圖片來(lái)源：公告截圖

資料顯示，聯(lián)訊儀器是國(guó)內(nèi)高端測(cè)試儀器設(shè)備企業(yè)，主營(yíng)業(yè)務(wù)為電子測(cè)量?jī)x器和半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備的研發(fā)、制造、銷售及服務(wù)，專業(yè)為全球高速通信和半導(dǎo)體等領(lǐng)域用戶提供高速率、高精度、高效率的核心測(cè)試儀器設(shè)備，助力人工智能、新能源、半導(dǎo)體等前沿科技行業(yè)提升產(chǎn)品開發(fā)和量產(chǎn)效率。

2022年至2024年，聯(lián)訊儀器營(yíng)業(yè)收入從2.14億元跨越式增長(zhǎng)至7.89億元；歸母凈利潤(rùn)成功扭虧為盈，2024年達(dá)到1.4億元。2025年度可實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入約11.5億元至12億元，同比增幅約45.82%至52.16%。

聯(lián)訊儀器計(jì)劃募集資金17.11億元，將投資于下一代光通信測(cè)試設(shè)備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項(xiàng)目、車規(guī)芯片測(cè)試設(shè)備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項(xiàng)目、存儲(chǔ)測(cè)試設(shè)備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項(xiàng)目、數(shù)字測(cè)試儀器研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項(xiàng)目和下一代測(cè)試儀表設(shè)備研發(fā)中心建設(shè)項(xiàng)目。

其中，下一代光通信測(cè)試設(shè)備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項(xiàng)目將進(jìn)一步鞏固聯(lián)訊儀器在光通信測(cè)試領(lǐng)域的領(lǐng)先地位；車規(guī)芯片測(cè)試設(shè)備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項(xiàng)目、存儲(chǔ)測(cè)試設(shè)備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項(xiàng)目將拓展新的增長(zhǎng)點(diǎn)；數(shù)字測(cè)試儀器研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項(xiàng)目和下一代測(cè)試儀表設(shè)備研發(fā)中心建設(shè)項(xiàng)目將提升公司整體研發(fā)能力與技術(shù)儲(chǔ)備。

稍早之前，芯邁半導(dǎo)體與威兆半導(dǎo)體兩家功率半導(dǎo)體廠商同樣傳出IPO新進(jìn)展：

芯邁半導(dǎo)體已經(jīng)更新IPO招股書，正式推進(jìn)香港主板上市進(jìn)程，華泰國(guó)際擔(dān)任本次上市獨(dú)家保薦人。

芯邁半導(dǎo)體成立于2019年，總部位于杭州，采用Fab-Lite集成器件制造商（IDM）業(yè)務(wù)模式，核心業(yè)務(wù)涵蓋電源管理集成電路和功率器件的研發(fā)、銷售，產(chǎn)品覆蓋移動(dòng)技術(shù)、顯示技術(shù)和功率器件三大領(lǐng)域，廣泛應(yīng)用于汽車、電信設(shè)備、數(shù)據(jù)中心、工業(yè)應(yīng)用及消費(fèi)電子產(chǎn)品等多個(gè)場(chǎng)景。

在功率器件領(lǐng)域，芯邁半導(dǎo)體構(gòu)建了涵蓋硅基和碳化硅（SiC）基的完備產(chǎn)品組合。公司的核心技術(shù)涵蓋了超結(jié)MOSFET和屏蔽柵溝槽型MOSFET（SGT MOSFET）。

威兆半導(dǎo)體已向港交所主板遞交上市申請(qǐng)，廣發(fā)證券為其保薦人。

威兆半導(dǎo)體專注于高性能功率半導(dǎo)體器件的研發(fā)、設(shè)計(jì)與銷售，尤其是WLCSP（晶圓級(jí)芯片尺寸封裝）產(chǎn)品，該產(chǎn)品為公司主要產(chǎn)品之一。

功率半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)而言，威兆半導(dǎo)體的中低壓產(chǎn)品主要包括Trench MOSFET及SGT MOSFET，被廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、汽車電子、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、工業(yè)電源等。在中低壓產(chǎn)品中，公司的WLCSP產(chǎn)品憑借其產(chǎn)品尺寸小、散熱性能高、抗沖擊性強(qiáng)等特點(diǎn)，是智能手機(jī)、平板電腦和可穿戴電子設(shè)備等鋰電池保護(hù)應(yīng)用的關(guān)鍵元件。公司的高壓產(chǎn)品主要包括IGBT、 SJ MOSFET及Planar MOSFET，專為滿足嚴(yán)苛環(huán)境下對(duì)高耐壓、高功率密度和可靠性能的需求而設(shè)計(jì)，被廣泛應(yīng)用于汽車電子、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及新能源等應(yīng)用場(chǎng)景。

（集邦化合物半導(dǎo)體 Flora 整理）

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圖片來(lái)源：招股書截圖

資料顯示，芯邁半導(dǎo)體成立于2019年，總部位于杭州，采用Fab-Lite集成器件制造商（IDM）業(yè)務(wù)模式，核心業(yè)務(wù)涵蓋電源管理集成電路和功率器件的研發(fā)、銷售，產(chǎn)品覆蓋移動(dòng)技術(shù)、顯示技術(shù)和功率器件三大領(lǐng)域，廣泛應(yīng)用于汽車、電信設(shè)備、數(shù)據(jù)中心、工業(yè)應(yīng)用及消費(fèi)電子產(chǎn)品等多個(gè)場(chǎng)景。

在功率器件領(lǐng)域，芯邁半導(dǎo)體構(gòu)建了涵蓋硅基和碳化硅（SiC）基的完備產(chǎn)品組合。公司的核心技術(shù)涵蓋了超結(jié)MOSFET和屏蔽柵溝槽型MOSFET（SGT MOSFET）。

值得關(guān)注的是，公司近期推出了專為新能源汽車電池管理系統(tǒng)（BMS）優(yōu)化的40V車規(guī)級(jí)SGT MOSFET（SDA系列），該系列產(chǎn)品在提升BMS系統(tǒng)的安全性與轉(zhuǎn)換效率方面表現(xiàn)卓越。

同時(shí)，公司在碳化硅（SiC）技術(shù)上的布局也已進(jìn)入收獲期，其SiC MOSFET產(chǎn)品正逐步滲透至數(shù)據(jù)中心、AI服務(wù)器及高性能新能源汽車等高功率密度應(yīng)用場(chǎng)景。

財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)方面，招股書披露了芯邁半導(dǎo)體近年的經(jīng)營(yíng)情況。2022年至2024年，公司營(yíng)業(yè)收入分別為16.88億元、16.40億元、15.74億元，呈連續(xù)小幅下滑態(tài)勢(shì)；同期凈虧損分別為1.72億元、5.06億元、6.97億元，累計(jì)虧損超13億元；毛利率同步下滑，從2022年的37.4%降至2024年的29.4%。

