公告顯示，星沅光電本輪總增資2400萬(wàn)元，除研究院外，另有3家機(jī)構(gòu)合計(jì)出資1600萬(wàn)元。增資前，研究院持有星沅光電20%股權(quán)；增資完成后，其持股比例將提升至23.07%，星沅光電注冊(cè)資本將由625萬(wàn)元增至812.5萬(wàn)元，其他股東均放棄優(yōu)先認(rèn)購(gòu)權(quán)。

圖片來(lái)源：長(zhǎng)光華芯公告截圖

此次增資的核心關(guān)聯(lián)的是化合物半導(dǎo)體賽道。公告明確，星沅光電核心業(yè)務(wù)為高端磷化銦（InP）激光器芯片、器件及模塊的研發(fā)生產(chǎn)，而磷化銦是Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體的重要品類，與長(zhǎng)光華芯主業(yè)的砷化鎵（GaAs）同屬化合物半導(dǎo)體材料體系。

長(zhǎng)光華芯采用IDM模式進(jìn)行半導(dǎo)體激光芯片的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，構(gòu)建了砷化鎵、磷化銦等五大材料體系，建立了邊發(fā)射和面發(fā)射兩大工藝技術(shù)和制造平臺(tái)，是全球少數(shù)幾家具備6寸線外延、晶圓制造等關(guān)鍵制程生產(chǎn)能力的IDM半導(dǎo)體激光器企業(yè)之一。

長(zhǎng)光華芯表示，公司本次向關(guān)聯(lián)方增資系為了保障星沅光電的產(chǎn)線建設(shè)與日常運(yùn)營(yíng)資金需求，加快開(kāi)發(fā)高端磷化銦激光器芯片、器件及相關(guān)模塊、子系統(tǒng)，提升公司核心競(jìng)爭(zhēng)力。

據(jù)悉，磷化銦具有優(yōu)異的光電特性，是AI數(shù)據(jù)中心高速光通信、激光雷達(dá)等領(lǐng)域的核心材料，屬于當(dāng)前高景氣的化合物半導(dǎo)體賽道。長(zhǎng)光華芯通過(guò)本次增資，實(shí)現(xiàn)從成熟GaAs激光芯片向高增長(zhǎng)InP芯片的延伸，完善化合物半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈布局，助力國(guó)產(chǎn)高端光芯片替代。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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此次發(fā)售中，香港公開(kāi)發(fā)售部分占比10%，國(guó)際發(fā)售部分占比90%。公司引入了基石投資者廈門先進(jìn)制造業(yè)基金，其協(xié)議認(rèn)購(gòu)股份總額達(dá)9910萬(wàn)美元，約合1005.85萬(wàn)股。

作為全球最大的碳化硅外延供應(yīng)商，瀚天天成在2024年市場(chǎng)份額超過(guò)30%。公司不僅牽頭制定了全球唯一的碳化硅外延SEMI行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，還成功實(shí)現(xiàn)了3至8英寸晶片的商業(yè)化批量供應(yīng)。

此次募資所得款項(xiàng)凈額中，約71%將用于擴(kuò)大產(chǎn)能，19%用于產(chǎn)品研發(fā)，剩余10%則用作營(yíng)運(yùn)資金。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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圖片來(lái)源：安森美

峰岹科技在最新的價(jià)格調(diào)整通知函中表示，全球原材料價(jià)格持續(xù)上漲，公司堅(jiān)持在不漲價(jià)的前提下盡最大努力為客戶伙伴們持續(xù)提供穩(wěn)定可靠的芯片產(chǎn)品。但行業(yè)產(chǎn)能供應(yīng)依舊緊張，原價(jià)格已無(wú)法支撐后續(xù)產(chǎn)能保障和產(chǎn)品交付。為了保障產(chǎn)能，穩(wěn)定芯片供應(yīng)，公司經(jīng)審慎研究決定從2026年4月1日起在售產(chǎn)品進(jìn)行價(jià)格調(diào)整，實(shí)際漲幅以具體產(chǎn)品為準(zhǔn)，請(qǐng)與公司銷售人員進(jìn)行確認(rèn)。

資料顯示，峰岹科技專注于高性能BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制芯片設(shè)計(jì)，產(chǎn)品涵蓋電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制的全部關(guān)鍵芯片，包括電機(jī)主控芯片MCU/ASIC、電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片HVIC、電機(jī)專用功率器件MOSFET等，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于家電、電動(dòng)工具、運(yùn)動(dòng)出行、工業(yè)與汽車等領(lǐng)域。

圖片來(lái)源：峰岹科技

媒體報(bào)道，功率半導(dǎo)體及芯片供應(yīng)商AOS(萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體)在3月上旬正式向全球客戶發(fā)出價(jià)格調(diào)整通知。

