圖片來源：惠豐鉆石公告截圖
惠豐鉆石表示，該計劃分兩期實施，具體各期投資規(guī)模及進度由公司根據(jù)市場情況及設(shè)備迭代情況隨時調(diào)整。其中一期投資約5億元，擬安裝500臺MPCVD設(shè)備，主要從事CVD培育鉆石及CVD金剛石膜的研發(fā)與生產(chǎn)，根據(jù)市場行情及設(shè)備迭代情況在4-5年內(nèi)完成投產(chǎn)。同時為保障本項目順利推進，惠豐鉆石擬與包頭市昆都侖區(qū)人民政府簽訂投資協(xié)議。
資料顯示，惠豐鉆石是一家專注于人造金剛石材料領(lǐng)域的國家級高新技術(shù)企業(yè)，2022年登陸北交所，成為中國超硬材料行業(yè)首家北交所上市公司。
其主營業(yè)務(wù)聚焦人造單晶金剛石微粉、金剛石破碎整形料的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，近年進一步延伸至CVD培育鉆石及金剛石膜（含半導體級）的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化布局，產(chǎn)品涵蓋微粉、精微粉、超純微粉、高強整形料、改性微粉、單晶納米金剛石及CVD培育鉆石等。
惠豐鉆石稱，本次投資符合公司發(fā)展需要，有利于提高公司經(jīng)濟效益，增強公司后續(xù)可持續(xù)發(fā)展能力，對公司運營和發(fā)展具有積極意義，不存在損害公司及全體股東利益的情形。本次交易不構(gòu)成重大資產(chǎn)重組，亦不構(gòu)成關(guān)聯(lián)交易。
行業(yè)分析認為，惠豐鉆石該項目將強化公司CVD金剛石材料產(chǎn)能，金剛石膜可用于超寬禁帶半導體散熱、功率器件襯底等場景，契合第四代半導體材料應(yīng)用趨勢。
此外，根據(jù)雙方簽訂的協(xié)議，基于惠豐鉆石項目對包頭當?shù)氐慕?jīng)濟發(fā)展、完善CVD金剛石產(chǎn)業(yè)鏈、增加就業(yè)崗位等方面的重要意義，依據(jù)相關(guān)政策，雙方進一步協(xié)商，包頭市昆都侖區(qū)人民政府在戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)申報、新能源風力發(fā)電建設(shè)指標及爭取專項資金等方面給予惠豐鉆石優(yōu)惠政策支持。
（集邦化合物半導體整理）
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圖片來源：中微公司公告截圖
中微公司正在籌劃通過發(fā)行股份的方式，購買#杭州眾硅 電子科技有限公司（以下簡稱“杭州眾硅”）控股權(quán)并募集配套資金。該交易尚處于籌劃階段，截至公告披露日，本次交易的審計、評估工作尚未完成，標的資產(chǎn)估值及定價尚未確定。
資料顯示，中微公司是國內(nèi)高端半導體設(shè)備廠商，等離子體刻蝕設(shè)備已應(yīng)用于國際一線客戶先進集成電路加工制造生產(chǎn)線，以及先進存儲、先進封裝生產(chǎn)線。
今年前三季度，中微公司實現(xiàn)營業(yè)收入80.63億元，同比增長約46.40%。其中刻蝕設(shè)備收入61.01億元，同比增長約38.26%；LPCVD（低壓力化學氣相沉積法）和ALD（原子層沉積）等薄膜設(shè)備收入4.03億元，同比增長約1332.69%；同期實現(xiàn)歸母凈利潤為12.11億元，同比增長約32.66%。
杭州眾硅成立于2018年5月，公司主營業(yè)務(wù)為高端化學機械平坦化拋光（CMP）設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)及銷售，并為客戶提供CMP設(shè)備的整體解決方案，主要產(chǎn)品為12英寸的CMP設(shè)備。
中微公司表示，本次交易旨在為客戶提供更具競爭力的成套工藝解決方案。中微公司的主要產(chǎn)品是等離子體刻蝕和薄膜沉積設(shè)備，屬于真空下的干法設(shè)備。杭州眾硅所開發(fā)的是濕法設(shè)備里面重要的化學機械拋光設(shè)備（CMP）?？涛g、薄膜和濕法設(shè)備，是除光刻機以外最為核心的半導體工藝加工設(shè)備。通過本次并購，雙方將形成顯著的戰(zhàn)略協(xié)同，同時標志著中微公司向“集團化”和“平臺化”邁出關(guān)鍵一步，符合公司通過內(nèi)生發(fā)展與外延并購相結(jié)合、持續(xù)拓展集成電路覆蓋領(lǐng)域的戰(zhàn)略規(guī)劃。
