恩智浦表示，拉斐爾在制定和塑造恩智浦戰(zhàn)略以及推動(dòng)公司成功方面發(fā)揮了不可或缺的作用。公司相信，他是恩智浦總裁兼首席執(zhí)行官的理想人選，能夠?qū)崿F(xiàn)公司在汽車(chē)、工業(yè)和物聯(lián)網(wǎng)終端市場(chǎng)邊緣智能系統(tǒng)領(lǐng)域占據(jù)領(lǐng)導(dǎo)地位的愿景。
最新財(cái)報(bào)顯示，今年一季度，恩智浦營(yíng)收28.4億美元，高于市場(chǎng)預(yù)期的28.3億美元，但較去年同期31.3億美元要低。

恩智浦在財(cái)報(bào)中表示，受?chē)?guó)際形勢(shì)劇烈變化影響，公司正處于“非常不確定的環(huán)境”中。恩智浦對(duì)未來(lái)市場(chǎng)持“謹(jǐn)慎樂(lè)觀”態(tài)度，并預(yù)測(cè)第二季度的收入將下降到28億到30億美元。

source：NXP

資料顯示，恩智浦功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)是其半導(dǎo)體解決方案的核心組成部分，聚焦于高效能源管理，廣泛應(yīng)用于汽車(chē)、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、移動(dòng)設(shè)備及通信基礎(chǔ)設(shè)施等領(lǐng)域。

其中，恩智浦在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域尤其是氮化鎵領(lǐng)域已經(jīng)形成全面業(yè)務(wù)布局。核心技術(shù)方面，恩智浦采用碳化硅基氮化鎵（GaN on SiC）技術(shù)，結(jié)合SiC優(yōu)異的導(dǎo)熱性和GaN的高功率密度、低損耗特性，適用于高頻、高壓場(chǎng)景。該技術(shù)已應(yīng)用于5G基站射頻功率放大器（PA）及軍事雷達(dá)系統(tǒng)，顯著提升器件性能。

此外，針對(duì)消費(fèi)電子和工業(yè)電源市場(chǎng)，恩智浦開(kāi)發(fā)硅基氮化鎵技術(shù)，利用現(xiàn)有硅晶圓代工廠實(shí)現(xiàn)規(guī)模化生產(chǎn)，降低成本并提高產(chǎn)能。

2025年以來(lái)，由于國(guó)際形勢(shì)以及部分市場(chǎng)汽車(chē)需求疲軟，功率半導(dǎo)體廠商業(yè)績(jī)?cè)馐芴魬?zhàn)。稍早之前，意法半導(dǎo)體今年一季度財(cái)報(bào)顯示，該公司第一季度凈營(yíng)收為25.2億美元，同比下降27.3%，環(huán)比下降24.2%。毛利率下滑至33.4%，較去年同期下降830個(gè)基點(diǎn)。凈利潤(rùn)下跌89.1%，為5600萬(wàn)美元。

source：意法半導(dǎo)體

財(cái)報(bào)會(huì)議上，意法半導(dǎo)體高管Jean-Marc Chery表示，公司依舊看好碳化硅業(yè)務(wù)的發(fā)展，從長(zhǎng)遠(yuǎn)趨勢(shì)來(lái)看，意法半導(dǎo)體在碳化硅市場(chǎng)中的整體份額將至少保持在30%以上。此外，意法半導(dǎo)體位于意大利卡塔尼亞的8英寸SiC工廠預(yù)計(jì)將于2025年第四季度開(kāi)始生產(chǎn)，全面落成后預(yù)計(jì)年產(chǎn)能可達(dá)72萬(wàn)片，進(jìn)一步鞏固意法半導(dǎo)體在碳化硅市場(chǎng)的地位。（集邦化合物半導(dǎo)體 奉穎嫻 整理）

