source：士蘭微

“士蘭明鎵6英寸SiC功率器件芯片生產(chǎn)線”項目：產(chǎn)能釋放

截至目前，士蘭明鎵已形成月產(chǎn)9,000片6吋SiC MOS芯片的生產(chǎn)能力?；谑刻m微自主研發(fā)的Ⅱ代 SiC-MOSFET 芯片生產(chǎn)的電動汽車主電機(jī)驅(qū)動模塊在4家國內(nèi)汽車廠家累計出貨量5萬只，隨著6吋SiC芯片生產(chǎn)線產(chǎn)能釋放，已實現(xiàn)大批量生產(chǎn)和交付。

目前，士蘭微已完成第Ⅳ代平面柵SiC-MOSFET 技術(shù)的開發(fā)，性能指標(biāo)接近溝槽柵SiC器件的水平。第Ⅳ代SiC芯片與模塊已送客戶評測，基于第Ⅳ代SiC芯片的功率模塊預(yù)計將于2025年上量。

“士蘭集宏8英寸SiC功率器件芯片生產(chǎn)線”項目：實現(xiàn)通線

截至目前，士蘭集宏8吋SiC mini line已實現(xiàn)通線，士蘭微Ⅱ代SiC芯片已在8吋mini line上試流片成功，其參數(shù)與士蘭微6吋產(chǎn)品匹配，良品率明顯高于6吋。

士蘭集宏主廠房及其他建筑物已全面封頂，正在進(jìn)行凈化裝修，預(yù)計將在2025年4季度實現(xiàn)全面通線并試生產(chǎn)，以趕上2026年車用SiC市場的快速成長。

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公開資料顯示，士蘭集宏項目達(dá)產(chǎn)后可滿足國內(nèi)40%以上的車規(guī)級SiC芯片需求，并帶動上下游產(chǎn)業(yè)鏈集聚廈門，加速第三代半導(dǎo)體材料、設(shè)備國產(chǎn)化進(jìn)程。

士蘭微的SiC突圍戰(zhàn)

士蘭微成立于1997年，總部坐落于杭州高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)，聚焦集成電路芯片設(shè)計及半導(dǎo)體微電子相關(guān)產(chǎn)品生產(chǎn)。作為國內(nèi)集成電路設(shè)計行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)，士蘭微已掌握多項核心技術(shù)，產(chǎn)品涵蓋功率半導(dǎo)體、傳感器、MCU和LED等多個領(lǐng)域。公司采用IDM模式，實現(xiàn)從設(shè)計到制造的全產(chǎn)業(yè)鏈整合。

士蘭微近年來在碳化硅（SiC）領(lǐng)域加速布局，不僅在產(chǎn)能上采取“雙線作戰(zhàn)”模式：6英寸上量，快速響應(yīng)市場需求；8英寸沖刺，瞄準(zhǔn)未來車規(guī)級芯片市場；還通過多輪增資優(yōu)化資本結(jié)構(gòu)，如將子公司“士蘭集宏”注冊資本增至42.1億元，與廈門半導(dǎo)體共同增資16億元擴(kuò)建士蘭集科等。

在業(yè)績上，根據(jù)2024年度業(yè)績預(yù)告，士蘭微2024年業(yè)績實現(xiàn)了同比扭虧為盈，預(yù)計2024年度實現(xiàn)歸屬于母公司所有者的凈利潤為1.5億元到1.9億元。

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目前，士蘭微產(chǎn)品覆蓋汽車主驅(qū)模塊、光伏逆變器等高端領(lǐng)域，客戶包括比亞迪、匯川、吉利等頭部廠商。

從產(chǎn)能建設(shè)到技術(shù)突破，從產(chǎn)品矩陣到客戶體系，士蘭微的SiC突圍戰(zhàn)精準(zhǔn)發(fā)力，以創(chuàng)新驅(qū)動破局。隨著全球新能源汽車市場的持續(xù)爆發(fā)式增長以及光儲行業(yè)的蓬勃興起，士蘭微也迎來了新的發(fā)展機(jī)遇。

本次公告中士蘭微也進(jìn)一步表明，將加快實施“一體化”戰(zhàn)略，持續(xù)加大對模擬電路、功率半導(dǎo)體、MEMS 傳感器、包括 SiC、GaN在內(nèi)的第三代化合物半導(dǎo)體等方面的投入。（集邦化合物半導(dǎo)體 妮蔻 整理）

據(jù)悉，士蘭集宏項目總投資120億元，分兩期建設(shè)，總建筑面積達(dá)23.45萬㎡，一期投資70億元，預(yù)計2025年四季度初步通線、2026年一季度試生產(chǎn)，達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)能42萬片8英寸SiC芯片；二期投產(chǎn)后總產(chǎn)能將提升至72萬片/年，成為全球規(guī)模領(lǐng)先的8英寸SiC功率器件產(chǎn)線。

該項目以SiC MOSFET為核心產(chǎn)品，主要服務(wù)于新能源汽車主驅(qū)逆變器、光伏逆變器、智能電網(wǎng)等高需求領(lǐng)域。

公開資料顯示，士蘭集宏項目達(dá)產(chǎn)后可滿足國內(nèi)40%以上的車規(guī)級SiC芯片需求，并帶動上下游產(chǎn)業(yè)鏈集聚廈門，加速第三代半導(dǎo)體材料、設(shè)備國產(chǎn)化進(jìn)程。