2025年前三季度，公司經(jīng)營(yíng)狀況呈現(xiàn)積極變化，實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入14.58億元，同比增長(zhǎng)；凈虧損收窄至2.36億元，毛利率持穩(wěn)于29.1%。

（集邦化合物半導(dǎo)體 Niko 整理）

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?圖片來(lái)源：創(chuàng)業(yè)板截圖

募投落槌：募資75億元，三期鳴笛

12月19日，粵芯半導(dǎo)體創(chuàng)業(yè)板IPO獲受理，擬募資75億元，其中60億元直接投向三期產(chǎn)線與特色工藝研發(fā)。

圖片來(lái)源：粵芯半導(dǎo)體招股書截圖

招股書顯示，公司2022—2025H1營(yíng)業(yè)收入分別為15.45、10.44、16.81與10.53億元，2023年受行業(yè)去庫(kù)存影響下滑32.4%，2024年隨車市復(fù)蘇反彈61.1%，呈現(xiàn)典型的晶圓代工“周期波”。

同期歸母凈利為-10.43、-19.17、-22.53與-12.01億元，累計(jì)未彌補(bǔ)虧損89.36億元，虧損主因重資產(chǎn)折舊（報(bào)告期合計(jì)55.29億元）與高強(qiáng)度研發(fā)（合計(jì)18.38億元）。

該公司此前宣稱，公司最早于2029年整體實(shí)現(xiàn)扭虧為盈，合并報(bào)表可實(shí)現(xiàn)盈利。同時(shí)，公司未來(lái)幾年折舊費(fèi)用、研發(fā)費(fèi)用還將持續(xù)處于較高水平，實(shí)施的股權(quán)激勵(lì)計(jì)劃在未來(lái)幾年亦將持續(xù)確認(rèn)股份支付費(fèi)用攤薄公司經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)，上市后未盈利狀態(tài)可能持續(xù)存在。

回顧行業(yè)歷史，晶圓代工巨頭都經(jīng)歷過(guò)漫長(zhǎng)的虧損期，1980年成立的聯(lián)電，前五年一直被良率爬坡和6英寸設(shè)備折舊拖累，直到1985年才首次年度盈利；臺(tái)積電1987年掛牌，同樣熬滿五個(gè)財(cái)年，才在1992年甩掉虧損帽子。進(jìn)入21世紀(jì)，劇本依舊：中芯國(guó)際2000年起步，恰逢行業(yè)寒冬與設(shè)備禁運(yùn)夾擊，連虧十年后終于在2010年上岸；華虹宏力1997年建廠，受8英寸價(jià)格戰(zhàn)沖擊，也花了六年才實(shí)現(xiàn)正向利潤(rùn)。

產(chǎn)權(quán)結(jié)構(gòu)上，粵芯半導(dǎo)體的股權(quán)結(jié)構(gòu)呈現(xiàn)分散化特征，無(wú)控股股東和實(shí)際控制人。截至招股說(shuō)明書簽署日，前五大股東分別為譽(yù)芯眾誠(chéng)（16.88%）、廣東半導(dǎo)體基金（11.29%）、廣州華盈（9.51%）、科學(xué)城集團(tuán)（9.82%）和國(guó)投創(chuàng)業(yè)基金（7.05%）。

圖片來(lái)源：粵芯半導(dǎo)體招股書截圖

粵芯的股東名單一眼望去像“三類錢包”：國(guó)資錢包（科學(xué)城、廣東半導(dǎo)體基金）給土地、給電價(jià)補(bǔ)貼；市場(chǎng)錢包（農(nóng)銀、越秀、國(guó)投等40余家基金）給子彈；最特別的是產(chǎn)業(yè)錢包——廣汽資本、尚頎資本、北汽產(chǎn)投三家整車廠直接把“產(chǎn)能包銷”寫進(jìn)股本，讓代工廠從乙方變成車企利益共同體。三方交叉持股、無(wú)控股股東的設(shè)計(jì)，既避免一股獨(dú)大決策慢，又把單純財(cái)務(wù)投資升級(jí)為“訂單+工藝+資本”的三角穩(wěn)定結(jié)構(gòu)。

更具體地說(shuō)，三方把傳統(tǒng)“我設(shè)計(jì)、你代工”的松耦合關(guān)系，改成了“同桌畫圖”的虛擬IDM：車企把對(duì)電池管理系統(tǒng)（BMS）的900?V高壓、大電流需求提前擺在桌面；粵芯現(xiàn)場(chǎng)調(diào)整BCD工藝的摻雜濃度、膜厚，一次性把電性能、可靠性、車規(guī)溫度范圍都做進(jìn)PDK；設(shè)計(jì)公司按這套定制PDK畫版圖，首輪流片即可同時(shí)滿足AEC-Q100與整車廠DV驗(yàn)證。原本12–24個(gè)月的車規(guī)認(rèn)證被壓縮到9個(gè)月，芯片“上車”速度翻倍，車企拿到規(guī)格，粵芯拿到綁定產(chǎn)能，基金股東則提前鎖定出貨量——一次股權(quán)安排，把三方的利益時(shí)鐘撥到同一節(jié)拍。

公開資料顯示，粵芯半導(dǎo)體目前擁有兩座12英寸晶圓廠，分別為第一工廠（粵芯一、二期）和第二工廠（粵芯三期），一期項(xiàng)目主要技術(shù)節(jié)點(diǎn)為0.18um到90nm工藝，于2019年9月建成投產(chǎn)，2020年12月實(shí)現(xiàn)滿產(chǎn)運(yùn)營(yíng)。二期項(xiàng)目新增月產(chǎn)能2萬(wàn)片，技術(shù)節(jié)點(diǎn)將延伸至55nm工藝，于2022年上半年投產(chǎn)。三期項(xiàng)目采用55nm、40nm、28nm及22nm等更先進(jìn)的成熟節(jié)點(diǎn)，也于2024年年底正式通線投產(chǎn)。按照計(jì)劃，粵芯半導(dǎo)體前三期項(xiàng)目規(guī)劃產(chǎn)能合計(jì)最高能達(dá)8萬(wàn)片/月。

圖片來(lái)源：粵芯半導(dǎo)體官網(wǎng)?

