Source: 氮矽科技

根據(jù)TrendForce 集邦咨詢《2024全球GaN Power Device市場(chǎng)分析報(bào)告》顯示，隨著英飛凌、德州儀器對(duì)GaN技術(shù)傾注更多資源，功率GaN產(chǎn)業(yè)的發(fā)展將再次提速。2023年全球GaN功率元件市場(chǎng)規(guī)模約2.71億美元，至2030年有望上升至43.76億美元，CAGR（復(fù)合年增長(zhǎng)率）高達(dá)49%。

報(bào)告指出，消費(fèi)電子是功率GaN產(chǎn)業(yè)的主戰(zhàn)場(chǎng)，并由快速充電器迅速延伸至家電、智能手機(jī)等領(lǐng)域。TrendForce集邦咨詢認(rèn)為，功率GaN產(chǎn)業(yè)正處于關(guān)鍵的突圍時(shí)刻，幾大潛力應(yīng)用同步推動(dòng)著產(chǎn)業(yè)規(guī)模加速成長(zhǎng)。

此次由萊智能(Ulike)旗下高端品牌極萌(Jmoon)的一款超聲美容儀JCS10，專為需要深度抗衰人群設(shè)計(jì)的新品，支持淺層提拉淡紋、中層嘭彈緊致、深層塑形抗垂三種工作模式，其外形結(jié)構(gòu)精巧，尺寸為52.9*53.42*210mm, 額定輸入為12V3A，內(nèi)部結(jié)構(gòu)更為精密，包含3塊PCB小板以及雙電機(jī)，其中，一塊板子區(qū)域內(nèi)采用的是2顆100V低壓氮化鎵驅(qū)動(dòng)集成方案DXC3510S2CA (GaN PIIP IC)，具體集成了100V E-mode GaN HEMT和氮化鎵柵極驅(qū)動(dòng)器，具備低電壓、小電阻和大電流以及0-20V 寬范圍輸入耐壓能力。這些特性極大地簡(jiǎn)化了外圍電路設(shè)計(jì)，并為超聲波的高強(qiáng)度聚焦與高頻能量穩(wěn)定輸出提供了可靠的技術(shù)支持。

氮矽科技向集邦化合物半導(dǎo)體表示“DXC3510S2CA 產(chǎn)品支持超高開關(guān)頻率，有助于提升系統(tǒng)功率密度和響應(yīng)速度。與傳統(tǒng)的低壓MOS管相比，GaN 方案擁有更低的開關(guān)損耗和零反向恢復(fù)損耗特性，有效優(yōu)化了開關(guān)噪音，完美契合了消費(fèi)類護(hù)膚產(chǎn)品對(duì)高可靠性的需求。

Source: 氮矽科技

將氮化鎵驅(qū)動(dòng)集成方案應(yīng)用于個(gè)護(hù)產(chǎn)品是行業(yè)內(nèi)的首次嘗試，期間面臨諸多技術(shù)挑戰(zhàn)。氮矽科技及其授權(quán)代理商深圳凌海創(chuàng)電子與 Ulike 的深度合作，專注于前沿電子方案的凌海電子在雙方合作中扮演關(guān)鍵橋梁作用，在客戶解決實(shí)際問題中有著豐富的在場(chǎng)應(yīng)用技術(shù)協(xié)調(diào)能力，加速原廠產(chǎn)品導(dǎo)入終端應(yīng)用市場(chǎng)。透過此次三方緊密合作，共同克服了功率GaN元件導(dǎo)入到精巧超聲美容儀產(chǎn)品的技術(shù)障礙，經(jīng)過多次實(shí)驗(yàn)室調(diào)試于優(yōu)化，最終確保了高性能、高品質(zhì) GaN 方案在該美容儀產(chǎn)品中的穩(wěn)定應(yīng)用。(文：TrendForce/Christine)

1、連科半導(dǎo)體八吋硅區(qū)熔爐及碳化硅電阻爐成果鑒定達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平

“連城數(shù)控”官微消息，近期，中國(guó)有色金屬工業(yè)協(xié)會(huì)在無(wú)錫組織召開科技成果評(píng)價(jià)會(huì)。由中科院技物所褚君浩院士，有研科技集團(tuán)周旗鋼教授以及來自東南大學(xué)，南京航空航天大學(xué)，浙大科創(chuàng)中心等的五位專家組成的專家組，對(duì)由連科半導(dǎo)體有限公司等單位完成的兩項(xiàng)科技成果進(jìn)行了評(píng)價(jià)。

專家組一致認(rèn)為，“8 吋 / 12 吋碳化硅電阻爐及工藝成套技術(shù)” 項(xiàng)目，聯(lián)合了浙江大學(xué)等單位，在行業(yè)首次推出直流雙電源加熱器、雙溫區(qū)熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)，加熱功率下降35%，降低到28Kw；開發(fā)了高精度控制軟件，實(shí)現(xiàn)了對(duì)氣體流量、壓力的精確控制，滿足了8吋/12吋SiC單晶的穩(wěn)定生長(zhǎng)，技術(shù)難度大、復(fù)雜程度高。在多家碳化硅襯底企業(yè)推廣應(yīng)用后，經(jīng)濟(jì)、社會(huì)效益顯著，助力客戶生長(zhǎng)8吋/12吋碳化硅晶體，厚度達(dá)到5cm以上。項(xiàng)目整體技術(shù)達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。

source：連城數(shù)控

“200mm 區(qū)熔硅單晶爐成套技術(shù)”項(xiàng)目，獨(dú)創(chuàng)了下主軸與密封內(nèi)襯分別由伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)并同步耦合控制的技術(shù)，及第二相機(jī)測(cè)量熔化流量的控制新思路，攻克了主軸高精密加工和裝配問題。形成了關(guān)鍵技術(shù)-樣機(jī)示范-產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用的全鏈條技術(shù)體系。技術(shù)難度大、復(fù)雜程度高。項(xiàng)目技術(shù)已在有研半導(dǎo)體硅材料股份公司成功投產(chǎn)并穩(wěn)定運(yùn)行，技術(shù)重現(xiàn)性好、成熟度高。項(xiàng)目整體技術(shù)達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。