（集邦化合物半導體整理）
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圖片來源：CHIPX Global社交平臺
這座工廠將成為東盟區(qū)域內(nèi)首條8英寸GaN/SiC前端晶圓產(chǎn)線。行業(yè)分析認為，其技術(shù)方向并非傳統(tǒng)SiC功率器件或GaN射頻器件，而是聚焦光子集成電路、高帶寬光互連及先進材料工程領(lǐng)域，核心適配下一代人工智能數(shù)據(jù)中心、高性能計算系統(tǒng)的需求，例如為AI數(shù)據(jù)中心提供SiC光子集成電路、SiC中介層，以及面向GPU處理器的GaN晶圓等產(chǎn)品。
CHIPX Global 成立于2022年（注冊地英國，企業(yè)歸屬愛爾蘭），核心團隊具備半導體行業(yè)資深經(jīng)驗——創(chuàng)始人欽莫伊?巴魯阿（ChinmoyBaruah）擁有材料科學領(lǐng)域?qū)W術(shù)背景及初創(chuàng)企業(yè)運營經(jīng)驗，聯(lián)合創(chuàng)始人兼CTO姚耀成（音譯）曾任職于比亞迪、Vishay等企業(yè)，深耕模擬芯片設(shè)計與GaN技術(shù)研發(fā)，為項目技術(shù)落地提供了基礎(chǔ)。
1、英飛凌馬來西亞8英寸SiC廠量產(chǎn)
馬來西亞本身已具備半導體產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)，尤其在第三代半導體（SiC/GaN）領(lǐng)域，已吸引一些國際巨頭落地核心產(chǎn)能。
作為全球功率半導體龍頭，英飛凌在馬來西亞的布局堪稱標桿，其位于吉打州居林（Kulim）的制造基地已發(fā)展為全球規(guī)模領(lǐng)先的SiC晶圓生產(chǎn)中心。
早在2006年，英飛凌便在居林開設(shè)了亞洲首座前道晶圓廠，2022年正式啟動第三廠區(qū)建設(shè)，專門聚焦8英寸SiC功率半導體制造，項目總投資達70億歐元（一期20億歐元、二期50億歐元），是馬來西亞迄今最大的半導體單筆投資之一。
2024年8月，該工廠一期項目正式投產(chǎn)運營，馬來西亞總理安瓦爾?易卜拉欣親自出席啟動儀；一期產(chǎn)線初期以6英寸晶圓生產(chǎn)為過渡，2024年底已具備8英寸SiC晶圓量產(chǎn)條件，2025年第一季度已開始向汽車、可再生能源領(lǐng)域客戶交付8英寸SiC器件產(chǎn)品，預(yù)計2027年將全面轉(zhuǎn)向8英寸晶圓規(guī)?；a(chǎn)。
值得關(guān)注的是，該工廠采用與奧地利菲拉赫工廠聯(lián)動的“虛擬協(xié)同工廠”模式，共享核心技術(shù)與工藝標準，目前已吸引六家全球主流整車廠及新能源企業(yè)簽訂設(shè)計訂單，累計訂單額超50億歐元，還收到約10億歐元客戶預(yù)付款，產(chǎn)能消化確定性強。
2、意法半導體、奧特斯完善封裝與材料配套
除英飛凌外，國際巨頭意法半導體也在馬來西亞加碼特色工藝與封裝測試環(huán)節(jié)。
意法半導體在馬來西亞柔佛州麻坡（Muar）打造了先進的功率半導體封裝測試基地，重點聚焦汽車級SiC器件的后道工藝。
該基地配備了針對SiC功率模塊的高可靠性封裝生產(chǎn)線，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于新能源汽車主逆變器、工業(yè)變頻器等場景，與英飛凌的晶圓制造產(chǎn)能形成工藝互補，共同完善了馬來西亞SiC產(chǎn)業(yè)鏈的“制造-封裝”閉環(huán)。
此外，奧地利科技企業(yè)奧特斯（AT&S）于2024年在吉打州居林高科技園區(qū)啟用高端半導體封裝載板工廠，總投資超10億歐元，專為AMD等企業(yè)的第三代半導體相關(guān)芯片提供封裝載板支持，2024年底已正式量產(chǎn)。封裝載板作為SiC/GaN芯片封裝的核心材料，其本地化供應(yīng)進一步降低了馬來西亞第三代半導體產(chǎn)業(yè)的供應(yīng)鏈成本。
3、中企加碼SiC襯底與封測環(huán)節(jié)
中國企業(yè)方面，國內(nèi)半導體設(shè)備龍頭#晶盛機電 的全球化布局成為馬來西亞第三代半導體產(chǎn)業(yè)的重要補充。
