《規(guī)劃》明確將氧化鎵、金剛石、碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導體材料列為新一代半導體領(lǐng)域重點發(fā)展方向，與3-7nm晶圓制程突破、先進半導體設(shè)備研發(fā)等任務(wù)協(xié)同推進，旨在構(gòu)建具有全球競爭力的半導體產(chǎn)業(yè)生態(tài)，為建設(shè)全球先進制造業(yè)基地提供核心支撐。
《規(guī)劃》提出，到2030年浙江省集成電路產(chǎn)業(yè)營收目標將達4500億元，而氧化鎵、金剛石等第四代半導體與碳化硅、氮化鎵第三代半導體的協(xié)同發(fā)展，將成為實現(xiàn)這一目標的重要增長極。
寬禁帶半導體材料憑借獨特性能構(gòu)建起差異化競爭優(yōu)勢。其中，碳化硅與氮化鎵作為第三代半導體的核心品類，已在新能源汽車、光伏儲能等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)規(guī)模化應(yīng)用突破；氧化鎵、金剛石則作為第四代超寬禁帶半導體代表，具備更高擊穿場強、更優(yōu)熱導率等特性，在特高壓輸電、高端芯片散熱等高端場景擁有廣闊前景。
目前，浙江已集聚士蘭微電子、晶盛機電、鎵仁半導體等一批領(lǐng)先企業(yè)。在碳化硅領(lǐng)域，士蘭微電子投資120億元建設(shè)的8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線于2026年1月正式通線，達產(chǎn)后將形成年產(chǎn)72萬片芯片的產(chǎn)能，為新能源汽車等領(lǐng)域提供核心器件保障。
（集邦化合物半導體整理）
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]]>如果說此前十年，行業(yè)關(guān)注的焦點是如何從4英寸跨越到6英寸，以及解決8英寸襯底的良率瓶頸，那么2025年的主旋律則是“向下兼容硅基工藝生態(tài)”與“向上突破物理生長極限”。
隨著全球首款12英寸（300mm）SiC外延晶片的技術(shù)首發(fā)，以及長晶爐、切割設(shè)備、研磨拋光中試線的全面通線，一個由大尺寸驅(qū)動的成本革命正席回全球功率電子與光電產(chǎn)業(yè)鏈。
1、12英寸碳化硅為何成為“兵家必爭之地”？
在半導體產(chǎn)業(yè)，尺寸即效率，尺寸即成本，尺寸即戰(zhàn)略制高點。從6英寸向8英寸、12英寸演進，是摩爾定律在功率器件領(lǐng)域的“另類延續(xù)”。據(jù)行業(yè)測算，相較8英寸產(chǎn)線，12英寸碳化硅襯底可在單位晶圓上提升約2.25倍的有效芯片數(shù)量，同時顯著降低單位芯片制造成本（CoO），并提升制造一致性與良率窗口。
更重要的是，12英寸平臺與主流硅基CMOS產(chǎn)線實現(xiàn)設(shè)備兼容（如光刻機、刻蝕機、清洗機等），為SiC器件的“IDM+代工”融合模式打開通路，是實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)與國產(chǎn)替代的關(guān)鍵前提。
2025年，全球碳化硅產(chǎn)業(yè)正式進入“12英寸技術(shù)驗證與客戶送樣”關(guān)鍵年。而中國在12英寸碳化硅領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了從“點狀突破”到“鏈式協(xié)同”的躍遷，形成了以襯底—外延—設(shè)備—工藝為核心的完整技術(shù)生態(tài)。
圖片來源：集邦化合物半導體制圖
2、襯底環(huán)節(jié)多元突破，技術(shù)迭代加速推進
在襯底領(lǐng)域，國內(nèi)企業(yè)呈現(xiàn)出百花齊放的態(tài)勢，多家廠商圍繞晶體質(zhì)量提升、缺陷密度降低及成本控制展開差異化布局，推動國產(chǎn)襯底在性能與供給能力上的持續(xù)改善。
晶盛機電于2025年5月12日宣布，其子公司浙江晶瑞SuperSiC成功實現(xiàn)12英寸導電型碳化硅（SiC）單晶生長，首顆晶體直徑達309mm且質(zhì)量完好，標志著中國在大尺寸晶體生長領(lǐng)域邁出關(guān)鍵一步。
圖片來源：浙江晶瑞SuperSiC 圖為首顆12英寸導電型碳化硅（SiC）單晶
緊隨其后，浙江晶越半導體于2025年7月23日宣布研制出高品質(zhì)12英寸SiC晶錠，2025年上半年以來，晶越半導體在熱場設(shè)計、籽晶粘接、厚度提升以及缺陷控制方面不斷調(diào)整和優(yōu)化工藝，成功進入12英寸SiC襯底梯隊。
圖片來源：浙江晶越半導體有限公司
合盛硅業(yè)旗下寧波合盛新材料也同步推進，在2025年年內(nèi)成功研發(fā)出12英寸導電型SiC單晶，并同步啟動了針對大尺寸晶體的切割、研磨、拋光等后道工藝的系統(tǒng)性研究，體現(xiàn)了其“材料+工藝”一體化的深度布局思路。
圖片來源：合盛硅業(yè) 左圖為12英寸晶片，右圖為12英寸晶錠
南砂晶圓則在2025年5月的行業(yè)大會上公開亮相了其12英寸導電型SiC襯底產(chǎn)品，成為國內(nèi)首家實現(xiàn)大尺寸襯底“實物化”并公開亮相的企業(yè)，引發(fā)了業(yè)界的廣泛關(guān)注。
2025年3月，天岳先進更是攜全系列12英寸碳化硅襯底產(chǎn)品亮相上海，包括12英寸高純半絕緣型碳化硅襯底、12英寸導電P型及12英寸導電N型碳化硅襯底，展現(xiàn)了其全面的技術(shù)儲備和全品類供應(yīng)能力。
圖片來源：山東天岳先進科技股份有限公司
2025年10月，天成半導體依托自主研發(fā)的12英寸碳化硅長晶設(shè)備成功研制出12英寸高純半絕緣碳化硅單晶材料，12英寸N型碳化硅單晶材料晶體有效厚度突破35mm厚。這一指標對于制造高耐壓、大功率的電力電子器件至關(guān)重要，為下游應(yīng)用提供了更厚的有源層支撐。
圖片來源：天成半導體
科友半導體在2025年9月初成功制備出12英寸SiC晶錠后，于10月中旬再傳捷報，成功制備12英寸半絕緣碳化硅單晶，實現(xiàn)了雙路線的重大跨越。
圖片來源：科友半導體
環(huán)球晶（GlobalWafers） 2025年11月4日宣布，其12英寸SiC晶圓原型開發(fā)成功，并已正式進入客戶送樣與驗證階段。同時，其方形SiC晶圓技術(shù)也取得了突破性進展，為提升芯片切割利用率提供了創(chuàng)新性的解決方案。
圖片來源：環(huán)球晶官網(wǎng)新聞稿截圖
3、外延打通器件應(yīng)用關(guān)鍵鏈路
襯底之后，外延是決定器件性能的“最后一公里”。
瀚天天成于2025年12月重磅發(fā)布了全球首款12英寸SiC外延晶片技術(shù)。與此同時，晶盛機電也宣布向瀚天天成交付了12英寸單片式SiC外延設(shè)備，實現(xiàn)了“材料—設(shè)備—工藝”的完美閉環(huán)。
圖片來源：晶盛機電
目前，瀚天天成已啟動12英寸SiC外延晶片的批量供應(yīng)籌備工作。相關(guān)產(chǎn)品在關(guān)鍵性能指標上表現(xiàn)優(yōu)異，其外延層厚度不均勻性控制在3%以內(nèi)，摻雜濃度不均勻性≤8%，2mm×2mm芯片良率大于96%，可充分滿足下游功率器件領(lǐng)域的高可靠性應(yīng)用需求。
4、SiC設(shè)備反向賦能材料創(chuàng)新
設(shè)備是半導體產(chǎn)業(yè)的“工業(yè)母機”，2025年，中國SiC設(shè)備企業(yè)集體崛起，成為12英寸突破的核心支撐力量。
晶升股份在年底壓軸登場，于2025年12月29日完成12英寸碳化硅單晶爐小批量發(fā)貨，正式交付客戶投入應(yīng)用。這一里程碑事件標志著國產(chǎn)長晶設(shè)備已從前期的“技術(shù)驗證”階段，正式邁入“量產(chǎn)導入”的實戰(zhàn)階段。
