據(jù)悉，該項(xiàng)目位于浙江省龍游縣經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)城北片區(qū)惠商路，總投資5100余萬(wàn)元，建筑面積約25000多平方米。項(xiàng)目由龍游經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)下屬國(guó)資公司代建，主體建筑由廠房、綜合樓、門(mén)衛(wèi)、材料庫(kù)及室外附屬配套組成，建筑層數(shù)共計(jì)5層。

該項(xiàng)目的竣工標(biāo)志著龍游縣在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域邁出了堅(jiān)實(shí)的一步，也為國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展注入了新的活力。

據(jù)悉，芯盟項(xiàng)目涵蓋IGBT芯片、IGBT大功率模塊和分立器件的生產(chǎn)，并積極拓展碳化硅功率器件領(lǐng)域。項(xiàng)目建成后，預(yù)計(jì)年產(chǎn)300萬(wàn)只高等級(jí)功率半導(dǎo)體模塊。這將顯著提升我國(guó)在高等級(jí)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的研發(fā)與生產(chǎn)能力，進(jìn)一步推動(dòng)國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體的發(fā)展。

該項(xiàng)目建成后將全面提升園區(qū)的整體工藝技術(shù)、產(chǎn)業(yè)鏈等多方面能力，進(jìn)一步助力國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體的發(fā)展。下一步，開(kāi)發(fā)區(qū)將持續(xù)優(yōu)化園區(qū)環(huán)境，優(yōu)化周邊配套設(shè)施，推動(dòng)企業(yè)產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)，為開(kāi)發(fā)區(qū)發(fā)展注入活力。

值得注意的是，芯盟科技是全球首個(gè)研發(fā)出垂直溝道三維存儲(chǔ)器并商業(yè)化的企業(yè)，其3D異構(gòu)集成HITOC鍵合技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)線寬0.9μm，讓芯片之間連接點(diǎn)數(shù)超過(guò)100萬(wàn)個(gè)，3D鍵合密度全球領(lǐng)先。

source：微龍游

近期，芯盟科技接連申請(qǐng)了兩項(xiàng)技術(shù)專(zhuān)利。

3月19日，芯盟科技向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局申請(qǐng)了一項(xiàng)名為“動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器及其讀操作方法、電子設(shè)備”的專(zhuān)利，公開(kāi)號(hào)為CN119626287A。該專(zhuān)利通過(guò)優(yōu)化DRAM設(shè)計(jì)，引入多個(gè)存儲(chǔ)單元組及靈敏放大器組等，顯著提高了DRAM的感應(yīng)裕度和讀出性能。

4月5日，芯盟科技獲得了一項(xiàng)名為“半導(dǎo)體器件及其制造方法”的專(zhuān)利，授權(quán)公告號(hào)為CN113629011B。這項(xiàng)專(zhuān)利涉及創(chuàng)新的材料選擇和生產(chǎn)工藝，有望提升半導(dǎo)體器件的耐用性和能效，廣泛應(yīng)用于智能設(shè)備、通信基礎(chǔ)設(shè)施及消費(fèi)電子等領(lǐng)域。

杜長(zhǎng)虹表示，隨著電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)進(jìn)入成熟階段，消費(fèi)者對(duì)產(chǎn)品的要求愈發(fā)嚴(yán)格，增程技術(shù)憑借其獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，能夠全面滿足用戶需求，展現(xiàn)出廣闊的發(fā)展?jié)摿?，其中，碳化硅技術(shù)的應(yīng)用將為增程系統(tǒng)的高效化提供關(guān)鍵支撐。

據(jù)悉，在動(dòng)電池充電、驅(qū)動(dòng)電機(jī)進(jìn)行工作、以及將400V直流電（DC）轉(zhuǎn)換為800V直流電（DC）等環(huán)節(jié)中，碳化硅大有用武之地。

目前深藍(lán)超級(jí)增程2.0已集成原力超集電驅(qū)、原力智能增程和金鐘罩電池三大技術(shù)，而原力超集電驅(qū)中搭載了SiC MOSFET技術(shù)。

除了深藍(lán)汽車(chē)之外，近年小鵬、北汽等廠商也在關(guān)注SiC技術(shù)在增程車(chē)上的應(yīng)用潛力，并在增程汽車(chē)產(chǎn)品中采用碳化硅技術(shù)。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

3月18日,美國(guó)專(zhuān)利局（USPTO）對(duì)EPC涉案專(zhuān)利(US’294號(hào)專(zhuān)利)作出最終裁定，判決該專(zhuān)利所有權(quán)利要求均無(wú)效且應(yīng)被撤銷(xiāo)。這一判決從根本上否定了EPC針對(duì)英諾賽科的指控基礎(chǔ)，標(biāo)志著英諾賽科在EPC發(fā)起的這場(chǎng)長(zhǎng)達(dá)兩年的專(zhuān)利戰(zhàn)中取得了完全勝利。