2025年7月，晶盛機電子公司浙江晶瑞SuperSiC在檳城州舉行8英寸SiC襯底制造工廠奠基儀式，項目總占地面積4萬平方米，一期建成后將實現(xiàn)24萬片/年的8英寸SiC襯底產(chǎn)能，產(chǎn)品主要供應(yīng)電動汽車充電器、電信基站電源等領(lǐng)域。
圖片來源：晶盛機電
該工廠整合了晶體生長、切割、拋光等全流程工藝，是東南亞地區(qū)規(guī)模領(lǐng)先的SiC襯底生產(chǎn)基地，不僅填補了當?shù)氐谌雽w核心材料制造的空白，還能依托檳城已有的300多家半導體企業(yè)集群，快速接入全球供應(yīng)鏈。
此外，通富微電、華天科技等中企通過收購馬來西亞當?shù)胤鉁y企業(yè)，已將業(yè)務(wù)延伸至SiC器件的封裝測試領(lǐng)域，成為馬來西亞第三代半導體后道環(huán)節(jié)的重要力量。
（集邦化合物半導體 金水 整理）
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]]>超芯星表示，傳統(tǒng)圓形襯底在先進封裝中面臨邊緣利用不足、熱分布不均的挑戰(zhàn)。
為此，超芯星正式推出方形結(jié)構(gòu)晶片。其契合芯片矩形布局，減少邊緣浪費，提升單位面積散熱效能；熱量得以更均勻、更快速地由中心向四邊擴散，避免局部熱點；尤其適合對集成度與散熱有嚴苛要求的高功率模塊、先進封裝及下一代電力電子器件。
資料顯示，超芯星成立于2019年4月，專注于第三代半導體碳化硅（SiC）襯底全產(chǎn)業(yè)鏈研發(fā)與生產(chǎn)，覆蓋設(shè)備、粉料、晶體生長、晶體加工及晶片檢測全流程。稍早之前，超芯星完成了數(shù)億元C輪融資，進一步鞏固了其在行業(yè)內(nèi)的地位。
今年9月，超芯星宣布成功推出新一代8mΩ·cm低阻碳化硅（SiC）襯底。
目前，超芯星已實現(xiàn)#6英寸車規(guī)級碳化硅襯底 的量產(chǎn)出貨，并與國內(nèi)知名下游客戶簽訂了8英寸碳化硅深度戰(zhàn)略合作協(xié)議。
（集邦化合物半導體整理）
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]]>星光陶技始建于1995年，還是中國首家與德國FCT精細技術(shù)陶瓷有限公司共同出資組建的高級碳化硅窯具制造企業(yè)。其核心業(yè)務(wù)是生產(chǎn)重結(jié)晶碳化硅和氮化硅結(jié)合碳化硅系列制品，為陶瓷及相關(guān)行業(yè)提供高品質(zhì)節(jié)能窯具、高溫窯爐配件和高附加值結(jié)構(gòu)部件，產(chǎn)品應(yīng)用覆蓋高溫氧化鋁氧化鋯制品、日用陶瓷、鋰電池、冶金化工等多個領(lǐng)域。
經(jīng)過多年發(fā)展，該公司產(chǎn)品已銷往世界21個國家和地區(qū)，還通過了ISO9001:2000質(zhì)量管理體系認證，產(chǎn)品質(zhì)量和性能達到世界先進水平。目前除了工業(yè)窯爐領(lǐng)域，它還在環(huán)保行業(yè)陶瓷膜、半導體行業(yè)材料等新領(lǐng)域拓展應(yīng)用。
盛京金控成立于2017年6月，是沈陽市國有金融資本集聚平臺，注冊資本達218.89億元。其核心定位是立足金融服務(wù)實體經(jīng)濟，通過股權(quán)投資、基金管理等多種方式支持區(qū)域內(nèi)重點產(chǎn)業(yè)和科創(chuàng)企業(yè)發(fā)展。
對星光陶技而言，新的融資的資金將為其技術(shù)研發(fā)提供助力，比如進一步優(yōu)化碳化硅制品的性能、拓展在半導體、光伏等新領(lǐng)域的應(yīng)用技術(shù)；同時也能支撐其市場拓展，強化現(xiàn)有海外市場布局并開拓新的國內(nèi)國際市場，提升在高級碳化硅制品領(lǐng)域的行業(yè)競爭力。
（集邦化合物半導體整理）
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圖片來源：美鎵傳感
美鎵傳感是一家2022年成立的、聚焦氮化鎵相關(guān)傳感技術(shù)的創(chuàng)新型科技企業(yè)，在電力電網(wǎng)、新能源等領(lǐng)域的安全監(jiān)測領(lǐng)域表現(xiàn)突出。公司的核心技術(shù)圍繞第三代半導體氮化鎵，搭配微機電系統(tǒng)（MEMS）和集成電路技術(shù)展開，而且自主把控研發(fā)設(shè)計、工藝、封裝、測試等全核心環(huán)節(jié)。
