昂坤視覺Mciro LED的檢測設備E3200micro
E3200micro明場采用微分干涉DIC檢測系統(tǒng)，可以對外延片表面的晶格缺陷形貌成像檢測和AI分類；暗場采用激光散射，顆粒檢測精度最低可以達到60nm。
E3200micro針對不同顏色發(fā)光的外延片，配備了相應的激發(fā)激光和適配的收集系統(tǒng)，可以對GaAs外延紅光， GaN 外延綠光和GaN外延藍光進行熒光缺陷檢測，并且缺陷和表面缺陷進行融合和AI分類。
（全彩相機，Red GaAs PL Map）
（全彩相機，Green GaN PL Map）
（全彩相機，Blue GaN PL Map）
該設備為Micro LED全彩顯示提供了從外延生長到芯片制程的一體化質量監(jiān)控方案，為Micro LED外延片在AR/VR、透明顯示及車載HUD等新興場景的規(guī)模化落地提供核心技術支撐。設備推出后，已經有多家客戶送樣測試，并獲得多臺訂單和發(fā)貨。
【附：Eagle 系列設備介紹】
E1000：專注于 InP、GaAs、LT、LN、玻璃等晶圓的缺陷檢測。針對這類晶圓的典型特征，采用明暗場光學檢測系統(tǒng)與缺陷自動檢測分類算法，可快速精準識別并分類 Pit（凹坑）、Bump（凸點）、Particle（顆粒）、Scratch（劃痕）等常見缺陷。
E3200：適用于 GaN 襯底及藍寶石（Sapphire）、硅（Si）、碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等各類襯底的 GaN 外延缺陷檢測。依托多通道光學檢測系統(tǒng)與缺陷自動檢測分類算法，為晶圓質量控制與工藝優(yōu)化提供有力支持。
E3500：專為 SiC 襯底片與外延片缺陷檢測打造。針對 SiC 缺陷類型多樣的特點，融合多通道光學檢測系統(tǒng)與缺陷自動檢測分類算法，可快速精準識別并分類微管、層錯、三角形缺陷、臺階聚集等常見缺陷，助力 SiC 產品質量把控與生產工藝升級。
【關于昂坤視覺】
昂坤視覺于 2017 年在北京創(chuàng)立，下設南昌、杭州兩家全資半導體設備子公司。公司專注化合物半導體、光電及集成電路前端制造領域，致力于提供光學測量與檢測設備及解決方案，秉持打造國際水準晶圓檢測設備的愿景，持續(xù)深耕技術研發(fā)。
憑借多年自主創(chuàng)新與技術積累，昂坤視覺已具備光學系統(tǒng)設計、成像技術、機器視覺及學習算法的核心研發(fā)能力，擁有多項自主研發(fā)的領先技術。公司先后榮獲國家高新技術企業(yè)、國家級專精特新 重點“小巨人” 企業(yè)、北京市企業(yè)技術中心等資質認證，并通過 ISO9001 質量管理體系認證，是一家集研發(fā)、生產、銷售、服務于一體的高科技企業(yè)，為半導體產業(yè)發(fā)展持續(xù)貢獻力量。（來源：昂坤視覺）
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source：Power Integrations
從2017年至2024年，Lowe擔任Wolfspeed公司的首席執(zhí)行官，領導該公司轉型為專注于大功率應用碳化硅解決方案的制造商。
在此之前，Lowe從2012年起擔任飛思卡爾半導體公司的首席執(zhí)行官，直至2015年該公司與恩智浦半導體合并。更早之前，他在德州儀器度過了27年的職業(yè)生涯，擔任過一系列領導職務，涵蓋現場銷售、汽車銷售、市場營銷和集成電路等領域，最終擔任公司模擬業(yè)務的高級副總裁兼經理。
