三篇論文工作如下：

1、He離子注入終端實現(xiàn)3kV氧化鎵功率二極管

本研究報道了一種高穩(wěn)定性的垂直結(jié)構(gòu)NiO/β-Ga2O3異質(zhì)結(jié)二極管，該器件實現(xiàn)了3kV的高擊穿電壓和3.10 GW/cm2的巴利加優(yōu)值。

研究團隊創(chuàng)新性地采用氦原子注入技術(shù)構(gòu)建了高效低損傷的邊緣終端結(jié)構(gòu)，有效抑制了異質(zhì)結(jié)PN結(jié)處的高電場聚集，將Ga2O3異質(zhì)結(jié)二極管的擊穿電壓從1330 V提升至3000 V。通過擬合分析反向漏電機制，揭示了氦離子注入器件的獨特擊穿特性。進一步采用氧氣退火工藝，將器件的比導通電阻從5.08 mΩ·cm2顯著降低至2.90 mΩ·cm2，并提升了器件穩(wěn)定性。

研究成果以“3 kV/2.9 mΩ·cm2 β-Ga2O3 Vertical p–n Heterojunction Diodes with Helium-implanted Edge Termination and Oxygen Post Annealing”為題目發(fā)表在IEEE ISPSD 2025上并作現(xiàn)場口頭匯報，第一作者為博士生韓甲俊。

圖片來源：深圳大學材料學院

圖為具有He離子注入終端的β-Ga2O3 HJDs（a）截面示意圖和制造關(guān)鍵工藝，（b）反向擊穿特性曲線

?2、GaOx界面工程實現(xiàn)高性能氮化鎵MOS電容器

在本研究中，研究團隊采用氫化物氣相外延技術(shù)，成功生長了低位錯密度（~1.5×106 cm-2）的單晶氮化鎵襯底及其外延層，這些材料被用于制造高質(zhì)量的垂直氮化鎵MOS電容器。

研究團隊引入了一種界面技術(shù)，通過等離子體增強原子層沉積在Al2O3/GaN界面處沉積一層薄薄的氧化鎵作為中間層。實驗結(jié)果顯示，這些器件的界面陷阱密度（Dit）低至~8×1010 cm-2 eV-1，且VFB遲滯僅為50 mV。引入GaOx界面技術(shù)不僅有效抑制了柵極漏電流，還鈍化了氮和氧相關(guān)的空位及懸掛鍵。這一方法為垂直氮化鎵MOSFET的制造提供了新的方法。

研究成果以“Enhancing Key Performance of Vertical GaN MOS Capacitors through GaOx Interface Technology”為題目發(fā)表在IEEE ISPSD 2025上，第一作者為碩士生林錦沛。

圖片來源：深圳大學材料學院

圖為具有GaOx界面層的垂直GaN MOS電容（a）結(jié)構(gòu)示意圖及關(guān)鍵工藝，（b）器件的界面態(tài)密度參數(shù)提取

3、高性能垂直p-NiO/n-GaN功率二極管

本研究報道了一種高性能的垂直p-NiO/n-GaN異質(zhì)結(jié)二極管。

通過氫化物氣相外延技術(shù)生長的低位錯密度氮化鎵晶圓，N面經(jīng)氧氣等離子體處理（OPT）有效緩解了費米能級釘扎效應，并鈍化了表面，使接觸電阻（ρc）降至3.84×10-6Ω·cm2。通過氧氣后退火處理濺射的氧化鎳薄膜，優(yōu)化了異質(zhì)結(jié)界面。因此，擊穿電壓提升至1135 V，優(yōu)值（FOM）達到0.23 GW/cm2，導通狀態(tài)電阻降至5.7 mΩ·cm2。

研究成果以“Enhancing Key Performance of Vertical p-NiO/n-GaN Heterojunction Diodes through Plasma Treatment and Oxygen Post-Annealing”為題目發(fā)表在IEEE ISPSD 2025上，碩士生黃燁瑩、王敏為文章的共同第一作者。

圖片來源：深圳大學材料學院

圖中，（a）NiO/GaN垂直pn HJD的結(jié)構(gòu)示意圖，（b）之前報道的NiO/GaN PND的FOM與擊穿電壓的對比

（集邦化合物半導體整理）

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圖片來源：羅姆——用戶可從第4代SiC MOSFET相應產(chǎn)品頁面的“設計模型”中下載