圖片來源：晶升股份
晶馳機電則成功開發(fā)出電阻法12英寸晶體生長設(shè)備，為行業(yè)主流的PVT（物理氣相傳輸法）技術(shù)提供了新的設(shè)備路徑選擇。
圖片來源：晶馳機電
山東力冠攻克了12英寸PVT電阻加熱長晶爐的技術(shù)難關(guān)，其設(shè)備在高溫、高真空環(huán)境下的溫度場與氣流場穩(wěn)定性控制能力達到新高度。
在加工設(shè)備方面，#天晶智能 在2025年4月就推出了TJ320型超高速多線切割機，該設(shè)備專為12英寸SiC晶錠切割設(shè)計，有效解決了大尺寸晶錠切割效率低下的瓶頸問題，單臺年產(chǎn)能達20萬片，可滿足500輛新能源汽車的碳化硅電驅(qū)需求。
圖片來源：天晶智能 圖為天晶智能TJ3545多線切割機
西湖儀器與晟光硅研分別在激光剝離與水導激光加工領(lǐng)域取得突破，前者率先實現(xiàn)12英寸襯底激光剝離，后者完成了晶錠小批量加工驗證，為后續(xù)的薄片化、異構(gòu)集成等先進工藝提供了關(guān)鍵的設(shè)備支撐。
圖片來源：西湖儀器
值得一提的是，晶飛半導體利用自研的激光剝離設(shè)備成功實現(xiàn)了12英寸晶圓的剝離，標志著中國在“無損解理”這一高難度工藝環(huán)節(jié)實現(xiàn)了自主可控。
5、12英寸技術(shù)解鎖多元市場新空間
12英寸碳化硅技術(shù)的成熟正在打開新的市場空間。
在新能源汽車領(lǐng)域，大尺寸襯底可顯著提升功率器件的性能與可靠性，契合下游市場對高效節(jié)能的迫切需求。
AR眼鏡領(lǐng)域也成為12英寸SiC的重要增長極。SiC的高折射率可以使其以更薄的鏡片承載更大的視場角，并且一塊12英寸SiC晶圓可加工出8-9副AR眼鏡鏡片，生產(chǎn)效率呈幾何級數(shù)提升。
此外，在AI芯片先進封裝領(lǐng)域，隨著AI模型規(guī)模的指數(shù)級增長，芯片功耗已突破極限。行業(yè)消息透露，頭部企業(yè)計劃在2027年前將CoWoS封裝中的硅中介層替換為碳化硅材料，以提升散熱效率、縮小封裝尺寸。
更值得關(guān)注的是，隨著12英寸半絕緣型襯底的突破，碳化硅在智能電網(wǎng)領(lǐng)域的應(yīng)用加速推進，國家電網(wǎng)相關(guān)專家表示，電網(wǎng)對碳化硅器件的需求未來或?qū)⒖氨刃履茉雌囶I(lǐng)域，成為產(chǎn)業(yè)發(fā)展的新藍海。
6、結(jié)語
全球范圍內(nèi)，12英寸碳化硅領(lǐng)域仍不乏強有力的競爭對手，國際老牌巨頭憑借技術(shù)積淀維持著顯著的競爭優(yōu)勢。
Wolfspeed在2025年9月正式開啟200mm（8英寸）SiC材料的商業(yè)化投放，并已在2026年初成功演示了單晶12英寸SiC晶圓。#Coherent 亦在2025年12月宣布了其300mm SiC平臺的重大進展，目標直指AI數(shù)據(jù)中心的散熱管理。這種策略上的趨同反映出，12英寸SiC的主戰(zhàn)場已從單純的功率模塊延伸至熱管理與光電集成領(lǐng)域。
然而，中國產(chǎn)業(yè)也并非在同一條起跑線上被動追趕。我們擁有全球最活躍的新能源汽車與智能制造應(yīng)用市場，這為12英寸大尺寸產(chǎn)線提供了寶貴的嘗試空間。同時，國內(nèi)已形成的“材料-裝備-工藝”全鏈條協(xié)同創(chuàng)新機制，使得設(shè)備國產(chǎn)化與工藝改進的響應(yīng)速度極快。
未來幾年，隨著產(chǎn)業(yè)鏈上下游的持續(xù)磨合與技術(shù)成熟度的不斷提升，國產(chǎn)12英寸SiC不僅將重塑國內(nèi)功率半導體格局，更將在全球高端制造版圖中占據(jù)舉足輕重的一席之地。
（集邦化合物半導體 金水 整理）
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]]>作為新能源汽車、AI數(shù)據(jù)中心等高端場景的核心支撐器件，第三代半導體憑借高耐壓、高頻率、低損耗等優(yōu)勢，已成為全球半導體產(chǎn)業(yè)競爭的戰(zhàn)略高地。此次年會上，三家企業(yè)均強調(diào)，將持續(xù)加大第三代半導體領(lǐng)域的投入，通過產(chǎn)能擴張、技術(shù)優(yōu)化與生態(tài)構(gòu)建，推動SiC/GaN器件的規(guī)?；瘧?yīng)用與成本下降，助力下游產(chǎn)業(yè)綠色低碳轉(zhuǎn)型。
英飛凌：虛擬工廠戰(zhàn)略賦能產(chǎn)能爬坡，SiC/GaN協(xié)同布局高端市場
英飛凌功率與傳感系統(tǒng)事業(yè)部高管在12月10日的發(fā)言中明確表示，公司SiC產(chǎn)能正按計劃持續(xù)爬坡，目標是2026年將SiC模塊在新能源汽車主驅(qū)的滲透率進一步提升。依托新一代CoolSiC?器件的技術(shù)優(yōu)勢，通過優(yōu)化能量與電荷指標，可有效幫助客戶降低系統(tǒng)能耗與成本。據(jù)介紹，英飛凌最新推出的CoolSiC? MOSFET G2系列產(chǎn)品，導通損耗較前代產(chǎn)品降低15%，且具備更高的可靠性，已廣泛適配新能源汽車主驅(qū)、光伏逆變器等核心場景。
在GaN領(lǐng)域，英飛凌將快充與數(shù)據(jù)中心電源作為規(guī)?；瘧?yīng)用的重點方向，通過封裝與熱管理方案迭代，加速GaN與硅基方案的成本平價。值得關(guān)注的是，其300mm GaN晶圓工藝已進入量產(chǎn)準備階段，預計2025年第四季度向客戶交付樣品，將有效支撐AI電源與車載OBC的快速擴產(chǎn)需求。
為保障產(chǎn)能協(xié)同與交付效率，英飛凌正推進“One Virtual Fab（虛擬工廠）”戰(zhàn)略，打通奧地利菲拉赫與馬來西亞居林的產(chǎn)能，通過數(shù)字技術(shù)實現(xiàn)不同基地的技術(shù)、流程協(xié)同優(yōu)化。其中，投資50億歐元的居林第三工廠擴建項目重點聚焦8英寸GaN和SiC晶圓生產(chǎn)，將進一步強化其在“硅+碳化硅+氮化鎵”領(lǐng)域的全能競爭優(yōu)勢。
意法半導體：錨定200mm SiC產(chǎn)能擴張，強化本土化供應(yīng)鏈布局
意法半導體總裁兼CFO Lorenzo Grandi在12月11日的發(fā)言中指出，公司正全力推進200mm SiC產(chǎn)能擴張，這是降低SiC器件成本、滿足新能源汽車與光伏逆變器需求增長的核心路徑。公司目標通過規(guī)模化制造與封裝優(yōu)化，持續(xù)提升SiC在主驅(qū)逆變器等核心場景的性價比競爭力。
據(jù)悉，意法半導體位于意大利阿格拉泰的300mm工廠將成為智能電源旗艦基地，2025—2027年投資重心將集中于SiC制造與封裝能力的階梯式擴產(chǎn)，以確保供應(yīng)鏈韌性與交付確定性。
在GaN領(lǐng)域，意法半導體計劃復制SiC在汽車市場的成功路徑，依托與英諾賽科的8英寸GaN晶圓合作及法國圖爾的8英寸產(chǎn)線，加速GaN在快充、服務(wù)器電源的規(guī)模化落地。
此外，意法半導體與英飛凌在重慶的合資工廠預計于2025年三季度量產(chǎn)8英寸SiC和GaN器件，精準卡位中國電動汽車市場，形成“歐洲設(shè)計+中國制造”的產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟格局。
安森美：綁定車企長單保障增長，以EliteSiC生態(tài)構(gòu)建全鏈優(yōu)勢
安森美汽車方案事業(yè)部負責人在12月11日的發(fā)言中披露，公司正推進SiC襯底與器件端的全面擴產(chǎn)，并已與頭部車企簽訂長期供貨協(xié)議（LTSA），2025年SiC器件營收占比目標提升至12%—15%，這一增長主要來自800V平臺主驅(qū)與車載高壓系統(tǒng)的需求拉動。
