時間跨入2024年，據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體不完全統(tǒng)計(jì)，截至目前，碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈已披露了超過50起廠商融資進(jìn)展，盡管與去年同期相比在數(shù)量上有所回落，但這一數(shù)字依然顯示出投資者對碳化硅產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展前景的認(rèn)可與信心。
44家碳化硅相關(guān)廠商獲融資，單筆最高43.28億元
具體來看，據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體不完全統(tǒng)計(jì)，2024年碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈共有44家企業(yè)獲得融資。其中，南砂晶圓、中車時代半導(dǎo)體、至信微電子、悉智科技、中科光智、思銳智能、蓋澤精密7家企業(yè)在2024年均已完成2輪融資。
從已披露的融資金額來看，多家企業(yè)完成了超5億元人民幣單筆融資，其中包括中車時代半導(dǎo)體的43.28億元和6.3億元戰(zhàn)略融資、芯粵能的10億元A輪融資以及晶能微電子的5億元B輪融資。
碳化硅襯底、器件、設(shè)備細(xì)分賽道均為投資熱土
分碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈各個環(huán)節(jié)來看，襯底、器件、設(shè)備細(xì)分領(lǐng)域均有企業(yè)完成新一輪融資，表明企業(yè)在任何環(huán)節(jié)有拿手好戲或取得一定的突破，都有機(jī)會成為資本市場寵兒。
襯底是碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的上游和源頭，襯底產(chǎn)能和質(zhì)量決定了后續(xù)的器件產(chǎn)能和性能，2024年，包括青禾晶元、粵海金在內(nèi)的部分碳化硅襯底廠商獲得了投資機(jī)構(gòu)青睞。
整體來看，2023年有更多碳化硅襯底廠商獲得融資，包括天科合達(dá)、?？瓢雽?dǎo)體、乾晶半導(dǎo)體等，而2024年已完成新一輪融資的襯底企業(yè)相對較少，這與襯底細(xì)分領(lǐng)域的發(fā)展現(xiàn)狀有一定關(guān)系。
碳化硅襯底產(chǎn)能曾經(jīng)是制約碳化硅產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展的一個重要因素。隨著近年來全球碳化硅襯底產(chǎn)能大幅提升，碳化硅襯底供過于求現(xiàn)象已開始顯現(xiàn)，碳化硅襯底市場價格的持續(xù)走低已經(jīng)在一定程度上印證了這一點(diǎn)。
今年年初，有市場消息稱，國內(nèi)主流6英寸碳化硅襯底報(bào)價參照國際市場每片750-800美元（約5400-5800元人民幣）的價格，快速下殺，價格跌幅近三成。而在近期，據(jù)國內(nèi)市場多位行業(yè)人士透露，2024年中期6英寸碳化硅襯底的價格已跌至500美元以下，到今年第四季度，價格進(jìn)一步下降至450美元甚至400美元。
價格戰(zhàn)背景下，各大碳化硅襯底廠商的業(yè)務(wù)進(jìn)展情況普遍不盡人意，也就不難理解為什么只有少數(shù)獲得重大技術(shù)突破的企業(yè)完成了新的融資。
器件廠商直接面對的是終端市場，對于碳化硅的應(yīng)用和滲透發(fā)揮了重要作用，2024年碳化硅產(chǎn)業(yè)融資動態(tài)有相當(dāng)一部分集中在器件領(lǐng)域，所涉廠商較多，包括積塔半導(dǎo)體、北一半導(dǎo)體等。
在碳化硅產(chǎn)業(yè)擴(kuò)產(chǎn)浪潮中，首先爆發(fā)的是設(shè)備需求，相關(guān)企業(yè)在吃到產(chǎn)線建設(shè)紅利的同時，也獲得了投資機(jī)構(gòu)加碼，2024年有近半數(shù)的融資事件都發(fā)生在設(shè)備領(lǐng)域，所涉企業(yè)也最多，包括邑文科技、硅酷科技、忱芯科技等。
小結(jié)
