英飛凌在布局人形機(jī)器人領(lǐng)域時(shí)，具備獨(dú)特的技術(shù)協(xié)同優(yōu)勢(shì)。目前，公司為汽車行業(yè)供應(yīng)的大量自動(dòng)駕駛相關(guān)芯片，如傳感器、控制電子器件以及功率半導(dǎo)體等，恰好也是人形機(jī)器人實(shí)現(xiàn)精確運(yùn)動(dòng)和環(huán)境感知的關(guān)鍵組件。這意味著英飛凌無(wú)需大規(guī)模專門研發(fā)投入，就能基于現(xiàn)有產(chǎn)品線快速切入機(jī)器人賽道，搶占時(shí)間窗口的先機(jī)。

早在2025年，英飛凌就已展開(kāi)行動(dòng)，與貝能國(guó)際有限公司攜手共建創(chuàng)新應(yīng)用中心，聚焦人形機(jī)器人領(lǐng)域，為機(jī)器人產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新升級(jí)注入動(dòng)力。此次合作旨在整合雙方優(yōu)勢(shì)資源，推動(dòng)第三代半導(dǎo)體技術(shù)在人形機(jī)器人領(lǐng)域的創(chuàng)新應(yīng)用。

第三代半導(dǎo)體中的碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）是英飛凌的核心技術(shù)優(yōu)勢(shì)。這些技術(shù)具有高效率、高開(kāi)關(guān)頻率、高工作溫度和體積小等顯著特點(diǎn)，在工業(yè)與自動(dòng)化等嚴(yán)苛領(lǐng)域潛力巨大。當(dāng)應(yīng)用于人形機(jī)器人時(shí)，其優(yōu)勢(shì)盡顯。

在功率密度方面，GaN和SiC技術(shù)能讓機(jī)器人關(guān)節(jié)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器更加小巧且強(qiáng)勁，為機(jī)器人完成復(fù)雜精細(xì)動(dòng)作提供堅(jiān)實(shí)動(dòng)力基礎(chǔ)。在能效與熱管理上，它們可降低系統(tǒng)能量損耗，延長(zhǎng)機(jī)器人續(xù)航時(shí)間，同時(shí)簡(jiǎn)化散熱設(shè)計(jì)。以氮化鎵為例，其高頻開(kāi)關(guān)特性可使電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)響應(yīng)速度大幅提升，滿足機(jī)器人靈巧手0.1mm級(jí)精密操作需求；碳化硅則憑借低損耗特性，讓機(jī)器人單次充電續(xù)航時(shí)間大幅延長(zhǎng)。在系統(tǒng)可靠性上，這些技術(shù)能確保機(jī)器人在高強(qiáng)度、長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行下保持穩(wěn)定耐用。

此外，英飛凌在汽車電子領(lǐng)域積累了豐富經(jīng)驗(yàn)和成熟的產(chǎn)業(yè)生態(tài)布局。汽車產(chǎn)業(yè)對(duì)安全性、可靠性和復(fù)雜系統(tǒng)管理的極致要求，與人形機(jī)器人未來(lái)在工業(yè)、服務(wù)、特種應(yīng)用等領(lǐng)域的標(biāo)準(zhǔn)高度契合。創(chuàng)新應(yīng)用中心積極借鑒并轉(zhuǎn)化英飛凌在汽車電子領(lǐng)域的先進(jìn)理念、質(zhì)量控制體系及系統(tǒng)架構(gòu)經(jīng)驗(yàn)，致力于為人形機(jī)器人產(chǎn)業(yè)構(gòu)建堅(jiān)實(shí)可靠的半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用生態(tài)，加速其商業(yè)化與規(guī)模化進(jìn)程。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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圖片來(lái)源：泛林集團(tuán)新聞稿

根據(jù)雙方發(fā)布的官方新聞通稿，此次合作旨在加速下一代“特種技術(shù)”（Specialty Technologies）器件的開(kāi)發(fā)與產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程，重點(diǎn)應(yīng)對(duì)人工智能、智能出行及可持續(xù)技術(shù)對(duì)高性能、低功耗半導(dǎo)體日益增長(zhǎng)的需求。雙方將共同探索包括功率電子、射頻信號(hào)處理、微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）以及光子學(xué)在內(nèi)的多個(gè)關(guān)鍵前沿領(lǐng)域。

根據(jù)協(xié)議內(nèi)容，此次研發(fā)任務(wù)將主要在CEA-Leti位于法國(guó)格勒諾布爾的先進(jìn)實(shí)驗(yàn)室內(nèi)開(kāi)展。泛林集團(tuán)將向該研究中心提供其最先進(jìn)的半導(dǎo)體制造設(shè)備，包括具備脈沖等離子體技術(shù)（Pulsed Plasma Technologies）的先進(jìn)刻蝕系統(tǒng)以及各類薄膜沉積平臺(tái)。