羅姆介紹，功率半導體的損耗對系統(tǒng)整體效率有重大影響，因此在設計階段的仿真驗證中，模型的精度至關(guān)重要。ROHM以往提供的SiC MOSFET用SPICE模型“ROHM Level 1（L1）”，通過提高每種特性的復現(xiàn)性，滿足了高精度仿真的需求。然而另一方面，該模型存在仿真收斂性問題和運算時間較長等問題，亟待改進。

新模型“ROHM Level 3（L3）”通過采用簡化的模型公式，能夠在保持計算穩(wěn)定性和開關(guān)波形精度的同時，將仿真時間較以往L1模型縮短約50%。由此，能夠高精度且快速地執(zhí)行電路整體的瞬態(tài)分析，從而有助于提升應用設計階段的器件評估與損耗確認的效率。

未來，羅姆將繼續(xù)通過提升仿真技術(shù)，助力實現(xiàn)更高性能以及更高效率的應用設計，為電力轉(zhuǎn)換技術(shù)的革新貢獻力量。

（集邦化合物半導體整理）

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圖片來源：羅姆半導體集團

新產(chǎn)品已經(jīng)暫以月產(chǎn)100萬個的規(guī)模投入量產(chǎn)。前道工序的生產(chǎn)基地為ROHM Co., Ltd.（日本滋賀工廠），后道工序的生產(chǎn)基地為OSAT（泰國）。另外，新產(chǎn)品已經(jīng)開始通過電商進行銷售，通過電商平臺均可購買。

隨著AI技術(shù)的飛速發(fā)展，數(shù)據(jù)中心的負載急劇增加，服務器功耗也逐年攀升。特別是隨著配備生成式AI和高性能GPU的服務器日益普及，如何兼顧進一步提升電力效率和支持大電流這兩個相互沖突的需求，一直是個難題。

在此背景下，相較傳統(tǒng)12V電源系統(tǒng)具有更高轉(zhuǎn)換效率的48V電源系統(tǒng)正在加速擴大應用。另外，在服務器運行狀態(tài)下實現(xiàn)模塊更換的熱插拔電路中，需要兼具更寬SOA范圍和更低導通電阻的MOSFET，以防止浪涌電流和過載時造成損壞。新產(chǎn)品“RY7P250BM”在8×8mm尺寸中同時具備業(yè)界超寬SOA范圍和超低導通電阻，有助于降低數(shù)據(jù)中心的功率損耗、減輕冷卻負荷，從而提升服務器的可靠性并實現(xiàn)節(jié)能。

RY7P250BM為8×8mm尺寸的MOSFET，預計該尺寸產(chǎn)品未來需求將不斷增長，可以輕松替代現(xiàn)有產(chǎn)品。另外，新產(chǎn)品同時實現(xiàn)了更寬SOA范圍（條件：VDS=48V、Pw＝1ms/10ms）和更低導通電阻（RDS(on)），由此既可確保熱插拔（電源啟動）工作時的更高產(chǎn)品可靠性，又能優(yōu)化電源效率，降低功耗并減少發(fā)熱量。

羅姆介紹，為了兼顧服務器的穩(wěn)定運行和節(jié)能，熱插拔電路必須具有較寬的SOA范圍，以承受大電流負載。特別是AI服務器的熱插拔電路，與傳統(tǒng)服務器相比需要更寬的SOA范圍。RY7P250BM的SOA在脈寬10ms時可達16A、1ms時也可達50A，實現(xiàn)業(yè)界超優(yōu)性能，能夠應對以往MOSFET難以支持的高負載應用。

RY7P250BM是具有業(yè)界超寬SOA范圍的MOSFET，并且實現(xiàn)了更低導通電阻，從而大幅降低了通電時的功率損耗和發(fā)熱量。具有寬SOA范圍的普通8×8mm尺寸100V耐壓MOSFET的導通電阻絕大多數(shù)約為2.28mΩ，而RY7P250BM的導通電阻則降低了約18%——僅有1.86mΩ（條件：VGS=10V、ID=50A、Tj=25℃）。這種低導通電阻有助于提升服務器電源的效率、減輕冷卻負荷并降低電力成本。

