據(jù)悉，該規(guī)劃圍繞六大領(lǐng)域布局53個新賽道，半導(dǎo)體相關(guān)部署是先進(jìn)制造領(lǐng)域的核心內(nèi)容之一。規(guī)劃明確分階段目標(biāo)，到2030年，全省新賽道培育促進(jìn)機(jī)制初步形成，力爭培育多個萬億元級、五千億元級和千億元級賽道；到2035年，新賽道產(chǎn)業(yè)及市場規(guī)模突破10萬億元。
當(dāng)前，廣東在碳化硅、氮化鎵領(lǐng)域已形成良好發(fā)展態(tài)勢，產(chǎn)業(yè)集聚效應(yīng)凸顯。
廣州芯粵能半導(dǎo)體作為國內(nèi)領(lǐng)先的車規(guī)級碳化硅芯片制造企業(yè)，已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，其自主研發(fā)的碳化硅MOSFET主驅(qū)芯片已搭載整車800V電驅(qū)總成下線，獲得多家汽車品牌定點(diǎn)。
國內(nèi)頭部氮化鎵企業(yè)#英諾賽科 也在珠海高新區(qū)設(shè)立基地，該基地?fù)碛袊鴥?nèi)少有的氮化鎵 IDM 全流程能力，助力珠海構(gòu)建起覆蓋氮化鎵、碳化硅全系列材料的產(chǎn)業(yè)生態(tài)，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、人工智能、新能源汽車等領(lǐng)域。
產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目方面，稍早之前，廣州白云區(qū)落地韓國STI株式會社功率半導(dǎo)體智造基地項(xiàng)目，總投資約124億元，一期將生產(chǎn)功率半導(dǎo)體模塊關(guān)鍵材料AMB陶瓷基板，后續(xù)還將謀劃建設(shè)第三代功率半導(dǎo)體器件與車規(guī)級芯片工廠，完善產(chǎn)業(yè)生態(tài)。
作為制造業(yè)大省，廣東擁有全部31個制造業(yè)大類，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)雄厚。此次規(guī)劃的印發(fā)，既是廣東培育新質(zhì)生產(chǎn)力、推動產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級的重要舉措，也將進(jìn)一步完善省內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈。
（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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]]>英飛凌指出，氮化鎵（GaN）正作為一種變革性創(chuàng)新技術(shù)脫穎而出，在AI數(shù)據(jù)中心、人形機(jī)器人及電動汽車等領(lǐng)域不斷突破功率電子的極限。
英飛凌高級副總裁Johannes Schoiswohl博士表示，公司正通過推進(jìn)具備可擴(kuò)展性的300mm GaN功率晶圓技術(shù)，使單片晶圓的芯片數(shù)量提升至原來的2.3倍，從而顯著降低成本，使其接近傳統(tǒng)硅技術(shù)。
市場預(yù)測顯示，2026年將成為GaN行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵轉(zhuǎn)折點(diǎn)，全球市場規(guī)模預(yù)計(jì)將同比增長50%至58%，并在2030年前實(shí)現(xiàn)約100億美元的累計(jì)收入潛力。這一快速增長得益于自2025年開始的大規(guī)模產(chǎn)能爬坡，以及GaN在消費(fèi)類電子產(chǎn)品普及后，正加速進(jìn)入數(shù)據(jù)中心架構(gòu)、光伏逆變器和汽車OBC等全新應(yīng)用階段。
在產(chǎn)品創(chuàng)新方面，雙向開關(guān)（BDS）被視為最重要的技術(shù)突破之一，它通過單片集成取代傳統(tǒng)的背靠背方案，顯著縮小了芯片尺寸并降低了寄生電感 。預(yù)計(jì)到2026年，設(shè)計(jì)人員將發(fā)掘BDS在光伏和電動汽車之外的更多用途，如功率等級超過10kW的AI服務(wù)器電源、大功率充電器及電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)等。
此外，英飛凌還在探索垂直GaN（GaN-on-GaN）、藍(lán)寶石襯底及金剛石襯底等前沿材料，并開發(fā)集成功率模塊（IPM）以解決寄生電感和熱密度等物理挑戰(zhàn)。未來的控制器IC還將通過集成電流和溫度感測、故障檢測等SoH功能，利用系統(tǒng)信息提升智能化運(yùn)行水平與安全性。
針對AI數(shù)據(jù)中心的應(yīng)用，設(shè)計(jì)人員預(yù)計(jì)在2026年突破功率密度瓶頸，將GaN的應(yīng)用從電源單元（PSU）擴(kuò)展至電池備用單元（BBU）和中間總線轉(zhuǎn)換器（IBC）?；贕aN的電源可將功率損耗降低50%，在算力每3.4個月翻一番的背景下，這對于支撐到2030年占全球耗電量7%的數(shù)據(jù)中心至關(guān)重要。
同時，汽車市場也將在2026年深度擁抱GaN技術(shù)，通過AEC-Q測試的汽車級器件能夠助力48V架構(gòu)革新，提升動力系統(tǒng)性能并降低10%以上的系統(tǒng)成本。
在機(jī)器人領(lǐng)域，GaN將實(shí)現(xiàn)更輕量化的設(shè)計(jì)和更精準(zhǔn)的運(yùn)動控制，使人形機(jī)器人的關(guān)節(jié)更加緊湊，電機(jī)驅(qū)動器體積可縮小40%。
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]]>1、長光華芯：高功率激光業(yè)務(wù)驅(qū)動業(yè)績修復(fù)
2月11日，長光華芯發(fā)布2025年業(yè)績快報(bào)。2025年全年長光華芯實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入4.68億元，同比增長71.81%；歸屬于母公司股東的凈利潤為1952.26萬元，較上年同期成功實(shí)現(xiàn)扭虧為盈。
圖片來源：長光華芯公告截圖
從財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)分析，長光華芯的業(yè)績反轉(zhuǎn)主要得益于其在高功率半導(dǎo)體激光領(lǐng)域的持續(xù)深耕。作為工業(yè)激光器及光通信模塊的核心元器件供應(yīng)商，公司在2025年有效抓住了下游應(yīng)用市場的復(fù)蘇機(jī)遇。
