東尼電子預計2024年業(yè)績扭虧為盈

1月19日晚間，東尼電子公告，經財務部門初步測算，預計公司2024年度實現(xiàn)凈利潤1000萬元到1500萬元，同比將實現(xiàn)扭虧為盈；預計2024年度實現(xiàn)扣非凈利潤-7800萬元到-7300萬元。

東尼電子表示，上述業(yè)績變動主要因報告期內公司資產減值損失大幅減少；消費電子、新能源等各業(yè)務的毛利額較上年同期均有增長；優(yōu)化產業(yè)結構、控制研發(fā)投入導致研發(fā)費用下降。另外，報告期內，公司政府補助等非經營性損益較上年同期增長。

資料顯示，東尼電子專注于超微細合金線材、金屬基復合材料及其它新材料的應用研發(fā)、生產與銷售，其生產的產品主要應用于消費電子、醫(yī)療、太陽能光伏、新能源汽車、半導體新材料五大領域。碳化硅方面，東尼電子在碳化硅襯底材料方面有研發(fā)和生產，是碳化硅產業(yè)鏈上游的重要企業(yè)。

2021年東尼電子非公開發(fā)行募投項目“年產12萬片碳化硅半導體材料”，該項目位于湖州市吳興區(qū)織里鎮(zhèn)，已于2023年上半年實施完畢。去年3月18日，湖州市生態(tài)環(huán)境局公示了對東尼電子擴建SiC項目的環(huán)評文件審批意見。根據(jù)公告內容，東尼半導體計劃利用東尼五期廠區(qū)廠房，實施擴建年產20萬片6英寸SiC襯底材料項目。

圖片來源：拍信網正版圖庫

拓荊科技預計2024年營收同比增逾四成

1月20日晚間，拓荊科技披露2024年年度業(yè)績預告，預計公司2024年年度實現(xiàn)營業(yè)收入40億元至42億元，與上年同期相比增加12.95億元至14.95億元，同比增長47.88%至55.27%。

資料顯示，拓荊科技專注于研發(fā)和生產高端半導體專用設備，產品線包括離子體增強化學氣相沉積（PECVD）設備、原子層沉積（ALD）設備和次常壓化學氣相沉積（SACVD）設備三大系列。產品已廣泛用于中芯國際、華虹集團、長江存儲、長鑫存儲、廈門聯(lián)芯、燕東微等國內主流晶圓廠產線。

今年上半年，拓荊科技超高深寬比溝槽填充CVD設備、PE-ALD SiN工藝設備、HDPCVD FSG、HDPCVD STI工藝設備等新產品及新工藝已經下游用戶驗證導入。

去年12月末，拓荊科技發(fā)布公告，公司控股子公司拓荊鍵科(海寧)半導體設備有限公司(簡稱“拓荊鍵科”)擬與上海稷以科技有限公司(簡稱“稷以科技”)簽訂設備采購合同，合同總金額約人民幣1000萬元(含稅)。本次擬采購碳化硅刻蝕設備一臺，本次設備采購將有助于提高拓荊鍵科的生產能力，為新產品的產業(yè)化提供保障。

東微半導預計2024年凈利潤盈利最高4,700萬元

近日，東微半導發(fā)布公告稱，預計2024年1-12月歸屬于上市公司股東的凈利潤盈利為3,200萬元至4,700萬元，同比上年下降66.43%至77.15%；預計2024年1-12月營業(yè)收入為97,500萬元至102,000萬元,同比上年增長0.22%至4.85%。

資料顯示，東微半導是一家以高性能功率器件研發(fā)與銷售為主的技術驅動型半導體企業(yè),產品專注于工業(yè)及汽車相關等中大功率應用領域。

目前，東微半導第一代及第二代1200V碳化硅MOSFET產品已通過可靠性測試工作并開始獲得客戶訂單，其中第二代碳化硅MOSFET已在2024年推出多個產品。與此同時，東微半導體正在研發(fā)650V/750V/1200V的第三代、第四代碳化硅MOSFET。（集邦化合物半導體Flora整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。