其核心產(chǎn)品可分為兩類，一類是氮化鎵紫外、溫度、壓力、氣體、電流等各類傳感器芯片；另一類是基于這些芯片的模組和系統(tǒng)，比如明星產(chǎn)品氮化鎵紫外局放監(jiān)測系統(tǒng)。
國家能源集團寧夏煤業(yè)公司棗泉煤礦（簡稱棗泉煤礦）是國家能源集團寧夏煤業(yè)公司主力礦井，位于靈武礦區(qū)南部。其110kV變電站10kV總降配電室高壓開關(guān)柜等電力設(shè)備運行環(huán)境復(fù)雜，存在多重干擾，對設(shè)備穩(wěn)定運行構(gòu)成挑戰(zhàn)。
為提升供電系統(tǒng)可靠性，在此部署了氮化鎵紫外局放監(jiān)測系統(tǒng)。該系統(tǒng)利用氮化鎵材料的紫外靈敏度優(yōu)勢，能在上述環(huán)境下精準、實時地檢測電氣設(shè)備局部放電現(xiàn)象，實現(xiàn)故障早期預(yù)警，有效保障煤礦電力系統(tǒng)安全穩(wěn)定運行。
氮化鎵特性契合場景，技術(shù)優(yōu)勢保障安全
具體來看，氮化鎵（GaN）之所以能夠應(yīng)用于棗泉煤礦氮化鎵紫外局放監(jiān)測系統(tǒng)項目，核心源于其作為第三代半導體材料的優(yōu)異物化特性與光電性能，與煤礦電力系統(tǒng)局部放電監(jiān)測的場景需求高度契合。
一方面，氮化鎵是實現(xiàn)局部放電早期精準監(jiān)測的核心材料支撐。電力設(shè)備局部放電的初期階段，會伴隨波長處于200–280nm范圍的深紫外光輻射，這一特征光譜是判定設(shè)備絕緣劣化的關(guān)鍵信號。
而氮化鎵材料本身具有寬禁帶（約3.4eV）、高臨界擊穿電場、強紫外光吸收系數(shù)等特性，可直接對深紫外光實現(xiàn)高靈敏度響應(yīng)，無需額外的濾光或信號放大組件即可捕捉到局部放電初期的微弱紫外信號，實現(xiàn)故障隱患的超早期識別。
相較于傳統(tǒng)硅基傳感器，氮化鎵傳感器的響應(yīng)速度更快、探測精度更高，能夠有效區(qū)分局部放電紫外信號與環(huán)境雜散光，從技術(shù)底層解決了早期局放信號“捕捉難、識別難”的行業(yè)痛點。
另一方面，氮化鎵的性能優(yōu)勢完美適配煤礦復(fù)雜嚴苛的應(yīng)用環(huán)境。煤礦井下存在強電磁干擾、高粉塵、高濕度、溫度波動大等多重復(fù)雜工況，傳統(tǒng)電氣類局放監(jiān)測設(shè)備易受電磁干擾產(chǎn)生誤報、漏報，而光學監(jiān)測方案雖可規(guī)避電磁干擾，但傳統(tǒng)光學傳感器的穩(wěn)定性與耐受性難以滿足井下環(huán)境要求。
氮化鎵材料具備出色的耐高溫、抗腐蝕、抗輻射性能，基于其制備的傳感器可在惡劣工況下長期穩(wěn)定運行，無需頻繁維護校準；同時，氮化鎵傳感器以光信號為檢測載體，完全不受井下電力設(shè)備運行產(chǎn)生的電磁噪聲干擾，能夠保障監(jiān)測數(shù)據(jù)的準確性與可靠性，為煤礦電力系統(tǒng)的安全監(jiān)測提供了穩(wěn)定的技術(shù)保障。
最后，氮化鎵在該項目的應(yīng)用，推動了煤礦電力安全監(jiān)測技術(shù)的升級迭代，具有顯著的行業(yè)示范價值。長期以來，煤礦電力設(shè)備的局部放電監(jiān)測多依賴于接觸式電氣檢測或后期故障排查，不僅難以實現(xiàn)早期預(yù)警，還存在人工巡檢效率低、安全風險高等問題。
氮化鎵紫外局放監(jiān)測系統(tǒng)的落地，構(gòu)建了“非接觸式、實時化、高精度”的監(jiān)測體系，實現(xiàn)了從“事后維修”到“事前預(yù)警”的模式轉(zhuǎn)變，大幅降低了因設(shè)備絕緣劣化引發(fā)的停電、火災(zāi)等安全事故風險。
與此同時，該項目的成功投運，驗證了氮化鎵傳感技術(shù)在工業(yè)級復(fù)雜場景的應(yīng)用可行性，為第三代半導體材料在能源、電力、工業(yè)安全等領(lǐng)域的規(guī)?；瘧?yīng)用提供了實踐范例，助力相關(guān)行業(yè)的技術(shù)升級與高質(zhì)量發(fā)展。
（集邦化合物半導體 金水 整理）