碳化硅市場現(xiàn)狀：產(chǎn)能擴(kuò)張引價格波動，資本追捧熱度不減

近年來，全球碳化硅襯底產(chǎn)能大幅提升，這在一定程度上導(dǎo)致了供過于求的現(xiàn)象。

行業(yè)多方消息顯示，碳化硅襯底市場價格在2024年中期，6英寸碳化硅襯底的價格已跌至500美元以下，到2024年第四季度，價格進(jìn)一步下降至450美元，并還在持續(xù)走低。?價格的下降一方面是由于技術(shù)提升和規(guī)?；?yīng)推動成本降低，另一方面也是為了促進(jìn)下游應(yīng)用的擴(kuò)展。在這種市場環(huán)境下，各大碳化硅襯底廠商均在加碼推進(jìn)技術(shù)突破，以獲得更高的市場份額。

回顧2024年，我國就有超100家企業(yè)在碳化硅領(lǐng)域進(jìn)行布局，其中2024年就有超50個碳化硅項目迎來最新進(jìn)展，涉及的企業(yè)包括三安半導(dǎo)體、天科合達(dá)、重投天科、天岳先進(jìn)、晶盛機(jī)電、同光股份、東尼電子、科友半導(dǎo)體等。其中合盛新材多家企業(yè)在8英寸襯底、外延、晶體生長以及設(shè)備等多領(lǐng)域的突破值得關(guān)注。

在襯底方面，國外多家大廠已與我國天科合達(dá)、天岳先進(jìn)等企業(yè)簽訂了長期供貨協(xié)議。
多方行業(yè)人士表示，中國的碳化硅企業(yè)特別是在襯底制備領(lǐng)域，國內(nèi)襯底企業(yè)的6英寸以及8英寸產(chǎn)品，無論是從產(chǎn)品的質(zhì)量、產(chǎn)能還是價格，都已經(jīng)具備了明顯的競爭力。預(yù)計未來幾年，國內(nèi)頭部襯底企業(yè)將成為國際市場8英寸襯底的主要供應(yīng)商，市場占比遠(yuǎn)超目前的6英寸。

盡管市場存在價格波動等挑戰(zhàn)，但碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈仍持續(xù)受到資本追捧。

據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體數(shù)據(jù)顯示，2024年以來，碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈就有44家公司獲得融資。其中廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司、蘇州悉智科技有限公司等7家公司在年內(nèi)均已完成兩輪融資。?從國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈來看，襯底、器件、設(shè)備等細(xì)分領(lǐng)域均有企業(yè)完成新一輪融資。在產(chǎn)業(yè)擴(kuò)產(chǎn)浪潮中，設(shè)備領(lǐng)域相關(guān)企業(yè)由于率先受益于產(chǎn)線建設(shè)需求，獲得了投資機(jī)構(gòu)的加碼，2024 年有近半數(shù)的融資事件發(fā)生在該領(lǐng)域。

邁入2025年，忱芯科技、芯暉裝備、伏爾肯、易星新材料、翠展微電子、青禾晶元、純水一號、聚芯半導(dǎo)體、中江新材料、臻驅(qū)科技、瞻芯電子等超10家企業(yè)獲得新一輪融資，公開披露的融資金額總計超30億元。

總體而言，我國碳化硅產(chǎn)業(yè)近年來發(fā)展迅速，市場規(guī)模不斷擴(kuò)大，其中在上游碳化硅襯底和外延制備技術(shù)方面取得了顯著進(jìn)展，不斷縮小與國際先進(jìn)水平的差距，而在中游器件和模塊制造環(huán)節(jié)與國際大廠還存在較大差距。

目前我國有披露相關(guān)投產(chǎn)動態(tài)的8英寸碳化硅器件產(chǎn)線主要是士蘭微、芯聯(lián)集成、湖南三安、方正微四條產(chǎn)線。?其中士蘭微電子8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線（一期）已全面封頂，安意法半導(dǎo)體8英寸碳化硅項目也在近日實現(xiàn)了通線投產(chǎn)；芯聯(lián)集成的8英寸碳化硅器件研發(fā)產(chǎn)線已于2024年通線；湖南三安投產(chǎn)在即，將正式轉(zhuǎn)型為8英寸SiC垂直整合制造商；方正微電子的Fab2的8英寸碳化硅生產(chǎn)線已于2024年底通線，2025年，方正微電子將具備年產(chǎn)16.8萬片車規(guī)級碳化硅MOS的生產(chǎn)能力。

而在技術(shù)層面，碳化硅功率器件技術(shù)仍在不斷發(fā)展完善。例如，在芯片封裝與測試方面，目前碳化硅芯片仍主要沿用硅基半導(dǎo)體技術(shù)，難以滿足其自身發(fā)展需求，急需創(chuàng)新。

在市場競爭方面，隨著越來越多的企業(yè)入局碳化硅產(chǎn)業(yè)，行業(yè)競爭日益激烈。企業(yè)不僅要在技術(shù)創(chuàng)新上發(fā)力，以提升產(chǎn)品性能、降低成本，還要注重產(chǎn)業(yè)鏈上下游的協(xié)同合作，提前開展技術(shù)合作，共同應(yīng)對市場挑戰(zhàn)。

01、2024年實現(xiàn)同比扭虧為盈

財報數(shù)據(jù)顯示，士蘭微2024年業(yè)績實現(xiàn)了同比扭虧為盈，預(yù)計2024年度實現(xiàn)歸屬于母公司所有者的凈利潤為1.5億元到1.9億元，扣除非經(jīng)常性損益后的凈利潤為1.84億元到2.24億元，與上年同期相比，將增加1.25億元到1.65億元，同比增長212.39%到280.31%。

source：士蘭微

財報據(jù)悉，士蘭微業(yè)績增長主要得益于多方面發(fā)力。在產(chǎn)品與市場領(lǐng)域，公司憑借不斷推出的競爭力強(qiáng)的產(chǎn)品，大力開拓大型白電、通訊、工業(yè)、新能源、汽車等高門檻市場，實現(xiàn)產(chǎn)品出貨量大幅增長，進(jìn)而帶動總體營收快速上升。