2、 “增材制造復(fù)雜結(jié)構(gòu)高性能碳化硅基復(fù)合材料及其部件”榮獲2025年日內(nèi)瓦國(guó)際發(fā)明展金獎(jiǎng)

“武漢理工大學(xué)材料學(xué)院”官微消息，近期，第50屆日內(nèi)瓦國(guó)際發(fā)明展（The 50thInternational Exhibition of Inventions of Geneva）在瑞士日內(nèi)瓦舉行，武漢理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院副院長(zhǎng)劉凱教授攜項(xiàng)目“增材制造復(fù)雜結(jié)構(gòu)高性能碳化硅陶瓷基復(fù)合材料及其部件”參展并榮獲金獎(jiǎng)。

source：武漢理工大學(xué)材料學(xué)院

據(jù)悉， 上述項(xiàng)目面向極端服役環(huán)境對(duì)高性能碳化硅陶瓷材料復(fù)雜構(gòu)件的制造需求，開展了材料-結(jié)構(gòu)-性能一體化增材制造研究。建立了高增材適應(yīng)性碳化硅復(fù)合粉末設(shè)計(jì)制備與激光增材制造工藝方法，研制了纖維增強(qiáng)碳化硅復(fù)合材料復(fù)雜構(gòu)件的增材制造技術(shù)與裝備，推動(dòng)了增材制造碳化硅陶瓷構(gòu)件在航空航天、能源化工、半導(dǎo)體裝備等領(lǐng)域的工程應(yīng)用。

項(xiàng)目相關(guān)成果已獲得多項(xiàng)國(guó)家發(fā)明專利授權(quán)，并在Journal of the European Ceramic Society、Journal of the American Ceramic Society、Composite Structures等期刊上發(fā)表系列論文。

3、結(jié)語(yǔ)

在“雙碳”目標(biāo)與智能制造升級(jí)的雙重需求下，碳化硅正深度賦能新能源汽車、光伏儲(chǔ)能、5G通信等領(lǐng)域，推動(dòng)能源效率革命。上述碳化硅技術(shù)突破表明我國(guó)在半導(dǎo)體材料自主可控方面不斷努力并取得了新成就，隨著技術(shù)迭代與產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展，未來中國(guó)以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體有望邁上新臺(tái)階。（集邦化合物半導(dǎo)體 秦妍 整理）

恩智浦表示，拉斐爾在制定和塑造恩智浦戰(zhàn)略以及推動(dòng)公司成功方面發(fā)揮了不可或缺的作用。公司相信，他是恩智浦總裁兼首席執(zhí)行官的理想人選，能夠?qū)崿F(xiàn)公司在汽車、工業(yè)和物聯(lián)網(wǎng)終端市場(chǎng)邊緣智能系統(tǒng)領(lǐng)域占據(jù)領(lǐng)導(dǎo)地位的愿景。
最新財(cái)報(bào)顯示，今年一季度，恩智浦營(yíng)收28.4億美元，高于市場(chǎng)預(yù)期的28.3億美元，但較去年同期31.3億美元要低。

恩智浦在財(cái)報(bào)中表示，受國(guó)際形勢(shì)劇烈變化影響，公司正處于“非常不確定的環(huán)境”中。恩智浦對(duì)未來市場(chǎng)持“謹(jǐn)慎樂觀”態(tài)度，并預(yù)測(cè)第二季度的收入將下降到28億到30億美元。

source：NXP

資料顯示，恩智浦功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)是其半導(dǎo)體解決方案的核心組成部分，聚焦于高效能源管理，廣泛應(yīng)用于汽車、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、移動(dòng)設(shè)備及通信基礎(chǔ)設(shè)施等領(lǐng)域。

其中，恩智浦在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域尤其是氮化鎵領(lǐng)域已經(jīng)形成全面業(yè)務(wù)布局。核心技術(shù)方面，恩智浦采用碳化硅基氮化鎵（GaN on SiC）技術(shù)，結(jié)合SiC優(yōu)異的導(dǎo)熱性和GaN的高功率密度、低損耗特性，適用于高頻、高壓場(chǎng)景。該技術(shù)已應(yīng)用于5G基站射頻功率放大器（PA）及軍事雷達(dá)系統(tǒng)，顯著提升器件性能。

此外，針對(duì)消費(fèi)電子和工業(yè)電源市場(chǎng)，恩智浦開發(fā)硅基氮化鎵技術(shù)，利用現(xiàn)有硅晶圓代工廠實(shí)現(xiàn)規(guī)?；a(chǎn)，降低成本并提高產(chǎn)能。