技術(shù)層面，安森美基于M3e EliteSiC?技術(shù)的最新功率模塊可實現(xiàn)低于4nH的雜散電感，配合技術(shù)優(yōu)化實現(xiàn)1.4mΩ的內(nèi)阻，導通損耗較前幾代產(chǎn)品降低30%，關(guān)斷損耗最多可降低50%，性能優(yōu)勢顯著。
圖片來源：意法半導體
在GaN領(lǐng)域，公司正加速車載OBC與數(shù)據(jù)中心電源應(yīng)用的落地，結(jié)合垂直GaN（vGaN）技術(shù)與封裝優(yōu)勢，提供700V/1200V高壓器件樣品，有效解決高頻開關(guān)與能效瓶頸。
安森美強調(diào)，SiC與GaN的產(chǎn)能規(guī)劃將與EliteSiC生態(tài)系統(tǒng)深度綁定，通過IDM模式保障從襯底到器件的全鏈可控，實現(xiàn)高可靠交付與成本優(yōu)化的同步推進。
結(jié)語
行業(yè)分析指出，此次三家半導體巨頭在巴克萊全球科技年會上的集中發(fā)聲，不僅展現(xiàn)了第三代半導體產(chǎn)業(yè)加速發(fā)展的明確趨勢，也反映出全球產(chǎn)業(yè)鏈對高端功率器件需求的持續(xù)升溫。
隨著產(chǎn)能擴張與技術(shù)迭代的推進，SiC/GaN器件成本將逐步下降，滲透率有望在新能源汽車、AI數(shù)據(jù)中心、光伏儲能等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)大幅提升，為全球新能源產(chǎn)業(yè)與數(shù)字經(jīng)濟發(fā)展提供核心支撐。
（集邦化合物半導體 金水 整理）
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一、戰(zhàn)略收縮：巨頭的理性“止損”與資產(chǎn)優(yōu)化
2025年下半年，兩大行業(yè)巨頭的動作揭示了資本對射頻氮化鎵市場的重新定價。
1、恩智浦：5G夢醒后的決斷
近期，隨著分析機構(gòu)EJL Wireless Research在Linkedin上的一則爆料，#恩智浦 正式確認將關(guān)閉其位于美國亞利桑那州錢德勒（Chandler）的“Echo”晶圓廠，該廠定于2027年第一季度生產(chǎn)最后一批晶圓后謝幕。
“Echo”晶圓廠并非泛泛之輩，它是恩智浦于2020年9月高調(diào)投產(chǎn)的旗艦項目。彼時，恩智浦半導體執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理保羅·哈特（Paul Hart）曾對其寄予厚望，豪言該廠將于當年底達到滿負荷生產(chǎn)。為此，恩智浦在2018至2020年間投入約1億美元（超7億人民幣），專門打造6英寸GaN-on-SiC產(chǎn)線，意圖主宰5G基站射頻功率放大器（PA）市場。
然而，僅僅運行不到五年，該工廠便黯然落幕。財報數(shù)據(jù)揭示了背后的無奈：2024年，恩智浦“通信基礎(chǔ)設(shè)施及其他”業(yè)務(wù)收入下滑近20%，不足17億美元；進入2025年，前九個月收入同比進一步暴跌25%，僅余9.62億美元。
嚴酷的現(xiàn)實表明，在復蘇前景黯淡的射頻市場空耗現(xiàn)金流已不合時宜。恩智浦選擇向“Fab-Lite”（輕晶圓廠）模式轉(zhuǎn)型，關(guān)閉老舊產(chǎn)線，將資源聚焦于核心的汽車電子與工業(yè)控制，或通過參與德國ESMC等合資項目獲取更具成本優(yōu)勢的300mm產(chǎn)能。
2、臺積電：AI浪潮下的“戰(zhàn)略性斷舍離”
作為晶圓代工霸主，#臺積電 在2025年7月做出逐步退出GaN代工業(yè)務(wù)的決定，同樣震動了業(yè)界。臺積電明確表示，將在2027年中前完全停止GaN代工服務(wù)，并將原本負責該業(yè)務(wù)的新竹Fab 5廠逐步轉(zhuǎn)型為先進封裝（CoWoS）產(chǎn)能。
這一決策背后是極致的資源博弈。在AI芯片需求井噴的當下，先進制程與封裝產(chǎn)能“寸土寸金”。雖然GaN業(yè)務(wù)穩(wěn)步增長，但其基于6英寸晶圓的營收貢獻與利潤率，遠無法與服務(wù)于英偉達（NVIDIA）等客戶的12英寸AI產(chǎn)線相提并論。臺積電的退出，實質(zhì)上是先進邏輯制程對特色功率工藝的一次資源擠出。
此舉迫使供應(yīng)鏈迅速重構(gòu)：格芯（GlobalFoundries）借機承接了溢出的商業(yè)與國防訂單，利用美國《芯片與科學法案》資金強化本土制造；而力積電則利用其在存儲制造中的成本控制經(jīng)驗，開發(fā)基于180nm節(jié)點的200mm GaN-on-Si工藝，成為了Fabless（無晶圓設(shè)計）廠商新的避風港。
二、陣痛與洗牌：Fabless模式邁入調(diào)整期
臺積電的離場，將高度依賴代工服務(wù)的Fabless廠商推向了風口浪尖，其中納微半導體（Navitas）的遭遇尤為典型。
受臺積電業(yè)務(wù)調(diào)整影響，納微被迫在2025年宣布將其主要晶圓代工方轉(zhuǎn)移至力積電。在半導體行業(yè)，更換晶圓廠風險大、耗時長，涉及長達12-24個月的重新認證周期與良率爬坡風險，期間極易被競爭對手搶占市場份額。
供應(yīng)鏈危機疊加業(yè)績壓力，引發(fā)了納微管理層的劇烈動蕩。聯(lián)合創(chuàng)始人兼CEO Gene Sheridan于2025年8月卸任，CTO Dan Kinzer也辭去高管職務(wù)。創(chuàng)始團隊的集體淡出，標志著納微“創(chuàng)業(yè)講故事”時代的終結(jié)，公司被迫進入由職業(yè)經(jīng)理人主導的“止血求生”階段。
與此同時，美國獨立IDM陣營在2024-2025年間也經(jīng)歷了劇烈整合。Wolfspeed為了全力押注碳化硅（SiC），以1.25億美元的“白菜價”將射頻GaN業(yè)務(wù)剝離給MACOM，以支撐其莫霍克谷工廠的巨額開支；曾被視為技術(shù)標桿的Transphorm則被日本瑞薩電子收購，標志著美國本土又失去了一家獨立的GaN技術(shù)持有者。
三、西線反擊：歐美IDM巨頭的差異化進擊
與代工業(yè)務(wù)的收縮相反，擁有垂直整合能力（IDM）的歐美巨頭正在通過差異化路線瘋狂擴張。
1、MACOM：吃下CHIPS法案紅利的軍工巨鱷
MACOM走了一條“去商業(yè)化”的軍工高端路線。在收購Wolfspeed射頻業(yè)務(wù)后，MACOM于今年1月宣布了高達3.45億美元的五年投資計劃，借助CHIPS法案資金，對其馬薩諸塞州和北卡羅來納州的工廠進行現(xiàn)代化改造，核心是將產(chǎn)線升級為6英寸GaN-on-SiC。
2、德州儀器（TI）：95%自造率的成本碾壓
模擬芯片之王TI則試圖用“硅的邏輯”重塑GaN市場。2024年底，TI在日本會津工廠量產(chǎn)GaN器件，產(chǎn)能瞬間翻了兩番。更具威懾力的是，TI正在達拉斯總部利用12英寸產(chǎn)線進行GaN試點。一旦導入成功，其成本將呈指數(shù)級下降。TI明確提出2030年實現(xiàn)95%芯片內(nèi)部制造的目標，意圖通過超大規(guī)模制造壓低邊際成本，從而占領(lǐng)更大份額市場。
3、英飛凌（Infineon）：打造虛擬超級工廠
德國巨頭#英飛凌 正在執(zhí)行“One Virtual Fab（虛擬工廠）”戰(zhàn)略，打通奧地利菲拉赫與馬來西亞居林的產(chǎn)能。One Virtual Fab是一種先進的制造模式，旨在通過數(shù)字技術(shù)將不同地理位置的生產(chǎn)基地緊密連接，實現(xiàn)技術(shù)、流程和產(chǎn)能的協(xié)同優(yōu)化，以提升效率和快速響應(yīng)市場需求。
2025年，投資高達50億歐元的居林第三工廠啟動擴建，重點生產(chǎn)8英寸GaN和SiC晶圓。英飛凌正試圖確立“硅+碳化硅+氮化鎵”的全能霸權(quán)，在AI數(shù)據(jù)中心急需的鈦金級電源市場構(gòu)筑防線。