東尼電子Q3凈利同比增114.62%，計劃擴產碳化硅襯底

10月25日晚間，東尼電子公布了2024年第三季度報告。東尼電子Q3實現(xiàn)營收6.03億元，同比增長3.64%；歸母凈利潤0.24億元，同比增長114.62%；歸母扣非凈利潤0.12億元，同比增長107.25%。

今年上半年，東尼電子在碳化硅擴產方面取得了新進展。東尼電子2021年非公開發(fā)行募投項目“年產12萬片碳化硅半導體材料”已于2023年上半年實施完畢，其計劃在該募投項目基礎上進一步擴建。根據(jù)今年3月湖州市生態(tài)環(huán)境局公示的對東尼電子擴建碳化硅項目的環(huán)評文件審批意見，東尼半導體計劃利用東尼五期廠區(qū)廠房，實施擴建年產20萬片6英寸碳化硅襯底材料項目。

芯朋微Q3實現(xiàn)營收凈利雙增長，已推出碳化硅MOSFET

10月24日晚間，芯朋微公布了2024年第三季度報告。芯朋微Q3實現(xiàn)營收2.54億元，同比增長29.78%；歸母凈利潤0.33億元，同比增長178.81%；歸母扣非凈利潤0.21億元，同比增長176.84%。

芯朋微主要產品為功率半導體，目前其已推出IGBT、SuperJunction MOSFET、碳化硅MOSFET器件系列等產品，主要面向數(shù)據(jù)中心、服務器、基站、光伏逆變器、儲能等大功率工業(yè)場景。氮化鎵應用方面，芯朋微集成氮化鎵產品已在消費類應用上量產，工業(yè)類產品正在推廣中。

長電科技Q3實現(xiàn)營收94.91億元，已推出碳化硅模塊樣品

10月24日晚間，長電科技公布了2024年第三季度報告。長電科技Q3實現(xiàn)營收94.91億元，同比增長14.95%；歸母凈利潤4.57億元，同比下滑4.39%；歸母扣非凈利潤4.40億元，同比增長19.50%。

目前，長電科技正在加速擴充中大功率器件成品制造產能，特別是在第三代半導體市場，包括碳化硅和氮化鎵功率器件。長電科技在江蘇無錫江陰市搭建的車規(guī)級封裝中試線已于2024年第一季度成功通線，并在今年6月推出兩款碳化硅塑封模塊樣品。

聞泰科技Q3實現(xiàn)營收195.71億元，加快碳化硅產品研發(fā)

10月24日晚間，聞泰科技公布了2024年第三季度報告。聞泰科技Q3實現(xiàn)營收195.71億元，同比增長28.71%；歸母凈利潤2.74億元，同比下滑67.69%；歸母扣非凈利潤2.00億元，同比下滑75.14%。

在化合物半導體領域，2023年，聞泰科技實現(xiàn)了氮化鎵D-M系列產品工業(yè)和消費領域的銷售，同時E-M產品通過所有測試認證，于2024年開始銷售。碳化硅方面，聞泰科技實現(xiàn)了碳化硅整流管的工業(yè)消費級的量產和MOSFET的工業(yè)消費級的測試驗證，以及碳化硅MOSFET產品線的建立，推動產品進入1200V高壓市場。今年上半年，聞泰科技加快了功率分立器件（IGBT、碳化硅和氮化鎵）和模塊等的研發(fā)。（集邦化合物半導體Zac整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。

東尼電子上半年實現(xiàn)營收8.33億元，正在進行高規(guī)格6/8英寸襯底研發(fā)驗證

8月30日晚間，東尼電子發(fā)布了2024年半年度報告。2024年上半年，東尼電子實現(xiàn)營收8.33億元，同比增長7.15%；歸母凈利潤-0.67億元，歸母扣非凈利潤-1.11億元。

東尼電子專注于超微細合金線材、金屬基復合材料及其它新材料的應用研發(fā)、生產與銷售，其生產的產品主要應用于消費電子、太陽能光伏、醫(yī)療、新能源汽車和半導體五大領域：超微細電子線材、無線充電隔磁材料主要應用于消費電子行業(yè)；金剛石切割線、節(jié)能型太陽能膠膜主要應用于光伏行業(yè)；線束主要應用于醫(yī)療行業(yè)；極耳、線路板主要應用于新能源汽車行業(yè)；碳化硅半導體材料主要應用于半導體行業(yè)。