英飛凌推出全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用GaN晶體管產(chǎn)品系列

4月22日，英飛凌官微宣布推出CoolGaN G5中壓晶體管。據(jù)悉，這是全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用氮化鎵（GaN）功率晶體管。

source：英飛凌官微（圖為集成肖特基二極管的CoolGaN G5晶體管）

據(jù)英飛凌介紹，該產(chǎn)品系列通過(guò)減少不必要的死區(qū)損耗提高功率系統(tǒng)的性能，進(jìn)一步提升整體系統(tǒng)效率。

英飛凌新推出的 CoolGaN G5晶體管是一款集成了肖特基二極管的GaN晶體管，能顯著緩解功率損耗問(wèn)題，適用于服務(wù)器和電信中間總線轉(zhuǎn)換器IBC）、DC-DC轉(zhuǎn)換器、USB-C電池充電器的同步整流器、高功率電源（PSU） 和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用場(chǎng)景。

此外，采用這種新型CoolGaN 晶體管后，反向傳導(dǎo)損耗降低，能與更多高邊柵極驅(qū)動(dòng)器兼容，且由于死區(qū)時(shí)間放寬，控制器的兼容性變得更廣，顯著簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。

英諾賽科發(fā)布1200V氮化鎵（GaN）產(chǎn)品

4月14日，英諾賽科發(fā)布公告，官宣其自主開(kāi)發(fā)的1200V氮化鎵（GaN）產(chǎn)品并表示已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

英諾賽科表示，這款1200V氮化鎵（GaN）產(chǎn)品在新能源汽車(chē)800V平臺(tái)，可提升車(chē)載充電效率并縮小體積，擴(kuò)大續(xù)航里程并降低成本；在高壓母線的AI數(shù)據(jù)中心架構(gòu)及工業(yè)電源領(lǐng)域，有助于實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)中心電源高效高密度的轉(zhuǎn)換以及工業(yè)電源的小型化和高效化。

此外，憑借寬禁帶特性，該款產(chǎn)品在高壓高頻場(chǎng)景優(yōu)勢(shì)顯著，具備零反向恢復(fù)電荷的核心優(yōu)勢(shì)，有助于進(jìn)一步推動(dòng)能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的效率提升和小型化，可廣泛應(yīng)用于新能源汽車(chē)、工業(yè)以及AI數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。

華潤(rùn)微電子發(fā)布新SiC主驅(qū)模塊

4月19日，華潤(rùn)微電子功率器件事業(yè)群推出了1200V 450A/600A的半橋DCM和全橋HPD共四款主驅(qū)模塊。

根據(jù)公司介紹，該系列模塊兼具SiC器件的低導(dǎo)通損耗、耐高溫特性以及DCM、HPD模塊的高功率密度、高系統(tǒng)效率等優(yōu)異性能。

source：華潤(rùn)微電子

華潤(rùn)微電子新款SiC主驅(qū)模塊采用自主設(shè)計(jì)的Si3N4 AMB、銀燒結(jié)、DTS工藝，均流特性好，寄生電感小。并且集成NTC溫度傳感器，易于系統(tǒng)集成；6管/8管并聯(lián)，通過(guò)對(duì)Vth的嚴(yán)格分檔提高芯片一致性。

派恩杰半導(dǎo)體推出SiC HPD模塊系列-PAAC12450CM

4月16日，派恩杰半導(dǎo)體宣布推出SiC HPD模塊系列-PAAC12450CM。派恩杰芯片具有較小的RDSON溫漂特性，在其6并聯(lián)的布局設(shè)計(jì)，與傳統(tǒng)的8并聯(lián)競(jìng)品方案實(shí)現(xiàn)了相近的功率密度，帶來(lái)更高效、更可靠的逆變器解決方案。