報告期內(nèi)，士蘭微已安排技改資金進(jìn)一步提升8英寸線MEMS芯片產(chǎn)能、12英寸線IGBT芯片和模擬電路芯片產(chǎn)能。公司預(yù)計2025年5、6、8、12英寸芯片生產(chǎn)線將繼續(xù)保持較高的產(chǎn)出水平。

此外士蘭微還在加快子公司士蘭明鎵6吋SiC芯片生產(chǎn)線產(chǎn)能建設(shè)，目前士蘭明鎵已具備月產(chǎn)0.9萬片SiC MOSFET芯片的生產(chǎn)能力。技術(shù)研發(fā)進(jìn)展上，公司已完成了第Ⅲ代、第Ⅳ代平面柵SiC MOSFET芯片的開發(fā)，性能指標(biāo)達(dá)到業(yè)內(nèi)同類器件結(jié)構(gòu)的先進(jìn)水平。基于公司Ⅱ代SiC MOSFET芯片生產(chǎn)的電動汽車主電機(jī)驅(qū)動模塊，已實現(xiàn)向下游汽車用戶批量供貨；基于公司Ⅳ代SiC MOSFET芯片生產(chǎn)的電動汽車主電機(jī)驅(qū)動模塊已在客戶端驗證，預(yù)計2025年實現(xiàn)批量供貨。

02、廈門項目建設(shè)穩(wěn)步推進(jìn)

士蘭微在廈門的8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目備受行業(yè)關(guān)注。該項目由杭州士蘭微電子與廈門半導(dǎo)體投資集團(tuán)有限公司、廈門新翼科技實業(yè)有限公司共同向廈門士蘭集宏半導(dǎo)體有限公司增資建設(shè)，項目總投資額為120億元人民幣，位于廈門市海滄區(qū)，分兩期建設(shè)。

一期總投資70億元，建筑面積18.7萬平方米，建設(shè)主廠房、動力中心、測試中心等設(shè)施；二期投資50億元。

目前項目正在加速推進(jìn)，截至2025年1月，項目正在進(jìn)行上部結(jié)構(gòu)施工，預(yù)計將在2025年一季度封頂，四季度末初步通線，2026年一季度進(jìn)行試生產(chǎn)。一期項目達(dá)產(chǎn)后，預(yù)計年產(chǎn)42萬片8英寸碳化硅功率器件芯片，預(yù)計年產(chǎn)值達(dá)67億；兩期全部建成投產(chǎn)后，將形成年72萬片8英寸碳化硅功率器件芯片的生產(chǎn)能力。

03、2024年增資擴(kuò)產(chǎn)、技術(shù)合作等動態(tài)不斷

回顧2024年，士蘭微還進(jìn)行了項目增資擴(kuò)產(chǎn)、擴(kuò)大技術(shù)合作、加大市場合作等動態(tài)。9月11日，士蘭微公告擬與廈門半導(dǎo)體投資集團(tuán)有限公司共同出資16億元，認(rèn)繳廈門士蘭集科微電子有限公司新增注冊資本，士蘭微出資8億元，增資完成后持股增至27.447%，為士蘭集科12英寸集成電路芯片生產(chǎn)線的建設(shè)和運(yùn)營提供資金保障。9月24日，士蘭微與廈門半導(dǎo)體等多方簽署《8英寸sic功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目之投資合作補(bǔ)充協(xié)議》，廈門士蘭集宏半導(dǎo)體有限公司注冊資本將增至42.1億元，士蘭微持股比例降至25.18%，進(jìn)一步完善在車規(guī)級高端功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的戰(zhàn)略布局。

2024年上半年，士蘭微基于自主研發(fā)的V代IGBT和FRD芯片的電動汽車主電機(jī)驅(qū)動模塊，在比亞迪、吉利、零跑、廣汽等國內(nèi)外多家客戶實現(xiàn)批量供貨，用于汽車的IGBT器件（單管）、MOSFET器件（單管）等也實現(xiàn)大批量出貨。另外，在2025年開年的1月，士蘭微電子與清純半導(dǎo)體加深合作，雙方將圍繞新品規(guī)劃、產(chǎn)品量產(chǎn)和8英寸產(chǎn)線建設(shè)深化合作。（集邦化合物半導(dǎo)體竹子）

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安意法半導(dǎo)體8英寸碳化硅項目預(yù)計2月底實現(xiàn)通線投產(chǎn)

近日據(jù)西永微電園官微消息，在西部（重慶）科學(xué)城微電園，安意法半導(dǎo)體8英寸碳化硅外延、芯片項目正在進(jìn)行最后的設(shè)備安裝調(diào)試。隨著設(shè)備的調(diào)試完成，預(yù)計到2025年2月底，生產(chǎn)線將通線并開始投片生產(chǎn)，并將在三季度末實現(xiàn)大規(guī)模的批量生產(chǎn)。

soruce：西永微電園

據(jù)悉，這條8英寸碳化硅襯底和晶圓制造線，投產(chǎn)后將為新能源汽車、電力網(wǎng)、鐵路運(yùn)輸?shù)阮I(lǐng)域提供基于碳化硅的產(chǎn)品。

安意法半導(dǎo)體8英寸碳化硅項目是三安光電和意法半導(dǎo)體在重慶合資建設(shè)的8英寸碳化硅芯片廠，該項目預(yù)計投資總額達(dá)32億美元（約233.6億人民幣），規(guī)劃年產(chǎn)8英寸碳化硅車規(guī)級MOSFET功率芯片48萬片，預(yù)計將于2028年全面達(dá)產(chǎn)。

