密集啟動IPO，或與產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展有關(guān)。

碳化硅已在新能源汽車市場實現(xiàn)了大規(guī)模普及應用，并向光儲充、軌道交通、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域加速滲透；氮化鎵在消費電子市場已被大規(guī)模采用，并正在向汽車電子、AI數(shù)據(jù)中心、機器人等場景拓展應用。市場需求的持續(xù)增長，促使化合物半導體相關(guān)廠商急于通過IPO籌集資金，進而更好地開拓市場、把握機遇。

化合物半導體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，讓不少投資機構(gòu)和投資者對產(chǎn)業(yè)前景充滿信心，將相關(guān)廠商視為有價值的投資標的。在此背景下，化合物半導體相關(guān)企業(yè)有望獲得較高的估值，有利于獲得融資。通過上市融資，企業(yè)能夠進一步完善業(yè)務布局。

近年來，國內(nèi)化合物半導體產(chǎn)業(yè)在材料、器件、設備等方面取得了顯著進展，部分廠商實現(xiàn)了從追趕到領(lǐng)先的跨越，這些企業(yè)已經(jīng)具備了登錄資本市場的基礎(chǔ)。而通過上市融資，企業(yè)在技術(shù)研發(fā)方面的彈藥將更加充足，有利于進一步實現(xiàn)技術(shù)突破。

當前，中國正在加速推進半導體產(chǎn)業(yè)鏈的國產(chǎn)化，也包括化合物半導體產(chǎn)業(yè)。歐美和日韓企業(yè)在化合物半導體產(chǎn)業(yè)占據(jù)了先發(fā)優(yōu)勢，國內(nèi)廠商正在奮起直追，各大企業(yè)通過IPO上市有助于壯大國內(nèi)產(chǎn)業(yè)整體實力，進而推動化合物半導體產(chǎn)業(yè)鏈國產(chǎn)化率不斷提升。

國內(nèi)企業(yè)沖刺港交所

縱觀這17家申請IPO的企業(yè)，有13家企業(yè)沖刺A股上市，其中，天岳先進（已于2022年在A股上市）、天域半導體、英諾賽科三家企業(yè)的上市目的地為港交所（H股），這3家企業(yè)另辟蹊徑選擇發(fā)力港交所。

國內(nèi)三家化合物半導體領(lǐng)域的龍頭企業(yè)為何紛紛選擇赴港上市？

2024年，“嚴監(jiān)管”是國內(nèi)資本市場熱點話題之一。新“國九條”提出嚴把發(fā)行上市準入關(guān)，相關(guān)配套制度已陸續(xù)推出。其中，在IPO新規(guī)方面，主板、創(chuàng)業(yè)板上市門檻提高，科創(chuàng)板科創(chuàng)屬性評價標準也進一步完善，IPO政策進一步收緊，意味著企業(yè)上市的難度加大。

天岳先進早已實現(xiàn)A股上市，其選擇港股上市能夠吸引部分國際投資者，從而在一定程度上增強企業(yè)的全球影響力；同時，A+H上市模式增加了企業(yè)融資渠道，公司可以在A股和港股兩個市場同時融資，更好地滿足研發(fā)創(chuàng)新和市場拓展的資金需求。

對于天域半導體、英諾賽科而言，A股IPO上市收緊并且IPO進程時間漫長，不確定性高，而這兩家廠商估值已經(jīng)較高并且國內(nèi)融資市場環(huán)境低迷，選擇港股上市難度相對較小，同時可以為后續(xù)業(yè)績改善后回歸A股提供助力。

隨著監(jiān)管部門對A股IPO全鏈條從嚴監(jiān)管，選擇門檻相對較低的港股或許為企業(yè)上市提供了一個新的選擇。

結(jié)語

未來幾年受終端應用需求增長驅(qū)動，全球碳化硅/氮化鎵產(chǎn)業(yè)上行的趨勢是明朗的，TrendForce集邦咨詢研究報告顯示，碳化硅/氮化鎵功率器件市場規(guī)模呈持續(xù)增長態(tài)勢。但在增長的同時也將伴隨著激烈的競爭，各大廠商通過完成IPO上市，都將在融資、提升品牌影響力等方面獲得一定利好，最終轉(zhuǎn)化為改善業(yè)績的動力。

