圖片來源：國博電子公告截圖

國博電子表示，公司與國內(nèi)頭部終端廠商共同研發(fā)的硅基氮化鎵功放芯片，針對(duì)手機(jī)等終端應(yīng)用進(jìn)行設(shè)計(jì)優(yōu)化，填補(bǔ)了業(yè)內(nèi)硅基氮化鎵功放終端射頻應(yīng)用的空白。新產(chǎn)品攻克了硅基氮化鎵外延的晶格缺陷比例高的材料難題，充分發(fā)揮了新型三代半導(dǎo)體材料的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，在兼顧功率、效率、帶寬等指標(biāo)的前提下，實(shí)現(xiàn)了對(duì)傳統(tǒng)砷化鎵功放的性能提升，并突破了硅基氮化鎵功放芯片的量產(chǎn)技術(shù)，在業(yè)內(nèi)首次實(shí)現(xiàn)了硅基氮化鎵功放芯片在終端射頻領(lǐng)域的量產(chǎn)交付。

此外，新產(chǎn)品具備高功率、高效率、高寬帶特性，可為客戶進(jìn)一步降低能耗，降低系統(tǒng)鏈路設(shè)計(jì)的復(fù)雜度，助力客戶進(jìn)一步提升手機(jī)等終端的數(shù)據(jù)傳輸速率、降低工作能耗。

國博電子預(yù)計(jì)公司新產(chǎn)品將持續(xù)對(duì)現(xiàn)有砷化鎵終端功放產(chǎn)品形成替代，并有望在終端射頻功放領(lǐng)域全頻段、全場(chǎng)景推廣應(yīng)用，該產(chǎn)品系列有望為公司營收提供第二增長(zhǎng)曲線。

資料顯示，國博電子成立于2000年，主要從事有源相控陣T/R組件和射頻集成電路相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，產(chǎn)品覆蓋防務(wù)與民用領(lǐng)域。在防務(wù)領(lǐng)域，為陸、海、空、天等各型裝備配套關(guān)鍵產(chǎn)品；在民用領(lǐng)域，是基站射頻器件核心供應(yīng)商，產(chǎn)品性能達(dá)國際先進(jìn)水平。

10月30日，國博電子公布最新財(cái)報(bào)，數(shù)據(jù)顯示，2025年三季度，國博電子實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入15.69億元，當(dāng)期凈利潤(rùn)為2.47億元，其中，T/R 組件和射頻模塊收入9.44億元，占比88.19%；射頻芯片收入9086.8萬元，占比8.49%。

射頻企業(yè)錨定氮化鎵，競(jìng)逐新賽道

射頻企業(yè)布局氮化鎵（GaN）領(lǐng)域具有諸多優(yōu)勢(shì)。一方面，射頻企業(yè)本身具備射頻設(shè)計(jì)、電路優(yōu)化等全鏈條經(jīng)驗(yàn)，能降低氮化鎵研發(fā)門檻，加速量產(chǎn)轉(zhuǎn)化；同時(shí)，氮化鎵的高頻、高功率等特性，可精準(zhǔn)匹配5G、毫米波通信等場(chǎng)景需求，與射頻企業(yè)技術(shù)升級(jí)方向高度契合。此外，從市場(chǎng)看，5G、衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域催生大量氮化鎵器件需求，射頻企業(yè)布局可搶占新市場(chǎng)，構(gòu)建第二增長(zhǎng)曲線。

除國博電子外，行業(yè)內(nèi)還有銳石創(chuàng)芯、銳捷創(chuàng)芯、慧智微、卓勝微、昂瑞微、唯捷創(chuàng)芯、紫光展銳等多家射頻企業(yè)在氮化鎵前端模塊、功率放大器等方向持續(xù)技術(shù)攻堅(jiān)。

例如，銳石創(chuàng)芯聚焦氮化鎵射頻前端模塊開發(fā)，采用低溫共燒陶瓷（LTCC）封裝技術(shù)，將功率放大器模塊尺寸縮小50%，顯著提升散熱效率，其產(chǎn)品在專網(wǎng)通信、衛(wèi)星載荷等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)穩(wěn)定供貨，成為細(xì)分市場(chǎng)的重要參與者。

中瓷電子原是國內(nèi)領(lǐng)先的電子陶瓷供應(yīng)商，2023年通過資產(chǎn)重組，收購了河北博威集成電路有限公司和北京國聯(lián)萬眾半導(dǎo)體科技有限公司的部分股權(quán)，新增了氮化鎵通信基站射頻芯片與器件等業(yè)務(wù)，構(gòu)建了氮化鎵通信基站射頻芯片的完整產(chǎn)業(yè)鏈。

（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）

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圖片來源：前海產(chǎn)發(fā)集團(tuán)

這一舉措成為夢(mèng)工場(chǎng)與企業(yè)深度共建、協(xié)同賦能前?？苿?chuàng)生態(tài)的核心亮點(diǎn)，也為深港半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)同發(fā)展注入新動(dòng)能。

前海深港青年夢(mèng)工場(chǎng)是深圳市前海管理局打造的面向香港青年、香港企業(yè)、具有國際影響力的新質(zhì)生產(chǎn)力創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)平臺(tái)，由前海管理局、香港青年協(xié)會(huì)、深圳市青年聯(lián)合會(huì)共同發(fā)起成立2014年12月7日正式運(yùn)營。

資料顯示，大乙半導(dǎo)體科技有限公司由全球知名材料科學(xué)家、香港大學(xué)機(jī)械工程系主任黃明欣教授（香港工程院院士、長(zhǎng)江學(xué)者、國家杰青、科學(xué)探索獎(jiǎng)得主）帶領(lǐng)科研團(tuán)隊(duì)發(fā)起。

據(jù)了解，大乙半導(dǎo)體成功開發(fā)出全球獨(dú)有的固態(tài)銅燒結(jié)技術(shù)，破解了新能源領(lǐng)域特別是電動(dòng)車長(zhǎng)里程、高壓快充帶來的大功率半導(dǎo)體熱管理難題。

這一突破性技術(shù)讓大乙成為全球少數(shù)在芯片頂部覆蓋超薄銅領(lǐng)域具備自主技術(shù)能力的企業(yè)，其產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于新能源汽車、AI服務(wù)器、風(fēng)光儲(chǔ)、低空經(jīng)濟(jì)、機(jī)器人等多元場(chǎng)景，為高功率設(shè)備提供可靠散熱支持，也為雙方共建的創(chuàng)新服務(wù)中心積累了核心技術(shù)資源。

深圳：打造第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高地

從2019年起，深圳開始集中發(fā)力培育第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，目前實(shí)現(xiàn)了從材料、設(shè)備、器件到應(yīng)用的完整產(chǎn)業(yè)鏈。

深圳平湖實(shí)驗(yàn)室作為國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心深圳綜合平臺(tái)的運(yùn)營主體，在第三代半導(dǎo)體技術(shù)研發(fā)方面取得了多項(xiàng)突破。

在襯底加工工藝上，率先實(shí)現(xiàn)碳化硅激光剝離技術(shù)和效率突破，實(shí)現(xiàn)8吋單片總損耗＜75um，切割時(shí)間≤20min，成本降低26%，整體性能達(dá)到國際領(lǐng)先水平。在碳化硅外延技術(shù)方面，突破了200um超厚膜缺陷控制、少子壽命提升難題，超厚膜外延達(dá)到國際先進(jìn)水平。

企業(yè)方面，深圳的第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域涌現(xiàn)出重投天科、基本半導(dǎo)體、方正微電子等一批核心代表企業(yè)，覆蓋襯底材料、芯片設(shè)計(jì)、器件制造等關(guān)鍵環(huán)節(jié)，成為產(chǎn)業(yè)鏈穩(wěn)定運(yùn)行的重要支撐。

其中，方正微電子成立于2003年，是中國第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域領(lǐng)先的IDM企業(yè)。公司主要從事SiC晶圓、器件、模組的研發(fā)、生產(chǎn)制造與銷售，為新能源汽車、光儲(chǔ)充、UPS、工業(yè)電源等眾多領(lǐng)域提供高質(zhì)量的SiC解決方案與服務(wù)，其高質(zhì)量車規(guī)SiC MOS已大規(guī)模應(yīng)用于新能源乘用車主驅(qū)。