四、東線崛起：中國力量的全產(chǎn)業(yè)鏈突圍
在中國市場，一條從設(shè)計到制造的全產(chǎn)業(yè)鏈正在快速發(fā)展，并展現(xiàn)出強大的市場穿透力。
1、英諾賽科：產(chǎn)能怪獸的資本首秀
作為全球最大的8英寸硅基氮化鎵IDM廠商，#英諾賽科 被視為逼退臺積電消費級業(yè)務(wù)的重要推手。2024年底至2025年初，英諾賽科成功登陸港股，募資約14億港元。其招股書披露的計劃顯示，產(chǎn)能將從2024年的1.25萬片/月狂飆至2029年的7萬片/月。
基石投資者意法半導體（ST）的出現(xiàn)，更暗示了“歐洲設(shè)計+中國制造”的新聯(lián)盟可能。2025年上半年，英諾賽科營收大漲43%并首次實現(xiàn)毛利轉(zhuǎn)正，證明了其IDM模式在成本控制上的成功。然而，由于持續(xù)的高額研發(fā)投入和產(chǎn)線折舊，公司在凈利潤層面仍處于虧損狀態(tài)，這在IDM企業(yè)的擴張初期屬于典型特征。
2、三安集成與芯聯(lián)集成：車規(guī)與射頻的雙輪驅(qū)動
三安集成在射頻與功率領(lǐng)域雙線并進。其與意法半導體在重慶的合資工廠預計于2025年三季度量產(chǎn)8英寸SiC和GaN器件，精準卡位中國電動汽車市場。同時，其射頻GaN業(yè)務(wù)在5G-A基站和低軌衛(wèi)星領(lǐng)域保持了穩(wěn)定的現(xiàn)金流。
前身為中芯集成的#芯聯(lián)集成，則利用IGBT和SiC的車規(guī)經(jīng)驗，將“零缺陷”管理引入GaN制造，并提供“系統(tǒng)代工”服務(wù)。其車規(guī)功率模塊收入在2024年實現(xiàn)翻倍增長，成功實現(xiàn)EBITDA轉(zhuǎn)正，成為汽車Tier 1廠商的重要合作伙伴。
此外，潤新微憑借D-Mode技術(shù)實現(xiàn)差異化發(fā)展，新微半導體在硅光與射頻SOI領(lǐng)域進行工藝孵化，氮矽科技在驅(qū)動芯片設(shè)計上取得突破，他們共同構(gòu)成了中國GaN產(chǎn)業(yè)豐富而堅韌的生態(tài)底色。
五、結(jié)語：產(chǎn)業(yè)邏輯的深刻嬗變
縱觀2025年的產(chǎn)業(yè)全景，我們可以提煉出驅(qū)動市場變革的三大底層邏輯。
首先，射頻與功率徹底分道揚鑣。NXP和Wolfspeed退出的皆是射頻GaN，而英飛凌、TI與英諾賽科爭奪的則是功率GaN。前者回歸軍工與特種應(yīng)用，后者則在AI與汽車浪潮中迎來爆發(fā)。
其次，IDM模式加冕，F(xiàn)abless日漸式微。臺積電的退出與納微的危機證明，在第三代半導體領(lǐng)域，器件性能高度依賴材料與工藝的耦合。無法掌控生產(chǎn)流程的Fabless模式，在成本與良率上難以與IDM抗衡。
最后，供應(yīng)鏈邏輯正在深刻重構(gòu)。在追求自主可控與供應(yīng)穩(wěn)定的趨勢下，氮化鎵產(chǎn)業(yè)正從單一的市場競爭，轉(zhuǎn)向以區(qū)域化布局為特征的深度深耕。
（集邦化合物半導體 竹子 整理）
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]]>該平臺核心是300毫米導電型碳化硅襯底，該襯底有著低電阻率、低缺陷密度和高均質(zhì)性的特點，能有效降低器件能耗、提升開關(guān)頻率與熱管理性能。
除了解決AI數(shù)據(jù)中心熱效率不足的痛點外，Coherent還計劃推動該技術(shù)規(guī)?；慨a(chǎn)，同時拓展其在AR/VR設(shè)備以及電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用。比如用該技術(shù)制造更薄更高效的AR智能眼鏡與VR頭顯波導器件，也能在電力電子領(lǐng)域通過大尺寸晶圓特性降低單芯片成本。
資料顯示，Coherent成立于1971年，其業(yè)務(wù)覆蓋激光技術(shù)、光電子器件等多個核心領(lǐng)域。2022年7月，Coherent被II-VI公司以約70億美元收購，合并后沿用“Coherent”作為新公司名稱。此次整合實現(xiàn)了技術(shù)互補——原II-VI在砷化鎵、磷化銦、碳化硅等光電子材料和光器件領(lǐng)域的優(yōu)勢，與原Coherent的激光系統(tǒng)技術(shù)相結(jié)合，讓新公司具備了從材料到終端產(chǎn)品的全產(chǎn)業(yè)鏈控制能力。
Coherent高級副總裁兼總經(jīng)理GaryRuland表示：“人工智能正在改變數(shù)據(jù)中心的熱管理格局，碳化硅正成為實現(xiàn)這種可擴展性的基礎(chǔ)材料之一?！薄拔覀兊?00毫米平臺計劃大規(guī)模生產(chǎn)，帶來新的熱效率水平，直接轉(zhuǎn)化為更快、更節(jié)能的AI數(shù)據(jù)中心?！?/p>
此前7月，Coherent位于越南的SiC工廠正式落成。該工廠耗資1.27億美元（約合人民幣9.12億元），將生產(chǎn)碳化硅半導體、光學玻璃和先進光學器件。新工廠將對Coherent布局碳化硅及光學產(chǎn)品的產(chǎn)能發(fā)揮關(guān)鍵作用。
（文/集邦化合物半導體整理）
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]]>TrendForce集邦咨詢預估，2026年將是人形機器人邁向商用化的關(guān)鍵年，全球出貨量可望突破5萬臺，年增逾700%。在國際機器人大會(iREX 2025) 上，Kawasaki Heavy Industries發(fā)表最新人形整機Kaleido 9，可搬30公斤貨架、學習使用清掃工具，并支援虛擬頭戴裝置遠端操控，主攻災害現(xiàn)場。Harmonic Drive針對人形機器人各部位提出減速機最佳化配置，如頸部、手臂著眼扁平高扭矩，以兼顧輸出與空間利用，手指則導入超小型系列產(chǎn)品，精進抓取能力。
盡管iREX 2025以人形機器人為宣傳亮點，據(jù)TrendForce集邦咨詢現(xiàn)場觀察，各項展示仍以工業(yè)機器手臂、協(xié)作機器人為大宗，顯示日本機器人產(chǎn)業(yè)即便掌握高整合感測減速機、精密關(guān)節(jié)，以及先進控制平臺等人形關(guān)鍵技術(shù)，現(xiàn)階段仍優(yōu)先用于需求成熟、導入流程明確，以及投資報酬率可計算的工業(yè)場景。
然而，日本長期照顧人力缺口擴大，且照護設(shè)施密度高，降低照護人員負荷并提升照顧品質(zhì)成為當務(wù)之急，因此，預期照護將成為日本對人形機器人需求最強的場域，Kawasaki的Nyokkey、Fourier的GR-3皆以此為設(shè)計重點。
相形之下，目前美系人形機器人產(chǎn)業(yè)已由“技術(shù)展示”走向“實務(wù)驗證”，核心競爭點從單純的運動能力轉(zhuǎn)移至系統(tǒng)整合、場景落地。Tesla（特斯拉）、Boston Dynamics（波士頓動力）與Agility Robotics（敏捷機器人）等整機廠商，將重心放在機器人長時間運作的穩(wěn)定性、能源效率與AI模型的即時推理能力。TrendForce集邦咨詢預期，2026年將成為“場景切入”的分水嶺，美系業(yè)者能否在制造、物流乃至居家服務(wù)找到可持續(xù)的應(yīng)用模式，將成為產(chǎn)品由研發(fā)走向大規(guī)模商業(yè)部署的關(guān)鍵。