2025年以來，由于國(guó)際形勢(shì)以及部分市場(chǎng)汽車需求疲軟，功率半導(dǎo)體廠商業(yè)績(jī)?cè)馐芴魬?zhàn)。稍早之前，意法半導(dǎo)體今年一季度財(cái)報(bào)顯示，該公司第一季度凈營(yíng)收為25.2億美元，同比下降27.3%，環(huán)比下降24.2%。毛利率下滑至33.4%，較去年同期下降830個(gè)基點(diǎn)。凈利潤(rùn)下跌89.1%，為5600萬(wàn)美元。

source：意法半導(dǎo)體

財(cái)報(bào)會(huì)議上，意法半導(dǎo)體高管Jean-Marc Chery表示，公司依舊看好碳化硅業(yè)務(wù)的發(fā)展，從長(zhǎng)遠(yuǎn)趨勢(shì)來看，意法半導(dǎo)體在碳化硅市場(chǎng)中的整體份額將至少保持在30%以上。此外，意法半導(dǎo)體位于意大利卡塔尼亞的8英寸SiC工廠預(yù)計(jì)將于2025年第四季度開始生產(chǎn)，全面落成后預(yù)計(jì)年產(chǎn)能可達(dá)72萬(wàn)片，進(jìn)一步鞏固意法半導(dǎo)體在碳化硅市場(chǎng)的地位。（集邦化合物半導(dǎo)體 奉穎嫻 整理）

其中在數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域，英諾賽科重點(diǎn)展示了雙面散熱 En-FCLGA 封裝 100V GaN、全球首款100V 雙向器件（VGaN）、大功率合封氮化鎵 ISG6121TD、2kW四相交錯(cuò)Buck、4.2kW服務(wù)器電源方案以及在數(shù)據(jù)中心和人形機(jī)器人應(yīng)用中的多款解決方案。

source：英諾賽科

英諾賽科公開介紹道， 其中一款100V GaN產(chǎn)品，全球首款量產(chǎn)，先進(jìn)的雙面散熱 En-FCLGA 封裝，與傳統(tǒng)的封裝相比，導(dǎo)熱率高出 65%。

INV100FQ030C是英諾賽科全球首款100V 雙向器件（VGaN），支持雙向?qū)ê碗p向關(guān)斷，采用FCQFN4x6封裝，具備超低導(dǎo)通電阻和更寬的SOA邊界，可在48V BMS系統(tǒng)、48V總線負(fù)載開關(guān)中實(shí)現(xiàn)電池保護(hù)。

大功率合封氮化鎵 ISG6121TD是一款行業(yè)首發(fā)的大功率合封氮化鎵產(chǎn)品，集成了柵極驅(qū)動(dòng)和短路保護(hù)的GaN功率IC，采用TO-247-4L封裝，能夠幫助設(shè)計(jì)人員開發(fā)具有 Titanium Plus 效率的高頻開關(guān)方案，可應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心/AI服務(wù)器PSU，車載OBC和DC-DC轉(zhuǎn)換器，實(shí)現(xiàn)功率密度比傳統(tǒng)方案高2~3倍。

2kW四相交錯(cuò)Buck是2025年全新發(fā)布的方案，該方案采用四相交錯(cuò)Buck拓?fù)?，每相使?顆INS2002FQ和4顆INN100EA035A實(shí)現(xiàn)功率傳輸，具備靈活的拓展性，效率超98%。

4.2kW服務(wù)器電源方案是英諾賽科與客戶合作開發(fā)，與傳統(tǒng)電源相比，其輕中載電能損耗可減少至少30%，實(shí)現(xiàn)超過96%的轉(zhuǎn)換效率。

此外，本月早些英諾賽科發(fā)布公告宣布其自主開發(fā)的1200V氮化鎵(GaN)產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，這款1200V氮化鎵（GaN）產(chǎn)品在新能源汽車800V平臺(tái)，可提升車載充電效率并縮小體積，擴(kuò)大續(xù)航里程并降低成本。

作為氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新先鋒，英諾賽科致力于硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 的研發(fā)與制造。此次多款突破性產(chǎn)品的集中亮相，不僅印證了氮化鎵材料在高頻、高效場(chǎng)景中的核心價(jià)值，更彰顯了英諾賽科通過技術(shù)深耕推動(dòng)產(chǎn)業(yè)升級(jí)的戰(zhàn)略定力。

（集邦化合物半導(dǎo)體 niko 整理）

天?？h位于甘肅省武威市，地處祁連山下，擁有獨(dú)特地理位置和豐富資源，其工業(yè)主導(dǎo)產(chǎn)業(yè)便是碳化硅。近年來天?？h緊抓“雙碳”戰(zhàn)略機(jī)遇，積極推動(dòng)碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

據(jù)天祝縣最新產(chǎn)業(yè)規(guī)劃，該縣明確提出“兩年優(yōu)化布局、七年集群成勢(shì)”目標(biāo)，計(jì)劃到“十四五”末實(shí)現(xiàn)碳化硅冶煉年產(chǎn)能50萬(wàn)噸、精深加工轉(zhuǎn)化率突破70%，工業(yè)硅年產(chǎn)能達(dá)6萬(wàn)噸，產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值沖刺40億元；至“十五五”末，將建成國(guó)家級(jí)碳硅基新材料產(chǎn)業(yè)基地，形成百億級(jí)產(chǎn)業(yè)集群。

數(shù)據(jù)顯示，全國(guó)碳化硅企業(yè)設(shè)計(jì)產(chǎn)能約130萬(wàn)噸、實(shí)際產(chǎn)能約85萬(wàn)噸。2023年天祝縣碳化硅產(chǎn)量47.3萬(wàn)噸，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)值28.62億元，占全縣規(guī)上工業(yè)總產(chǎn)值的65%，且占全國(guó)實(shí)際產(chǎn)能的56%。