Lowe目前擔任Silicon Labs和北卡羅來納農工州立大學的董事會成員，以及搖滾名人堂博物館的董事會主席。他擁有羅斯-霍曼理工學院電氣工程理學學士學位，并完成了斯坦福大學的高級管理人員課程。
Power Integrations董事長兼首席執(zhí)行官Balu Balakrishnan評論道：“我們非常高興地歡迎Gregg Lowe加入我們的董事會。Gregg在模擬和功率半導體領域擁有數十年的豐富經驗，特別是在銷售和分銷領域擁有廣博的知識，以及在汽車和工業(yè)等關鍵終端市場建立了深厚的客戶關系，使他成為我們董事會的理想人選?！?/p>
Power Integrations公司設計、開發(fā)和銷售模擬和混合信號集成電路（ICs ）等電子元件和高電壓電源轉換的電路，產品應用于電力轉換器，從高電壓電源轉換所需指定下游使用的電源類型電力。近年該公司大力布局氮化鎵，相關產品線包括InnoSwitch系列、InnoMux系列等。
Power Integrations最新財報顯示，公司去年第四季度凈收入1.052億美元，環(huán)比下降9%，同比增長 18%；凈利潤為910萬美元，攤薄后每股收益0.16美元。全年凈收入為4.19億美元，凈利潤為3220萬美元。
Power Integrations董事長兼首席執(zhí)行官Balu Balakrishnan評論道：“第四季度的收入同比增長了18%，我們預計第一季度還會有兩位數的增長。雖然需求前景不明朗，特別是貿易政策的不確定性，但我們預計2025年各種終端市場都將出現增長，包括可再生能源、高壓直流輸電、計量、汽車、家電等。隨著我們專有的PowiGaN?技術在一系列廣泛的高壓電源轉換應用中的加速應用，采用該技術的產品今年將實現大幅增長?！保罨衔锇雽w整理）
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]]>此次合作不僅是國防戰(zhàn)略需求的體現，更反映出全球氮化鎵行業(yè)格局的微妙變化。
source：NimyResources
國防需求與供應鏈安全的雙重考量
資料顯示，M2i Global專注于開發(fā)和執(zhí)行關鍵礦物的完整全球價值鏈，用于美國國防和經濟增長和安全，以及美國自由貿易伙伴的國防和經濟增長和安全。
M2i Global除在供應鏈領域運作外，旗下子公司US Minerals Inc和Metals Corp是工程、研究和服務公司，匯集了來自政府、企業(yè)、非營利組織和學術界的人員、技術和解決方案，為國防和經濟安全提供關鍵礦物和金屬的訪問和可用性。
此次合作，是雙方在保障關鍵材料供應上的重要舉措，凸顯了美國在關鍵礦產供應鏈自主化方面的迫切訴求。Nimy董事長Neil Warburton表示，Nimy發(fā)展多元化綜合鎵供應鏈的戰(zhàn)略繼續(xù)獲得動力，與M2i Global的協(xié)議是這一進展的延續(xù)。
source：Nimy Resources
他還指出，“我們的核心使命是通過為美國提供安全可靠的關鍵資源來加強我們國家的關鍵材料供應?！?/p>
另據M2i Global總裁兼首席執(zhí)行官少將（退役）阿爾·羅森多表示，公司將繼續(xù)努力滿足制造能力擴展和投資優(yōu)先辦公室確定的需求，該辦公室致力于確保在美國境內可靠、可持續(xù)地供應鎵和其他關鍵材料，用于先進技術領域的半導體生產。
鎵作為關鍵礦產，在化合物半導體領域至關重要。鎵與氮化鎵有著緊密的聯系，氮化鎵（GaN）是由鎵（Ga）和氮（N）兩種元素組成的化合物半導體材料。氮化鎵憑借其優(yōu)良特性，在新能源汽車的充電模塊、電機驅動等方面有著廣闊應用前景，而穩(wěn)定的鎵供應是保障氮化鎵產業(yè)發(fā)展的基礎。