中國人形機器人產(chǎn)業(yè)則呈現(xiàn)“場景多元”、“價格分層”特征，Unitree（宇樹科技）與AgiBot（智元機器人）等廠商持續(xù)以低價產(chǎn)品推動大規(guī)模試點，試圖打造消費級市場基礎(chǔ)；Fourier（傅利葉）鎖定康養(yǎng)、陪伴應(yīng)用，以情感交互與醫(yī)療經(jīng)驗構(gòu)筑差異化；UBTECH（優(yōu)必選）憑借龐大資本，深入汽車制造場景。TrendForce集邦咨詢分析，中國人形機器人2026年關(guān)鍵在于如何平衡“低價普及化”與“高階差異化”兩條路徑，并逐步累積能支撐長期競爭的數(shù)據(jù)與應(yīng)用經(jīng)驗。
（集邦化合物半導體整理）
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]]>TrendForce集邦咨詢指出，由于800G以上的高速光收發(fā)模塊的龐大需求，已在供應(yīng)鏈最上游激光光源造成嚴重供給瓶頸。特別是Nvidia（英偉達）因戰(zhàn)略考量而壟斷EML激光芯片供應(yīng)商的產(chǎn)能，導致EML激光交期已經(jīng)排到2027年后，使得激光光源市場發(fā)生供給短缺的現(xiàn)象。各家光收發(fā)模塊廠商與終端的CSP客戶也因受限于激光光源的短缺，紛紛尋求更多的供應(yīng)商與解決方案，牽動激光產(chǎn)業(yè)格局變化。
Nvidia戰(zhàn)略性壟斷EML激光芯片
除應(yīng)用于短距離傳輸VCSEL激光外，目前中長距離的光收發(fā)模塊的激光可以分為兩種形式，EML激光與CW激光。其中EML激光因在單一芯片內(nèi)整合了信號調(diào)變功能，生產(chǎn)門檻極高且光學組件復雜，因此全球供應(yīng)商屈指可數(shù)。目前主要的供應(yīng)商包括Lumentum、Coherent（Finisar菲尼薩）、Mitsubishi（三菱）、Sumitomo（住友）、Broadcom（博通）等。
由于超大型#數(shù)據(jù)中心 出現(xiàn)，面對超長的傳輸距離，使得穿透距離更長且信號穩(wěn)定的EML激光成為了關(guān)鍵戰(zhàn)略物資，再加上Nvidia的硅光/CPO量產(chǎn)進度緩慢，短期仍需大規(guī)模依賴可插拔式的光收發(fā)模塊來滿足GPU集群需求。因此為了確保供貨無虞，向其EML激光芯片供應(yīng)商進行包產(chǎn)，導致市面上EML激光芯片供給吃緊。
CW激光，云端大廠的新寵兒與產(chǎn)能競賽
相較之下，CW（連續(xù)波）激光僅負責提供恒定光源，并搭配#半導體晶圓代工廠 制造的硅光子（Silicon Photonics）芯片作為外部調(diào)變器，才能將電信號轉(zhuǎn)換為光信號進行傳輸。因此不需在激光芯片上整合調(diào)變功能，芯片結(jié)構(gòu)較單純，這也是在EML激光短缺之際，采用硅光子技術(shù)的CW激光方案成為各大CSP廠積極轉(zhuǎn)進替代首選原因。
盡管CW激光的投入生產(chǎn)廠商相對較多，供貨吃緊程度不如EML激光。然而，面對龐大的AI高速傳輸需求，CW激光的產(chǎn)能擴充幅度也受限于生產(chǎn)設(shè)備的交期而無法快速放大，因此短期內(nèi)也難以滿足龐大的客戶需求。為了滿足客戶的信賴性要求，后段的芯片切割與測試制程也會耗用相當多的人力與相關(guān)資源，因此目前許多激光廠商自制最關(guān)鍵的磊晶之外，也選擇性的將后段的激光芯片切割與老化測試制程外包給其他的相關(guān)激光廠商，促使相關(guān)的激光供應(yīng)鏈產(chǎn)能逐漸吃緊，也紛紛展開擴產(chǎn)計劃。
高速PD需求同步飆升，磊晶廠迎來外溢商機
至于光收發(fā)模塊當中，除了發(fā)射端的激光光源之外，同時也需要光二極管（PhotoDiode, PD）作為光接收元件。為了要搭配更高速的激光光源傳輸速度，目前各家PD廠商也紛紛投入開發(fā)可以接收200G傳輸信號的高速PD，包括Coherent, Macom, Broadcom,Lumentum等廠商也推出了200G的高速PD。
由于高速PD和EML與CW激光一樣，皆采用INP(磷化銦) 基板再進行磊晶。在激光光源短缺的情況下，激光廠商傾向?qū)⒍鄶?shù)磊晶產(chǎn)能配置于生產(chǎn)激光光源，同時通過外包的方式將INP磊晶交由iET-英特磊、全新等專業(yè)磊晶代工廠商協(xié)助生產(chǎn)。
TrendForce集邦咨詢認為，在AI龐大的需求推動下，除了存儲器的嚴重短缺之外，高速傳輸也同樣帶動了上游激光產(chǎn)業(yè)的供給吃緊。特別是Nvidia的EML激光的壟斷策略雖然保障了自身的出貨安全，卻也意外加速了非Nvidia陣營對CW激光與硅光子技術(shù)的采用速度。同時，這場產(chǎn)能爭奪戰(zhàn)正在重塑供應(yīng)鏈分工，為具備高階化合物半導體磊晶與制程能力的相關(guān)供應(yīng)鏈帶來顯著的成長動能。
（集邦化合物半導體整理）
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]]>公開資料顯示，研微半導體成立于2022年，總部位于無錫，主要專注于高端原子層沉積（ALD）、等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）以及特色外延設(shè)備技術(shù)，涵蓋熱原子層沉積（tALD）、等離子體增強原子層沉積（PEALD）、硅外延（SI EPI）、碳化硅外延（SiC EPI）、等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）等核心技術(shù)，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于高端集成電路、功率器件、射頻元件及先進封裝領(lǐng)域。
圖片來源：研微半導體官網(wǎng)
研微半導體目前重點突破的tALD、PEALD、低壓EPI等細分領(lǐng)域，市場份額主要由美日歐廠商占據(jù)，高端薄膜沉積設(shè)備進口受限。憑借在金屬柵極、高深寬比溝槽填充等細分工藝的突破，研微半導體在最前沿半導體技術(shù)競爭中建立優(yōu)勢，實現(xiàn)國產(chǎn)替代。此前11月7日，研微半導體披露，其自主研發(fā)的Spritz系列首臺新材料原子層沉積（tALD）設(shè)備在無錫完成出廠交付，并同步實現(xiàn)“雙機”發(fā)運，成功交付國內(nèi)邏輯與存儲芯片雙領(lǐng)域頭部企業(yè)。
圖片來源：研微半導體
該設(shè)備聚焦AI算力芯片制造需求，在HKMG金屬層沉積、NAND WL、DRAM bWL及SN區(qū)域薄膜填充等關(guān)鍵工藝實現(xiàn)突破，填補國內(nèi)金屬原子層沉積空白，憑借先進進氣、混氣與勻流系統(tǒng)顯著提升薄膜均勻性和產(chǎn)能穩(wěn)定性，助力先進制程國產(chǎn)化。研微半導體自2022年10月在無錫成立以來，短短三年內(nèi)已完成多輪融資：當年12月獲天使輪，2023年7月再獲天使+輪，2024年1月完成數(shù)億元Pre-A輪，并于今年內(nèi)連續(xù)完成三輪數(shù)億元融資。
隨著邏輯芯片制程的持續(xù)升級和3D存儲芯片對多層高深寬比結(jié)構(gòu)要求的不斷提高，ALD技術(shù)憑借其原子層級沉積特點，具有薄膜厚度精確度高、均勻性好、極佳的臺階覆蓋率（Conformal Coverage）、溝槽填充性能極佳等優(yōu)勢。ALD/PEALD技術(shù)在高深寬比結(jié)構(gòu)（如3D NAND閃存的多層堆疊、先進邏輯芯片的接觸孔）中的高保形性是傳統(tǒng)CVD難以比擬的，特別適合在對薄膜質(zhì)量和臺階覆蓋率有較高要求的領(lǐng)域應(yīng)用，在45nm以下節(jié)點、先進封裝、3D結(jié)構(gòu)等半導體薄膜沉積環(huán)節(jié)有大量需求。