2024年1—11月，天?？h碳化硅生產(chǎn)加工產(chǎn)量達(dá)48.97萬(wàn)噸（其中，冶煉43.36萬(wàn)噸，深加工5.61萬(wàn)噸），實(shí)現(xiàn)產(chǎn)值26.95億元，增長(zhǎng)5.02%，占全縣規(guī)上工業(yè)總產(chǎn)值的58.4%。

目前，天?？h共有碳化硅及精深加工企業(yè)26戶，5戶碳化硅企業(yè)被認(rèn)定為省級(jí)“專精特新”中小企業(yè)，7戶碳化硅企業(yè)被認(rèn)定為創(chuàng)新型中小企業(yè)，19戶冶煉企業(yè)現(xiàn)有23條生產(chǎn)線，設(shè)計(jì)產(chǎn)能60萬(wàn)噸，近年來招商引進(jìn)碳化硅精深加工項(xiàng)目8個(gè)，精深加工設(shè)計(jì)產(chǎn)能22萬(wàn)噸。此外，天祝高性能碳基材料特色產(chǎn)業(yè)基地入選科技部第三批國(guó)家火炬特色產(chǎn)業(yè)基地名單。

根據(jù)官方公告，近期天?？h多個(gè)碳化硅精深加工項(xiàng)目已落地建設(shè)：

· 利欣新材料年產(chǎn)6萬(wàn)噸微粉深加工項(xiàng)目已完成設(shè)備安裝，進(jìn)入試生產(chǎn)階段；

· 新玉通年產(chǎn)6萬(wàn)噸工業(yè)硅項(xiàng)目已建成投產(chǎn)，預(yù)計(jì)年產(chǎn)值達(dá)12億元；

· 金能宏泰達(dá)生產(chǎn)線節(jié)能改造項(xiàng)目已拆除原年產(chǎn)1.25萬(wàn)噸黑碳化硅生產(chǎn)線，正在砌筑新節(jié)能爐體；

· 蘭寧工貿(mào)4萬(wàn)噸微粉項(xiàng)目已完成車間鋼結(jié)構(gòu)主體施工，正在進(jìn)行車間封閉工作等。

此外，政府提供“標(biāo)準(zhǔn)地”供地、企業(yè)“白名單”制度等政策支持，并設(shè)立專項(xiàng)資金鼓勵(lì)企業(yè)技術(shù)創(chuàng)新。

當(dāng)前，天祝縣碳硅基新材料產(chǎn)業(yè)已形成“冶煉-精深加工-制品應(yīng)用”的梯度發(fā)展格局。未來，天祝縣將圍繞“強(qiáng)龍頭、補(bǔ)鏈條、聚集群”的發(fā)展戰(zhàn)略，深入實(shí)施產(chǎn)業(yè)延鏈補(bǔ)鏈行動(dòng)和優(yōu)質(zhì)企業(yè)培育行動(dòng)，為打造西北地區(qū)新材料產(chǎn)業(yè)高地奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）

T/CASAS 036—2025《碳化硅單晶生長(zhǎng)用等靜壓石墨構(gòu)件純度測(cè)定方法 輝光放電質(zhì)譜法》

T/CASAS 048—2025《碳化硅單晶生長(zhǎng)用等靜壓石墨》

上述兩份文件主要起草單位為：賽邁科先進(jìn)材料股份有限公司、北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司、湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司、山東天岳先進(jìn)科技股份有限公司、山西爍科晶體有限公司、山東大學(xué)、中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、中電化合物半導(dǎo)體有限公司、杭州海乾半導(dǎo)體有限公司、北京第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟。

兩項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)旨在為碳化硅（SiC）單晶生長(zhǎng)技術(shù)的規(guī)?；?、高質(zhì)量發(fā)展提供關(guān)鍵支撐。

據(jù)悉，等靜壓石墨是PVT法生長(zhǎng)SiC單晶的重要耗材，占SiC襯底生產(chǎn)物料成本約30%，其國(guó)產(chǎn)化、產(chǎn)業(yè)化、規(guī)?；苿?dòng)了SiC成本的持續(xù)降低，加快了SiC器件更廣泛的應(yīng)用于光伏、儲(chǔ)能、工業(yè)變頻，為我國(guó)的雙碳戰(zhàn)略貢獻(xiàn)力量。

未來，CASA聯(lián)盟將繼續(xù)圍繞第三代半導(dǎo)體材料、器件及應(yīng)用，加速關(guān)鍵標(biāo)準(zhǔn)研制與國(guó)際化布局，助力第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在全球價(jià)值鏈中占據(jù)更高位勢(shì)。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

01、意法半導(dǎo)體：意大利8英寸SiC工廠即將投產(chǎn)

4月24日，意法半導(dǎo)體近日發(fā)布了2025年第一季度財(cái)報(bào)，該公司第一季度凈營(yíng)收為25.2億美元，同比下降27.3%，環(huán)比下降24.2%。毛利率下滑至33.4%，較去年同期下降830個(gè)基點(diǎn)。凈利潤(rùn)下跌89.1%，為5600萬(wàn)美元。盡管整體業(yè)績(jī)下滑，但該公司個(gè)人電子業(yè)務(wù)的逆勢(shì)增長(zhǎng)部分抵消了汽車與工業(yè)市場(chǎng)的疲軟。在財(cái)報(bào)會(huì)議上，意法半導(dǎo)體高管Jean-Marc Chery表示，公司依舊看好碳化硅業(yè)務(wù)的發(fā)展，從長(zhǎng)遠(yuǎn)趨勢(shì)來看，意法半導(dǎo)體在碳化硅市場(chǎng)中的整體份額將至少保持在30%以上。