關于業(yè)績表現(xiàn)，東尼電子表示，報告期內，其消費電子和醫(yī)療業(yè)務營收毛利均有所增長，光伏業(yè)務營收下滑但毛利提升，新能源業(yè)務營收增長但毛利下滑，半導體業(yè)務營收毛利均有所下降，以上導致整體毛利額同比增長；資產減值損失、營業(yè)外收入大幅增加。綜上，凈利潤仍為虧損，但相比上年同期虧損幅度收窄。

半導體業(yè)務方面，上半年，東尼電子半導體業(yè)務主要進行高規(guī)格6英寸和8英寸襯底的研發(fā)驗證工作，并未大規(guī)模生產供貨，導致營收下降，而在新工藝參數(shù)調試過程中，產品良率不穩(wěn)定，生產成本高企，毛利情況不佳。

今年上半年，東尼電子在碳化硅擴產方面有新進展。東尼電子2021年非公開發(fā)行募投項目“年產12萬片碳化硅半導體材料”已于2023年上半年實施完畢，其計劃在該募投項目基礎上進一步擴建。根據(jù)今年3月湖州市生態(tài)環(huán)境局公示的對東尼電子擴建SiC項目的環(huán)評文件審批意見，東尼半導體計劃利用東尼五期廠區(qū)廠房，實施擴建年產20萬片6英寸SiC襯底材料項目。

華潤微上半年實現(xiàn)營收47.60億元，推出基于GaN的高效能快充系統(tǒng)方案

8月30日晚間，華潤微發(fā)布了2024年半年度報告。2024年上半年，華潤微實現(xiàn)營收47.60億元，同比下滑5.36%；歸母凈利潤2.80億元，同比下滑63.96%；歸母扣非凈利潤2.85億元，同比下滑61.11%。

關于業(yè)績下滑原因，華潤微表示，報告期內，其歸母凈利潤、歸母扣非凈利潤、基本每股收益較上年同期下降，主要是由于行業(yè)周期性調整，同時其積極布局重大項目，持續(xù)加大研發(fā)投入力度。

目前華潤微主營業(yè)務可分為產品與方案、制造與服務兩大業(yè)務板塊。其產品與方案業(yè)務板塊聚焦于功率半導體、數(shù)?；旌?、智能傳感器與智能控制等領域，制造與服務業(yè)務主要提供半導體開放式晶圓制造、封裝測試等服務。此外，華潤微還提供掩模制造服務。

在化合物半導體領域，2024年上半年，華潤微完成8英寸中壓（100-200V）增強型P-GaN工藝平臺建設，并完成首顆150V/36A增強型器件樣品的制備。同時，華潤微采用新型的GaN控制及驅動技術，開發(fā)原邊、副邊控制芯片，及GaN驅動芯片，推出基于GaN的高效能快充系統(tǒng)方案，最大輸出功率可達65W。

高測股份上半年營收增長，6/8英寸碳化硅金剛線切片機實現(xiàn)大批量交付

8月29日晚間，高測股份發(fā)布了2024年半年度報告。2024年上半年，高測股份實現(xiàn)營收26.46億元，同比增長4.96%；歸母凈利潤2.73億元，同比下滑61.80%；歸母扣非凈利潤2.38億元，同比下滑65.67%。

關于業(yè)績表現(xiàn)，高測股份表示，報告期內，其整體出貨規(guī)模同比上期實現(xiàn)較大增長，但受光伏行業(yè)產業(yè)鏈整體價格下行影響，本期產品價格相比上年同期大幅下降，導致營業(yè)收入同比略有增長，凈利潤同比下降幅度較大。

高測股份研發(fā)、生產和銷售的主要產品和服務為光伏切割設備、光伏切割耗材、硅片及切割加工服務、其他高硬脆材料切割設備及耗材四類，其中光伏切割設備及光伏切割耗材主要應用于光伏行業(yè)硅材料切割領域，硅片及切割加工服務主要面向光伏行業(yè)硅材料切割領域提供硅片及切割加工服務，其他高硬脆材料切割設備及耗材主要應用于半導體、藍寶石、磁材及碳化硅等切割領域。

