公開資料顯示，晶和半導體成立于2024年12月24日，是一家專注于半導體器件專用設備制造與電子專用材料研發(fā)的高新技術企業(yè)。公司致力于提供先進的半導體制造設備解決方案，并開展相關技術進出口業(yè)務。其專注于寬禁帶半導體材料異質集成與高丹裝備自主研發(fā)，核心產(chǎn)品聚焦第一至四代半導體的常溫鍵合設備，致力于打造全球領先的異質材料集成技術平臺。

公司致力于構建“設備-工藝-服務”三位一體的商業(yè)模式，通過提供定制化鍵合裝備解決方案和配套工藝開發(fā)技術服務，打造異質集成國產(chǎn)裝備標桿。

公司自主研發(fā)的金剛石基GaN晶圓常溫鍵合系統(tǒng)，創(chuàng)新性地解決了金剛石、GaN、SiC等高熱導材料鍵合過程中的熱膨脹系數(shù)失配、界面熱阻高和良率低等關鍵技術難題，其性能指標達到國際先進水平。

2025年5月，公司還向國家知識產(chǎn)權局申請了一項名為“一種金剛石的拋光方法、低表面粗糙度的金剛石和應用”的專利，公開號為CN120533550A。該專利通過在金剛石的粗糙面上形成硬度小于金剛石的待處理層后再進行拋光，突破了傳統(tǒng)金剛石研磨拋光工藝的高難度和高成本瓶頸。

本次融資將主要用于晶和半導體的技術研發(fā)、產(chǎn)品迭代及市場拓展。投資方對晶和半導體的技術實力和市場前景表示高度認可，并期待通過此次合作，共同推動半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

（集邦化合物半導體整理）

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1、安森美：碳化硅市場表現(xiàn)符合預期

安森美公布的2025年第三季度業(yè)績顯示。該季安森美實現(xiàn)收入15.509億美元，環(huán)比增長6%；GAAP毛利率為17.0%。

按業(yè)務劃分，安森美電源方案部（PSG）營收7.376億美元，環(huán)比增長6%，同比下降11%；先進方案部（AMG）營收5.833億美元，環(huán)比增長5%，同比下降11%；智能感知部（ISG）：營收2.300億美元，環(huán)比增長7%。

圖片來源：安森美

展望第四季度，安森美預計營收將在14.8億至15.8億美元區(qū)間內。

安森美CEO Hassane El-Khoury表示：“我們的第三季度業(yè)績超出了預期，凸顯了我們戰(zhàn)略的優(yōu)勢和商業(yè)模式的彈性。我們繼續(xù)看到核心市場出現(xiàn)企穩(wěn)跡象，同時AI領域也出現(xiàn)了積極增長?！?/p>

業(yè)界指出，安森美正從一家“汽車與工業(yè)”公司，加速向一家由“汽車電動化”與“AI數(shù)據(jù)中心電源”雙輪驅動的智能電源公司戰(zhàn)略轉型。與此同時，該公司近年在寬禁帶半導體（SiC和GaN）上的重金投入，也收獲了成果。

安森美在財報會議上透露，公司第一代垂直氮化鎵產(chǎn)品已提供給汽車和人工智能領域的頭部客戶進行樣品測試，目前安森美正在研發(fā)第二代產(chǎn)品，預計在2027年左右開始產(chǎn)生相關收入。8英寸碳化硅晶圓已經(jīng)投產(chǎn)，厚度為350微米，計劃在2026年開始出貨。碳化硅的市場表現(xiàn)完全符合安森美的預期，在終端客戶中的市場份額持續(xù)增長，并不斷應用在新車型上，包括蔚來汽車等，而且碳化硅產(chǎn)品在混動汽車的市場份額也不斷擴大。

2、納微半導體：2027年完成高壓GaN的部署

近期，納微半導體公布了2025年第三季度財務業(yè)績。第三季度納微半導體總收入為1010萬美元，同比下滑約114.85%。

圖片來源：納微半導體官網(wǎng)