招股書（申報(bào)稿）顯示，粵芯半導(dǎo)體申報(bào)深交所創(chuàng)業(yè)板IPO擬募資75億元，其中35億元用于12英寸集成電路模擬特色工藝生產(chǎn)線項(xiàng)目（三期項(xiàng)目）、25億元用于特色工藝技術(shù)平臺(tái)研發(fā)項(xiàng)目，合計(jì)占擬募資總額的80%。

目前，粵芯半導(dǎo)體持續(xù)面臨著技術(shù)升級(jí)壓力，該公司從55nm向28nm制程邁進(jìn)，需要攻克更多技術(shù)難關(guān)。另外，其客戶結(jié)構(gòu)還待優(yōu)化，目前粵芯半導(dǎo)體77%收入來(lái)自消費(fèi)電子，需加速向工業(yè)、汽車等高價(jià)值領(lǐng)域轉(zhuǎn)型。

晶圓代工競(jìng)爭(zhēng)潮：先進(jìn)燒錢角力，成熟搶單成潮

隨著人工智能浪潮對(duì)先進(jìn)算力芯片需求的爆發(fā)以及新能源汽車產(chǎn)業(yè)對(duì)成熟制程模擬芯片的渴求，全球晶圓代工市場(chǎng)呈現(xiàn)出極其鮮明的“雙軌制”發(fā)展特征。一方面是臺(tái)積電、三星、英特爾在先進(jìn)制程上的軍備競(jìng)賽，另一方面，一場(chǎng)關(guān)于供應(yīng)鏈安全、成本效率與技術(shù)差異化的戰(zhàn)役正在12英寸成熟制程（28nm-180nm）市場(chǎng)上演。

根據(jù)TrendForce集邦咨詢數(shù)據(jù)，進(jìn)入2025年，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)步入新一輪復(fù)蘇，預(yù)計(jì)2025年全球晶圓代工業(yè)產(chǎn)值將迎來(lái)20%的增長(zhǎng)，且整體產(chǎn)能在三季度已創(chuàng)下歷史新高。中國(guó)大陸的晶圓代工產(chǎn)能擴(kuò)張?jiān)?024-2025年間達(dá)到了頂峰，其成熟制程（28nm及以上）產(chǎn)能占比預(yù)計(jì)將從2023年的29%飆升至2027年的33%，若單看12英寸成熟制程，這一份額增幅則更加顯著。

雖然這引發(fā)了對(duì)“產(chǎn)能過(guò)?！钡膿?dān)憂，但行業(yè)多方均指出這種過(guò)剩是結(jié)構(gòu)性的：標(biāo)準(zhǔn)邏輯工藝的紅海區(qū)域（如DDIC、低端CIS）面臨劇烈的價(jià)格下行壓力；而高壓BCD、車規(guī)級(jí)IGBT/SiC、嵌入式存儲(chǔ)MCU等特色工藝依然屬于供需偏緊的藍(lán)海。

在中國(guó)大陸的代工版圖中，行業(yè)梯隊(duì)呈現(xiàn)出極強(qiáng)的階梯化競(jìng)爭(zhēng)格局。

中芯國(guó)際2025年資本支出預(yù)計(jì)在75億美元左右，連續(xù)第三年保持70億美元以上高投入。其核心戰(zhàn)略呈現(xiàn)出極致的“雙軌并行”：在先進(jìn)制程端，盡管面臨外部嚴(yán)苛限制，中芯仍在眾多國(guó)產(chǎn)設(shè)備龍頭的支持下推進(jìn)技術(shù)研發(fā)與產(chǎn)能建設(shè)，以支撐國(guó)產(chǎn)高端SoC的需求。在成熟制程端，中芯在京城、上海、深圳大舉擴(kuò)建，其2025年月產(chǎn)能預(yù)計(jì)將折合8英寸超過(guò)90萬(wàn)片，通過(guò)規(guī)模效應(yīng)筑起成本護(hù)城河。

華虹集團(tuán)作為全球領(lǐng)先的特色工藝晶圓代工廠，是粵芯在技術(shù)維度上最直接的博弈對(duì)象。華虹采取“8英寸+12英寸”雙核驅(qū)動(dòng)戰(zhàn)略，在功率分立器件（IGBT、SuperJunction）和嵌入式非易失性存儲(chǔ)器（eNVM）領(lǐng)域擁有全球領(lǐng)先的市場(chǎng)份額。2025年，隨著華虹無(wú)錫二期通線投產(chǎn)，其12英寸總產(chǎn)能將邁向18萬(wàn)片/月的新臺(tái)階，鞏固汽車與工控優(yōu)勢(shì)。

圖片來(lái)源：千庫(kù)網(wǎng)

但是值得注意的是，華虹的挑戰(zhàn)在于大量老舊8英寸產(chǎn)線帶來(lái)的折舊壓力，以及作為老牌國(guó)企在決策靈活性上需面對(duì)更為敏捷的區(qū)域新貴競(jìng)爭(zhēng)。

晶合集成則是合肥“芯屏汽合”戰(zhàn)略的典范，依托京東方的面板需求成為全球DDIC代工龍頭。2025年，晶合集成營(yíng)收預(yù)計(jì)穩(wěn)定在100億至120億元區(qū)間，并加速向CIS、PMIC及MCU轉(zhuǎn)型，目前40nm高壓OLED驅(qū)動(dòng)芯片已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

如果說(shuō)晶合代表了“合肥模式”，粵芯則是“廣東模式”的碩果?；浶敬蚱屏酥袊?guó)半導(dǎo)體制造“重長(zhǎng)三角、輕珠三角”的舊格局，成為粵港澳大灣區(qū)目前唯一進(jìn)入大規(guī)模量產(chǎn)階段的12英寸晶圓制造企業(yè)。

這種地緣上的稀缺性，使其在《廣東省強(qiáng)芯工程》等政策傾斜、電力供應(yīng)及人才補(bǔ)貼方面享有無(wú)可比擬的優(yōu)勢(shì)。與晶合側(cè)重顯示器不同，粵芯自誕生起便精準(zhǔn)鎖定“模擬特色工藝”與“汽車電子”，這與廣東作為全國(guó)最大的汽車生產(chǎn)基地和電子消費(fèi)中心高度契合。通過(guò)“虛擬IDM”模式與整車廠深度耦合，粵芯在成熟制程的藍(lán)海中成功構(gòu)建了差異化的競(jìng)爭(zhēng)生態(tài)。

（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）

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圖片來(lái)源：上海證券交易所截圖

資料顯示，#中圖科技?成立于2013年，是一家專注于半導(dǎo)體上游核心材料研發(fā)、生產(chǎn)與銷售的高新技術(shù)企業(yè)，核心定位為氮化鎵（GaN）外延所需圖形化襯底材料供應(yīng)商。

據(jù)中圖科技披露的招股說(shuō)明書（申報(bào)稿）顯示，公司核心產(chǎn)品包括2至6英寸圖形化藍(lán)寶石襯底（PSS）和4至6英寸圖形化復(fù)合材料襯底（MMS），這類產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于Mini/Micro LED、汽車照明及車載顯示、RGB直顯、背光顯示等領(lǐng)域，同時(shí)在氮化鎵功率器件領(lǐng)域的應(yīng)用已日漸成熟。