這些設(shè)備將被直接用于處理化合物半導(dǎo)體材料，特別是針對(duì)碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導(dǎo)體的加工挑戰(zhàn)。官方指出，這些材料在實(shí)現(xiàn)更高效的能源轉(zhuǎn)換、更快的5G/6G通信連接以及微型化傳感器方面具有不可替代的作用。

泛林集團(tuán)在新聞稿中強(qiáng)調(diào)，通過(guò)此次合作，能夠利用CEA-Leti在微納米技術(shù)領(lǐng)域的科研深度，快速驗(yàn)證新材料在復(fù)雜器件結(jié)構(gòu)中的表現(xiàn)。這種合作模式旨在克服從實(shí)驗(yàn)室原型向工業(yè)化量產(chǎn)（Lab-to-Fab）轉(zhuǎn)化過(guò)程中的技術(shù)障礙，縮短新一代特種芯片的上市時(shí)間。例如，在光子集成電路（PIC）和3D成像傳感器的研發(fā)中，雙方將共同優(yōu)化原子層沉積（ALD）等精密工藝，以確保這些精密器件在大規(guī)模生產(chǎn)中的一致性和良率。

泛林集團(tuán)首席技術(shù)官Vahid Vahedi在官方聲明中表示，特種技術(shù)是驅(qū)動(dòng)當(dāng)今互聯(lián)世界和新興AI創(chuàng)新的重要基石，此次攜手CEA-Leti將確保泛林集團(tuán)始終處于這些關(guān)鍵技術(shù)的最前沿。CEA-Leti首席執(zhí)行官Sébastien Dauvé也對(duì)此次長(zhǎng)期協(xié)議的簽署表示認(rèn)可，認(rèn)為通過(guò)提前在工業(yè)級(jí)平臺(tái)上進(jìn)行新材料的工藝表征，不僅能加速技術(shù)突破，也將進(jìn)一步鞏固歐洲在全球半導(dǎo)體研發(fā)生態(tài)系統(tǒng)中的地位。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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據(jù)介紹，該項(xiàng)目將聚焦7N級(jí)（純度99.99999%）及以上超高純鎵的研發(fā)與生產(chǎn)，規(guī)劃年產(chǎn)規(guī)模達(dá)200噸，旨在構(gòu)建從粗鎵提純到單晶制備的完整產(chǎn)業(yè)鏈，為國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體芯片、5G通信、新能源汽車逆變器等高端領(lǐng)域提供關(guān)鍵基礎(chǔ)材料。

項(xiàng)目實(shí)施將分兩階段推進(jìn)：第一階段重點(diǎn)完成高純鎵提純工藝優(yōu)化與產(chǎn)能建設(shè)，快速形成核心產(chǎn)品供給能力；第二階段將啟動(dòng)赤泥綜合利用項(xiàng)目，提取鎵、鈧、銻等稀有金屬，實(shí)現(xiàn)工業(yè)廢渣的資源循環(huán)利用與產(chǎn)業(yè)價(jià)值鏈延伸。項(xiàng)目投產(chǎn)后，預(yù)計(jì)年產(chǎn)值超10億元，年利稅超1億元，將顯著提升區(qū)域高端半導(dǎo)體材料供給能力。

公開(kāi)資料顯示，深圳羲航半導(dǎo)體有限公司成立于2022年，是一家聚焦半導(dǎo)體領(lǐng)域的高新技術(shù)企業(yè)。公司主營(yíng)業(yè)務(wù)涵蓋集成電路芯片設(shè)計(jì)及服務(wù)、集成電路制造、半導(dǎo)體分立器件銷售、光電子器件制造等多個(gè)領(lǐng)域。

中國(guó)是全球最大的原生鎵生產(chǎn)國(guó)，產(chǎn)量占全球90%以上。鎵主要作為氧化鋁生產(chǎn)過(guò)程中的副產(chǎn)品回收，產(chǎn)業(yè)布局高度依托大型氧化鋁企業(yè)。其中，中國(guó)鋁業(yè)作為全球金屬鎵產(chǎn)能龍頭，已在貴州華錦、云鋁文山等地建成鎵回收項(xiàng)目；東方希望、南山鋁業(yè)、開(kāi)曼鋁業(yè)等企業(yè)也具備相應(yīng)的回收能力。

然而，盡管中國(guó)在粗鎵（4N–6N級(jí)）供應(yīng)上占據(jù)主導(dǎo)地位，高端化合物半導(dǎo)體（如GaN功率器件、Micro-LED）所需的7N（99.99999%）甚至8N級(jí)高純鎵，對(duì)鐵、銅、鋅等雜質(zhì)的控制極為嚴(yán)苛，必須通過(guò)區(qū)域熔煉、電解精煉、真空蒸餾等多級(jí)提純工藝制備。