派恩杰半導(dǎo)體表示，PAAC12450CM 采用了高度優(yōu)化的HPD布局設(shè)計(jì)，從電流均流和寄生電感兩方面提升整體性能，為新能源汽車(chē)制造商提供更可靠的選擇。此外，派恩杰的獨(dú)特芯片設(shè)計(jì)，使得芯片的導(dǎo)通電阻受溫度影響較小，可以有效抑制實(shí)際高溫工況下的功率輸出衰減。（集邦化合物半導(dǎo)體 妮蔻 整理）

source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖

根據(jù)公告，計(jì)劃選址于無(wú)錫分公司，新增第二代框架式功率模塊產(chǎn)品150萬(wàn)片產(chǎn)能。擴(kuò)建項(xiàng)目完成后，上汽英飛凌無(wú)錫分公司的年產(chǎn)能將從現(xiàn)有的260萬(wàn)個(gè)提升至420萬(wàn)個(gè)。

公開(kāi)資料顯示，上汽英飛凌汽車(chē)功率半導(dǎo)體（上海）有限公司由上汽集團(tuán)（持股51%）與英飛凌（持股49%）于2018年3月合資成立，總部位于上海，生產(chǎn)基地位于英飛凌無(wú)錫工廠的擴(kuò)建項(xiàng)目?jī)?nèi)，在2018下半年開(kāi)始批量生產(chǎn)。

英飛凌無(wú)錫工廠則成立于1995年，前身為西門(mén)子半導(dǎo)體無(wú)錫工廠，專注于半導(dǎo)體后道封裝測(cè)試、功率半導(dǎo)體（如IGBT模塊）及智能卡芯片生產(chǎn)。
今年3月，英飛凌舉行了“無(wú)錫新樓啟用暨落戶30周年慶典”活動(dòng)，歷經(jīng)三十年的深耕發(fā)展，無(wú)錫工廠已成為英飛凌全球最大的IGBT生產(chǎn)基地之一。

source：英飛凌

回顧英飛凌無(wú)錫工廠發(fā)展，最早可追溯到2015年，英飛凌在無(wú)錫增資，設(shè)立了英飛凌半導(dǎo)體（無(wú)錫）有限公司，生產(chǎn)IGBT模塊。2020年11月6日，英飛凌宣布將新增在華投資，擴(kuò)大其無(wú)錫工廠的IGBT模塊生產(chǎn)線。

英飛凌《年產(chǎn)180萬(wàn)個(gè)汽車(chē)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品無(wú)錫分公司項(xiàng)目》環(huán)評(píng)文件顯示，2019年該項(xiàng)目取得無(wú)錫市新吳區(qū)安全生產(chǎn)監(jiān)督管理和環(huán)境保護(hù)局批復(fù)，完成第一階段驗(yàn)收，實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)汽車(chē)功率半導(dǎo)體70萬(wàn)個(gè)生產(chǎn)能力。

2023年，上汽英飛凌新增總投資3.2532億元，在無(wú)錫分公司擴(kuò)建《260 萬(wàn)個(gè)汽車(chē)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品項(xiàng)目》。英飛凌對(duì)無(wú)錫全廠生產(chǎn)線生產(chǎn)能力進(jìn)行重新調(diào)配，將原環(huán)評(píng)審批的年產(chǎn)汽車(chē)功率半導(dǎo)體180萬(wàn)個(gè)生產(chǎn)規(guī)模擴(kuò)產(chǎn)至年產(chǎn)260萬(wàn)個(gè)汽車(chē)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。該項(xiàng)目已于2024 年5月取得新吳區(qū)行政審批局的立項(xiàng)備案意見(jiàn)。

2025年1月，無(wú)錫高新區(qū)（新吳區(qū)）舉行一季度重大項(xiàng)目，其中提到，英飛凌功率半導(dǎo)體器件項(xiàng)目引進(jìn)暨無(wú)錫生產(chǎn)基地?cái)U(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目正在加緊建設(shè)，總投資15.5億元。據(jù)無(wú)錫市人民政府消息，英飛凌無(wú)錫基地還在不斷擴(kuò)大規(guī)模，引進(jìn)全球最新的第三代功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)品，打造國(guó)內(nèi)最具規(guī)模、國(guó)際技術(shù)一流的先進(jìn)功率半導(dǎo)體器件生產(chǎn)基地。