在部分化合物半導體相關(guān)廠商A股IPO終止的情況下，部分企業(yè)赴港上市成功的利好消息有助于提振其他廠商IPO的信心，未來或?qū)⒂懈嗵蓟?氮化鎵相關(guān)廠商進軍港股，推動企業(yè)及行業(yè)進一步發(fā)展。

A股嚴把IPO入口關(guān)，是為從源頭上提高上市公司質(zhì)量，推動資本市場高質(zhì)量發(fā)展。值得一提的是，4月19日晚間，證監(jiān)會還發(fā)布了《資本市場服務科技企業(yè)高水平發(fā)展的十六項措施》。該文件從上市融資、并購重組、債券發(fā)行、私募投資等多方面為科技型企業(yè)提供精準支持。

盡管新“國九條”收緊了IPO政策，準入門檻提高了，但企業(yè)上市的價值也更高了。2024年下半年，仍然有不少化合物半導體廠商啟動A股IPO，表明部分企業(yè)對A股的熱情仍然較高。2025年的化合物半導體產(chǎn)業(yè)IPO進展幾何，讓我們拭目以待。（文：集邦化合物半導體Zac）

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天岳先進公開2項碳化硅晶棒制備專利

天眼查資料顯示，12月3日，天岳先進公開一項“一種曲率半徑大且分布均勻的4H碳化硅晶棒及制備方法和應用”專利，申請公布號為CN119061481A，申請日期為2024年11月1日。

該專利摘要顯示，本申請公開了一種曲率半徑大且分布均勻的4H碳化硅晶棒及制備方法和應用，屬于4H碳化硅晶棒制備技術(shù)領(lǐng)域。該4H碳化硅晶棒在任意位置處的電阻率均大于12mΩ·cm且小于15mΩ·cm，其切割得到的碳化硅晶片的曲率半徑均大于800m，且切割得到的碳化硅晶片在軸向上曲率半徑分布函數(shù)為CR=ey+fy2+gy3+h。該4H碳化硅晶棒在降低電阻率的同時提高切割所得的碳化硅晶片的曲率半徑，且同一4H碳化硅晶棒制備得到的碳化硅晶片的曲率半徑分布均勻，可顯著提高利用該材料制備得到的器件的穩(wěn)定性。

11月29日，天岳先進還公開一項“一種大尺寸、低電阻4H碳化硅晶棒、低電阻4H碳化硅晶片及制備方法”專利，申請公布號為CN119041030A，申請日期為2024年11月1日。

該專利摘要顯示，本申請公開了一種大尺寸、低電阻4H碳化硅晶棒、低電阻4H碳化硅晶片及制備方法，屬于N型碳化硅單晶材料制備技術(shù)領(lǐng)域。該4H碳化硅晶棒的厚度為15mm以上，所述4H碳化硅晶棒任意位置處的電阻率大于12mΩ·cm且小于15mΩ·cm，且所述4H碳化硅晶棒面內(nèi)的電阻率差值在0.5mΩ·cm以下，所述4H碳化硅晶棒的硅面與碳面的電阻率差值在1mΩ·cm以下。該4H碳化硅晶棒的電阻率低于現(xiàn)有的產(chǎn)品，且面內(nèi)及軸向電阻率分布更均勻，有利于器件整體導通電阻的降低，為提高4H碳化硅晶片質(zhì)量及器件性能提供了新的方案。

在碳化硅業(yè)務進展方面，天岳先進于11月13日發(fā)布了12英寸（300mm）N型碳化硅襯底產(chǎn)品，標志著碳化硅產(chǎn)業(yè)正式邁入超大尺寸碳化硅襯底時代。

超芯星公開碳化硅晶體生長方法專利

12月3日，超芯星公開一項“一種碳化硅晶體的生長方法及生長裝置”專利，申請公布號為CN119061469A，申請日期為2024年8月29日。

該專利摘要顯示，本發(fā)明提供一種碳化硅晶體的生長方法及生長裝置，屬于碳化硅晶體生長領(lǐng)域。碳化硅晶體生長裝置包括長晶爐體，長晶爐體內(nèi)設置有單側(cè)開口的石英管，石英管的開口端部密封安裝有密封件；石英管的生長腔室內(nèi)設置有坩堝組件，坩堝組件具有第一腔室和第二腔室，第二腔室位于第一腔室的內(nèi)側(cè)；坩堝組件具有進氣口、進氣通道、出氣口和出氣通道，進氣通道的進氣端連通氣源，氣源和密封件之間的管路上設置有電動針閥；出氣通道的出氣端連通真空泵，真空泵和密封件之間的管路上設置有電動球閥；密封件上開設有測壓孔，用于外接真空計，真空計連接PID控制器的輸入端，用于調(diào)控生長腔室的壓力；長晶爐體外接有真空系統(tǒng)。