一方面，主營業(yè)務(wù)基本盤穩(wěn)固。憑借技術(shù)積累與產(chǎn)品性能優(yōu)勢，長光華芯進(jìn)一步拓展了下游應(yīng)用市場，高功率半導(dǎo)體激光系列產(chǎn)品銷售收入實(shí)現(xiàn)顯著增長，成為公司營收大幅提升的核心支撐。
另一方面，戰(zhàn)略性新興業(yè)務(wù)開始兌現(xiàn)業(yè)績。長光華芯前期在光通信、激光傳感等領(lǐng)域的研發(fā)、人才及產(chǎn)線投入在2025年進(jìn)入收獲期。特別是在光通信領(lǐng)域，相關(guān)布局逐步落地，產(chǎn)品與解決方案開始為營業(yè)收入帶來新的增長點(diǎn)。
2、芯導(dǎo)科技：營收結(jié)構(gòu)分化，啟動產(chǎn)業(yè)鏈并購
作為科創(chuàng)板首家披露2025年年報(bào)的企業(yè)，芯導(dǎo)科技的業(yè)績表現(xiàn)呈現(xiàn)出明顯的結(jié)構(gòu)性分化特征。年報(bào)顯示，芯導(dǎo)科技2025年實(shí)現(xiàn)營收3.94億元，同比增長11.52%；歸母凈利潤為1.06億元，同比下降4.91%。
圖片來源：芯導(dǎo)科技公告截圖
業(yè)界認(rèn)為，細(xì)分產(chǎn)品線的表現(xiàn)解釋了#芯導(dǎo)科技 “增收不增利”的原因。在功率器件板塊，芯導(dǎo)科技實(shí)現(xiàn)收入3.61億元，同比增長13.94%，顯示出分立器件在特定應(yīng)用領(lǐng)域的韌性。
功率IC板塊，芯導(dǎo)科技實(shí)現(xiàn)收入3309.98萬元，同比下降9.41% 。以消費(fèi)電子為主要市場的功率IC領(lǐng)域，在2025年依然面臨較大的價格競爭與去庫存壓力。
芯導(dǎo)科技在發(fā)布年報(bào)同日公布了重組草案，擬通過發(fā)行可轉(zhuǎn)換公司債券及支付現(xiàn)金的方式收購吉瞬科技100%股權(quán)及瞬雷科技17.15%股權(quán)，交易總對價為4.03億元。
根據(jù)公告，本次交易支付方式包括現(xiàn)金對價1.27億元及可轉(zhuǎn)債對價2.76億元，并擬配套募集資金不超過5000萬元。標(biāo)的公司瞬雷科技主要從事瞬態(tài)浪涌防護(hù)器件、硅整流二極管、MOSFET等功率器件的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。
此次收購的戰(zhàn)略意圖明顯：一方面，通過整合瞬雷科技的產(chǎn)品線，芯導(dǎo)科技將進(jìn)一步完善其在防護(hù)器件及MOSFET領(lǐng)域的矩陣；另一方面，此舉有助于公司加快在下游市場的布局，通過外延式并購在激烈的存量博弈中擴(kuò)大市場份額。
2026年功率半導(dǎo)體市場釋放兩大信號
通過長光華芯與芯導(dǎo)科技這兩份最新的成績單，我們能看到2026年國內(nèi)功率半導(dǎo)體市場的一些端倪：
其一，2025年的行業(yè)復(fù)蘇并非普惠式增長，而是呈現(xiàn)出極強(qiáng)的結(jié)構(gòu)性特征。長光華芯的業(yè)績爆發(fā)，驗(yàn)證了光通信、工業(yè)激光等高壁壘、高附加值賽道的景氣度回升。芯導(dǎo)科技功率IC業(yè)務(wù)的下滑，則折射出消費(fèi)類電子市場的復(fù)蘇依然脆弱，同質(zhì)化競爭激烈。對于功率半導(dǎo)體企業(yè)而言，能否切入汽車電子、AI服務(wù)器電源、光模塊等高增長細(xì)分領(lǐng)域，已成為決定業(yè)績增速的關(guān)鍵變量。
其二，“單打獨(dú)斗”變難，并購成為新選擇。芯導(dǎo)科技在發(fā)布年報(bào)的同時推出重組草案，這是一個非常典型的行業(yè)信號。在存量競爭的市場環(huán)境下，一家公司光靠自己研發(fā)、自己賣產(chǎn)品，增長速度可能會變慢。通過收購像瞬雷科技這樣有互補(bǔ)性的公司，不僅能直接把產(chǎn)品線做寬，還能把盤子做大。2026年，類似的并購案可能會越來越多，大魚吃小魚、抱團(tuán)取暖或許會成為行業(yè)的新常態(tài)。
結(jié)語
2025年的財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)表明，國內(nèi)功率半導(dǎo)體行業(yè)已告別粗放式增長，進(jìn)入了依靠技術(shù)迭代與資本整合雙輪驅(qū)動的新階段。長光華芯的扭虧與芯導(dǎo)科技的并購，分別代表了技術(shù)升級與產(chǎn)業(yè)整合兩條突圍路徑。展望2026年，隨著行業(yè)集中度的進(jìn)一步提升，具備核心技術(shù)壁壘與平臺化整合能力的企業(yè)，有望在激烈的全球競爭中占據(jù)更有利的位置。
（集邦化合物半導(dǎo)體 秦妍 整理）
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]]>《規(guī)劃》明確將氧化鎵、金剛石、碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體材料列為新一代半導(dǎo)體領(lǐng)域重點(diǎn)發(fā)展方向，與3-7nm晶圓制程突破、先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)等任務(wù)協(xié)同推進(jìn)，旨在構(gòu)建具有全球競爭力的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)，為建設(shè)全球先進(jìn)制造業(yè)基地提供核心支撐。
《規(guī)劃》提出，到2030年浙江省集成電路產(chǎn)業(yè)營收目標(biāo)將達(dá)4500億元，而氧化鎵、金剛石等第四代半導(dǎo)體與碳化硅、氮化鎵第三代半導(dǎo)體的協(xié)同發(fā)展，將成為實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的重要增長極。
寬禁帶半導(dǎo)體材料憑借獨(dú)特性能構(gòu)建起差異化競爭優(yōu)勢。其中，碳化硅與氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體的核心品類，已在新能源汽車、光伏儲能等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)規(guī)?；瘧?yīng)用突破；氧化鎵、金剛石則作為第四代超寬禁帶半導(dǎo)體代表，具備更高擊穿場強(qiáng)、更優(yōu)熱導(dǎo)率等特性，在特高壓輸電、高端芯片散熱等高端場景擁有廣闊前景。