值得注意的是，上汽英飛凌的HybridPACK Drive功率模塊兼具高功率密度、低能量損耗的特點(diǎn)，采用英飛凌最先進(jìn)的第7代IGBT/EDT2芯片和首創(chuàng)的模塊封裝技術(shù)。

公開(kāi)資料顯示，英飛凌是首家掌握20μm超薄功率半導(dǎo)體晶圓處理和加工技術(shù)的公司。通過(guò)降低晶圓厚度將基板電阻減半，進(jìn)而將功率損耗減少15%以上。該技術(shù)已獲認(rèn)可并向客戶發(fā)布。另外，英飛凌已成功開(kāi)發(fā)出全球首項(xiàng)300mm氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體晶圓技術(shù)。利用現(xiàn)有的大規(guī)模300mm硅制造設(shè)施，英飛凌將最大化GaN生產(chǎn)的資本效率，推動(dòng)GaN市場(chǎng)的快速增長(zhǎng)。（集邦化合物半導(dǎo)體 王奇 整理）

1、寧德時(shí)代取得功率半導(dǎo)體器件和散熱裝置專利

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，寧德時(shí)代新能源科技股份有限公司取得一項(xiàng)名為“功率半導(dǎo)體器件和散熱裝置”的專利，授權(quán)公告號(hào) CN 222764192 U，申請(qǐng)日期為2025年1月。

source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖

專利摘要顯示，本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種功率半導(dǎo)體器件和散熱裝置，其中，功率半導(dǎo)體器件包括：器件主體；設(shè)置在所述器件主體的第一側(cè)的第一散熱裝置；其中，所述第一散熱裝置包括液冷散熱組件和翅片散熱結(jié)構(gòu)；所述液冷散熱組件與所述翅片散熱結(jié)構(gòu)位于所述器件主體的第一側(cè)，所述翅片散熱結(jié)構(gòu)與所述液冷散熱組件配合安裝，所述器件主體與所述翅片散熱結(jié)構(gòu)分布在所述液冷散熱組件的兩側(cè)；所述翅片散熱結(jié)構(gòu)包括：散熱板和葉脈散熱器；所述液冷散熱組件安裝在所述散熱板的第一面，所述葉脈散熱器安裝在所述散熱板的第二面。

2、江蘇尊陽(yáng)電子取得超高效散熱性能功率模塊專利

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，江蘇尊陽(yáng)電子科技有限公司取得一項(xiàng)名為“一種超高效散熱性能的包括獨(dú)立封裝器件的功率模塊”的專利，授權(quán)公告號(hào)CN222775316U，申請(qǐng)日期為2024年7月。

source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖

專利摘要顯示，本實(shí)用新型涉及一種超高效散熱性能的包括獨(dú)立封裝器件的功率模塊，包括管殼、基板和至少一個(gè)單元模塊；單元模塊包括至少一個(gè)獨(dú)立封裝器件和導(dǎo)電散熱件；獨(dú)立封裝器件包括導(dǎo)電支架、至少一個(gè)芯片和塑封體；至少一個(gè)芯片通過(guò)導(dǎo)電介質(zhì)倒扣貼裝在導(dǎo)電支架上，并與導(dǎo)電支架上相對(duì)應(yīng)的引腳電性連接；塑封體包覆住整個(gè)獨(dú)立封裝器件，且所有芯片的背面以及導(dǎo)電支架上的引腳均暴露在塑封體外；導(dǎo)電散熱件通過(guò)導(dǎo)電介質(zhì)貼裝在所有芯片的背面，且與芯片電性連接。本實(shí)用新型每個(gè)獨(dú)立封裝器件單獨(dú)封裝，且芯片均倒扣封裝，所有種類的芯片均按此種方案獨(dú)立封裝；所有獨(dú)立封裝器件根據(jù)電性要求安裝到模塊內(nèi)，電性的輸出使用導(dǎo)電構(gòu)件進(jìn)行連接并引出。