重投天科由北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司和深圳市重大產(chǎn)業(yè)投資集團(tuán)有限公司兩家企業(yè)為主要股東合資成立，聚焦于碳化硅襯底和外延的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，是深圳第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的重要企業(yè)，為深圳市新能源汽車、軌道交通、智能電網(wǎng)等重點(diǎn)領(lǐng)域的原材料穩(wěn)定供應(yīng)提供了支撐。

基本半導(dǎo)體掌握了碳化硅芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測(cè)試、驅(qū)動(dòng)應(yīng)用等產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵技術(shù)，完成了自主可控的IDM產(chǎn)業(yè)鏈布局，其自主研發(fā)的碳化硅二極管、MOSFET、車規(guī)級(jí)功率模塊已實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)交付，性能達(dá)到國際先進(jìn)水平。

（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）

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圖片來源：木壘零距離

公開資料顯示，該項(xiàng)目于2025年2月簽約，4月開工。總投資4.7億元，占地60畝。項(xiàng)目采用國際領(lǐng)先的化學(xué)氣相沉積技術(shù)，具備高效環(huán)保、成本低、可生產(chǎn)大尺寸產(chǎn)品的優(yōu)勢(shì)，能實(shí)現(xiàn)高純度金剛石單晶的規(guī)模化量產(chǎn)，產(chǎn)品質(zhì)量達(dá)到國際領(lǐng)先水準(zhǔn)。

據(jù)現(xiàn)場(chǎng)負(fù)責(zé)人介紹，項(xiàng)目產(chǎn)品將應(yīng)用于高精度機(jī)械加工工具、半導(dǎo)體、航空航天光學(xué)窗口等尖端領(lǐng)域。項(xiàng)目建成后，不僅可填補(bǔ)區(qū)域產(chǎn)業(yè)空白，更有望提升我國在人造金剛石領(lǐng)域的技術(shù)水平和國際競(jìng)爭(zhēng)力。

人造金剛石是一種#超寬帶隙半導(dǎo)體，具有超高載流子遷移率、熱導(dǎo)率、低熱膨脹系數(shù)和超高擊穿電壓等優(yōu)勢(shì)。這些特性使得基于人造金剛石的半導(dǎo)體器件有望在高頻、大功率和高溫高壓以及極端環(huán)境中運(yùn)行，能滿足5G甚至6G網(wǎng)絡(luò)、大功率高頻電氣設(shè)備等對(duì)半導(dǎo)體材料的高端需求。

此外，半導(dǎo)體材料的性能直接決定了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的技術(shù)水平，自人造金剛石問世以來，憑借其卓越的半導(dǎo)體特性，被譽(yù)為 “終極半導(dǎo)體”。它通過摻雜等方式可呈現(xiàn)n型導(dǎo)電和p型導(dǎo)電，綜合性能遠(yuǎn)超GaAs、GaN和SiC等材料，是未來最有前景的（超）寬禁帶半導(dǎo)體材料，有望推動(dòng)半導(dǎo)體材料的升級(jí)換代。

相較于傳統(tǒng)#硅基半導(dǎo)體，金剛石器件所需晶圓面積更小，成本更低。在一些特定的高功率、高頻、高溫、高輻射、紫外光探測(cè)和高精度傳感器應(yīng)用中，人造金剛石的獨(dú)特物理和化學(xué)特性使其能夠提供更優(yōu)的解決方案。

（集邦化合物半導(dǎo)體 Niko 整理）

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隨著AI浪潮席卷全球，存儲(chǔ)領(lǐng)域正處在風(fēng)云變幻、波瀾壯闊的變革時(shí)代。這包括了技術(shù)的快速迭代、市場(chǎng)的激烈競(jìng)爭(zhēng)、數(shù)據(jù)量的爆炸式增長(zhǎng)，以及地緣政治對(duì)供應(yīng)鏈的影響。在市場(chǎng)需求與技術(shù)演進(jìn)的雙重推動(dòng)下，人工智能有望成為引領(lǐng)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)未來躍遷的核心引擎。

2025年全球存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)在動(dòng)蕩中前行，國際形勢(shì)緊張疊加貿(mào)易壁壘高筑，沖擊存儲(chǔ)供應(yīng)鏈穩(wěn)定性，市場(chǎng)波動(dòng)加劇。

終端消費(fèi)電子產(chǎn)品普遍陷入成長(zhǎng)困境，市場(chǎng)復(fù)蘇乏力；而AI算力需求呈指數(shù)級(jí)爆發(fā)，推動(dòng)存儲(chǔ)廠商投資與產(chǎn)能向高附加值產(chǎn)品傾斜，HBM、DDR5及企業(yè)級(jí)SSD因AI算力基礎(chǔ)設(shè)施投資逆勢(shì)增長(zhǎng)，成為戰(zhàn)略重心。

原廠技術(shù)迭代與產(chǎn)能騰挪背景下，存儲(chǔ)市場(chǎng)發(fā)生罕見的結(jié)構(gòu)性倒掛，DDR4部分產(chǎn)品產(chǎn)能緊縮而需求仍舊堅(jiān)挺，成本攀升，現(xiàn)貨價(jià)格反超DDR5，折射出行業(yè)轉(zhuǎn)型期的結(jié)構(gòu)性矛盾。

往屆回顧

與此同時(shí)，AI時(shí)代下存儲(chǔ)技術(shù)浪潮持續(xù)奔涌，挑戰(zhàn)與機(jī)遇深度交織。AI大模型催生對(duì)HBM及大容量SSD的極致需求，HBM技術(shù)不斷突破，不僅在帶寬上實(shí)現(xiàn)飛躍，更在散熱和功耗優(yōu)化上取得重大進(jìn)展，為AI算力提供堅(jiān)實(shí)支撐。今年HBM4標(biāo)準(zhǔn)問世后，三大存儲(chǔ)原廠圍繞HBM4展開激烈角逐，相較于HBM3E，HBM4帶寬擴(kuò)大一倍，能效也提升40%，有望成為AI時(shí)代存儲(chǔ)廠商爭(zhēng)霸的關(guān)鍵角色。

NAND Flash堆疊技術(shù)持續(xù)突破，已成功跨越300層大關(guān)，正向500層甚至更高層級(jí)邁進(jìn)，存儲(chǔ)密度和性能大幅提升。QLC成為企業(yè)級(jí)SSD“容量”的基石，為了滿足AI數(shù)據(jù)湖和超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心對(duì)存儲(chǔ)密度的追求，主流廠商紛紛將單盤容量推向了200TB以上的全新量級(jí)。

除此之外，存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存（SCM）、CXL（Compute Express Link）互聯(lián)架構(gòu)、存算一體（CIM）等技術(shù)正在突破傳統(tǒng)范式，重新定義存儲(chǔ)的邊界，為未來AI發(fā)展應(yīng)用帶來新的可能。

當(dāng)下，存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)正處于技術(shù)革新與產(chǎn)業(yè)變革的關(guān)鍵轉(zhuǎn)折點(diǎn)，AI浪潮的洶涌來襲，既帶來了前所未有的挑戰(zhàn)，也孕育著無限的發(fā)展機(jī)遇。存儲(chǔ)廠商如何在這場(chǎng)變革中找準(zhǔn)定位、把握趨勢(shì)，成為了亟待解決的關(guān)鍵問題。

02、會(huì)議詳情

2025年11月27日，集邦咨詢“2026存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)研討會(huì)（MTS2026）”將于深圳啟幕，本次會(huì)議以“存儲(chǔ)風(fēng)云，智塑未來”為主題，將匯聚全球存儲(chǔ)行業(yè)的精英及其洞見，共同探討行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)與機(jī)遇。

MTS2026作為全球存儲(chǔ)行業(yè)的重要盛會(huì)，由TrendForce集邦咨詢主辦，是專為業(yè)內(nèi)人士打造的深度交流合作平臺(tái)和行業(yè)技術(shù)趨勢(shì)論壇，將吸引存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈、終端應(yīng)用、半導(dǎo)體廠商、投資機(jī)構(gòu)、券商、銀行等在內(nèi)的1000+產(chǎn)業(yè)相關(guān)高層嘉賓齊聚。

在TrendForce成立25周年之際，本次研討會(huì)更是意義非凡，將帶來一場(chǎng)關(guān)于遠(yuǎn)見、科技與未來的深度對(duì)話。