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]]>座談會上，李波等企業(yè)負責人在前期合作對接的基礎(chǔ)上，就幫助企業(yè)加快項目備案、做好窗口指導和用地保障等方面工作提出訴求。參會縣級領(lǐng)導和部門針對企業(yè)需求逐一進行了回應(yīng)。王國泉對李波一行的到來表示歡迎，要求相關(guān)部門積極主動、高質(zhì)高效幫助企業(yè)開展前期工作，及時解決影響項目建設(shè)的實際問題，為項目推進保駕護航，推動項目建設(shè)提速加力。
資料顯示，內(nèi)蒙古東?？萍继蓟桧椖靠偼顿Y50億元，擬分期建設(shè)50萬片第三代半導體8英寸碳化硅襯底材料、1000臺碳化硅長晶生產(chǎn)線。
內(nèi)蒙古發(fā)展碳化硅產(chǎn)業(yè)擁有得天獨厚的優(yōu)勢。首先是豐富的高品質(zhì)硅石資源。碳化硅的主要原材料是高純石英砂，而內(nèi)蒙古準格爾旗及周邊地區(qū)蘊藏著儲量巨大、品質(zhì)優(yōu)良的硅石礦產(chǎn)，為高純度碳化硅的生產(chǎn)提供了堅實的原料保障。
此外，內(nèi)蒙古在碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈上已有多家知名企業(yè)和重點項目布局。協(xié)鑫集團作為國內(nèi)多晶硅領(lǐng)域的巨頭，在內(nèi)蒙古布局了多個顆粒硅項目，為下游的碳化硅生產(chǎn)提供了重要的原材料保障。通威股份在內(nèi)蒙古的高純晶硅項目，也為當?shù)毓璨牧袭a(chǎn)業(yè)的發(fā)展提供了強大的技術(shù)和產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)。
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圖片來源：中國電子材料行業(yè)協(xié)會公告截圖
鎵仁半導體牽頭兩項氧化鎵團體標準正式發(fā)布！
《β相氧化鎵同質(zhì)外延片》（T/CEMIA 050-2025）的牽頭單位為杭州鎵仁半導體有限公司。
其它參編單位有中國電子科技集團公司第四十六研究所、中國科學技術(shù)大學、中國電子科技集團公司第十三研究所、西安電子科技大學、南京大學、中山大學、甬江實驗室、浙江大學、浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心、杭州富加鎵業(yè)科技有限公司、進化半導體有限公司、深圳平湖實驗室、華潤微電子有限公司、NEXTGO EPI UG、電子科技大學、安徽大學、廈門大學、中國科學院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所、鎵創(chuàng)未來半導體科技(晉江)有限公司、大連理工大學、中國科學院東莞材料科學與技術(shù)研究院、湖北九峰山實驗室、杭州芯創(chuàng)德半導體有限公司、西南大學、香港科技大學。
《氧化鎵單晶位錯密度測試方法》（T/CEMIA 051-2025）的牽頭單位為杭州鎵仁半導體有限公司。
其它參編單位有中國電子科技集團公司第四十六研究所、中國科學技術(shù)大學、中國電子科技集團公司第十三研究所、西安電子科技大學、南京大學、中山大學、甬江實驗室、浙江大學、浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心、杭州富加鎵業(yè)科技有限公司、進化半導體有限公司、深圳平湖實驗室、華潤微電子有限公司、NEXTGO EPI UG、電子科技大學、安徽大學、廈門大學、中國科學院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所、鎵創(chuàng)未來半導體科技(晉江)有限公司、大連理工大學、中國科學院東莞材料科學與技術(shù)研究院、湖北九峰山實驗室、杭州芯創(chuàng)德半導體有限公司、西南大學、香港科技大學。
這兩項由中國電子材料行業(yè)協(xié)會發(fā)布的氧化鎵領(lǐng)域團體標準，將為β相氧化鎵同質(zhì)外延片的質(zhì)量管控與氧化鎵單晶位錯密度的統(tǒng)一測試提供依據(jù)。標準的落地將推動氧化鎵從實驗室走向規(guī)模化生產(chǎn)，為我國在超寬禁帶半導體賽道建立技術(shù)與產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢奠定基礎(chǔ)，助力實現(xiàn) “超寬禁帶半導體之王” 的產(chǎn)業(yè)化價值釋放，支撐國家新能源與高端制造戰(zhàn)略。