隨著安意法半導(dǎo)體項目建成投產(chǎn)，有助于滿足新能源汽車市場日益增長的碳化硅功率器件產(chǎn)品需求，三安光電也有望借助該項目進(jìn)一步加強(qiáng)車用碳化硅細(xì)分領(lǐng)域布局。

士蘭集宏8英寸碳化硅芯片項目預(yù)計2026年一季度試生產(chǎn)

1月2日，據(jù)廈門日報消息，士蘭微旗下士蘭集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目又有新進(jìn)展。目前該項目一期正在進(jìn)行上部結(jié)構(gòu)施工，預(yù)計將在2025年一季度封頂，四季度末初步通線，2026年一季度進(jìn)行試生產(chǎn)。

據(jù)悉，該項目總投資120億元，總建筑面積23.45萬平方米，分兩期建設(shè)。其中，一期項目總投資70億元，達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)42萬片8英寸碳化硅功率器件芯片。兩期全部建成投產(chǎn)后，將形成年產(chǎn)72萬片8英寸碳化硅功率器件芯片的生產(chǎn)能力。

碳化硅芯片目前已被廣泛應(yīng)用在新能源汽車、光儲充、軌道交通以及智能電網(wǎng)等領(lǐng)域，其中，新能源汽車是當(dāng)前碳化硅芯片最大規(guī)模的應(yīng)用市場。士蘭集宏8英寸碳化硅芯片項目建成后，一方面有助于提升士蘭微碳化硅芯片制造能力，另一方面可以滿足國內(nèi)新能源汽車所需的碳化硅芯片需求，并有望向更多應(yīng)用領(lǐng)域提供碳化硅芯片產(chǎn)品。

國內(nèi)廠商加速進(jìn)擊8英寸

當(dāng)前，國內(nèi)外碳化硅相關(guān)廠商正在將更多資源向8英寸細(xì)分領(lǐng)域傾斜，尤其是部分國際功率器件大廠，紛紛拿出了8英寸發(fā)展規(guī)劃。

其中，英飛凌位于馬來西亞居林的8英寸碳化硅功率半導(dǎo)體晶圓廠一期項目已啟動運(yùn)營，預(yù)計2025年可實現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)；安森美位于韓國富川的碳化硅晶圓廠計劃于2025年完成相關(guān)技術(shù)驗證后過渡到8英寸生產(chǎn)；羅姆預(yù)計在2025年量產(chǎn)8英寸碳化硅晶圓；三菱電機(jī)位于日本熊本縣正在建設(shè)的8英寸碳化硅晶圓廠將于2025年11月開始運(yùn)營。

不難看出，2025年以及2026年將是全球8英寸碳化硅芯片廠試產(chǎn)以及量產(chǎn)爬坡的關(guān)鍵年，而國內(nèi)的安意法以及士蘭微8英寸碳化硅芯片項目等也將在同一時間段和全球多座8英寸碳化硅晶圓廠一起推動8英寸碳化硅時代的到來。

受國內(nèi)外功率器件廠商8英寸碳化硅晶圓廠良好的發(fā)展形勢帶動，國內(nèi)碳化硅相關(guān)企業(yè)似乎加快了進(jìn)軍8英寸的腳步。在2024年末，在碳化硅材料、器件、設(shè)備等各個細(xì)分領(lǐng)域，國內(nèi)企業(yè)紛紛傳出關(guān)于8英寸的喜訊。

在材料領(lǐng)域，金信新材料芯片用8英寸碳化硅晶錠項目完成研發(fā)，通過了行業(yè)專家驗證；超芯星完成了新廠房的整體搬遷，接下來將開啟8英寸碳化硅單晶襯底的批量化生產(chǎn)。

在器件領(lǐng)域，安意法和士蘭微兩個投資額超百億的8英寸碳化硅芯片項目披露了投產(chǎn)時間表，將在未來與海外一眾8英寸碳化硅芯片廠同臺競技。

在設(shè)備領(lǐng)域，中導(dǎo)光電成功獲得國內(nèi)功率半導(dǎo)體頭部客戶的8英寸碳化硅晶圓缺陷檢測設(shè)備訂單，進(jìn)一步推動了8英寸碳化硅設(shè)備的國產(chǎn)化進(jìn)程。

國內(nèi)有著規(guī)模最大的碳化硅應(yīng)用市場，產(chǎn)業(yè)鏈條也正在持續(xù)完善，疊加各類產(chǎn)投基金的支持，假以時日，國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)將完成從追趕到超越的轉(zhuǎn)變。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Zac）

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圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體觀察，今年以來，除士蘭微外，還有長光華芯、三安光電、格芯、X-fab等多家第三代半導(dǎo)體相關(guān)廠商獲得了不同金額的政府補(bǔ)助。

其中，長光華芯在9月9日發(fā)布公告稱，公司及全資子公司截至本公告披露之日，共獲得政府補(bǔ)助款項共計人民幣1127.40萬元，其中與收益相關(guān)的政府補(bǔ)助1117.40萬元，與資產(chǎn)相關(guān)的政府補(bǔ)助10萬元。

三安光電在10月7日發(fā)布公告稱，2024年7月1日至2024年9月29日，三安光電及下屬子公司收到與收益相關(guān)、未履行信息披露義務(wù)且未達(dá)披露標(biāo)準(zhǔn)的政府補(bǔ)助款約1040萬元。

12月4日，據(jù)GlobalFoundries（格芯）官網(wǎng)消息，其又從美國政府獲得了950萬美元（約7000萬人民幣）的聯(lián)邦資助，用于推進(jìn)其位于美國佛蒙特州埃塞克斯交界的工廠的硅基氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體的生產(chǎn)。