AOS在漲價(jià)函中透露，盡管行業(yè)成本壓力持續(xù)增加，公司已盡一切努力盡可能長(zhǎng)時(shí)間地維持現(xiàn)有價(jià)格。然而，鑒于原材料、能源、物流及基礎(chǔ)設(shè)施成本的持續(xù)攀升，為確?？沙掷m(xù)運(yùn)營(yíng)和長(zhǎng)期供應(yīng)可靠性，現(xiàn)有必要進(jìn)行價(jià)格調(diào)整。與此同時(shí)，功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的需求持續(xù)增長(zhǎng)，導(dǎo)致某些產(chǎn)品細(xì)分領(lǐng)域的供應(yīng)趨緊。為支持未來(lái)增長(zhǎng)并保持供應(yīng)連續(xù)性，AOS正進(jìn)行針對(duì)性投資，以提升產(chǎn)能并進(jìn)一步增強(qiáng)整體供應(yīng)鏈韌性。根據(jù)渠道商透露，AOS的部分產(chǎn)品將于2026年4月1日正式漲價(jià)。

圖片來(lái)源：AOS

今年以來(lái)，受原材料短缺、成本攀升等因素影響，除了上述廠商之外，還有多家功率半導(dǎo)體廠商宣布漲價(jià)。

華潤(rùn)微決定自2026年2月1日起，對(duì)公司全系列微電子產(chǎn)品價(jià)格進(jìn)行適度上調(diào)，上調(diào)幅度10%起；士蘭微決定自2026年3月1日起，對(duì)旗下小信號(hào)二極管/三極管芯片、溝槽TMBS芯片、MOS類芯片等產(chǎn)品價(jià)格上調(diào)10%；宏微科技宣布3月1日起對(duì)IGBT單管及模塊、MOSFET器件漲價(jià)；新潔能宣布對(duì)其核心產(chǎn)品MOSFET進(jìn)行價(jià)格上調(diào)，上調(diào)幅度10%起，本次價(jià)格調(diào)整自2026年3月1日起發(fā)貨正式生效；英飛凌宣布自2026年4月1日起，上調(diào)部分功率開(kāi)關(guān)器件及集成電路（IC）產(chǎn)品價(jià)格。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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雙方將聚焦第三代半導(dǎo)體技術(shù)在高端電力電子裝備領(lǐng)域的應(yīng)用，開(kāi)展技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)業(yè)配套及協(xié)同發(fā)展等全方位深度合作，重點(diǎn)探索高壓氮化鎵功率器件的聯(lián)合開(kāi)發(fā)與產(chǎn)業(yè)化落地路徑。

根據(jù)雙方簽署的官方協(xié)議，合作核心圍繞新風(fēng)光變頻器、儲(chǔ)能變頻器（PCS）、SST等核心產(chǎn)品對(duì)高頻、高壓元器件的實(shí)際需求，共同研發(fā)定制化GaN器件及功率模塊。

產(chǎn)業(yè)化落地方面，遠(yuǎn)山新材料相關(guān)GaN器件量產(chǎn)后，新風(fēng)光將在同等條件下優(yōu)先采購(gòu)，遠(yuǎn)山新材料則優(yōu)先保障技術(shù)支持與產(chǎn)能供給，未來(lái)?xiàng)l件成熟時(shí)，雙方還將探討戰(zhàn)略投資、股權(quán)合作等深化合作可能。

新風(fēng)光成立于2004年8月，是山東能源集團(tuán)控股的國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)、山東省屬企業(yè)中首家科創(chuàng)板上市公司，專注于電力電子技術(shù)相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，核心產(chǎn)品涵蓋變頻器、儲(chǔ)能變頻器、靜止無(wú)功發(fā)生器等，廣泛應(yīng)用于新能源、電力、工業(yè)等領(lǐng)域，在高壓級(jí)聯(lián)儲(chǔ)能、電能質(zhì)量?jī)?yōu)化等場(chǎng)景具備領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。

遠(yuǎn)山新材料則是一家專注于第三代半導(dǎo)體材料與器件的高科技企業(yè)，具備了行業(yè)前沿的1200V-3000V藍(lán)寶石基底高壓氮化鎵（GaN）器件的研發(fā)與生產(chǎn)能力。

當(dāng)前，第三代半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)發(fā)展，氮化鎵等核心器件憑借耐高溫、低損耗、高頻高效的特性，成為高端電力電子裝備升級(jí)的核心支撐，廣泛應(yīng)用于新能源儲(chǔ)能、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。

行業(yè)分析認(rèn)為，目前國(guó)內(nèi)企業(yè)在第三代半導(dǎo)體材料、器件及裝備領(lǐng)域逐步突破，但高端器件與核心裝備的協(xié)同配套仍有短板，雙方的戰(zhàn)略合作實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)鏈上下游互補(bǔ)，既能推動(dòng)定制化器件研發(fā)量產(chǎn)，也能加速第三代半導(dǎo)體技術(shù)在高端電力電子領(lǐng)域的規(guī)?；瘧?yīng)用，助力行業(yè)國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程。

（文/集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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天岳先進(jìn)表示，8英寸碳化硅襯底已成為當(dāng)前核心增長(zhǎng)極，作為全球第一家具備8英寸導(dǎo)電型襯底量產(chǎn)供應(yīng)能力的企業(yè)，目前該產(chǎn)品的收入占比、出貨占比均持續(xù)提升，并成功獲得全球頭部客戶批量采購(gòu)。

同時(shí)，公司強(qiáng)調(diào)，8英寸產(chǎn)品在良率、質(zhì)量穩(wěn)定性和工藝成熟度方面持續(xù)改善，疊加規(guī)模效應(yīng)釋放，盈利能力顯著優(yōu)于6英寸產(chǎn)品，行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力持續(xù)鞏固。