目前，浙江已集聚士蘭微電子、晶盛機(jī)電、鎵仁半導(dǎo)體等一批領(lǐng)先企業(yè)。在碳化硅領(lǐng)域，士蘭微電子投資120億元建設(shè)的8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線于2026年1月正式通線，達(dá)產(chǎn)后將形成年產(chǎn)72萬片芯片的產(chǎn)能，為新能源汽車等領(lǐng)域提供核心器件保障。
（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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]]>如果說此前十年，行業(yè)關(guān)注的焦點(diǎn)是如何從4英寸跨越到6英寸，以及解決8英寸襯底的良率瓶頸，那么2025年的主旋律則是“向下兼容硅基工藝生態(tài)”與“向上突破物理生長極限”。
隨著全球首款12英寸（300mm）SiC外延晶片的技術(shù)首發(fā)，以及長晶爐、切割設(shè)備、研磨拋光中試線的全面通線，一個由大尺寸驅(qū)動的成本革命正席回全球功率電子與光電產(chǎn)業(yè)鏈。
1、12英寸碳化硅為何成為“兵家必爭之地”？
在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，尺寸即效率，尺寸即成本，尺寸即戰(zhàn)略制高點(diǎn)。從6英寸向8英寸、12英寸演進(jìn)，是摩爾定律在功率器件領(lǐng)域的“另類延續(xù)”。據(jù)行業(yè)測算，相較8英寸產(chǎn)線，12英寸碳化硅襯底可在單位晶圓上提升約2.25倍的有效芯片數(shù)量，同時顯著降低單位芯片制造成本（CoO），并提升制造一致性與良率窗口。
更重要的是，12英寸平臺與主流硅基CMOS產(chǎn)線實(shí)現(xiàn)設(shè)備兼容（如光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、清洗機(jī)等），為SiC器件的“IDM+代工”融合模式打開通路，是實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)與國產(chǎn)替代的關(guān)鍵前提。
2025年，全球碳化硅產(chǎn)業(yè)正式進(jìn)入“12英寸技術(shù)驗(yàn)證與客戶送樣”關(guān)鍵年。而中國在12英寸碳化硅領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了從“點(diǎn)狀突破”到“鏈?zhǔn)絽f(xié)同”的躍遷，形成了以襯底—外延—設(shè)備—工藝為核心的完整技術(shù)生態(tài)。
圖片來源：集邦化合物半導(dǎo)體制圖
2、襯底環(huán)節(jié)多元突破，技術(shù)迭代加速推進(jìn)
在襯底領(lǐng)域，國內(nèi)企業(yè)呈現(xiàn)出百花齊放的態(tài)勢，多家廠商圍繞晶體質(zhì)量提升、缺陷密度降低及成本控制展開差異化布局，推動國產(chǎn)襯底在性能與供給能力上的持續(xù)改善。
晶盛機(jī)電于2025年5月12日宣布，其子公司浙江晶瑞SuperSiC成功實(shí)現(xiàn)12英寸導(dǎo)電型碳化硅（SiC）單晶生長，首顆晶體直徑達(dá)309mm且質(zhì)量完好，標(biāo)志著中國在大尺寸晶體生長領(lǐng)域邁出關(guān)鍵一步。
圖片來源：浙江晶瑞SuperSiC 圖為首顆12英寸導(dǎo)電型碳化硅（SiC）單晶
緊隨其后，浙江晶越半導(dǎo)體于2025年7月23日宣布研制出高品質(zhì)12英寸SiC晶錠，2025年上半年以來，晶越半導(dǎo)體在熱場設(shè)計(jì)、籽晶粘接、厚度提升以及缺陷控制方面不斷調(diào)整和優(yōu)化工藝，成功進(jìn)入12英寸SiC襯底梯隊(duì)。
圖片來源：浙江晶越半導(dǎo)體有限公司
合盛硅業(yè)旗下寧波合盛新材料也同步推進(jìn)，在2025年年內(nèi)成功研發(fā)出12英寸導(dǎo)電型SiC單晶，并同步啟動了針對大尺寸晶體的切割、研磨、拋光等后道工藝的系統(tǒng)性研究，體現(xiàn)了其“材料+工藝”一體化的深度布局思路。
圖片來源：合盛硅業(yè) 左圖為12英寸晶片，右圖為12英寸晶錠
南砂晶圓則在2025年5月的行業(yè)大會上公開亮相了其12英寸導(dǎo)電型SiC襯底產(chǎn)品，成為國內(nèi)首家實(shí)現(xiàn)大尺寸襯底“實(shí)物化”并公開亮相的企業(yè)，引發(fā)了業(yè)界的廣泛關(guān)注。
2025年3月，天岳先進(jìn)更是攜全系列12英寸碳化硅襯底產(chǎn)品亮相上海，包括12英寸高純半絕緣型碳化硅襯底、12英寸導(dǎo)電P型及12英寸導(dǎo)電N型碳化硅襯底，展現(xiàn)了其全面的技術(shù)儲備和全品類供應(yīng)能力。
圖片來源：山東天岳先進(jìn)科技股份有限公司
2025年10月，天成半導(dǎo)體依托自主研發(fā)的12英寸碳化硅長晶設(shè)備成功研制出12英寸高純半絕緣碳化硅單晶材料，12英寸N型碳化硅單晶材料晶體有效厚度突破35mm厚。這一指標(biāo)對于制造高耐壓、大功率的電力電子器件至關(guān)重要，為下游應(yīng)用提供了更厚的有源層支撐。
圖片來源：天成半導(dǎo)體
科友半導(dǎo)體在2025年9月初成功制備出12英寸SiC晶錠后，于10月中旬再傳捷報(bào)，成功制備12英寸半絕緣碳化硅單晶，實(shí)現(xiàn)了雙路線的重大跨越。
圖片來源：科友半導(dǎo)體
環(huán)球晶（GlobalWafers） 2025年11月4日宣布，其12英寸SiC晶圓原型開發(fā)成功，并已正式進(jìn)入客戶送樣與驗(yàn)證階段。同時，其方形SiC晶圓技術(shù)也取得了突破性進(jìn)展，為提升芯片切割利用率提供了創(chuàng)新性的解決方案。
圖片來源：環(huán)球晶官網(wǎng)新聞稿截圖
3、外延打通器件應(yīng)用關(guān)鍵鏈路
襯底之后，外延是決定器件性能的“最后一公里”。
瀚天天成于2025年12月重磅發(fā)布了全球首款12英寸SiC外延晶片技術(shù)。與此同時，晶盛機(jī)電也宣布向瀚天天成交付了12英寸單片式SiC外延設(shè)備，實(shí)現(xiàn)了“材料—設(shè)備—工藝”的完美閉環(huán)。