在碳化硅領域，高測股份推出的6英寸及8英寸碳化硅金剛線切片機已形成批量訂單并實現(xiàn)大批量交付，助力碳化硅行業(yè)加速實現(xiàn)金剛線切割技術對砂漿切割的替代進程。

芯聯(lián)集成上半年虧損收窄，8英寸碳化硅工程批已下線

8月30日晚間，芯聯(lián)集成發(fā)布了2024年半年度報告。2024年上半年，芯聯(lián)集成實現(xiàn)營收28.80億元，同比增長14.27%；歸母凈利潤-4.71億元，歸母扣非凈利潤-7.78億元。

關于業(yè)績表現(xiàn)，芯聯(lián)集成表示，報告期內，受益于新能源汽車及消費市場的需求，其新建產線收入的快速增長直接帶動了整體收入的提升。同時，其通過與供應商的戰(zhàn)略合作和協(xié)同，持續(xù)提升競爭力，經營成果不斷向好。

芯聯(lián)集成聚焦于功率、MEMS、BCD、MCU等主要技術平臺，面向新能源、工業(yè)控制、高端消費等領域，提供從設計服務、晶圓制造、模組封裝、應用驗證、可靠性測試的一站式系統(tǒng)代工方案。

從產品結構來看，其產品種類持續(xù)擴展，由之前的IGBT、MOSFET、MEMS、模組擴展至BCD（模擬IC）、SiC MOSFET、VCSEL，同時已經啟動專用MCU的研發(fā)。

在碳化硅領域，芯聯(lián)集成在SiC MOSFET出貨量上居亞洲前列，是國內產業(yè)中較早突破主驅用SiC MOSFET產品的廠商，2024年4月芯聯(lián)集成完成8英寸SiC工程批下線，預計2025年8英寸SiC實現(xiàn)量產。

斯達半導體上半年實現(xiàn)營收15.33億元，車規(guī)級SiC MOSFET芯片正在建設中

8月30日晚間，斯達半導體發(fā)布了2024年半年度報告。2024年上半年，斯達半導體實現(xiàn)營收15.33億元，同比下滑9.17%；歸母凈利潤2.75億元，同比下滑36.10%；歸母扣非凈利潤2.68億元，同比下滑34.70%。

關于業(yè)績下滑原因，斯達半導體表示，報告期內，行業(yè)競爭激烈，部分產品價格降幅較大，其產品毛利率從去年同期的36.18%下降至31.52%；其募投項目SiC芯片研發(fā)和產業(yè)化項目、高壓特色工藝功率芯片研發(fā)及產業(yè)化項目已經基本完成前期投入，目前處于產能爬坡階段，資產折舊等固定生產成本相對較高；其繼續(xù)加大研發(fā)投入，研發(fā)費用從去年的1.13億元增加到1.51億元，同比增長33.86%。

斯達半導體長期致力于IGBT、快恢復二極管、SiC等功率芯片的設計和工藝及IGBT、MOSFET、SiC等功率模塊的設計、制造和測試，其產品廣泛應用于新能源、新能源汽車、工業(yè)控制和電源、白色家電等領域。

碳化硅業(yè)務方面，其募投項目正在建設SiC芯片研發(fā)及產業(yè)化項目以及高壓特色工藝功率芯片研發(fā)及產業(yè)化項目，目前還處于項目建設階段，項目建設完成后，將形成年產6萬片6英寸車規(guī)級SiC MOSFET芯片以及30萬片6英寸3300V以上高壓特色功率芯片的生產能力。

在新能源汽車領域，斯達半導體是國內車規(guī)級IGBT/SiC模塊的主要供應商，其積極開拓海外市場并獲得了多家國內外頭部Tier1的項目定點。

合盛硅業(yè)8英寸碳化硅襯底已開始小批量生產

8月29日晚間，合盛硅業(yè)發(fā)布了2024年半年度報告。2024年上半年，合盛硅業(yè)實現(xiàn)營收132.72億元，同比增長11.18%；歸母凈利潤9.78億元，同比下滑45.12%；歸母扣非凈利潤8.99億元，同比下滑43.54%。

