圖片來源：羅姆——用戶可從第4代SiC MOSFET相應(yīng)產(chǎn)品頁面的“設(shè)計(jì)模型”中下載

羅姆介紹，功率半導(dǎo)體的損耗對(duì)系統(tǒng)整體效率有重大影響，因此在設(shè)計(jì)階段的仿真驗(yàn)證中，模型的精度至關(guān)重要。ROHM以往提供的SiC MOSFET用SPICE模型“ROHM Level 1（L1）”，通過提高每種特性的復(fù)現(xiàn)性，滿足了高精度仿真的需求。然而另一方面，該模型存在仿真收斂性問題和運(yùn)算時(shí)間較長等問題，亟待改進(jìn)。

新模型“ROHM Level 3（L3）”通過采用簡化的模型公式，能夠在保持計(jì)算穩(wěn)定性和開關(guān)波形精度的同時(shí)，將仿真時(shí)間較以往L1模型縮短約50%。由此，能夠高精度且快速地執(zhí)行電路整體的瞬態(tài)分析，從而有助于提升應(yīng)用設(shè)計(jì)階段的器件評(píng)估與損耗確認(rèn)的效率。

未來，羅姆將繼續(xù)通過提升仿真技術(shù)，助力實(shí)現(xiàn)更高性能以及更高效率的應(yīng)用設(shè)計(jì)，為電力轉(zhuǎn)換技術(shù)的革新貢獻(xiàn)力量。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

圖片來源：羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

新產(chǎn)品已經(jīng)暫以月產(chǎn)100萬個(gè)的規(guī)模投入量產(chǎn)。前道工序的生產(chǎn)基地為ROHM Co., Ltd.（日本滋賀工廠），后道工序的生產(chǎn)基地為OSAT（泰國）。另外，新產(chǎn)品已經(jīng)開始通過電商進(jìn)行銷售，通過電商平臺(tái)均可購買。

隨著AI技術(shù)的飛速發(fā)展，數(shù)據(jù)中心的負(fù)載急劇增加，服務(wù)器功耗也逐年攀升。特別是隨著配備生成式AI和高性能GPU的服務(wù)器日益普及，如何兼顧進(jìn)一步提升電力效率和支持大電流這兩個(gè)相互沖突的需求，一直是個(gè)難題。

在此背景下，相較傳統(tǒng)12V電源系統(tǒng)具有更高轉(zhuǎn)換效率的48V電源系統(tǒng)正在加速擴(kuò)大應(yīng)用。另外，在服務(wù)器運(yùn)行狀態(tài)下實(shí)現(xiàn)模塊更換的熱插拔電路中，需要兼具更寬SOA范圍和更低導(dǎo)通電阻的MOSFET，以防止浪涌電流和過載時(shí)造成損壞。新產(chǎn)品“RY7P250BM”在8×8mm尺寸中同時(shí)具備業(yè)界超寬SOA范圍和超低導(dǎo)通電阻，有助于降低數(shù)據(jù)中心的功率損耗、減輕冷卻負(fù)荷，從而提升服務(wù)器的可靠性并實(shí)現(xiàn)節(jié)能。

RY7P250BM為8×8mm尺寸的MOSFET，預(yù)計(jì)該尺寸產(chǎn)品未來需求將不斷增長，可以輕松替代現(xiàn)有產(chǎn)品。另外，新產(chǎn)品同時(shí)實(shí)現(xiàn)了更寬SOA范圍（條件：VDS=48V、Pw＝1ms/10ms）和更低導(dǎo)通電阻（RDS(on)），由此既可確保熱插拔（電源啟動(dòng)）工作時(shí)的更高產(chǎn)品可靠性，又能優(yōu)化電源效率，降低功耗并減少發(fā)熱量。

羅姆介紹，為了兼顧服務(wù)器的穩(wěn)定運(yùn)行和節(jié)能，熱插拔電路必須具有較寬的SOA范圍，以承受大電流負(fù)載。特別是AI服務(wù)器的熱插拔電路，與傳統(tǒng)服務(wù)器相比需要更寬的SOA范圍。RY7P250BM的SOA在脈寬10ms時(shí)可達(dá)16A、1ms時(shí)也可達(dá)50A，實(shí)現(xiàn)業(yè)界超優(yōu)性能，能夠應(yīng)對(duì)以往MOSFET難以支持的高負(fù)載應(yīng)用。