此外，研微半導體的SiC EPI設(shè)備，瞄準的是第三代半導體功率器件市場。這一特色外延設(shè)備與高端集成電路薄膜沉積設(shè)備同為國家重點鼓勵的國產(chǎn)替代方向。2025年，除研微半導體外，微導納米、拓荊科技和中微公司等企業(yè)也在高端薄膜沉積設(shè)備領(lǐng)域加速突破：微導納米的ALD批量與單片設(shè)備已通過多家客戶驗證，在手訂單超23億元；拓荊科技完成PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD全系列布局，核心指標達國際水平；中微公司LPCVD設(shè)備首臺銷售后半年收入達1.99億元，同比增長約6倍，共同推進國產(chǎn)設(shè)備進程。
（集邦化合物半導體 竹子 整理）
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2025年11月27日，由全球高科技產(chǎn)業(yè)研究機構(gòu)TrendForce集邦咨詢主辦的“MTS 2026存儲產(chǎn)業(yè)趨勢研討會”在深圳舉辦。會上，TrendForce集邦咨詢發(fā)布了“2026十大科技市場趨勢預測”：
1、AI芯片逐鹿戰(zhàn)升級，液冷散熱大規(guī)模滲透AI數(shù)據(jù)中心
2026年受惠于北美大型CSPs提高資本支出，以及各國主權(quán)云興起，對AI數(shù)據(jù)中心建置需求旺盛，預估全球AI Server出貨年增將逾20%。AI市場霸主NVIDIA（英偉達）將面臨更高強度競爭，首先，AMD（超威）將效法NVIDIA GB/VR機柜方案，推出MI400整柜式產(chǎn)品，主攻CSPs客戶；其次，北美CSPs自研ASIC力道持續(xù)增強；最后，受國際形勢影響，ByteDance（字節(jié)跳動）、Baidu（百度）、Alibaba（阿里巴巴）、Tencent（騰訊）自研ASIC，以及Huawei（華為）、Cambricon（寒武紀）等強化AI芯片自主研發(fā)，將AI市場競爭推向白熱化。
隨著AI芯片算力提升，單芯片熱設(shè)計功耗(TDP)將從NVIDIA H100、H200的700W，上升至B200、B300的1,000W以上或更高，Server機柜須以液冷散熱系統(tǒng)對應(yīng)高密度熱通量需求，推升2026年AI芯片液冷滲透率達47%。Microsoft（微軟）亦提出新一代芯片封裝層級的微流體冷卻技術(shù)。整體而言，短中期市場仍以水冷板液冷為主，CDU架構(gòu)將自L2A (Liquid-to-Air)轉(zhuǎn)向L2L (Liquid-to-Liquid)設(shè)計，長期則朝更精細化的芯片級散熱演進。
2、突破帶寬限制、實現(xiàn)高速傳輸，HBM與光通訊建構(gòu)智能運算新體系
AI運算從訓練到推理的數(shù)據(jù)量與存儲器帶寬需求呈爆炸性成長，導致傳輸速度與能耗瓶頸浮上臺面。為解決AI運算受存儲器帶寬與數(shù)據(jù)傳輸速率限制的問題，HBM與光通訊技術(shù)逐漸成為次世代AI架構(gòu)的核心突破口。
目前HBM通過3D堆棧與TSV技術(shù)，有效縮短處理器與存儲器之間的距離，并在即將量產(chǎn)的HBM4中，導入更高通道密度與更寬I/O帶寬，以支撐AI GPU與加速器的超大規(guī)模運算。然而，當模型參數(shù)突破兆級、GPU集群規(guī)模成倍數(shù)擴張時，存儲器的傳輸瓶頸又重新被凸顯出來。目前各家存儲器廠商通過HBM堆棧結(jié)構(gòu)優(yōu)化，封裝與接口創(chuàng)新，并且與邏輯芯片協(xié)同設(shè)計，藉由各方面的努力來提升了AI芯片的本地帶寬。
解決了存儲器的傳輸瓶頸之后，跨芯片、跨模組間的數(shù)據(jù)傳輸仍成為限制系統(tǒng)效能的新瓶頸，為突破此限制，光電整合與CPO（Co-Packaged Optics）技術(shù)逐步成為主流GPU廠商與云端供應(yīng)商的研發(fā)重點。現(xiàn)階段800G/1.6T pluggable光模組已啟動大量生產(chǎn)，而2026年起預期將有更高帶寬的SiPh/CPO平臺導入AI交換機（Switch）之內(nèi)。借由新型的光通訊技術(shù)來實現(xiàn)高帶寬、低功耗的數(shù)據(jù)互連，并優(yōu)化系統(tǒng)整體帶寬密度與能源效率。
綜觀趨勢，存儲器產(chǎn)業(yè)正邁向以「帶寬效率」為核心競爭力。而處理跨芯片、跨模塊間的新型光通訊技術(shù)，也是突破電性接口在長距離與高密度數(shù)據(jù)傳輸上的局限的最佳方案。因此高速傳輸技術(shù)將成為AI基礎(chǔ)架構(gòu)演進的關(guān)鍵方向。
3、NAND Flash供應(yīng)商強化AI方案，加速推理工作、降低儲存成本
AI 訓練與推理工作需要高速存取具有不可預測I/O模式的龐大數(shù)據(jù)集，與現(xiàn)有技術(shù)間產(chǎn)生效能差距。為此，NAND Flash供應(yīng)商加速推進專門的解決方案，包含兩項關(guān)鍵產(chǎn)品：儲存級存儲器(SCM) SSD/KV Cache SSD/HBF技術(shù)，定位介于DRAM與傳統(tǒng)NAND間，提供超低延遲與高帶寬特性，為加速實時AI推理工作負載的理想選擇。
另一項是Nearline QLC SSD，QLC技術(shù)正以前所未有的速度被應(yīng)用于AI的溫/冷數(shù)據(jù)儲存層，例如模型檢查點與數(shù)據(jù)集歸檔。QLC的每晶粒儲存容量較TLC將高出33%，大幅降低儲存巨量AI數(shù)據(jù)集的單位成本。預估至2026年，QLC SSD于Enterprise SSD的市場滲透率將達30%。
4、儲能系統(tǒng)躍升AI數(shù)據(jù)中心能量核心，需求將迎爆發(fā)式成長
AI數(shù)據(jù)中心朝向超大規(guī)模集群化發(fā)展，其負載波動大，嚴格要求電力穩(wěn)定度，促使儲能系統(tǒng)由「應(yīng)急備電」轉(zhuǎn)為「AI數(shù)據(jù)中心的能量核心」。預估未來五年內(nèi)，AI數(shù)據(jù)中心儲能除了現(xiàn)有的短時UPS備電和電能質(zhì)量改善，2至4小時的中長時儲能系統(tǒng)占比將迅速提升，以同時滿足備電、套利和電網(wǎng)服務(wù)需求。部署方式也將從數(shù)據(jù)中心級的集中式BESS (battery energy storage system)，逐步向機柜級或叢集級的分散式BESS滲透，如電池備用單元，以提供更快的瞬時響應(yīng)。
預期北美將成為全球最大AI數(shù)據(jù)中心儲能市場，由超大規(guī)模云端廠商主導。中國「東數(shù)西算」策略將推動數(shù)據(jù)中心向綠電豐富的西部遷移，AI數(shù)據(jù)中心+儲能將成為西部大型基地的標準配備。預期全球AI數(shù)據(jù)中心儲能新增容量將從2024年的15.7GWh，激增至2030年的216.8GWh，復合年平均成長率達46.1%。
5、AI數(shù)據(jù)中心邁向800V HVDC架構(gòu)，推升第三代半導體市場需求
數(shù)據(jù)中心正經(jīng)歷徹底的電力基礎(chǔ)設(shè)施變革，服務(wù)器機柜功率從千瓦級(kW)迅速攀升至兆瓦級(MW)，供電模式正轉(zhuǎn)向800V HVDC(高壓直流)架構(gòu)，以最大限度地提高效率和可靠性，大幅減少銅纜用量，并支持更緊湊的系統(tǒng)設(shè)計，第三代半導體SiC/GaN正是實現(xiàn)這一轉(zhuǎn)型的關(guān)鍵，多家半導體供應(yīng)商已宣布加入NVIDIA的800V HVDC計劃。
SiC主要應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心供電架構(gòu)的前端、中端環(huán)節(jié)，負責處理最高電壓和最大功率的轉(zhuǎn)換操作。盡管目前SiC功率半導體在最高電壓額定值方面仍落后于傳統(tǒng)Si，但其具備卓越的熱性能和開關(guān)特性，對于下一代的固態(tài)變壓器(SST)技術(shù)至關(guān)重要。