（集邦化合物半導體整理）

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新成立的聯(lián)合實驗室將本著優(yōu)勢互補、全面合作、平等互利的原則，整合三家企業(yè)在半導體產(chǎn)業(yè)鏈中的資源與優(yōu)勢，重點開展：功率半導體（IGBT、SiC）的可靠性、失效分析、材料分析、產(chǎn)品測試、晶圓磨劃等領(lǐng)域合作，為客戶的產(chǎn)品研發(fā)和測試提供更加專業(yè)、完善的技術(shù)服務。

圖片來源：季豐電子

目前，該聯(lián)合實驗室的各項合作正有序進行中。

資料顯示，#林眾電子?致力于功率半導體芯片研發(fā)、功率半導體模組研發(fā)與制造。該公司聚焦于工業(yè)自動化、電動汽車和光伏新能源等行業(yè)，服務于海內(nèi)外客戶超過400家。
瞻芯電子是一家聚焦于碳化硅(SiC)半導體領(lǐng)域的高科技芯片公司，2017年成立于上海臨港。該公司自主開發(fā)并掌握6英寸碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品以及工藝平臺的公司，擁有一座車規(guī)級碳化硅(SiC)晶圓廠。公司致力于開發(fā)碳化硅功率器件和模塊、驅(qū)動和控制芯片產(chǎn)品，并圍繞碳化硅(SiC)應用，為客戶提供一站式解決方案。

季豐電子是一家聚焦半導體領(lǐng)域，深耕集成電路檢測相關(guān)的軟硬件研發(fā)及技術(shù)服務的賦能型平臺科技公司。公司業(yè)務分為四大板塊，分別為基礎實驗室、軟硬件開發(fā)、測試封裝和儀器設備，可為芯片設計、晶圓制造、封裝測試、材料裝備等半導體產(chǎn)業(yè)鏈和新能源領(lǐng)域公司提供一站式的檢測分析解決方案。

（集邦化合物半導體整理）

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01、綜藝股份收購吉萊微

5月13日，江蘇綜藝股份有限公司（以下簡稱“綜藝股份”）發(fā)布公告，公司擬通過現(xiàn)金增資或受讓股份的方式，取得江蘇吉萊微電子股份有限公司（以下簡稱“吉萊微”）的控制權(quán)，具體投資方案和投資比例待進一步論證和協(xié)商。本次交易預計構(gòu)成重大資產(chǎn)重組，交易完成后，吉萊微將成為綜藝股份的控股子公司。

source：江蘇綜藝股份公告截圖

公開資料顯示，吉萊微成立于2001年，專業(yè)從事功率半導體芯片及器件的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，是一家以芯片設計、晶圓制造、封裝測試的垂直一體化經(jīng)營為主的功率半導體芯片及器件制造企業(yè)。

而綜藝股份當前的主營業(yè)務分為信息科技、新能源、股權(quán)投資三大板塊，其中信息科技領(lǐng)域主要業(yè)務涵蓋芯片設計及應用業(yè)務等。綜藝股份旗下?lián)碛卸嗉覍Ｗ⒂诟呖萍碱I(lǐng)域的企業(yè)，分處于芯片開發(fā)、設計、應用等不同細分領(lǐng)域，如天一集成（信息安全芯片）、神州龍芯（自主處理器）等企業(yè)聚焦數(shù)字芯片設計。

綜藝股份表示，此次收購吉萊微有助于公司戰(zhàn)略聚焦并補強信息科技領(lǐng)域核心產(chǎn)業(yè)板塊。吉萊微在成為公司的控股子公司后，公司將在原有芯片設計及應用業(yè)務基礎上，進入功率半導體芯片及器件的研發(fā)、生產(chǎn)及銷售領(lǐng)域，產(chǎn)業(yè)鏈條布局得到進一步的優(yōu)化及延伸。

值得一提的是，吉萊微曾沖刺創(chuàng)業(yè)板IPO，于2022年6月30日獲得受理。此前公司招股書（申報稿）顯示其募集資金是為了投向功率半導體器件產(chǎn)業(yè)化建設項目、生產(chǎn)線技改升級項目和研發(fā)中心建設項目等，來新建6英寸晶圓芯片生產(chǎn)線與封裝線等。