該季，納微半導體提出了“納微2.0”戰(zhàn)略，重點轉向高功率市場，聚焦GaN與高壓SiC技術。

納微半導體首席執(zhí)行官Chris Alexandra人在財報會議中透露，該季度收入下滑主要受國際形勢變化及市場定價壓力所致，納微半導體將調整地域資源部署作為應對。

碳化硅及氮化鎵業(yè)務進展方面，過去7年，納微半導體已累計出貨超過3億顆GaN器件；目前納微半導體正處于轉型期，并計劃在2027年完成高壓GaN的部署。納微半導體將加速推出面向機架式、系統(tǒng)級和電網(wǎng)級的高功率產(chǎn)品，并加速擴展中壓GaN器件、高壓GaN器件和電源芯片、高壓SiC模塊系列產(chǎn)品。

（集邦化合物半導體 秦妍 整理）

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從金剛石、碳化硅到氮化鎵，從呼和浩特、廈門到石家莊，重點項目的落地、試產(chǎn)與建設提速，彰顯了我國在寬禁帶半導體材料與器件領域的技術攻堅成果，更為新能源、5G通信、AI 算力等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)提供了核心支撐。

01、化合積電呼和浩特規(guī)?；饎偸窃旃S投產(chǎn)

10月28日，化合積電呼和浩特規(guī)?；饎偸窃旃S投產(chǎn)儀式在呼和浩特經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)舉行。

圖片來源：化合積電

據(jù)了解，該工廠是化合積電打造的集智能化制造、規(guī)?；慨a(chǎn)與綠色能源優(yōu)勢于一體的金剛石生產(chǎn)基地，工廠面積約1萬平方米，將以其在熱管理、光學與半導體應用方面的創(chuàng)新突破，為高功率芯片、5G通信和AI算力等前沿領域提供核心材料支撐。

資料顯示，化合積電成立于2020年，總部位于廈門，是一家專注于第三代（寬禁帶）半導體襯底材料和器件研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的高科技企業(yè)?；戏e電以 “大尺寸、低成本、高品質” 為核心工藝路線，其核心產(chǎn)品覆蓋多晶金剛石、單晶金剛石和金剛石復合材料等，廣泛應用于激光器、GPU/CPU、醫(yī)療器械、5G基站、新能源汽車、航空航天和國防軍工等領域。

此外，在投產(chǎn)儀式上，化合積電重磅發(fā)布三大領域創(chuàng)新成果：面向熱管理領域的高導熱金剛石熱沉及金剛石復合材料、超精密光學領域的金剛石光學窗口及解決方案、半導體應用的單晶及硼/氮摻雜金剛石。

02、士蘭集宏8英寸SiC項目一期已投片試產(chǎn)

近日，據(jù)廈視新聞報道，#士蘭集宏?8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目全部設備已安裝到位并完成調試，開始投片試生產(chǎn)。

士蘭集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線是省、市重點產(chǎn)業(yè)類項目，總投資120億元，分兩期建設。一期項目投資70億元，主要建設主廠房、動力中心、測試中心及配套設施，于 2024年7月正式動工，2025年2月28日實現(xiàn)主體結構封頂，6月26日首臺工藝設備進廠安裝。

該生產(chǎn)線是國內第一條擁有完全自主知識產(chǎn)權、產(chǎn)能規(guī)模最大的8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線。根據(jù)規(guī)劃，一期項目投產(chǎn)后，產(chǎn)能將達到每月3.5萬片，年產(chǎn)值約75億元。二期投產(chǎn)后，8英寸碳化硅芯片總產(chǎn)能將提升至72萬片/年，有望成為全球規(guī)模領先的8英寸SiC功率器件產(chǎn)線。其核心產(chǎn)品SiCMOSFET，主要服務于新能源汽車、主驅逆變器、光伏逆變器、智能電網(wǎng)等高需求領域。