RY7P250BM是具有業(yè)界超寬SOA范圍的MOSFET，并且實(shí)現(xiàn)了更低導(dǎo)通電阻，從而大幅降低了通電時(shí)的功率損耗和發(fā)熱量。具有寬SOA范圍的普通8×8mm尺寸100V耐壓MOSFET的導(dǎo)通電阻絕大多數(shù)約為2.28mΩ，而RY7P250BM的導(dǎo)通電阻則降低了約18%——僅有1.86mΩ（條件：VGS=10V、ID=50A、Tj=25℃）。這種低導(dǎo)通電阻有助于提升服務(wù)器電源的效率、減輕冷卻負(fù)荷并降低電力成本。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

新成立的聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室將本著優(yōu)勢互補(bǔ)、全面合作、平等互利的原則，整合三家企業(yè)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的資源與優(yōu)勢，重點(diǎn)開展：功率半導(dǎo)體（IGBT、SiC）的可靠性、失效分析、材料分析、產(chǎn)品測試、晶圓磨劃等領(lǐng)域合作，為客戶的產(chǎn)品研發(fā)和測試提供更加專業(yè)、完善的技術(shù)服務(wù)。

圖片來源：季豐電子

目前，該聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室的各項(xiàng)合作正有序進(jìn)行中。

資料顯示，#林眾電子?致力于功率半導(dǎo)體芯片研發(fā)、功率半導(dǎo)體模組研發(fā)與制造。該公司聚焦于工業(yè)自動(dòng)化、電動(dòng)汽車和光伏新能源等行業(yè)，服務(wù)于海內(nèi)外客戶超過400家。
瞻芯電子是一家聚焦于碳化硅(SiC)半導(dǎo)體領(lǐng)域的高科技芯片公司，2017年成立于上海臨港。該公司自主開發(fā)并掌握6英寸碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品以及工藝平臺(tái)的公司，擁有一座車規(guī)級(jí)碳化硅(SiC)晶圓廠。公司致力于開發(fā)碳化硅功率器件和模塊、驅(qū)動(dòng)和控制芯片產(chǎn)品，并圍繞碳化硅(SiC)應(yīng)用，為客戶提供一站式解決方案。

季豐電子是一家聚焦半導(dǎo)體領(lǐng)域，深耕集成電路檢測相關(guān)的軟硬件研發(fā)及技術(shù)服務(wù)的賦能型平臺(tái)科技公司。公司業(yè)務(wù)分為四大板塊，分別為基礎(chǔ)實(shí)驗(yàn)室、軟硬件開發(fā)、測試封裝和儀器設(shè)備，可為芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測試、材料裝備等半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈和新能源領(lǐng)域公司提供一站式的檢測分析解決方案。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

01、綜藝股份收購吉萊微

5月13日，江蘇綜藝股份有限公司（以下簡稱“綜藝股份”）發(fā)布公告，公司擬通過現(xiàn)金增資或受讓股份的方式，取得江蘇吉萊微電子股份有限公司（以下簡稱“吉萊微”）的控制權(quán)，具體投資方案和投資比例待進(jìn)一步論證和協(xié)商。本次交易預(yù)計(jì)構(gòu)成重大資產(chǎn)重組，交易完成后，吉萊微將成為綜藝股份的控股子公司。

source：江蘇綜藝股份公告截圖

公開資料顯示，吉萊微成立于2001年，專業(yè)從事功率半導(dǎo)體芯片及器件的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，是一家以芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測試的垂直一體化經(jīng)營為主的功率半導(dǎo)體芯片及器件制造企業(yè)。

而綜藝股份當(dāng)前的主營業(yè)務(wù)分為信息科技、新能源、股權(quán)投資三大板塊，其中信息科技領(lǐng)域主要業(yè)務(wù)涵蓋芯片設(shè)計(jì)及應(yīng)用業(yè)務(wù)等。綜藝股份旗下?lián)碛卸嗉覍Ｗ⒂诟呖萍碱I(lǐng)域的企業(yè)，分處于芯片開發(fā)、設(shè)計(jì)、應(yīng)用等不同細(xì)分領(lǐng)域，如天一集成（信息安全芯片）、神州龍芯（自主處理器）等企業(yè)聚焦數(shù)字芯片設(shè)計(jì)。