在碳化硅業(yè)務方面，去年7月，超芯星6英寸碳化硅襯底進入美國一流器件廠商，由此成功打入美國市場；同年，超芯星成功研制出8英寸碳化硅襯底；今年7月，超芯星在官微宣布，公司已與國內(nèi)知名下游客戶簽訂了8英寸碳化硅深度戰(zhàn)略合作協(xié)議。為滿足國內(nèi)外市場需求，超芯星計劃將6-8英寸碳化硅襯底的年產(chǎn)量提升至150萬片。（集邦化合物半導體Zac整理）

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TrendForce集邦咨詢最新《2024全球SiC Power Device市場分析報告》顯示，盡管純電動汽車（BEV）銷量增速的明顯放緩已經(jīng)開始影響到碳化硅供應鏈，但作為未來電力電子技術(shù)的重要發(fā)展方向，碳化硅在汽車、可再生能源等功率密度和效率極其重要的應用市場中仍然呈現(xiàn)加速滲透之勢，未來幾年整體市場需求將維持增長態(tài)勢，預估2028年全球碳化硅功率器件市場規(guī)模有望達到91.7億美金（約664億人民幣）。

整體來看，碳化硅市場正處于快速成長階段，規(guī)模經(jīng)濟比任何其他因素更為重要。在此背景下，各大廠商激進投資碳化硅擴張計劃，在全球范圍內(nèi)掀起了一股碳化硅擴產(chǎn)潮，但在瘋狂的產(chǎn)能擴張背后亦隱藏著產(chǎn)能過剩和價格風險。

大規(guī)模擴產(chǎn)潮來襲，全球碳化硅襯底產(chǎn)能爆發(fā)式增長

在被視為碳化硅爆發(fā)元年的2022年，大規(guī)模擴產(chǎn)成為行業(yè)重頭戲，新立項/簽約碳化硅相關(guān)項目超過20個。

2023年，碳化硅賽道擴產(chǎn)熱度依舊居高不下，甚至有愈演愈烈的跡象，不僅有更多廠商加入碳化硅擴產(chǎn)行列，更有巨頭多次出手。據(jù)集邦化合物半導體不完全統(tǒng)計，2023年國內(nèi)共有近40項碳化硅相關(guān)擴產(chǎn)項目啟動，國外企業(yè)也有近20項碳化硅相關(guān)擴產(chǎn)項目已經(jīng)或?qū)⒁涞?。這些項目背后，不乏Wolfspeed、天科合達、天岳先進、南砂晶圓等碳化硅襯底頭部廠商的身影。

時間來到2024年，部分碳化硅襯底大廠在產(chǎn)能擴張方面的比拼愈發(fā)激烈，又有更多大項目進入了落地實施階段或取得了最新進展。

2024年，天科合達、三安光電、同光股份、東尼電子、爍科晶體、羅姆等廠商旗下年產(chǎn)能數(shù)十萬片碳化硅襯底的大項目紛紛披露了最近動態(tài)，其中部分項目已經(jīng)進入了驗收、投產(chǎn)階段，隨著這些項目開始產(chǎn)能爬坡，又將對當前的碳化硅襯底市場供應造成不小的沖擊。

從存量碳化硅襯底項目的建設周期來看，短則1-2年，長則2-3年，一個項目即可完成從簽約落地到量產(chǎn)出貨的全過程。按這個規(guī)律來看，在過去2-3年間新立項的碳化硅襯底項目，大部分都已陸續(xù)投產(chǎn)，且達產(chǎn)產(chǎn)能都較高。