2023年5月，EPC在ITC對(duì)英諾賽科發(fā)起專(zhuān)利侵權(quán)訴訟調(diào)查，宣稱英諾賽科侵犯了EPC的US’294號(hào)專(zhuān)利和其他三項(xiàng)美國(guó)專(zhuān)利。其后，EPC主動(dòng)撤訴其中兩項(xiàng)專(zhuān)利。ITC最終裁定第三項(xiàng)專(zhuān)利沒(méi)有侵權(quán)。對(duì)于US’294號(hào)專(zhuān)利，ITC裁定部分權(quán)利要求有效且被侵權(quán)。

英諾賽科堅(jiān)決反對(duì)ITC有關(guān)US’294號(hào)專(zhuān)利有效及侵權(quán)的裁決，并且已于2025年1月31日向美國(guó)聯(lián)邦上訴法院提起上訴。英諾賽科認(rèn)為ITC關(guān)于US’294號(hào)專(zhuān)利的判決有誤，應(yīng)予以推翻。

現(xiàn)在，美國(guó)專(zhuān)利局（USPTO）關(guān)于US’294號(hào)專(zhuān)利的無(wú)效裁定證實(shí)了ITC先前對(duì)該專(zhuān)利的判決存在錯(cuò)誤判斷，也確定了EPC對(duì)英諾賽科的指控并無(wú)根據(jù)，屬惡意競(jìng)爭(zhēng)行為。USPTO在其最終裁決中指出EPC的US’294號(hào)專(zhuān)利所有權(quán)利要求均無(wú)效，因?yàn)樗鼈儍H僅是重復(fù)氮化鎵（”GaN”）領(lǐng)域的現(xiàn)有且被廣泛使用的通用技術(shù)。

美國(guó)專(zhuān)利局的無(wú)效判決標(biāo)志著英諾賽科在此次與EPC的專(zhuān)利侵權(quán)案中取得了終極勝利。隨著和EPC的法律爭(zhēng)端塵埃落定，英諾賽科會(huì)將全部精力集中到為全球客戶開(kāi)發(fā)和提供一流的基于GaN的電源解決方案中，為綠色高效新世界貢獻(xiàn)自己的力量。

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source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖

為精進(jìn)電動(dòng)全國(guó)戰(zhàn)略布局的重要支點(diǎn)，菏澤基地自2018年啟動(dòng)建設(shè)以來(lái)持續(xù)擴(kuò)容。首期投資20億元打造的智能化生產(chǎn)基地，已建成覆蓋研發(fā)、測(cè)試、制造全流程的新能源電驅(qū)動(dòng)總成產(chǎn)線。其中一期工程于2019年4月提前兩個(gè)月實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，形成年產(chǎn)30萬(wàn)套電驅(qū)動(dòng)動(dòng)力總成和百萬(wàn)級(jí)齒輪組件的生產(chǎn)能力。

目前該基地已躍升為公司規(guī)模最大的研發(fā)制造中心，二期項(xiàng)目的實(shí)施將進(jìn)一步完善”電機(jī)-電池-電控”三電系統(tǒng)垂直整合能力。

在區(qū)域布局方面，精進(jìn)電動(dòng)已形成”北研南產(chǎn)”的產(chǎn)業(yè)格局。位于上海嘉定的首個(gè)量產(chǎn)基地自2015年投產(chǎn)以來(lái)，年產(chǎn)能已提升至20萬(wàn)臺(tái)套，持續(xù)承擔(dān)核心技術(shù)研發(fā)與高端產(chǎn)品試制任務(wù)。河北正定生產(chǎn)基地作為技術(shù)標(biāo)桿，通過(guò)11億元投資打造的智能化工廠，在2022年實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)50萬(wàn)臺(tái)套電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，其技術(shù)指標(biāo)與生產(chǎn)效率均處于行業(yè)領(lǐng)先水平。

公開(kāi)資料顯示，這家成立于2008年的科技企業(yè)，始終專(zhuān)注于碳化硅電控、高效電機(jī)及系統(tǒng)集成技術(shù)研發(fā)。2021年登陸科創(chuàng)板后，公司持續(xù)加大研發(fā)投入，2024年財(cái)報(bào)顯示其上海、河北基地實(shí)現(xiàn)營(yíng)收13億元，同比增長(zhǎng)50%，彰顯新能源汽車(chē)核心部件領(lǐng)域的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。此次山東二期項(xiàng)目的啟動(dòng)，標(biāo)志著公司在碳化硅技術(shù)產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用方面取得突破性進(jìn)展，將進(jìn)一步鞏固其在新能源三電系統(tǒng)領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)先地位。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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source：鎵仁半導(dǎo)體（圖為鎵仁半導(dǎo)體8英寸氧化鎵單晶）