綜藝股份表示，此次收購吉萊微有助于公司戰(zhàn)略聚焦并補(bǔ)強(qiáng)信息科技領(lǐng)域核心產(chǎn)業(yè)板塊。吉萊微在成為公司的控股子公司后，公司將在原有芯片設(shè)計(jì)及應(yīng)用業(yè)務(wù)基礎(chǔ)上，進(jìn)入功率半導(dǎo)體芯片及器件的研發(fā)、生產(chǎn)及銷售領(lǐng)域，產(chǎn)業(yè)鏈條布局得到進(jìn)一步的優(yōu)化及延伸。

值得一提的是，吉萊微曾沖刺創(chuàng)業(yè)板IPO，于2022年6月30日獲得受理。此前公司招股書（申報(bào)稿）顯示其募集資金是為了投向功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項(xiàng)目、生產(chǎn)線技改升級(jí)項(xiàng)目和研發(fā)中心建設(shè)項(xiàng)目等，來新建6英寸晶圓芯片生產(chǎn)線與封裝線等。

公告顯示，吉萊微目前擁有2條4英寸的芯片生產(chǎn)線，在當(dāng)前全球模擬芯片公司紛紛轉(zhuǎn)向擴(kuò)產(chǎn)12英寸生產(chǎn)線的趨勢下，其盈利能力或造沖擊。

不過，后因公司撤回申請(qǐng)，深交所于2022年12月2日終止對(duì)吉萊微IPO的審核。

02、日月光投控收購元隆電子

此外，近日另一家功率半導(dǎo)體晶圓廠也傳出被收購的消息。

5月14日，全球半導(dǎo)體封測龍頭#日月光投資控股股份有限公司（以下簡稱“日月光投控”）發(fā)布公告，其子公司#臺(tái)灣福雷電子股份有限公司（以下簡稱“福雷電子”）將以每股新臺(tái)幣9元公開收購#元隆電子股份有限公司（以下簡稱“元隆電子”）普通股，預(yù)定收購最高數(shù)量為1.51萬張，收購總金額約1.36億元新臺(tái)幣。

source：ASE日月光

此次收購?fù)瓿珊?，日月光投控持有元隆電子股?quán)比例將達(dá)68.18%。據(jù)悉，本次收購的核心目標(biāo)在于整合元隆電子現(xiàn)有業(yè)務(wù)，推動(dòng)其向AI新世代技術(shù)領(lǐng)域轉(zhuǎn)型。

元隆電子成立于1987年，總部位于中國臺(tái)灣，專注于分離式元件、功率半導(dǎo)體、集成電路以及各種半導(dǎo)體零組件的研究、開發(fā)、設(shè)計(jì)、制造與銷售。

據(jù)了解，元隆電子近年來在高壓技術(shù)及第三代半導(dǎo)體（如碳化硅、氮化鎵）領(lǐng)域的研發(fā)投入不足，導(dǎo)致其難以應(yīng)對(duì)IDM大廠整合邏輯IC與功率半導(dǎo)體、大型晶圓代工廠委外投片的雙重競爭壓力。

據(jù)其2025年第一季度財(cái)報(bào)顯示，盡管合并營收同比增長24.6%至2.68億元新臺(tái)幣，但毛利率與營業(yè)利益率仍為負(fù)值，稅后凈虧損達(dá)1.28億元新臺(tái)幣，每股凈值轉(zhuǎn)負(fù)至-0.42元新臺(tái)幣。

日月光投控的加入，或?qū)⑼ㄟ^集團(tuán)化資源整合，助力元隆電子突破技術(shù)瓶頸，加速向高附加值領(lǐng)域轉(zhuǎn)型。而對(duì)于日月光投控而言，元隆電子在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的制造經(jīng)驗(yàn)與日月光投控的封測技術(shù)形成互補(bǔ)，有望進(jìn)一步提升在AI芯片封裝測試領(lǐng)域的競爭力。

03、結(jié)語

綜藝股份收購吉萊微以及日月光投控收購元隆電子，這兩起收購案是半導(dǎo)體行業(yè)資源整合與技術(shù)升級(jí)的具體體現(xiàn)。通過收購，企業(yè)不僅能夠補(bǔ)強(qiáng)自身產(chǎn)業(yè)鏈，提升綜合競爭力，還能夠加速技術(shù)迭代，搶占新興市場先機(jī)。

（集邦化合物半導(dǎo)體 妮蔻 整理）

01、賽米控丹佛斯與中車時(shí)代半導(dǎo)體簽署合作備忘錄

5月6日，全球領(lǐng)先的電力電子供應(yīng)商賽米控丹佛斯（Semikron Danfoss）與創(chuàng)新型芯片研發(fā)制造商中車時(shí)代半導(dǎo)體宣布簽署合作備忘錄，雙方將在功率模塊芯片技術(shù)的開發(fā)與供應(yīng)領(lǐng)域展開深度合作。