關于凈利下滑原因，合盛硅業(yè)表示，其歸母凈利潤、歸母扣非凈利潤等同比減少，主要系報告期內工業(yè)硅及有機硅產品銷售價格下降；光伏產業(yè)鏈相關產品部分產能釋放，由于該等產品市場價格下降，計提跌價導致利潤減少。

合盛硅業(yè)主要產品包括工業(yè)硅、有機硅和多晶硅產品三大類。其中，工業(yè)硅是由硅礦石和碳質還原劑在礦熱爐內冶煉成的產品，主要成分為硅元素，是下游光伏材料、有機硅材料、合金材料的主要原料。

在碳化硅領域，合盛硅業(yè)已完整掌握了碳化硅材料的原料合成、晶體生長、襯底加工以及晶片外延等全產業(yè)鏈核心工藝技術，突破了關鍵材料（多孔石墨、涂層材料）和裝備的技術壁壘。其6英寸碳化硅襯底已全面量產，晶體良率達90%以上，外延良率穩(wěn)定在95%以上；在8英寸碳化硅襯底研發(fā)進展方面，合盛硅業(yè)已開始小批量生產。

江豐電子上半年實現(xiàn)營收凈利雙增長

8月28日晚間，江豐電子發(fā)布了2024年半年度報告。2024年上半年，江豐電子實現(xiàn)營收16.27億元，同比增長35.91%；歸母凈利潤1.61億元，同比增長5.32%；歸母扣非凈利潤1.70億元，同比增長73.49%。

江豐電子主要專注于超高純金屬濺射靶材、半導體精密零部件的研發(fā)、生產和銷售，其中，超高純?yōu)R射靶材包括鋁靶、鈦靶、鉭靶、銅靶以及各種超高純金屬合金靶材等，這些產品主要應用于超大規(guī)模集成電路芯片、平板顯示器的物理氣相沉積（PVD）工藝，用于制備電子薄膜材料。

半導體精密零部件包括金屬、陶瓷、樹脂等多種材料經復雜工藝加工而成的精密零部件，主要用于半導體芯片以及平板顯示器生產線的機臺，覆蓋了包括PVD、CVD、刻蝕、離子注入以及產業(yè)機器人等應用領域。

關于業(yè)績增長原因，江豐電子表示，報告期內，其強化先端制程產品競爭力，努力擴大全球市場份額，國內外客戶訂單持續(xù)增加；同時，其受益于近年來在半導體精密零部件領域的戰(zhàn)略布局，多個生產基地陸續(xù)完成建設并投產，迅速拓展產品線，大量新產品完成技術攻關，逐步從試制階段推進到批量生產，營業(yè)收入持續(xù)增長。

目前，江豐電子已經在化合物半導體材料領域取得進展，其控股子公司寧波江豐同芯已搭建完成國內首條具備世界先進水平、自主化設計的化合物半導體功率器件模組核心材料制造生產線，掌握了覆銅陶瓷基板DBC及AMB生產工藝，主要產品高端覆銅陶瓷基板已初步獲得市場認可。其控股子公司晶豐芯馳正在全面布局碳化硅外延領域，碳化硅外延片產品已經得到多家客戶認可。

中瓷電子現(xiàn)有SiC功率模塊包括650V、1200V和1700V等系列產品

8月29日晚間，中瓷電子發(fā)布了2024年半年度報告。2024年上半年，中瓷電子實現(xiàn)營收12.22億元，同比下滑2.44%；歸母凈利潤2.12億元，同比下滑6.30%；歸母扣非凈利潤1.70億元，同比增長103.47%。

中瓷電子業(yè)務分為化合物半導體器件及模塊、電子陶瓷材料及元件兩大方面，化合物半導體器件及模塊業(yè)務又分為氮化鎵通信基站射頻芯片與器件、碳化硅功率模塊及其應用兩部分。

在氮化鎵領域，中瓷電子氮化鎵通信基站射頻芯片與器件在通信基站中主要用于移動通信基站發(fā)射鏈路，實現(xiàn)對通信射頻信號的功率放大，根據(jù)應用場景不同，氮化鎵通信基站射頻芯片與器件分為大功率基站氮化鎵射頻芯片及器件和MIMO基站氮化鎵射頻芯片及器件。