公告顯示，吉萊微目前擁有2條4英寸的芯片生產(chǎn)線，在當前全球模擬芯片公司紛紛轉(zhuǎn)向擴產(chǎn)12英寸生產(chǎn)線的趨勢下，其盈利能力或造沖擊。

不過，后因公司撤回申請，深交所于2022年12月2日終止對吉萊微IPO的審核。

02、日月光投控收購元隆電子

此外，近日另一家功率半導體晶圓廠也傳出被收購的消息。

5月14日，全球半導體封測龍頭#日月光投資控股股份有限公司（以下簡稱“日月光投控”）發(fā)布公告，其子公司#臺灣福雷電子股份有限公司（以下簡稱“福雷電子”）將以每股新臺幣9元公開收購#元隆電子股份有限公司（以下簡稱“元隆電子”）普通股，預定收購最高數(shù)量為1.51萬張，收購總金額約1.36億元新臺幣。

source：ASE日月光

此次收購完成后，日月光投控持有元隆電子股權(quán)比例將達68.18%。據(jù)悉，本次收購的核心目標在于整合元隆電子現(xiàn)有業(yè)務，推動其向AI新世代技術(shù)領(lǐng)域轉(zhuǎn)型。

元隆電子成立于1987年，總部位于中國臺灣，專注于分離式元件、功率半導體、集成電路以及各種半導體零組件的研究、開發(fā)、設計、制造與銷售。

據(jù)了解，元隆電子近年來在高壓技術(shù)及第三代半導體（如碳化硅、氮化鎵）領(lǐng)域的研發(fā)投入不足，導致其難以應對IDM大廠整合邏輯IC與功率半導體、大型晶圓代工廠委外投片的雙重競爭壓力。

據(jù)其2025年第一季度財報顯示，盡管合并營收同比增長24.6%至2.68億元新臺幣，但毛利率與營業(yè)利益率仍為負值，稅后凈虧損達1.28億元新臺幣，每股凈值轉(zhuǎn)負至-0.42元新臺幣。

日月光投控的加入，或?qū)⑼ㄟ^集團化資源整合，助力元隆電子突破技術(shù)瓶頸，加速向高附加值領(lǐng)域轉(zhuǎn)型。而對于日月光投控而言，元隆電子在功率半導體領(lǐng)域的制造經(jīng)驗與日月光投控的封測技術(shù)形成互補，有望進一步提升在AI芯片封裝測試領(lǐng)域的競爭力。

03、結(jié)語

綜藝股份收購吉萊微以及日月光投控收購元隆電子，這兩起收購案是半導體行業(yè)資源整合與技術(shù)升級的具體體現(xiàn)。通過收購，企業(yè)不僅能夠補強自身產(chǎn)業(yè)鏈，提升綜合競爭力，還能夠加速技術(shù)迭代，搶占新興市場先機。

（集邦化合物半導體 妮蔻 整理）

? 搭配芯上印刷技術(shù)，在高精度壓力控制下，使芯片上再印刷成為現(xiàn)實。

? 應用產(chǎn)品包括：大功率二極管、MOS 管、DrMOS、多芯 Clip等等。

窄邊印刷

框架類產(chǎn)品通常比較薄且長寬比差異較大，容易產(chǎn)生彎曲變形，形成曲面。當選擇窄邊方向進行印刷時，刮刀能夠在一定程度上減少因載板或框架本身曲面所導致的印刷不平整問題。因此，在窄邊方向印刷時，刮刀在移動過程中受到曲面的影響相對較小，可以更精準地將錫膏/銀膠均勻地印刷在焊盤上，使錫膏/銀膠印刷更加平整，適合對貼裝平整度要求高的精密電子封裝。

芯上印刷

芯片級印刷機還配備芯上印刷技術(shù)，通過直接在芯片上刷錫膏/銀膠，能有效避免點膠造成的芯片損傷、溢膠等問題，保證封裝產(chǎn)品的性能和穩(wěn)定性。（詳細信息可關(guān)注下期推文）