3、深圳吉華微特取得功率器件模塊端子焊接工裝專利

4 月 19 日，國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，深圳吉華微特電子有限公司取得一項(xiàng)名為“功率器件模塊端子焊接工裝”的專利，授權(quán)公告號(hào) CN222767588U，申請(qǐng)日期為 2024 年 6 月。

source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖

專利摘要顯示，本實(shí)用新型公開(kāi)一種功率器件模塊端子焊接工裝，涉及半導(dǎo)體功率器件模塊封裝技術(shù)領(lǐng)域，該種功率器件模塊端子焊接工裝包括夾具單元，該夾具單元包括第一夾具、第二夾具、第三夾具、固定件和限位支撐組件，該第一夾具、第二夾具和第三夾具依次由下至上分布，該固定件與第二夾具連接；功率器件模塊端子焊接后具有模塊底板、絕緣襯底和模塊端子，該限位支撐組件由下至上依次豎向貫穿第一夾具、模塊底板和第二夾具，通過(guò)限位支撐組件將模塊底板限位于第一夾具和第二夾具之間；采用本申請(qǐng)?zhí)峁┑墓β势骷K端子焊接工裝可以保障產(chǎn)品外觀質(zhì)量提升，模塊端子鍍層表面劃傷、漏銅率降低，產(chǎn)品封裝良率提升，保證模塊端子焊接后符合產(chǎn)品需求。

4、江蘇天科合達(dá)取得碳化硅晶圓清洗干燥輔助裝置專利

4月21日，國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，江蘇天科合達(dá)半導(dǎo)體有限公司;北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司取得一項(xiàng)名為“一種碳化硅晶圓清洗干燥輔助裝置”的專利，授權(quán)公告號(hào)CN222775303U，申請(qǐng)日期為2024年7月。

專利摘要顯示，本實(shí)用新型提供的一種碳化硅晶圓清洗干燥輔助裝置，包括：卡塞固定座，所述卡塞固定座上具有用于固定卡塞的固定卡槽；搖擺裝置，所述搖擺裝置包括托盤(pán)和驅(qū)動(dòng)所述托盤(pán)擺動(dòng)的擺動(dòng)驅(qū)動(dòng)組件，所述卡塞固定座設(shè)置于所述托盤(pán)上。本實(shí)用新型通過(guò)卡塞固定座對(duì)卡塞進(jìn)行固定，卡塞用于插裝碳化硅晶圓，從而可將待清洗或待干燥的碳化硅晶圓通過(guò)卡塞固定在卡塞固定座上。而卡塞固定座固定在搖擺裝置的托盤(pán)上，搖擺裝置能夠帶動(dòng)卡塞固定座以及卡塞固定座上的碳化硅晶圓往復(fù)擺動(dòng)，使得在清洗或干燥過(guò)程中，變換碳化硅晶圓的位置，能夠提高清洗和干燥的均勻性。

source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖

當(dāng)前，全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于技術(shù)競(jìng)速與市場(chǎng)擴(kuò)張的關(guān)鍵階段，中國(guó)企業(yè)通過(guò)持續(xù)的研發(fā)投入和專利布局，逐步在散熱優(yōu)化、封裝創(chuàng)新、制造工藝等細(xì)分領(lǐng)域建立競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。然而，面對(duì)國(guó)際巨頭在材料純度、器件可靠性等方面的長(zhǎng)期積累，國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)仍需加強(qiáng)產(chǎn)學(xué)研協(xié)同，推動(dòng)核心專利向?qū)嶋H生產(chǎn)力的高效轉(zhuǎn)化。

未來(lái)，隨著5G基站、智能電網(wǎng)等新基建領(lǐng)域?qū)Ω咝阅馨雽?dǎo)體需求的釋放，具備自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的技術(shù)將成為企業(yè)參與全球競(jìng)爭(zhēng)的重要籌碼。這場(chǎng)圍繞第三代半導(dǎo)體的“芯”賽道上，創(chuàng)新專利不僅是技術(shù)實(shí)力的見(jiàn)證，更是產(chǎn)業(yè)升級(jí)的基石。（集邦化合物半導(dǎo)體 niko 整理）