圖片來源：晶盛機(jī)電
目前，瀚天天成已啟動12英寸SiC外延晶片的批量供應(yīng)籌備工作。相關(guān)產(chǎn)品在關(guān)鍵性能指標(biāo)上表現(xiàn)優(yōu)異，其外延層厚度不均勻性控制在3%以內(nèi)，摻雜濃度不均勻性≤8%，2mm×2mm芯片良率大于96%，可充分滿足下游功率器件領(lǐng)域的高可靠性應(yīng)用需求。
4、SiC設(shè)備反向賦能材料創(chuàng)新
設(shè)備是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的“工業(yè)母機(jī)”，2025年，中國SiC設(shè)備企業(yè)集體崛起，成為12英寸突破的核心支撐力量。
晶升股份在年底壓軸登場，于2025年12月29日完成12英寸碳化硅單晶爐小批量發(fā)貨，正式交付客戶投入應(yīng)用。這一里程碑事件標(biāo)志著國產(chǎn)長晶設(shè)備已從前期的“技術(shù)驗(yàn)證”階段，正式邁入“量產(chǎn)導(dǎo)入”的實(shí)戰(zhàn)階段。
圖片來源：晶升股份
晶馳機(jī)電則成功開發(fā)出電阻法12英寸晶體生長設(shè)備，為行業(yè)主流的PVT（物理氣相傳輸法）技術(shù)提供了新的設(shè)備路徑選擇。
圖片來源：晶馳機(jī)電
山東力冠攻克了12英寸PVT電阻加熱長晶爐的技術(shù)難關(guān)，其設(shè)備在高溫、高真空環(huán)境下的溫度場與氣流場穩(wěn)定性控制能力達(dá)到新高度。
在加工設(shè)備方面，#天晶智能 在2025年4月就推出了TJ320型超高速多線切割機(jī)，該設(shè)備專為12英寸SiC晶錠切割設(shè)計(jì)，有效解決了大尺寸晶錠切割效率低下的瓶頸問題，單臺年產(chǎn)能達(dá)20萬片，可滿足500輛新能源汽車的碳化硅電驅(qū)需求。
圖片來源：天晶智能 圖為天晶智能TJ3545多線切割機(jī)
西湖儀器與晟光硅研分別在激光剝離與水導(dǎo)激光加工領(lǐng)域取得突破，前者率先實(shí)現(xiàn)12英寸襯底激光剝離，后者完成了晶錠小批量加工驗(yàn)證，為后續(xù)的薄片化、異構(gòu)集成等先進(jìn)工藝提供了關(guān)鍵的設(shè)備支撐。
圖片來源：西湖儀器
值得一提的是，晶飛半導(dǎo)體利用自研的激光剝離設(shè)備成功實(shí)現(xiàn)了12英寸晶圓的剝離，標(biāo)志著中國在“無損解理”這一高難度工藝環(huán)節(jié)實(shí)現(xiàn)了自主可控。
5、12英寸技術(shù)解鎖多元市場新空間
12英寸碳化硅技術(shù)的成熟正在打開新的市場空間。
在新能源汽車領(lǐng)域，大尺寸襯底可顯著提升功率器件的性能與可靠性，契合下游市場對高效節(jié)能的迫切需求。
AR眼鏡領(lǐng)域也成為12英寸SiC的重要增長極。SiC的高折射率可以使其以更薄的鏡片承載更大的視場角，并且一塊12英寸SiC晶圓可加工出8-9副AR眼鏡鏡片，生產(chǎn)效率呈幾何級數(shù)提升。
此外，在AI芯片先進(jìn)封裝領(lǐng)域，隨著AI模型規(guī)模的指數(shù)級增長，芯片功耗已突破極限。行業(yè)消息透露，頭部企業(yè)計(jì)劃在2027年前將CoWoS封裝中的硅中介層替換為碳化硅材料，以提升散熱效率、縮小封裝尺寸。
更值得關(guān)注的是，隨著12英寸半絕緣型襯底的突破，碳化硅在智能電網(wǎng)領(lǐng)域的應(yīng)用加速推進(jìn)，國家電網(wǎng)相關(guān)專家表示，電網(wǎng)對碳化硅器件的需求未來或?qū)⒖氨刃履茉雌囶I(lǐng)域，成為產(chǎn)業(yè)發(fā)展的新藍(lán)海。
6、結(jié)語
全球范圍內(nèi)，12英寸碳化硅領(lǐng)域仍不乏強(qiáng)有力的競爭對手，國際老牌巨頭憑借技術(shù)積淀維持著顯著的競爭優(yōu)勢。
Wolfspeed在2025年9月正式開啟200mm（8英寸）SiC材料的商業(yè)化投放，并已在2026年初成功演示了單晶12英寸SiC晶圓。#Coherent 亦在2025年12月宣布了其300mm SiC平臺的重大進(jìn)展，目標(biāo)直指AI數(shù)據(jù)中心的散熱管理。這種策略上的趨同反映出，12英寸SiC的主戰(zhàn)場已從單純的功率模塊延伸至熱管理與光電集成領(lǐng)域。
然而，中國產(chǎn)業(yè)也并非在同一條起跑線上被動追趕。我們擁有全球最活躍的新能源汽車與智能制造應(yīng)用市場，這為12英寸大尺寸產(chǎn)線提供了寶貴的嘗試空間。同時，國內(nèi)已形成的“材料-裝備-工藝”全鏈條協(xié)同創(chuàng)新機(jī)制，使得設(shè)備國產(chǎn)化與工藝改進(jìn)的響應(yīng)速度極快。
未來幾年，隨著產(chǎn)業(yè)鏈上下游的持續(xù)磨合與技術(shù)成熟度的不斷提升，國產(chǎn)12英寸SiC不僅將重塑國內(nèi)功率半導(dǎo)體格局，更將在全球高端制造版圖中占據(jù)舉足輕重的一席之地。
（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）
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]]>作為新能源汽車、AI數(shù)據(jù)中心等高端場景的核心支撐器件，第三代半導(dǎo)體憑借高耐壓、高頻率、低損耗等優(yōu)勢，已成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競爭的戰(zhàn)略高地。此次年會上，三家企業(yè)均強(qiáng)調(diào)，將持續(xù)加大第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的投入，通過產(chǎn)能擴(kuò)張、技術(shù)優(yōu)化與生態(tài)構(gòu)建，推動SiC/GaN器件的規(guī)?；瘧?yīng)用與成本下降，助力下游產(chǎn)業(yè)綠色低碳轉(zhuǎn)型。
英飛凌：虛擬工廠戰(zhàn)略賦能產(chǎn)能爬坡，SiC/GaN協(xié)同布局高端市場
英飛凌功率與傳感系統(tǒng)事業(yè)部高管在12月10日的發(fā)言中明確表示，公司SiC產(chǎn)能正按計(jì)劃持續(xù)爬坡，目標(biāo)是2026年將SiC模塊在新能源汽車主驅(qū)的滲透率進(jìn)一步提升。依托新一代CoolSiC?器件的技術(shù)優(yōu)勢，通過優(yōu)化能量與電荷指標(biāo)，可有效幫助客戶降低系統(tǒng)能耗與成本。據(jù)介紹，英飛凌最新推出的CoolSiC? MOSFET G2系列產(chǎn)品，導(dǎo)通損耗較前代產(chǎn)品降低15%，且具備更高的可靠性，已廣泛適配新能源汽車主驅(qū)、光伏逆變器等核心場景。