GaN則憑借高頻率、高效能優(yōu)勢，在供電鏈路的中端和末端發(fā)揮重要作用，追求極致的功率密度和動態(tài)響應(yīng)。預估第三代半導體SiC/GaN在數(shù)據(jù)中心供電中的滲透率在2026年將上升至17%，至2030年有望突破30%。
6、2nm GAAFET革新，2.5D/3D封裝突破
隨著2nm進入量產(chǎn)，在先進制程商業(yè)競逐中，形成了向內(nèi)追求更高晶體管密度、向外追求更大封裝尺寸的趨勢，同時強調(diào)異質(zhì)整合 (Heterogeneous Integration)能力，通過不同功能的多芯片堆棧與不同技術(shù)節(jié)點的結(jié)合，滿足高效能運算與人工智能應(yīng)用需求。
在追求更高晶體管密度的部分，半導體晶圓制造正式由FinFET轉(zhuǎn)進GAAFET，通過Gate-Oxide完整包覆硅通道，在追逐高強度算力同時實現(xiàn)更高效的電流控制。向外部分，2.5D與3D封裝技術(shù)提供多重芯片堆棧的高密度封裝解決方案，使芯片間互連更快速、功耗更低，為下一代數(shù)據(jù)中心及高性能運算領(lǐng)域帶來突破。
隨著各家2nm GAAFET進入量產(chǎn)，TSMC（臺積電）、Intel（英特爾）與Samsung（三星）則分別推出CoWoS/SoIC、EMIB/FOVEROS、I-Cube/X-Cube等2.5D/3D封裝技術(shù)，提供前后段整合代工服務(wù)。如何在產(chǎn)能利用率、可靠性、成本與良率間取得平衡與商業(yè)優(yōu)勢，將是各大晶圓代工與封裝廠的核心挑戰(zhàn)。
7、2026年人形機器人出貨成長逾700%，聚焦AI自適應(yīng)與場景應(yīng)用性
2026年將是人形機器人邁向商用化的關(guān)鍵一年，全球出貨量預估年增逾七倍、突破5萬臺，市場動能聚焦于兩大主軸：AI自適應(yīng)（AI Adaptivity）技術(shù)與場景應(yīng)用導向。AI自適應(yīng)技術(shù)結(jié)合高效AI芯片、感測融合與大型語言模型（LLM）的進化，使機器人能在非結(jié)構(gòu)化環(huán)境中實時學習與動態(tài)決策，展現(xiàn)「謀定而后動」的行為能力。
于此背景下，2026年的人形機器人新品將不再以規(guī)格或靈活度為唯一賣點，而是自設(shè)計階段即鎖定特定場景價值，從預期最早切入之制造搬運、倉儲分揀到檢測輔助等，皆能支持場域完整任務(wù)。2026年將是人形機器人正式進入以AI為驅(qū)動、以應(yīng)用為核心之產(chǎn)業(yè)新階段。
8、筆電顯示高階化提速，折疊機主流化進程迎關(guān)鍵節(jié)點
OLED顯示迎來跨世代的轉(zhuǎn)折時刻。中、韓面板廠的高世代（8.6代）AMOLED產(chǎn)線持續(xù)擴產(chǎn)，隨著成本結(jié)構(gòu)與良率持續(xù)改善，OLED顯示技術(shù)正加速覆蓋從小到大的全尺寸產(chǎn)品，同步帶動相關(guān)供應(yīng)鏈如驅(qū)動IC、TCON、觸控模塊與散熱設(shè)計等高階零部件平均單價（ASP）與供應(yīng)商議價能力。
OLED以自發(fā)光、高對比、輕薄化與可變刷新率等特性，突破LCD在厚度與能耗的物理瓶頸，符合Apple（蘋果）對影像精度與能源效率的雙重要求。Apple預計2026年正式將OLED面板導入MacBook Pro，將帶動高階筆電顯示規(guī)格由mini-LED轉(zhuǎn)向OLED，預估2025年OLED筆電滲透率可望來到5%，2026年之后，在Apple帶動下，2027–2028年可望提升至9–12%。
另外，隨著Apple有機會于2026下半年至2027年間正式進入折疊手機市場，將以軟硬整合、品牌信任與供應(yīng)鏈協(xié)同優(yōu)勢重新定義折疊手機價值，推動市場焦點由「外觀炫技」轉(zhuǎn)向「生產(chǎn)力與體驗深化」，預估將帶動全球折疊手機出貨量于2027年突破3,000萬支。目前折疊手機仍面臨邁向主流的最后障礙—鉸鏈可靠度、柔性面板封裝、良率與成本控制。Apple對產(chǎn)品驗證與質(zhì)量的謹慎，反映其對進場時機與使用體驗的重視，也凸顯折疊手機要真正跨入成熟期，仍需時間與實力跨越鴻溝。
9、Meta驅(qū)動全球近眼顯示躍進，LEDoS技術(shù)蓄積成長能量
伴隨AI應(yīng)用深化，Meta推出具顯示功能的Meta Ray-Ban Display AR眼鏡，鎖定「信息提供」應(yīng)用，讓AI更貼近日常、重塑用戶使用行為，通過第一視角的數(shù)據(jù)搜集與反饋，強化AI與用戶的雙向互動體驗。顯示技術(shù)采用在全彩化與成熟度表現(xiàn)穩(wěn)健的LCoS，既為尚未完全成熟的LEDoS 爭取技術(shù)發(fā)展時間，也藉由良好的用戶體驗累積市場聲量。
隨著市場預期與Meta迭代產(chǎn)品規(guī)劃的推進，趨勢正指向具備更高亮度、對比度的LEDoS 技術(shù)，以拓展應(yīng)用場景，加上Apple、Google（谷歌）、RayNeo（雷鳥創(chuàng)新）、INMO（影目科技）、Rokid（樂奇）、Vuzix等廠商持續(xù)布局，成本有望加速下探至大眾預期的甜蜜點，有利于LEDoS發(fā)展。預估2027-2028年將出現(xiàn)更成熟的全彩LEDoS解決方案，Meta也預計推出新一代搭載LEDoS的AR眼鏡。
10、2026年輔助駕駛滲透率提升，Robotaxi 開啟全球多區(qū)域擴張
預估2026年L2(含)以上輔助駕駛的滲透率將逾40%，智能化將接續(xù)電動車成為汽車產(chǎn)業(yè)成長動力。L2輔助駕駛技術(shù)已趨成熟，普及關(guān)鍵轉(zhuǎn)向成本，有助降低系統(tǒng)總成本的艙駕一體單晶片與控制器將于2026年進入規(guī)模量產(chǎn)，初期主攻中國中階汽車市場。傳統(tǒng)車廠同時積極推動燃油車智能化轉(zhuǎn)型，也是輔助駕駛?cè)娉蔀檐囕v標配的驅(qū)動力。
另一方面，以L4級為目標的Robotaxi正迎來全球性的擴張浪潮。除了各地法規(guī)松綁，車隊平臺商、服務(wù)商對Robotaxi的采用態(tài)度轉(zhuǎn)為積極，以及開發(fā)商探索端到端(E2E)、VLA(Vision Language Action)等泛化性更強的AI模型，皆有助Robotaxi市場擴大。預計至2026年，Robotaxi將加速覆蓋歐洲、中東、日本、澳洲等市場，不再僅限于中國、美國。
（集邦化合物半導體整理）
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]]>全球科技巨頭正加速布局AR/VR領(lǐng)域，蘋果VisionPro的發(fā)布推動OLEDoS顯示技術(shù)落地，Meta Ray-BanAI眼鏡憑借輕量化設(shè)計在2025年上半年銷量突破預期。據(jù)TrendForce集邦咨詢預測，2025年全球VR/MR產(chǎn)品出貨量達560萬臺，預估2030年全球出貨量將達到1,440萬臺。
與此同時，近眼顯示產(chǎn)業(yè)半導體價值凸顯。其中，第三代半導體以高折射率、強散熱特性，突破其光學與散熱瓶頸；高密度低功耗存儲器則滿足數(shù)據(jù)存儲與低耗需求。二者協(xié)同發(fā)力，深度賦能，推動近眼顯示產(chǎn)業(yè)向高性能、便攜化、沉浸式方向迭代升級。
01、近眼顯示的定義、產(chǎn)品及產(chǎn)業(yè)鏈全景
近眼顯示（Near-Eye Display, NED）是一種將微型顯示單元與光學系統(tǒng)集成，在用戶眼球前方近距離（通常10-30厘米）形成虛擬影像的顯示技術(shù)。其核心原理是通過微型顯示面板（如MicroOLED、MicroLED等）生成圖像，再經(jīng)光學模組（光波導、棱鏡等）放大、折射后，投射到用戶視網(wǎng)膜上，無需依賴遠距離實體屏幕即可呈現(xiàn)虛擬內(nèi)容。近眼顯示技術(shù)廣泛應(yīng)用于AR、VR、MR及新型AI眼鏡等產(chǎn)品，覆蓋消費級、行業(yè)級等多個場景。