近年來，碳化硅產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展讓相關(guān)廠商如沐春風(fēng)，誕生了相當(dāng)數(shù)量有價值的投資標(biāo)的，獲得了資本市場青睞，遍及上下游各個細(xì)分領(lǐng)域。未來一段時間，隨著碳化硅市場規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大，產(chǎn)業(yè)融資熱潮有望持續(xù)奔涌向前。
TrendForce集邦咨詢最新《2024全球SiC Power Device市場分析報(bào)告》顯示，SiC在汽車、可再生能源等功率密度和效率極其重要的應(yīng)用市場中呈現(xiàn)加速滲透之勢，未來幾年整體市場需求將維持增長態(tài)勢，預(yù)估2028年全球SiC Power Device市場規(guī)模有望達(dá)到91.7億美金（約667億人民幣）。
已經(jīng)獲得融資的企業(yè)，大多數(shù)都將融資資金用于SiC產(chǎn)能擴(kuò)充、技術(shù)研發(fā)、市場拓展等方面，有望進(jìn)一步提升競爭力，獲得更大發(fā)展空間。而暫未收獲融資的廠商，通過打磨技術(shù)與產(chǎn)品，未來仍然有機(jī)會獲得資本市場拋來的橄欖枝。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Zac）
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圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫
早在2022年9月，南砂晶圓就聯(lián)合山東大學(xué)成功實(shí)現(xiàn)8英寸導(dǎo)電型4H-SiC單晶和襯底的制備，采用物理氣相傳輸法（PVT）擴(kuò)徑制備了8英寸導(dǎo)電型4H-SiC單晶，并加工成厚度為520μm的8英寸4H-SiC襯底。
為加速8英寸SiC襯底產(chǎn)業(yè)化，南砂晶圓8英寸SiC單晶和襯底項(xiàng)目于2023年6月12日落地山東濟(jì)南，成立于2023年5月的中晶芯源是該項(xiàng)目的主建方。今年1月30日，中晶芯源8英寸SiC單晶和襯底產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目正式備案。
今年3月，南砂晶圓總經(jīng)理王垚浩在接受采訪時表示，該公司正在積極擴(kuò)產(chǎn)濟(jì)南廠區(qū)，計(jì)劃將中晶芯源項(xiàng)目打造成為全國最大的8英寸SiC襯底生產(chǎn)基地，投資額15億元，于2025年實(shí)現(xiàn)滿產(chǎn)達(dá)產(chǎn)。
而在近日，中晶芯源8英寸SiC項(xiàng)目傳出了最新進(jìn)展。6月22日，新一代半導(dǎo)體晶體技術(shù)及應(yīng)用大會在濟(jì)南開幕。開幕式上，中晶芯源宣布8英寸SiC北方基地正式投產(chǎn)。
目前，南砂晶圓致力于降本增效。今年5月，南砂晶圓與中機(jī)新材簽訂了戰(zhàn)略合作框架協(xié)議。后者已在第三代半導(dǎo)體晶圓研磨拋光應(yīng)用領(lǐng)域取得多項(xiàng)關(guān)鍵性技術(shù)突破，其首創(chuàng)的團(tuán)聚金剛石技術(shù)，替代了多晶和類多晶，有效解決了生產(chǎn)過程中的環(huán)保和成本痛點(diǎn)。與中機(jī)新材合作，南砂晶圓有望在SiC產(chǎn)線關(guān)鍵環(huán)節(jié)實(shí)現(xiàn)降本。
伴隨著8英寸SiC項(xiàng)目投產(chǎn)，南砂晶圓有望進(jìn)一步降低成本、提升SiC襯底產(chǎn)品競爭力，進(jìn)而獲取更多的市場份額。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）
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]]>在這股戰(zhàn)略合作熱潮中，又有兩家SiC廠商開啟了合作進(jìn)程。5月23日，據(jù)中機(jī)新材官微披露，該公司在5月15日與南砂晶圓簽訂了戰(zhàn)略合作框架協(xié)議。由此，知名SiC襯底廠商與SiC晶圓研磨拋光材料頭部企業(yè)正式開啟戰(zhàn)略合作。
source：中機(jī)新材