根據(jù)合作備忘錄，賽米控丹佛斯將貢獻(xiàn)其在功率模塊封裝與制造方面的專業(yè)能力，而中車時(shí)代半導(dǎo)體則將提供先進(jìn)的 IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）、碳化硅（SiC）及雙極型芯片技術(shù)。雙方的合作將聚焦于以下幾個(gè)方面：

聯(lián)合研發(fā)：共同開展功率模塊芯片的研發(fā)項(xiàng)目，優(yōu)化芯片設(shè)計(jì)與制造工藝，提升產(chǎn)品性能與可靠性。

市場拓展：結(jié)合賽米控丹佛斯的全球市場資源與中車時(shí)代半導(dǎo)體的國內(nèi)技術(shù)優(yōu)勢，加速功率模塊芯片在中國及全球市場的推廣與應(yīng)用。

客戶服務(wù)：通過雙方的技術(shù)支持與服務(wù)網(wǎng)絡(luò)，為客戶提供更全面、更高效的解決方案，滿足不同應(yīng)用場景的需求。

賽米控丹佛斯總裁Dominic Dorfner表示：“此次合作是我們?cè)跒橹袊蛻籼峁┫冗M(jìn)、可靠功率模塊道路上邁出的重要一步。通過與中車時(shí)代半導(dǎo)體的合作，我們將加速創(chuàng)新芯片技術(shù)的開發(fā)與應(yīng)用?！?/p>

02、英諾賽科與美的廚熱：GaN 技術(shù)賦能家電智能化

與此同時(shí)，國內(nèi)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體企業(yè)英諾賽科與美的廚熱事業(yè)部也達(dá)成了 GaN（氮化鎵）戰(zhàn)略合作。

source：英諾賽科公告截圖

GaN 是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高電子飽和速度、高電子遷移率等特性，適用于高頻、高功率、高電壓的場景，被認(rèn)為是未來電力電子領(lǐng)域的關(guān)鍵材料之一。美的廚熱作為全球領(lǐng)先的家電制造商，一直致力于推動(dòng)家電產(chǎn)品的智能化與高效化。此次與英諾賽科的合作，旨在通過GaN技術(shù)的應(yīng)用，提升家電產(chǎn)品的能效與性能。

根據(jù)戰(zhàn)略合作協(xié)議，英諾賽科將為美的廚熱提供高性能的 GaN 功率器件，雙方將在以下幾個(gè)方面展開深度合作：

產(chǎn)品開發(fā)：共同開發(fā)基于 GaN 技術(shù)的家電產(chǎn)品，如智能電熱爐、電磁爐等，提升產(chǎn)品的能效與性能。

技術(shù)優(yōu)化：結(jié)合英諾賽科的 GaN 技術(shù)優(yōu)勢與美的廚熱的產(chǎn)品設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)，優(yōu)化 GaN 功率器件的應(yīng)用方案，降低系統(tǒng)成本。

市場推廣：通過雙方的市場渠道與品牌影響力，加速 GaN 技術(shù)在家用電器領(lǐng)域的推廣與應(yīng)用，提升市場認(rèn)可度。（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）

恩智浦表示，拉斐爾在制定和塑造恩智浦戰(zhàn)略以及推動(dòng)公司成功方面發(fā)揮了不可或缺的作用。公司相信，他是恩智浦總裁兼首席執(zhí)行官的理想人選，能夠?qū)崿F(xiàn)公司在汽車、工業(yè)和物聯(lián)網(wǎng)終端市場邊緣智能系統(tǒng)領(lǐng)域占據(jù)領(lǐng)導(dǎo)地位的愿景。
最新財(cái)報(bào)顯示，今年一季度，恩智浦營收28.4億美元，高于市場預(yù)期的28.3億美元，但較去年同期31.3億美元要低。

恩智浦在財(cái)報(bào)中表示，受國際形勢劇烈變化影響，公司正處于“非常不確定的環(huán)境”中。恩智浦對(duì)未來市場持“謹(jǐn)慎樂觀”態(tài)度，并預(yù)測第二季度的收入將下降到28億到30億美元。

source：NXP

資料顯示，恩智浦功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)是其半導(dǎo)體解決方案的核心組成部分，聚焦于高效能源管理，廣泛應(yīng)用于汽車、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、移動(dòng)設(shè)備及通信基礎(chǔ)設(shè)施等領(lǐng)域。