稍早之前，士蘭微公布了2025年第三季度報告。數(shù)據(jù)顯示，2025年前三季度，士蘭微營業(yè)收入約97.13億元，比2024年同期增長18.98%；歸屬于上市公司股東的凈利潤約3.49億元，比2024年同期增長1108.74%。

03、博威公司氮化鎵微波產(chǎn)品精密制造生產(chǎn)線建設項目年底完工

近日，據(jù)“石家莊發(fā)布”消息，河北博威集成電路有限公司氮化鎵微波產(chǎn)品精密制造生產(chǎn)線建設項目獲新進展。

圖片來源：鹿泉融媒

博威公司副總經(jīng)理段磊表示：“目前，廠房主體部分已完成封頂，工人們正在進行內裝工作。同時，二次結構部分材料也陸續(xù)進場，按計劃進行施工作業(yè)。內部機電安裝及裝飾裝修等工作，也在次序推進中。預計今年年底完成項目施工，明年陸續(xù)投產(chǎn)使用?！?/p>

據(jù)介紹，博威氮化鎵微波產(chǎn)品精密制造生產(chǎn)線項目總投資約7.8億元(先期投資2.5億元)，占地70.4畝，主要建設科研樓、生產(chǎn)車間及動力配套設施等，先期建筑面積約5萬平方米，擬購置研發(fā)、生產(chǎn)及配套設備與軟件。

該項目以氨化鎵微波電路研發(fā)、制造、銷售為主營業(yè)務方向應用于5G通信、微波通信、衛(wèi)星通信等高科技重點領域，產(chǎn)品在國內率先實現(xiàn)了5G基站氨化鎵功放全體系技術突破和規(guī)?；a(chǎn)產(chǎn)品技術指標、質量可靠性及產(chǎn)業(yè)化能力均達到國際先進水平市場占有率超40%，國內第一、全球前二。

項目建成后，可實現(xiàn)氮化鎵微波產(chǎn)品年產(chǎn)720萬只的生產(chǎn)能力，預計年營業(yè)收入超10億元，年納稅超1億元。

（集邦化合物半導體 j金水 整理）

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圖片來源：國博電子公告截圖

國博電子表示，公司與國內頭部終端廠商共同研發(fā)的硅基氮化鎵功放芯片，針對手機等終端應用進行設計優(yōu)化，填補了業(yè)內硅基氮化鎵功放終端射頻應用的空白。新產(chǎn)品攻克了硅基氮化鎵外延的晶格缺陷比例高的材料難題，充分發(fā)揮了新型三代半導體材料的技術優(yōu)勢，在兼顧功率、效率、帶寬等指標的前提下，實現(xiàn)了對傳統(tǒng)砷化鎵功放的性能提升，并突破了硅基氮化鎵功放芯片的量產(chǎn)技術，在業(yè)內首次實現(xiàn)了硅基氮化鎵功放芯片在終端射頻領域的量產(chǎn)交付。

此外，新產(chǎn)品具備高功率、高效率、高寬帶特性，可為客戶進一步降低能耗，降低系統(tǒng)鏈路設計的復雜度，助力客戶進一步提升手機等終端的數(shù)據(jù)傳輸速率、降低工作能耗。

國博電子預計公司新產(chǎn)品將持續(xù)對現(xiàn)有砷化鎵終端功放產(chǎn)品形成替代，并有望在終端射頻功放領域全頻段、全場景推廣應用，該產(chǎn)品系列有望為公司營收提供第二增長曲線。

資料顯示，國博電子成立于2000年，主要從事有源相控陣T/R組件和射頻集成電路相關產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，產(chǎn)品覆蓋防務與民用領域。在防務領域，為陸、海、空、天等各型裝備配套關鍵產(chǎn)品；在民用領域，是基站射頻器件核心供應商，產(chǎn)品性能達國際先進水平。