在GaN領(lǐng)域，英飛凌將快充與數(shù)據(jù)中心電源作為規(guī)模化應(yīng)用的重點(diǎn)方向，通過封裝與熱管理方案迭代，加速GaN與硅基方案的成本平價。值得關(guān)注的是，其300mm GaN晶圓工藝已進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段，預(yù)計(jì)2025年第四季度向客戶交付樣品，將有效支撐AI電源與車載OBC的快速擴(kuò)產(chǎn)需求。
為保障產(chǎn)能協(xié)同與交付效率，英飛凌正推進(jìn)“One Virtual Fab（虛擬工廠）”戰(zhàn)略，打通奧地利菲拉赫與馬來西亞居林的產(chǎn)能，通過數(shù)字技術(shù)實(shí)現(xiàn)不同基地的技術(shù)、流程協(xié)同優(yōu)化。其中，投資50億歐元的居林第三工廠擴(kuò)建項(xiàng)目重點(diǎn)聚焦8英寸GaN和SiC晶圓生產(chǎn)，將進(jìn)一步強(qiáng)化其在“硅+碳化硅+氮化鎵”領(lǐng)域的全能競爭優(yōu)勢。
意法半導(dǎo)體：錨定200mm SiC產(chǎn)能擴(kuò)張，強(qiáng)化本土化供應(yīng)鏈布局
意法半導(dǎo)體總裁兼CFO Lorenzo Grandi在12月11日的發(fā)言中指出，公司正全力推進(jìn)200mm SiC產(chǎn)能擴(kuò)張，這是降低SiC器件成本、滿足新能源汽車與光伏逆變器需求增長的核心路徑。公司目標(biāo)通過規(guī)?；圃炫c封裝優(yōu)化，持續(xù)提升SiC在主驅(qū)逆變器等核心場景的性價比競爭力。
據(jù)悉，意法半導(dǎo)體位于意大利阿格拉泰的300mm工廠將成為智能電源旗艦基地，2025—2027年投資重心將集中于SiC制造與封裝能力的階梯式擴(kuò)產(chǎn)，以確保供應(yīng)鏈韌性與交付確定性。
在GaN領(lǐng)域，意法半導(dǎo)體計(jì)劃復(fù)制SiC在汽車市場的成功路徑，依托與英諾賽科的8英寸GaN晶圓合作及法國圖爾的8英寸產(chǎn)線，加速GaN在快充、服務(wù)器電源的規(guī)?；涞亍?/p>
此外，意法半導(dǎo)體與英飛凌在重慶的合資工廠預(yù)計(jì)于2025年三季度量產(chǎn)8英寸SiC和GaN器件，精準(zhǔn)卡位中國電動汽車市場，形成“歐洲設(shè)計(jì)+中國制造”的產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟格局。
安森美：綁定車企長單保障增長，以EliteSiC生態(tài)構(gòu)建全鏈優(yōu)勢
安森美汽車方案事業(yè)部負(fù)責(zé)人在12月11日的發(fā)言中披露，公司正推進(jìn)SiC襯底與器件端的全面擴(kuò)產(chǎn)，并已與頭部車企簽訂長期供貨協(xié)議（LTSA），2025年SiC器件營收占比目標(biāo)提升至12%—15%，這一增長主要來自800V平臺主驅(qū)與車載高壓系統(tǒng)的需求拉動。
技術(shù)層面，安森美基于M3e EliteSiC?技術(shù)的最新功率模塊可實(shí)現(xiàn)低于4nH的雜散電感，配合技術(shù)優(yōu)化實(shí)現(xiàn)1.4mΩ的內(nèi)阻，導(dǎo)通損耗較前幾代產(chǎn)品降低30%，關(guān)斷損耗最多可降低50%，性能優(yōu)勢顯著。
圖片來源：意法半導(dǎo)體
在GaN領(lǐng)域，公司正加速車載OBC與數(shù)據(jù)中心電源應(yīng)用的落地，結(jié)合垂直GaN（vGaN）技術(shù)與封裝優(yōu)勢，提供700V/1200V高壓器件樣品，有效解決高頻開關(guān)與能效瓶頸。
安森美強(qiáng)調(diào)，SiC與GaN的產(chǎn)能規(guī)劃將與EliteSiC生態(tài)系統(tǒng)深度綁定，通過IDM模式保障從襯底到器件的全鏈可控，實(shí)現(xiàn)高可靠交付與成本優(yōu)化的同步推進(jìn)。
結(jié)語
行業(yè)分析指出，此次三家半導(dǎo)體巨頭在巴克萊全球科技年會上的集中發(fā)聲，不僅展現(xiàn)了第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)加速發(fā)展的明確趨勢，也反映出全球產(chǎn)業(yè)鏈對高端功率器件需求的持續(xù)升溫。
隨著產(chǎn)能擴(kuò)張與技術(shù)迭代的推進(jìn)，SiC/GaN器件成本將逐步下降，滲透率有望在新能源汽車、AI數(shù)據(jù)中心、光伏儲能等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)大幅提升，為全球新能源產(chǎn)業(yè)與數(shù)字經(jīng)濟(jì)發(fā)展提供核心支撐。
（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）
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一、戰(zhàn)略收縮：巨頭的理性“止損”與資產(chǎn)優(yōu)化
2025年下半年，兩大行業(yè)巨頭的動作揭示了資本對射頻氮化鎵市場的重新定價。
1、恩智浦：5G夢醒后的決斷
近期，隨著分析機(jī)構(gòu)EJL Wireless Research在Linkedin上的一則爆料，#恩智浦 正式確認(rèn)將關(guān)閉其位于美國亞利桑那州錢德勒（Chandler）的“Echo”晶圓廠，該廠定于2027年第一季度生產(chǎn)最后一批晶圓后謝幕。
“Echo”晶圓廠并非泛泛之輩，它是恩智浦于2020年9月高調(diào)投產(chǎn)的旗艦項(xiàng)目。彼時，恩智浦半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理保羅·哈特（Paul Hart）曾對其寄予厚望，豪言該廠將于當(dāng)年底達(dá)到滿負(fù)荷生產(chǎn)。為此，恩智浦在2018至2020年間投入約1億美元（超7億人民幣），專門打造6英寸GaN-on-SiC產(chǎn)線，意圖主宰5G基站射頻功率放大器（PA）市場。