據(jù)悉，8英寸氧化鎵能夠與現(xiàn)有硅基芯片廠的8英寸產(chǎn)線兼容，這將會(huì)顯著加快其產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用的步伐。其次，氧化鎵襯底尺寸增大可提升其利用率，降低生產(chǎn)成本，提升生產(chǎn)效率。

第四代半導(dǎo)體材料

在半導(dǎo)體材料的發(fā)展歷程中，每一代新材料的出現(xiàn)都推動(dòng)著行業(yè)邁向新的高度。從第一代硅（Si）、鍺（Ge），到第二代砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP），再到第三代碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN），如今，第四代半導(dǎo)體材料正嶄露頭角，其中氧化鎵（Ga?O?）備受矚目。

氧化鎵作為第四代半導(dǎo)體的代表，具有諸多令人矚目的特性。它擁有超寬帶隙，范圍在4.-4.9eV，這一數(shù)值遠(yuǎn)高于第三代半導(dǎo)體碳化硅的3.2eV和氮化鎵的3.39eV。更寬的禁帶寬度意味著電子需要更多能量從價(jià)帶躍遷到導(dǎo)帶，使得氧化鎵具備耐高壓、耐高溫、大功率、抗輻照等突出特性。其超高臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)可達(dá)8MV/cm，能承受比SiC或GaN器件更高的工作電壓，且導(dǎo)通電阻更低。

在應(yīng)用領(lǐng)域方面，氧化鎵展現(xiàn)出了廣泛的潛力。在功率電子器件領(lǐng)域，它可用于數(shù)據(jù)中心，助力數(shù)據(jù)中心實(shí)現(xiàn)更高效的節(jié)能；在軌道交通、光伏逆變器、大功率通信等高壓、大電流場(chǎng)景中，能夠顯著提升系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。

其中值得注意的是，在新能源汽車(chē)領(lǐng)域，隨著汽車(chē)高壓化趨勢(shì)日益明顯，從400V逐步提升至800V，甚至未來(lái)可能采用1200V及更高的電壓平臺(tái)架構(gòu)，氧化鎵制備的功率器件有望大顯身手，將新能源汽車(chē)的充電時(shí)間大幅縮短，例如從現(xiàn)在快充的30分鐘縮短至7分鐘左右，極大地提升用戶體驗(yàn)。
然而，盡管氧化鎵前景廣闊，但目前在產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程中仍面臨一些挑戰(zhàn)。其中，降低成本是關(guān)鍵問(wèn)題之一。氧化鎵襯底的制備難度雖低于部分其他第四代半導(dǎo)體材料如金剛石和氮化鋁，但其成本仍有待進(jìn)一步降低，以提升市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。此前，氧化鎵襯底主要通過(guò)EFG法生產(chǎn)，該方法需在約1800℃的高溫且含氧環(huán)境中進(jìn)行晶體生長(zhǎng)，對(duì)生長(zhǎng)環(huán)境要求極高，坩堝需使用耐高溫、耐氧且不污染晶體的材料，綜合性能與成本考量，只有貴金屬銥適合用于氧化鎵熔體，這使得成本居高不下。

行業(yè)項(xiàng)目/技術(shù)進(jìn)展

從當(dāng)前行業(yè)進(jìn)展看，除了鎵仁半導(dǎo)體以外，在更早之前的2024年9月，富加鎵業(yè)打造的國(guó)內(nèi)首條6英寸氧化鎵單晶及外延片生長(zhǎng)線在杭州富陽(yáng)開(kāi)工建設(shè)，預(yù)計(jì)2025年年初投入使用。

另外，在2024年8月末，鴻?？萍技瘓F(tuán)旗下的鴻海研究院前瞻技術(shù)研發(fā)取得重要成果。鴻海研究院半導(dǎo)體所所長(zhǎng)暨國(guó)立陽(yáng)明交通大學(xué)講座教授郭浩中及半導(dǎo)體所研究團(tuán)隊(duì)，攜手陽(yáng)明交大電子所洪瑞華教授團(tuán)隊(duì)，在第四代化合物半導(dǎo)體的關(guān)鍵技術(shù)上取得突破。

他們以創(chuàng)新的離子布植技術(shù)成功制造出具備優(yōu)異電性表現(xiàn)的氧化鎵pn二極管（pndiode）。通過(guò)磷離子布植和快速熱退火技術(shù)實(shí)現(xiàn)了第四代半導(dǎo)體p型Ga?O?的制造，并在其上重新生長(zhǎng)n型和n?型Ga?O?，形成了pnGa?O?二極管。這一突破性技術(shù)不僅大幅提升了元件的穩(wěn)定性和可靠性，顯著降低電阻，更為未來(lái)高功率電子元件開(kāi)辟了新的可能性，推動(dòng)了氧化鎵在高壓、高溫應(yīng)用領(lǐng)域的發(fā)展。

