圖片來源：鎵未來
鎵未來指出，當行業(yè)還在為15mΩ的導(dǎo)通電阻參數(shù)競爭時， G2E65R009系列產(chǎn)品直接將這一數(shù)值縮小至9mΩ。這帶來了眾多影響：
導(dǎo)通損耗降低60%：相比傳統(tǒng)硅基IGBT，其開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗均降低60%以上，相當于每臺新能源汽車電機控制器可減少約150W的無效功耗，對應(yīng)續(xù)航里程提升3%~5%；
熱管理革命：僅為9mΩ的超低導(dǎo)通電阻配合TO-247PLUS-4L和ITO-247PLUS-3L封裝的優(yōu)異散熱設(shè)計，熱阻低至0.2℃/W相較傳統(tǒng)SiC MOSFET降低約40%；
效率躍升：經(jīng)過鎵未來實驗室實測，在P-out為5.3kW時，峰值效率可達99.35%；
功率翻倍：單顆分立器件支持高達20kW的功率輸出 ，穩(wěn)居行業(yè)頂尖水平。可以滿足更多大功率應(yīng)用
場景需求，實現(xiàn)高功率密度和高設(shè)計自由度的結(jié)合。
目前，該產(chǎn)品已與多家頭部車企及核心Tier1供應(yīng)商攜手，進入實質(zhì)性的研發(fā)驗證階段，共同推進技術(shù)落地與應(yīng)用升級。
（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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]]>公開資料顯示，#研微半導(dǎo)體?成立于2022年，總部位于無錫，主要專注于高端原子層沉積（ALD）、等離子體增強化學(xué)氣相沉積（PECVD）以及特色外延設(shè)備技術(shù)，涵蓋熱原子層沉積（tALD）、等離子體增強原子層沉積（PEALD）、硅外延（SI EPI）、碳化硅外延（SiC EPI）、等離子體增強化學(xué)氣相沉積（PECVD）等核心技術(shù)，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于高端集成電路、功率器件、射頻元件及先進封裝領(lǐng)域。
圖片來源：研微半導(dǎo)體官網(wǎng)
研微半導(dǎo)體目前重點突破的tALD、PEALD、低壓EPI等細分領(lǐng)域，市場份額主要由美日歐廠商占據(jù)，高端薄膜沉積設(shè)備進口受限。憑借在金屬柵極、高深寬比溝槽填充等細分工藝的突破，研微半導(dǎo)體在最前沿半導(dǎo)體技術(shù)競爭中建立優(yōu)勢，實現(xiàn)國產(chǎn)替代。
此前11月7日，研微半導(dǎo)體披露，其自主研發(fā)的Spritz系列首臺新材料原子層沉積（tALD）設(shè)備在無錫完成出廠交付，并同步實現(xiàn)“雙機”發(fā)運，成功交付國內(nèi)邏輯與存儲芯片雙領(lǐng)域頭部企業(yè)。
圖片來源：研微半導(dǎo)體
該設(shè)備聚焦AI算力芯片制造需求，在HKMG金屬層沉積、NAND WL、DRAM bWL及SN區(qū)域薄膜填充等關(guān)鍵工藝實現(xiàn)突破，填補國內(nèi)金屬原子層沉積空白，憑借先進進氣、混氣與勻流系統(tǒng)顯著提升薄膜均勻性和產(chǎn)能穩(wěn)定性，助力先進制程國產(chǎn)化。
研微半導(dǎo)體自2022年10月在無錫成立以來，短短三年內(nèi)已完成多輪融資：當年12月獲天使輪，2023年7月再獲天使+輪，2024年1月完成數(shù)億元Pre-A輪，并于今年內(nèi)連續(xù)完成三輪數(shù)億元融資。
隨著邏輯芯片制程的持續(xù)升級和3D存儲芯片對多層高深寬比結(jié)構(gòu)要求的不斷提高，ALD技術(shù)憑借其原子層級沉積特點，具有薄膜厚度精確度高、均勻性好、極佳的臺階覆蓋率（Conformal Coverage）、溝槽填充性能極佳等優(yōu)勢。ALD/PEALD技術(shù)在高深寬比結(jié)構(gòu)（如3D NAND閃存的多層堆疊、先進邏輯芯片的接觸孔）中的高保形性是傳統(tǒng)CVD難以比擬的，特別適合在對薄膜質(zhì)量和臺階覆蓋率有較高要求的領(lǐng)域應(yīng)用，在45nm以下節(jié)點、先進封裝、3D結(jié)構(gòu)等半導(dǎo)體薄膜沉積環(huán)節(jié)有大量需求。