10月30日，國博電子公布最新財報，數(shù)據(jù)顯示，2025年三季度，國博電子實現(xiàn)營業(yè)收入15.69億元，當期凈利潤為2.47億元，其中，T/R 組件和射頻模塊收入9.44億元，占比88.19%；射頻芯片收入9086.8萬元，占比8.49%。

射頻企業(yè)錨定氮化鎵，競逐新賽道

射頻企業(yè)布局氮化鎵（GaN）領域具有諸多優(yōu)勢。一方面，射頻企業(yè)本身具備射頻設計、電路優(yōu)化等全鏈條經(jīng)驗，能降低氮化鎵研發(fā)門檻，加速量產(chǎn)轉化；同時，氮化鎵的高頻、高功率等特性，可精準匹配5G、毫米波通信等場景需求，與射頻企業(yè)技術升級方向高度契合。此外，從市場看，5G、衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)等領域催生大量氮化鎵器件需求，射頻企業(yè)布局可搶占新市場，構建第二增長曲線。

除國博電子外，行業(yè)內還有銳石創(chuàng)芯、銳捷創(chuàng)芯、慧智微、卓勝微、昂瑞微、唯捷創(chuàng)芯、紫光展銳等多家射頻企業(yè)在氮化鎵前端模塊、功率放大器等方向持續(xù)技術攻堅。

例如，銳石創(chuàng)芯聚焦氮化鎵射頻前端模塊開發(fā)，采用低溫共燒陶瓷（LTCC）封裝技術，將功率放大器模塊尺寸縮小50%，顯著提升散熱效率，其產(chǎn)品在專網(wǎng)通信、衛(wèi)星載荷等領域實現(xiàn)穩(wěn)定供貨，成為細分市場的重要參與者。

中瓷電子原是國內領先的電子陶瓷供應商，2023年通過資產(chǎn)重組，收購了河北博威集成電路有限公司和北京國聯(lián)萬眾半導體科技有限公司的部分股權，新增了氮化鎵通信基站射頻芯片與器件等業(yè)務，構建了氮化鎵通信基站射頻芯片的完整產(chǎn)業(yè)鏈。

（集邦化合物半導體 金水 整理）

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唐晶量子獲新一輪融資，將加速技術開發(fā)與擴產(chǎn)！

近期，西安唐晶量子科技有限公司（以下簡稱“唐晶量子”）新一輪融資獲普華資本投資。融資將主要用于加速技術開發(fā)和擴大產(chǎn)能，進一步鞏固其在化合物半導體材料領域的領先地位。

資料顯示，唐晶量子成立于2017年，致力于采用金屬有機化學氣相沉積設備（MOCVD）進行以砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）為襯底的III-V族化合物半導體外延片研發(fā)與生產(chǎn)，提供專業(yè)的外延生長定制服務，實現(xiàn)國內化合物半導體激光器外延片的產(chǎn)業(yè)化發(fā)展，產(chǎn)品廣泛應用于激光雷達、光通信、數(shù)據(jù)中心、5G射頻及傳感等關鍵領域。

圖片來源：唐晶量子

唐晶量子新生產(chǎn)基地項目位于西安高新區(qū)絲路科學城規(guī)劃核心區(qū)，擬建設多條砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）化合物半導體外延片研發(fā)和生產(chǎn)產(chǎn)線，預計建成后外延片年產(chǎn)量超十萬片。

該項目的建成將進一步強化公司在半導體激光器、光電探測器及HBT射頻外延片的產(chǎn)業(yè)化優(yōu)勢，為我國高端光電子和集成電路產(chǎn)業(yè)提供核心材料支撐。