AR眼鏡是一種佩戴式終端，是近眼顯示技術(shù)的典型應(yīng)用產(chǎn)品，它利用光學元件（如光波導、棱鏡或全息鏡片）將計算生成的圖像疊加到用戶的真實視野中，實現(xiàn)“虛實融合”。
從產(chǎn)業(yè)鏈角度，以AR眼鏡為主的近眼顯示產(chǎn)品主要由四大模塊構(gòu)成：光學系統(tǒng)、顯示面板、驅(qū)動芯片與傳感器、以及存儲與供電系統(tǒng)。
光學模塊負責光路折射與出射角度控制，常見方案包括Birdbath（結(jié)構(gòu)簡單、成本低）和光波導（輕薄高透光）兩大類；顯示面板則分為MicroLED、MicroOLED、LCoS、硅基OLED等技術(shù)路線；芯片與傳感器提供圖像渲染、姿態(tài)追蹤、AI加速等功能；存儲與供電則決定系統(tǒng)的響應(yīng)速度與續(xù)航時間。
02、存儲賦能：AR眼鏡高性能運行的關(guān)鍵支撐
AR眼鏡等產(chǎn)品在佩戴端必須同時完成高分辨率微顯示、實時姿態(tài)追蹤、環(huán)境感知以及本地AI推理等任務(wù)。與傳統(tǒng)手機、平板相比，眼鏡的體積受限、散熱空間極小、功耗嚴格控制，這決定了存儲必須具備高密度、低功耗、快速讀寫三大特性，才能在毫秒級的幀率下支撐。這些需求直接推動了NAND、NOR以及嵌入式封裝（ePOP）等非易失性存儲在AR眼鏡中的落地。
具體來看，3D NAND Flash的優(yōu)勢在于位密度極高，寫入功耗相對低，成本隨層數(shù)提升而下降，在AR眼鏡中可以容納大容量離線內(nèi)容（地圖、視頻素材）以及系統(tǒng)固件；NOR Flash讀取速度快，功耗更低，支持片上ROM+RAM組合，可直接在芯片內(nèi)部實現(xiàn)高速緩存，在AR眼鏡中存儲并快速調(diào)用本地AI推理模型、實時KV- Cache、系統(tǒng)啟動代碼。另外，作為臨時工作內(nèi)存的LPDDR5/LPDDR5X具有超高帶寬，功耗可通過深度睡眠模式進一步壓縮。
佰維存儲在10月20日披露的《投資者關(guān)系活動記錄匯總表》顯示，該公司產(chǎn)品目前已被Meta、Google、小米、小天才、Rokid、雷鳥創(chuàng)新等國內(nèi)外知名企業(yè)應(yīng)用于其AI/AR眼鏡、智能手表等智能穿戴設(shè)備上。2025年上半年，Meta仍是公司出貨量最大的AI眼鏡客戶。該公司為其提供ROM+RAM存儲器芯片，是國內(nèi)的主力供應(yīng)商。
今年7月，時創(chuàng)意自研推出的超薄ePOP厚度僅為0.6mm，相比上一代0.8mm厚度產(chǎn)品減少了近25%，整體尺寸僅為8.0×9.5×0.6mm，極大減少了存儲設(shè)備及內(nèi)存組件的占用空間，使智能穿戴設(shè)備更為輕薄化。目前，時創(chuàng)意ePOP已成功應(yīng)用于AI眼鏡領(lǐng)域。
圖片來源：時創(chuàng)意
稍早之前的2月，江波龍推出0.6mm超薄ePOP4x，實現(xiàn)了更精簡的穿戴物理布局。與標準存儲方案相比，ePOP4x采用了創(chuàng)新的封裝技術(shù)和高度集成設(shè)計。其最大厚度僅為0.6mm（max），有效提高智能穿戴設(shè)備的輕薄化、高性能化水平，據(jù)悉已通過高通等廠商認證，適配多款消費級AR眼鏡的存儲需求。此外，有媒體報道，XREAL One AR眼鏡采用內(nèi)置存儲方案，搭載了江波龍超小尺寸eMMC存儲芯片。
03、三代半革新：AR眼鏡輕量化與高畫質(zhì)突破
傳統(tǒng)硅基器件在功率密度、散熱和光學性能方面已接近瓶頸，而以碳化硅為代表的#第三代半導體 憑借其獨特的物理特性，為AR眼鏡的輕量化、高亮度、低功耗和高速通信提供了全新可能。
具體來看，碳化硅具備高折射率、輕質(zhì)高強、優(yōu)異散熱，能夠制造輕薄且不易變形的光學元件，突破傳統(tǒng)玻璃或塑料鏡片的重量與熱積累瓶頸。
首先，在波導設(shè)計中，材料的折射率決定了光的傳播模式及其效率，碳化硅高折射率的特點使其可在更小的波導中高效傳光，幫助AR眼鏡實現(xiàn)更薄、更輕的設(shè)計。
2025年以來，碳化硅光波導眼鏡市場上多家企業(yè)不斷突破推出新品，例如Meta的Orion、秋果的WigainOmnision、潮芒的CorayAir2、歌爾光學的碳化硅刻蝕全彩衍射光波導眼鏡、廣納四維的C45C碳化硅全彩刻蝕波導眼鏡以及光嶼高維的CorayAir2彩色智能AR眼鏡等。
在今年9月的光博會上，歌爾光學首次發(fā)布了碳化硅刻蝕全彩衍射光波導，該產(chǎn)品采用全貼合技術(shù)，厚度僅0.65mm，重量3.5g，在30°FOV可視范圍內(nèi)畫面顏色均勻且無彩虹紋，大幅提升佩戴舒適度與視覺體驗。
圖片來源：歌爾光學
7月，成都光嶼高維旗下品牌Coray正式發(fā)布新一代旗艦產(chǎn)品CorayAir2彩色智能AR眼鏡，是全球首款采用刻蝕碳化硅波導+全彩MicroLED方案的消費級AR設(shè)備，具有49克超輕機身和6000nits峰值亮度。
除高折射率外，碳化硅輕質(zhì)高強，在相同體積下比玻璃更輕且更耐劃傷，這使得它在保持良好性能的同時，可以被加工成更薄的鏡片。
今年8月，西湖大學與慕德微納宣布，采用碳化硅（SiC）材料成功研發(fā)出超輕、超薄的衍射光波導，單片重量僅2.7克，厚度僅0.55毫米，相比傳統(tǒng)AR鏡片大大減輕了重量和厚度，提升了佩戴的舒適性。
此外，在產(chǎn)業(yè)合作層面，第三代半導體企業(yè)正與光學公司加速聯(lián)手，搶占AR眼鏡賽道的增長紅利。
7月14日，天岳先進與舜宇奧來正式簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，雙方將聚焦碳化硅光波導鏡片領(lǐng)域展開深度合作。天岳先進是國內(nèi)領(lǐng)先的SiC襯底供應(yīng)商，舜宇奧來則在光學鏡片及微結(jié)構(gòu)加工方面具備深厚技術(shù)積累。
圖片來源：天岳先進
6月16日，中電化合物與甬江實驗室簽署了戰(zhàn)略合作框架協(xié)議，雙方將圍繞AR眼鏡用SiC光學晶片開展聯(lián)合研發(fā)。中電化合物是國內(nèi)第三代半導體材料的龍頭企業(yè)，甬江實驗室在新型顯示、光學器件及AR/VR技術(shù)方面擁有豐富的科研實力。
04、結(jié) 語
近眼顯示技術(shù)的消費級滲透，正推動#AR眼鏡 從單一設(shè)備向 “空間計算終端” 進化，而這一進化離不開核心部件與關(guān)鍵材料的雙重賦能。存儲技術(shù)以高密度、低功耗、快讀寫的特性，筑牢了AR眼鏡本地運算與內(nèi)容承載的基礎(chǔ)；第三代半導體則憑借高折射率、輕質(zhì)高強等優(yōu)勢，破解了設(shè)備輕量化與顯示畫質(zhì)的核心矛盾，成為AR眼鏡從 “可用” 向 “好用” 跨越的關(guān)鍵。
未來，隨著存儲技術(shù)向更高集成度、更低功耗迭代，以及碳化硅等三代半材料在光學應(yīng)用中進一步實現(xiàn)成本下探與技術(shù)成熟，AR眼鏡將在工業(yè)、醫(yī)療、消費娛樂等場景中實現(xiàn)更深度的落地。同時，產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)的協(xié)同創(chuàng)新 —— 從材料企業(yè)與光學廠商的技術(shù)聯(lián)手，到終端品牌與核心部件供應(yīng)商的深度綁定，將持續(xù)推動AR眼鏡行業(yè)突破體驗瓶頸、擴大市場滲透率，最終開啟人機交互的全新篇章。
（集邦化合物半導體 金水 整理）
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