然而，僅僅運(yùn)行不到五年，該工廠便黯然落幕。財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)揭示了背后的無奈：2024年，恩智浦“通信基礎(chǔ)設(shè)施及其他”業(yè)務(wù)收入下滑近20%，不足17億美元；進(jìn)入2025年，前九個月收入同比進(jìn)一步暴跌25%，僅余9.62億美元。
嚴(yán)酷的現(xiàn)實(shí)表明，在復(fù)蘇前景黯淡的射頻市場空耗現(xiàn)金流已不合時宜。恩智浦選擇向“Fab-Lite”（輕晶圓廠）模式轉(zhuǎn)型，關(guān)閉老舊產(chǎn)線，將資源聚焦于核心的汽車電子與工業(yè)控制，或通過參與德國ESMC等合資項(xiàng)目獲取更具成本優(yōu)勢的300mm產(chǎn)能。
2、臺積電：AI浪潮下的“戰(zhàn)略性斷舍離”
作為晶圓代工霸主，#臺積電 在2025年7月做出逐步退出GaN代工業(yè)務(wù)的決定，同樣震動了業(yè)界。臺積電明確表示，將在2027年中前完全停止GaN代工服務(wù)，并將原本負(fù)責(zé)該業(yè)務(wù)的新竹Fab 5廠逐步轉(zhuǎn)型為先進(jìn)封裝（CoWoS）產(chǎn)能。
這一決策背后是極致的資源博弈。在AI芯片需求井噴的當(dāng)下，先進(jìn)制程與封裝產(chǎn)能“寸土寸金”。雖然GaN業(yè)務(wù)穩(wěn)步增長，但其基于6英寸晶圓的營收貢獻(xiàn)與利潤率，遠(yuǎn)無法與服務(wù)于英偉達(dá)（NVIDIA）等客戶的12英寸AI產(chǎn)線相提并論。臺積電的退出，實(shí)質(zhì)上是先進(jìn)邏輯制程對特色功率工藝的一次資源擠出。
此舉迫使供應(yīng)鏈迅速重構(gòu)：格芯（GlobalFoundries）借機(jī)承接了溢出的商業(yè)與國防訂單，利用美國《芯片與科學(xué)法案》資金強(qiáng)化本土制造；而力積電則利用其在存儲制造中的成本控制經(jīng)驗(yàn)，開發(fā)基于180nm節(jié)點(diǎn)的200mm GaN-on-Si工藝，成為了Fabless（無晶圓設(shè)計(jì)）廠商新的避風(fēng)港。
二、陣痛與洗牌：Fabless模式邁入調(diào)整期
臺積電的離場，將高度依賴代工服務(wù)的Fabless廠商推向了風(fēng)口浪尖，其中納微半導(dǎo)體（Navitas）的遭遇尤為典型。
受臺積電業(yè)務(wù)調(diào)整影響，納微被迫在2025年宣布將其主要晶圓代工方轉(zhuǎn)移至力積電。在半導(dǎo)體行業(yè)，更換晶圓廠風(fēng)險(xiǎn)大、耗時長，涉及長達(dá)12-24個月的重新認(rèn)證周期與良率爬坡風(fēng)險(xiǎn)，期間極易被競爭對手搶占市場份額。
供應(yīng)鏈危機(jī)疊加業(yè)績壓力，引發(fā)了納微管理層的劇烈動蕩。聯(lián)合創(chuàng)始人兼CEO Gene Sheridan于2025年8月卸任，CTO Dan Kinzer也辭去高管職務(wù)。創(chuàng)始團(tuán)隊(duì)的集體淡出，標(biāo)志著納微“創(chuàng)業(yè)講故事”時代的終結(jié)，公司被迫進(jìn)入由職業(yè)經(jīng)理人主導(dǎo)的“止血求生”階段。
與此同時，美國獨(dú)立IDM陣營在2024-2025年間也經(jīng)歷了劇烈整合。Wolfspeed為了全力押注碳化硅（SiC），以1.25億美元的“白菜價”將射頻GaN業(yè)務(wù)剝離給MACOM，以支撐其莫霍克谷工廠的巨額開支；曾被視為技術(shù)標(biāo)桿的Transphorm則被日本瑞薩電子收購，標(biāo)志著美國本土又失去了一家獨(dú)立的GaN技術(shù)持有者。
三、西線反擊：歐美IDM巨頭的差異化進(jìn)擊
與代工業(yè)務(wù)的收縮相反，擁有垂直整合能力（IDM）的歐美巨頭正在通過差異化路線瘋狂擴(kuò)張。
1、MACOM：吃下CHIPS法案紅利的軍工巨鱷
MACOM走了一條“去商業(yè)化”的軍工高端路線。在收購Wolfspeed射頻業(yè)務(wù)后，MACOM于今年1月宣布了高達(dá)3.45億美元的五年投資計(jì)劃，借助CHIPS法案資金，對其馬薩諸塞州和北卡羅來納州的工廠進(jìn)行現(xiàn)代化改造，核心是將產(chǎn)線升級為6英寸GaN-on-SiC。
2、德州儀器（TI）：95%自造率的成本碾壓
模擬芯片之王TI則試圖用“硅的邏輯”重塑GaN市場。2024年底，TI在日本會津工廠量產(chǎn)GaN器件，產(chǎn)能瞬間翻了兩番。更具威懾力的是，TI正在達(dá)拉斯總部利用12英寸產(chǎn)線進(jìn)行GaN試點(diǎn)。一旦導(dǎo)入成功，其成本將呈指數(shù)級下降。TI明確提出2030年實(shí)現(xiàn)95%芯片內(nèi)部制造的目標(biāo)，意圖通過超大規(guī)模制造壓低邊際成本，從而占領(lǐng)更大份額市場。
3、英飛凌（Infineon）：打造虛擬超級工廠
德國巨頭#英飛凌 正在執(zhí)行“One Virtual Fab（虛擬工廠）”戰(zhàn)略，打通奧地利菲拉赫與馬來西亞居林的產(chǎn)能。One Virtual Fab是一種先進(jìn)的制造模式，旨在通過數(shù)字技術(shù)將不同地理位置的生產(chǎn)基地緊密連接，實(shí)現(xiàn)技術(shù)、流程和產(chǎn)能的協(xié)同優(yōu)化，以提升效率和快速響應(yīng)市場需求。
2025年，投資高達(dá)50億歐元的居林第三工廠啟動擴(kuò)建，重點(diǎn)生產(chǎn)8英寸GaN和SiC晶圓。英飛凌正試圖確立“硅+碳化硅+氮化鎵”的全能霸權(quán)，在AI數(shù)據(jù)中心急需的鈦金級電源市場構(gòu)筑防線。
四、東線崛起：中國力量的全產(chǎn)業(yè)鏈突圍
在中國市場，一條從設(shè)計(jì)到制造的全產(chǎn)業(yè)鏈正在快速發(fā)展，并展現(xiàn)出強(qiáng)大的市場穿透力。
1、英諾賽科：產(chǎn)能怪獸的資本首秀
作為全球最大的8英寸硅基氮化鎵IDM廠商，#英諾賽科 被視為逼退臺積電消費(fèi)級業(yè)務(wù)的重要推手。2024年底至2025年初，英諾賽科成功登陸港股，募資約14億港元。其招股書披露的計(jì)劃顯示，產(chǎn)能將從2024年的1.25萬片/月狂飆至2029年的7萬片/月。