其中，恩智浦在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域尤其是氮化鎵領(lǐng)域已經(jīng)形成全面業(yè)務(wù)布局。核心技術(shù)方面，恩智浦采用碳化硅基氮化鎵（GaN on SiC）技術(shù)，結(jié)合SiC優(yōu)異的導(dǎo)熱性和GaN的高功率密度、低損耗特性，適用于高頻、高壓場景。該技術(shù)已應(yīng)用于5G基站射頻功率放大器（PA）及軍事雷達(dá)系統(tǒng)，顯著提升器件性能。

此外，針對(duì)消費(fèi)電子和工業(yè)電源市場，恩智浦開發(fā)硅基氮化鎵技術(shù)，利用現(xiàn)有硅晶圓代工廠實(shí)現(xiàn)規(guī)?；a(chǎn)，降低成本并提高產(chǎn)能。

2025年以來，由于國際形勢以及部分市場汽車需求疲軟，功率半導(dǎo)體廠商業(yè)績?cè)馐芴魬?zhàn)。稍早之前，意法半導(dǎo)體今年一季度財(cái)報(bào)顯示，該公司第一季度凈營收為25.2億美元，同比下降27.3%，環(huán)比下降24.2%。毛利率下滑至33.4%，較去年同期下降830個(gè)基點(diǎn)。凈利潤下跌89.1%，為5600萬美元。

source：意法半導(dǎo)體

財(cái)報(bào)會(huì)議上，意法半導(dǎo)體高管Jean-Marc Chery表示，公司依舊看好碳化硅業(yè)務(wù)的發(fā)展，從長遠(yuǎn)趨勢來看，意法半導(dǎo)體在碳化硅市場中的整體份額將至少保持在30%以上。此外，意法半導(dǎo)體位于意大利卡塔尼亞的8英寸SiC工廠預(yù)計(jì)將于2025年第四季度開始生產(chǎn)，全面落成后預(yù)計(jì)年產(chǎn)能可達(dá)72萬片，進(jìn)一步鞏固意法半導(dǎo)體在碳化硅市場的地位。（集邦化合物半導(dǎo)體 奉穎嫻 整理）

source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖

根據(jù)公告，計(jì)劃選址于無錫分公司，新增第二代框架式功率模塊產(chǎn)品150萬片產(chǎn)能。擴(kuò)建項(xiàng)目完成后，上汽英飛凌無錫分公司的年產(chǎn)能將從現(xiàn)有的260萬個(gè)提升至420萬個(gè)。

公開資料顯示，上汽英飛凌汽車功率半導(dǎo)體（上海）有限公司由上汽集團(tuán)（持股51%）與英飛凌（持股49%）于2018年3月合資成立，總部位于上海，生產(chǎn)基地位于英飛凌無錫工廠的擴(kuò)建項(xiàng)目內(nèi)，在2018下半年開始批量生產(chǎn)。

英飛凌無錫工廠則成立于1995年，前身為西門子半導(dǎo)體無錫工廠，專注于半導(dǎo)體后道封裝測試、功率半導(dǎo)體（如IGBT模塊）及智能卡芯片生產(chǎn)。
今年3月，英飛凌舉行了“無錫新樓啟用暨落戶30周年慶典”活動(dòng)，歷經(jīng)三十年的深耕發(fā)展，無錫工廠已成為英飛凌全球最大的IGBT生產(chǎn)基地之一。

source：英飛凌

回顧英飛凌無錫工廠發(fā)展，最早可追溯到2015年，英飛凌在無錫增資，設(shè)立了英飛凌半導(dǎo)體（無錫）有限公司，生產(chǎn)IGBT模塊。2020年11月6日，英飛凌宣布將新增在華投資，擴(kuò)大其無錫工廠的IGBT模塊生產(chǎn)線。

英飛凌《年產(chǎn)180萬個(gè)汽車功率半導(dǎo)體產(chǎn)品無錫分公司項(xiàng)目》環(huán)評(píng)文件顯示，2019年該項(xiàng)目取得無錫市新吳區(qū)安全生產(chǎn)監(jiān)督管理和環(huán)境保護(hù)局批復(fù)，完成第一階段驗(yàn)收，實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)汽車功率半導(dǎo)體70萬個(gè)生產(chǎn)能力。