SiC襯底產(chǎn)線關(guān)鍵角色
作為一家專注于高硬脆材料和高性能研磨拋光材料的技術(shù)研發(fā)、生產(chǎn)及銷售的廠商，中機(jī)新材已在第三代半導(dǎo)體晶圓研磨拋光應(yīng)用領(lǐng)域取得多項(xiàng)關(guān)鍵性技術(shù)突破，這為其進(jìn)軍SiC產(chǎn)業(yè)并與知名廠商達(dá)成合作打下了一定的基礎(chǔ)。
據(jù)了解，在SiC晶圓制造過程中,切磨與拋光技術(shù)尤為關(guān)鍵,它直接決定了晶圓的表面質(zhì)量和使用性能。由此可見，SiC晶圓切磨拋耗材在襯底生產(chǎn)過程中扮演了重要角色。而中機(jī)新材目前已擁有切割、減薄、粗磨、精磨、粗拋、精拋全工藝環(huán)節(jié)的耗材產(chǎn)品，這意味著其在SiC產(chǎn)業(yè)會有較強(qiáng)的“存在感”。
據(jù)悉，傳統(tǒng)磨拋方案中，研磨液占SiC襯底原材料成本的15.5%，傳統(tǒng)多晶和類多晶研磨成本中高氯酸占總成本的30%，且高氯酸產(chǎn)生的環(huán)境污染時間長、范圍廣、難以根除。
而中機(jī)新材首創(chuàng)的團(tuán)聚金剛石技術(shù)，替代了多晶和類多晶，有效解決了生產(chǎn)過程中的環(huán)保和成本痛點(diǎn)。耗液量方面，團(tuán)聚金剛石方案用量僅為3μm單晶金剛石方案的20%。
中機(jī)新材團(tuán)聚金剛石研磨材料已于2021年投入量產(chǎn)，在此基礎(chǔ)上，中機(jī)新材已成功進(jìn)入比亞迪、天岳先進(jìn)、同光股份、天域半導(dǎo)體、合盛硅業(yè)、晶盛機(jī)電等SiC產(chǎn)業(yè)鏈頭部企業(yè)。此次與南砂晶圓合作，中機(jī)新材重磅客戶再+1。
南砂晶圓瞄準(zhǔn)降本需求
作為國內(nèi)SiC襯底頭部廠商，南砂晶圓對SiC晶圓研磨拋光材料需求量大，尤其是在擴(kuò)產(chǎn)戰(zhàn)略下，因此與中機(jī)新材合作已是水到渠成。
近年來，南砂晶圓開啟了規(guī)模龐大的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃。其中之一是南砂晶圓在廣州南沙區(qū)布局了SiC項(xiàng)目，總投資9億元，該項(xiàng)目2023年4月已經(jīng)試投產(chǎn)，達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)各類襯底片和外延片共20萬片。放眼近期所有SiC擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目，20萬片產(chǎn)能也能夠位居前列。
此外，南砂晶圓還正在積極擴(kuò)建廠區(qū)，計(jì)劃將位于山東濟(jì)南的8英寸SiC單晶和襯底項(xiàng)目打造成為全國最大的8英寸SiC襯底生產(chǎn)基地，投資額達(dá)15億元，這是南砂晶圓另一大規(guī)模擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目。
不僅僅只有南砂晶圓，天岳先進(jìn)、天科合達(dá)、三安光電等眾多廠商均推出了雄心勃勃的SiC襯底產(chǎn)能提升計(jì)劃，隨著相關(guān)項(xiàng)目進(jìn)入量產(chǎn)階段，SiC襯底產(chǎn)品競爭也會日趨激烈，此時，在技術(shù)水平、價格等方面有優(yōu)勢的產(chǎn)品有望脫穎而出，贏得客戶青睞。
廠商如何達(dá)成更有競爭力的價格，降本是必須的。從上文不難看出，采用中機(jī)新材團(tuán)聚金剛石研磨材料對于降低SiC襯底產(chǎn)品生產(chǎn)成本具有積極意義，尤其是規(guī)模效應(yīng)下，其成效將會更加顯著，因而尋求與中機(jī)新材合作對于南砂晶圓等SiC襯底大廠而言具有較強(qiáng)的戰(zhàn)略意義。
小結(jié)
與南砂晶圓合作，中機(jī)新材有望獲得較大的產(chǎn)品訂單需求，進(jìn)而推動業(yè)績增長，并進(jìn)一步提高市場影響力。而與中機(jī)新材合作，南砂晶圓有望通過在產(chǎn)線關(guān)鍵環(huán)節(jié)實(shí)現(xiàn)降本增效，進(jìn)而提升產(chǎn)品競爭力，擴(kuò)大市場份額。