盡管整體市場(chǎng)面臨挑戰(zhàn)，意法半導(dǎo)體在碳化硅（SiC）領(lǐng)域的布局仍顯示出積極的進(jìn)展。該公司計(jì)劃將意大利與法國(guó)的200mm產(chǎn)線轉(zhuǎn)向高毛利的碳化硅與射頻器件生產(chǎn)，目標(biāo)是到2027年將碳化硅營(yíng)收占比提升至15%。此外，意法半導(dǎo)體還啟動(dòng)了全球制造布局重塑計(jì)劃，旨在優(yōu)化成本結(jié)構(gòu)，預(yù)計(jì)到2027年底實(shí)現(xiàn)每年節(jié)省數(shù)億美元成本

意法半導(dǎo)體表示在碳化硅（SiC）領(lǐng)域的布局也取得重要進(jìn)展。其位于意大利卡塔尼亞的8英寸SiC工廠預(yù)計(jì)將于2025年第四季度開始生產(chǎn)。該工廠是意法半導(dǎo)體全球碳化硅生態(tài)系統(tǒng)的核心，將整合碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈生產(chǎn)流程，包括襯底開發(fā)、外延生長(zhǎng)、前端晶圓制造和模塊后端組裝等。全面落成后，預(yù)計(jì)年產(chǎn)能可達(dá)72萬(wàn)片。這一項(xiàng)目的推進(jìn)，將進(jìn)一步鞏固意法半導(dǎo)體在碳化硅市場(chǎng)的領(lǐng)先地位，滿足汽車、工業(yè)和云基礎(chǔ)設(shè)施等領(lǐng)域?qū)Ω咝躍iC設(shè)備的需求。

02、X-fab：碳化硅業(yè)務(wù)增長(zhǎng)強(qiáng)勁

X-fab在2025年第一季度的財(cái)務(wù)表現(xiàn)顯示出其在碳化硅領(lǐng)域的積極進(jìn)展。公司第一季度實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入2.041億美元，較去年同期下降6%。凈利潤(rùn)為1220.2萬(wàn)美元。盡管整體營(yíng)收有所下降，但碳化硅業(yè)務(wù)表現(xiàn)突出。

據(jù)悉，X-fab的碳化硅業(yè)務(wù)在2025年第一季度實(shí)現(xiàn)收入600萬(wàn)美元（約合人民幣0.43億），較上一季度增長(zhǎng)5%。訂單量環(huán)比增長(zhǎng)17%，連續(xù)第二個(gè)季度大幅增長(zhǎng)。這一增長(zhǎng)主要得益于數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的推動(dòng)，顯示出市場(chǎng)對(duì)碳化硅產(chǎn)品的需求正在復(fù)蘇。

值得注意的是，根據(jù)X-fab 2024年的財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)，該公司在中國(guó)市場(chǎng)的業(yè)務(wù)表現(xiàn)十分亮眼。2024年，X-fab在中國(guó)的全產(chǎn)品出貨量達(dá)到了1.025億美元。而在三四年前，X-fab在中國(guó)的汽車業(yè)務(wù)收入幾乎為零。然而，近年來隨著中國(guó)汽車市場(chǎng)的快速發(fā)展以及對(duì)半導(dǎo)體技術(shù)需求的增加，X-fab在中國(guó)的汽車業(yè)務(wù)實(shí)現(xiàn)了顯著增長(zhǎng)。X-fab預(yù)計(jì)，未來幾年其與中國(guó)公司的汽車業(yè)務(wù)收入將增長(zhǎng)約60%。

source：X-fab

意法半導(dǎo)體和X-fab在2025年第一季度均在碳化硅領(lǐng)域取得了積極進(jìn)展。意法半導(dǎo)體的訂單出貨比改善以及卡塔尼亞8英寸SiC工廠的即將投產(chǎn)，使其在碳化硅市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力進(jìn)一步增強(qiáng)。而X-fab的SiC收入增長(zhǎng)和訂單量持續(xù)攀升，也顯示出其在該領(lǐng)域的強(qiáng)勁發(fā)展勢(shì)頭。隨著全球?qū)Ω咝馨雽?dǎo)體需求的不斷增加，碳化硅市場(chǎng)有望在未來幾年繼續(xù)保持增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）

source：深圳平湖實(shí)驗(yàn)室

通過展示和交流，國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心深圳綜合平臺(tái)能夠更好的發(fā)揮自身在科研、中試、分析檢測(cè)、設(shè)計(jì)仿真等領(lǐng)域的綜合優(yōu)勢(shì)，協(xié)同產(chǎn)業(yè)合作伙伴開展深度合作，打造第三代及第四代功率半導(dǎo)體的技術(shù)創(chuàng)新高地。

資料顯示，根據(jù)科技部統(tǒng)一部署，深圳市從2021年開始承接國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心深圳綜合平臺(tái)建設(shè)任務(wù)，2022年設(shè)立深圳平湖實(shí)驗(yàn)室作為建設(shè)和運(yùn)營(yíng)主體， “一體統(tǒng)籌規(guī)劃、多地分布布局、協(xié)同創(chuàng)新聯(lián)動(dòng)”為建設(shè)原則，聚焦第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域器件物理研究、材料研究、技術(shù)開發(fā)、產(chǎn)品中試，第四代半導(dǎo)體材料器件前沿研究，致力于打造世界領(lǐng)先的第三代及第四代功率半導(dǎo)體創(chuàng)新、中試及共享的平臺(tái)。