以天科合達為例，目前，天科合達旗下碳化硅襯底生產(chǎn)項目已達5個。除了近期開工的天科合達碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化基地二期項目外，天科合達在北京的現(xiàn)有廠區(qū)為其第三代半導體碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化基地一期項目，已于2022年11月完成了竣工環(huán)境保護自主驗收，年產(chǎn)6英寸碳化硅襯底15萬片；2019年12月，江蘇天科合達碳化硅晶片一期項目建成投產(chǎn)，可年產(chǎn)4-8英寸碳化硅襯底6萬片；2023年8月，江蘇天科合達徐州碳化硅晶片二期項目開工，達產(chǎn)后可實現(xiàn)年產(chǎn)碳化硅襯底16萬片；2024年2月，由天科合達子公司深圳重投天科負責運營的第三代半導體碳化硅材料生產(chǎn)基地在深圳寶安區(qū)啟動，預計今年襯底和外延產(chǎn)能達25萬片。

碳化硅襯底價格戰(zhàn)風起云涌

受良率、成本等方面的影響，碳化硅襯底產(chǎn)能曾經(jīng)是制約碳化硅產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展的一個重要因素。隨著近年來全球碳化硅襯底產(chǎn)能大幅提升，部分業(yè)內(nèi)人士擔心短期內(nèi)碳化硅襯底將出現(xiàn)供過于求現(xiàn)象，曾經(jīng)的短缺局面已經(jīng)一去不復返。

類似的擔心并非空穴來風，碳化硅襯底市場價格的持續(xù)走低已經(jīng)在一定程度上印證了這一點。今年年初，有市場消息稱，國內(nèi)主流6英寸碳化硅襯底報價參照國際市場每片750-800美元（約5400-5800元人民幣）的價格，快速下殺，價格跌幅近三成。

而在近期，據(jù)國內(nèi)市場多位行業(yè)人士透露，2024年中期6英寸碳化硅襯底的價格已跌至500美元以下，到今年第四季度，價格進一步下降至450美元甚至400美元。

對于當前主流的6英寸碳化硅襯底產(chǎn)品價格是否會進一步下探，天岳先進董事長、總經(jīng)理宗艷民近期曾表示，碳化硅襯底價格會下降，一方面是由于技術(shù)的提升和規(guī)模化效應推動襯底成本的下降；另一方面，目前碳化硅襯底價格比硅襯底高，而價格下降有助于下游應用的擴展，推動碳化硅更加廣闊的滲透應用。

宗艷民認為，與其他半導體材料類似，目前國內(nèi)外頭部企業(yè)會根據(jù)市場情況、自身產(chǎn)品、具體客戶等因素綜合考慮定價策略，而部分新進參與者也會通過降價獲得市場，這符合行業(yè)發(fā)展規(guī)律。

不難看出，隨著未來全球存量碳化硅襯底項目產(chǎn)能的進一步釋放，以及部分玩家新增產(chǎn)能的入局，碳化硅襯底的價格仍有一定的下行空間。

對產(chǎn)業(yè)而言，碳化硅襯底價格下探是利好消息，有利于應用范圍擴大和市場規(guī)模提升，但對廠商而言，帶來的更多是壓力。

隨著新能源汽車市場需求疲軟，碳化硅襯底需求也有所縮減。為了爭奪訂單，碳化硅襯底廠商不斷降低價格。如果訂單量足夠大，國內(nèi)碳化硅襯底廠商愿意進一步降低價格。由于國際廠商與客戶大多簽訂了長期供應合約，國內(nèi)廠商的激烈價格戰(zhàn)對他們造成的影響較小，國際供應商的6英寸碳化硅襯底報價維持在750至800美元之間。

探索應對碳化硅襯底價格戰(zhàn)的最優(yōu)解

近期，國內(nèi)碳化硅相關(guān)廠商陸續(xù)發(fā)布了Q3業(yè)績，與部分器件、設備廠商相比，襯底廠商在營收和凈利方面都還有很大的提升空間。

以天岳先進為例，作為全球碳化硅襯底頭部廠商之一，天岳先進Q3實現(xiàn)營收3.69億元，同比下滑4.60%；歸母凈利潤0.41億元，同比增長982.08%；歸母扣非凈利潤0.39億元。

面對價格下滑的趨勢，部分碳化硅襯底廠商希望通過擴大產(chǎn)能搶占更多市場份額進而改善業(yè)績表現(xiàn)，但一味的擴產(chǎn)還將加劇市場競爭，是一把雙刃劍。