適應性廣

上下料外掛：芯片級印刷機將上下料結(jié)構(gòu)置于設備外，方便單機和聯(lián)線

支持3D印刷：芯片級印刷機支持臺階3D印刷，能對框架進行逐層疊加，實現(xiàn)更復雜的焊盤結(jié)構(gòu)印刷。

鋼網(wǎng)裝卸無需調(diào)整：鋼網(wǎng)在進行更換后不需要重新調(diào)整參數(shù)，減少不必要的時間浪費，提高生產(chǎn)效率

一致性高

相較于網(wǎng)板印刷，鋼網(wǎng)能夠在印刷過程中發(fā)生微變形以與框架PAD充分貼合，高精度鋼網(wǎng)能確保膠狀和圖案的一致性高。

閉環(huán)壓力

卓興半導體自主研發(fā)閉環(huán)壓力控制系統(tǒng)，確保在不同情況下能精準的控制刮刀壓力，壓力自適應可調(diào)整，使印刷膠點更均勻。

印后檢測

印刷完成后，框架直接進入在線 AOI 檢測，實時監(jiān)測印刷后的膠點質(zhì)量，并對鋼網(wǎng)狀態(tài)做出實時評估。

（以上內(nèi)容來源于Asmade卓興半導體）

source：英飛凌

長期以來，英飛凌與美的集團緊密合作，技術(shù)協(xié)同的深度與廣度持續(xù)升級，合作領(lǐng)域不斷拓展，從最初聚焦于家電核心模塊，逐步向智能家居生態(tài)、新能源應用等多元場景延伸。

英飛凌提供全球領(lǐng)先的半導體產(chǎn)品，美的則憑借在家電系統(tǒng)集成與場景應用方面的深厚積累，將英飛凌的先進技術(shù)轉(zhuǎn)化為貼近消費者需求的產(chǎn)品和解決方案。目前，雙方已實現(xiàn)了從單一功率器件合作拓展至控制器、傳感器等多產(chǎn)品線協(xié)同，共同推動家電行業(yè)智能化轉(zhuǎn)型。

稍早之前，美的廚熱事業(yè)部與英諾賽科也達成了 GaN（氮化鎵）戰(zhàn)略合作。英諾賽科將為美的廚熱提供GaN 功率器件，雙方將在產(chǎn)品開發(fā)、技術(shù)優(yōu)化與市場推廣方面展開深度合作，涉及智能電熱爐、電磁爐等產(chǎn)品。

資料顯示，GaN作為寬禁帶半導體材料，具有高電子飽和速度、高電子遷移率等特性，適用于高頻、高功率、高電壓的場景，被認為是未來電力電子領(lǐng)域的關(guān)鍵材料之一。美的與英諾賽科的合作，旨在通過GaN技術(shù)的應用，提升家電產(chǎn)品的能效與性能。

（集邦化合物半導體 Flora 整理）

01、賽米控丹佛斯與中車時代半導體簽署合作備忘錄

5月6日，全球領(lǐng)先的電力電子供應商賽米控丹佛斯（Semikron Danfoss）與創(chuàng)新型芯片研發(fā)制造商中車時代半導體宣布簽署合作備忘錄，雙方將在功率模塊芯片技術(shù)的開發(fā)與供應領(lǐng)域展開深度合作。

根據(jù)合作備忘錄，賽米控丹佛斯將貢獻其在功率模塊封裝與制造方面的專業(yè)能力，而中車時代半導體則將提供先進的 IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）、碳化硅（SiC）及雙極型芯片技術(shù)。雙方的合作將聚焦于以下幾個方面：

聯(lián)合研發(fā)：共同開展功率模塊芯片的研發(fā)項目，優(yōu)化芯片設計與制造工藝，提升產(chǎn)品性能與可靠性。

市場拓展：結(jié)合賽米控丹佛斯的全球市場資源與中車時代半導體的國內(nèi)技術(shù)優(yōu)勢，加速功率模塊芯片在中國及全球市場的推廣與應用。

客戶服務：通過雙方的技術(shù)支持與服務網(wǎng)絡，為客戶提供更全面、更高效的解決方案，滿足不同應用場景的需求。

賽米控丹佛斯總裁Dominic Dorfner表示：“此次合作是我們在為中國客戶提供先進、可靠功率模塊道路上邁出的重要一步。通過與中車時代半導體的合作，我們將加速創(chuàng)新芯片技術(shù)的開發(fā)與應用?！?/p>