作為全球少數(shù)具備納米級(jí)PSS及8英寸圖形化襯底制造能力的企業(yè)之一，中圖科技成功突破早期由日韓及中國(guó)臺(tái)灣企業(yè)主導(dǎo)的技術(shù)壁壘，掌握全系列氮化鎵基LED芯片用圖形化襯底設(shè)計(jì)與制造的關(guān)鍵核心技術(shù)，相關(guān)技術(shù)為下游芯片質(zhì)量及良率提升提供重要支撐。

圖片來(lái)源：中圖科技官網(wǎng)

行業(yè)地位方面，中圖科技已形成顯著的規(guī)模優(yōu)勢(shì)與市場(chǎng)影響力。招股書顯示，公司折合4英寸的圖形化襯底年產(chǎn)能超1800萬(wàn)片。

客戶結(jié)構(gòu)上，公司直接服務(wù)于富采光電、首爾偉傲世、三安光電、華燦光電等海內(nèi)外頭部LED芯片企業(yè)，產(chǎn)品最終應(yīng)用于蘋果、三星、LG、海信、TCL及比亞迪、賽力斯、蔚來(lái)等消費(fèi)電子與新能源汽車知名品牌，尤其在Mini/Micro LED領(lǐng)域已進(jìn)入蘋果、三星等頭部企業(yè)供應(yīng)體系，核心競(jìng)爭(zhēng)力得到行業(yè)廣泛認(rèn)可。

財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)顯示，中圖科技具備良好的持續(xù)經(jīng)營(yíng)能力。報(bào)告期內(nèi)，公司營(yíng)業(yè)收入分別為10.63億元、12.08億元、11.49億元和5.32億元，歸屬于母公司股東的凈利潤(rùn)分別為4220.32萬(wàn)元、7417.78萬(wàn)元、9446.06萬(wàn)元和4213.24萬(wàn)元，整體盈利水平保持穩(wěn)定。

關(guān)于募資用途，中圖科技擬公開發(fā)行不超過(guò)14200.62萬(wàn)股普通股，占發(fā)行后總股本比例不低于15%，募集資金將主要投向Mini/Micro LED及車用LED芯片圖形化襯底產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、半導(dǎo)體襯底材料工程技術(shù)研究中心項(xiàng)目，并補(bǔ)充流動(dòng)資金。

公司表示，本次募資項(xiàng)目均圍繞主營(yíng)業(yè)務(wù)的科技創(chuàng)新領(lǐng)域，將從產(chǎn)能擴(kuò)張、前沿產(chǎn)品產(chǎn)業(yè)化、研發(fā)能力提升和流動(dòng)資金保障四個(gè)維度助力戰(zhàn)略落地，進(jìn)一步鞏固行業(yè)領(lǐng)先地位，同時(shí)拓展氮化鎵材料在功率器件等領(lǐng)域的應(yīng)用，探索在超算等領(lǐng)域的創(chuàng)新應(yīng)用場(chǎng)景。

中圖科技的業(yè)務(wù)與氮化鎵形成“上游材料支撐下游器件制造”的深度綁定關(guān)系，是氮化鎵基半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)化的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。

具體而言，#氮化鎵?作為第三代半導(dǎo)體核心材料，具備禁帶寬度大、電子遷移率高、耐高溫等優(yōu)異特性，廣泛應(yīng)用于LED、功率器件、射頻器件等領(lǐng)域，但氮化鎵難以直接制備成大面積單晶襯底，行業(yè)普遍采用“異質(zhì)外延”技術(shù)——即在藍(lán)寶石等襯底材料上生長(zhǎng)氮化鎵薄膜，而中圖科技的圖形化襯底產(chǎn)品，正是這一技術(shù)路徑中不可或缺的核心支撐材料。

公司的核心業(yè)務(wù)邏輯是為下游氮化鎵基器件企業(yè)提供襯底材料綜合解決方案：通過(guò)對(duì)藍(lán)寶石平片進(jìn)行薄膜沉積、勻膠、曝光、顯影、刻蝕等精密加工，制成具有特定圖形結(jié)構(gòu)的襯底產(chǎn)品，這類圖形化結(jié)構(gòu)能有效改善氮化鎵外延層的晶體質(zhì)量，降低因藍(lán)寶石與氮化鎵熱膨脹系數(shù)、晶格系數(shù)不匹配導(dǎo)致的缺陷密度，進(jìn)而提升氮化鎵基器件的發(fā)光效率、穩(wěn)定性和使用壽命。

總而言之，中圖科技深耕半導(dǎo)體上游材料領(lǐng)域，其產(chǎn)品與技術(shù)契合新型顯示產(chǎn)業(yè)發(fā)展方向及第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)政策導(dǎo)向，此次IPO若順利推進(jìn)，將進(jìn)一步拓寬企業(yè)研發(fā)投入渠道，助力國(guó)內(nèi)LED與顯示產(chǎn)業(yè)鏈上游材料自主化進(jìn)程，為相關(guān)戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供資本與技術(shù)雙重支撐。

（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）

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圖片來(lái)源：企查查截圖

賽英電子是一家專業(yè)從事陶瓷管殼和封裝散熱基板等功率半導(dǎo)體器件關(guān)鍵部件研發(fā)、制造和銷售的國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)，其產(chǎn)品主要應(yīng)用于晶閘管、IGBT和IGCT等功率半導(dǎo)體器件，應(yīng)用領(lǐng)域覆蓋發(fā)電、輸電、變電、配電、用電等電力系統(tǒng)全產(chǎn)業(yè)鏈，在特高壓輸變電、新能源發(fā)電、工業(yè)控制、新能源汽車、智算中心、軌道交通等領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。

業(yè)績(jī)方面，根據(jù)該賽英電子已披露的2025三季報(bào)，公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入4.383億元，同比增長(zhǎng)38.43%，凈利潤(rùn)6955萬(wàn)元，同比增長(zhǎng)31.98%。

今年8月，媒體報(bào)道賽英電子功率半導(dǎo)體模塊散熱基板新建生產(chǎn)基地及產(chǎn)能提升項(xiàng)目正式開工。該項(xiàng)目聚焦半導(dǎo)體工藝設(shè)備的研發(fā)與制造，總投資超5億元，分為兩期，建成達(dá)產(chǎn)后，將具備新增平底型散熱基板以及針齒型散熱基板的生產(chǎn)能力。項(xiàng)目一期計(jì)劃于明年年底建成投用。

此次IPO，賽英電子募投項(xiàng)目聚焦核心業(yè)務(wù)升級(jí)，2.7億元募資將主要用于功率半導(dǎo)體模塊散熱基板生產(chǎn)基地建設(shè)、研發(fā)中心升級(jí)及補(bǔ)充流動(dòng)資金三大方向。其中，散熱基板生產(chǎn)基地項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后，將新增1200萬(wàn)片平底型與600萬(wàn)片針齒型封裝散熱基板產(chǎn)能，進(jìn)一步提升該公司在核心產(chǎn)品領(lǐng)域的供給能力。