安徽陶芯科完成Pre-A輪融資，將用于擴產(chǎn)、研發(fā)等方面

近日，安徽陶芯科半導體新材料有限公司宣布完成數(shù)千萬元Pre-A輪融資。

本輪融資由黃山市產(chǎn)投集團旗下新安江資本領投，主要用于產(chǎn)能擴建、技術研發(fā)、市場拓展等方面。

資料顯示，#安徽陶芯科?成立于2022年，是一家專注于功率半導體用高性能覆銅陶瓷基板DBC、AMB研發(fā)、設計與生產(chǎn)的國家級高新技術企業(yè)。該公司擁有10000余平方米潔凈廠房，具備全工藝制程量產(chǎn)能力，已通過ISO9001、ISO14001環(huán)境管理體系、ISO45001職業(yè)健康安全管理體系、汽車領域IATF16949質量管理體系認證，產(chǎn)品符合歐盟ROHS、REACH標準。

圖片來源：安徽陶芯科半導體新材料有限公司

同時，安徽陶芯科與多所高校建立產(chǎn)學研合作，共建陶瓷基板研發(fā)中心，持續(xù)拓展材料與應用創(chuàng)新。為滿足市場差異化需求，公司推出TXK-TEC、TXM-ICM、TXK-IGBT、TXK-MIC及TXK-AMB五大系列產(chǎn)品，廣泛應用于消費類電子制冷器、工控模塊、IGBT模塊、5G射頻器、白色家電、光伏儲能、新能源汽車、軌道交通、航空航天等領域。

安徽陶芯科表示，此次Pre-A輪融資的完成，標志著安徽陶芯科在覆銅陶瓷基板領域布局的進一步加速，未來將繼續(xù)加大研發(fā)投入，拓展更多的應用場景，并同步建設海外市場體系，確?？焖夙憫蛻粜枨?，以最優(yōu)的產(chǎn)品解決方案服務廣大客戶。

（集邦化合物半導體 秦妍 整理）

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01、三菱電機：8英寸碳化硅晶圓廠竣工，正加速投產(chǎn)

近日，三菱電機位于日本熊本縣菊池市的8英寸SiC功率半導體制造設施已于2025年10月1日舉行竣工典禮，正式宣告工廠主體建設完成。

根據(jù)計劃，該設施將立即進入準備階段，并預計于2025年11月啟動運營，采用8英寸SiC襯底開始試生產(chǎn)，為實現(xiàn)2027年正式量產(chǎn)奠定基礎。

該工廠是三菱電機長期戰(zhàn)略的核心體現(xiàn)。該擴產(chǎn)計劃于2023年3月宣布，初期投資約1,000億日圓，旨在應對電動車（EV）市場的強勁需求。工廠擁有六層結構，總建筑面積約4.2萬平方米，設計上專注于8英寸SiC晶圓的前端制程，并全面導入自動化系統(tǒng)。

然而，在工廠竣工的同時，公司對產(chǎn)能投放采取了更為謹慎的彈性策略。鑒于近期電動車市場的需求增長速度略低于原先預期，三菱電機總裁UrumaKei在竣工典禮上透露，公司已決定將新設施的部分設備強化計劃延后到2031財年及之后?？偛帽硎荆緦⑼高^審查市場條件和其他因素，決定要安裝多少條生產(chǎn)線，這顯示三菱電機將根據(jù)實際的市場需求，靈活調整產(chǎn)能的爬坡速度和資本支出，以平衡積極擴張與市場風險。

在產(chǎn)能與銷售目標方面，三菱電機的目標是到2026財年將SiC產(chǎn)能提升至2022財年的5倍，并設定了到2030財年將功率半導體業(yè)務中的SiC銷售比例提高到30%以上的遠期目標，顯示出公司在SiC領域全面超越既有6英寸產(chǎn)線（2010年代后期建立）的決心。

02、SiCSem印度建廠：南亞首座端到端SiC芯片制造設施啟動

在亞洲新興市場中，印度在推動本土半導體制造的進程中邁出了歷史性的一步。11月1日，SiCSem公司在印度奧里薩邦（Odisha）隆重啟動了該國首個端到端（End-to-End）碳化硅半導體制造設施的動工儀式。