資料顯示，具身智能（Embodied Intelligence）是指智能系統(tǒng)通過(guò)與環(huán)境的互動(dòng)，利用身體的感知和運(yùn)動(dòng)能力來(lái)實(shí)現(xiàn)學(xué)習(xí)和推理的能力。這種智能形式強(qiáng)調(diào)身體在認(rèn)知過(guò)程中的重要性，認(rèn)為智能不僅僅是腦部的活動(dòng)，還包括身體的運(yùn)動(dòng)和感知。它強(qiáng)調(diào)智能體（如機(jī)器人）與其物理形態(tài)和所處環(huán)境之間的密切聯(lián)系，認(rèn)為智能行為是通過(guò)身體與環(huán)境的交互而產(chǎn)生的，且在實(shí)踐過(guò)程中通過(guò)循環(huán)的感知、決策、行動(dòng)和反饋來(lái)實(shí)現(xiàn)“智能增長(zhǎng)”。

隨著人工智能和機(jī)器人技術(shù)的飛速發(fā)展，具身智能逐漸成為人工智能領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)，未來(lái)前景廣闊。

根據(jù)TrendForce集邦咨詢的研究，2025年各機(jī)器人大廠逐步實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的前提下，預(yù)估2027年全球人形機(jī)器人市場(chǎng)產(chǎn)值有望超越20億美元，2024年至2027年間的市場(chǎng)規(guī)模年復(fù)合成長(zhǎng)率將達(dá)154%。

業(yè)界指出，正如AI驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展一樣，具身智能也可以為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來(lái)助力，尤其是功率半導(dǎo)體領(lǐng)域。此前，特斯拉的Optimus人形機(jī)器人搭載了28個(gè)關(guān)節(jié)驅(qū)動(dòng)器，每個(gè)驅(qū)動(dòng)器都通過(guò)電機(jī)驅(qū)動(dòng)，而每個(gè)電機(jī)則需要1~2顆IGBT等功率器件。

除IGBT之外，氮化鎵在具身智能產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用潛力也不斷凸顯。

此前，英飛凌詳細(xì)介紹了氮化鎵在機(jī)器人領(lǐng)域的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)，該公司認(rèn)為氮化鎵在提升能效與縮小體積方面具備優(yōu)勢(shì)，將推動(dòng)人行機(jī)器人、護(hù)理機(jī)器人和送貨無(wú)人機(jī)市場(chǎng)增長(zhǎng)。

英飛凌認(rèn)為，隨著機(jī)器人技術(shù)集成自然語(yǔ)言處理（NLP）和計(jì)算機(jī)視覺(jué)等AI先進(jìn)技術(shù)，氮化鎵將為打造更高效、更緊湊的設(shè)計(jì)帶來(lái)必要的能效?；贕aN的電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)能提供優(yōu)異能效和性能、更高功率密度、更少電機(jī)損耗和更高速的開(kāi)關(guān)能力。這些技術(shù)帶來(lái)了諸多優(yōu)勢(shì)，比如無(wú)需笨重的電解電容器、縮小尺寸并提高了可靠性。將逆變器集成到電機(jī)機(jī)箱中，可減少散熱器的需求，同時(shí)優(yōu)化關(guān)節(jié)/軸的布線，并簡(jiǎn)化了EMC設(shè)計(jì)。更高效的控制頻率可改善動(dòng)態(tài)響應(yīng)能力。

具有高開(kāi)關(guān)頻率的GaN基電機(jī)控制設(shè)計(jì)還支持在緊湊的密封外殼中實(shí)現(xiàn)更高的功率，在高頻下，GaN能夠提供優(yōu)異的性能，這進(jìn)一步提高了系統(tǒng)的效率（包括逆變器和電機(jī)的損耗），并保持較低工作溫度。

國(guó)內(nèi)應(yīng)用方面，近期，中科半導(dǎo)體團(tuán)隊(duì)推出了首顆基于氮化鎵（GaN）可編程具身機(jī)器人動(dòng)力系統(tǒng)芯片，縮短了具身機(jī)器人開(kāi)發(fā)成本和姿態(tài)學(xué)習(xí)時(shí)間，有望加速具身機(jī)器人產(chǎn)業(yè)的商用化步伐。