（集邦化合物半導(dǎo)體 Flora 整理）

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兩家公司均為無(wú)晶圓廠（fab?less）模式的功率器件供應(yīng)商，專注于車規(guī)級(jí)、工業(yè)控制及新能源等高增長(zhǎng)應(yīng)用，并通過(guò)港交所平臺(tái)獲取國(guó)際資本，以支撐技術(shù)迭代、海外市場(chǎng)拓展及產(chǎn)業(yè)鏈升級(jí)。

1、納芯微港股上市

12月8日，納芯微正式在香港聯(lián)合交易所主板掛牌上市。從2025年4月首次遞交H股上市申請(qǐng)，到10月獲中國(guó)證監(jiān)會(huì)境外發(fā)行上市備案，再到11月啟動(dòng)招股，納芯微僅用8個(gè)月便完成了“A+H”雙平臺(tái)搭建。

圖片來(lái)源：納芯微電子

資料顯示，納芯微成立于2013年，深耕功率驅(qū)動(dòng)芯片、隔離器件等核心產(chǎn)品，其車規(guī)級(jí)芯片已通過(guò)AEC-Q100認(rèn)證，廣泛應(yīng)用于比亞迪、小米等終端企業(yè)的汽車電子、工業(yè)控制場(chǎng)景，成為國(guó)產(chǎn)替代的關(guān)鍵力量。

根據(jù)招股書及上市公告，納芯微本次全球發(fā)售H股總數(shù)為1906.84萬(wàn)股（行使超額配售權(quán)前），其中香港公開發(fā)售占10%，國(guó)際發(fā)售占90%，并附帶15%超額配售權(quán)。最終確定發(fā)行價(jià)為每股116港元，募資凈額約20.96億港元。

本次IPO的亮點(diǎn)之一是引入了陣容強(qiáng)大的基石投資者。比亞迪、小米集團(tuán)等7家知名產(chǎn)業(yè)及投資機(jī)構(gòu)共同認(rèn)購(gòu)了總額約10.89億港元的股份，占本次發(fā)售股份總數(shù)的近一半。

從資金用途來(lái)看，本次募資規(guī)劃精準(zhǔn)契合功率半導(dǎo)體行業(yè)“高端化+全球化”的核心趨勢(shì)：25%將用于擴(kuò)展海外銷售網(wǎng)絡(luò)及市場(chǎng)推廣，強(qiáng)化全球客戶覆蓋；22%重點(diǎn)投入汽車電子應(yīng)用產(chǎn)品布局，加碼車規(guī)級(jí)芯片研發(fā)與量產(chǎn)；18%用于底層技術(shù)與工藝平臺(tái)升級(jí)，鞏固核心技術(shù)壁壘；剩余資金則用于戰(zhàn)略投資并購(gòu)及補(bǔ)充營(yíng)運(yùn)資金。

2、功率半導(dǎo)體新秀尚鼎芯重啟IPO

12月2日，深圳市尚鼎芯科技股份有限公司（下稱“尚鼎芯”）再度向港交所遞交招股書，距離其4月首次遞表失效僅時(shí)隔8個(gè)月，獨(dú)家保薦人為金聯(lián)資本。

圖片來(lái)源：尚鼎芯招股書截圖

尚鼎芯成立于2011年，作為一家專注定制化功率器件的無(wú)晶圓廠（Fabless）的供應(yīng)商，尚鼎芯以MOSFET為核心產(chǎn)品，同時(shí)布局IGBT、GaN（氮化鎵）MOSFET及SiC（碳化硅）MOSFET等第三代半導(dǎo)體器件，應(yīng)用場(chǎng)景覆蓋消費(fèi)電子、工業(yè)控制、汽車電子、新能源儲(chǔ)能等多個(gè)領(lǐng)域。

據(jù)招股書，2022年至2025年前三季度，公司營(yíng)收分別為1.67億元、1.13億元、1.22億元、1.05億元，凈利潤(rùn)對(duì)應(yīng)為5360.9萬(wàn)元、3101.7萬(wàn)元、3511.2萬(wàn)元、3031.6萬(wàn)元。數(shù)據(jù)可見，2023年公司營(yíng)收同比銳減32.4%，雖在2024年實(shí)現(xiàn)小幅反彈，但整體增長(zhǎng)乏力；不過(guò)毛利率穩(wěn)定在55%-57%，顯示出定制化業(yè)務(wù)較強(qiáng)的盈利韌性。

尚鼎芯科技此次IPO募集資金將主要用于三大方向：一是核心產(chǎn)品迭代與新技術(shù)研發(fā)，重點(diǎn)投入物聯(lián)網(wǎng)通信芯片、邊緣計(jì)算芯片性能優(yōu)化及車規(guī)級(jí)芯片研發(fā)；二是拓展海外市場(chǎng)與加密國(guó)內(nèi)銷售網(wǎng)點(diǎn)；三是補(bǔ)充營(yíng)運(yùn)資金，優(yōu)化現(xiàn)金流結(jié)構(gòu)。這一布局精準(zhǔn)指向公司當(dāng)前的短板與行業(yè)機(jī)遇。

車規(guī)級(jí)芯片是功率半導(dǎo)體企業(yè)的重要增長(zhǎng)曲線。隨著新能源汽車滲透率提升，車規(guī)級(jí)MOSFET、SiC MOSFET需求持續(xù)增長(zhǎng)，但車規(guī)級(jí)產(chǎn)品對(duì)可靠性、穩(wěn)定性要求極高，認(rèn)證周期長(zhǎng)，需要大量研發(fā)投入。

（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）

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圖片來(lái)源：東莞市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)

此次IPO，天域半導(dǎo)體全球發(fā)售3007.05萬(wàn)股，發(fā)行價(jià)定為每股58港元，總募集資金約17.44億港元（約合2.24億美元），由中信證券獨(dú)家保薦。

圖片來(lái)源：天域半導(dǎo)體財(cái)報(bào)截圖

豪華股東加持，鎖定行業(yè)“雙寡頭”地位

作為國(guó)內(nèi)最早從事第三代半導(dǎo)體碳化硅外延片研發(fā)、生產(chǎn)與銷售的高新技術(shù)企業(yè)之一，#天域半導(dǎo)體 自2009年成立以來(lái)已深耕行業(yè)逾十五年。公司主營(yíng)業(yè)務(wù)深度聚焦于4H-SiC外延片，憑借深厚的自主研發(fā)實(shí)力，已建立起覆蓋4英寸、6英寸及最新8英寸全尺寸規(guī)格的產(chǎn)品矩陣，能夠有力支撐650V至20000V寬電壓等級(jí)的功率器件制造。