會(huì)議重點(diǎn)聚焦

本次會(huì)議將聚焦技術(shù)演進(jìn)、市場(chǎng)動(dòng)態(tài)、產(chǎn)能布局等話題，從HBM技術(shù)的突破到NAND Flash堆疊技術(shù)的進(jìn)展，從存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存等新技術(shù)的應(yīng)用到市場(chǎng)需求的變遷，都將進(jìn)行深入研討。

11月27日，集邦資深分析師團(tuán)隊(duì)、產(chǎn)業(yè)重磅嘉賓將全方位探討AI等技術(shù)驅(qū)動(dòng)下的產(chǎn)業(yè)變革、趨勢(shì)與機(jī)會(huì)，為業(yè)界朋友提供前瞻戰(zhàn)略規(guī)劃思考。這是一場(chǎng)不容錯(cuò)過的存儲(chǔ)行業(yè)盛會(huì)，敬請(qǐng)期待MTS2026的盛大開幕！

03、同期活動(dòng)

MTS2026存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)研討會(huì)期間，TrendForce集邦咨詢也將重磅發(fā)布“2026年十大科技領(lǐng)域市場(chǎng)趨勢(shì)預(yù)測(cè)”，并同期舉辦第二屆“TechFuture Awards”頒獎(jiǎng)典禮，敬請(qǐng)期待！

本次產(chǎn)業(yè)預(yù)測(cè)將探討產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)熱點(diǎn)、技術(shù)創(chuàng)新突破以及AI與數(shù)據(jù)技術(shù)的深度融合與應(yīng)用等關(guān)鍵議題，旨在為業(yè)界提供前瞻性洞察，助力企業(yè)探索未來業(yè)務(wù)模式的創(chuàng)新轉(zhuǎn)型；同時(shí)，將甄選出在技術(shù)創(chuàng)新、商業(yè)落地、市場(chǎng)推動(dòng)、生態(tài)構(gòu)建等維度表現(xiàn)杰出的企業(yè)與團(tuán)隊(duì)，授予年度成就獎(jiǎng)項(xiàng)。

圖片來源：滁州市人民政府官網(wǎng)公示截圖

安徽珂瑪材料技術(shù)有限公司計(jì)劃在滁州市中新蘇滁高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)蘇滁現(xiàn)代工業(yè)坊陸號(hào)廠房進(jìn)行擴(kuò)建，項(xiàng)目投資6542.42萬元，環(huán)保投資20萬元。

此次擴(kuò)建項(xiàng)目將租賃蘇滁現(xiàn)代工業(yè)坊陸號(hào)廠區(qū)1號(hào)廠房，建筑面積5135平方米，購置碳化硅高溫?zé)Y(jié)爐、碳化硅高溫滲硅爐、工藝舟開槽機(jī)、清洗及烘干設(shè)備、注漿成型生產(chǎn)線、數(shù)控磨床、數(shù)控車床、CNC加工中心等74臺(tái)套設(shè)備。項(xiàng)目新增半導(dǎo)體設(shè)備用碳化硅陶瓷部件11000件/年（約8噸/年），調(diào)漿工藝增加真空攪拌設(shè)備，使?jié){料調(diào)配更加均勻，進(jìn)一步提高產(chǎn)品質(zhì)量。

公開資料顯示，安徽珂瑪材料技術(shù)有限公司是蘇州珂瑪材料科技股份有限公司的子公司，成立于2022年11月，主要從事碳化硅晶舟、碳化硅爐管等高精密陶瓷部件以及各種專業(yè)設(shè)備的設(shè)計(jì)制造。

2023年，企業(yè)申報(bào)“高端裝備用先進(jìn)陶瓷材料和部件生產(chǎn)項(xiàng)目”，于2023年6月2日取得中新蘇滁高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)建設(shè)房產(chǎn)環(huán)保局批復(fù)。該項(xiàng)目總投資12000萬元，租用蘇滁現(xiàn)代工業(yè)坊陸號(hào)廠區(qū)6號(hào)廠房，購置燒結(jié)爐、滲硅爐、造粒機(jī)、注漿機(jī)、擠出機(jī)、干燥機(jī)等設(shè)備，建設(shè)碳化硅陶瓷生產(chǎn)線。

項(xiàng)目建成后可年產(chǎn)290噸機(jī)械設(shè)備換熱防腐部件和10噸半導(dǎo)體設(shè)備用碳化硅陶瓷部件。目前，年產(chǎn)180噸機(jī)械設(shè)備換熱防腐部件和8噸半導(dǎo)體設(shè)備用碳化硅陶瓷部件生產(chǎn)裝置已建成，于2024年10月19日通過自主驗(yàn)收并完成排污許可登記。由于6號(hào)廠房空間限制，剩余110噸機(jī)械設(shè)備換熱防腐部件和2噸半導(dǎo)體設(shè)備用碳化硅陶瓷部件生產(chǎn)線不再建設(shè)。

此次擴(kuò)建項(xiàng)目將進(jìn)一步提升安徽珂瑪在半導(dǎo)體設(shè)備用碳化硅陶瓷部件領(lǐng)域的生產(chǎn)能力，滿足市場(chǎng)對(duì)高精密陶瓷部件的不斷增長(zhǎng)需求，推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

在技術(shù)層面，珂瑪科技近年來取得了顯著進(jìn)展。其超高純碳化硅套件產(chǎn)品純度高達(dá)99.99%，缺陷密度控制在每平方厘米不超過1個(gè)，技術(shù)指標(biāo)達(dá)到國內(nèi)領(lǐng)先水平。目前，6英寸產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，并向北方華創(chuàng)等頭部客戶穩(wěn)定供貨；8英寸產(chǎn)品在客戶端的驗(yàn)證工作基本完成，正在推進(jìn)Fab端的量產(chǎn)應(yīng)用；12英寸部件，如晶舟和隔熱片，也已進(jìn)入設(shè)備驗(yàn)證階段。

此外，7月22日，珂瑪科技擬以1.02億元現(xiàn)金收購蘇州鎧欣73%的股權(quán)。蘇州鎧欣在CVD碳化硅陶瓷零部件領(lǐng)域技術(shù)深厚，其產(chǎn)品已在Si外延、SiC外延、GaN外延等多個(gè)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)規(guī)模化應(yīng)用，碳化硅刻蝕環(huán)、碳化硅噴淋頭、12英寸Si外延用碳化硅涂層石墨基座等先進(jìn)產(chǎn)品的開發(fā)也取得了良好進(jìn)展。

圖片來源：珂瑪科技公告截圖

同時(shí)，珂瑪科技位于江蘇蘇州的先進(jìn)材料生產(chǎn)基地已正式投產(chǎn)，重點(diǎn)布局陶瓷加熱器、靜電卡盤及超高純碳化硅套件等“結(jié)構(gòu)-功能”一體化模塊產(chǎn)品。在市場(chǎng)方面，珂瑪科技同樣表現(xiàn)強(qiáng)勁。2025年上半年，公司營業(yè)總收入達(dá)到5.2億元，同比增長(zhǎng)35.34%；歸母凈利潤(rùn)為1.72億元，同比增長(zhǎng)23.52%。在全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)復(fù)蘇的背景下，公司來自國內(nèi)外頭部半導(dǎo)體設(shè)備廠商的訂單持續(xù)增加。

（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）

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近期，國內(nèi)氧化鎵領(lǐng)域頻頻傳出重大進(jìn)展。

富加鎵業(yè)突破6英寸VB法氧化鎵單晶制備技術(shù)

9月15日，杭州富加鎵業(yè)科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱富加鎵業(yè)）宣布在氧化鎵晶體生長(zhǎng)領(lǐng)域取得重大突破——利用垂直布里奇曼法（VB法）在國內(nèi)首次成功制備出6英寸氧化鎵單晶晶錠，晶體等徑高度達(dá)30mm，為功率器件所需導(dǎo)電性材料，可滿足完整6英寸氧化鎵導(dǎo)電型襯底的加工需求。

圖片來源：杭州富加鎵業(yè)科技有限公司

圖為6英寸VB法氧化鎵單晶錠

此前2024年12月，富加鎵業(yè)率先在國內(nèi)實(shí)現(xiàn)4英寸VB法氧化鎵晶體制備，此次6英寸單晶的突破，實(shí)現(xiàn)晶體尺寸上的跨越式升級(jí)。