該款芯片主要應(yīng)用于多關(guān)節(jié)具身機(jī)器人及智能裝備領(lǐng)域，根據(jù)推理大模型生成的3D虛擬模型與姿態(tài)坐標(biāo)，通過(guò)芯片自帶的“邊緣物理模型”輸出的陣列PWM電流信號(hào)控制上100條仿真肌肉及伺服電機(jī)系統(tǒng)來(lái)完成復(fù)雜的原子操作，單個(gè)姿態(tài)運(yùn)動(dòng)達(dá)32個(gè)自由度。通過(guò)“邊緣物理模型”輸出PWM信號(hào)控制物理量信號(hào)，使機(jī)器人具有人一樣的復(fù)雜肢體動(dòng)作和物理質(zhì)量的約束。（集邦化合物半導(dǎo)體Flora整理）

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TrendForce集邦咨詢表示，2024年全球牽引逆變器市場(chǎng)裝機(jī)量達(dá)2,721萬(wàn)臺(tái)，其中，SiC（碳化硅）逆變器受惠于Tesla（特斯拉）及中國(guó)車(chē)廠的采用，滲透率于第四季達(dá)16%，為當(dāng)年度最高，對(duì)于競(jìng)爭(zhēng)激烈的功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是正面訊號(hào)。

從逆變器供應(yīng)端分析，比亞迪于2024年第三季已超越日廠Denso（電裝），并于第四季持續(xù)穩(wěn)居全球市占率最高位置。而第四季最大亮點(diǎn)在于華為受益于新能源車(chē)[注2]問(wèn)界系列的熱銷(xiāo)，首度成為全球前五大供應(yīng)商。目前，中國(guó)企業(yè)已在前五名席次中占據(jù)三席，打破過(guò)往歐洲、美國(guó)及日本供應(yīng)商主導(dǎo)的市場(chǎng)格局。

TrendForce集邦咨詢指出，短期內(nèi)牽引逆變器市場(chǎng)成長(zhǎng)仍將依靠中國(guó)及歐洲帶動(dòng)，特別是BEV對(duì)于牽引逆變器的需求較其他動(dòng)力模式更高，突顯中國(guó)市場(chǎng)的表現(xiàn)將更為關(guān)鍵。盡管2025年可能面臨美國(guó)“棄電從油”的潛在風(fēng)險(xiǎn)，但受惠于中國(guó)整車(chē)市場(chǎng)延續(xù)汰舊換新的補(bǔ)貼政策，以及在海外市場(chǎng)的大力布局，預(yù)計(jì)牽引逆變器裝機(jī)市場(chǎng)仍將維持14%的年增長(zhǎng)率。

備注
[1] 電動(dòng)車(chē)包括油電混合車(chē)(HEV)、純電動(dòng)車(chē)(BEV)、插電混合式電動(dòng)車(chē)(PHEV)、燃料電池車(chē)(FCV)
[2] 新能源車(chē)包含BEV、PHEV、FCV

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01華潤(rùn)微：公司SiC產(chǎn)品可應(yīng)用于AI服務(wù)器電源中

華潤(rùn)微披露投資者關(guān)系活動(dòng)記錄表顯示，該公司MOSFET等功率器件、功率IC、MEMS、模塊等產(chǎn)品預(yù)計(jì)受益于汽車(chē)智能化、電子化趨勢(shì)及AI、超計(jì)算等新興領(lǐng)域帶來(lái)的變革，實(shí)現(xiàn)增長(zhǎng)。

source：華潤(rùn)微電子官微（圖為華潤(rùn)微電子（重慶）功率半導(dǎo)體研發(fā)中心）

產(chǎn)能方面，華潤(rùn)微深圳12吋產(chǎn)線已于2024年底實(shí)現(xiàn)通線，處于新品驗(yàn)證和新工藝轉(zhuǎn)移階段；重慶12吋產(chǎn)線已達(dá)成規(guī)劃產(chǎn)能3萬(wàn)片/月。

產(chǎn)品進(jìn)展方面，華潤(rùn)微表示，目前中低壓MOS、高壓MOS、SiC產(chǎn)品可應(yīng)用于AI服務(wù)器電源中，已處于上量階段。

SiC JBS和SiC MOS已完成產(chǎn)品系列化并量產(chǎn)，覆蓋650V/1200V/1700V系列，性能達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先同等水平。碳化硅模塊產(chǎn)品已在上量階段。產(chǎn)品圍繞新能源汽車(chē)、充電樁、光伏逆變、儲(chǔ)能逆變、服務(wù)器電源等領(lǐng)域全面推廣上量，預(yù)計(jì)今年將實(shí)現(xiàn)高增長(zhǎng)。

業(yè)界指出，碳化硅在AI服務(wù)器中的應(yīng)用圍繞高效能電源設(shè)計(jì)與高可靠性散熱管理展開(kāi)，通過(guò)替代傳統(tǒng)硅基器件，顯著提升能效比并降低運(yùn)營(yíng)成本。隨著AI熱潮不斷持續(xù)，碳化硅技術(shù)將成為AI數(shù)據(jù)中心實(shí)現(xiàn)低碳化與高性能化的重要推手。