目前，中鋁鄭州研究院、昆明冶金研究院、有研集團(tuán)等機(jī)構(gòu)已長(zhǎng)期開(kāi)展高純鎵技術(shù)攻關(guān)，部分單位實(shí)現(xiàn)了小批量7N鎵制備，并通過(guò)三安集成、蘇州納維等下游外延廠商的送樣驗(yàn)證。但受限于工藝穩(wěn)定性與成本，尚未形成大規(guī)模、低成本的量產(chǎn)能力，高端市場(chǎng)仍部分依賴日本Dowa、美國(guó)Indium Corporation和德國(guó)Valence等國(guó)際供應(yīng)商。

國(guó)內(nèi)化合物半導(dǎo)體廠商正加速推動(dòng)高純鎵的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程。三安光電、英諾賽科、海威華芯等企業(yè)已與中鋁、有研集團(tuán)等材料單位建立緊密合作，開(kāi)展7N級(jí)高純鎵的聯(lián)合驗(yàn)證與工藝適配。部分GaN功率器件產(chǎn)線已實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)高純鎵的小批量導(dǎo)入，良率表現(xiàn)穩(wěn)步提升。

隨著下游應(yīng)用場(chǎng)景快速拓展，包括消費(fèi)電子快充、數(shù)據(jù)中心電源和新能源汽車OBC（車載充電機(jī)）等，對(duì)高性價(jià)比、本地化供應(yīng)的需求日益增強(qiáng)，進(jìn)一步激發(fā)了材料—器件—系統(tǒng)全鏈條的協(xié)同創(chuàng)新。

（集邦化合物半導(dǎo)體 Niko 整理）

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深技大副校長(zhǎng)鄧元龍代表學(xué)校，分別與清華大學(xué)深圳國(guó)際研究生院、深圳平湖實(shí)驗(yàn)室、深圳國(guó)際量子研究院、南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院、深圳光峰科技股份有限公司、藍(lán)河科技(紹興)有限公司、騰璞顯示技術(shù)（深圳）有限公司、深圳市中科米格實(shí)驗(yàn)室技術(shù)有限公司等科研院校及機(jī)構(gòu)代表完成集中簽約。簽約內(nèi)容涵蓋框架協(xié)議、聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室共建、員工互聘、校外實(shí)習(xí)實(shí)訓(xùn)基地共建及項(xiàng)目合作協(xié)議等多個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域。

圖片來(lái)源：SZTU光電芯

作為深圳市首個(gè)聚焦化合物半導(dǎo)體光電子領(lǐng)域的公共服務(wù)平臺(tái)，該平臺(tái)的投用填補(bǔ)了深圳市在“光載信息”和“智能傳感”半導(dǎo)體芯片領(lǐng)域的空白，將為粵港澳大灣區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展提供關(guān)鍵支撐，筑牢深技大應(yīng)用研究型人才培養(yǎng)根基。

資料顯示，深圳技術(shù)大學(xué)半導(dǎo)體微納加工中心與測(cè)試平臺(tái)是國(guó)內(nèi)高校系統(tǒng)中獨(dú)立建成的規(guī)模最大、工藝最完整、運(yùn)營(yíng)職業(yè)化的#化合物半導(dǎo)體 光電芯片公共服務(wù)平臺(tái)之一。

中心建筑面積2600平方米，其中千級(jí)、百級(jí)及萬(wàn)級(jí)潔凈區(qū)面積達(dá)2100平方米，配置120余臺(tái)套先進(jìn)教學(xué)與研發(fā)工藝設(shè)備，構(gòu)建起覆蓋光刻、刻蝕、薄膜沉積、切磨拋及測(cè)試表征等關(guān)鍵環(huán)節(jié)的全流程工藝體系，可提供“設(shè)計(jì)—加工—封裝—測(cè)試”一站式技術(shù)解決方案。

中心以“科研牽引、產(chǎn)業(yè)協(xié)同、人才培養(yǎng)”為使命，精準(zhǔn)對(duì)接深技大應(yīng)用研究型人才培養(yǎng)需求，致力于打造國(guó)際先進(jìn)、國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的產(chǎn)學(xué)研協(xié)同創(chuàng)新高地。依托深技大集成電路與光電芯片學(xué)院，組建了由50多名高層次科研人員構(gòu)成的核心團(tuán)隊(duì)，已構(gòu)建起從基礎(chǔ)研究到工藝實(shí)現(xiàn)、從中試到產(chǎn)業(yè)化的完整創(chuàng)新鏈條。作為學(xué)院本碩博學(xué)生的核心實(shí)踐載體，將深度融合科研與教學(xué)，助力構(gòu)建實(shí)踐型人才培養(yǎng)體系，為產(chǎn)業(yè)輸送高素質(zhì)專業(yè)人才，實(shí)現(xiàn)教學(xué)、科研、產(chǎn)業(yè)三大目標(biāo)的精準(zhǔn)對(duì)接。