基石投資者意法半導(dǎo)體（ST）的出現(xiàn)，更暗示了“歐洲設(shè)計(jì)+中國制造”的新聯(lián)盟可能。2025年上半年，英諾賽科營收大漲43%并首次實(shí)現(xiàn)毛利轉(zhuǎn)正，證明了其IDM模式在成本控制上的成功。然而，由于持續(xù)的高額研發(fā)投入和產(chǎn)線折舊，公司在凈利潤層面仍處于虧損狀態(tài)，這在IDM企業(yè)的擴(kuò)張初期屬于典型特征。
2、三安集成與芯聯(lián)集成：車規(guī)與射頻的雙輪驅(qū)動
三安集成在射頻與功率領(lǐng)域雙線并進(jìn)。其與意法半導(dǎo)體在重慶的合資工廠預(yù)計(jì)于2025年三季度量產(chǎn)8英寸SiC和GaN器件，精準(zhǔn)卡位中國電動汽車市場。同時，其射頻GaN業(yè)務(wù)在5G-A基站和低軌衛(wèi)星領(lǐng)域保持了穩(wěn)定的現(xiàn)金流。
前身為中芯集成的#芯聯(lián)集成，則利用IGBT和SiC的車規(guī)經(jīng)驗(yàn)，將“零缺陷”管理引入GaN制造，并提供“系統(tǒng)代工”服務(wù)。其車規(guī)功率模塊收入在2024年實(shí)現(xiàn)翻倍增長，成功實(shí)現(xiàn)EBITDA轉(zhuǎn)正，成為汽車Tier 1廠商的重要合作伙伴。
此外，潤新微憑借D-Mode技術(shù)實(shí)現(xiàn)差異化發(fā)展，新微半導(dǎo)體在硅光與射頻SOI領(lǐng)域進(jìn)行工藝孵化，氮矽科技在驅(qū)動芯片設(shè)計(jì)上取得突破，他們共同構(gòu)成了中國GaN產(chǎn)業(yè)豐富而堅(jiān)韌的生態(tài)底色。
五、結(jié)語：產(chǎn)業(yè)邏輯的深刻嬗變
縱觀2025年的產(chǎn)業(yè)全景，我們可以提煉出驅(qū)動市場變革的三大底層邏輯。
首先，射頻與功率徹底分道揚(yáng)鑣。NXP和Wolfspeed退出的皆是射頻GaN，而英飛凌、TI與英諾賽科爭奪的則是功率GaN。前者回歸軍工與特種應(yīng)用，后者則在AI與汽車?yán)顺敝杏瓉肀l(fā)。
其次，IDM模式加冕，F(xiàn)abless日漸式微。臺積電的退出與納微的危機(jī)證明，在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，器件性能高度依賴材料與工藝的耦合。無法掌控生產(chǎn)流程的Fabless模式，在成本與良率上難以與IDM抗衡。
最后，供應(yīng)鏈邏輯正在深刻重構(gòu)。在追求自主可控與供應(yīng)穩(wěn)定的趨勢下，氮化鎵產(chǎn)業(yè)正從單一的市場競爭，轉(zhuǎn)向以區(qū)域化布局為特征的深度深耕。
（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）
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]]>該平臺核心是300毫米導(dǎo)電型碳化硅襯底，該襯底有著低電阻率、低缺陷密度和高均質(zhì)性的特點(diǎn)，能有效降低器件能耗、提升開關(guān)頻率與熱管理性能。
除了解決AI數(shù)據(jù)中心熱效率不足的痛點(diǎn)外，Coherent還計(jì)劃推動該技術(shù)規(guī)?；慨a(chǎn)，同時拓展其在AR/VR設(shè)備以及電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用。比如用該技術(shù)制造更薄更高效的AR智能眼鏡與VR頭顯波導(dǎo)器件，也能在電力電子領(lǐng)域通過大尺寸晶圓特性降低單芯片成本。
資料顯示，Coherent成立于1971年，其業(yè)務(wù)覆蓋激光技術(shù)、光電子器件等多個核心領(lǐng)域。2022年7月，Coherent被II-VI公司以約70億美元收購，合并后沿用“Coherent”作為新公司名稱。此次整合實(shí)現(xiàn)了技術(shù)互補(bǔ)——原II-VI在砷化鎵、磷化銦、碳化硅等光電子材料和光器件領(lǐng)域的優(yōu)勢，與原Coherent的激光系統(tǒng)技術(shù)相結(jié)合，讓新公司具備了從材料到終端產(chǎn)品的全產(chǎn)業(yè)鏈控制能力。
Coherent高級副總裁兼總經(jīng)理GaryRuland表示：“人工智能正在改變數(shù)據(jù)中心的熱管理格局，碳化硅正成為實(shí)現(xiàn)這種可擴(kuò)展性的基礎(chǔ)材料之一?！薄拔覀兊?00毫米平臺計(jì)劃大規(guī)模生產(chǎn)，帶來新的熱效率水平，直接轉(zhuǎn)化為更快、更節(jié)能的AI數(shù)據(jù)中心?！?/p>
此前7月，Coherent位于越南的SiC工廠正式落成。該工廠耗資1.27億美元（約合人民幣9.12億元），將生產(chǎn)碳化硅半導(dǎo)體、光學(xué)玻璃和先進(jìn)光學(xué)器件。新工廠將對Coherent布局碳化硅及光學(xué)產(chǎn)品的產(chǎn)能發(fā)揮關(guān)鍵作用。
（文/集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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]]>TrendForce集邦咨詢預(yù)估，2026年將是人形機(jī)器人邁向商用化的關(guān)鍵年，全球出貨量可望突破5萬臺，年增逾700%。在國際機(jī)器人大會(iREX 2025) 上，Kawasaki Heavy Industries發(fā)表最新人形整機(jī)Kaleido 9，可搬30公斤貨架、學(xué)習(xí)使用清掃工具，并支援虛擬頭戴裝置遠(yuǎn)端操控，主攻災(zāi)害現(xiàn)場。Harmonic Drive針對人形機(jī)器人各部位提出減速機(jī)最佳化配置，如頸部、手臂著眼扁平高扭矩，以兼顧輸出與空間利用，手指則導(dǎo)入超小型系列產(chǎn)品，精進(jìn)抓取能力。
盡管iREX 2025以人形機(jī)器人為宣傳亮點(diǎn)，據(jù)TrendForce集邦咨詢現(xiàn)場觀察，各項(xiàng)展示仍以工業(yè)機(jī)器手臂、協(xié)作機(jī)器人為大宗，顯示日本機(jī)器人產(chǎn)業(yè)即便掌握高整合感測減速機(jī)、精密關(guān)節(jié)，以及先進(jìn)控制平臺等人形關(guān)鍵技術(shù)，現(xiàn)階段仍優(yōu)先用于需求成熟、導(dǎo)入流程明確，以及投資報(bào)酬率可計(jì)算的工業(yè)場景。