在國防和安全領域，氮化鎵更是不可或缺，被廣泛應用于雷達系統(tǒng)、航空航天技術等。美國國防部致力于構建穩(wěn)固的工業(yè)基礎，以滿足當下及未來國防需求，穩(wěn)定的鎵供應成為關鍵一環(huán)。
氮化鎵產業(yè)正在加速突破
氮化鎵（GaN）具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、熱導率、電子飽和速率以及更優(yōu)的抗輻照能力，在功率器件、射頻器件、光電器件等領域優(yōu)勢顯著。
從全球范圍來看，氮化鎵行業(yè)正處于加速發(fā)展與激烈競爭的階段。在產業(yè)鏈上游，氮化鎵襯底及外延片的原材料供應是關鍵。盡管氮化鎵單晶襯底性能優(yōu)異，但成本居高不下，使得目前主要采用藍寶石、SiC、Si等襯底來降低成本。
不過從制作流程來看，氮化鎵器件制作流程包括襯底、外延及器件設計和制造，由于GaN單晶襯底生長尺寸受限，且外延層GaN和異質襯底之間存在晶格失配和熱失配問題，導致效率降低，研究者們正著力突破GaN單晶襯底的制備技術。據業(yè)界信息，目前GaN單晶襯底以2-4英寸為主，4英寸已實現商用，6英寸樣本正開發(fā)。
中游的氮化鎵器件制造商經營模式多樣，涵蓋設計制造一體以及設計與代工分離等模式。下游應用領域極為廣泛，隨著5G通信、消費電子、新能源汽車、數據中心等行業(yè)的蓬勃發(fā)展，對氮化鎵器件的性能要求不斷攀升，市場需求也水漲船高。
業(yè)界認為，功率氮化鎵產業(yè)正處于關鍵的突圍時刻，幾大潛力應用同步推動著產業(yè)規(guī)模加速成長。
據TrendForce集邦咨詢此前《2024全球GaN Power Device市場分析報告》顯示，2023年全球氮化鎵功率元件市場規(guī)模約2.71億美元，至2030年有望上升至43.76億美元，CAGR（復合年增長率）高達49%。其中非消費類應用比例預計會從2023年的23%上升至2030年的48%，汽車、數據中心和電機驅動等場景為核心。（集邦化合物半導體整理）
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]]>公開資料顯示，安意法半導體項目位于重慶高新區(qū)西永微電子產業(yè)園，由三安光電和意法半導體合資建設，總投資約300億元人民幣。該項目規(guī)劃年產48萬片8英寸車規(guī)級SiC MOSFET芯片，項目達產后，預計年營收可達170億元人民幣，將成為全球最大的8英寸碳化硅垂直整合制造基地。
除了安意法半導體項目外，近期包括Wolfspeed查塔姆縣8英寸碳化硅工廠、士蘭集宏8英寸碳化硅芯片項目、南砂晶圓8英寸碳化硅單晶和襯底項目、博來納潤CMP材料項目四大項目都傳來最新進展。
source:集邦化合物半導體制作
01、Wolfspeed查塔姆縣8英寸碳化硅工廠預計2025年6月啟動生產
Wolfspeed查塔姆縣8英寸碳化硅工廠位于北卡羅來納州查塔姆縣西勒市，總投資50億美元。該項目主要生產200mm碳化硅晶圓，工廠占地220萬平方英尺，預計2025年6月啟動生產。該項目將顯著提升Wolfspeed在全球碳化硅市場的產能和競爭力。
02、士蘭集宏8英寸碳化硅芯片項目預計2025年一季度封頂
士蘭集宏8英寸碳化硅芯片項目位于廈門，總投資120億元，總建筑面積23.45萬平方米。項目分兩期建設，一期項目總投資70億元，規(guī)劃年產42萬片8英寸碳化硅功率器件芯片。該項目預計2025年一季度封頂，四季度末初步通線，并于2026年一季度開始試生產。
03、南砂晶圓8英寸碳化硅單晶和襯底項目預計2025年實現滿產達產