迄今為止，富加鎵業(yè)進(jìn)行了多輪次2-6英寸VB法氧化鎵晶體生長(zhǎng)，不斷升級(jí)裝備性能，驗(yàn)證生長(zhǎng)裝備穩(wěn)定性。該公司已推出擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的VB法氧化鎵晶體生長(zhǎng)設(shè)備及配套生長(zhǎng)工藝包，加速氧化鎵領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)生態(tài)構(gòu)建，推動(dòng)氧化鎵半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展。

未來，富加鎵業(yè)將繼續(xù)秉持創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)發(fā)展和繁榮氧化鎵行業(yè)的理念，積極聯(lián)合高校、科研院所及產(chǎn)業(yè)鏈上下游單位，不斷提升裝備與工藝技術(shù)水平，共同推進(jìn)氧化鎵材料的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。

蘇州納米所納米加工平臺(tái)在β-Ga?O? 垂直功率器件方面取得進(jìn)展

近日，中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所納米加工平臺(tái)在氧化鎵（β-Ga?O?）功率器件領(lǐng)域取得兩項(xiàng)重要突破：首次基于納米加工平臺(tái)開發(fā)工藝制備了多鰭通道歐姆接觸陽極β-Ga?O?二極管（MFCD），實(shí)現(xiàn)超低漏電的千伏級(jí)擊穿電壓；同時(shí)研制出高性能增強(qiáng)型垂直β-Ga?O?多鰭晶體管，創(chuàng)下4.3mΩ·cm2最低比導(dǎo)通電阻紀(jì)錄。兩項(xiàng)成果可為高溫高壓應(yīng)用場(chǎng)景提供全新的解決方案。

1、多鰭通道二極管——打破傳統(tǒng)垂直結(jié)構(gòu)限制

圖片來源：中國科學(xué)院蘇州納米所? 圖(a) 多鰭通道β-Ga?O?二極管的示意圖，(b) 器件的關(guān)鍵工藝步驟，(c)鰭干法蝕刻后的掃描電子顯微鏡（SEM）圖像， (d) 鰭寬400 nm二極管 SEM橫截面圖像

該器件通過獨(dú)創(chuàng)的歐姆接觸陽極設(shè)計(jì)替代傳統(tǒng)肖特基結(jié)構(gòu)，結(jié)合亞微米鰭溝道引發(fā)的側(cè)壁自耗盡效應(yīng)，成功解決了寬禁帶半導(dǎo)體器件在高電場(chǎng)下的漏電失控難題。在無任何場(chǎng)板或鈍化層輔助的情況下，0.1μm窄鰭器件展現(xiàn)出1148V擊穿電壓，反向漏電流穩(wěn)定維持在1μA/cm2的商用水平，且在150℃高溫環(huán)境下未出現(xiàn)性能衰減。歐姆接觸的引入使比導(dǎo)通電阻降至7mΩ·cm2，較同類溝槽肖特基二極管降低35%，這一突破性進(jìn)展可為光伏逆變器、電動(dòng)汽車快充樁等高壓場(chǎng)景提供全新的解決方案。

圖片來源：中國科學(xué)院蘇州納米所 圖(a) 垂直二極管的漏電流與擊穿電壓基準(zhǔn)性能對(duì)比，(b) 本工作中β-Ga?O?垂直二極管和溝槽SBD的導(dǎo)通電阻與擊穿電壓基準(zhǔn)性能對(duì)比，以及文獻(xiàn)中報(bào)道的結(jié)果對(duì)比

該成果以Kilovolt-Class β-Ga?O??Multi-Fin-Channel Diodes with Ohmic-Contact Anode為題發(fā)表在功率電子器件領(lǐng)域國際頂級(jí)會(huì)議IEEE 37th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs 2025，第一作者為中國科學(xué)院蘇州納米所郭高甫和張曉東，通訊作者為張寶順研究員和河南師范大學(xué)戴憲起教授。

2、增強(qiáng)型垂直晶體管——破解”常開”難題

圖(a) 多鰭通道 β-Ga?O??FinFET示意圖，（b）鰭寬300 nm二極管 SEM 橫截面圖像

針對(duì)氧化鎵材料缺乏p型摻雜的核心瓶頸，研究團(tuán)隊(duì)同步研發(fā)出國際領(lǐng)先的增強(qiáng)型垂直多鰭晶體管。通過雙柵極鰭形溝道幾何限域技術(shù)，無需依賴p型層即實(shí)現(xiàn)可靠常關(guān)特性，其閾值電壓達(dá)0.87V，開關(guān)比突破7×10?。創(chuàng)新地采用電子束光刻與非金屬掩?？涛g工藝，實(shí)現(xiàn)350nm鰭寬精度控制，配合雙自對(duì)準(zhǔn)平面化技術(shù)精準(zhǔn)構(gòu)筑源漏接觸區(qū)。

最終器件在10V工作電壓下輸出760A/cm2的超高電流密度，比導(dǎo)通電阻僅4.3mΩ·cm2，同時(shí)維持975V擊穿電壓與0.22GW/cm2的優(yōu)異功率品質(zhì)因數(shù)（PFOM），為數(shù)據(jù)中心電源及工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片國產(chǎn)化奠定關(guān)鍵技術(shù)基礎(chǔ)。

圖片來源：中國科學(xué)院蘇州納米所 圖為最新垂直β-Ga?O??MOSFET器件的Vbr與R(on,sp)性能對(duì)比圖

該成果以975V/4.3mΩ·cm2?Enhancement-mode (001) β-Ga?O??Vertical Multi-fin Power Transistors為題發(fā)表在半導(dǎo)體領(lǐng)域國際會(huì)議9th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing 2025，第一作者為中國科學(xué)院蘇州納米所郭高甫，通訊作者為張寶順研究員和河南師范大學(xué)戴憲起教授。

氧化鎵與“導(dǎo)熱王者”金剛石成功“牽手”

中國科學(xué)報(bào)消息，中國科學(xué)院院士、西安電子科技大學(xué)教授郝躍團(tuán)隊(duì)的教授張進(jìn)成、寧靜巧妙引入石墨烯作為“翻譯官”，讓氧化鎵與“導(dǎo)熱王者”金剛石成功“牽手”，解決了散熱難題，讓芯片從此“冷靜”工作。相關(guān)研究成果近日發(fā)表于《自然-通訊》。

圖片來源：《自然-通訊》文章截圖

氧化鎵雖然應(yīng)用前景廣闊，但其存在散熱性差這一痛點(diǎn)。據(jù)悉，氧化鎵的導(dǎo)熱能力只有硅材料的1/5，容易導(dǎo)致器件損壞、性能下降。為給氧化鎵“降溫”，研究團(tuán)隊(duì)起初想到了導(dǎo)熱性能極好的金剛石，但單晶金剛石尺寸小、價(jià)格昂貴，難以大規(guī)模使用。于是團(tuán)隊(duì)轉(zhuǎn)向成本更低的“多晶金剛石”，但在多晶上生長(zhǎng)氧化鎵薄膜時(shí)，材料會(huì)“亂長(zhǎng)”（晶向紊亂），產(chǎn)生裂縫和應(yīng)力，散熱效果大打折扣。

最后，團(tuán)隊(duì)引入“石墨烯”作為中間緩沖層，它解決了兩種材料之間的“溝通障礙”，屏蔽了多晶襯底的粗糙影響，使得氧化鎵薄膜能夠平整又高質(zhì)量地生長(zhǎng)在多晶金剛石上。團(tuán)隊(duì)還通過“氧-晶格協(xié)同調(diào)控”技術(shù)，即精細(xì)控制氧氣和原子排列，實(shí)現(xiàn)了高質(zhì)量氧化鎵薄膜的穩(wěn)定外延，從而使材料不再“亂長(zhǎng)”，熱應(yīng)力也大幅降低。

實(shí)驗(yàn)測(cè)得，氧化鎵和金剛石之間的熱阻只有2.82平方米·開爾文/吉瓦——界面熱阻大幅降低，只有傳統(tǒng)技術(shù)的1/10左右。