鎵仁半導體賦能氧化鎵研究新突破
杭州#鎵仁半導體 有限公司成立于2022年9月，位于浙江省杭州市蕭山區(qū)，是一家專注于寬禁帶半導體氧化鎵單晶材料研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的科技型企業(yè)。公司核心產(chǎn)品包括：2-8英寸氧化鎵單晶與襯底（其中8英寸為國際首發(fā)）、氧化鎵垂直布里奇曼法（VB法）長晶設(shè)備、氧化鎵外延片等，致力于構(gòu)建 “設(shè)備-晶體-襯底-外延” 全鏈條產(chǎn)品體系，為全球客戶提供系統(tǒng)性解決方案。
2025年3月，鎵仁半導體發(fā)布全球首顆第四代半導體氧化鎵8英寸單晶，并加工出8英寸襯底，刷新了氧化鎵單晶尺寸的全球紀錄。7月，鎵仁半導體研發(fā)的8英寸氧化鎵襯底通過了國內(nèi)/國外知名機構(gòu)的檢測，并聯(lián)合發(fā)布檢測結(jié)果。
第三方檢測結(jié)果表明，8英寸襯底XRD搖擺曲線半高寬<30 arcsec，達到國際領(lǐng)先水平。8英寸高質(zhì)量氧化鎵襯底的問世，標志著氧化鎵產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用邁入全面加速落地階段，是產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要里程碑。
2025年11月，鎵仁半導體完成Pre-A+輪戰(zhàn)略融資。根據(jù)企查查信息顯示，本輪融資由余杭金控、九智資本、方廣資本、深創(chuàng)投、華睿投資等共同投資。
2025年12月，鎵仁半導體推出 “SCIENCE系列” 科研級VB法長晶設(shè)備，專為2-6英寸氧化鎵科研場景量身打造，以全自主核心技術(shù)助力科研工作者在長晶、摻雜、缺陷控制及材料性能優(yōu)化等領(lǐng)域高效探索。
（集邦化合物半導體 Flora 整理）
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]]>01、弘源碳化硅公司制品車間技術(shù)改造項目順利竣工
近日，弘源碳化硅公司制品車間“烘干窯煙氣回收及氮化爐改造項目”順利竣工。該項目通過引入新技術(shù)與新設(shè)備，結(jié)合科學與系統(tǒng)化施工，有效解決了車間室內(nèi)煙塵問題，大幅提升員工工作環(huán)境質(zhì)量。
此次改造涉及的氮化爐，是該公司生產(chǎn)碳化硅制品的核心設(shè)備。例如其主打的氮化硅結(jié)合碳化硅耐火磚等產(chǎn)品，生產(chǎn)過程中就離不開氮化爐的加工環(huán)節(jié)。而烘干窯則是碳化硅制品生產(chǎn)流程中用于原料或半成品烘干的重要設(shè)備，這兩類設(shè)備在運行中會因碳化硅生產(chǎn)工藝產(chǎn)生煙塵。此次對這兩種設(shè)備的改造，本質(zhì)是為了優(yōu)化碳化硅制品的生產(chǎn)環(huán)境，保障碳化硅相關(guān)產(chǎn)品能穩(wěn)定高效地生產(chǎn)。
據(jù)介紹，本次專項技改項目核心內(nèi)容包括：采用氣動旋流塔用PP多面空心球吸附油煙，并配備工業(yè)靜電油煙凈化設(shè)備，對煙氣進行深度處置，確保排放穩(wěn)定達標；對窯爐和烘干窯的煙道系統(tǒng)進行全面優(yōu)化設(shè)計與施工，在充分兼顧設(shè)備后期維護便利性與生產(chǎn)連續(xù)性的基礎(chǔ)上，實現(xiàn)全密閉、無泄露的煙氣疏送路徑，杜絕“跑、冒、漏”的現(xiàn)象。
#弘源碳化硅公司 成立于2004年，位于湖北丹江口市，其主營業(yè)務(wù)聚焦于碳化硅原料及碳化硅特種陶瓷制品，像高品質(zhì)大結(jié)晶黑碳化硅、氮化硅結(jié)合碳化硅制品、碳化硅陶瓷泵等都是其核心產(chǎn)品。制品車間本身就是用于加工生產(chǎn)各類碳化硅相關(guān)制品的關(guān)鍵場所，此次改造的是該車間的核心生產(chǎn)配套設(shè)施。