隨后在12月5日，據(jù)外媒報道，美國《CHIPS法案》最后階段繼續(xù)為半導(dǎo)體工廠提供補(bǔ)助，其中將向比利時X-fab公司運(yùn)營的位于德克薩斯州拉伯克的碳化硅功率器件工廠提供5000萬美元（約3.65億人民幣）補(bǔ)助。

對于企業(yè)而言，獲得政府補(bǔ)助有多個方面的積極意義。補(bǔ)助資金可以作為企業(yè)的收入來源，增加利潤，帶來財務(wù)層面的積極影響；同時，補(bǔ)助資金可以用于市場拓展活動，幫助企業(yè)提升品牌知名度和市場份額，也可以用于支持新技術(shù)、新產(chǎn)品的研發(fā)，推動技術(shù)創(chuàng)新，增強(qiáng)市場競爭力。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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根據(jù)相關(guān)環(huán)保網(wǎng)文件顯示，該項目依托現(xiàn)有廠房，新增一條SiC產(chǎn)線，主要生產(chǎn)SiC功率芯片產(chǎn)品。

項目新增SiC產(chǎn)能規(guī)模為MOSFET芯片28.8萬片/年、SBD芯片28.8萬片/年，同時減少GaN外延的藍(lán)綠光LED芯片57.6萬片/年（其外延產(chǎn)能不變，多余外延片外售）、總共為芯片產(chǎn)能672萬片（等效2吋）。

據(jù)了解，該項目為士蘭明鎵二期項目。

source：士蘭明鎵

2017年12月18日，士蘭微與廈門半導(dǎo)體投資集團(tuán)在廈門簽署了投資合作協(xié)議，雙方合作在廈門市海滄區(qū)建設(shè)一條4/6吋兼容的化合物半導(dǎo)體生產(chǎn)線，總投資50億元，其中一期總投資20億元，二期總投資30億元。項目由雙方參股公司士蘭明鎵負(fù)責(zé)建設(shè)。

截至2021年底，士蘭明鎵已完成第一期20億元的投資，形成了每月7.2萬片4英寸GaN和GaAS高端LED芯片的產(chǎn)能。

2022年7月，士蘭微發(fā)布公告稱，子公司士蘭明鎵啟動化合物半導(dǎo)體第二期建設(shè)，即實施”SiC功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項目”。士蘭明鎵擬建設(shè)一條6吋SiC功率器件芯片生產(chǎn)線，項目總投資為15億元，建設(shè)周期3年，最終形成年產(chǎn)14.4萬片6吋SiC功率器件芯片的產(chǎn)能（主要產(chǎn)品為SiC MOSFET、SiC SBD）。

值得一提的是，同在廈門市滄海區(qū)，士蘭微還布局了8英寸碳化硅產(chǎn)線。2024年5月21日，廈門市人民政府、廈門市海滄區(qū)人民政府與杭州士蘭微電子股份有限公司在廈門共同簽署了《戰(zhàn)略合作框架協(xié)議》。

按照協(xié)議約定，各方合作在廈門市海滄區(qū)建設(shè)一條以SiC MOSEFET為主要產(chǎn)品的8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線。source：士蘭微該項目分兩期建設(shè)，項目一期投資規(guī)模70億元，二期投資規(guī)模約50億元，兩期建設(shè)完成后，將在廈門市海滄區(qū)形成8英寸碳化硅功率器件芯片年產(chǎn)72萬片的生產(chǎn)能力。

項目于今年6月18日開工，一期預(yù)計將于2025年三季度末初步通線，四季度試生產(chǎn)。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）

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時代電氣Q3實現(xiàn)營收59.73億元，具備年產(chǎn)2.5萬片6英寸碳化硅產(chǎn)能

10月31日晚間，時代電氣公布了2024年第三季度報告。2024年Q3，時代電氣實現(xiàn)營收59.73億元，同比增長8.10%；歸母凈利潤9.94億元，同比增長10.61%；歸母扣非凈利潤8.89億元，同比增長18.27%。

9月10日，時代電氣參加投資者調(diào)研活動，披露了其在功率半導(dǎo)體、信號系統(tǒng)、電驅(qū)系統(tǒng)等業(yè)務(wù)上的最新進(jìn)展情況。在碳化硅業(yè)務(wù)方面，時代電氣表示，其目前具備年產(chǎn)2.5萬片6英寸碳化硅的產(chǎn)能，并已發(fā)布基于碳化硅器件的電驅(qū)系統(tǒng)，預(yù)計今年形成銷售，明年實現(xiàn)批量推廣。

在碳化硅產(chǎn)線建設(shè)方面，時代電氣子公司中車時代半導(dǎo)體早在2017年就建成了國內(nèi)首條4/6英寸兼容碳化硅芯片中試線，并在軌道交通領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)批量應(yīng)用。目前，中車時代半導(dǎo)體正在建設(shè)8英寸碳化硅產(chǎn)線。

盛美上海Q3實現(xiàn)營收15.73億元，已推出6/8英寸化合物半導(dǎo)體產(chǎn)品線

10月31日晚間，盛美上海公布了2024年第三季度報告。2024年Q3，盛美上海實現(xiàn)營收15.73億元，同比增長37.96%；歸母凈利潤3.15億元，同比增長35.09%；歸母扣非凈利潤3.06億元，同比增長31.41%。

盛美上海致力于為集成電路行業(yè)提供設(shè)備及工藝解決方案，包括清洗設(shè)備、半導(dǎo)體電鍍設(shè)備、立式爐管系列設(shè)備、前道涂膠顯影Track設(shè)備、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PECVD設(shè)備、無應(yīng)力拋光設(shè)備、后道先進(jìn)封裝工藝設(shè)備以及硅材料襯底制造工藝設(shè)備等。