雙方達(dá)成戰(zhàn)略合作后，有望通過技術(shù)交流與定制化開發(fā)，推出更契合用戶和市場需求的產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)企業(yè)協(xié)同發(fā)展，達(dá)成互利雙贏。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Zac）
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]]>同時，公司的注冊資本發(fā)生變更，由34,560萬元提升3.24%至35,680萬元。
值得一提的是，南砂晶圓近一年來已完成了三輪融資。天眼查官網(wǎng)顯示，南砂晶圓目前已完成六輪融資，最近三輪分別發(fā)生在2023年7月、2024年1月以及2024年3月。
根據(jù)公司官網(wǎng)介紹，南砂晶圓成立于2018年9月，是一家從事碳化硅單晶材料研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的國家高新技術(shù)企業(yè)。公司總部設(shè)在廣州市南沙區(qū)，現(xiàn)有廣州、中山、濟(jì)南三大生產(chǎn)基地，形成了碳化硅單晶爐制造、碳化硅粉料制備、碳化硅單晶生長和襯底制備等完整的生產(chǎn)線。
其中，濟(jì)南廠區(qū)正處于積極擴(kuò)產(chǎn)期。據(jù)悉，南砂晶圓8英寸SiC單晶和襯底項(xiàng)目于2023年6月12日落地山東濟(jì)南，成立于2023年5月的中晶芯源是該項(xiàng)目的主建方。今年1月30日，中晶芯源8英寸SiC單晶和襯底產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目正式備案。
目前，南砂晶圓計(jì)劃將中晶芯源打造成為全國最大的8英寸SiC襯底生產(chǎn)基地，投資額15億元，于2025年實(shí)現(xiàn)滿產(chǎn)達(dá)產(chǎn)。
而廣州方面，南砂晶圓于2020年7月啟動南砂晶圓碳化硅單晶材料與晶片生產(chǎn)項(xiàng)目，該項(xiàng)目總投資9億元，已于2023年4月試投產(chǎn)，達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)各類襯底片和外延片共20萬片。
產(chǎn)品方面，目前，南砂晶圓以6、8英寸導(dǎo)電型和半絕緣型碳化硅襯底為主，并可視市場需求不斷豐富產(chǎn)品線。
其中，8英寸產(chǎn)品方面，2022年，南砂晶圓聯(lián)合山東大學(xué)晶體材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室經(jīng)過多年的理論和技術(shù)攻關(guān)，實(shí)現(xiàn)了高質(zhì)量8英寸導(dǎo)電型4H-SiC單晶和襯底的制備。
2023年8月，山東大學(xué)與南砂晶圓在8英寸SiC襯底位錯缺陷控制方面取得了重大突破，使用物理氣相傳輸法實(shí)現(xiàn)了近“零螺位錯（TSD）”密度和低基平面位錯（BPD）密度的8英寸導(dǎo)電型4H-SiC單晶襯底制備，其中螺位錯密度為0.55 cm-2，基平面位錯密度為202 cm-2。據(jù)悉，近“零TSD”和低BPD密度的8英寸SiC襯底制備，有助于加快國產(chǎn)8英寸SiC襯底的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程，提升市場競爭力。（集邦化合物半導(dǎo)體 Winter整理）
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source：南砂晶圓
據(jù)悉，南砂晶圓8英寸SiC單晶和襯底項(xiàng)目于2023年6月12日落地山東濟(jì)南，成立于2023年5月的中晶芯源是該項(xiàng)目的主建方。今年1月30日，中晶芯源8英寸SiC單晶和襯底產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目正式備案。
項(xiàng)目方面，南砂晶圓還在廣州南沙區(qū)布局了SiC項(xiàng)目，總投資9億元，該項(xiàng)目2023年4月已經(jīng)試投產(chǎn)，達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)各類襯底片和外延片共20萬片。