作為國內(nèi)較早擁有碳化硅制品及原料全產(chǎn)業(yè)鏈的企業(yè)，它在襄陽和丹江口設(shè)有兩大廠區(qū)，產(chǎn)品覆蓋多領(lǐng)域。其中丹江口廠區(qū)主打高品質(zhì)大結(jié)晶黑碳化硅塊及段砂、傳統(tǒng)碳化硅陶瓷制品等，應(yīng)用于高檔耐材、冶金、新能源等行業(yè)；襄陽廠區(qū)側(cè)重碳化硅陶瓷泵、脫硫噴嘴等異形件陶瓷制品，適配冶金、磷化工、脫硫脫硝等場景。
產(chǎn)能方面，公司建有30000KVA碳化硅冶煉爐、年產(chǎn)8000噸制粒生產(chǎn)線等，可年產(chǎn)35000噸氮化硅結(jié)合碳化硅制品原料及高品質(zhì)不定形耐火材料，同時產(chǎn)品還遠銷東南亞、美國、俄羅斯等多個國家和地區(qū)。
02、總投資1.1億元，浙江公司擬擴建碳化硅復(fù)合陶瓷膜生產(chǎn)線
12月11日，浙江省投資項目在線審批監(jiān)管平臺正式發(fā)布備案公示，浙江堅膜科技有限公司“年產(chǎn)10萬平方米碳化硅復(fù)合陶瓷次納米多孔膜材料生產(chǎn)項目”完成備案，標志著這家國家級高新技術(shù)企業(yè)在高端碳化硅膜產(chǎn)業(yè)化布局上邁出重要一步。該項目總投資1.1億元，選址衢州市江山市蓮華山工業(yè)園，建成后將進一步鞏固浙江在國內(nèi)碳化硅陶瓷膜產(chǎn)業(yè)的優(yōu)勢地位。
圖片來源：備案公示截圖
據(jù)公示信息顯示，該項目為擴建性質(zhì)，將租用江山經(jīng)濟開發(fā)區(qū)賀新路7-5號樓4000平方米閑置廠房，建設(shè)專業(yè)化碳化硅復(fù)合陶瓷次納米多孔膜生產(chǎn)線。項目聚焦高性能無機分離膜材料的規(guī)模化生產(chǎn)，產(chǎn)品具備次納米級過濾精度、耐高溫、耐酸堿、抗污染等技術(shù)特點，可應(yīng)用于水處理、化工分離、新能源材料提純、半導體制造等多個高端領(lǐng)域。項目達產(chǎn)后，預(yù)計年實現(xiàn)銷售收入2億元，利潤4000萬元，年繳稅收1000萬元，將為地方經(jīng)濟發(fā)展注入新動能。
作為項目建設(shè)主體，#浙江堅膜科技有限公司 具備較強的技術(shù)與產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)。公司成立于2014年，是國內(nèi)專注于高品質(zhì)純碳化硅膜研發(fā)、生產(chǎn)與服務(wù)的企業(yè)，已建成碳化硅陶瓷膜高新技術(shù)企業(yè)研究開發(fā)中心，并與中科院上海硅研所、浙江大學等知名科研機構(gòu)建立“產(chǎn)學研”合作機制，組建“浙大——堅膜碳化硅聯(lián)合研發(fā)中心”，技術(shù)研發(fā)水平處于行業(yè)前列。
通過持續(xù)的技術(shù)創(chuàng)新，公司已形成管式膜、平板膜、柱式膜等全系列產(chǎn)品矩陣，在煙草浸取液膜分離等技術(shù)領(lǐng)域取得突破，產(chǎn)品覆蓋國內(nèi)市政水務(wù)、化工、新能源等核心領(lǐng)域，同時出口法國、日本等海外市場，獲得市場認可。
此次擴建項目是堅膜科技產(chǎn)能布局的重要延伸。截至目前，公司已具備20萬平方米年生產(chǎn)能力，江山生產(chǎn)基地一期10萬平方米產(chǎn)能于2022年投產(chǎn)并實現(xiàn)創(chuàng)收，此次新增10萬平方米產(chǎn)能將使公司總產(chǎn)能提升至30萬平方米，規(guī)?；?yīng)進一步顯現(xiàn)。
從行業(yè)背景來看，當前我國碳化硅陶瓷膜行業(yè)處于快速發(fā)展階段，隨著“雙碳”戰(zhàn)略推進與環(huán)保法規(guī)收緊，市場對高性能分離膜材料的需求持續(xù)增長。堅膜科技此次擴建，將有助于滿足市場對高端碳化硅膜的需求，同時為打破國外在高性能膜領(lǐng)域的技術(shù)壟斷、提升我國在全球高端分離材料市場的參與度提供支撐。
（集邦化合物半導體 金水 整理）
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]]>據(jù)悉，本屆IEDM上，小米集團手機部與蘇州能訊高能半導體有限公司、香港科技大學合作的論文成功入選，率先報道了應(yīng)用于移動終端的高效率低壓硅基氮化鎵射頻功率放大器，并在GaN and III-V Integration for Next-Generation RF Devices分會場首個亮相。