業(yè)界指出，當(dāng)前，深圳市在光載信息產(chǎn)業(yè)和智能傳感器系列產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域缺乏上游工藝芯片制造公共服務(wù)平臺(tái)，深圳技術(shù)大學(xué)半導(dǎo)體微納加工中心與測(cè)試平臺(tái)的落成彌補(bǔ)了這一空白，其產(chǎn)業(yè)服務(wù)線精準(zhǔn)對(duì)接深圳市“20+8”產(chǎn)業(yè)集群中的光載信息產(chǎn)業(yè)和智能傳感器系列產(chǎn)業(yè)，能滿足粵港澳大灣區(qū)在該領(lǐng)域的相關(guān)需求。未來(lái)，中心將進(jìn)一步助力學(xué)校深化產(chǎn)教融合、推進(jìn)新型研究型大學(xué)建設(shè)，為粵港澳大灣區(qū)建設(shè)產(chǎn)業(yè)科技策源地貢獻(xiàn)深技大力量。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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圖片來(lái)源：CHIPX Global社交平臺(tái)

這座工廠將成為東盟區(qū)域內(nèi)首條8英寸GaN/SiC前端晶圓產(chǎn)線。行業(yè)分析認(rèn)為，其技術(shù)方向并非傳統(tǒng)SiC功率器件或GaN射頻器件，而是聚焦光子集成電路、高帶寬光互連及先進(jìn)材料工程領(lǐng)域，核心適配下一代人工智能數(shù)據(jù)中心、高性能計(jì)算系統(tǒng)的需求，例如為AI數(shù)據(jù)中心提供SiC光子集成電路、SiC中介層，以及面向GPU處理器的GaN晶圓等產(chǎn)品。

CHIPX Global 成立于2022年（注冊(cè)地英國(guó)，企業(yè)歸屬愛(ài)爾蘭），核心團(tuán)隊(duì)具備半導(dǎo)體行業(yè)資深經(jīng)驗(yàn)——?jiǎng)?chuàng)始人欽莫伊?巴魯阿（ChinmoyBaruah）擁有材料科學(xué)領(lǐng)域?qū)W術(shù)背景及初創(chuàng)企業(yè)運(yùn)營(yíng)經(jīng)驗(yàn)，聯(lián)合創(chuàng)始人兼CTO姚耀成（音譯）曾任職于比亞迪、Vishay等企業(yè)，深耕模擬芯片設(shè)計(jì)與GaN技術(shù)研發(fā)，為項(xiàng)目技術(shù)落地提供了基礎(chǔ)。

1、英飛凌馬來(lái)西亞8英寸SiC廠量產(chǎn)

馬來(lái)西亞本身已具備半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)，尤其在第三代半導(dǎo)體（SiC/GaN）領(lǐng)域，已吸引一些國(guó)際巨頭落地核心產(chǎn)能。

作為全球功率半導(dǎo)體龍頭，英飛凌在馬來(lái)西亞的布局堪稱標(biāo)桿，其位于吉打州居林（Kulim）的制造基地已發(fā)展為全球規(guī)模領(lǐng)先的SiC晶圓生產(chǎn)中心。

早在2006年，英飛凌便在居林開(kāi)設(shè)了亞洲首座前道晶圓廠，2022年正式啟動(dòng)第三廠區(qū)建設(shè)，專門聚焦8英寸SiC功率半導(dǎo)體制造，項(xiàng)目總投資達(dá)70億歐元（一期20億歐元、二期50億歐元），是馬來(lái)西亞迄今最大的半導(dǎo)體單筆投資之一。

2024年8月，該工廠一期項(xiàng)目正式投產(chǎn)運(yùn)營(yíng)，馬來(lái)西亞總理安瓦爾?易卜拉欣親自出席啟動(dòng)儀；一期產(chǎn)線初期以6英寸晶圓生產(chǎn)為過(guò)渡，2024年底已具備8英寸SiC晶圓量產(chǎn)條件，2025年第一季度已開(kāi)始向汽車、可再生能源領(lǐng)域客戶交付8英寸SiC器件產(chǎn)品，預(yù)計(jì)2027年將全面轉(zhuǎn)向8英寸晶圓規(guī)模化生產(chǎn)。

值得關(guān)注的是，該工廠采用與奧地利菲拉赫工廠聯(lián)動(dòng)的“虛擬協(xié)同工廠”模式，共享核心技術(shù)與工藝標(biāo)準(zhǔn)，目前已吸引六家全球主流整車廠及新能源企業(yè)簽訂設(shè)計(jì)訂單，累計(jì)訂單額超50億歐元，還收到約10億歐元客戶預(yù)付款，產(chǎn)能消化確定性強(qiáng)。