關(guān)于行業(yè)趨勢(shì)，天岳先進(jìn)指出，過(guò)去兩年碳化硅襯底行業(yè)經(jīng)歷充分價(jià)格調(diào)整，目前6英寸產(chǎn)品價(jià)格已進(jìn)入相對(duì)穩(wěn)定區(qū)間，8英寸產(chǎn)品價(jià)格亦明顯企穩(wěn)，行業(yè)正從價(jià)格調(diào)整階段轉(zhuǎn)向“價(jià)格趨穩(wěn)、需求擴(kuò)容”的新階段。

此外，公司于3月16日披露，除新能源汽車這一傳統(tǒng)主力市場(chǎng)外，AI數(shù)據(jù)中心、光儲(chǔ)充、工業(yè)電源等非車規(guī)領(lǐng)域正成為碳化硅需求的重要增量來(lái)源。

隨著器件性價(jià)比持續(xù)改善，碳化硅正從車規(guī)應(yīng)用向更廣泛的高端電源和工業(yè)場(chǎng)景拓展，尤其在數(shù)據(jù)中心等對(duì)性能要求較高的場(chǎng)景，大尺寸產(chǎn)品導(dǎo)入進(jìn)展較快，預(yù)計(jì)這些業(yè)務(wù)將支撐2026年公司需求增長(zhǎng)和結(jié)構(gòu)優(yōu)化。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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圖片來(lái)源：英諾賽科

作為本屆大會(huì)的焦點(diǎn)之一，中國(guó)功率半導(dǎo)體領(lǐng)軍企業(yè)英諾賽科（Innoscience）憑借在氮化鎵（GaN）領(lǐng)域的深厚積淀，成功斬獲“NVIDIA GTC MGX生態(tài)合作伙伴獎(jiǎng)”。值得注意的是，英諾賽科是本屆大會(huì)中唯一獲獎(jiǎng)的中國(guó)芯片企業(yè)。

圖片來(lái)源：英諾賽科

本屆GTC大會(huì)以“AI工業(yè)化與規(guī)?；瘧?yīng)用”為核心，重點(diǎn)聚焦AI Factory建設(shè)與數(shù)據(jù)中心能效升級(jí)。隨著GPU功耗的攀升，傳統(tǒng)電力架構(gòu)已難以滿足高密度計(jì)算的需求。大會(huì)現(xiàn)場(chǎng)，800V HVDC（高壓直流）數(shù)據(jù)中心電源架構(gòu)成為多方關(guān)注的技術(shù)高地。

在該架構(gòu)生態(tài)中，英諾賽科展示了其尖端的電源解決方案。其核心產(chǎn)品——800V-to-50V全氮化鎵電源模塊方案，精準(zhǔn)切入了AI服務(wù)器電源系統(tǒng)的關(guān)鍵前級(jí)轉(zhuǎn)換環(huán)節(jié)。該模塊集成了英諾賽科最新的第三代氮化鎵器件（包含8顆650V GaN和32顆100V GaN），能夠?qū)?00V高壓直流母線電壓直接轉(zhuǎn)換為50V服務(wù)器標(biāo)準(zhǔn)電壓，為后端GPU提供穩(wěn)定且高效的動(dòng)力支撐。

圖片來(lái)源：英諾賽科

此外，在NVIDIA本次展示的800V HVDC AI數(shù)據(jù)中心電源架構(gòu)生態(tài)中，超過(guò)半數(shù)的NVIDIA合作伙伴電源系統(tǒng)方案均采用了英諾賽科的氮化鎵功率器件，這意味著英諾賽科GaN技術(shù)已成為AI高壓直流供電架構(gòu)的主流選擇和關(guān)鍵核心器件之一。

相較于傳統(tǒng)硅基功率器件，英諾賽科的氮化鎵技術(shù)具備高密度集成、極致能效表現(xiàn)和顯著降低系統(tǒng)成本三大優(yōu)勢(shì)，能更好適配AI服務(wù)器小型化趨勢(shì)，降低數(shù)據(jù)中心能耗與運(yùn)維成本。

作為目前全球產(chǎn)能規(guī)模較大的氮化鎵供應(yīng)商，英諾賽科通過(guò)與英偉達(dá)MGX生態(tài)的合作，完成了從基礎(chǔ)器件供應(yīng)商向定制化解決方案提供商的角色演進(jìn)。

目前，該公司已推出800V–50V、800V-12V、800V-6V等多種規(guī)格的電源模塊，旨在覆蓋不同代際AI硬件的電壓需求。雖然在高性能模擬芯片領(lǐng)域，全球市場(chǎng)仍由歐美傳統(tǒng)巨頭主導(dǎo)，但在GaN這一新興細(xì)分賽道，中國(guó)企業(yè)正通過(guò)產(chǎn)能布局與800V先進(jìn)制程的快速迭代，在AI算力供應(yīng)鏈中占據(jù)一席之地。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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三星電子將推出的首款樣品是一款平面SiC?MOSFET，?聚焦車規(guī)級(jí)、工業(yè)級(jí)等高可靠性應(yīng)用。未來(lái)三星還計(jì)劃拓展溝槽型碳化硅MOSFET、碳化硅二極管、功率模塊等全系列產(chǎn)品，完善碳化硅功率器件產(chǎn)品矩陣。