南砂晶圓8英寸碳化硅單晶和襯底項目由南砂晶圓的全資子公司山東中晶芯源半導體科技有限公司負責建設，于2023年6月12日落地山東濟南。項目投資金額為15億元人民幣，計劃在2025年實現滿產達產，規(guī)劃打造全國最大的8英寸碳化硅襯底生產基地，進一步滿足國內市場對高端碳化硅襯底的需求。
04、博來納潤CMP材料項目預計2025年7月全面竣工
博來納潤CMP材料項目位于浙江衢州智造新城高新片區(qū)，總投資10億元，年產18000噸納米氧化硅、34000噸半導體CMP拋光液。該項目涵蓋大硅片、碳化硅晶圓等半導體制造的關鍵制程材料，預計2025年7月全面竣工，將為半導體產業(yè)鏈提供重要材料支持。（集邦化合物半導體整理）
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]]>公開資料顯示，MACOM是一家市值達94.6億美元（截止今日）的領先半導體技術供應商，專注于射頻（RF）、微波和毫米波技術的先進制造。公司總部位于美國馬薩諸塞州洛厄爾，其產品廣泛應用于國防、電信和數據中心等多個行業(yè)。MACOM以其強大的技術創(chuàng)新能力和卓越的產品性能而聞名，其產品組合涵蓋了從光纖到銅纜的各種連接解決方案。
此次贏得的法國MMIC合同，是MACOM在全球市場上的又一重要里程碑。MMIC技術在現代通信和國防領域中扮演著至關重要的角色，能夠實現高性能的信號處理和傳輸。通過這一合同，MACOM將為法國提供先進的MMIC解決方案，進一步鞏固其在歐洲市場的地位。
source：集邦化合物半導體制作
據悉，為了支持其持續(xù)增長和技術領先地位，MACOM計劃在未來五年內向其位于馬薩諸塞州和北卡羅來納州的晶圓制造設施投資高達3.45億美元。這項投資旨在現代化其現有設施，擴大潔凈室并更新生產線，以提升射頻、微波和毫米波技術的先進制造能力。此外，MACOM還計劃引入150毫米GaN-on-SiC制造能力，進一步增強其在國防和電信領域的產品供應。
MACOM在2024財年第三季度實現了1.91億美元營收，同比增長28.3%，環(huán)比增長5.1%。公司總裁兼首席執(zhí)行官StephenG.Daly表示：“這項資本投資將增強公司的國內制造能力，加速其增長戰(zhàn)略，最終以領先技術改善對客戶的服務?！盡ACOM的強勁財務表現和持續(xù)的技術創(chuàng)新，使其在半導體市場中保持了顯著的競爭優(yōu)勢。（集邦化合物半導體整理）
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]]>早在2025年1月15日，慈星股份就因籌劃此次重大交易而停牌。當時，公司計劃通過發(fā)行股份及支付現金的方式獲取武漢敏聲的控股權，并募集配套資金。然而直到公告發(fā)布時，交易各方都還沒有就具體方案和交易條件達成最終實質性協(xié)議。
在推進此次交易的過程中，慈星股份做了不少工作。一方面，公司與部分交易對方簽署了《股權收購意向性協(xié)議》，達成了初步合作意向；另一方面，按照規(guī)定，在1月22日披露了停牌進展公告，并且嚴格依照相關法律法規(guī)要求，對本次交易的內幕信息知情人進行了登記和申報。
但經過多輪協(xié)商和談判，交易各方始終未能就最終交易條件達成一致。為維護上市公司全體股東的利益，慈星股份經過慎重考慮，決定終止籌劃本次交易。由于在籌劃本次交易時，尚未召開董事會審議相關議案，所以終止該事項無需經過董事會審議表決。
值得注意的是，此次交易尚處于籌劃階段，交易相關方并沒有達成實質性協(xié)議，因此各方對終止交易無需承擔違約責任。2月5日，慈星股份與此前已簽署意向性協(xié)議的交易對方簽署了《股權收購意向性協(xié)議之終止協(xié)議》。慈星股份表示，終止本次交易并不會影響公司的正常經營。