然而，日本長期照顧人力缺口擴(kuò)大，且照護(hù)設(shè)施密度高，降低照護(hù)人員負(fù)荷并提升照顧品質(zhì)成為當(dāng)務(wù)之急，因此，預(yù)期照護(hù)將成為日本對人形機(jī)器人需求最強(qiáng)的場域，Kawasaki的Nyokkey、Fourier的GR-3皆以此為設(shè)計(jì)重點(diǎn)。
相形之下，目前美系人形機(jī)器人產(chǎn)業(yè)已由“技術(shù)展示”走向“實(shí)務(wù)驗(yàn)證”，核心競爭點(diǎn)從單純的運(yùn)動能力轉(zhuǎn)移至系統(tǒng)整合、場景落地。Tesla（特斯拉）、Boston Dynamics（波士頓動力）與Agility Robotics（敏捷機(jī)器人）等整機(jī)廠商，將重心放在機(jī)器人長時間運(yùn)作的穩(wěn)定性、能源效率與AI模型的即時推理能力。TrendForce集邦咨詢預(yù)期，2026年將成為“場景切入”的分水嶺，美系業(yè)者能否在制造、物流乃至居家服務(wù)找到可持續(xù)的應(yīng)用模式，將成為產(chǎn)品由研發(fā)走向大規(guī)模商業(yè)部署的關(guān)鍵。
中國人形機(jī)器人產(chǎn)業(yè)則呈現(xiàn)“場景多元”、“價格分層”特征，Unitree（宇樹科技）與AgiBot（智元機(jī)器人）等廠商持續(xù)以低價產(chǎn)品推動大規(guī)模試點(diǎn)，試圖打造消費(fèi)級市場基礎(chǔ)；Fourier（傅利葉）鎖定康養(yǎng)、陪伴應(yīng)用，以情感交互與醫(yī)療經(jīng)驗(yàn)構(gòu)筑差異化；UBTECH（優(yōu)必選）憑借龐大資本，深入汽車制造場景。TrendForce集邦咨詢分析，中國人形機(jī)器人2026年關(guān)鍵在于如何平衡“低價普及化”與“高階差異化”兩條路徑，并逐步累積能支撐長期競爭的數(shù)據(jù)與應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)。
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]]>TrendForce集邦咨詢指出，由于800G以上的高速光收發(fā)模塊的龐大需求，已在供應(yīng)鏈最上游激光光源造成嚴(yán)重供給瓶頸。特別是Nvidia（英偉達(dá)）因戰(zhàn)略考量而壟斷EML激光芯片供應(yīng)商的產(chǎn)能，導(dǎo)致EML激光交期已經(jīng)排到2027年后，使得激光光源市場發(fā)生供給短缺的現(xiàn)象。各家光收發(fā)模塊廠商與終端的CSP客戶也因受限于激光光源的短缺，紛紛尋求更多的供應(yīng)商與解決方案，牽動激光產(chǎn)業(yè)格局變化。
Nvidia戰(zhàn)略性壟斷EML激光芯片
除應(yīng)用于短距離傳輸VCSEL激光外，目前中長距離的光收發(fā)模塊的激光可以分為兩種形式，EML激光與CW激光。其中EML激光因在單一芯片內(nèi)整合了信號調(diào)變功能，生產(chǎn)門檻極高且光學(xué)組件復(fù)雜，因此全球供應(yīng)商屈指可數(shù)。目前主要的供應(yīng)商包括Lumentum、Coherent（Finisar菲尼薩）、Mitsubishi（三菱）、Sumitomo（住友）、Broadcom（博通）等。
由于超大型#數(shù)據(jù)中心 出現(xiàn)，面對超長的傳輸距離，使得穿透距離更長且信號穩(wěn)定的EML激光成為了關(guān)鍵戰(zhàn)略物資，再加上Nvidia的硅光/CPO量產(chǎn)進(jìn)度緩慢，短期仍需大規(guī)模依賴可插拔式的光收發(fā)模塊來滿足GPU集群需求。因此為了確保供貨無虞，向其EML激光芯片供應(yīng)商進(jìn)行包產(chǎn)，導(dǎo)致市面上EML激光芯片供給吃緊。
CW激光，云端大廠的新寵兒與產(chǎn)能競賽
相較之下，CW（連續(xù)波）激光僅負(fù)責(zé)提供恒定光源，并搭配#半導(dǎo)體晶圓代工廠 制造的硅光子（Silicon Photonics）芯片作為外部調(diào)變器，才能將電信號轉(zhuǎn)換為光信號進(jìn)行傳輸。因此不需在激光芯片上整合調(diào)變功能，芯片結(jié)構(gòu)較單純，這也是在EML激光短缺之際，采用硅光子技術(shù)的CW激光方案成為各大CSP廠積極轉(zhuǎn)進(jìn)替代首選原因。
盡管CW激光的投入生產(chǎn)廠商相對較多，供貨吃緊程度不如EML激光。然而，面對龐大的AI高速傳輸需求，CW激光的產(chǎn)能擴(kuò)充幅度也受限于生產(chǎn)設(shè)備的交期而無法快速放大，因此短期內(nèi)也難以滿足龐大的客戶需求。為了滿足客戶的信賴性要求，后段的芯片切割與測試制程也會耗用相當(dāng)多的人力與相關(guān)資源，因此目前許多激光廠商自制最關(guān)鍵的磊晶之外，也選擇性的將后段的激光芯片切割與老化測試制程外包給其他的相關(guān)激光廠商，促使相關(guān)的激光供應(yīng)鏈產(chǎn)能逐漸吃緊，也紛紛展開擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃。
高速PD需求同步飆升，磊晶廠迎來外溢商機(jī)
至于光收發(fā)模塊當(dāng)中，除了發(fā)射端的激光光源之外，同時也需要光二極管（PhotoDiode, PD）作為光接收元件。為了要搭配更高速的激光光源傳輸速度，目前各家PD廠商也紛紛投入開發(fā)可以接收200G傳輸信號的高速PD，包括Coherent, Macom, Broadcom,Lumentum等廠商也推出了200G的高速PD。
由于高速PD和EML與CW激光一樣，皆采用INP(磷化銦) 基板再進(jìn)行磊晶。在激光光源短缺的情況下，激光廠商傾向?qū)⒍鄶?shù)磊晶產(chǎn)能配置于生產(chǎn)激光光源，同時通過外包的方式將INP磊晶交由iET-英特磊、全新等專業(yè)磊晶代工廠商協(xié)助生產(chǎn)。
TrendForce集邦咨詢認(rèn)為，在AI龐大的需求推動下，除了存儲器的嚴(yán)重短缺之外，高速傳輸也同樣帶動了上游激光產(chǎn)業(yè)的供給吃緊。特別是Nvidia的EML激光的壟斷策略雖然保障了自身的出貨安全，卻也意外加速了非Nvidia陣營對CW激光與硅光子技術(shù)的采用速度。同時，這場產(chǎn)能爭奪戰(zhàn)正在重塑供應(yīng)鏈分工，為具備高階化合物半導(dǎo)體磊晶與制程能力的相關(guān)供應(yīng)鏈帶來顯著的成長動能。
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