業(yè)界認(rèn)為，三星在碳化硅領(lǐng)域的動(dòng)作是其完善半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)布局、補(bǔ)齊功率器件短板的關(guān)鍵舉措。2023年三星電子便已聘請(qǐng)安森美半導(dǎo)體前高管洪錫?。⊿tephen?Hong）擔(dān)任副總裁，負(fù)責(zé)組建碳化硅功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)團(tuán)隊(duì)，并成立專門的業(yè)務(wù)部門（V-TF）推動(dòng)相關(guān)技術(shù)研發(fā)。

同時(shí)，三星綜合技術(shù)院等機(jī)構(gòu)積極參與碳化硅溝槽MOSFET等核心技術(shù)的研發(fā)，申請(qǐng)了多項(xiàng)相關(guān)專利，旨在提升器件性能和可靠性。

生產(chǎn)方面，媒體披露，三星投資約1000億至2000億韓元引進(jìn)先進(jìn)工藝設(shè)備，包括Aixtron的MOCVD設(shè)備，用于碳化硅和氮化鎵（GaN）晶圓加工。三星計(jì)劃跳過(guò)傳統(tǒng)的6英寸晶圓階段，采用8英寸晶圓制造碳化硅器件，提升生產(chǎn)效率和規(guī)模。

除此之外，三星的布局也有望推動(dòng)韓國(guó)碳化硅產(chǎn)業(yè)集群建設(shè)，助力韓國(guó)在全球第三代半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)中占據(jù)有利地位。

稍早之前，韓國(guó)產(chǎn)業(yè)通商資源部（MOTIE）正式宣布成立“下一代功率半導(dǎo)體推進(jìn)小組”，并發(fā)布了旨在強(qiáng)化國(guó)家競(jìng)爭(zhēng)力的五年行動(dòng)計(jì)劃。

該計(jì)劃的核心目標(biāo)是到2030年，將韓國(guó)下一代功率半導(dǎo)體的技術(shù)自主率從目前的10%大幅提升至20%，標(biāo)志著韓國(guó)已將基于碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等材料的功率半導(dǎo)體提升至“國(guó)家戰(zhàn)略基礎(chǔ)設(shè)施”的高度。

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圖片來(lái)源：備案公示截圖

該項(xiàng)目建設(shè)地點(diǎn)選址于赤峰市敖漢旗四家子鎮(zhèn)工業(yè)園區(qū)，總投資達(dá)199185.08萬(wàn)元（約19.92億元）。

根據(jù)公示內(nèi)容，該項(xiàng)目建設(shè)內(nèi)容豐富且完善，將新建4臺(tái)40000KVA碳化硅超細(xì)粉體冶煉爐，配套建設(shè)高純碳化硅超微粉生產(chǎn)裝置、高純度亞微米碳化硅微粉生產(chǎn)裝置及余氣利用裝置，同時(shí)配備脫硫、除塵等環(huán)保處理設(shè)施，項(xiàng)目建成后可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)精密高性能陶瓷原料碳化硅超細(xì)粉體15萬(wàn)噸，計(jì)劃建設(shè)起止年限為2026年8月至2028年8月。

公開(kāi)工商信息顯示，赤峰天隆成立于2025年7月16日，注冊(cè)地址位于內(nèi)蒙古自治區(qū)赤峰市敖漢旗四家子鎮(zhèn)扣河林村扣河林學(xué)校2號(hào)廳，注冊(cè)資本100萬(wàn)元，由自然人于軍、劉佳龍分別持股51%和49%，經(jīng)營(yíng)范圍涵蓋非金屬礦物制品制造與銷售、電子專用材料制造與銷售等多個(gè)領(lǐng)域，契合項(xiàng)目建設(shè)定位。

據(jù)悉，碳化硅超細(xì)粉體是精密高性能陶瓷的核心原料，具備耐高溫、高硬度等優(yōu)異特性，廣泛應(yīng)用于機(jī)械制造、半導(dǎo)體、新能源等領(lǐng)域。該項(xiàng)目的落地實(shí)施，不僅可填補(bǔ)當(dāng)?shù)馗叨颂蓟璺垠w產(chǎn)能空白，還能依托區(qū)域資源優(yōu)勢(shì)，推動(dòng)新材料產(chǎn)業(yè)集群發(fā)展，同時(shí)帶動(dòng)就業(yè)、促進(jìn)地方經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)，助力碳化硅陶瓷材料國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程加速。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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公告顯示，集團(tuán)預(yù)期2025財(cái)年錄得凈虧損約人民幣5500萬(wàn)元至6500萬(wàn)元，相較于2024財(cái)年約人民幣5.003億元的凈虧損，虧損幅度大幅減少約87%至89%。

圖片來(lái)源：天域半導(dǎo)體公告截圖

董事會(huì)在公告中解釋，虧損收窄主要得益于兩大核心因素：一是2025財(cái)年未發(fā)生2024財(cái)年確認(rèn)的重大一次性存貨撇減撥備約人民幣3.151億元；二是集團(tuán)業(yè)務(wù)穩(wěn)步增長(zhǎng)，帶動(dòng)整體收入同比增加約人民幣1.90億元。