02瞻芯電子推出2000V SiC 4相升壓模塊

瞻芯電子正式推出3B封裝的2000V 碳化硅(SiC) 4相升壓功率模塊產(chǎn)品，可應(yīng)用于光伏等領(lǐng)域，已通過(guò)工業(yè)級(jí)可靠性測(cè)試，并在光伏客戶導(dǎo)入驗(yàn)證。

該款產(chǎn)品殼體高度僅12mm，能壓縮應(yīng)用系統(tǒng)的體積，金屬底座讓模塊安裝更牢固，并消除了塑料底座老化的隱患。產(chǎn)品內(nèi)部集成了4相升壓電路，共用電源接地，分為2組，集成熱敏電阻以監(jiān)測(cè)溫度，可靈活適配2路或者4路直流輸入（DC input），滿足個(gè)性化設(shè)計(jì)需求。相對(duì)于分立器件方案，大幅提升功率密度，同時(shí)顯著簡(jiǎn)化了電路的設(shè)計(jì)。

瞻芯電子介紹，2000V SiC MOFET和Diode特別適用于1500V 光伏升壓電路。在升壓變換電路中，2000V SiC分立器件能簡(jiǎn)化電路拓?fù)?、減少元器件數(shù)量，降低總物料成本，同時(shí)讓?xiě)?yīng)用控制更簡(jiǎn)單。對(duì)比分立器件的方案，若采用2000V SiC功率模塊產(chǎn)品，還進(jìn)一步簡(jiǎn)化了電路設(shè)計(jì)，大幅提升了功率密度。

03重慶青山與重慶大學(xué)聯(lián)合研發(fā)SiC芯片流片成功下線

近日，重慶青山與重慶大學(xué)聯(lián)合研發(fā)的SiC功率芯片首輪流片成功下線。此次雙方聯(lián)合研發(fā)的SiC功率芯片，在耐壓和閾值電壓等關(guān)鍵參數(shù)上均表現(xiàn)出優(yōu)秀的性能。

器件耐壓性能突出，擊穿電壓最高可達(dá)1700V以上；閾值電壓一致性表現(xiàn)優(yōu)異，通過(guò)率達(dá)到98%，實(shí)測(cè)值分布集中，具有較強(qiáng)的抗干擾能力，在大批量使用時(shí)更易于配對(duì)，從而節(jié)約成本。（集邦化合物半導(dǎo)體Flora整理）

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據(jù)悉，北京量子信息科學(xué)研究院（以下簡(jiǎn)稱“量子院”）量子計(jì)算云平臺(tái)的李鐵夫、劉玉龍團(tuán)隊(duì)與芬蘭Aalto大學(xué)、QTF量子研究中心Mika A.Sillanp??教授合作，基于高硬度的單晶碳化硅薄膜材料，于近日成功研制出多模態(tài)長(zhǎng)壽命的光聲量子存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器在模式穩(wěn)定性以及信息存儲(chǔ)時(shí)長(zhǎng)等關(guān)鍵性能上刷新了國(guó)際記錄。

目前，相關(guān)成果以“Degeneracy-breaking and long-lived multimode microwave electromechanical systems enabled by cubic silicon-carbide membrane crystals”為題在線發(fā)表于國(guó)際知名期刊《自然-通訊》（Nature Communications）上。

光聲接口器件作為量子信息處理的關(guān)鍵技術(shù)，一直以來(lái)都備受科研人員的關(guān)注。高品質(zhì)因子（Q因子）機(jī)械振子在這些領(lǐng)域中扮演著至關(guān)重要的角色，其性能的優(yōu)劣直接影響到量子信息的存儲(chǔ)、傳輸和處理效率。

然而，傳統(tǒng)材料和結(jié)構(gòu)的機(jī)械振子在Q因子和頻率穩(wěn)定性等方面存在一定的局限性，難以滿足日益增長(zhǎng)的量子技術(shù)需求。

3C-SiC作為一種具有優(yōu)異性能的半導(dǎo)體材料，以其高熱導(dǎo)率和高應(yīng)力特性，為高Q因子機(jī)械振子的研發(fā)提供了新的可能。

該研究團(tuán)隊(duì)研究團(tuán)隊(duì)另辟蹊徑，在3C-SiC薄膜晶體中發(fā)現(xiàn)了機(jī)械振動(dòng)模式簡(jiǎn)并破缺現(xiàn)象。表現(xiàn)為非均勻應(yīng)力的作用下，原本簡(jiǎn)并的機(jī)械模式發(fā)生頻率分裂，形成具有微小頻率差異的模式對(duì)。這些模式對(duì)不僅保留了高Q因子的特性，還展現(xiàn)出獨(dú)特的模式形狀，為微波光聲接口系統(tǒng)的精確控制提供了更多選擇。