同時，根據相關規(guī)定，慈星股份承諾自公告發(fā)布之日起至少1個月內不再籌劃重大資產重組事項。此次慈星股份終止收購，后續(xù)其業(yè)務戰(zhàn)略將如何調整，又會對公司產生哪些潛在影響，引發(fā)了市場的關注。
source：慈星股份
慈星股份主要經營針織機械業(yè)務，而武漢敏聲則以射頻濾波器作為拳頭產品，業(yè)務還覆蓋壓電式麥克風和壓電超聲傳感器芯片。此前，據業(yè)界估算，慈星股份若要收購武漢敏聲的控股權，所需資金將超過12億元。
此外，資料顯示，武漢敏聲成立于2019年1月，注冊資本2411.53萬元。公司以射頻濾波器為核心產品，如今已發(fā)展成為國內高端BAW濾波器的頭部企業(yè)。目前，武漢敏聲在武漢、蘇州、北京、新加坡四地布局，設立了研發(fā)設計中心、產品中試平臺及大規(guī)模量產基地，率先在國內實現BAW濾波器的技術突破并規(guī)模化量產，還通過了ISO9001國際質量管理體系標準認證。
2022年，武漢敏聲與北京賽微電子聯合共建8英寸射頻濾波器生產線，這條聯合產線在2023年7月實現量產，月產能達到2000片晶圓。此后，武漢敏聲又啟動了月產能1萬片晶圓的自有產線建設項目，該項目總投資30億元，預計2026年實現量產，屆時預計年產值超30億元。（集邦化合物半導體整理）
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]]>近日，集邦化合物半導體有幸與ASMADE卓興半導體董事長曾義強進行了交流，深入探討公司在技術研發(fā)、市場拓展、未來規(guī)劃等方面的布局及進展情況，全方位呈現了ASMADE卓興半導體在半導體封裝領域創(chuàng)新成果。
堅持創(chuàng)新研發(fā)底色，卓興瞄準三大新興市場
相比于已有的成熟市場，ASMADE卓興半導體更關注半導體行業(yè)未來的新興市場。
當前，在半導體行業(yè)中，新興市場主要有三大方向。其一是以AI算力建設為中心的芯片市場，包括GPU、HBM等；其二是與新能源相關的芯片市場，包括MOS、IGBT等；其三是與信息交互相關的芯片市場，包括高清顯示等。
這三大主流新興市場正在推動封裝工藝和設備的發(fā)展與變革，并呈現出三個趨勢：其一是多芯片集成封裝；其二是盡量減少打線；其三便是追求高性能低成本的封裝方案。
source：ASMADE卓興半導體
其中，在多芯片集成封裝方面，以Mini LED為例，一塊基板上已經可以封裝數萬甚至十幾萬顆芯片；減少打線可以避免傳統(tǒng)工藝帶來的諸多不確定性因素，例如COB工藝，特別是倒裝COB技術，已基本不用打線；而高性能低成本的封裝方案是各大廠商共同追求的目標。ASMADE卓興半導體針對新興市場和封裝工藝的變化趨勢，進行了卓有成效的全面布局。
其中，針對功率器件的封裝，ASMADE卓興半導體設計了CLIP生產線；對于多芯片集成封裝，ASMADE卓興半導推出了多物料轉塔式封裝。這些產品均為行業(yè)首創(chuàng)，凸顯出ASMADE卓興半導體在泛半導體設備領域的技術研發(fā)硬實力。
破舊立新，卓興引領第三代半導體封裝設備潮流
以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代半導體材料因其固有的優(yōu)勢，正越來越多的受到業(yè)內青睞，尤其是新能源行業(yè)，碳化硅和氮化鎵正被廣泛應用于新能源汽車、光儲充等場景。
曾義強表示，“盡管碳化硅和氮化鎵材料有很好的應用特性，但如果采用傳統(tǒng)的封裝工藝，無法表現出優(yōu)秀的特性，所以必須引用新的工藝以及新的界面材料。”