面對當前各大廠商整體的設備產(chǎn)能已高于市場實際需求量的現(xiàn)狀，一味的卷產(chǎn)能會增加相關(guān)企業(yè)的資本支出，而對業(yè)績的正面拉動作用并不大，甚至加劇企業(yè)的運營壓力，失去了擴產(chǎn)的意義。

那么，碳化硅襯底廠商能否找到應對價格戰(zhàn)、獲得業(yè)績增量的破局之法？答案是肯定的。在價格下滑的趨勢下，尋求降低生產(chǎn)成本是一個突破口。目前看來，碳化硅襯底降成本主要有兩個值得努力的方向，其一是8英寸轉(zhuǎn)型，其二是良率。

據(jù)悉，8英寸碳化硅襯底更具備綜合成本優(yōu)勢，雖然制備成本增加，但合格芯片產(chǎn)量大幅增加。對下游客戶來說，推動6英寸往8英寸的方向升級，是重要的降本路徑之一。

在今年9月舉行的2024年上半年業(yè)績說明會上，天岳先進相關(guān)人員表示，8英寸產(chǎn)品在客戶端驗證通過后，客戶大多都會選擇往8英寸升級轉(zhuǎn)型。

除了向大尺寸襯底演進之外，碳化硅襯底的生產(chǎn)良率同樣意義重大，在一定程度上決定產(chǎn)品的成本優(yōu)化，有助于碳化硅滲透率提升。

在良率方面，碳化硅襯底廠商能夠通過加大技術(shù)研發(fā)力度和前沿技術(shù)布局，在晶體生長和缺陷控制等核心技術(shù)領(lǐng)域不斷突破技術(shù)瓶頸，提高產(chǎn)品良率，進而持續(xù)降低制備成本。

襯底制備技術(shù)升級迭代已成為各大廠商關(guān)注的焦點，在今年7月8日晚間，天岳先進曾公告，擬以定增募資3億元，用于投資8英寸車規(guī)級碳化硅襯底制備技術(shù)提升項目。

在國內(nèi)碳化硅襯底市場競爭日趨激烈的情況下，有業(yè)內(nèi)人士透露，國內(nèi)碳化硅襯底廠商也在積極拓展海外業(yè)務，盡管國際報價高于國內(nèi)，但仍遠低于國際市場平均水平。

經(jīng)過多年深耕，部分國內(nèi)廠商的碳化硅襯底在技術(shù)和品質(zhì)方面已達到國際生產(chǎn)水準，疊加在價格方面具有一定的競爭力，為國內(nèi)廠商打入國際功率器件大廠供應鏈創(chuàng)造了條件。2023年，天岳先進、天科合達和三安光電與博世、英飛凌、意法半導體等達成了一系列戰(zhàn)略合作。未來，面臨價格戰(zhàn)的國內(nèi)碳化硅襯底廠商將加速出海。

總結(jié)

在向新能源汽車、光儲充等應用領(lǐng)域持續(xù)滲透的同時，伴隨著AI浪潮席卷全球，碳化硅在數(shù)據(jù)中心等新興場景的應用能見度正在持續(xù)提升，有望成為碳化硅產(chǎn)業(yè)新的增量市場，為包括襯底企業(yè)在內(nèi)的碳化硅廠商創(chuàng)造更多緩解價格戰(zhàn)緊張局面的機會。

在碳化硅襯底市場競爭激烈的情況下，已進入國際功率器件大廠供應鏈的頭部襯底企業(yè)憑借技術(shù)優(yōu)勢和市場影響力更有可能保持穩(wěn)定的出貨量、價格和利潤，而中小襯底廠商在運營壓力下有可能被淘汰，碳化硅襯底細分賽道有可能會迎來一波整合兼并潮。

有消息顯示，國內(nèi)襯底企業(yè)的6英寸以及8英寸產(chǎn)品，無論是從產(chǎn)品的質(zhì)量、產(chǎn)能還是價格，都已經(jīng)具備了明顯的競爭力。預計未來幾年，國內(nèi)頭部襯底企業(yè)將成為國際市場8英寸襯底的主要供應商，市場占比遠超目前的6英寸。國產(chǎn)碳化硅襯底，未來可期。（文：集邦化合物半導體Zac）

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