為驗(yàn)證3C-SiC膜晶體的性能，研究團(tuán)隊(duì)設(shè)計(jì)并搭建了一套精巧的實(shí)驗(yàn)裝置。該裝置包括一個(gè)三維超導(dǎo)微波諧振腔和一個(gè)機(jī)械平行板電容器芯片。3C-SiC膜芯片被精心制作并安裝在諧振腔內(nèi)，通過(guò)金屬化處理和特定電極結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了與微波腔場(chǎng)的高效耦合。

實(shí)驗(yàn)中，研究人員采用了連續(xù)波泵浦-探測(cè)方案和脈沖泵浦-探測(cè)序列，對(duì)機(jī)械振子的性能進(jìn)行了全面測(cè)試和表征。通過(guò)精確控制外部驅(qū)動(dòng)功率和探測(cè)信號(hào)的頻率，研究人員能夠?qū)崟r(shí)監(jiān)測(cè)機(jī)械振子的動(dòng)態(tài)行為，包括其共振頻率、Q因子以及能量衰減率等關(guān)鍵參數(shù)。

單晶碳化硅薄膜所提供的聲學(xué)模式具備極高的頻率穩(wěn)定性，為構(gòu)建多模態(tài)光聲存儲(chǔ)器件開(kāi)辟新篇章。實(shí)驗(yàn)中研究團(tuán)隊(duì)表征了21個(gè)機(jī)械模式，其中19個(gè)模式的Q因子超過(guò)了108，展現(xiàn)出極高的品質(zhì)因子。

此外，研究人員還實(shí)現(xiàn)了4035秒，超過(guò)長(zhǎng)達(dá)一小時(shí)的群延遲時(shí)間。這一成果在微波電機(jī)械系統(tǒng)中尚屬首次。

科研團(tuán)隊(duì)表示，該項(xiàng)研究中，長(zhǎng)時(shí)間高穩(wěn)定的機(jī)械振動(dòng)為固態(tài)量子信息存儲(chǔ)帶來(lái)了新的可能性，同時(shí)為高精度傳感器和異構(gòu)網(wǎng)絡(luò)的構(gòu)建帶來(lái)了新的機(jī)遇。后續(xù)，團(tuán)隊(duì)將進(jìn)一步推動(dòng)多通道高性能“微波-光”量子相干接口核心儀器的構(gòu)建，為分布式量子網(wǎng)絡(luò)構(gòu)建提供重大支撐作用，為量子信息處理等領(lǐng)域提供高性能的物理平臺(tái)。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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據(jù)悉，士蘭集宏項(xiàng)目總投資120億元，分兩期建設(shè)，總建筑面積達(dá)23.45萬(wàn)㎡，一期投資70億元，預(yù)計(jì)2025年四季度初步通線、2026年一季度試生產(chǎn)，達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)能42萬(wàn)片8英寸SiC芯片；二期投產(chǎn)后總產(chǎn)能將提升至72萬(wàn)片/年，成為全球規(guī)模領(lǐng)先的8英寸SiC功率器件產(chǎn)線。

該項(xiàng)目以SiC MOSFET為核心產(chǎn)品，主要服務(wù)于新能源汽車(chē)主驅(qū)逆變器、光伏逆變器、智能電網(wǎng)等高需求領(lǐng)域。

公開(kāi)資料顯示，士蘭集宏項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后可滿足國(guó)內(nèi)40%以上的車(chē)規(guī)級(jí)SiC芯片需求，并帶動(dòng)上下游產(chǎn)業(yè)鏈集聚廈門(mén)，加速第三代半導(dǎo)體材料、設(shè)備國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程。

碳化硅市場(chǎng)現(xiàn)狀：產(chǎn)能擴(kuò)張引價(jià)格波動(dòng)，資本追捧熱度不減

近年來(lái)，全球碳化硅襯底產(chǎn)能大幅提升，這在一定程度上導(dǎo)致了供過(guò)于求的現(xiàn)象。

行業(yè)多方消息顯示，碳化硅襯底市場(chǎng)價(jià)格在2024年中期，6英寸碳化硅襯底的價(jià)格已跌至500美元以下，到2024年第四季度，價(jià)格進(jìn)一步下降至450美元，并還在持續(xù)走低。?價(jià)格的下降一方面是由于技術(shù)提升和規(guī)?；?yīng)推動(dòng)成本降低，另一方面也是為了促進(jìn)下游應(yīng)用的擴(kuò)展。在這種市場(chǎng)環(huán)境下，各大碳化硅襯底廠商均在加碼推進(jìn)技術(shù)突破，以獲得更高的市場(chǎng)份額。