這項(xiàng)突破不只是實(shí)驗(yàn)室成果，還解決了氧化鎵器件的“自熱”痛點(diǎn)，讓高導(dǎo)熱金剛石和氧化鎵高效“聯(lián)姻”，為解決氧化鎵器件發(fā)熱問題提供了全新思路，也為未來高性能、高可靠性電子器件的發(fā)展奠定了基礎(chǔ)。

它釋放了界面熱應(yīng)力，讓熱量高效傳遞。實(shí)驗(yàn)測(cè)得，氧化鎵和金剛石之間的熱阻只有2.82平方米·開爾文/吉瓦——界面熱阻大幅降低，只有傳統(tǒng)技術(shù)的1/10左右。”

（集邦化合物半導(dǎo)體 秦妍 整理）

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全球半導(dǎo)體市場(chǎng)挑戰(zhàn)與機(jī)遇并存，第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，受益于全球新能源汽車、光伏儲(chǔ)能、軌道交通等應(yīng)用需求爆發(fā)，產(chǎn)業(yè)賽道正持續(xù)升溫，吸引國內(nèi)廠商持續(xù)布局碳化硅、氮化鎵。同時(shí)，廠商積極瞄準(zhǔn)關(guān)鍵技術(shù)突破與量產(chǎn)，并不斷拓寬三代半的應(yīng)用范圍。本次展會(huì)上，多家三代半相關(guān)材料、設(shè)備、代工等廠商展出了最新技術(shù)成果，國產(chǎn)“芯”實(shí)力進(jìn)一步凸顯。

天科合達(dá)展示光波導(dǎo)型碳化硅襯底等產(chǎn)品

source：集邦化合物半導(dǎo)體拍攝

天科合達(dá)主要從事第三代半導(dǎo)體碳化硅單晶襯底及相關(guān)產(chǎn)品研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，會(huì)上，該公司重點(diǎn)展示了8英寸光波導(dǎo)型碳化硅襯底、12英寸熱沉級(jí)碳化硅襯底以及液相法P型6英寸襯底三款產(chǎn)品。

其中，光波導(dǎo)型碳化硅襯底厚度為350/500/700μm，透光率>95%（鍍?cè)鐾改ず螅凵渎蕿?.7（450nm波長(zhǎng)下），能助力解決傳統(tǒng)AR眼鏡視場(chǎng)角窄、彩虹紋及散熱等難題。今年2月，天科合達(dá)與慕德微納簽署投資合同，天科合達(dá)將為慕德微納提供滿足AR衍射光波導(dǎo)需求的高質(zhì)量碳化硅襯底產(chǎn)品。

此外，天科合達(dá)開發(fā)出適配8-12英寸晶體的單晶生長(zhǎng)爐，為12英寸產(chǎn)品的量產(chǎn)提供有力保障。天科合達(dá)于今年年初推出的液相法P型6英寸襯底產(chǎn)品，目前正在積極推進(jìn)客戶端的驗(yàn)證工作，為規(guī)?；瘧?yīng)用奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

天岳先進(jìn)全面進(jìn)軍12英寸新時(shí)代

source：集邦化合物半導(dǎo)體拍攝

SEMICON China 2025期間，天岳先進(jìn)重磅發(fā)布全尺寸產(chǎn)品矩陣 —— 6英寸/8英寸/12英寸全系列碳化硅襯底集體亮相，包含12英寸高純半絕緣型碳化硅襯底、12英寸導(dǎo)電P型及12英寸導(dǎo)電N型碳化硅襯底。

稍早之前的亞洲化合物半導(dǎo)體大會(huì)上，天岳先進(jìn)分享了超大尺寸襯底量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)、液相法制備工藝等前沿成果，與全球產(chǎn)業(yè)鏈上下游共議碳化硅技術(shù)趨勢(shì)。

12英寸產(chǎn)品，在產(chǎn)品面積上較8英寸持續(xù)擴(kuò)大，單片晶圓芯片產(chǎn)出量躍升2.5倍，尺寸擴(kuò)大有效降低單位成本，是行業(yè)發(fā)展的必然趨勢(shì)。天岳先進(jìn)認(rèn)為，碳化硅行業(yè)已經(jīng)正式邁入“12英寸時(shí)代”，2025年將是大尺寸技術(shù)突破元年。

應(yīng)用領(lǐng)域方面，天岳先進(jìn)表示碳化硅產(chǎn)品的技術(shù)裂變也將助力新能源汽車、光伏儲(chǔ)能、智能電網(wǎng)、5G基站等多種高壓應(yīng)用場(chǎng)景，催生AR眼鏡、衛(wèi)星通信及低空經(jīng)濟(jì)等多重新興領(lǐng)域蓬勃發(fā)展，助力萬物互聯(lián)時(shí)代的算力革命。

漢高推出多款前沿產(chǎn)品

source：集邦化合物半導(dǎo)體拍攝

漢高粘合劑電子事業(yè)部攜多款前沿產(chǎn)品與解決方案亮相SEMICON China 2025，聚焦先進(jìn)封裝、車規(guī)級(jí)應(yīng)用及綠色可持續(xù)發(fā)展領(lǐng)域，從而助力半導(dǎo)體行業(yè)在AI時(shí)代更好地打造新質(zhì)生產(chǎn)力。

面對(duì)大算力芯片對(duì)先進(jìn)封裝材料的要求，漢高推出了一款低應(yīng)力、超低翹曲的液態(tài)壓縮成型封裝材料LOCTITE?ECCOBOND LCM 1000AG-1，適用于晶圓級(jí)封裝（WLP）和扇出型晶圓級(jí)封裝（FO-WLP），為人工智能時(shí)代的“芯”動(dòng)力提供保障。同時(shí)，漢高基于創(chuàng)新技術(shù)的液體模塑底部填充膠能夠通過合并底部填封和包封步驟，成功實(shí)現(xiàn)了工藝簡(jiǎn)化，有效提升封裝的效率和可靠性。

漢高針對(duì)先進(jìn)制程的芯片推出了應(yīng)用于系統(tǒng)級(jí)芯片的毛細(xì)底部填充膠，通過優(yōu)化高流變性能，實(shí)現(xiàn)了均勻流動(dòng)性、精準(zhǔn)沉積效果與快速填充的平衡，其卓越的噴射穩(wěn)定性和凸點(diǎn)保護(hù)功能可有效降低芯片封裝應(yīng)力損傷。此外，該系列產(chǎn)品在復(fù)雜的生產(chǎn)環(huán)境中能夠保障可靠性與工藝靈活性，有效幫助客戶提高生產(chǎn)效率，節(jié)約成本。

車規(guī)級(jí)領(lǐng)域，漢高用于芯片粘接的LOCTITE?ABLESTIK ABP 6395TC基于專利環(huán)氧化學(xué)技術(shù)，專為高可靠性、高導(dǎo)熱或?qū)щ娦枨蟮姆庋b場(chǎng)景設(shè)計(jì)，適配多種主流封裝形式，可廣泛應(yīng)用于功率器件、汽車電子及工業(yè)控制等領(lǐng)域。LOCTITE?ABLESTIK ABP 8068TH基于無壓銀燒結(jié)技術(shù)，其具備的優(yōu)異流變特性確保了點(diǎn)膠穩(wěn)定性與彎曲針頭的兼容性，低應(yīng)力、強(qiáng)附著力以及固化后的高導(dǎo)熱率，使其成為適配高導(dǎo)熱或?qū)щ娦枨蟀雽?dǎo)體封裝的理想選擇。此外，漢高還展示了其基于銀和銅燒結(jié)的有壓燒結(jié)解決方案，以全面的產(chǎn)品組合護(hù)航汽車半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展。

Tokyo Electron（TEL）展出創(chuàng)新設(shè)備

source：集邦化合物半導(dǎo)體拍攝

TEL全方位展示了面向FEOL、BEOL和圖案化的設(shè)備組合方案，創(chuàng)新型設(shè)備首次亮相，包括激光玻璃設(shè)備Ulucus?LX與濺射設(shè)備LEXIA?-EX。

與此同時(shí)，TEL還對(duì)外介紹了自身設(shè)備領(lǐng)域地位以及業(yè)績(jī)情況。

TEL是全球唯一一家可以提供半導(dǎo)體圖案化加工中必不可少的四個(gè)連續(xù)關(guān)鍵工藝所需設(shè)備的公司，這四個(gè)連續(xù)關(guān)鍵工藝分別是，沉積、光刻、刻蝕和清洗；產(chǎn)品陣容豐富，核心產(chǎn)品涂膠顯影、清洗、等離子刻蝕、氣體化學(xué)刻蝕、熱處理成膜、批處理沉積、金屬沉積、探針設(shè)備等產(chǎn)品在全球名列前茅；TEL用于EUVL曝光工序的涂膠顯影設(shè)備擁有100%的市場(chǎng)份額。全球設(shè)備出貨數(shù)量第一。