在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域，盛美上海推出了6/8英寸化合物半導(dǎo)體濕法工藝產(chǎn)品線，以支持化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的工藝應(yīng)用，包括碳化硅、氮化鎵和砷化鎵等。

中瓷電子Q3實現(xiàn)營收6.64億元，業(yè)務(wù)涵蓋碳化硅功率模塊

10月31日晚間，中瓷電子公布了2024年第三季度報告。2024年Q3，中瓷電子實現(xiàn)營收6.64億元，同比增長2.97%；歸母凈利潤1.57億元，同比增長28.67%；歸母扣非凈利潤1.40億元，同比增長88.72%。

中瓷電子業(yè)務(wù)分為化合物半導(dǎo)體器件及模塊、電子陶瓷材料及元件兩大方面，化合物半導(dǎo)體器件及模塊業(yè)務(wù)又分為氮化鎵通信基站射頻芯片與器件、碳化硅功率模塊及其應(yīng)用兩部分。

在氮化鎵領(lǐng)域，中瓷電子氮化鎵通信基站射頻芯片與器件在通信基站中主要用于移動通信基站發(fā)射鏈路，實現(xiàn)對通信射頻信號的功率放大；在碳化硅領(lǐng)域，中瓷電子中低壓碳化硅功率產(chǎn)品主要應(yīng)用于新能源汽車、工業(yè)電源、新能源逆變器等領(lǐng)域，高壓碳化硅功率產(chǎn)品瞄準(zhǔn)智能電網(wǎng)、動力機(jī)車、軌道交通等應(yīng)用領(lǐng)域。

士蘭微Q3實現(xiàn)營收28.89億元，士蘭明鎵已具備月產(chǎn)0.9萬片碳化硅芯片產(chǎn)能

10月31日晚間，士蘭微公布了2024年第三季度報告。2024年Q3，士蘭微實現(xiàn)營收28.89億元，同比增長19.22%；歸母凈利潤0.54億元；歸母扣非凈利潤0.14億元，同比下滑34.21%。

第三季度，士蘭微子公司士蘭集成5、6英寸芯片生產(chǎn)線、子公司士蘭集昕8英寸芯片生產(chǎn)線、重要參股企業(yè)士蘭集科12英寸芯片生產(chǎn)線均保持滿負(fù)荷生產(chǎn)，士蘭微預(yù)計4季度5、6、8、12英寸芯片生產(chǎn)線將繼續(xù)保持滿產(chǎn)。

第三季度，士蘭微加快子公司士蘭明鎵6英寸碳化硅芯片生產(chǎn)線產(chǎn)能建設(shè)，截至目前士蘭明鎵已具備月產(chǎn)0.9萬片碳化硅芯片的生產(chǎn)能力；士蘭微將進(jìn)一步增加對6英寸碳化硅芯片生產(chǎn)線投入，加快其產(chǎn)品結(jié)構(gòu)升級。

拉普拉斯Q3實現(xiàn)營收17.61億元，同比增長377.17%

10月31日晚間，拉普拉斯公布了2024年第三季度報告。2024年Q3，拉普拉斯實現(xiàn)營收17.61億元，同比增長377.17%；歸母凈利潤2.24億元，同比增長1176.37%；歸母扣非凈利潤2.06億元，同比增長2290.74%。

拉普拉斯是一家高效光伏電池片核心工藝設(shè)備及解決方案提供商，主營業(yè)務(wù)為光伏電池片制造所需高性能熱制程、鍍膜及配套自動化設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，并可為客戶提供半導(dǎo)體分立器件設(shè)備和配套產(chǎn)品及服務(wù)。

拉普拉斯半導(dǎo)體分立器件設(shè)備產(chǎn)品包括碳化硅基半導(dǎo)體器件用超高溫氧化爐和碳化硅基半導(dǎo)體器件用超高溫退火爐。

華潤微Q3實現(xiàn)營收27.11億元，已建成8英寸中壓增強(qiáng)型P-GaN工藝平臺

10月31日晚間，華潤微公布了2024年第三季度報告。2024年Q3，華潤微實現(xiàn)營收27.11億元，同比增長8.44%；歸母凈利潤2.19億元，同比下滑21.31%；歸母扣非凈利潤1.85億元，同比下滑1.35%。

目前華潤微主營業(yè)務(wù)可分為產(chǎn)品與方案、制造與服務(wù)兩大業(yè)務(wù)板塊。其產(chǎn)品與方案業(yè)務(wù)板塊聚焦于功率半導(dǎo)體、數(shù)?；旌?、智能傳感器與智能控制等領(lǐng)域，制造與服務(wù)業(yè)務(wù)主要提供半導(dǎo)體開放式晶圓制造、封裝測試等服務(wù)。

2024年上半年，華潤微完成8英寸中壓（100-200V）增強(qiáng)型P-GaN工藝平臺建設(shè)，并完成首顆150V/36A增強(qiáng)型器件樣品的制備。同時，華潤微采用新型的氮化鎵控制及驅(qū)動技術(shù)，開發(fā)原邊、副邊控制芯片，及氮化鎵驅(qū)動芯片，推出基于氮化鎵的高效能快充系統(tǒng)方案。

宏微科技Q3實現(xiàn)營收3.43億元，業(yè)務(wù)涵蓋碳化硅芯片和封裝

10月31日晚間，宏微科技公布了2024年第三季度報告。2024年Q3，宏微科技實現(xiàn)營收3.43億元，同比下滑7.53%；歸母凈利潤0.02億元，同比下滑93.37%；歸母扣非凈利潤-0.07億元。