據(jù)TrendForce集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示，全球碳化硅外延片市場(chǎng)正處于技術(shù)迭代與產(chǎn)能擴(kuò)張的關(guān)鍵期。在中國(guó)市場(chǎng)，天域半導(dǎo)體已確立了絕對(duì)的領(lǐng)先地位，與瀚天天成（EpiWorld）共同構(gòu)筑了國(guó)內(nèi)碳化硅外延市場(chǎng)的“雙寡頭”競(jìng)爭(zhēng)格局，兩者合計(jì)占據(jù)了國(guó)內(nèi)絕大部分市場(chǎng)份額。

而在全球視野下，天域半導(dǎo)體憑借在6英寸量產(chǎn)及8英寸先進(jìn)制程上的布局，已成功躋身全球獨(dú)立外延片供應(yīng)商的“第一梯隊(duì)”，成為少數(shù)能與Wolfspeed、Resonac（原昭和電工）等國(guó)際巨頭在高端供應(yīng)鏈中正面競(jìng)爭(zhēng)的中國(guó)企業(yè)之一。

在技術(shù)創(chuàng)新層面，公司是國(guó)內(nèi)首家實(shí)現(xiàn)6英寸外延片量產(chǎn)的企業(yè)，并率先布局8英寸量產(chǎn)線及攻克多層、厚膜快速外延等核心技術(shù)，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏儲(chǔ)能、智能電網(wǎng)及軌道交通等戰(zhàn)略新興領(lǐng)域。

圖片來(lái)源：天域半導(dǎo)體財(cái)報(bào)截圖

公司營(yíng)收在2022年至2023年間因產(chǎn)能擴(kuò)張及電動(dòng)車市場(chǎng)強(qiáng)勁需求而大幅增長(zhǎng)，于2023年達(dá)到人民幣11.27億元的高峰，產(chǎn)品重心由4英寸轉(zhuǎn)向6英寸外延片。然而，2024年?duì)I收驟降57.0%至人民幣4.84億元，主要原因有二：一是受美國(guó)貿(mào)易政策影響，失去占比極高的主要海外客戶；二是行業(yè)產(chǎn)能擴(kuò)張導(dǎo)致供過(guò)于求，迫使平均售價(jià)顯著下跌。

截至2025年5月31日止五個(gè)月，雖然平均售價(jià)腰斬導(dǎo)致營(yíng)收同比下跌23.3%，但公司采取「以銷量為導(dǎo)向」的策略成功擴(kuò)大市占率，推動(dòng)總銷量逆勢(shì)增長(zhǎng)近60%。值得注意的是，產(chǎn)品結(jié)構(gòu)持續(xù)升級(jí)，8英吋碳化硅外延片成為新亮點(diǎn)，在獲得多家中國(guó)龍頭企業(yè)及實(shí)驗(yàn)室訂單后，其銷量較去年同期激增超過(guò)75倍，為公司在價(jià)格戰(zhàn)中提供了新的增長(zhǎng)動(dòng)能。

圖片來(lái)源：天域半導(dǎo)體財(cái)報(bào)截圖

而按地理位置劃分，中國(guó)內(nèi)地市場(chǎng)雖銷量持續(xù)增長(zhǎng)，但受外延片市場(chǎng)價(jià)格下跌拖累，收入在2023年大增后于2024年及2025年首五個(gè)月轉(zhuǎn)為下滑，呈現(xiàn)「量增價(jià)跌」的態(tài)勢(shì)；韓國(guó)市場(chǎng)則因受地緣政治影響經(jīng)歷斷崖式下跌，2023年曾因大客戶J的需求帶動(dòng)收入暴增，但隨后受美國(guó)貿(mào)易政策限制，該客戶于2024年大幅削減并最終停止采購(gòu)，導(dǎo)致韓國(guó)地區(qū)收入至2025年已近乎歸零。

對(duì)此，業(yè)內(nèi)分析指出，2024年全球碳化硅晶圓市場(chǎng)經(jīng)歷了顯著的價(jià)格調(diào)整，降價(jià)幅度接近30%，這是導(dǎo)致公司短期業(yè)績(jī)波動(dòng)的主要原因。值得注意的是，今年前五個(gè)月，雖然營(yíng)收同比下滑了13.6%，但天域半導(dǎo)體通過(guò)優(yōu)化運(yùn)營(yíng)，凈利潤(rùn)已同比轉(zhuǎn)正達(dá)到950萬(wàn)元，顯示出了一定的經(jīng)營(yíng)韌性。天域半導(dǎo)體的成長(zhǎng)歷程備受一級(jí)市場(chǎng)資本青睞，其股東陣容堪稱豪華。招股書顯示，自2021年以來(lái)，公司共完成了7輪融資，合計(jì)規(guī)模達(dá)14.64億元，吸引了包括華為哈勃、比亞迪、上汽尚頎、海爾資本等眾多產(chǎn)業(yè)資本與知名投資機(jī)構(gòu)的加持。

天域半導(dǎo)體IPO之后，李錫光持股為26.8308%，歐陽(yáng)忠持股為16.8146%，李玉明持股為8.2258%，莊樹廣持股為7.1553%，華為旗下哈勃科技持股為6.0651%，鼎弘投資持股為5.1554%，袁毅持股為3.5746%，潤(rùn)生投資持股為2.9459%，旺和投資持股為2.1488%，大中實(shí)業(yè)持股為1.8942%，莞順投資持股為1.4738%，尚頎匯鑄持股為1.4155%，比亞迪持股為1.3889%。這種產(chǎn)業(yè)資本的深度綁定，不僅為天域半導(dǎo)體提供了資金支持，更通過(guò)供應(yīng)鏈協(xié)同鎖定了下游新能源汽車及工業(yè)電源領(lǐng)域的關(guān)鍵市場(chǎng)需求。

展望未來(lái)，天域半導(dǎo)體將利用此次IPO募集的資金構(gòu)建更深的競(jìng)爭(zhēng)護(hù)城河。根據(jù)規(guī)劃，募集資金將主要用于擴(kuò)產(chǎn)8英寸碳化硅外延片產(chǎn)能，以應(yīng)對(duì)行業(yè)向大尺寸晶圓轉(zhuǎn)型的趨勢(shì)。同時(shí)，公司計(jì)劃籌建東南亞生產(chǎn)基地以完善全球布局，并前瞻性投入氧化鎵、金剛石等第四代半導(dǎo)體材料的研發(fā)。

其中，鍵合襯底外延技術(shù)產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目作為重點(diǎn)投向，預(yù)計(jì)投資7億元，這將進(jìn)一步鞏固天域在全球第三代半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的話語(yǔ)權(quán)。

（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）

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圖片來(lái)源：中國(guó)證監(jiān)會(huì)官網(wǎng)截圖

資料顯示，#東科半導(dǎo)體?成立于2011年，2017年將總部遷至安徽馬鞍山，是國(guó)家級(jí)專精特新 “小巨人” 企業(yè)、中國(guó)半導(dǎo)體百?gòu)?qiáng)企業(yè)。東科半導(dǎo)體多年先后開發(fā)出AC/DC、同步整流、第三代半導(dǎo)體氮化鎵芯片等，被廣泛應(yīng)用于電源管理芯片市場(chǎng)。