2025財(cái)年TEL集團(tuán)營收預(yù)計(jì)將達(dá)歷史新高的2.4萬億日元，其中AI相關(guān)的銷售額將超過6000億日元，在中國大陸營收占比接近45%；未來，在AI相關(guān)先進(jìn)設(shè)備的需求帶動(dòng)下，TEL的營收目標(biāo)是在2027財(cái)年達(dá)到集團(tuán)中長(zhǎng)期目標(biāo)的3萬億日元。

天域半導(dǎo)體展出高品質(zhì)8英寸碳化硅外延晶片

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天域半導(dǎo)體主要從事各類碳化硅外延片的設(shè)計(jì)、研發(fā)及制造，產(chǎn)品主要應(yīng)用于電動(dòng)汽車、光伏、儲(chǔ)能、鐵路等領(lǐng)域。

本次展會(huì)，天域半導(dǎo)體展出了高品質(zhì)8英寸碳化硅外延晶片，展示了該公司在碳化硅半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的技術(shù)水平和創(chuàng)新實(shí)力，以及在市場(chǎng)應(yīng)用等方面的卓越表現(xiàn)。

2024年末，天域半導(dǎo)體遞表港交所，尋求赴港上市。據(jù)悉，此次IPO，擬將所得資金用于擴(kuò)張產(chǎn)能、提升研發(fā)與創(chuàng)新能力、戰(zhàn)略投資/收購、以及擴(kuò)展市場(chǎng)等方面。隨著國內(nèi)第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)需求的快速增長(zhǎng)，天域半導(dǎo)體頻繁受到資本青睞，已經(jīng)完成多輪融資，投資方包括比亞迪、上汽尚頎、海爾資本等。

中機(jī)新材主推3款產(chǎn)品

source：集邦化合物半導(dǎo)體拍攝

中機(jī)新材專注于高性能研磨拋光材料基礎(chǔ)研發(fā)與應(yīng)用研究，會(huì)上展出了3款自主研發(fā)的主推產(chǎn)品——團(tuán)聚金剛石研磨液、二氧化硅精拋液、金剛石減薄砂輪。

其中，團(tuán)聚金剛石研磨液采用原料自主研發(fā)，選擇優(yōu)質(zhì)金剛石原材料合成球形結(jié)構(gòu)金剛石，用于金剛石液。特殊配方、分散性好、粒度均勻、去除率高、低損傷層。產(chǎn)品研磨速率穩(wěn)定、使用率高、切削速率快、加工表面一致性好。

二氧化硅精拋液，該產(chǎn)品采用高純度硅溶膠為主要原料，氧化硅粒徑分布均勻，懸浮體系穩(wěn)定，分散性好。適用于SiC精拋、藍(lán)寶石精拋、陶瓷精拋、鋁合金精拋、不銹鋼精拋的拋光工序。

金剛石減薄砂輪——使用日本住友工藝，可以做到其他金剛石磨料無法達(dá)到的表面質(zhì)量；金剛石砂輪硬度高、強(qiáng)度大、研削能力強(qiáng)。主要用于研削硬質(zhì)合金、非金屬材料等硬脆材料，尤其是碳化硅、單晶硅、藍(lán)寶石襯底材質(zhì)等。

萬業(yè)企業(yè)旗下凱世通展示全系列集成電路離子注入機(jī)產(chǎn)品矩陣

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本屆SEMICON China展會(huì)現(xiàn)場(chǎng)，萬業(yè)企業(yè)旗下凱世通帶來了全系列集成電路離子注入機(jī)產(chǎn)品矩陣。通過長(zhǎng)期的技術(shù)攻關(guān)與量產(chǎn)應(yīng)用，凱世通離子注入機(jī)在離子源、光路系統(tǒng)、晶圓傳送、顆粒污染物控制、軟件自動(dòng)化等關(guān)鍵技術(shù)方面進(jìn)行了持續(xù)升級(jí)迭代，關(guān)鍵性能指標(biāo)持續(xù)改進(jìn)，獲得了晶圓廠客戶的廣泛認(rèn)可。

自2020年首臺(tái)訂單突破以來，凱世通累計(jì)收獲12英寸集成電路離子注入機(jī)設(shè)備訂單近60臺(tái)，訂單總金額超14億，其中50%以上為重復(fù)訂單，完成產(chǎn)線交付超40臺(tái)并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，服務(wù)了十余家重點(diǎn)芯片制造企業(yè)與國家工程。

先導(dǎo)科技集團(tuán)董事長(zhǎng)、萬業(yè)企業(yè)董事長(zhǎng)兼總裁、凱世通董事長(zhǎng)朱世會(huì)先生受邀出席大會(huì)開幕式，共話凱世通聚焦高端半導(dǎo)體裝備離子注入機(jī)的技術(shù)創(chuàng)新與發(fā)展戰(zhàn)略，以及在控股股東先導(dǎo)科技集團(tuán)的賦能下，萬業(yè)企業(yè)未來業(yè)務(wù)的協(xié)同發(fā)展方向。

朱世會(huì)先生表示，先導(dǎo)科技集團(tuán)歷經(jīng)30年發(fā)展，在材料科技、光電子、微電子、零部件、芯片設(shè)計(jì)和軟件算法等多個(gè)技術(shù)領(lǐng)域形成全產(chǎn)業(yè)鏈平臺(tái)優(yōu)勢(shì)，依托不斷深化客戶合作開發(fā)、完善的供應(yīng)鏈體系以及強(qiáng)大的零部件自主研發(fā)能力，將積極賦能萬業(yè)企業(yè)和旗下的凱世通在國產(chǎn)集成電路離子注入機(jī)技術(shù)研發(fā)與生產(chǎn)制造，不斷夯實(shí)零部件供應(yīng)鏈基礎(chǔ)，為國內(nèi)集成電路客戶高質(zhì)量發(fā)展貢獻(xiàn)更多卓越的解決方案。

晶盛機(jī)電半導(dǎo)體裝備全鏈布局

source：晶盛

晶盛機(jī)電展示了全面升級(jí)的大硅片拋光裝備、面向先進(jìn)制程的薄膜沉積裝備、全系列精密減薄裝備、化合物半導(dǎo)體全系列工藝裝備和高精度量測(cè)裝備等解決方案。

以12英寸外延爐為首的薄膜沉積裝備，采用差異化的技術(shù)路線與不斷創(chuàng)新迭代的產(chǎn)品思維，為不同終端客戶提供國產(chǎn)化解決方案，產(chǎn)品指標(biāo)達(dá)國際先進(jìn)水平；以12英寸減薄拋光機(jī)領(lǐng)銜的先進(jìn)封裝設(shè)備，實(shí)現(xiàn)30um超薄晶圓與5mm大翹曲晶圓穩(wěn)定加工，為高集成、低功耗的芯片制造提供全新的工藝路徑

其中，在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，晶盛機(jī)電8英寸SiC中束流離子注入機(jī)，可實(shí)現(xiàn)晶格損傷實(shí)時(shí)修復(fù)與摻雜劑高效激活；8英寸立式SiC氧化爐、激活爐，超高的均勻性控制技術(shù)，已實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn)。此外，升級(jí)后的SiC晶圓量測(cè)設(shè)備及SiC晶圓表面激光退火設(shè)備，為碳化硅功率器件的效率提升與成本控制開辟了新路徑。

納設(shè)智能展示8英寸碳化硅外延設(shè)備

source：集邦化合物半導(dǎo)體拍攝

納設(shè)智能主要從事第三代半導(dǎo)體碳化硅、新型光伏材料、納米材料等先進(jìn)材料領(lǐng)域所需的薄膜沉積設(shè)備等高端設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，該公司專注于工藝指標(biāo)、耗材成本、維護(hù)效率等方面的持續(xù)優(yōu)化改進(jìn)。