該SiC制造設施總投資額約2067億盧比，彰顯了對本土高科技制造的巨大信心和支持。在產(chǎn)能方面，該設施的目標是實現(xiàn)年處理6萬片SiC晶圓的規(guī)模，并預計在2027年至2028年期間投入正式運營。

作為一家新興的印度本土半導體公司，SiCSem的這一舉措具有高度的戰(zhàn)略意義，將有助于印度減少對外部SiC供應鏈的依賴，極大地增強該國在電動汽車（EV）及可再生能源系統(tǒng)等核心產(chǎn)業(yè)的自主可控能力。

（集邦化合物半導體 竹子 整理）

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近日，中山芯承半導體有限公司（以下簡稱“芯承半導體”或者“公司”）完成數(shù)千萬元A輪融資，本輪融資由老股東中山投控集團牽頭市場化投資機構、銀行等金融機構聯(lián)合投資；本輪融資資金主要用于高密度倒裝基板的規(guī)模量產(chǎn)和產(chǎn)能擴產(chǎn)。

關于芯承/ INTRODUCTION

中山芯承半導體成立于2022年，是一家集成電路封裝基板解決方案提供商，致力于設計、研發(fā)和量產(chǎn)高端芯片封裝基板；公司核心管理團隊具有超過20年以上封裝工藝和封裝基板研發(fā)和量產(chǎn)管理經(jīng)驗。公司已經(jīng)獲得了高新技術企業(yè)、專精特新中小企業(yè)、中山市工程技術中心、創(chuàng)新性中小企業(yè)等資質認定。

芯承產(chǎn)品/PRODUCTION

公司專注于研發(fā)和量產(chǎn)高密度倒裝芯片封裝基板，主要產(chǎn)品包括FC CSP(芯片尺寸封裝)和FC BGA(球柵陣列封裝)基板。公司采用MSAP(改良半加成法)、ETS(埋入線路技術)和SAP(半加成法)等先進基板加工工藝，具備10/10μm線寬/線距的FC CSP、FC BGA基板研發(fā)能力。目前工廠已實現(xiàn)L/S 12/12線路、層數(shù)達6層的WB CSP、FC CSP、SiP基板生產(chǎn)及14層800G和1.6T光模塊基板生產(chǎn)。

芯承品質/HIGH QUALITY

自公司成立以后，致力于技術創(chuàng)新和產(chǎn)品創(chuàng)新，已申請50多項專利，并有多項專利技術應用于技術能力突破和產(chǎn)品質量的提升。

公司專利

公司已通過ISO9001，ISO14001，IATF16949等體系認證；推行全面質量管理，實現(xiàn)質量穩(wěn)定、可靠的產(chǎn)品量產(chǎn)，已得到眾多主流半導體客戶的認可。

質量體系

公司已經(jīng)與國內外眾多頭部半導體封裝測試公司以及芯片設計公司開展合作，已合作的客戶數(shù)量超過100家。射頻芯片封裝用基板、存儲芯片封裝用CSP基板、處理器芯片封裝用FCCSP基板和800G光模塊封裝基板產(chǎn)品等進入批量量產(chǎn)階段。

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圖片來源：南湖發(fā)布

德匯電子功率半導體用高性能陶瓷線路板項目總投資10.05億元，將建設成為集研發(fā)與生產(chǎn)于一體的高性能陶瓷線路板制造基地。項目建成后，預計可年產(chǎn)1200萬片功率半導體用高性能陶瓷線路板，達產(chǎn)后年產(chǎn)值超12億元，年稅收約2500萬元。

據(jù)悉，德匯電子在AMB氮化硅、氮化鋁陶瓷覆銅襯板等領域已實現(xiàn)技術突破并批量供貨，產(chǎn)品廣泛應用于軌道交通、新能源汽車等關鍵領域，有效推動相關產(chǎn)業(yè)鏈的國產(chǎn)化替代與自主可控。