2024年11月，國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心深圳綜合平臺(tái)正式建成發(fā)布。
目前，該綜合平臺(tái)已在碳化硅、氧化鎵等多個(gè)領(lǐng)域取得了重要進(jìn)展。

SiC襯底激光剝離技術(shù)領(lǐng)域

SiC由于莫氏硬度高達(dá)9.5，是很難加工的材料。1顆SiC晶錠，厚度為20 mm，單片損失按照300μm，理論產(chǎn)出晶片30片，單片材料損耗率達(dá)到46%。為降低材料損耗，深圳平湖實(shí)驗(yàn)室新技術(shù)研究部開發(fā)激光剝離工藝來替代傳統(tǒng)的多線切割工藝。其工藝過程示意圖如下所示：

source：深圳平湖實(shí)驗(yàn)室

激光剝離工藝與多線切割工對(duì)照：

source：深圳平湖實(shí)驗(yàn)室

深圳平湖實(shí)驗(yàn)室表示，激光剝離技術(shù)在提高生產(chǎn)效率、降低成本方面具有顯著效果，該工藝的推廣，對(duì)于快速促進(jìn)8 inch SiC襯底產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程有著重要意義。

氧化鎵理論研究方面

深圳平湖實(shí)驗(yàn)室第四代材料與器件課題組針對(duì)氧化鎵價(jià)帶能級(jí)低和p-型摻雜困難等問題，采用銠固溶方式理論開發(fā)了新型β相銠鎵氧三元寬禁帶半導(dǎo)體。該成果已在《Advanced Electronic Materials》期刊上發(fā)表并受邀提供期刊封面設(shè)計(jì)。該文章也被收錄到《Progress and Frontiers in Ultrawide bandgap Semiconductors》專題。

半導(dǎo)體材料的功率特性（巴利加優(yōu)值）與其帶隙的立方成正比。氧化鎵具有超寬的帶隙（4.9電子伏）和成熟的制備方法，是功率器件的理想材料。

然而，已有氧化鎵器件的功率特性仍顯著低于材料的理論極限，原因在于氧化鎵價(jià)帶頂能級(jí)低，能帶色散關(guān)系平坦。雜質(zhì)摻雜受主能級(jí)多在1電子伏以上，難以實(shí)現(xiàn)有效的p-型導(dǎo)電。目前氧化鎵器件多基于肖特基勢(shì)壘或與其他氧化物(如氧化鎳)形成p-n異質(zhì)結(jié)。較低的肖特基勢(shì)壘及p-n異質(zhì)結(jié)的高界面態(tài)限制了氧化鎵器件的功率特性。如何實(shí)現(xiàn)氧化鎵的p-型摻雜成為當(dāng)下研究的一個(gè)關(guān)鍵問題。

source：深圳平湖實(shí)驗(yàn)室（β相氧化鎵晶體結(jié)構(gòu)及能帶結(jié)構(gòu)圖）

本工作基于第一性原理考察了銠固溶氧化鎵結(jié)構(gòu)。由于銠的原子半徑與鎵接近，銠固溶氧化鎵具有較低的混合焓，固溶構(gòu)型具有高穩(wěn)定性。這種現(xiàn)象在實(shí)驗(yàn)上也得到了證實(shí)，采用Pt-Rh坩堝生長(zhǎng)氧化鎵晶體時(shí)，銠易進(jìn)入氧化鎵晶格?；谀軒ЫY(jié)構(gòu)分析，銠固溶氧化鎵仍是寬禁帶半導(dǎo)體，其價(jià)帶頂由銠和鄰近的氧原子軌道雜化形成，對(duì)應(yīng)能級(jí)較氧化鎵價(jià)帶頂顯著上升。

此外，價(jià)帶頂附近能帶色散曲率增加，這與沿[010]晶向離域的電子態(tài)密度密切相關(guān)，故該工作作者建議在氧化鎵[010]晶向襯底外延生長(zhǎng)銠固溶氧化鎵外延層。具體地，銠固溶摩爾比濃度在0-50%范圍內(nèi)，固溶體的半導(dǎo)體帶隙在3.77和4.10電子伏之間，其價(jià)帶頂能級(jí)相較于氧化鎵上升了至少1.35電子伏。銠摩爾比為25%時(shí)，其空穴有效質(zhì)量?jī)H為氧化鎵的52.3%，這有助于實(shí)現(xiàn)p型摻雜，擴(kuò)展材料應(yīng)用范圍和改進(jìn)器件的性能。

source：深圳平湖實(shí)驗(yàn)室（圖中(a)和(b)分別為銠固溶摩爾比為25%時(shí)的晶體結(jié)構(gòu)及能帶結(jié)構(gòu)圖，(c) 銠固溶氧化鎵β-(RhxGa1-x)2O3在不同摩爾濃度x下的能帶對(duì)齊圖）

（集邦化合物半導(dǎo)體 Flora 整理）

據(jù)悉，該工廠自2024年投產(chǎn)以來，其碳化硅功率芯片在家用空調(diào)中的裝機(jī)量已經(jīng)突破100萬(wàn)臺(tái)。

SiC材料具有高耐壓、高頻率、高效率等優(yōu)勢(shì)，能夠顯著提升空調(diào)的能效。搭載SiC芯片后，空調(diào)的電能轉(zhuǎn)換效率得到優(yōu)化，制冷制熱效果增強(qiáng)，實(shí)現(xiàn)能耗降低，同時(shí)可以提升產(chǎn)品性能、降低能耗，增強(qiáng)格力空調(diào)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