2、意法半導(dǎo)體、奧特斯完善封裝與材料配套

除英飛凌外，國(guó)際巨頭意法半導(dǎo)體也在馬來(lái)西亞加碼特色工藝與封裝測(cè)試環(huán)節(jié)。

意法半導(dǎo)體在馬來(lái)西亞柔佛州麻坡（Muar）打造了先進(jìn)的功率半導(dǎo)體封裝測(cè)試基地，重點(diǎn)聚焦汽車級(jí)SiC器件的后道工藝。

該基地配備了針對(duì)SiC功率模塊的高可靠性封裝生產(chǎn)線，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于新能源汽車主逆變器、工業(yè)變頻器等場(chǎng)景，與英飛凌的晶圓制造產(chǎn)能形成工藝互補(bǔ)，共同完善了馬來(lái)西亞SiC產(chǎn)業(yè)鏈的“制造-封裝”閉環(huán)。

此外，奧地利科技企業(yè)奧特斯（AT&S）于2024年在吉打州居林高科技園區(qū)啟用高端半導(dǎo)體封裝載板工廠，總投資超10億歐元，專為AMD等企業(yè)的第三代半導(dǎo)體相關(guān)芯片提供封裝載板支持，2024年底已正式量產(chǎn)。封裝載板作為SiC/GaN芯片封裝的核心材料，其本地化供應(yīng)進(jìn)一步降低了馬來(lái)西亞第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的供應(yīng)鏈成本。

3、中企加碼SiC襯底與封測(cè)環(huán)節(jié)

中國(guó)企業(yè)方面，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備龍頭#晶盛機(jī)電 的全球化布局成為馬來(lái)西亞第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要補(bǔ)充。

2025年7月，晶盛機(jī)電子公司浙江晶瑞SuperSiC在檳城州舉行8英寸SiC襯底制造工廠奠基儀式，項(xiàng)目總占地面積4萬(wàn)平方米，一期建成后將實(shí)現(xiàn)24萬(wàn)片/年的8英寸SiC襯底產(chǎn)能，產(chǎn)品主要供應(yīng)電動(dòng)汽車充電器、電信基站電源等領(lǐng)域。

圖片來(lái)源：晶盛機(jī)電

該工廠整合了晶體生長(zhǎng)、切割、拋光等全流程工藝，是東南亞地區(qū)規(guī)模領(lǐng)先的SiC襯底生產(chǎn)基地，不僅填補(bǔ)了當(dāng)?shù)氐谌雽?dǎo)體核心材料制造的空白，還能依托檳城已有的300多家半導(dǎo)體企業(yè)集群，快速接入全球供應(yīng)鏈。

此外，通富微電、華天科技等中企通過(guò)收購(gòu)馬來(lái)西亞當(dāng)?shù)胤鉁y(cè)企業(yè)，已將業(yè)務(wù)延伸至SiC器件的封裝測(cè)試領(lǐng)域，成為馬來(lái)西亞第三代半導(dǎo)體后道環(huán)節(jié)的重要力量。

（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）

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化合物半導(dǎo)體在列，韓國(guó)重金投向四大芯片領(lǐng)域

韓國(guó)計(jì)劃將位于京畿道龍仁市正在建設(shè)的大型半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群拓展為一個(gè)引領(lǐng)人工智能驅(qū)動(dòng)創(chuàng)新的全球中心，并將加快下一代半導(dǎo)體領(lǐng)域研究，涉及AI芯片、存儲(chǔ)技術(shù)、先進(jìn)封裝以及化合物半導(dǎo)體等多個(gè)領(lǐng)域。

韓國(guó)將在2032年前投資2159億韓元用于下一代存儲(chǔ)器，在2030年前投資1.2676萬(wàn)億韓元用于人工智能專用半導(dǎo)體，在2031年前投資3606億韓元用于先進(jìn)封裝，韓國(guó)計(jì)劃在2031年前為化合物半導(dǎo)體投入2601億韓元。

業(yè)界指出，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)版圖中，韓國(guó)憑借存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)在全球占據(jù)重要地位。近年，各國(guó)爭(zhēng)相推出芯片利好政策，推動(dòng)本土芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)加劇。

與此同時(shí)，AI浪潮之下，全球芯片產(chǎn)業(yè)正從傳統(tǒng)存儲(chǔ)芯片向AI芯片、化合物半導(dǎo)體與先進(jìn)封裝等下一代技術(shù)轉(zhuǎn)型，上述背景下，韓國(guó)如果想維持半導(dǎo)體優(yōu)勢(shì)并實(shí)現(xiàn)新一輪發(fā)展，擁抱AI，積極發(fā)力下一代技術(shù)勢(shì)在必行。化合物半導(dǎo)體在新能源、5G通信等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，先進(jìn)封裝則是提升芯片性能、降低成本的關(guān)鍵技術(shù)路徑。韓國(guó)的這一系列資金布局，既能夠快速響應(yīng)當(dāng)前市場(chǎng)需求，又有望為未來(lái)10-20年的產(chǎn)業(yè)發(fā)展奠定了基礎(chǔ)。

