該項(xiàng)目總投資120億元，建設(shè)一條以SiC-MOSEFET為主要產(chǎn)品的8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線，建成后將形成年產(chǎn)72萬(wàn)片8英寸碳化硅功率器件芯片的生產(chǎn)能力。

該項(xiàng)目分兩期建設(shè)，其中，一期項(xiàng)目總投資70億元，新增8英寸SiC芯片3.5萬(wàn)片/月的生產(chǎn)能力，二期投資規(guī)模約50億元，新增8英寸SiC芯片2.5萬(wàn)片/月的生產(chǎn)能力。

據(jù)“今日海滄”介紹，該項(xiàng)目一期預(yù)計(jì)2025年三季度末初步通線，2025年四季度試生產(chǎn)，達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)42萬(wàn)片

據(jù)悉，項(xiàng)目建成后將極大提升士蘭微碳化硅芯片制造能力，較好滿足國(guó)內(nèi)新能源汽車所需的碳化硅芯片需求，并有能力向光伏、儲(chǔ)能、充電樁等功率逆變產(chǎn)品提供高性能的碳化硅芯片。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

當(dāng)前，盡管市場(chǎng)上的SiC尺寸仍以6英寸為主，但國(guó)內(nèi)廠商都在積極布局8英寸。無(wú)獨(dú)有偶，國(guó)內(nèi)另一個(gè)8英寸碳化硅項(xiàng)目也于近日迎來新的進(jìn)展，即中晶芯源宣布8英寸SiC北方基地正式投產(chǎn)。

2023年，南砂晶圓在山東濟(jì)南成立山東中晶芯源半導(dǎo)體科技有限公司（簡(jiǎn)稱“中晶芯源”），建設(shè)8英寸碳化硅北方基地。根據(jù)規(guī)劃，該項(xiàng)目總投資額15億元，將建設(shè)一個(gè)8英寸碳化硅襯底的生產(chǎn)基地，預(yù)計(jì)2025年實(shí)現(xiàn)滿產(chǎn)達(dá)產(chǎn)。

今年3月，南砂晶圓總經(jīng)理王垚浩表示，該公司正在積極擴(kuò)產(chǎn)濟(jì)南廠區(qū)，計(jì)劃將中晶芯源項(xiàng)目打造成為全國(guó)最大的8英寸SiC襯底生產(chǎn)基地，計(jì)劃于2025年實(shí)現(xiàn)滿產(chǎn)達(dá)產(chǎn)。

除上述兩家廠商外，國(guó)內(nèi)不少企業(yè)都在加速布局8英寸碳化硅賽道，如三安光電、天科合達(dá)、天岳先進(jìn)、芯聯(lián)集成、青禾晶元、合盛硅業(yè)、乾晶半導(dǎo)體、同光股份、科友半導(dǎo)體等。

其中，青禾晶元于今年4月宣布，成功制備了8英寸SiC鍵合襯底。同時(shí)，芯聯(lián)集成的8英寸SiC工程批已順利下線、科友半導(dǎo)體也正在與俄羅斯N公司開展“8英寸SiC完美籽晶”項(xiàng)目合作。（文：全球半導(dǎo)體觀察）

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