回顧2024年，我國(guó)就有超100家企業(yè)在碳化硅領(lǐng)域進(jìn)行布局，其中2024年就有超50個(gè)碳化硅項(xiàng)目迎來(lái)最新進(jìn)展，涉及的企業(yè)包括三安半導(dǎo)體、天科合達(dá)、重投天科、天岳先進(jìn)、晶盛機(jī)電、同光股份、東尼電子、科友半導(dǎo)體等。其中合盛新材多家企業(yè)在8英寸襯底、外延、晶體生長(zhǎng)以及設(shè)備等多領(lǐng)域的突破值得關(guān)注。

在襯底方面，國(guó)外多家大廠已與我國(guó)天科合達(dá)、天岳先進(jìn)等企業(yè)簽訂了長(zhǎng)期供貨協(xié)議。
多方行業(yè)人士表示，中國(guó)的碳化硅企業(yè)特別是在襯底制備領(lǐng)域，國(guó)內(nèi)襯底企業(yè)的6英寸以及8英寸產(chǎn)品，無(wú)論是從產(chǎn)品的質(zhì)量、產(chǎn)能還是價(jià)格，都已經(jīng)具備了明顯的競(jìng)爭(zhēng)力。預(yù)計(jì)未來(lái)幾年，國(guó)內(nèi)頭部襯底企業(yè)將成為國(guó)際市場(chǎng)8英寸襯底的主要供應(yīng)商，市場(chǎng)占比遠(yuǎn)超目前的6英寸。

盡管市場(chǎng)存在價(jià)格波動(dòng)等挑戰(zhàn)，但碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈仍持續(xù)受到資本追捧。

據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體數(shù)據(jù)顯示，2024年以來(lái)，碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈就有44家公司獲得融資。其中廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司、蘇州悉智科技有限公司等7家公司在年內(nèi)均已完成兩輪融資。?從國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈來(lái)看，襯底、器件、設(shè)備等細(xì)分領(lǐng)域均有企業(yè)完成新一輪融資。在產(chǎn)業(yè)擴(kuò)產(chǎn)浪潮中，設(shè)備領(lǐng)域相關(guān)企業(yè)由于率先受益于產(chǎn)線建設(shè)需求，獲得了投資機(jī)構(gòu)的加碼，2024 年有近半數(shù)的融資事件發(fā)生在該領(lǐng)域。

邁入2025年，忱芯科技、芯暉裝備、伏爾肯、易星新材料、翠展微電子、青禾晶元、純水一號(hào)、聚芯半導(dǎo)體、中江新材料、臻驅(qū)科技、瞻芯電子等超10家企業(yè)獲得新一輪融資，公開(kāi)披露的融資金額總計(jì)超30億元。

總體而言，我國(guó)碳化硅產(chǎn)業(yè)近年來(lái)發(fā)展迅速，市場(chǎng)規(guī)模不斷擴(kuò)大，其中在上游碳化硅襯底和外延制備技術(shù)方面取得了顯著進(jìn)展，不斷縮小與國(guó)際先進(jìn)水平的差距，而在中游器件和模塊制造環(huán)節(jié)與國(guó)際大廠還存在較大差距。

目前我國(guó)有披露相關(guān)投產(chǎn)動(dòng)態(tài)的8英寸碳化硅器件產(chǎn)線主要是士蘭微、芯聯(lián)集成、湖南三安、方正微四條產(chǎn)線。?其中士蘭微電子8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線（一期）已全面封頂，安意法半導(dǎo)體8英寸碳化硅項(xiàng)目也在近日實(shí)現(xiàn)了通線投產(chǎn)；芯聯(lián)集成的8英寸碳化硅器件研發(fā)產(chǎn)線已于2024年通線；湖南三安投產(chǎn)在即，將正式轉(zhuǎn)型為8英寸SiC垂直整合制造商；方正微電子的Fab2的8英寸碳化硅生產(chǎn)線已于2024年底通線，2025年，方正微電子將具備年產(chǎn)16.8萬(wàn)片車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅MOS的生產(chǎn)能力。

而在技術(shù)層面，碳化硅功率器件技術(shù)仍在不斷發(fā)展完善。例如，在芯片封裝與測(cè)試方面，目前碳化硅芯片仍主要沿用硅基半導(dǎo)體技術(shù)，難以滿足其自身發(fā)展需求，急需創(chuàng)新。

在市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)方面，隨著越來(lái)越多的企業(yè)入局碳化硅產(chǎn)業(yè)，行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)日益激烈。企業(yè)不僅要在技術(shù)創(chuàng)新上發(fā)力，以提升產(chǎn)品性能、降低成本，還要注重產(chǎn)業(yè)鏈上下游的協(xié)同合作，提前開(kāi)展技術(shù)合作，共同應(yīng)對(duì)市場(chǎng)挑戰(zhàn)。