該項目的落地，進一步夯實了嘉興南湖高新區(qū)在功率半導體產(chǎn)業(yè)中的集聚優(yōu)勢。目前，區(qū)域已匯聚功率半導體相關企業(yè)超110家，擁有清華長三院、清華柔電院等高能級平臺，初步形成從材料、器件到模塊的產(chǎn)業(yè)生態(tài)。

未來，嘉興南湖高新區(qū)將以營商環(huán)境迭代升級與產(chǎn)業(yè)配套精準完善為抓手，加快構建更具韌性和競爭力的功率半導體及先進陶瓷材料產(chǎn)業(yè)集群，致力于打造長三角功率半導體產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新策源地與價值轉化高地，使其成為驅動區(qū)域經(jīng)濟高質量發(fā)展的核心引擎。

（集邦化合物半導體整理）

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圖片來源：安森美

據(jù)介紹，安森美的垂直氮化鎵技術采用單芯片設計，可應對1,200伏及以上高壓，高頻開關大電流，能效卓越?；谠摷夹g構建的高端電源系統(tǒng)能降低近50%的能量損耗，同時因其更高的工作頻率，因而電容器和電感等被動元件尺寸可縮減約一半。而且，與目前市售的橫向GaN器件相比，垂直氮化鎵器件的體積約為其三分之一。此外，安森美目前已開始向早期客戶提供700V和1200V器件樣品。

安森美是一家專注于推動能源效率和創(chuàng)新的半導體供應商。作為一家IDM（整合器件制造）公司，安森美在電源管理、傳感和連接等領域處于領先地位。公司致力于通過技術創(chuàng)新應對全球能源挑戰(zhàn)，其產(chǎn)品廣泛應用于汽車、工業(yè)、通信、醫(yī)療和消費電子等市場。近年來，安森美將戰(zhàn)略重心放在了智能化電源和智能化感知上，尤其在第三代半導體（如SiC和GaN）領域持續(xù)投入，是電動汽車和可再生能源市場的關鍵參與者。

垂直氮化鎵：開啟功率半導體新時代

傳統(tǒng)的氮化鎵功率器件多采用橫向結構（通常是GaN-on-Si，即在硅襯底上生長氮化鎵），電流沿芯片表面橫向流動。這種結構在高頻低壓應用中表現(xiàn)優(yōu)異，但在需要處理高電壓和大電流時，會受到限制。

垂直氮化鎵（vGaN）的核心特殊性在于采用了GaN-on-GaN技術，實現(xiàn)了垂直電流導通。一方面，垂直結構天然適合承受更高的電壓，因為擊穿電壓主要取決于垂直方向上的漂移層厚度，能更有效地應對1200V及以上的高壓；另一方面，電流垂直流動，使得器件設計更加緊湊，能在更小的芯片面積上處理更大的功率；并且，使用同質GaN襯底（GaN-on-GaN）可以顯著減少晶格失配引起的缺陷，提高器件的可靠性和耐用性。

總的來說，垂直GaN填補了橫向GaN和碳化硅（SiC）之間的應用空白，特別是在需要兼顧高壓、高頻和高功率密度的領域，是功率半導體領域的一次重大技術升級。

在應用場景方面，垂直氮化鎵技術尤其適合對功率密度、熱性能和可靠性有嚴苛要求的關鍵大功率應用領域。例如AI數(shù)據(jù)中心、電動汽車（EV）、可再生能源，以及航空航天等領域。

具體來看，應用在AI數(shù)據(jù)中心，可減少元器件數(shù)量，提高AI計算系統(tǒng)800V DC-DC轉換器的功率密度，顯著優(yōu)化單機架成本；

在電動汽車領域可以打造更小、更輕、更高效的逆變器，提升電動汽車續(xù)航里程；應用在充電基礎設施，可以實現(xiàn)更快、更小、更穩(wěn)健的充電設備；

應用在可再生能源，可以提升太陽能和風能逆變器的電壓處理能力，降低能量損耗；儲能系統(tǒng)（ESS）則為電池變流器和微電網(wǎng)提供快速、高效、高密度的雙向供電；