從碳化硅到氧化鎵，韓國(guó)化合物半導(dǎo)體布局成績(jī)顯著

化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域，通過(guò)長(zhǎng)期政策扶持以及半導(dǎo)體大廠頻繁布局，韓國(guó)已經(jīng)建起涵蓋碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等核心材料的產(chǎn)業(yè)體系。

今年11月，韓國(guó)SK keyfoundry重磅宣布，已完成SK Powertech的收購(gòu)，正加速開(kāi)發(fā)碳化硅（SiC）化合物功率半導(dǎo)體技術(shù)，目標(biāo)在2025年底前推出碳化硅MOSFET 1200V工藝技術(shù)，并于2026年上半年啟動(dòng)碳化硅功率半導(dǎo)體代工業(yè)務(wù)。

圖片來(lái)源：SK keyfoundry官網(wǎng)新聞稿截圖

資料顯示，SK Powertech前身為YesPowerTechnics，2022年5月被SKInc.納入SK集團(tuán)旗下，其掌握SiC核心單元工藝等批量生產(chǎn)技術(shù)，能夠?qū)崿F(xiàn)SiC功率半導(dǎo)體的穩(wěn)定量產(chǎn)與研發(fā)，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于新能源汽車、太陽(yáng)能逆變器、家用電器、工業(yè)傳動(dòng)以及智能電網(wǎng)等場(chǎng)景。

此外，在第四代半導(dǎo)體氧化鎵領(lǐng)域，韓國(guó)也有所布局。今年12月，據(jù)媒體報(bào)道，韓國(guó)企業(yè)PowerCubeSemi計(jì)劃于2026年上市。

資料顯示，PowerCubeSemi成立于2013年，專注于基于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氧化鎵（Ga?O?）的化合物半導(dǎo)體器件，運(yùn)營(yíng)全球首家專門用于大規(guī)模生產(chǎn)氧化鎵的晶圓廠。目前，PowerCubeSemi已經(jīng)獲得了60億韓元的IPO前融資。

業(yè)界認(rèn)為，PowerCubeSemi氧化鎵生產(chǎn)能力使韓國(guó)能夠在未來(lái)半導(dǎo)體材料經(jīng)濟(jì)中占據(jù)一席之地，與韓國(guó)正在進(jìn)行的SiC、GaN和以人工智能為中心的芯片基礎(chǔ)設(shè)施方面的國(guó)家投資形成互補(bǔ)。

結(jié)語(yǔ)

韓國(guó)此次投入巨額資金發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，尤其是在化合物半導(dǎo)體等下一代技術(shù)領(lǐng)域的布局，展現(xiàn)出其在全球半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)中積極進(jìn)取的姿態(tài)。隨著各項(xiàng)計(jì)劃的推進(jìn)，韓國(guó)有望在未來(lái)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展中占據(jù)更有利地位，其發(fā)展成果也值得全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)持續(xù)關(guān)注。

（文/集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）

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圖片來(lái)源：芯上微裝

AST6200光刻機(jī)是芯上微裝基于多年光學(xué)系統(tǒng)設(shè)計(jì)、精密運(yùn)動(dòng)控制與半導(dǎo)體工藝?yán)斫夥e淀，傾力打造的高性能、高可靠性、全自主可控的步進(jìn)式光刻設(shè)備，專為功率、射頻、光電子及Micro LED等先進(jìn)制造場(chǎng)景量身定制。核心性能亮點(diǎn)包括：

高分辨率成像滿足先進(jìn)工藝需求，搭載大數(shù)值孔徑投影物鏡，結(jié)合多種照明模式與可變光瞳技術(shù)，實(shí)現(xiàn)350nm高分辨率，滿足當(dāng)前主流化合物半導(dǎo)體芯片的光刻工藝要求。

高精度套刻配置高精度對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)正面套刻80nm，背面套刻500nm，確保多層圖形精準(zhǔn)套刻，提升器件良率。

高產(chǎn)率設(shè)計(jì)，顯著降低擁有成本（COO）

• 高照度I-line光源（365nm）
• 高速直線電機(jī)基底傳輸系統(tǒng)，支持2/3/4/6/8英寸多種規(guī)格基片快速切換
• 高速高精度運(yùn)動(dòng)臺(tái)系統(tǒng)，最大加速度1.5g，大幅提升單位時(shí)間產(chǎn)能
• 強(qiáng)工藝適應(yīng)性，兼容多材質(zhì)、多形態(tài)基底