產(chǎn)品方面，2021年，南砂晶圓正式啟動導(dǎo)電型襯底研發(fā)；2022年9月，南砂晶圓聯(lián)合山東大學(xué)成功實(shí)現(xiàn)8英寸導(dǎo)電型4H-SiC單晶和襯底的制備，采用物理氣相傳輸法（PVT）擴(kuò)徑制備了8英寸導(dǎo)電型4H-SiC單晶，并加工成厚度520μm的8英寸4H-SiC襯底；2023年南砂晶圓導(dǎo)電型襯底對部分客戶進(jìn)入批量供貨階段。
技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)能建設(shè)持續(xù)深化助推南砂晶圓受到資本市場青睞，自2021年以來，南砂晶圓已相繼完成5輪融資，投資方包括華民基金、華訊方舟基金、揚(yáng)子江基金、魯信創(chuàng)投、渾璞投資、鼎心資本、中廣投資等機(jī)構(gòu)。
隨著中晶芯源8英寸SiC項(xiàng)目建成達(dá)產(chǎn)，南砂晶圓8英寸SiC襯底產(chǎn)能有望位居行業(yè)前列。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）
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圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫
1月30日，山東中晶芯源半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡稱中晶芯源）8英寸SiC單晶和襯底產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目正式備案。據(jù)悉，該項(xiàng)目于2023年6月12日落地山東濟(jì)南，計(jì)劃在2025年滿產(chǎn)達(dá)產(chǎn)，成立于2023年5月的中晶芯源是該項(xiàng)目的主建方。
股東信息顯示，中晶芯源由廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司（以下簡稱南砂晶圓）全資控股，后者成立于2018年8月，從事SiC單晶材料研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，產(chǎn)品主要以6英寸半絕緣和N型SiC襯底為主。
近年來，在8英寸SiC襯底熱度持續(xù)上漲趨勢下，南砂晶圓積極投身8英寸賽道。2022年9月8日，南砂晶圓聯(lián)合山東大學(xué)成功實(shí)現(xiàn)8英寸導(dǎo)電型4H-SiC單晶和襯底的制備，采用物理氣相傳輸法（PVT）擴(kuò)徑制備了8英寸導(dǎo)電型4H-SiC單晶，并加工成厚度520μm的8英寸4H-SiC襯底。
據(jù)介紹，經(jīng)測試表征，上述襯底微管密度小于0.3/cm2，4H-SiC晶型比例100%，電阻率平均值22mΩ·cm，不均勻性小于4%，襯底(004)面高分辨XRD 5點(diǎn)搖擺曲線半峰寬平均值32.7弧秒，說明襯底具有良好的結(jié)晶質(zhì)量，邊緣擴(kuò)徑區(qū)域沒有小角度晶界缺陷。
技術(shù)突破也在一定程度上助推南砂晶圓成為資本市場重點(diǎn)關(guān)注對象，過去兩年多時間，南砂晶圓已相繼完成5輪融資，包括今年1月剛剛完成的C輪融資，投資方包括華民基金、天堂硅谷、華訊方舟基金、揚(yáng)子江基金、魯信創(chuàng)投等機(jī)構(gòu)。
項(xiàng)目方面，南砂晶圓還在廣州南沙區(qū)布局了SiC項(xiàng)目，總投資9億元，該項(xiàng)目2023年4月已經(jīng)試投產(chǎn)，達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)各類襯底片和外延片共20萬片。
項(xiàng)目備案意味著南砂晶圓8英寸SiC單晶和襯底項(xiàng)目正式啟動，隨著項(xiàng)目建成達(dá)產(chǎn)，將有利于南砂晶圓未來在SiC襯底全面轉(zhuǎn)型8英寸后搶占先機(jī)。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）
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