據(jù)悉，該項(xiàng)目位于浙江省龍游縣經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)城北片區(qū)惠商路，總投資5100余萬(wàn)元，建筑面積約25000多平方米。項(xiàng)目由龍游經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)下屬國(guó)資公司代建，主體建筑由廠房、綜合樓、門(mén)衛(wèi)、材料庫(kù)及室外附屬配套組成，建筑層數(shù)共計(jì)5層。

該項(xiàng)目的竣工標(biāo)志著龍游縣在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域邁出了堅(jiān)實(shí)的一步，也為國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展注入了新的活力。

據(jù)悉，芯盟項(xiàng)目涵蓋IGBT芯片、IGBT大功率模塊和分立器件的生產(chǎn)，并積極拓展碳化硅功率器件領(lǐng)域。項(xiàng)目建成后，預(yù)計(jì)年產(chǎn)300萬(wàn)只高等級(jí)功率半導(dǎo)體模塊。這將顯著提升我國(guó)在高等級(jí)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的研發(fā)與生產(chǎn)能力，進(jìn)一步推動(dòng)國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體的發(fā)展。

該項(xiàng)目建成后將全面提升園區(qū)的整體工藝技術(shù)、產(chǎn)業(yè)鏈等多方面能力，進(jìn)一步助力國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體的發(fā)展。下一步，開(kāi)發(fā)區(qū)將持續(xù)優(yōu)化園區(qū)環(huán)境，優(yōu)化周邊配套設(shè)施，推動(dòng)企業(yè)產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)，為開(kāi)發(fā)區(qū)發(fā)展注入活力。

值得注意的是，芯盟科技是全球首個(gè)研發(fā)出垂直溝道三維存儲(chǔ)器并商業(yè)化的企業(yè)，其3D異構(gòu)集成HITOC鍵合技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)線寬0.9μm，讓芯片之間連接點(diǎn)數(shù)超過(guò)100萬(wàn)個(gè)，3D鍵合密度全球領(lǐng)先。

source：微龍游

近期，芯盟科技接連申請(qǐng)了兩項(xiàng)技術(shù)專利。

3月19日，芯盟科技向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局申請(qǐng)了一項(xiàng)名為“動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器及其讀操作方法、電子設(shè)備”的專利，公開(kāi)號(hào)為CN119626287A。該專利通過(guò)優(yōu)化DRAM設(shè)計(jì)，引入多個(gè)存儲(chǔ)單元組及靈敏放大器組等，顯著提高了DRAM的感應(yīng)裕度和讀出性能。

4月5日，芯盟科技獲得了一項(xiàng)名為“半導(dǎo)體器件及其制造方法”的專利，授權(quán)公告號(hào)為CN113629011B。這項(xiàng)專利涉及創(chuàng)新的材料選擇和生產(chǎn)工藝，有望提升半導(dǎo)體器件的耐用性和能效，廣泛應(yīng)用于智能設(shè)備、通信基礎(chǔ)設(shè)施及消費(fèi)電子等領(lǐng)域。

股權(quán)穿透顯示，海馭能科半導(dǎo)體（上海）有限公司由華域汽車(chē)旗下華域汽車(chē)系統(tǒng)（上海）有限公司、上海國(guó)策綠色科技制造私募投資基金合伙企業(yè)（有限合伙）等共同持股。

其中，華域汽車(chē)系統(tǒng)是國(guó)內(nèi)汽車(chē)零部件龍頭企業(yè)，電動(dòng)系統(tǒng)方面，公司聚焦新能源電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)、驅(qū)動(dòng)電機(jī)及電力電子箱、電空調(diào)與熱管理系統(tǒng)、電池管理系統(tǒng)、新能源電池托盤(pán)、電動(dòng)空調(diào)壓縮機(jī)、電子轉(zhuǎn)向機(jī)等產(chǎn)品的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化。