小米技術(shù)官方微信表示，此次入選標志著氮化鎵高電子遷移率晶體管技術(shù)在移動終端通信領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)歷史性突破，并獲得國際頂尖學術(shù)平臺的高度認可。
1、研究背景
小米指出，在當前移動通信技術(shù)從5G/5G-Advanced向6G演進的關(guān)鍵階段，手機射頻前端器件正持續(xù)面臨超高效率、超寬帶、超薄化與小型化的多重技術(shù)挑戰(zhàn)。以氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶半導體材料，憑借其高臨界擊穿電場與優(yōu)異的熱導性能，被視為突破當前射頻功放性能瓶頸的重要技術(shù)方向之一。
傳統(tǒng)GaN器件主要面向通信基站設(shè)計，通常需在28V/48V的高壓下工作，無法與手機終端現(xiàn)有的低壓供電系統(tǒng)相兼容，這成為其在移動設(shè)備中規(guī)?；瘧?yīng)用的關(guān)鍵障礙。
為攻克這一難題，研究團隊聚焦于硅基氮化鎵（GaN-on-Si）技術(shù)路線，通過電路設(shè)計與半導體工藝的協(xié)同創(chuàng)新，成功開發(fā)出面向手機低壓應(yīng)用場景的射頻氮化鎵高遷移率電子晶體管（GaN HEMT）技術(shù)，并率先在手機平臺上完成了系統(tǒng)級性能驗證，為6G時代終端射頻架構(gòu)的演進奠定了關(guān)鍵技術(shù)基礎(chǔ)。
2、研究方法和實驗
在外延結(jié)構(gòu)方面，本研究重點圍繞降低射頻損耗與優(yōu)化歐姆接觸兩大關(guān)鍵問題展開技術(shù)攻關(guān)。
一方面，通過實施原位襯底表面預(yù)處理，并結(jié)合熱預(yù)算精確調(diào)控的 AlN成核層工藝，顯著抑制了Si基GaN外延中的界面反應(yīng)與晶體缺陷，有效降低了射頻信號傳輸過程中的襯底耦合損耗與緩沖層泄漏，使其射頻性能逼近當前先進的SiC基GaN器件水平。
另一方面，通過開發(fā)高質(zhì)量再生長歐姆接觸新工藝，在降低界面勢壘與提升載流子注入效率方面取得突破，實現(xiàn)了極低的接觸電阻與均勻一致的方塊電阻，為提升器件跨導、輸出功率及高溫穩(wěn)定性奠定了工藝基礎(chǔ)。
圖片來源：小米技術(shù)
得益于外延設(shè)計優(yōu)化與工藝創(chuàng)新，該#晶體管 能夠在10V工作電壓下，實現(xiàn)了功率附加效率突破80%、輸出功率密度達2.84W/mm的卓越性能。
圖片來源：小米技術(shù)
結(jié)合手機終端產(chǎn)品的器件需求定義，我們進一步制定了器件的具體實現(xiàn)方案。該方案針對耗盡型高電子遷移率晶體管（D-Mode HEMT）的常開特性，設(shè)計了專用的柵極負壓供電架構(gòu)，通過精確的負壓偏置與緩啟動電路，確保器件在開關(guān)過程中保持穩(wěn)定可靠，有效規(guī)避誤開啟與擊穿風險。
在模組集成層面，通過多芯片協(xié)同設(shè)計與封裝技術(shù)，實現(xiàn)了GaN HEMT工藝的功放芯片與Si CMOS工藝的電源管理芯片在模組內(nèi)進行高密度封裝集成。最終，該器件在手機射頻前端系統(tǒng)中完成了關(guān)鍵性能指標的全面驗證，為低壓氮化鎵技術(shù)在下一代移動通信終端中的應(yīng)用提供重要參考。
3、結(jié)語
小米認為，相較于傳統(tǒng)的GaAs基功率放大器，在保持相當線度性的同時，研究團隊開發(fā)的低壓氮化鎵功放展現(xiàn)出顯著的性能優(yōu)勢。最終，該器件實現(xiàn)了比上一代更高的功率附加效率（PAE），并同時兼顧通信系統(tǒng)的線性度和功率等級要求，在系統(tǒng)級指標上達成重要突破。
這一成果的實現(xiàn)，標志著低壓硅基氮化鎵射頻技術(shù)從器件研發(fā)成功跨越至系統(tǒng)級應(yīng)用。這不僅從學術(shù)層面驗證了該技術(shù)的可行性，更在產(chǎn)業(yè)層面彰顯了其在新一代高效移動通信終端中的巨大潛力。小米將持續(xù)深化與產(chǎn)業(yè)鏈的協(xié)同創(chuàng)新，推動該技術(shù)向更復(fù)雜的通信場景拓展，加速其在移動終端領(lǐng)域的規(guī)?；逃眠M程。
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