支持Si、SiC、InP、GaAs、藍(lán)寶石等多種材質(zhì)基片

• 兼容平邊、雙平邊、Notch等多種基片類型
• 創(chuàng)新調(diào)焦調(diào)平系統(tǒng)，采用多光斑、大角度入射設(shè)計(jì)，可精準(zhǔn)測(cè)量透明、半透明、不透明及大臺(tái)階基底
• 支持背面對(duì)準(zhǔn)模塊，滿足鍵合片等復(fù)雜制程的背面對(duì)準(zhǔn)需求
• 100%軟件自主可控打造全棧國(guó)產(chǎn)生態(tài)，AST6200搭載芯上微裝自主研發(fā)的全棧式軟件控制系統(tǒng)
• 從底層驅(qū)動(dòng)到上層工藝管理，實(shí)現(xiàn)完全自主主權(quán)。系統(tǒng)具備強(qiáng)大的工藝擴(kuò)展性與遠(yuǎn)程運(yùn)維能力
• 持續(xù)賦能設(shè)備生命周期，助力客戶實(shí)現(xiàn)智能化產(chǎn)線升級(jí)。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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過(guò)去十年，該產(chǎn)業(yè)集群吸引了巨額投資，創(chuàng)造了數(shù)千個(gè)高質(zhì)量就業(yè)崗位，使威爾士躋身全球化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)先行列。

媒體報(bào)道，十年期間，該產(chǎn)業(yè)集群關(guān)鍵里程碑包括：化合物半導(dǎo)體中心的成立、卡迪夫大學(xué)化合物半導(dǎo)體研究所（Institute for Compound Semiconductors）、斯旺西大學(xué)集成半導(dǎo)體材料中心（Centre for Integrative Semiconductor Materials）的建立，以及由英國(guó)研究與創(chuàng)新署（UKRI）資助的化合物半導(dǎo)體應(yīng)用彈射中心（Compound Semiconductor Applications Catapult）。2020 年CSconnected 獲得 “地方優(yōu)勢(shì)基金”（Strength in Places Fund, SIPF）4300萬(wàn)英鎊支持，集群正式規(guī)范化運(yùn)營(yíng)，產(chǎn)業(yè)協(xié)同效應(yīng)進(jìn)一步深化。

其中，卡迪夫大學(xué)化合物半導(dǎo)體研究所披露，自2015年成立以來(lái)，研究所做了三件事：

搭橋梁——讓實(shí)驗(yàn)室技術(shù)跑進(jìn)生產(chǎn)線；建平臺(tái)——打造歐洲首個(gè)化合物半導(dǎo)體原型中心；聚生態(tài)——帶動(dòng)南威爾士產(chǎn)業(yè)集群，每年狂攬3.8億英鎊經(jīng)濟(jì)價(jià)值。

展望未來(lái)，CSconnected愿景是到2030年，將集群營(yíng)收提升至10億英鎊，新增skilled就業(yè)崗位至6000個(gè)，并通過(guò)高薪職位與富有韌性的供應(yīng)鏈，確保區(qū)域內(nèi)充分共享發(fā)展價(jià)值。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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據(jù)會(huì)上披露，2025年光谷半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)規(guī)模將正式突破1000億元，武漢有望躋身北京、上海、深圳、無(wú)錫之后的“半導(dǎo)體第五城”。在這一千億規(guī)模中，硅基半導(dǎo)體與化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)規(guī)模比例為4:1，化合物半導(dǎo)體已明確成為光谷半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的第二發(fā)展曲線。

目前，光谷已形成以九峰山實(shí)驗(yàn)室為核心、占地10平方公里的九峰山科技園，集聚長(zhǎng)飛光纖、先導(dǎo)稀材等多家上下游企業(yè)，覆蓋“材料—設(shè)計(jì)—制造—封裝測(cè)試—設(shè)備”全產(chǎn)業(yè)鏈條。

在技術(shù)創(chuàng)新層面，#九峰山實(shí)驗(yàn)室?作為核心創(chuàng)新極核，已實(shí)現(xiàn)多項(xiàng)全球領(lǐng)先突破——成功研發(fā)國(guó)際首創(chuàng)8英寸硅基氮極性氮化鎵襯底，打破國(guó)際技術(shù)壟斷，同時(shí)推出全球首片8英寸硅光薄膜鈮酸鋰光電集成晶圓，為射頻通信、自動(dòng)駕駛等前沿領(lǐng)域提供關(guān)鍵支撐。

在產(chǎn)業(yè)落地方面，投資120億元的先導(dǎo)稀材高端化合物半導(dǎo)體材料及芯片產(chǎn)業(yè)化基地，從簽約到實(shí)質(zhì)開(kāi)工僅4個(gè)月，預(yù)計(jì)2025年底部分投產(chǎn)，將填補(bǔ)光通信及激光產(chǎn)業(yè)所需半導(dǎo)體襯底空白；長(zhǎng)飛先進(jìn)武漢基地作為國(guó)內(nèi)最大碳化硅芯片生產(chǎn)基地，已進(jìn)入設(shè)備調(diào)試階段，即將實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)通線，年產(chǎn)36萬(wàn)片6英寸碳化硅晶圓。