2016年?yáng)|科半導(dǎo)體同步整流芯片研發(fā)成功，其獨(dú)特的兩引腳封裝技術(shù)為全球首創(chuàng)，迅速在行業(yè)內(nèi)積累了獨(dú)家競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，目前產(chǎn)品已完成蘋果、華為、OPPO、?？低暭伴L(zhǎng)城集團(tuán)等專業(yè)測(cè)試，獲得了天寶電子、天音電子、歐陸通、立訊精密、海信等上市企業(yè)的認(rèn)證。

東科半導(dǎo)體采用 “Fabless+封測(cè)” 模式，設(shè)立有4個(gè)研發(fā)中心(深圳、無(wú)錫、馬鞍山、青島)，一個(gè)封測(cè)基地；2023年和北大共建聯(lián)合研發(fā)中心推進(jìn)氮化鎵芯片研發(fā)，還首創(chuàng)兩引腳封裝技術(shù)，也是國(guó)內(nèi)首個(gè)實(shí)現(xiàn)合封氮化鎵電源管理芯片的供應(yīng)商。

11月13日，東科半導(dǎo)體官微宣布華碩旗下a豆品牌推出了一款100W氮化鎵充電器，其內(nèi)部搭載了東科DK8710BD合封氮化鎵芯片，分別支持100W和30W輸出，還支持45W+45W、65W+30W等輸出策略，滿足包括米系用戶在內(nèi)的消費(fèi)群體對(duì)高性能、強(qiáng)兼容、小體積產(chǎn)品的需求。

圖片來(lái)源：東科半導(dǎo)體

稍早之前的3月，東科推出多款全新升級(jí)AHB控制器——DK87XXBD系列，新一代高集成度AC-DC電源管理芯片，采用不對(duì)稱半橋（AHB）架構(gòu)，集成了兩顆氮化鎵功率器件，專為高功率密度、高效率電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)。該芯片通過(guò)諧振腔結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)原邊功率管零電壓開通和副邊整流管零電流關(guān)斷，在寬負(fù)載范圍內(nèi)可將系統(tǒng)效率提升至行業(yè)領(lǐng)先水平，同時(shí)顯著降低開關(guān)損耗和電磁干擾。

圖片來(lái)源：東科半導(dǎo)體

截至2025年9月，東科半導(dǎo)體自主設(shè)計(jì)、封測(cè)的GaN電源芯片累計(jì)出貨已突破1億元顆，成為國(guó)內(nèi)少數(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)的GaN芯片供應(yīng)商之一。GaN芯片憑借高耐壓、高頻率、低損耗等特性，廣泛應(yīng)用于消費(fèi)級(jí)快充、工業(yè)電源以及新能源汽車等場(chǎng)景，顯著提升了能量轉(zhuǎn)換效率并降低了系統(tǒng)成本。

（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）

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1、基本半導(dǎo)體港股上市備案獲批

11月26日，基本半導(dǎo)體獲證監(jiān)會(huì)境外發(fā)行上市及境內(nèi)未上市股份“全流通”備案，正式獲批赴港發(fā)行上市備案。這意味著公司在香港聯(lián)合交易所主板的首次公開發(fā)行（IPO）進(jìn)入實(shí)質(zhì)推進(jìn)階段，這是其沖刺“中國(guó)碳化硅芯片第一股”的關(guān)鍵一步。

圖片來(lái)源：基本半導(dǎo)體備案通知書截圖

資料顯示，基本半導(dǎo)體是一家專注于第三代半導(dǎo)體——碳化硅（SiC）功率器件的創(chuàng)新企業(yè)，已形成從硅材料制備、芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、模塊封裝到柵極驅(qū)動(dòng)芯片設(shè)計(jì)與測(cè)試的完整產(chǎn)業(yè)鏈。

基本半導(dǎo)體總部位于深圳，在北京、上海、無(wú)錫、香港以及日本名古屋設(shè)有研發(fā)中心和制造基地。核心產(chǎn)品包括碳化硅二極管、MOSFET芯片、車規(guī)級(jí)和工業(yè)級(jí)功率模塊以及功率器件驅(qū)動(dòng)芯片，產(chǎn)品性能已達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，廣泛應(yīng)用于新能源汽車、電動(dòng)汽車充電、光伏儲(chǔ)能、軌道交通、智能電網(wǎng)等關(guān)鍵場(chǎng)景

2025年5月27日，基本半導(dǎo)體向香港交易所遞交招股書，聯(lián)席保薦人為中信證券、國(guó)金證券（香港）和中銀國(guó)際，計(jì)劃在港交所主板上市。

備案通知書顯示，本次備案文件明確公司計(jì)劃發(fā)行不超過(guò)39,357,800股境外上市普通股，且有49位股東共計(jì)260,148,242股境內(nèi)未上市股份將轉(zhuǎn)為境外上市股份，實(shí)現(xiàn)全流通。發(fā)行規(guī)模和股份轉(zhuǎn)換安排旨在為公司后續(xù)的研發(fā)投入、全球渠道拓展以及產(chǎn)能擴(kuò)張?zhí)峁┏渥愕馁Y本支持。公司已委任中信證券、國(guó)金證券（香港）和中銀國(guó)際為聯(lián)席保薦人，確保上市過(guò)程符合香港監(jiān)管要求。

對(duì)于上市募集的資金，基本半導(dǎo)體主要聚焦三方面。一是加大研發(fā)投入，持續(xù)強(qiáng)化技術(shù)優(yōu)勢(shì)；二是深化IDM與代工合作并行的業(yè)務(wù)模式，進(jìn)一步完善產(chǎn)業(yè)鏈布局；三是拓展碳化硅產(chǎn)品的全球分銷網(wǎng)絡(luò)，進(jìn)而打造碳化硅功率器件的國(guó)際領(lǐng)先品牌，提升在全球市場(chǎng)的份額和影響力。

從行業(yè)角度看，基本半導(dǎo)體的港股上市被視為中國(guó)碳化硅賽道的里程碑。若成功上市，公司將成為國(guó)內(nèi)首家在境外資本市場(chǎng)掛牌的SiC芯片企業(yè)，進(jìn)一步提升中國(guó)在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力，并為國(guó)內(nèi)外投資者提供直接參與該高成長(zhǎng)細(xì)分市場(chǎng)的渠道。

同時(shí)，上市募集的資金預(yù)計(jì)將用于加強(qiáng)研發(fā)平臺(tái)、擴(kuò)大深圳和無(wú)錫的生產(chǎn)基地、提升封裝產(chǎn)能以及構(gòu)建全球分銷網(wǎng)絡(luò)，從而鞏固其在新能源汽車和新能源儲(chǔ)能等關(guān)鍵應(yīng)用領(lǐng)域的市場(chǎng)份額。