02、英諾賽科與美的廚熱：GaN 技術(shù)賦能家電智能化

與此同時，國內(nèi)領(lǐng)先的第三代半導體企業(yè)英諾賽科與美的廚熱事業(yè)部也達成了 GaN（氮化鎵）戰(zhàn)略合作。

source：英諾賽科公告截圖

GaN 是一種寬禁帶半導體材料，具有高電子飽和速度、高電子遷移率等特性，適用于高頻、高功率、高電壓的場景，被認為是未來電力電子領(lǐng)域的關(guān)鍵材料之一。美的廚熱作為全球領(lǐng)先的家電制造商，一直致力于推動家電產(chǎn)品的智能化與高效化。此次與英諾賽科的合作，旨在通過GaN技術(shù)的應用，提升家電產(chǎn)品的能效與性能。

根據(jù)戰(zhàn)略合作協(xié)議，英諾賽科將為美的廚熱提供高性能的 GaN 功率器件，雙方將在以下幾個方面展開深度合作：

產(chǎn)品開發(fā)：共同開發(fā)基于 GaN 技術(shù)的家電產(chǎn)品，如智能電熱爐、電磁爐等，提升產(chǎn)品的能效與性能。

技術(shù)優(yōu)化：結(jié)合英諾賽科的 GaN 技術(shù)優(yōu)勢與美的廚熱的產(chǎn)品設計經(jīng)驗，優(yōu)化 GaN 功率器件的應用方案，降低系統(tǒng)成本。

市場推廣：通過雙方的市場渠道與品牌影響力，加速 GaN 技術(shù)在家用電器領(lǐng)域的推廣與應用，提升市場認可度。（集邦化合物半導體 竹子 整理）

恩智浦表示，拉斐爾在制定和塑造恩智浦戰(zhàn)略以及推動公司成功方面發(fā)揮了不可或缺的作用。公司相信，他是恩智浦總裁兼首席執(zhí)行官的理想人選，能夠?qū)崿F(xiàn)公司在汽車、工業(yè)和物聯(lián)網(wǎng)終端市場邊緣智能系統(tǒng)領(lǐng)域占據(jù)領(lǐng)導地位的愿景。
最新財報顯示，今年一季度，恩智浦營收28.4億美元，高于市場預期的28.3億美元，但較去年同期31.3億美元要低。

恩智浦在財報中表示，受國際形勢劇烈變化影響，公司正處于“非常不確定的環(huán)境”中。恩智浦對未來市場持“謹慎樂觀”態(tài)度，并預測第二季度的收入將下降到28億到30億美元。

source：NXP

資料顯示，恩智浦功率半導體業(yè)務是其半導體解決方案的核心組成部分，聚焦于高效能源管理，廣泛應用于汽車、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、移動設備及通信基礎設施等領(lǐng)域。

其中，恩智浦在第三代半導體領(lǐng)域尤其是氮化鎵領(lǐng)域已經(jīng)形成全面業(yè)務布局。核心技術(shù)方面，恩智浦采用碳化硅基氮化鎵（GaN on SiC）技術(shù)，結(jié)合SiC優(yōu)異的導熱性和GaN的高功率密度、低損耗特性，適用于高頻、高壓場景。該技術(shù)已應用于5G基站射頻功率放大器（PA）及軍事雷達系統(tǒng)，顯著提升器件性能。

此外，針對消費電子和工業(yè)電源市場，恩智浦開發(fā)硅基氮化鎵技術(shù)，利用現(xiàn)有硅晶圓代工廠實現(xiàn)規(guī)?；a(chǎn)，降低成本并提高產(chǎn)能。

2025年以來，由于國際形勢以及部分市場汽車需求疲軟，功率半導體廠商業(yè)績遭受挑戰(zhàn)。稍早之前，意法半導體今年一季度財報顯示，該公司第一季度凈營收為25.2億美元，同比下降27.3%，環(huán)比下降24.2%。毛利率下滑至33.4%，較去年同期下降830個基點。凈利潤下跌89.1%，為5600萬美元。

source：意法半導體

財報會議上，意法半導體高管Jean-Marc Chery表示，公司依舊看好碳化硅業(yè)務的發(fā)展，從長遠趨勢來看，意法半導體在碳化硅市場中的整體份額將至少保持在30%以上。此外，意法半導體位于意大利卡塔尼亞的8英寸SiC工廠預計將于2025年第四季度開始生產(chǎn)，全面落成后預計年產(chǎn)能可達72萬片，進一步鞏固意法半導體在碳化硅市場的地位。（集邦化合物半導體 奉穎嫻 整理）