工業(yè)自動化領域可以開發(fā)體積更小、散熱性能更好、能效更高的電機驅動和機器人系統(tǒng)；在航空航天領域可以打造性能更強、穩(wěn)健性更高、設計更緊湊的方案。

結語

垂直GaN技術由于技術壁壘高，全球能實現(xiàn)突破的企業(yè)較少，安森美此次推出的垂直氮化鎵功率半導體是行業(yè)內的一個重要里程碑，它預示著GaN技術正從傳統(tǒng)的中低壓消費市場，逐步向高壓、大功率的工業(yè)、汽車和AI數(shù)據(jù)中心等核心基礎設施領域滲透，進一步加速全球電氣化和能效提升的進程。

（集邦化合物半導體 金水 整理）

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根據(jù)企查查數(shù)據(jù)顯示，該新公司由上海積塔半導體有限公司全資控股，于2025年10月20日在上海市市場監(jiān)督管理局登記成立，法定代表人為王輝。公司位于中國（上海）自由貿易試驗區(qū)臨港新片區(qū)云漢路979號2樓。

圖片來源：企查查截圖

公開資料顯示，積塔半導體2017年成立于上海臨港新片區(qū)，是專注于集成電路芯片特色工藝的研發(fā)和生產(chǎn)制造的企業(yè)，為汽車電子、工業(yè)控制和高端消費電子領域提供微控制器、模擬電路、功率器件、傳感器等核心芯片特色工藝制造平臺和技術服務。

目前，積塔半導體在中國（上海）自由貿易試驗區(qū)臨港新片區(qū)和徐匯區(qū)建有兩個廠區(qū)，已建和在建產(chǎn)能共計30萬片/月（折合8英寸計算），其中６英寸7萬片/月、８英寸12萬片/月、12英寸6萬片/月、碳化硅1萬片/月，為汽車電子、工業(yè)控制和高端消費電子領域提供微控制器、模擬電路、功率器件、傳感器等核心芯片特色工藝制造平臺和技術服務。

該公司長期專注于功率IGBT工藝技術的開發(fā)，積累了豐富的開發(fā)經(jīng)驗和量產(chǎn)經(jīng)驗?，F(xiàn)已成功開發(fā)了1200V~6500V平面非穿通型IGBT和平面場終止型IGBT、以及600V~1700V溝槽高能場終止型IGBT，該技術的產(chǎn)品廣泛應用于新能源汽車、光伏逆變、變頻器、焊機、智能電網(wǎng)、機車拖動等方面。在第三代半導體領域，積塔半導體已早早布局，是國內較早具備碳化硅（SiC）功率器件制造能力的企業(yè)。其工藝技術平臺覆蓋英寸JBS英寸和英寸MOSFET英寸等類型，已建成自主知識產(chǎn)權的車規(guī)級英寸650V/750V/1200V英寸碳化硅英寸JBS英寸工藝平臺和英寸MOSFET英寸工藝平臺。

2023年底，積塔與安建半導體達成合作，不僅加速平面型碳化硅英寸MOS英寸器件開發(fā)，更攜手邁進新一代溝槽型碳化硅英寸MOS英寸器件開發(fā)，后者在成本和性能方面具有更強優(yōu)勢。

行業(yè)人士表示，此次#上海積塔創(chuàng)能半導體有限公司?的成立，是積塔半導體在產(chǎn)業(yè)鏈布局上邁出的重要一步。7.2億元的注冊資本規(guī)模，體現(xiàn)了母公司對新公司發(fā)展的高度重視和大力支持。這筆資金后續(xù)可能會投入到技術研發(fā)、市場渠道拓展以及產(chǎn)能升級等多個方面，助力新公司在半導體分立器件、電力電子元器件等領域實現(xiàn)更深入的市場滲透和更高效的發(fā)展。

（集邦化合物半導體 竹子 整理）

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