在碳化硅領域，中瓷電子是國內較早開展碳化硅功率半導體的廠商之一，現(xiàn)有碳化硅功率模塊包括650V、1200V和1700V等系列產品。其中低壓碳化硅功率產品主要應用于新能源汽車、工業(yè)電源、新能源逆變器等領域，高壓碳化硅功率產品瞄準智能電網、動力機車、軌道交通等應用領域。

頂立科技上半年設備類各產品線收入均實現(xiàn)較大增長

8月26日晚間，頂立科技發(fā)布了2024年半年度報告。2024年上半年，頂立科技實現(xiàn)營收3.22億元，同比增長35.22%；歸屬于掛牌公司股東的凈利潤0.68億元，同比增長114.83%；歸屬于掛牌公司股東的扣非凈利潤0.56億元，同比增長159.76%。

關于業(yè)績增長原因，頂立科技表示，2024年上半年，從產品構成看，其設備類各產品線收入均實現(xiàn)較大增長，其中，碳陶熱工裝備營業(yè)收入增加0.58億元，增幅為34.20%，主要為客戶批量訂單完成交付；先進熱處理熱工裝備營業(yè)收入增加0.05億元，增幅16.09%；粉冶環(huán)保熱工裝備營業(yè)收入增加0.24億元，增幅為158.40%，主要為客戶批量訂單完成交付。

頂立科技是一家新材料專用裝備制造商，專注于航天航空、核工業(yè)和電子等領域用復合材料、高性能陶瓷材料、精密零部件制造等特種熱工裝備的研發(fā)、生產和服務。其產品涵蓋碳基/陶瓷基復合材料熱工裝備、先進熱處理/真空擴散焊熱工裝備、粉末冶金/環(huán)境保護熱工裝備等。

目前，頂立科技主要產品有碳及碳化硅復合材料熱工裝備、高端真空熱處理系列裝備、粉末冶金系列熱工裝備、新材料、霧化制粉裝備。

長光華芯業(yè)務覆蓋砷化鎵、磷化銦、氮化鎵三大材料體系

8月30日晚間，長光華芯發(fā)布了2024年半年度報告。2024年上半年，長光華芯實現(xiàn)營收1.27億元，同比下滑10.39%；歸母凈利潤-0.42億元，歸母扣非凈利潤-0.73億元。

關于業(yè)績下滑原因，長光華芯表示，由于春節(jié)前后人員波動，出現(xiàn)產能瓶頸，2024年一季度僅實現(xiàn)營收0.52億元，同比減少41.91%，二季度克服相關瓶頸實現(xiàn)營收0.75億元，同比增加44.62%；科研類模塊由于生產難度大，出現(xiàn)產出不足，不能完全交付情況，導致收入下降，其本年加大研發(fā)投入，研發(fā)費用同比上升13.56%。

長光華芯主營業(yè)務為半導體激光芯片、器件及模塊等激光行業(yè)核心元器件的研發(fā)、制造與銷售。目前，長光華芯已建成覆蓋芯片設計、外延生長、晶圓處理工藝（光刻）、解理/鍍膜、封裝測試、光纖耦合等IDM全流程工藝平臺和2英寸、3英寸、6英寸量產線，應用于多款半導體激光芯片開發(fā)。

材料方面，長光華芯構建了GaAs（砷化鎵）、InP（磷化銦）、GaN（氮化鎵）三大材料體系，建立了邊發(fā)射和面發(fā)射兩大工藝技術和制造平臺，縱向延伸開發(fā)器件、模塊及直接半導體激光器等下游產品，橫向擴展VCSEL及光通信激光芯片領域。

立昂微上半年化合物半導體射頻芯片營收同比增長233.89%

8月28日晚間，立昂微發(fā)布了2024年半年度報告。2024年上半年，立昂微實現(xiàn)營收14.59億元，同比增長8.69%；歸母凈利潤-0.67億元，歸母扣非凈利潤-0.42億元。