結合第三代半導體封裝工藝的特點，ASMADE卓興半導體開發(fā)了以納米銀作為主焊材的專用貼裝設備，能夠兼顧壓力、溫度、Bonding時間、貼合精度等方面的工藝要求，達到最佳的成本效益比。目前，ASMADE卓興半導體已經研發(fā)出一系列滿足新工藝要求的貼裝方案，包括CLIP封裝線、半導體刷膠機、真空甲酸熔接設備等，都是為碳化硅貼裝而生的主制程設備。
source：ASMADE卓興半導體
ASMADE卓興半導體針對碳化硅的貼裝設備主要有三個特點：第一個是效率更高，采用轉塔式結構，在保證精度的同時，又能夠兼顧效率；第二個是混合Bonding，采用了定點加溫和加力的邦頭，溫度控制更精準，壓力可控范圍更大；第三個是平滑力控，邦頭的壓力曲線可以靈活設計，壓力曲線非常平穩(wěn)。這些都是ASMADE卓興半導體的技術優(yōu)勢所在。在產業(yè)追求更大尺寸晶圓趨勢下，傳統(tǒng)的貼裝方式效率較低，ASMADE卓興半導體通過創(chuàng)新的摩天輪結構，更好地兼顧大尺寸基板和高效率，完美應對行業(yè)挑戰(zhàn)。
加速國產化，卓興從源頭入手，釋放原創(chuàng)價值
在當前國際經濟形勢復雜多變，國產化需求日益迫切的大背景下，ASMADE卓興半導體從源頭做起、每臺設備的原創(chuàng)含金量正在持續(xù)上漲。
曾義強表示，“ASMADE卓興半導體的核心技術團隊是由工藝+控制+結構三部分構成，先研究工藝，針對工藝實現的痛難點，研究解決方案，進行反復試驗后申請專利，最后再進行設備制造。其中，專利的部分，ASMADE卓興半導體在近四年時間內申請了100多項知識產權?！?/p>
source：ASMADE卓興半導體
值得一提的是，控制系統(tǒng)決定了一臺設備的靈魂。ASMADE卓興半導體在決心做先進封裝設備時，首先進行的便是自主研發(fā)控制系統(tǒng)。目前，ASMADE卓興半導體設備的核心部件基本都自主可控，國產化率達90%以上。
精度與效率并重，卓興半導體封裝設備擁有無限可能針對半導體的貼裝應用場景，很多工藝具有相似性，都對精度和效率提出了較高的要求，例如激光雷達、光通訊模塊的封裝，而ASMADE卓興半導體的轉塔式貼裝設備融合了高精度、高效率等關鍵要素，把握了進入到一些新應用領域的機會。
source：ASMADE卓興半導體
從精度方面來看，10微米對于很多設備而言是一道很難逾越的鴻溝，而ASMADE卓興半導體封裝設備精度可以做到3微米以內，同時不犧牲效率，相關設備已應用于傳感器、光模塊等領域。對于精度和效率要求比較高的一些封裝領域，都是ASMADE卓興半導體封裝設備的潛在應用場景。隨著半導體行業(yè)的火熱發(fā)展，ASMADE卓興半導體的未來擁有廣闊的想象空間。
結語
回顧過去，堅持創(chuàng)新研發(fā)一直是ASMADE卓興半導體的底色，憑借持續(xù)不斷的技術突破，ASMADE卓興半導體在半導體封裝設備市場強勢崛起并快速向各類應用場景滲透。展望未來，錨定具備無限前景的新興市場，ASMADE卓興半導體將在研發(fā)方面大力投入，研發(fā)滿足未來市場需求的工藝和設備，夯實ASMADE卓興半導體的長期競爭力，實現長遠發(fā)展。（文：集邦化合物半導體Zac）
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]]>Wolfspeed碳化硅晶圓廠將竣工
近期，媒體報道Wolfspeed斥資50億美元建設的碳化硅晶圓廠即將竣工。Wolfspeed希望在今年3月之前全面接管工廠，并于今年6月開始生產先進的200毫米（8英寸）碳化硅晶圓。