2023年，上汽英飛凌新增總投資3.2532億元，在無錫分公司擴(kuò)建《260 萬個(gè)汽車功率半導(dǎo)體產(chǎn)品項(xiàng)目》。英飛凌對(duì)無錫全廠生產(chǎn)線生產(chǎn)能力進(jìn)行重新調(diào)配，將原環(huán)評(píng)審批的年產(chǎn)汽車功率半導(dǎo)體180萬個(gè)生產(chǎn)規(guī)模擴(kuò)產(chǎn)至年產(chǎn)260萬個(gè)汽車功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。該項(xiàng)目已于2024 年5月取得新吳區(qū)行政審批局的立項(xiàng)備案意見。

2025年1月，無錫高新區(qū)（新吳區(qū)）舉行一季度重大項(xiàng)目，其中提到，英飛凌功率半導(dǎo)體器件項(xiàng)目引進(jìn)暨無錫生產(chǎn)基地?cái)U(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目正在加緊建設(shè)，總投資15.5億元。據(jù)無錫市人民政府消息，英飛凌無錫基地還在不斷擴(kuò)大規(guī)模，引進(jìn)全球最新的第三代功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)品，打造國內(nèi)最具規(guī)模、國際技術(shù)一流的先進(jìn)功率半導(dǎo)體器件生產(chǎn)基地。

值得注意的是，上汽英飛凌的HybridPACK Drive功率模塊兼具高功率密度、低能量損耗的特點(diǎn)，采用英飛凌最先進(jìn)的第7代IGBT/EDT2芯片和首創(chuàng)的模塊封裝技術(shù)。

公開資料顯示，英飛凌是首家掌握20μm超薄功率半導(dǎo)體晶圓處理和加工技術(shù)的公司。通過降低晶圓厚度將基板電阻減半，進(jìn)而將功率損耗減少15%以上。該技術(shù)已獲認(rèn)可并向客戶發(fā)布。另外，英飛凌已成功開發(fā)出全球首項(xiàng)300mm氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體晶圓技術(shù)。利用現(xiàn)有的大規(guī)模300mm硅制造設(shè)施，英飛凌將最大化GaN生產(chǎn)的資本效率，推動(dòng)GaN市場的快速增長。（集邦化合物半導(dǎo)體 王奇 整理）

1、寧德時(shí)代取得功率半導(dǎo)體器件和散熱裝置專利

國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，寧德時(shí)代新能源科技股份有限公司取得一項(xiàng)名為“功率半導(dǎo)體器件和散熱裝置”的專利，授權(quán)公告號(hào) CN 222764192 U，申請(qǐng)日期為2025年1月。

source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖

專利摘要顯示，本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種功率半導(dǎo)體器件和散熱裝置，其中，功率半導(dǎo)體器件包括：器件主體；設(shè)置在所述器件主體的第一側(cè)的第一散熱裝置；其中，所述第一散熱裝置包括液冷散熱組件和翅片散熱結(jié)構(gòu)；所述液冷散熱組件與所述翅片散熱結(jié)構(gòu)位于所述器件主體的第一側(cè)，所述翅片散熱結(jié)構(gòu)與所述液冷散熱組件配合安裝，所述器件主體與所述翅片散熱結(jié)構(gòu)分布在所述液冷散熱組件的兩側(cè)；所述翅片散熱結(jié)構(gòu)包括：散熱板和葉脈散熱器；所述液冷散熱組件安裝在所述散熱板的第一面，所述葉脈散熱器安裝在所述散熱板的第二面。

2、江蘇尊陽電子取得超高效散熱性能功率模塊專利

國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，江蘇尊陽電子科技有限公司取得一項(xiàng)名為“一種超高效散熱性能的包括獨(dú)立封裝器件的功率模塊”的專利，授權(quán)公告號(hào)CN222775316U，申請(qǐng)日期為2024年7月。

source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖

專利摘要顯示，本實(shí)用新型涉及一種超高效散熱性能的包括獨(dú)立封裝器件的功率模塊，包括管殼、基板和至少一個(gè)單元模塊；單元模塊包括至少一個(gè)獨(dú)立封裝器件和導(dǎo)電散熱件；獨(dú)立封裝器件包括導(dǎo)電支架、至少一個(gè)芯片和塑封體；至少一個(gè)芯片通過導(dǎo)電介質(zhì)倒扣貼裝在導(dǎo)電支架上，并與導(dǎo)電支架上相對(duì)應(yīng)的引腳電性連接；塑封體包覆住整個(gè)獨(dú)立封裝器件，且所有芯片的背面以及導(dǎo)電支架上的引腳均暴露在塑封體外；導(dǎo)電散熱件通過導(dǎo)電介質(zhì)貼裝在所有芯片的背面，且與芯片電性連接。本實(shí)用新型每個(gè)獨(dú)立封裝器件單獨(dú)封裝，且芯片均倒扣封裝，所有種類的芯片均按此種方案獨(dú)立封裝；所有獨(dú)立封裝器件根據(jù)電性要求安裝到模塊內(nèi)，電性的輸出使用導(dǎo)電構(gòu)件進(jìn)行連接并引出。