宏微科技從事IGBT、FRD為主的功率半導(dǎo)體芯片、單管和模塊的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，并為客戶提供功率半導(dǎo)體器件的解決方案。

在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域，宏微科技布局了碳化硅芯片和封裝業(yè)務(wù)，相關(guān)的碳化硅模塊已批量應(yīng)用于新能源等行業(yè)。

高測股份Q3實現(xiàn)營收7.85億元，6/8英寸碳化硅金剛線切片機(jī)實現(xiàn)交付

10月31日晚間，高測股份公布了2024年第三季度報告。2024年Q3，高測股份實現(xiàn)營收7.85億元，同比下滑53.51%；歸母凈利潤-0.67億元，歸母扣非凈利潤-0.79億元。

高測股份研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的主要產(chǎn)品和服務(wù)為光伏切割設(shè)備、光伏切割耗材、硅片及切割加工服務(wù)、其他高硬脆材料切割設(shè)備及耗材四類。其中，高硬脆材料切割設(shè)備及耗材主要應(yīng)用于半導(dǎo)體、藍(lán)寶石、磁材及碳化硅等切割領(lǐng)域。

在碳化硅領(lǐng)域，高測股份推出的6英寸及8英寸碳化硅金剛線切片機(jī)已形成批量訂單并實現(xiàn)交付。

燕東微Q3實現(xiàn)營收3.72億元，業(yè)務(wù)涵蓋碳化硅器件

10月31日晚間，燕東微公布了2024年第三季度報告。2024年Q3，燕東微實現(xiàn)營收3.72億元，同比下滑15.54%；歸母凈利潤-1.07億元，歸母扣非凈利潤-1.19億元。

燕東微是一家集芯片設(shè)計、晶圓制造和封裝測試于一體的半導(dǎo)體企業(yè)，總部位于北京，在北京、遂寧分別有一條8英寸晶圓生產(chǎn)線和一條6英寸晶圓生產(chǎn)線；在北京擁有一座12英寸晶圓廠在建中。

在碳化硅領(lǐng)域，燕東微在2021年已建成月產(chǎn)能1000片的6英寸碳化硅晶圓生產(chǎn)線。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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據(jù)報道，位于福建省廈門市海滄區(qū)的士蘭集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目近日進(jìn)入土方工程收尾階段，一期項目預(yù)計將于2025年三季度末初步通線，四季度試生產(chǎn)。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

據(jù)悉，士蘭集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目總投資120億元，分兩期建設(shè)，其中，一期項目總投資70億元，達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)42萬片8英寸碳化硅功率器件芯片。兩期全部建成投產(chǎn)后，將形成年產(chǎn)72萬片8英寸碳化硅功率器件芯片的生產(chǎn)能力。

從該項目推進(jìn)情況來看，作為該項目實施主體士蘭集宏的母公司，士蘭微與廈門半導(dǎo)體投資集團(tuán)有限公司、廈門新翼科技實業(yè)有限公司于2024年5月21日簽署了《8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目之投資合作協(xié)議》。隨后在6月18日，士蘭微8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目在廈門市海滄區(qū)正式開工。

近期，除士蘭微8英寸碳化硅項目外，國內(nèi)外廠商還有多個8英寸碳化硅項目披露了最新進(jìn)展。

其中，北京市生態(tài)環(huán)境局于8月13日公示了天科合達(dá)第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)二期項目（以下簡稱：二期項目）環(huán)評審批。二期項目用于擴(kuò)大天科合達(dá)碳化硅晶體與晶片產(chǎn)能，投產(chǎn)后將實現(xiàn)年產(chǎn)約37.1萬片導(dǎo)電型碳化硅襯底，其中8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底13.5萬片。

8月底，重慶三安8英寸碳化硅襯底廠點亮通線。該項目投資額為70億元，規(guī)劃年產(chǎn)8英寸碳化硅襯底48萬片。

9月27日，住友金屬及其全資子公司Sicoxs Coparation宣布，將在Sicoxs的Ohkuchi工廠建設(shè)一條新的8英寸SiCkrest大規(guī)模生產(chǎn)線，SiCkrest為直接鍵合的碳化硅襯底。

10月13日，據(jù)韓媒報道，韓國東部高科（DB HiTek）于11日宣布，其將在忠清北道Eumseong的Sangwoo園區(qū)內(nèi)投資擴(kuò)建半導(dǎo)體潔凈室，計劃先行建設(shè)8英寸碳化硅產(chǎn)線。

10月16日，在首屆SEMiBAY灣芯展開幕式上，方正微電子發(fā)布了車規(guī)/工規(guī)碳化硅MOSFET 1200V全系產(chǎn)品，還表示其8英寸碳化硅產(chǎn)線將于2024年年底通線。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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根據(jù)公告，士蘭微與廈門半導(dǎo)體投資集團(tuán)有限公司（以下簡稱：廈門半導(dǎo)體）、廈門新翼科技實業(yè)有限公司（以下簡稱：新翼科技）于2024年5月21日簽署了《8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目之投資合作協(xié)議》（以下簡稱：《投資合作協(xié)議》）。

根據(jù)《投資合作協(xié)議》，士蘭微與廈門半導(dǎo)體分別向本次8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目的實施主體廈門士蘭集宏半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱：士蘭集宏）認(rèn)繳注冊資本10.6億元和10億元。截至目前，士蘭集宏的注冊資本為20.60億元。

2024年9月24日，士蘭微與廈門半導(dǎo)體、新翼科技、廈門新翼微成投資合伙企業(yè)（有限合伙）（以下簡稱：新翼微成）、廈門產(chǎn)投新翼科技投資合伙企業(yè)（有限合伙）（以下簡稱：產(chǎn)投新翼）共同簽署了《8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目之投資合作補(bǔ)充協(xié)議》（以下簡稱：《投資合作補(bǔ)充協(xié)議》）。