公告同時(shí)提及，2025年前五個(gè)月集團(tuán)曾錄得約人民幣950萬(wàn)元凈盈利，全年仍錄得虧損主要受匯兌虧損、貿(mào)易應(yīng)收款項(xiàng)減值撥備等非經(jīng)營(yíng)性因素影響。

公開(kāi)資料顯示，天域半導(dǎo)體成立于2009年，是國(guó)內(nèi)首批實(shí)現(xiàn)第三代半導(dǎo)體碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化的企業(yè)。公司主營(yíng)4英寸、6英寸及8英寸碳化硅外延片，同時(shí)提供外延代工、清洗及檢測(cè)等增值服務(wù)，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車、光伏儲(chǔ)能、軌道交通等領(lǐng)域。

除業(yè)績(jī)改善外，天域半導(dǎo)體近期在合作布局上持續(xù)發(fā)力。

1月16日，天域半導(dǎo)體及青禾晶元簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議。雙方同意建立戰(zhàn)略合作，憑借天域半導(dǎo)體在碳化硅材料領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)及青禾晶元在鍵合設(shè)備定制與優(yōu)化方面的能力，共同開(kāi)展鍵合材料（包括鍵合碳化硅（bonded SiC）、絕緣體上硅（SOI）、絕緣體上壓電基板（POI）、超大尺寸（12英寸及以上）SiC復(fù)合散熱基板）的工藝開(kāi)發(fā)與技術(shù)迭代。

圖片來(lái)源：天域半導(dǎo)體

隨后2月與韓國(guó)功率半導(dǎo)體企業(yè)EYEQ Lab Inc.簽署為期三年的戰(zhàn)略合作協(xié)議。雙方將聚焦碳化硅（SiC）外延片的供應(yīng)與應(yīng)用，建立長(zhǎng)期穩(wěn)定的戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，攜手完善全球第三代半導(dǎo)體供應(yīng)鏈布局。

圖片來(lái)源：天域半導(dǎo)體

作為國(guó)內(nèi)重要自制碳化硅外延片制造商，天域半導(dǎo)體目前6英寸及8英寸外延片年度產(chǎn)能約42萬(wàn)片，東莞生態(tài)園新基地預(yù)計(jì)已投產(chǎn)，或?qū)⑦M(jìn)一步釋放產(chǎn)能。

（集邦化合物半導(dǎo)體 Niko 整理）

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碼上報(bào)名！
參會(huì)參展：王老師 ?19276486107 同微
碳化硅襯底、封測(cè)企業(yè)免費(fèi)參會(huì)！

一、大會(huì)基本信息

會(huì)議主辦：半導(dǎo)體芯鏈 無(wú)錫國(guó)際碳化硅大會(huì)組織委員會(huì)?、全國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)學(xué)研協(xié)同創(chuàng)新平臺(tái)

承辦單位：安徽富邦通會(huì)展服務(wù)限公司

會(huì)議時(shí)間：2026年4月9-10日(9日?qǐng)?bào)到）

會(huì)議地點(diǎn)：中國(guó)無(wú)錫?錫州花園酒店

贊助形式：獨(dú)家總冠名、晚宴贊助、聯(lián)合主辦、協(xié)辦單位、贊助單位、支持單位、展臺(tái)等其他贊助合作方案請(qǐng)聯(lián)系組委會(huì)！

支持單位：中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、中國(guó)科學(xué)院微電子研究所、中國(guó)科學(xué)院物理研究所、湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司、山東天岳先進(jìn)科技股份有限公司、華進(jìn)半導(dǎo)體封裝先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)中心有限公司、江蘇天科合達(dá)半導(dǎo)體有限公司、浙江晶盛機(jī)電股份有限公司、南京盛鑫半導(dǎo)體材料有限公司、通威微電子有限公司、無(wú)錫華瑛微電子技術(shù)有限公司、惠然微電子無(wú)錫有限公司、合肥科晶材料技術(shù)有限公司、沈陽(yáng)科晶自動(dòng)化設(shè)備有限公司、常州臻晶半導(dǎo)體有限公司、COMSOL中國(guó)、英飛凌、杭州乾晶半導(dǎo)體有限公司、河北同光半導(dǎo)體股份有限公司、山西爍科晶體有限公司、浙江晶瑞電子材料有限公司、浙江晶越半導(dǎo)體有限公司、寧波阿爾法半導(dǎo)體有限公司、合肥高納半導(dǎo)體科技有限責(zé)任公司、江蘇超芯星半導(dǎo)體有限公司、合肥露笑半導(dǎo)體材料有限公司、陜西立晶芯科半導(dǎo)體科技有限公司、華陽(yáng)新興科技（天津）集團(tuán)有限公司、青禾晶元半導(dǎo)體科技（集團(tuán)）有限責(zé)任公司、江蘇第三代半導(dǎo)體研究院有限公司、忱芯科技（上海）有限公司、領(lǐng)先光學(xué)技術(shù)江蘇有限公司、泛半導(dǎo)體行業(yè)聯(lián)盟（芯盟）、半導(dǎo)體俱樂(lè)部semicon.com.cn、Soitec、心安紀(jì)、初芯半導(dǎo)體、集邦化合物半導(dǎo)體