3、深圳吉華微特取得功率器件模塊端子焊接工裝專利

4 月 19 日，國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，深圳吉華微特電子有限公司取得一項(xiàng)名為“功率器件模塊端子焊接工裝”的專利，授權(quán)公告號(hào) CN222767588U，申請(qǐng)日期為 2024 年 6 月。

source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖

專利摘要顯示，本實(shí)用新型公開一種功率器件模塊端子焊接工裝，涉及半導(dǎo)體功率器件模塊封裝技術(shù)領(lǐng)域，該種功率器件模塊端子焊接工裝包括夾具單元，該夾具單元包括第一夾具、第二夾具、第三夾具、固定件和限位支撐組件，該第一夾具、第二夾具和第三夾具依次由下至上分布，該固定件與第二夾具連接；功率器件模塊端子焊接后具有模塊底板、絕緣襯底和模塊端子，該限位支撐組件由下至上依次豎向貫穿第一夾具、模塊底板和第二夾具，通過限位支撐組件將模塊底板限位于第一夾具和第二夾具之間；采用本申請(qǐng)?zhí)峁┑墓β势骷K端子焊接工裝可以保障產(chǎn)品外觀質(zhì)量提升，模塊端子鍍層表面劃傷、漏銅率降低，產(chǎn)品封裝良率提升，保證模塊端子焊接后符合產(chǎn)品需求。

4、江蘇天科合達(dá)取得碳化硅晶圓清洗干燥輔助裝置專利

4月21日，國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，江蘇天科合達(dá)半導(dǎo)體有限公司;北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司取得一項(xiàng)名為“一種碳化硅晶圓清洗干燥輔助裝置”的專利，授權(quán)公告號(hào)CN222775303U，申請(qǐng)日期為2024年7月。

專利摘要顯示，本實(shí)用新型提供的一種碳化硅晶圓清洗干燥輔助裝置，包括：卡塞固定座，所述卡塞固定座上具有用于固定卡塞的固定卡槽；搖擺裝置，所述搖擺裝置包括托盤和驅(qū)動(dòng)所述托盤擺動(dòng)的擺動(dòng)驅(qū)動(dòng)組件，所述卡塞固定座設(shè)置于所述托盤上。本實(shí)用新型通過卡塞固定座對(duì)卡塞進(jìn)行固定，卡塞用于插裝碳化硅晶圓，從而可將待清洗或待干燥的碳化硅晶圓通過卡塞固定在卡塞固定座上。而卡塞固定座固定在搖擺裝置的托盤上，搖擺裝置能夠帶動(dòng)卡塞固定座以及卡塞固定座上的碳化硅晶圓往復(fù)擺動(dòng)，使得在清洗或干燥過程中，變換碳化硅晶圓的位置，能夠提高清洗和干燥的均勻性。

source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖

當(dāng)前，全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于技術(shù)競速與市場擴(kuò)張的關(guān)鍵階段，中國企業(yè)通過持續(xù)的研發(fā)投入和專利布局，逐步在散熱優(yōu)化、封裝創(chuàng)新、制造工藝等細(xì)分領(lǐng)域建立競爭優(yōu)勢。然而，面對(duì)國際巨頭在材料純度、器件可靠性等方面的長期積累，國內(nèi)產(chǎn)業(yè)仍需加強(qiáng)產(chǎn)學(xué)研協(xié)同，推動(dòng)核心專利向?qū)嶋H生產(chǎn)力的高效轉(zhuǎn)化。

未來，隨著5G基站、智能電網(wǎng)等新基建領(lǐng)域?qū)Ω咝阅馨雽?dǎo)體需求的釋放，具備自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的技術(shù)將成為企業(yè)參與全球競爭的重要籌碼。這場圍繞第三代半導(dǎo)體的“芯”賽道上，創(chuàng)新專利不僅是技術(shù)實(shí)力的見證，更是產(chǎn)業(yè)升級(jí)的基石。（集邦化合物半導(dǎo)體 niko 整理）