因此，業(yè)界認(rèn)為，結(jié)合華域汽車(chē)在汽車(chē)電子領(lǐng)域的既有布局，海馭能科可能成為其向新能源、智能化汽車(chē)產(chǎn)業(yè)鏈上游延伸的關(guān)鍵載體。

資料顯示，半導(dǎo)體分立器件與電力電子元器件制造屬于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中游環(huán)節(jié)。前者涵蓋二極管、晶閘管等基礎(chǔ)元件，后者涉及IGBT、MOSFET等功率半導(dǎo)體器件，均為新能源車(chē)電驅(qū)系統(tǒng)、充電樁及工業(yè)變頻設(shè)備的核心組件。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

公開(kāi)資料顯示，尚鼎芯是一家專注于定制化功率半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商，成立于2011年。公司主要產(chǎn)品包括MOSFET、IGBT、GaN MOSFET及SiC MOSFET等，廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)控制、汽車(chē)電子、新能源及儲(chǔ)能、醫(yī)療設(shè)備等多個(gè)領(lǐng)域。在今年1月16日，該公司被正式認(rèn)定為高新技術(shù)企業(yè)。

在商業(yè)模式上，公司采用無(wú)晶圓廠模式，專注于產(chǎn)品設(shè)計(jì)和研發(fā)，將制造流程外包給專業(yè)代工廠和封裝廠。

從財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)來(lái)看，尚鼎芯近年來(lái)的營(yíng)收和利潤(rùn)有所波動(dòng)。2022年、2023年和2024年的營(yíng)收分別為1.67億元、1.13億元和1.22億元人民幣；毛利分別為9329萬(wàn)元、6215萬(wàn)元和6921萬(wàn)元；年內(nèi)盈利分別為5361萬(wàn)元、3102萬(wàn)元和3511萬(wàn)元。盡管2023年?duì)I收有所下滑，但2024年有所回升。

在業(yè)務(wù)構(gòu)成方面，尚鼎芯的消費(fèi)電子業(yè)務(wù)收入在持續(xù)下滑，而工業(yè)控制業(yè)務(wù)收入則逐漸上升。2024年，消費(fèi)電子業(yè)務(wù)收入占比56.1%，工業(yè)控制業(yè)務(wù)收入占比33.6%，汽車(chē)電子和新能源及儲(chǔ)能業(yè)務(wù)收入分別占比3.2%和7.1%。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

本土化產(chǎn)品是指英飛凌將根據(jù)中國(guó)需求進(jìn)行產(chǎn)品定義。

本土化生產(chǎn)方面，英飛凌指出，公司汽車(chē)業(yè)務(wù)目前已有多種產(chǎn)品完成本土化量產(chǎn)并計(jì)劃于2027年覆蓋主流產(chǎn)品的本土化，將涵蓋微控制器、高低壓功率器件、模擬混合信號(hào)、傳感器及存儲(chǔ)器件等產(chǎn)品。

其中，日本瑞薩電子（Renesas Electronics）調(diào)降稼動(dòng)率（產(chǎn)能利用率），上季（2024年10-12月）稼動(dòng)率降至3成左右。而瑞薩原先計(jì)劃在2025年初期利用甲府工廠量產(chǎn)功率半導(dǎo)體，不過(guò)該量產(chǎn)計(jì)劃也已延期。

全球電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)成長(zhǎng)放緩，各家功率半導(dǎo)體廠庫(kù)存增加，上季日美歐7大廠的平均庫(kù)存周轉(zhuǎn)天數(shù)為99天，較去年同期增加18%。

中國(guó)廠商崛起也是原因之一，據(jù)悉， 比亞迪電動(dòng)汽車(chē)用功率半導(dǎo)體工廠在2024年初全面投產(chǎn)。報(bào)道指出，比亞迪此前是向瑞薩等廠商采購(gòu)，日本廠商表示，和中國(guó)廠商之間的性能差異，在數(shù)年前就沒(méi)了。 SEMI Japna的青木慎一表示，「中國(guó)功率半導(dǎo)體已能夠穩(wěn)定生產(chǎn)、進(jìn)入回收投資的階段」。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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