英飛凌推出全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用GaN晶體管產(chǎn)品系列

4月22日，英飛凌官微宣布推出CoolGaN G5中壓晶體管。據(jù)悉，這是全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用氮化鎵（GaN）功率晶體管。

source：英飛凌官微（圖為集成肖特基二極管的CoolGaN G5晶體管）

據(jù)英飛凌介紹，該產(chǎn)品系列通過減少不必要的死區(qū)損耗提高功率系統(tǒng)的性能，進一步提升整體系統(tǒng)效率。

英飛凌新推出的 CoolGaN G5晶體管是一款集成了肖特基二極管的GaN晶體管，能顯著緩解功率損耗問題，適用于服務器和電信中間總線轉(zhuǎn)換器IBC）、DC-DC轉(zhuǎn)換器、USB-C電池充電器的同步整流器、高功率電源（PSU） 和電機驅(qū)動等應用場景。

此外，采用這種新型CoolGaN 晶體管后，反向傳導損耗降低，能與更多高邊柵極驅(qū)動器兼容，且由于死區(qū)時間放寬，控制器的兼容性變得更廣，顯著簡化設計。

英諾賽科發(fā)布1200V氮化鎵（GaN）產(chǎn)品

4月14日，英諾賽科發(fā)布公告，官宣其自主開發(fā)的1200V氮化鎵（GaN）產(chǎn)品并表示已實現(xiàn)量產(chǎn)。

英諾賽科表示，這款1200V氮化鎵（GaN）產(chǎn)品在新能源汽車800V平臺，可提升車載充電效率并縮小體積，擴大續(xù)航里程并降低成本；在高壓母線的AI數(shù)據(jù)中心架構(gòu)及工業(yè)電源領(lǐng)域，有助于實現(xiàn)數(shù)據(jù)中心電源高效高密度的轉(zhuǎn)換以及工業(yè)電源的小型化和高效化。

此外，憑借寬禁帶特性，該款產(chǎn)品在高壓高頻場景優(yōu)勢顯著，具備零反向恢復電荷的核心優(yōu)勢，有助于進一步推動能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的效率提升和小型化，可廣泛應用于新能源汽車、工業(yè)以及AI數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。

華潤微電子發(fā)布新SiC主驅(qū)模塊

4月19日，華潤微電子功率器件事業(yè)群推出了1200V 450A/600A的半橋DCM和全橋HPD共四款主驅(qū)模塊。

根據(jù)公司介紹，該系列模塊兼具SiC器件的低導通損耗、耐高溫特性以及DCM、HPD模塊的高功率密度、高系統(tǒng)效率等優(yōu)異性能。

source：華潤微電子

華潤微電子新款SiC主驅(qū)模塊采用自主設計的Si3N4 AMB、銀燒結(jié)、DTS工藝，均流特性好，寄生電感小。并且集成NTC溫度傳感器，易于系統(tǒng)集成；6管/8管并聯(lián)，通過對Vth的嚴格分檔提高芯片一致性。

派恩杰半導體推出SiC HPD模塊系列-PAAC12450CM

4月16日，派恩杰半導體宣布推出SiC HPD模塊系列-PAAC12450CM。派恩杰芯片具有較小的RDSON溫漂特性，在其6并聯(lián)的布局設計，與傳統(tǒng)的8并聯(lián)競品方案實現(xiàn)了相近的功率密度，帶來更高效、更可靠的逆變器解決方案。

派恩杰半導體表示，PAAC12450CM 采用了高度優(yōu)化的HPD布局設計，從電流均流和寄生電感兩方面提升整體性能，為新能源汽車制造商提供更可靠的選擇。此外，派恩杰的獨特芯片設計，使得芯片的導通電阻受溫度影響較小，可以有效抑制實際高溫工況下的功率輸出衰減。（集邦化合物半導體 妮蔻 整理）