格力該工廠是全球第二座、亞洲首座全自動(dòng)化6英寸碳化硅芯片工廠。2022年12月，格力投資近百億元的碳化硅芯片工廠正式打樁建設(shè)。2024年12月，這座碳化硅芯片工廠正式投產(chǎn)，創(chuàng)下388天建廠通線的行業(yè)紀(jì)錄。該工廠年產(chǎn)能達(dá)24萬(wàn)片，覆蓋新能源汽車、光伏儲(chǔ)能等戰(zhàn)略領(lǐng)域，核心設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率超70%，并集成人工智能缺陷檢測(cè)系統(tǒng)，良率達(dá)99.6%。

source：格力

根據(jù)《第一財(cái)經(jīng)》報(bào)道，本次股東大會(huì)展開前，格力電器首次帶領(lǐng)投資者參觀該碳化硅芯片工廠。

除了建設(shè)珠海碳化硅芯片工廠，格力電器在SiC半導(dǎo)體領(lǐng)域進(jìn)行了更多布局。

通過自建工廠，格力整合了SiC材料、器件、應(yīng)用等環(huán)節(jié)，形成內(nèi)部協(xié)同效應(yīng)，降低成本并提升供應(yīng)鏈穩(wěn)定性。并與華為等企業(yè)合作，探索SiC芯片在更多場(chǎng)景的應(yīng)用，同時(shí)通過投資砷化鎵晶圓生產(chǎn)線等項(xiàng)目，拓展化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域。在新興市場(chǎng)上，格力也將SiC技術(shù)延伸至新能源汽車、光伏儲(chǔ)能等領(lǐng)域，例如其“無(wú)稀土+碳化硅”技術(shù)矩陣已在深圳地鐵12號(hào)線應(yīng)用，年節(jié)電1500萬(wàn)元。

董明珠強(qiáng)調(diào)，格力造芯未依賴國(guó)家補(bǔ)貼，而是通過“設(shè)計(jì)-制造-封測(cè)”全鏈條布局實(shí)現(xiàn)技術(shù)突圍。隨著8英寸碳化硅晶圓量產(chǎn)計(jì)劃推進(jìn)，格力正以自主技術(shù)重塑全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局。（集邦化合物半導(dǎo)體 妮蔻 整理）

1、聞泰科技：AI賦能，功率半導(dǎo)體迎來新機(jī)遇

聞泰科技是一家全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體和通信技術(shù)公司，業(yè)務(wù)涵蓋半導(dǎo)體、光學(xué)、無(wú)線和功率器件等領(lǐng)域。2024年，公司繼續(xù)在半導(dǎo)體領(lǐng)域加大研發(fā)投入，特別是在碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等第三代半導(dǎo)體材料方面取得了顯著進(jìn)展。

4月25日，聞泰科技發(fā)布2024年年報(bào)，顯示公司營(yíng)收達(dá)到735.98億元，同比增長(zhǎng)20.23%。其中，半導(dǎo)體業(yè)務(wù)表現(xiàn)尤為突出，實(shí)現(xiàn)營(yíng)收147.15億元，凈利潤(rùn)22.97億元，毛利率達(dá)37.47%。

source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖

值得強(qiáng)調(diào)的是，聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)在中國(guó)區(qū)市場(chǎng)表現(xiàn)強(qiáng)勁，收入連續(xù)四個(gè)季度實(shí)現(xiàn)環(huán)比增長(zhǎng)，中國(guó)區(qū)收入占比穩(wěn)步提升至46.91%，且在2025年第一季度同比增長(zhǎng)約24%。

在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，聞泰科技在碳化硅和氮化鎵方面均取得了顯著進(jìn)展。

碳化硅方面， 公司成功推出了高性能車規(guī)級(jí)1200V SiC MOSFET，該產(chǎn)品憑借其卓越的性能，已廣泛應(yīng)用于電池儲(chǔ)能、光伏逆變器等工業(yè)場(chǎng)景，展現(xiàn)出強(qiáng)大的市場(chǎng)潛力。

氮化鎵方面， 聞泰科技作為行業(yè)內(nèi)少數(shù)能夠同時(shí)提供D-mode（耗盡型）和E-mode（增強(qiáng)型）GaN器件的企業(yè)，其產(chǎn)品線覆蓋了40V至700V的電壓規(guī)格，并已在消費(fèi)電子快充以及通信基站等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)量產(chǎn)交付，進(jìn)一步鞏固了公司在高效能、低功耗半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。

為進(jìn)一步滿足全球客戶對(duì)下一代寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品的需求，聞泰科技于2024年6月宣布計(jì)劃投資2億美元用于SiC、GaN等產(chǎn)品的研發(fā)，并將在漢堡工廠建設(shè)相應(yīng)的生產(chǎn)設(shè)施，彰顯了公司在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的戰(zhàn)略決心。

此外，由聞泰科技控股股東代建的臨港12英寸車規(guī)級(jí)晶圓廠已順利完成車規(guī)認(rèn)證并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。這一里程碑事件標(biāo)志著聞泰科技在車規(guī)級(jí)芯片的自主產(chǎn)能和工藝水平邁上了新的臺(tái)階，為其包括碳化硅在內(nèi)的模擬芯片國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程提供了堅(jiān)實(shí)的保障。