二、參會(huì)名單

COMSOL中國(guó)、SGS通標(biāo)標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)服務(wù)有限公司、soitec、安徽祥泰芯材料科技有限公司、安徽芯塔電子科技有限公司、安泊智匯半導(dǎo)體設(shè)備（上海）有限公司、荌益國(guó)際有限公司、北方工業(yè)大學(xué)、北華教育科技（蘇州）有限公司、北京八環(huán)新能電磁技術(shù)有限公司、北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司、北京國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾半導(dǎo)體科技有限公司、北京華卓精科科技股份有限公司、北京懷柔實(shí)驗(yàn)室、北京鎵和半導(dǎo)體有限公司、北京晶飛半導(dǎo)體科技有限公司、北京晶格領(lǐng)域半導(dǎo)體有限公司、北京科技大學(xué)、北京理工大學(xué)、北京清研半導(dǎo)科技有限公司、北京三安光電有限公司、北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司、北京亦盛精密半導(dǎo)體有限公司、貝葉斯機(jī)器人、比亞迪半導(dǎo)體、碧巢智聯(lián)、博哥爾測(cè)量設(shè)備（蘇州）有限公司、博研科技常州金襄新材料科技有限公司、常州臻晶半導(dǎo)體有限公司、忱芯科技（上海）有限公司、大連奧遠(yuǎn)科儀技術(shù)有限公司、大連創(chuàng)銳光譜科技有限公司、大連連城數(shù)控機(jī)器股份有限公司、大族激光、德賽電池、東部超導(dǎo)蘇州有限公司、恩納基智能裝備（無(wú)錫）股份有限公司、福建省建陽(yáng)金石氟業(yè)有限公司、福州大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)寧波研究院、復(fù)旦大學(xué)寧波研究院 寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研究所、廣東華恒智能科技有限公司、廣東眾志檢測(cè)儀器有限公司、國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）、國(guó)家自然學(xué)基金委員會(huì)高技術(shù)研究發(fā)展中心、?？低?、杭州高坤電子科技股份有限公司、杭州海乾半導(dǎo)體有限公司、杭州芯研科半導(dǎo)體材料有限公司、杭州智谷精工有限公司、合肥高納半導(dǎo)體科技有限責(zé)任公司、合肥晶辰半導(dǎo)體科技有限公司、合肥科晶材料技術(shù)有限公司、合肥露笑半導(dǎo)體材料有限公司、河北同光半導(dǎo)體股份有限公司、宏芯半導(dǎo)體（蘇州）有限公司、湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司、湖南興晟新材料科技有限公司、華進(jìn)半導(dǎo)體、華進(jìn)半導(dǎo)體封裝先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)中心有限公司、華清電子材料、華陽(yáng)新興科技（天津）集團(tuán)有限公司、惠然微電子技術(shù)（無(wú)錫）有限公司、基恩士、吉利汽車、極氪汽車、江南大學(xué)、江南大學(xué)物聯(lián)網(wǎng)工程學(xué)院、江蘇超芯星半導(dǎo)體有限公司、江蘇第三代半導(dǎo)體研究院異質(zhì)集成研發(fā)中心、江蘇第三代半導(dǎo)體研究院有限公司、江蘇科沛達(dá)半導(dǎo)體科技有限公司、江蘇雷博微電子設(shè)備有限公司、江蘇天科合達(dá)半導(dǎo)體有限公司、江蘇微導(dǎo)納米科技股份有限公司、江蘇中科智芯集成科技有限公司、金杜律師事務(wù)所、晶豐電子封裝材料（武漢）有限公司、九域半導(dǎo)體科技（蘇州）有限公司、昆山順之晟精密機(jī)械有限公司、聯(lián)盛半導(dǎo)體科技（無(wú)錫）有限公司、領(lǐng)先光學(xué)技術(shù)江蘇有限公司、露笑半導(dǎo)體材料有限公司、梅瑞迪亞工業(yè)科技（上海）有限公司、南京理工大學(xué)、南京盛鑫半導(dǎo)體材料有限公司、寧波阿爾法半導(dǎo)體有限公司、謳帕斯半導(dǎo)體設(shè)備（合肥）有限公司、謳帕斯半導(dǎo)體設(shè)備（上海）有限公司、普萊德（北京）智能裝備有限公司、青島華錦新材料科技發(fā)展有限公司、青禾晶元半導(dǎo)體科技（集團(tuán)）有限責(zé)任公司、 青葵智造（上海）科技有限公司、全研科技（江蘇）有限公司、日聯(lián)科技集團(tuán)股份有限公司、瑞能微恩半導(dǎo)體科技(北京)有限公司、賽達(dá)半導(dǎo)體科技有限公司、山東大學(xué)、山東格美鎢鉬金屬材料股份有限公司、山東金德新材料有限公司、山東天岳先進(jìn)科技股份有限公司、山西爍科晶體有限公司、陜西立晶芯科半導(dǎo)體科技有限公司、上海韓科科技股份有限公司、上海潔安流體科技有限公司、上海麥清環(huán)境科技有限公司、上海納騰儀器有限公司、上海普利康途數(shù)字科技有限公司上、海盛劍科技股份有限公司、上海棠旻實(shí)業(yè)有限公司、上海小鵬汽車科技有限公司、上海毅篤功率半導(dǎo)體科技有限公司、上海嬰鳥(niǎo)環(huán)?？萍技瘓F(tuán)有限公司、上海涌尚實(shí)業(yè)有限公司、深圳市埃芯半導(dǎo)體科技有限公司、深圳市和?？萍加邢薰尽⑸钲谑匈R盛真空科技有限公司、深圳市朗納研磨材料有限公司、深圳市美浦森半導(dǎo)體有限公司、深圳騰睿微電子科技有限公司、沈陽(yáng)科晶自動(dòng)化設(shè)備有限公司、蘇科斯（江蘇）半導(dǎo)體設(shè)備科技有限公司、蘇州艾斯達(dá)克智能科技有限公司、蘇州鉑煜諾自動(dòng)化設(shè)備科技有限公司、蘇州晶方半導(dǎo)體科技股份有限公司、蘇州晶拓半導(dǎo)體科技有限公司、蘇州瑞霏光電科技有限公司、天津工業(yè)大學(xué)、天津三星LED有限公司、天津市富林泛泰建筑裝飾工程有限公司、天津市裕豐碳素股份有限公司、通標(biāo)標(biāo)準(zhǔn)、通威微電子有限公司、無(wú)錫鴻成電子科技有限公司、無(wú)錫華瑛微電子技術(shù)有限公司、無(wú)錫凱必特斯半導(dǎo)體科技有限公司、無(wú)錫能芯檢測(cè)科技有限公司、無(wú)錫芯譜半導(dǎo)體科技有限公司、無(wú)錫中光精密儀器設(shè)備廠、吾拾微電子蘇州有限公司、武漢理工大學(xué)、西安電子科技大學(xué)、西安和其光電科技股份有限公司、西安交通大學(xué)國(guó)家技術(shù)轉(zhuǎn)移中心、西安眾力為半導(dǎo)體科技有限公司、西門子（中國(guó)）有限公司、數(shù)字化工廠集團(tuán)、小米汽車、芯合半導(dǎo)體(合肥)有限公司、芯和半導(dǎo)體科技(上海)股份有限公司、信息產(chǎn)業(yè)電子第十一設(shè)計(jì)研究院科技工程股份有限公司蘇州分公司 、炫列（上海）環(huán)境工程技術(shù)有限公司、煙臺(tái)德邦科技股份有限公司、煙臺(tái)齊新半導(dǎo)體技術(shù)研究院有限公司、研微（江蘇）半導(dǎo)體科技有限公司、揚(yáng)州晶格半導(dǎo)體有限公司、英飛凌、 甬江實(shí)驗(yàn)室、御微半導(dǎo)體技術(shù)有限公司、浙江博來(lái)納潤(rùn)電子材料有限公司、浙江海洋大學(xué)、浙江晶瑞電子材料有限公司、浙江晶盛機(jī)電股份有限公司、浙江晶越半導(dǎo)體有限公司、鄭州琦升精密制造有限公司、志橙半導(dǎo)體材料股份有限公司、中電科半導(dǎo)體材料有限公司、中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所、中國(guó)科學(xué)院微電子研究所中國(guó)科學(xué)院物理研究所、中科納通電子技術(shù)蘇州公司、中山芯承半導(dǎo)體有限公司、中芯國(guó)際、中芯國(guó)際集成電路制造(天津)有限公司、中銀證券