根據(jù)《投資合作補(bǔ)充協(xié)議》，項目公司士蘭集宏的原投資主體新翼科技變更為新翼微成和產(chǎn)投新翼。新翼科技將其在《投資合作協(xié)議》項下的權(quán)利義務(wù)，按新翼微成和產(chǎn)投新翼在《投資合作補(bǔ)充協(xié)議》項下的相對出資比例概括轉(zhuǎn)讓給新翼微成和產(chǎn)投新翼。其中，新翼微成繼受新翼科技對項目公司增資入股11億元的義務(wù)，產(chǎn)投新翼繼受新翼科技對項目公司增資入股10.5億元的義務(wù)。

公告顯示，士蘭微及協(xié)議各方在按照《投資合作協(xié)議》及《投資合作補(bǔ)充協(xié)議》完成認(rèn)繳后，士蘭集宏的注冊資本將增加至42.10億元，士蘭微對士蘭集宏的持股比例將由目前的51.46%降低至25.1781%，將不再將其納入合并報表范圍。

據(jù)悉，士蘭微8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目計劃分兩期建設(shè)，一期投資規(guī)模約70億元，二期投資規(guī)模約50億元，兩期建設(shè)完成后，將形成8英寸碳化硅功率器件芯片年產(chǎn)72萬片的產(chǎn)能。

今年6月18日，士蘭微8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目在廈門市海滄區(qū)正式開工。

士蘭微表示，如本次投資事項順利實施，將為士蘭集宏“8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目”的建設(shè)和運(yùn)營提供資金保障，為其SiC功率器件在8英寸生產(chǎn)線上的產(chǎn)業(yè)化提供產(chǎn)能保障，將進(jìn)一步完善其在車規(guī)級高端功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的戰(zhàn)略布局，增強(qiáng)核心競爭力，推動其主營業(yè)務(wù)持續(xù)成長。（來源：士蘭微公告，集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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根據(jù)公告，士蘭集科本次擬新增注冊資本148155.0072萬元。士蘭微擬與廈門半導(dǎo)體投資集團(tuán)有限公司（以下簡稱：廈門半導(dǎo)體）以貨幣方式共同出資16億元認(rèn)繳士蘭集科本次新增的全部注冊資本。

其中，士蘭微出資8億元，認(rèn)繳士蘭集科注冊資本74077.5036萬元；廈門半導(dǎo)體同樣出資8億元，認(rèn)繳士蘭集科注冊資本74077.5036萬元。本次增資完成后，士蘭集科的注冊資本將由382795.3681萬元變更為530950.3753萬元。

天眼查資料顯示，士蘭集科成立于2018年2月，是一家電子設(shè)備供應(yīng)商，主要研發(fā)、生產(chǎn)和銷售芯片晶圓、MEMS、功率器件以及集成電路等產(chǎn)品，致力于為行業(yè)用戶提供相關(guān)的電子產(chǎn)品及服務(wù)。

股東信息顯示，目前，士蘭集科由廈門半導(dǎo)體、士蘭微、國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期股份有限公司共同持股，持股比例分別為66.626%、18.719%、14.655%。

根據(jù)士蘭微2024年半年度報告，2024年上半年，士蘭集科總計產(chǎn)出12英寸芯片22.46萬片，同比減少約5%，實現(xiàn)營收11.21億元，同比增加約6%。近期隨著IGBT芯片產(chǎn)能的進(jìn)一步釋放，士蘭集科產(chǎn)能利用率已處于較高水平。

士蘭微表示，如本次增資事項順利實施，將進(jìn)一步增加士蘭集科的資本充足率，為士蘭集科12英寸集成電路芯片生產(chǎn)線的建設(shè)和運(yùn)營提供資金保障；有利于進(jìn)一步提升士蘭集科的生產(chǎn)能力，為士蘭微提供產(chǎn)能保障。

據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體了解，今年以來，除士蘭微外，還有另外兩家化合物半導(dǎo)體廠商披露了增資相關(guān)動態(tài)，分別是中車時代半導(dǎo)體和長光華芯。

4月26日，中車時代半導(dǎo)體增資引入戰(zhàn)略投資者簽約儀式在株洲舉行。根據(jù)中車時代半導(dǎo)體母公司時代電氣在今年3月底發(fā)布的公告，中車時代半導(dǎo)體本次增資擴(kuò)股擬引入株洲市國創(chuàng)田芯創(chuàng)業(yè)投資基金合伙企業(yè)（有限合伙）等26名戰(zhàn)略投資者及員工持股平臺株洲芯發(fā)展零號企業(yè)管理合伙企業(yè)（有限合伙），增資金額為人民幣43.278億元。本次增資完成后，時代電氣持有中車時代半導(dǎo)體的股權(quán)比例從96.1680%變更為77.7771%，仍為中車時代半導(dǎo)體的控股股東。

隨后在7月12日晚間，長光華芯發(fā)布公告宣布子公司擬增資惟清半導(dǎo)體，后者股東之一為碳化硅功率器件廠商清純半導(dǎo)體。具體來看，長光華芯全資子公司蘇州長光華芯半導(dǎo)體激光創(chuàng)新研究院有限公司（以下簡稱：研究院）擬出資1億元認(rèn)購關(guān)聯(lián)方惟清半導(dǎo)體新增注冊資本1333.33萬元。本次增資前，研究院持有惟清半導(dǎo)體29%的股權(quán)，增資完成后，研究院將持有惟清半導(dǎo)體31.61%的股權(quán)。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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