上述工廠位于美國北卡羅來納州查塔姆縣，2022年9月，Wolfspeed宣布將在查塔姆縣建造全球最大碳化硅工廠，2024年3月，該工廠宣布封頂。
source:Wolfspeed
資料顯示，Wolfspeed是全球領先的SiC制造商之一，在襯底技術、外延生長和器件制造等方面積累了豐富的經驗和技術優(yōu)勢。查塔姆縣碳化硅晶圓廠有望助力Wolfspeed現有碳化硅產能提升，以滿足對能源轉型和人工智能至關重要的新一代半導體的需求。
美國州和地方政府承諾為該工廠提供超過7億美元的資金助力，當前已經撥付了部分資金用于場地準備。隨著查塔姆縣工廠即將完工，Wolfspeed 正在華盛頓努力通過《CHIPS 法案》爭取資金。
滿足碳化硅市場需求，多家晶圓廠蓄勢待發(fā)
除了Wolfspeed之外，為了滿足碳化硅市場需求，意法半導體、安森美、英飛凌、博世、富士電機、三菱電機等大廠均在建設碳化硅工廠線，并且都瞄準8英寸碳化硅。
其中，意法半導體宣布將在意大利卡塔尼亞打造全球首座全集成碳化硅制造工廠，預計總投資將達到50億歐元（約合54億美元），意大利政府在歐盟芯片法案的框架下將提供約20億歐元的支持。該工廠將涵蓋功率器件和模塊的生產、測試及封裝環(huán)節(jié)，并與同一地點的SiC襯底制造設施共同組成意法的碳化硅園區(qū)，預計于2026年啟動生產，并力爭在2033年實現滿負荷運轉。
英飛凌馬來西亞居林晶圓廠一期項目投資高達20億歐元，計劃在2025年正式進入量產階段，將生產200毫米碳化硅功率半導體產品。國內同樣積極發(fā)力碳化硅產業(yè)，代表項目包括長飛先進武漢基地、士蘭微廈門8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產線、芯聯集成8英寸碳化硅器件研發(fā)產線等等。
值得一提的是，今年1月中國香港迎來的首個半導體晶圓廠項目也與碳化硅有關，杰立方半導體（香港）有限公司（以下簡稱“杰立方”）與香港工業(yè)總會（FHKI）簽署了合作備忘錄（MOU），杰立方將采用第三代半導體碳化硅技術，在香港建設8英寸晶圓廠。該項目預計總投資達69億港元，達產后年產24萬片晶圓，將能滿足150萬輛新能源車的生產需求。（文：集邦化合物半導體）
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source:集邦化合物半導體制作
01德州儀器
德州儀器2024年第四季度營收約為40億美元，同比下降2%；凈利潤約12億美元，同比下降12%。2024年全年，德州儀器營收156.41億美元，同比下降12%；凈利潤為65.1億美元，同比下降26%。
source：德州儀器
德州儀器首席執(zhí)行官Haviv Ilan表示，工業(yè)領域的自動化和能源基礎設施仍在下降，全球經濟不確定性對“普通”半導體（AI芯片之外的產品）需求帶來了影響。
中國市場是德州儀器的重要市場之一。2024年第四季度，德州儀器在中國市場的收入環(huán)比和同比均有提升。在汽車領域，中國以外區(qū)域的汽車市場疲軟，中國市場的增幅不足以彌補其汽車業(yè)務在另外三大生產中心（歐洲、日本等市場）的下滑。
德州儀器預計2025年第一季度營收在37.4億美元至40.6億美元之間。
2024全年德州儀器資本支出為48億美元，占收入的31%，主要用于建設新工廠和擴充產能。2024年德州儀器投資建設多座新工廠，包括在美國德克薩斯州和猶他州的晶圓廠，工廠預計將在未來幾年內全面投入運營，以滿足包括汽車、工業(yè)和通信設備在內的長期需求。
02意法半導體
意法半導體2024年四季度銷售收入同比下滑22.4%至33.2億美元，毛利率為37.7%，營業(yè)利潤率為11.1%，凈利潤為3.41億美元，同比下跌68.4%。