2、天域半導(dǎo)體開啟港股招股

2025年11月27日至12月2日，#天域半導(dǎo)體 正式啟動(dòng)港股首次公開發(fā)行（IPO）招股，計(jì)劃全球發(fā)售3,007.05萬(wàn)股H股，其中約300.705萬(wàn)股（約10%）面向香港公開發(fā)售，剩余約2,706.345萬(wàn)股（約90%）通過(guò)國(guó)際配售方式發(fā)行，最多可募資約17.44億港元，預(yù)計(jì)12月5日在港交所掛牌上市。

本次IPO的主承銷商為中信證券，獨(dú)家保薦人為中信證券，確保發(fā)行符合香港交易所《上市規(guī)則》要求。

此次招股引入了廣東原始森林、GloryOcean兩名基石投資者。其中廣東原始森林以場(chǎng)外掉期形式認(rèn)購(gòu)1.20億元人民幣，GloryOcean認(rèn)購(gòu)3000萬(wàn)港元，合計(jì)認(rèn)購(gòu)金額約1.615億港元，占此次發(fā)行份額的9.26%，為上市提供了資金信心支撐。

圖片來(lái)源：天域半導(dǎo)體官網(wǎng)公告截圖

資料顯示，天域半導(dǎo)體成立于2009年，是國(guó)內(nèi)碳化硅外延片領(lǐng)域的龍頭企業(yè)，專注于碳化硅外延片的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，同時(shí)提供外延代工、清洗及檢測(cè)等增值服務(wù)。其外延片產(chǎn)品覆蓋4英寸、6英寸、8英寸等多尺寸。

財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)方面，2022年至2024年及2025年前五個(gè)月，天域半導(dǎo)體營(yíng)收分別為4.37億元、11.71億元、5.2億元和2.57億元，外延片業(yè)務(wù)始終為主要收入來(lái)源。同期，碳化硅外延片銷量分別約為4.5萬(wàn)片、13.1萬(wàn)片、7.9萬(wàn)片和7.8萬(wàn)片。

IPO前公司已完成7輪累計(jì)約14.64億元人民幣的融資，股東包含眾多知名產(chǎn)業(yè)資本。像華為旗下的哈勃科技、比亞迪、上汽集團(tuán)旗下尚頎資本等也在投資方之列，這些產(chǎn)業(yè)資本不僅帶來(lái)資金，更能為其業(yè)務(wù)拓展形成協(xié)同效應(yīng)。

招股說(shuō)明書顯示，募集資金的主要用途包括：一是擴(kuò)張整體產(chǎn)能，采購(gòu)先進(jìn)設(shè)備、擴(kuò)建產(chǎn)線并完成新基地建設(shè)，以提升公司在全球SiC外延片市場(chǎng)的份額；二是加強(qiáng)研發(fā)投入，提升產(chǎn)品質(zhì)量、縮短新產(chǎn)品研發(fā)周期，保持技術(shù)領(lǐng)先；三是進(jìn)行戰(zhàn)略投資和完善銷售網(wǎng)絡(luò)，進(jìn)一步打開國(guó)際市場(chǎng)；四是補(bǔ)充營(yíng)運(yùn)資金，提升公司流動(dòng)性。

（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）

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圖片來(lái)源：中國(guó)證監(jiān)會(huì)官網(wǎng)截圖

這是芯谷微自2024年4月主動(dòng)撤回#科創(chuàng)板IPO 申請(qǐng)后，再次提交輔導(dǎo)備案。根據(jù)輔導(dǎo)工作安排，本次輔導(dǎo)內(nèi)容分為四個(gè)階段，包括形成具體的輔導(dǎo)方案并實(shí)施、財(cái)務(wù)相關(guān)培訓(xùn)、輔導(dǎo)驗(yàn)收、編制總結(jié)工作報(bào)告等。

公司曾于2023年5月遞交科創(chuàng)板上市申請(qǐng)，擬募集資金8.5億元用于微波芯片封測(cè)及模組產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，以及研發(fā)中心建設(shè)項(xiàng)目和補(bǔ)充流動(dòng)資金。

芯谷微成立于2014年，是一家半導(dǎo)體微波/毫米波芯片、微波模塊及發(fā)射/接收（T/R）組件的研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售企業(yè)，核心工藝為砷化鎵（GaAs）和氮化鎵（GaN）化合物半導(dǎo)體。產(chǎn)品廣泛用于電子對(duì)抗、精確制導(dǎo)、雷達(dá)探測(cè)、軍用通信等國(guó)防軍工領(lǐng)域，同時(shí)正向5G毫米波通信、衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)、儀器儀表、醫(yī)療設(shè)備等民用市場(chǎng)拓展。

芯谷微在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的發(fā)展緊緊圍繞氮化鎵，同時(shí)搭配砷化鎵工藝協(xié)同推進(jìn)。

芯谷微基于國(guó)內(nèi)外先進(jìn)穩(wěn)定的砷化鎵和氮化鎵工藝線開展相關(guān)產(chǎn)品研發(fā)，逐步具備了高功率氮化鎵管芯、高功率內(nèi)匹配管放大器等產(chǎn)品的研發(fā)生產(chǎn)能力。

2022年公司完成4億元C輪融資，由廣發(fā)乾和領(lǐng)投，所獲資金主要用于支持其向IDM模式轉(zhuǎn)型，為砷化鎵和氮化鎵相關(guān)技術(shù)研發(fā)與產(chǎn)能擴(kuò)張?zhí)峁┵Y金保障。

2023年，芯谷微啟動(dòng)了總投資11億元的6英寸砷化鎵晶圓制造線項(xiàng)目，該項(xiàng)目也是完善其第三代半導(dǎo)體相關(guān)全產(chǎn)業(yè)鏈能力的關(guān)鍵布局。2025年5月19日，該項(xiàng)目迎來(lái)重要進(jìn)展，首臺(tái)核心設(shè)備高溫離子注入機(jī)順利搬入產(chǎn)線，標(biāo)志著產(chǎn)線正式進(jìn)入設(shè)備安裝調(diào)試階段，當(dāng)時(shí)計(jì)劃全部設(shè)備于5月底完成搬入，為后續(xù)通線達(dá)產(chǎn)奠定基礎(chǔ)，而這一項(xiàng)目的推進(jìn)也將進(jìn)一步強(qiáng)化其在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域從芯片設(shè)計(jì)到微波組件生產(chǎn)的全鏈條實(shí)力。

到2025年11月重啟IPO時(shí)，其基于氮化鎵等工藝的相關(guān)產(chǎn)品仍是核心業(yè)務(wù)板塊，此次沖刺上市的動(dòng)作也將為公司第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的持續(xù)研發(fā)和市場(chǎng)拓展提供更充足的資本支持。

（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）

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