會(huì)上，納設(shè)智能展示了8英寸碳化硅外延設(shè)備，該設(shè)備獨(dú)創(chuàng)的反應(yīng)腔室設(shè)計(jì)配備可獨(dú)立控制的多區(qū)進(jìn)氣系統(tǒng)，在厚度均勻性、濃度均勻性、缺陷密度等工藝指標(biāo)上均達(dá)到行業(yè)先進(jìn)水平。

順應(yīng)市場(chǎng)降本增效的需求，納設(shè)智能8英寸碳化硅外延設(shè)備還做到了低成本易維護(hù)，在控制成本的同時(shí)提供規(guī)?；a(chǎn)能力。

芯三代展示大規(guī)模量產(chǎn)型碳化硅/氮化鎵外延生長(zhǎng)設(shè)備

source：集邦化合物半導(dǎo)體拍攝

芯三代公司聚焦碳化硅、氮化鎵等第三代半導(dǎo)體外延設(shè)備研發(fā)、制造、銷售和服務(wù)，未來將擴(kuò)展多種半導(dǎo)體設(shè)備。

本次展會(huì)上，芯三代對(duì)外展示了大規(guī)模量產(chǎn)型碳化硅外延生長(zhǎng)設(shè)備（垂直氣流SiC-CVD）：SICCESS系列單雙腔垂直流設(shè)備，產(chǎn)能大于等于1100片/月（雙腔），通過工藝優(yōu)化可以超過1200片/月，外延規(guī)格為8吋（兼容6吋），多區(qū)控溫，并在CoO成本、長(zhǎng)時(shí)間多爐數(shù)連續(xù)自動(dòng)生長(zhǎng)控制、低缺陷率等方面具備優(yōu)勢(shì)。

此外，芯三代氮化鎵外延生長(zhǎng)設(shè)備（GaN-CVD）SiCCESS系列雙腔設(shè)備同樣具備高產(chǎn)能、兼容8吋/6吋特點(diǎn)，同時(shí)還具有高外延均勻性、低外延缺陷等特性。

青禾晶元展示C2W&W2W雙?；旌湘I合設(shè)備

source：集邦化合物半導(dǎo)體拍攝

本次展會(huì)上，青禾晶元展示了其最新發(fā)布的C2W&W2W雙模混合鍵合設(shè)備：SAB 82CWW系列，可應(yīng)用于存儲(chǔ)器、Micro-LED顯示、CMOS圖像傳感器、光電集成等多個(gè)領(lǐng)域。

該設(shè)備采用了全球先進(jìn)的一體化設(shè)備架構(gòu)，將C2W和W2W兩種技術(shù)路線結(jié)合。這不僅提高了設(shè)備的通用性和靈活性，還為客戶提供了更大的選擇空間，滿足了不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。

青禾晶元介紹，SAB 82CWW系列通過鍵合方式創(chuàng)新，最大程度的減少顆粒污染的風(fēng)險(xiǎn)，實(shí)現(xiàn)高良率鍵合；可兼容8寸和12寸晶圓；能夠處理厚度最薄至35μm的超薄芯片，同時(shí)具備全尺寸兼容性；配備高精度高通量檢測(cè)模塊和內(nèi)置算法，實(shí)現(xiàn)負(fù)反饋偏移補(bǔ)償，確保鍵合精度的穩(wěn)定性和一致性。

山西天成提供6-12吋量產(chǎn)服務(wù)

source：集邦化合物半導(dǎo)體拍攝

山西天成主要展出碳化硅單晶量產(chǎn)過程涉及到的設(shè)備，粉料，籽晶，熱場(chǎng)，工藝等配套產(chǎn)品及服務(wù)，可為客戶提供6-12吋導(dǎo)電/半絕緣/光學(xué)鏡片的一站式量產(chǎn)服務(wù)。

山西天成業(yè)務(wù)聚焦碳化硅晶片的生產(chǎn)和長(zhǎng)晶裝備制造，具備完整的自主研發(fā)能力，從設(shè)備研制、粉料、籽晶、熱場(chǎng)設(shè)計(jì)到襯底制備全鏈條自主可控。

該公司現(xiàn)已完成6、8、12英寸碳化硅單晶襯底技術(shù)攻關(guān)，并掌握碳化硅生長(zhǎng)裝備制造、碳化硅粉料制備，導(dǎo)電型及高純半絕緣碳化硅單晶襯底制備工藝，擁有碳化硅裝備制造、粉料制備、單晶生長(zhǎng)、晶片加工等整套生產(chǎn)線。

新微半導(dǎo)體展出氮化鎵功率代工工藝平臺(tái)

source：集邦化合物半導(dǎo)體拍攝

作為化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域代工企業(yè)，新微半導(dǎo)體在本次展會(huì)上重點(diǎn)展示了其覆蓋低壓（30V-40V）、中壓（80V-200V）和高壓（650V-900V）的氮化鎵功率代工工藝平臺(tái)和解決方案。這些先進(jìn)的技術(shù)和工藝能力，能夠?yàn)榭蛻籼峁└咝А⒏煽亢透?jié)能的功率代工平臺(tái)。

此外，新微半導(dǎo)體還展示了其在3/4吋磷化銦（InP）與4/6吋砷化鎵（GaAs）材料的全系列光電工藝解決方案，進(jìn)一步彰顯其在化合物半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力。

稍早之前，新微半導(dǎo)體正式推出650V硅基氮化鎵增強(qiáng)型（E-mode）功率工藝代工平臺(tái)，憑借高頻運(yùn)行效率、超低柵極電荷及低導(dǎo)通電阻等卓越特性，為新一代高速、高效功率器件應(yīng)用提供解決方案，可廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)自動(dòng)化、數(shù)據(jù)中心及新能源汽車等領(lǐng)域。

2025年9月4日至6日，第十三屆半導(dǎo)體設(shè)備與核心部件及材料展（CSEAC 2025）將在無錫太湖國際博覽中心隆重召開。 6萬平方，五大展區(qū)，七館聯(lián)動(dòng)1130家展商，CSEAC匯聚國內(nèi)外知名企業(yè)，同期20+專業(yè)論壇、多場(chǎng)圓桌對(duì)話、上下游企業(yè)對(duì)接、新品發(fā)布，30所高校、100多家展商校企互動(dòng)，更完整呈現(xiàn)半導(dǎo)體行業(yè)最新動(dòng)態(tài)，更及時(shí)把握當(dāng)下行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)，更好應(yīng)對(duì)未來的挑戰(zhàn)并把握新機(jī)遇！

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CSEAC 2025 主論壇

2025中國電子專用設(shè)備工業(yè)協(xié)會(huì)

半導(dǎo)體設(shè)備年會(huì)

時(shí)間：9月4日 14:00-17:45

地點(diǎn)：無錫太湖國際博覽中心A4館

 

AI影片發(fā)布

首部“中國芯”AI影片

9月4日 全球首發(fā)

（將在CSEAC主論壇開幕式進(jìn)行首映）

影片海報(bào)

人工智能（AI ）正在重塑世界，重塑各個(gè)行業(yè)，重塑你我他；AI是全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)邁入萬億規(guī)模的源動(dòng)力，在我們走向AI時(shí)代的當(dāng)下，CSEAC踐行著“做強(qiáng)中國芯，擁抱芯世界”的承諾——推出首部中國芯AI影片，通過中國芯的昨天、今天、明天的感人故事，講述了中國半導(dǎo)體人百折不撓終將“擁抱芯世界”！

同期技術(shù)研討會(huì)

2025風(fēng)米IC精英大講堂

時(shí)間：9月4日 09:00-17:00

地點(diǎn)：無錫君來世尊酒店–蘭花廳

專題論壇一

2025半導(dǎo)體制造設(shè)備與核心部件董事長(zhǎng)論壇

時(shí)間：9月4日 09:30-17:00

地點(diǎn)：無錫太湖國際博覽中心A1館

議程更新中，即將公布，敬請(qǐng)期待

專題論壇二

制造工藝與半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)鏈聯(lián)動(dòng)發(fā)展論壇

時(shí)間：9月4-5日 09:30-12:00

地點(diǎn)：無錫太湖國際博覽中心A3館

 

專題論壇三

半導(dǎo)體制造與材料董事長(zhǎng)論壇

時(shí)間：9月4日 13:30-17:00

地點(diǎn)：無錫太湖國際博覽中心A3館

議程更新中，即將公布，敬請(qǐng)期待

 