source：意法半導體
2024年意法半導體營收為132.7億美元，同比下降23.2%，工業(yè)和汽車領域的收入下滑尤為嚴重。不過，汽車業(yè)務中碳化硅領域取得了關鍵突破，營收達到11億美元，第四代SiC MOSFET技術性能領先，并與吉利等客戶簽訂長協(xié)。
展望2025年第一季度，意法半導體預計凈收入為25.1億美元，同比下降 27.6%，環(huán)比下降 24.4%，毛利潤率約為 33.8%。
業(yè)界指出，意法半導體的業(yè)績下滑主要是受到歐洲汽車等市場低迷影響。值得一提的是，近年意法半導體與中國相關公司的合作較為緊密。去年11月21日，意法半導體宣布將與中國第二大晶圓代工廠華虹集團合作，計劃在2025年底在中國本土生產40nm MCU。2023年6月意法半導體宣布與三安光電在重慶成立一家合資制造廠，進行8英寸碳化硅 (SiC)器件大規(guī)模量產。該項目計劃于2025年開始生產，預計將于2028年全面落成，達產后可生產8英寸碳化硅晶圓10000片/周。
03羅姆
2月3日，羅姆公布2024財年前三季度（2024年4月-12月）合并業(yè)績，銷售額為3446億4200萬日元，同比下降3.0%，凈利潤同比下降99.5%。雖然在汽車市場，SiC的銷售有所增加，但由于EV市場需求低迷，整體增長低于預期。
source：羅姆
此前，該公司預計2024財年將出現60億日元凈虧損，這是自2012財年以來公司首次面臨全財年虧損。
為應對風險，羅姆在1月17日宣布了重要人事變動：現任總裁兼首席執(zhí)行官松本功將于4月1日卸任，由高級常務執(zhí)行官東克己接任。
東克己自1989年加入羅姆，曾在分立器件生產部門等多個關鍵崗位任職，并于2023年成為羅姆阿波羅公司總裁。他在質量把控、生產運營和通用器件業(yè)務方面擁有豐富的管理經驗，被認為是引領羅姆未來發(fā)展的關鍵人物。
據東克己公開表態(tài)，羅姆將在功率半導體領域加大投入，尤其是碳化硅（SiC）技術。業(yè)界認為，隨著全球對功率半導體需求的快速增長，尤其是在汽車和工業(yè)領域的應用，羅姆的SiC技術有望成為其未來增長的核心驅動力。（集邦化合物半導體整理）
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]]>現場集中簽約項目中涉及多個功率器件、化合物半導體等相關項目，包括浙江芯谷半導體產業(yè)園、半導體核心零部件項目、氮化鋁單晶襯底項目、6英寸化合物襯底項目。
source:拍信網
氮化鋁單晶襯底項目
項目計劃總投資10億元，用地面積150畝，建設年產5萬片2-6英寸AlN單晶襯底生產線。達產后預計可實現年營業(yè)收入10億元，年稅收1.5億元。
6英寸化合物襯底項目
項目計劃總投資10億元，用地面積30畝，建設廠房約2萬平方米，主要建設6英寸化合物襯底生產線。達產后預計可實現年營業(yè)收入10億元，年稅收5000萬元。
浙江芯谷半導體產業(yè)園
該項目計劃總投資17.7億元，用地面積221畝，建設浙江芯谷半導體產業(yè)園。達產后預計可實現年營業(yè)收入18億元，年稅收9000萬元。
半導體核心零部件項目
項目計劃總投資10億元，租賃廠房54000平方米，建設年產20萬支疊層型壓電陶瓷致動器、10萬片大功率壓電陶瓷換能片、3100枚硅零部件硅環(huán)/硅噴淋頭、10.5萬套半導體核心零部件項目。達產后預計可實現年營業(yè)收入6.6億元，年稅收6500萬元。（集邦化合物半導體整理）
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