關于業(yè)績變動原因，立昂微表示，報告期內，得益于半導體行業(yè)景氣度的見底回暖及公司加強市場拓展、調整產品結構，產品銷量同比實現(xiàn)了大幅增長。但是隨著2023年擴產項目陸續(xù)轉產，本報告期折舊費用等固定成本同比增加較多，以及為了拓展市場份額，硅片產品和功率芯片產品的銷售單價有所下降。

立昂微主營業(yè)務主要分三大板塊,分別是半導體硅片、半導體功率器件芯片、化合物半導體射頻芯片。上半年，其化合物半導體射頻芯片實現(xiàn)營收1.28億元，同比增長233.89%，環(huán)比增長29.79%。從銷售數(shù)量來看，銷量為1.76萬片，同比增長288.18%，環(huán)比增長31.84%。

2024年上半年，立昂微射頻芯片驗證進度已基本覆蓋國內主流手機芯片設計客戶，國產替代加速；多規(guī)格、小批量、多用途、高附加值的特殊用途產品持續(xù)放量，低軌衛(wèi)星客戶已通過驗證并開始大批量出貨。在客戶總量、訂單數(shù)、產能利用率、出貨量、銷售額等方面均有大幅度增長，毛利率由負轉正。

通富微電上半年實現(xiàn)營收110.80億元，同比增長11.83%

8月28日晚間，通富微電發(fā)布了2024年半年度報告。2024年上半年，通富微電實現(xiàn)營收110.80億元，同比增長11.83%；歸母凈利潤3.23億元，歸母扣非凈利潤3.16億元。

通富微電是集成電路封裝測試服務提供商，為全球客戶提供從設計仿真到封裝測試的一站式服務，其產品、技術、服務覆蓋了人工智能、高性能計算、大數(shù)據(jù)存儲、顯示驅動、5G等網絡通訊、信息終端、消費終端、物聯(lián)網、汽車電子、工業(yè)控制等多個領域。

2024年上半年，通富微電對大尺寸多芯片Chiplet封裝技術升級，針對大尺寸多芯片Chiplet封裝特點，新開發(fā)了Corner fill、CPB等工藝，增強對chip的保護，芯片可靠性得到進一步提升。

在碳化硅領域，通富微電2022年已為國際知名汽車電子客戶開發(fā)碳化硅產品，具備無鉛化、耐高壓、高功率等優(yōu)勢，應用于客戶新能源車載逆變器等領域，在國內首家通過客戶考核并進入量產。（集邦化合物半導體Zac整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。

圖片來源：拍信網正版圖庫

根據(jù)公告，2023年1月9日，東尼半導體與下游客戶T簽訂《采購合同》，約定東尼半導體2023年向該客戶交付6英寸SiC襯底13.50萬片；2024年、2025年分別向該客戶交付6英寸SiC襯底30萬片和50萬片。

從實際交付情況來看，東尼電子1月8日發(fā)布的公告顯示，2023年度，東尼半導體實際向下游客戶T發(fā)貨6英寸SiC襯底97,921片，該客戶驗收對賬31,926片,與2023年交付計劃相比少121,074片。

1月5日，東尼半導體與下游客戶T簽訂《采購合同之補充協(xié)議》。根據(jù)協(xié)議，東尼半導體同意2024年免費供應8英寸SiC襯底作為補償，以彌補由此影響下游客戶T交貨而造成的損失。具體來看，東尼半導體2024年度將向下游客戶T免費供應8英寸SiC襯底（P級）合計1,000片、8英寸SiC襯底（D級）合計335片。

與此同時，東尼半導體與下游客戶T雙方均認為原《采購合同》一年一簽的形式已不合時宜，因此補充協(xié)議約定后續(xù)東尼半導體將按照市場價向下游客戶T供應6英寸SiC襯底，供應價格及其他約定以雙方每月另行簽訂的補充采購訂單為準。

東尼電子2023年半年報顯示，公司2023年上半年營收77714萬元，凈利潤虧損6817萬元。東尼電子指出，報告期內，半導體業(yè)務量產供貨營收大增。公司主要按照年初與下游客戶T簽訂的重大合同中的交付計劃完成產品發(fā)貨，實現(xiàn)營收上億元，收入大幅增長。但6英寸SiC襯底量產爬坡階段，前期產品良率不穩(wěn)定且設備調試所產生的費用較高，毛利情況不理想。