據(jù)悉，該項(xiàng)目位于浙江省龍游縣經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)城北片區(qū)惠商路，總投資5100余萬元，建筑面積約25000多平方米。項(xiàng)目由龍游經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)下屬國資公司代建，主體建筑由廠房、綜合樓、門衛(wèi)、材料庫及室外附屬配套組成，建筑層數(shù)共計(jì)5層。

該項(xiàng)目的竣工標(biāo)志著龍游縣在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域邁出了堅(jiān)實(shí)的一步，也為國內(nèi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展注入了新的活力。

據(jù)悉，芯盟項(xiàng)目涵蓋IGBT芯片、IGBT大功率模塊和分立器件的生產(chǎn)，并積極拓展碳化硅功率器件領(lǐng)域。項(xiàng)目建成后，預(yù)計(jì)年產(chǎn)300萬只高等級(jí)功率半導(dǎo)體模塊。這將顯著提升我國在高等級(jí)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的研發(fā)與生產(chǎn)能力，進(jìn)一步推動(dòng)國產(chǎn)功率半導(dǎo)體的發(fā)展。

該項(xiàng)目建成后將全面提升園區(qū)的整體工藝技術(shù)、產(chǎn)業(yè)鏈等多方面能力，進(jìn)一步助力國產(chǎn)功率半導(dǎo)體的發(fā)展。下一步，開發(fā)區(qū)將持續(xù)優(yōu)化園區(qū)環(huán)境，優(yōu)化周邊配套設(shè)施，推動(dòng)企業(yè)產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)，為開發(fā)區(qū)發(fā)展注入活力。

值得注意的是，芯盟科技是全球首個(gè)研發(fā)出垂直溝道三維存儲(chǔ)器并商業(yè)化的企業(yè)，其3D異構(gòu)集成HITOC鍵合技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)線寬0.9μm，讓芯片之間連接點(diǎn)數(shù)超過100萬個(gè)，3D鍵合密度全球領(lǐng)先。

source：微龍游

近期，芯盟科技接連申請(qǐng)了兩項(xiàng)技術(shù)專利。

3月19日，芯盟科技向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局申請(qǐng)了一項(xiàng)名為“動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器及其讀操作方法、電子設(shè)備”的專利，公開號(hào)為CN119626287A。該專利通過優(yōu)化DRAM設(shè)計(jì)，引入多個(gè)存儲(chǔ)單元組及靈敏放大器組等，顯著提高了DRAM的感應(yīng)裕度和讀出性能。

4月5日，芯盟科技獲得了一項(xiàng)名為“半導(dǎo)體器件及其制造方法”的專利，授權(quán)公告號(hào)為CN113629011B。這項(xiàng)專利涉及創(chuàng)新的材料選擇和生產(chǎn)工藝，有望提升半導(dǎo)體器件的耐用性和能效，廣泛應(yīng)用于智能設(shè)備、通信基礎(chǔ)設(shè)施及消費(fèi)電子等領(lǐng)域。

股權(quán)穿透顯示，海馭能科半導(dǎo)體（上海）有限公司由華域汽車旗下華域汽車系統(tǒng)（上海）有限公司、上海國策綠色科技制造私募投資基金合伙企業(yè)（有限合伙）等共同持股。

其中，華域汽車系統(tǒng)是國內(nèi)汽車零部件龍頭企業(yè)，電動(dòng)系統(tǒng)方面，公司聚焦新能源電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)、驅(qū)動(dòng)電機(jī)及電力電子箱、電空調(diào)與熱管理系統(tǒng)、電池管理系統(tǒng)、新能源電池托盤、電動(dòng)空調(diào)壓縮機(jī)、電子轉(zhuǎn)向機(jī)等產(chǎn)品的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化。

因此，業(yè)界認(rèn)為，結(jié)合華域汽車在汽車電子領(lǐng)域的既有布局，海馭能科可能成為其向新能源、智能化汽車產(chǎn)業(yè)鏈上游延伸的關(guān)鍵載體。

資料顯示，半導(dǎo)體分立器件與電力電子元器件制造屬于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中游環(huán)節(jié)。前者涵蓋二極管、晶閘管等基礎(chǔ)元件，后者涉及IGBT、MOSFET等功率半導(dǎo)體器件，均為新能源車電驅(qū)系統(tǒng)、充電樁及工業(yè)變頻設(shè)備的核心組件。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）