按照規(guī)劃，在“十五五”期內(nèi)，光谷將以九峰山實(shí)驗(yàn)室等創(chuàng)新載體為圓心，全力建成存儲(chǔ)、化合物半導(dǎo)體兩大千億街區(qū)，預(yù)計(jì)新增10座晶圓廠，芯片總產(chǎn)能有望達(dá)到50萬(wàn)片/月，進(jìn)一步鞏固其在全國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局中的重要地位。

（集邦化合物半導(dǎo)體 Niko 整理）

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1、安森美：碳化硅市場(chǎng)表現(xiàn)符合預(yù)期

安森美公布的2025年第三季度業(yè)績(jī)顯示。該季安森美實(shí)現(xiàn)收入15.509億美元，環(huán)比增長(zhǎng)6%；GAAP毛利率為17.0%。

按業(yè)務(wù)劃分，安森美電源方案部（PSG）營(yíng)收7.376億美元，環(huán)比增長(zhǎng)6%，同比下降11%；先進(jìn)方案部（AMG）營(yíng)收5.833億美元，環(huán)比增長(zhǎng)5%，同比下降11%；智能感知部（ISG）：營(yíng)收2.300億美元，環(huán)比增長(zhǎng)7%。

圖片來(lái)源：安森美

展望第四季度，安森美預(yù)計(jì)營(yíng)收將在14.8億至15.8億美元區(qū)間內(nèi)。

安森美CEO Hassane El-Khoury表示：“我們的第三季度業(yè)績(jī)超出了預(yù)期，凸顯了我們戰(zhàn)略的優(yōu)勢(shì)和商業(yè)模式的彈性。我們繼續(xù)看到核心市場(chǎng)出現(xiàn)企穩(wěn)跡象，同時(shí)AI領(lǐng)域也出現(xiàn)了積極增長(zhǎng)?！?/p>

業(yè)界指出，安森美正從一家“汽車與工業(yè)”公司，加速向一家由“汽車電動(dòng)化”與“AI數(shù)據(jù)中心電源”雙輪驅(qū)動(dòng)的智能電源公司戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型。與此同時(shí)，該公司近年在寬禁帶半導(dǎo)體（SiC和GaN）上的重金投入，也收獲了成果。

安森美在財(cái)報(bào)會(huì)議上透露，公司第一代垂直氮化鎵產(chǎn)品已提供給汽車和人工智能領(lǐng)域的頭部客戶進(jìn)行樣品測(cè)試，目前安森美正在研發(fā)第二代產(chǎn)品，預(yù)計(jì)在2027年左右開(kāi)始產(chǎn)生相關(guān)收入。8英寸碳化硅晶圓已經(jīng)投產(chǎn)，厚度為350微米，計(jì)劃在2026年開(kāi)始出貨。碳化硅的市場(chǎng)表現(xiàn)完全符合安森美的預(yù)期，在終端客戶中的市場(chǎng)份額持續(xù)增長(zhǎng)，并不斷應(yīng)用在新車型上，包括蔚來(lái)汽車等，而且碳化硅產(chǎn)品在混動(dòng)汽車的市場(chǎng)份額也不斷擴(kuò)大。

2、納微半導(dǎo)體：2027年完成高壓GaN的部署

近期，納微半導(dǎo)體公布了2025年第三季度財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)。第三季度納微半導(dǎo)體總收入為1010萬(wàn)美元，同比下滑約114.85%。

圖片來(lái)源：納微半導(dǎo)體官網(wǎng)

該季，納微半導(dǎo)體提出了“納微2.0”戰(zhàn)略，重點(diǎn)轉(zhuǎn)向高功率市場(chǎng)，聚焦GaN與高壓SiC技術(shù)。

納微半導(dǎo)體首席執(zhí)行官Chris Alexandra人在財(cái)報(bào)會(huì)議中透露，該季度收入下滑主要受國(guó)際形勢(shì)變化及市場(chǎng)定價(jià)壓力所致，納微半導(dǎo)體將調(diào)整地域資源部署作為應(yīng)對(duì)。

碳化硅及氮化鎵業(yè)務(wù)進(jìn)展方面，過(guò)去7年，納微半導(dǎo)體已累計(jì)出貨超過(guò)3億顆GaN器件；目前納微半導(dǎo)體正處于轉(zhuǎn)型期，并計(jì)劃在2027年完成高壓GaN的部署。納微半導(dǎo)體將加速推出面向機(jī)架式、系統(tǒng)級(jí)和電網(wǎng)級(jí)的高功率產(chǎn)品，并加速擴(kuò)展中壓GaN器件、高壓GaN器件和電源芯片、高壓SiC模塊系列產(chǎn)品。

（集邦化合物半導(dǎo)體 秦妍 整理）

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