三、演講嘉賓及報(bào)告題目

-題目：液相法生長(zhǎng)碳化硅研究進(jìn)展

中國(guó)科學(xué)院物理研究所 研究員–李輝

-題目：國(guó)際半導(dǎo)體材料和技術(shù)發(fā)展態(tài)勢(shì)

國(guó)家自然學(xué)基金委員會(huì)高技術(shù)研究發(fā)展中心，原技術(shù)總師–史冬梅

-題目：高功率碳化硅二極管及產(chǎn)業(yè)化

山東大學(xué) ? ?副研究員–崔瀠心

-題目：面向AIDC SST與HVDC供電系統(tǒng)的碳化硅功率器件測(cè)試及應(yīng)用解決方案

忱芯科技（上海）有限公司 ? 總經(jīng)理–毛賽君

-題目：SiC功率器件的應(yīng)用藍(lán)圖：機(jī)遇與征程

復(fù)旦大學(xué)寧波研究院 寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研究所 ?所長(zhǎng)–陳東坡

-題目：碳化硅單晶材料進(jìn)展

湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司 ? 材料研發(fā)副總經(jīng)理–高玉強(qiáng)

-題目：新能源汽車電控選框架還是塑封模塊

英飛凌 ? ?高級(jí)市場(chǎng)經(jīng)理–張昌明

-題目：液相法碳化硅晶體研發(fā)進(jìn)展及未來(lái)應(yīng)用

常州臻晶半導(dǎo)體有限公司 市場(chǎng)總監(jiān)–蔣志強(qiáng)

-題目：大尺寸碳化硅晶體生長(zhǎng)技術(shù)進(jìn)展（擬）

寧波阿爾法半導(dǎo)體有限公司 副總經(jīng)理–周勛

-題目：高純度碳化硅粉體清潔生產(chǎn)

福州大學(xué) ?教授–洪若瑜

-題目：碳化硅常溫鍵合技術(shù)的研發(fā)與應(yīng)用

國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）江蘇第三代半導(dǎo)體研究院異質(zhì)集成研發(fā)中心主任，首席科學(xué)家–梁劍波

