根據(jù)協(xié)議內(nèi)容，江蘇卓遠半導體將在陽新設立全資子公司，重點布局三代半導體核心裝備研發(fā)制造，涵蓋MPCVD金剛石長晶設備、碳化硅長晶系統(tǒng)及12英寸大直徑直拉式硅片長晶設備等領域。

項目達產(chǎn)后，可形成年產(chǎn)MPCVD設備100臺、碳化硅設備10臺、大硅片設備5臺的產(chǎn)能規(guī)模，預計實現(xiàn)年產(chǎn)值2億元，為陽新構建現(xiàn)代化產(chǎn)業(yè)體系注入核心動能。

卓遠半導體將依托自身在第三代半導體材料制備領域的專利集群優(yōu)勢和自主可控技術體系，助力陽新打造長江中游半導體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新高地。

此次簽約不僅是陽新布局戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)的關鍵落子，更標志著該縣在對接長三角產(chǎn)業(yè)轉移、融入雙循環(huán)新發(fā)展格局中取得重大突破。 項目建成后，將有效填補中部地區(qū)半導體裝備領域空白，為陽新建設新型工業(yè)化示范區(qū)提供硬核支撐，加速實現(xiàn)從傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)向智能制造的轉型升級。 （集邦化合物半導體整理）

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據(jù)了解，卓遠半導體自成立以來一直專注于寬禁帶半導體晶體裝備及其材料的研發(fā)生產(chǎn)與制造，主營業(yè)務有寬禁帶半導體晶體生長裝備、金剛石與碳化硅（SiC）晶體工藝及解決方案以及在智慧電網(wǎng)、新能源汽車等領域的相關應用。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

今年5月底，卓遠半導體金剛石基片產(chǎn)線項目入駐二期，二期廠區(qū)占地面積約15畝，規(guī)劃有研發(fā)檢測中心、中試車間及生產(chǎn)車間，并且配備專業(yè)檢測及實驗設備，主要產(chǎn)品為MPCVD金剛石裝備及金剛石基片、SiC長晶設備及SiC襯底片等。

該項目通過垂直整合制造模式，加快設計、制造共同迭代，并與上下游產(chǎn)業(yè)鏈聯(lián)動發(fā)展，推動先進技術工藝的開發(fā)，形成具有自主知識產(chǎn)權的半導體裝備及材料核心技術。

此前報道，卓遠半導體在本月（12）初獲得凱得粵豪2400萬元的財務投資。如今再度獲得新一輪投資，間隔不到10天。在短時間能獲得兩筆總計6500萬元的投資，或與其生產(chǎn)市面大火的SiC相關設備和襯底原料有關。

集邦化合物半導體Rick整理

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據(jù)悉，卓遠半導體自成立以來一直專注于寬禁帶半導體晶體裝備及其材料的研發(fā)生產(chǎn)與制造，主營業(yè)務有寬禁帶半導體晶體生長裝備、金剛石與碳化硅（SiC）晶體工藝及解決方案以及在智慧電網(wǎng)、新能源汽車等領域的相關應用。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

今年5月底，卓遠半導體金剛石基片產(chǎn)線項目入駐二期，二期廠區(qū)占地面積約15畝，規(guī)劃有研發(fā)檢測中心、中試車間及生產(chǎn)車間，并且配備專業(yè)檢測及實驗設備，主要產(chǎn)品為MPCVD金剛石裝備及金剛石基片、SiC長晶設備及SiC襯底片等。

該項目通過垂直整合制造模式，加快設計、制造共同迭代，并與上下游產(chǎn)業(yè)鏈聯(lián)動發(fā)展，推動先進技術工藝的開發(fā)，形成具有自主知識產(chǎn)權的半導體裝備及材料核心技術，為國內(nèi)SiC市場帶來更多的機遇。（文：集邦化合物半導體Rick整理）

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