專題論壇四

智感芯未來—半導(dǎo)體設(shè)備高精傳感技術(shù)協(xié)同創(chuàng)新發(fā)展論壇

時(shí)間：9月4日 9:30-12:00

地點(diǎn)：無錫太湖國際博覽中心A5館

專題論壇五

半導(dǎo)體設(shè)備儀器賦能科研教學(xué)發(fā)展論壇

時(shí)間：9月4日 13:30-17:00

地點(diǎn)：無錫太湖國際博覽中心A5館

專題論壇六

功率及化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇

時(shí)間：9月4日 09:30-16:30

地點(diǎn)：無錫太湖國際博覽中心A6館

專題論壇七

全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈合作論壇

時(shí)間：9月4日 09:30-17:00

地點(diǎn)：無錫太湖國際博覽中心B3館

專題論壇八

半導(dǎo)體設(shè)備與核心部件配套新進(jìn)展論壇

時(shí)間：9月4日 09:30-17:00

地點(diǎn)：無錫太湖國際博覽中心B1館

專題論壇九

光電合封CPO及異質(zhì)異構(gòu)集成技術(shù)創(chuàng)新大會(huì)

時(shí)間：9月5日 09:30-16:25

地點(diǎn)：無錫太湖國際博覽中心A1館

專題論壇十

光芯片產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展論壇

時(shí)間：9月5日 09:30-16:30

地點(diǎn)：無錫太湖國際博覽中心B3館

 

專題論壇十一

新器件新工藝推動(dòng)新材料新設(shè)備創(chuàng)新發(fā)展論壇

時(shí)間：9月5日 09:30-17:30

地點(diǎn)：無錫太湖國際博覽中心A6館

 

專題論壇十二

半導(dǎo)體封測(cè)先進(jìn)工藝與配套產(chǎn)業(yè)鏈融通發(fā)展論壇

時(shí)間：9月5日 09:20-17:00

地點(diǎn)：無錫太湖國際博覽中心B1館

專題論壇十三

半導(dǎo)體量測(cè)與測(cè)試裝備創(chuàng)新發(fā)展論壇

時(shí)間：9月5日 09:20-11:40

地點(diǎn)：無錫太湖國際博覽中心A5館

專題論壇十四

半導(dǎo)體設(shè)備與核心部件投融資論壇

時(shí)間：9月5日 13:30-17:00

地點(diǎn)：無錫太湖國際博覽中心A5館

專題論壇十五

綠色廠務(wù)與ESG發(fā)展論壇

時(shí)間：9月5日 13:30-17:40

地點(diǎn)：無錫太湖國際博覽中心A3館

專題論壇十六

太陽能電池片制造裝備現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢(shì)

時(shí)間：9月6日 09:30-12:00

地點(diǎn)：無錫太湖國際博覽中心A1館

同期專題活動(dòng)

風(fēng)米人力行·產(chǎn)教芯相融

高校成果展&人才對(duì)接會(huì)&企業(yè)宣講會(huì)

時(shí)間：9月5日 09:00-16:30

9月6日 09:00-13:00

地點(diǎn)：無錫太湖國際博覽中心A4館

上下滑動(dòng)查看企業(yè)人力資源宣講會(huì)”日程

以下為人才招聘會(huì)企業(yè)名單

* 更多崗位詳情請(qǐng)至現(xiàn)場(chǎng)了解

以下為“高?？蒲谐晒埂备咝Ｔ核翱蒲袡C(jī)構(gòu)名單

9月4-6日，CSEAC 2025

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鎵未來的本輪融資資金將主要用于高壓/大功率產(chǎn)品研發(fā)、供應(yīng)鏈建設(shè)、業(yè)務(wù)拓展等方面。

鎵未來成立于2020年，總部位于廣東珠海，公司聚焦第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵（GaN-on-Si）的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，覆蓋研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)全鏈條，致力于為全球客戶提供高效、小體積、低成本的氮化鎵器件產(chǎn)品及整體解決方案。

圖片來源：鎵未來

產(chǎn)品方面，公司已成功量產(chǎn)超過40款產(chǎn)品型號(hào)，產(chǎn)品線覆蓋650V至900V的電壓范圍，支持從30W到10kW的功率應(yīng)用場(chǎng)景。鎵未來研發(fā)的2英寸氧化鎵襯底產(chǎn)品良率已達(dá)80%，處于行業(yè)領(lǐng)先水平。另外，其基于第三代芯片設(shè)計(jì)平臺(tái)的產(chǎn)品完成了可靠性驗(yàn)證，已量產(chǎn)導(dǎo)入并開始出貨，下半年還將有多個(gè)型號(hào)產(chǎn)品釋放。

據(jù)鎵未來輪值CEO張文理透露，公司預(yù)計(jì)2025年芯片銷售收入將超過1億元。

客戶方面，鎵未來的客戶已覆蓋手機(jī)、筆電、光伏微逆、戶外儲(chǔ)能、算力電源、AI超算、新能源等領(lǐng)域，包括聯(lián)想、小米、昱能等頭部客戶，陸續(xù)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)導(dǎo)入，預(yù)計(jì)今年芯片銷售收入將超過1億元。

成立5年以來，鎵未來一共經(jīng)歷了5輪融資，投資方包括順為資本、高瓴創(chuàng)投、珠海科創(chuàng)等。2021年先后獲得天使輪和A輪融資，A輪金額為數(shù)千萬元人民幣，由珠?？苿?chuàng)投領(lǐng)投，大橫琴創(chuàng)新發(fā)展有限公司、禮達(dá)基金、境成資本、世聯(lián)行跟投。2022年，鎵未來完成近1億元人民幣的A+輪融資，投資方包括順為資本、高瓴創(chuàng)投、華金資本、盈富泰克、禮達(dá)聯(lián)馬、天壹資本。2023年，鎵未來完成B輪融資，融資金額為億元人民幣，投資方為浩瀚投資、中芯科技、創(chuàng)智新能源。

據(jù)了解，鎵未來也在重點(diǎn)拓展AI、光伏、新能源汽車等應(yīng)用場(chǎng)景，同時(shí)計(jì)劃在廣東省橫琴粵澳深度合作區(qū)籌建產(chǎn)業(yè)技術(shù)研發(fā)平臺(tái)，專注于探索人工智能（AI）算力集群中電能高效轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的前沿技術(shù)。

（集邦化合物半導(dǎo)體 妮蔻 整理）

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圖片來源：大富科技公告截圖

安徽云塔是一家專注于射頻前端芯片及模組產(chǎn)品研發(fā)與銷售的高科技企業(yè)，總部位于安徽合肥高新區(qū)。公司致力于推動(dòng)射頻前端國產(chǎn)化進(jìn)程，以自主創(chuàng)新技術(shù)打破國際巨頭壟斷，為5G/6G通信、物聯(lián)網(wǎng)、車聯(lián)網(wǎng)等新興領(lǐng)域提供高性能國產(chǎn)射頻前端解決方案?；诔咝阅苄酒诫姶艦V波技術(shù)（SPD）和電磁與聲學(xué)結(jié)合的混合濾波技術(shù)（Hybrid），安徽云塔目前擁有3系列、5系列和混合系列三大產(chǎn)品系列。

大富科技是國內(nèi)領(lǐng)先的移動(dòng)通信基站射頻器件、射頻結(jié)構(gòu)件的研發(fā)、生產(chǎn)與服務(wù)提供商。此次投資是其在保持傳統(tǒng)主營移動(dòng)通信基站射頻產(chǎn)品領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)的同時(shí)，積極布局射頻前端技術(shù)以及下一代移動(dòng)通信基站射頻核心器件的重要舉措，有助于公司向 “射頻芯片+模組解決方案供應(yīng)商” 轉(zhuǎn)型，提升市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

根據(jù)公告 ，本次交易擬采用先增資擴(kuò)股后股權(quán)轉(zhuǎn)讓的交易模式，即先行與其他投資方一起對(duì)安徽云塔進(jìn)行增資，之后公司再受讓安徽云塔部分老股，本次交易的投資總額為不超過人民幣1000000萬元，其中增資金額為550000萬元，受讓老股金額為不超過450000萬元，在兩步交易實(shí)施完成后，公司最終以期持有安徽云塔不超過20%股權(quán)。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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