-題目：AI + EDA 賦能 Chiplet 先進(jìn)封裝STCO設(shè)計(jì)

芯和半導(dǎo)體科技(上海)股份有限公司 ?創(chuàng)始人、總裁 代文亮

-題目：面向高可靠性集成電路封裝的新型焊接材料與技術(shù)探索

北京理工大學(xué) ? 教授–馬兆龍

-題目：STCO芯片封裝系統(tǒng)設(shè)計(jì)新范式：2.5D/3D先進(jìn)封裝EDA賦能全流程設(shè)計(jì)、仿真與驗(yàn)證的協(xié)同創(chuàng)新

珠海硅芯科技有限公司創(chuàng)始人兼CEO–趙毅

-題目：面向系統(tǒng)集成的先進(jìn)封裝技術(shù)

華進(jìn)半導(dǎo)體 主任研發(fā)工程師–嚴(yán)陽(yáng)陽(yáng)

-題目：設(shè)計(jì)先行，構(gòu)筑產(chǎn)業(yè)基石的前沿密碼

信息產(chǎn)業(yè)電子第十一設(shè)計(jì)研究院科技工程股份有限公司蘇州分公司 ?副總工–劉陽(yáng)

-題目：基于自主實(shí)驗(yàn)技術(shù)的固相法合成單相及均質(zhì)材料

合肥科晶材料技術(shù)有限公司 副總經(jīng)理–安唐林

-題目：先進(jìn)鍵合集成技術(shù)在碳化硅領(lǐng)域的應(yīng)用及產(chǎn)業(yè)化

青禾晶元半導(dǎo)體科技（集團(tuán)）有限責(zé)任公司 ?副總經(jīng)理–劉福超

-題目：大尺寸晶圓室溫臨時(shí)鍵合與精密減薄

甬江實(shí)驗(yàn)室 ?功能材料與器件異構(gòu)集成研究中心主任–萬(wàn)青

-題目：碳化硅襯底材料的技術(shù)進(jìn)展以及應(yīng)用展望

山東天岳先進(jìn)科技股份有限公司 ?市場(chǎng)總監(jiān)–王雅儒

-題目：COMSOL 多物理場(chǎng)仿真在功率半導(dǎo)體中的應(yīng)用

COMSOL中國(guó) ?技術(shù)總監(jiān)–王剛

-題目：電子束賦能碳化硅功率半導(dǎo)體與先進(jìn)封裝

惠然微電子技術(shù)（無(wú)錫）有限公司 執(zhí)行總裁–王永海

-題目：碳化硅功率模塊封裝散熱提升技術(shù)進(jìn)展案例（擬）

天津工業(yè)大學(xué) ? ?教授–梅云輝

-題目：國(guó)產(chǎn)燒結(jié)銀/燒結(jié)銅在功率器件封裝可靠性評(píng)估與應(yīng)用實(shí)踐

南京理工大學(xué)/中科納通電子技術(shù)蘇州公司 ? 總經(jīng)理–范曄

-題目：高性能人工智能芯片的先進(jìn)封裝設(shè)計(jì)與仿真方法

浙江海洋大學(xué) 教授 俄羅斯工程院外籍院士–陳宏銘

-題目：氮化鎵電子器件的研究與應(yīng)用

江南大學(xué) ? 教授–敖金平

-題目：基于離子束技術(shù)的寬禁帶半導(dǎo)體異質(zhì)集成材料與器件

中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所 ?研究員–游天桂

-題目：晶豐公司芯片封裝關(guān)鍵材料的國(guó)產(chǎn)替代

晶豐電子封裝材料（武漢）有限公司 副總經(jīng)理–朱順利

陸續(xù)更新?。ㄅ琶环窒群螅?/strong>

四、會(huì)議日程

五、會(huì)議注冊(cè)及繳費(fèi)

會(huì)議注冊(cè)報(bào)名二維碼

會(huì)議注冊(cè)費(fèi)：2600元/人；（含會(huì)議期間提供午、晚餐及茶歇、會(huì)議資料）住宿統(tǒng)一安排，費(fèi)用自理。

注：本次會(huì)議提供電子普票，并發(fā)送至參會(huì)代表的郵箱或微信，發(fā)票內(nèi)容為“會(huì)議費(fèi)”。

*所有參會(huì)人員需提前報(bào)名并繳費(fèi)，會(huì)議期間憑參會(huì)證進(jìn)出!

付款請(qǐng)注明：“無(wú)錫會(huì)議+單位+姓名”，并將付款憑證保留，便于報(bào)到時(shí)查驗(yàn)。

展位預(yù)定

本次會(huì)議設(shè)有限量展位：（往屆展商九折優(yōu)惠）包括VIP2位名額，用餐、展臺(tái)搭建、資料費(fèi)等。

另外還有企業(yè)演講、茶歇視頻、行架廣告、椅背廣告、代表證廣告、資料袋廣告贊助等，歡迎來(lái)電咨詢。

參展/贊助：王老師：19276486107（微同）

六、聯(lián)系我們

演講&贊助&參會(huì)

王老師：19276486107（微同）

郵 ? 箱：nikai010@163.com

七、往屆風(fēng)采

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