東尼電子此前總投資4.69億元，年產12萬片SiC半導體材料項目，按照計劃將于2023年11月達產。如項目完全達產當年可實現(xiàn)年營業(yè)收入77760萬元，凈利潤9589.63萬元，有望改善東尼電子盈利情況。

手握近百萬片6英寸SiC襯底訂單，產能已成為東尼半導體關注的焦點，公司需要從提升良率等方面，穩(wěn)固產能，同時，要緊盯客戶需求變化，拿出應對措施。東尼電子本次公告也給業(yè)內廠商敲響了警鐘，提醒各大企業(yè)要時刻關注市場風云變幻。（集邦化合物半導體Zac整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。

今年1月，東尼半導體與下游客戶T簽訂了三年交付近百萬片6英寸SiC襯底的《采購合同》。按照該協(xié)議，今年東尼半導體將向該客戶交付6英寸SiC襯底13.50萬片（MOS比例不低于當月交貨的20%），含稅銷售金額合計6.75億元；2024年、2025年，東尼半導體將分別向該客戶交付6英寸SiC襯底30萬片、50萬片。

據(jù)東尼電子2023年半年報顯示，公司今年上半年營收達77714萬元，凈利潤虧損達6817萬元。

圖片來源：拍信網正版圖庫

東尼電子指出，報告期內，半導體業(yè)務量產供貨營收大增。公司主要按照年初與下游客戶T簽訂的重大合同中的交付計劃完成產品發(fā)貨，實現(xiàn)營收上億元，收入大幅增長。但量產爬坡階段，前期產品良率不穩(wěn)定且設備調試所產生的費用較高，毛利情況不理想。公司將持續(xù)推進量產爬坡進程，并繼續(xù)注重技術工藝研發(fā)。

東尼電子此前總投資4.69億元，年產12萬片SiC半導體材料項目，按照計劃將于2023年11月達產。如項目完全達產當年可實現(xiàn)年營業(yè)收入77760萬元，凈利潤9589.63萬元，能夠大大增加東尼電子營收，改善其盈利狀況。

目前市場仍以6英寸襯底為主，但8英寸相比6英寸來說，制造芯片的可用面積幾乎擴大了一倍，可大幅度緩解企業(yè)的產能壓力。在巨額訂單的壓力下，東尼半導體努力擴大其產能，推進8英寸SiC襯底的研發(fā)和量產。（文：集邦化合物半導體Morty整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。

最終，東尼電子實現(xiàn)營業(yè)總收入18.89億元，同比增長41.04%；歸母凈利潤1.08億元，同比增長223.36%。

其中，半導體行業(yè)產品為碳化硅半導體材料，主要生產導電型碳化硅襯底材料。根據(jù)年報，2022年，東尼電子半導體行業(yè)共實現(xiàn)營收1,676.56萬元，但毛利率卻為-21.81%。

據(jù)了解，碳化硅襯底材料制造的技術門檻較高，當下國內能夠向企業(yè)用戶穩(wěn)定供應碳化硅襯底的生產廠商相對有限，市場主要被wolfspeed、II-VI等國際企業(yè)占據(jù)，國內廠商仍有一定差距。

但碳化硅功率器件在新能源汽車、光伏、儲能等領域具有廣闊的市場空間。隨著滲透率的提升，碳化硅器件市場規(guī)模有望持續(xù)提升，TrendForce集邦咨詢指出，2023年整體SiC功率元件市場產值達22.8億美元，年成長41.4%，至2026年SiC功率元件市場產值可望達53.3億美元。

而中國是新能源汽車及光伏大國，這又是碳化硅全產業(yè)鏈國產化的機遇。同時，受中美貿易環(huán)境等經濟局勢影響，提高碳化硅襯底材料的國產化率、實現(xiàn)進口替代成為我國半導體行業(yè)亟需突破的產業(yè)瓶頸。

在此背景下，東尼電子半導體業(yè)務也在不斷進步，并受到終端客戶的廣泛青睞。2023年1月，東尼電子還與下游客戶簽訂重大合同，三年交付量劍指90萬片。（化合物半導體市場 Winter整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。