在報(bào)告中，聞泰科技指出，AI算力的爆發(fā)為功率半導(dǎo)體開辟了新的增長(zhǎng)點(diǎn)。在AI服務(wù)器和AI終端中，公司GaN器件能夠有效提升能源轉(zhuǎn)換效率，降低能耗和成本，并實(shí)現(xiàn)更小的器件尺寸，從而提高數(shù)據(jù)中心等運(yùn)算密集型應(yīng)用的效率。同時(shí)，隨著端側(cè)算力的發(fā)展，GaN FET芯片已成功在消費(fèi)電子快充客戶中實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

2、三安光電：深耕化合物半導(dǎo)體，碳化硅業(yè)務(wù)多點(diǎn)開花

三安光電持續(xù)聚焦化合物半導(dǎo)體核心主業(yè)，穩(wěn)步推進(jìn)LED業(yè)務(wù)，并積極拓展射頻前端、電力電子、光技術(shù)等集成電路業(yè)務(wù)。

source：三安光電

根據(jù)最新報(bào)告，三安光電在2025年第一季度實(shí)現(xiàn)主營(yíng)收入43.12億元，較上年同期增長(zhǎng)21.23%。更為顯著的是，歸屬于母公司的凈利潤(rùn)達(dá)到2.12億元，同比大幅增長(zhǎng)78.46%。扣除非經(jīng)常性損益后的凈利潤(rùn)為7469萬(wàn)元，較去年同期激增331.43%，展現(xiàn)出強(qiáng)勁的盈利能力。

回顧2024年，三安光電實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入約118.5億元，同比增長(zhǎng)約14.61%。盡管年度凈利潤(rùn)約為2.5億元，同比下降約31.02%，但值得關(guān)注的是，集成電路業(yè)務(wù)表現(xiàn)突出，實(shí)現(xiàn)主營(yíng)業(yè)務(wù)收入同比增長(zhǎng)23.86%，其中碳化硅產(chǎn)品展現(xiàn)出強(qiáng)勁的增長(zhǎng)勢(shì)頭，為公司整體營(yíng)收增長(zhǎng)注入了新的動(dòng)能。

source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖

據(jù)悉，在2024年，三安光電集成電路業(yè)務(wù)實(shí)現(xiàn)顯著進(jìn)展，其中碳化硅業(yè)務(wù)是三安光電的重點(diǎn)發(fā)展方向，公司圍繞車規(guī)級(jí)應(yīng)用，加快碳化硅MOSFET技術(shù)迭代，并穩(wěn)步推進(jìn)與意法半導(dǎo)體合資的重慶8英寸碳化硅項(xiàng)目落地。湖南三安作為國(guó)內(nèi)為數(shù)不多的碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合制造平臺(tái)，已擁有6英寸碳化硅配套產(chǎn)能16,000片/月，8英寸碳化硅襯底、外延產(chǎn)能1,000片/月，8英寸碳化硅芯片產(chǎn)線正在建設(shè)中，擁有硅基氮化鎵產(chǎn)能2,000片/月。具體來看：

產(chǎn)品布局：湖南三安已完成650V到2000V、1A到100A的全電壓電流的碳化硅二極管產(chǎn)品梯度建設(shè)，其中第五代高浪涌版本碳化硅二極管主要應(yīng)用于光伏領(lǐng)域，第六代低正向?qū)妷寒a(chǎn)品主要應(yīng)用于電源領(lǐng)域。

SiC MOSFET產(chǎn)品：公司已完成從650V到2000V、13mΩ到1000mΩ的全系列SiC MOSFET的產(chǎn)品布局，應(yīng)用于光伏、充電樁、工業(yè)電源、數(shù)據(jù)中心及AI服務(wù)器電源等工業(yè)級(jí)市場(chǎng)，部分產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)并批量供貨。

合資項(xiàng)目進(jìn)展：湖南三安與意法半導(dǎo)體在重慶設(shè)立的合資公司安意法已于2025年2月實(shí)現(xiàn)通線，首次建設(shè)產(chǎn)能2,000片/月，規(guī)劃達(dá)產(chǎn)后8英寸外延、芯片產(chǎn)能為48萬(wàn)片/年。湖南三安與理想汽車成立的合資公司蘇州斯科半導(dǎo)體一期產(chǎn)線已實(shí)現(xiàn)通線，全橋功率模塊已在2025年一季度實(shí)現(xiàn)批量下線。

而在射頻前端領(lǐng)域，該公司構(gòu)建了專業(yè)的射頻代工平臺(tái)和產(chǎn)品封裝平臺(tái)，提供包括射頻功放/低噪放、濾波器、SIP封裝等差異化解決方案，廣泛應(yīng)用于手機(jī)、WiFi、物聯(lián)網(wǎng)、路由器、通信基站等市場(chǎng)。受益于終端市場(chǎng)需求的回暖以及客戶供應(yīng)鏈的調(diào)整，公司的砷化鎵射頻代工及濾波器業(yè)務(wù)營(yíng)業(yè)收入較上年同期實(shí)現(xiàn)了大幅增長(zhǎng)，鞏固了其在射頻前端國(guó)產(chǎn)供應(yīng)鏈中的重要地位。

在氮化鎵射頻代工領(lǐng)域，公司面向通信基站市場(chǎng)提供高性能氮化鎵射頻功放代工平臺(tái)，并積極投入消費(fèi)級(jí)射頻及6G應(yīng)用工藝的研發(fā)，客戶結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)突破，與國(guó)際客戶的合作產(chǎn)品已通過初步驗(yàn)證。（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）