此外，研微半導(dǎo)體的SiC EPI設(shè)備，瞄準的是第三代半導(dǎo)體功率器件市場。這一特色外延設(shè)備與高端集成電路薄膜沉積設(shè)備同為國家重點鼓勵的國產(chǎn)替代方向。
2025年，除研微半導(dǎo)體外，微導(dǎo)納米、拓荊科技和中微公司等企業(yè)也在高端薄膜沉積設(shè)備領(lǐng)域加速突破：微導(dǎo)納米的ALD批量與單片設(shè)備已通過多家客戶驗證，在手訂單超23億元；拓荊科技完成PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD全系列布局，核心指標達國際水平；中微公司LPCVD設(shè)備首臺銷售后半年收入達1.99億元，同比增長約6倍，共同推進國產(chǎn)設(shè)備進程。
（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）
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圖片來源：相關(guān)新聞稿截圖
01、鎖定2027年量產(chǎn)，安森美全流程集成搶占SiC制高點
安森美的這項投資項目具有高度的戰(zhàn)略價值，核心在于其全面且集成的產(chǎn)業(yè)鏈覆蓋能力。這座位于捷克共和國Ro?nov pod Radho?těm的工廠，將是歐洲境內(nèi)首個實現(xiàn)SiC全制造流程的8英寸產(chǎn)線。
該設(shè)施的規(guī)劃并非簡單的器件封裝，而是將涵蓋從最前端的SiC晶體生長、中端的8英寸晶圓加工，直到最終功率器件制造的完整垂直集成環(huán)節(jié)。通過這種模式，安森美能夠更有效地控制供應(yīng)鏈、保障產(chǎn)品質(zhì)量，并為SiC器件的大規(guī)模量產(chǎn)和成本優(yōu)化奠定基礎(chǔ)。該工廠預(yù)計將于2027年正式投入商業(yè)運營。
這項巨額投資是安森美全球SiC戰(zhàn)略部署中的關(guān)鍵一步。安森美已明確將SiC技術(shù)定位為公司核心增長引擎，特別是專注于電動汽車（EV）及工業(yè)能源市場。
據(jù)悉，安森美通過在捷克擴大8英寸SiC產(chǎn)能，能夠直接服務(wù)于歐洲地區(qū)快速擴張的汽車和工業(yè)客戶群體。此外，從6英寸向8英寸（200mm）晶圓的過渡，是SiC產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)規(guī)模經(jīng)濟、降低制造成本的關(guān)鍵所在。行業(yè)人士表示，捷克工廠作為其8英寸技術(shù)的旗艦基地，將為安森美帶來長期的成本競爭力和更高的市場份額。
02、安森美技術(shù)持續(xù)迭代，鎖定制勝新能源汽車的供應(yīng)鏈
在近期的技術(shù)和市場動態(tài)方面，安森美正加速推進其SiC技術(shù)路線圖和市場合作。
在2025年第三季度，安森美持續(xù)推出了新一代SiC MOSFET產(chǎn)品，尤其是在750V至1200V的電動汽車應(yīng)用領(lǐng)域，以更優(yōu)異的開關(guān)特性和更高的功率密度，鞏固其在車載應(yīng)用中的領(lǐng)先地位。同期，公司還強調(diào)了其在SiC晶體生長技術(shù)上的突破，聲稱進一步提升了晶圓質(zhì)量和良率，這是垂直整合戰(zhàn)略成功的關(guān)鍵支撐。
在深化汽車合作方面，緊隨捷克工廠的投資公布，安森美在2025年下半年繼續(xù)強化與全球頂級汽車制造商和一級供應(yīng)商的長期供貨協(xié)議（LTAs）。這些協(xié)議不僅鎖定了未來的SiC產(chǎn)能，也反映了市場對安森美SiC解決方案的強勁信任和需求。
同時，供應(yīng)鏈整合也在加速。除了捷克基地之外，安森美在2025年持續(xù)優(yōu)化全球其他SiC基地的生產(chǎn)效率。建立在捷克的全集成SiC工廠，極大地增強了安森美供應(yīng)鏈的本土化和韌性。這一戰(zhàn)略有助于公司降低地緣政治風(fēng)險和全球供應(yīng)鏈中斷的影響，從而確保歐洲客戶獲得穩(wěn)定、安全且本地生產(chǎn)的關(guān)鍵組件。
（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）
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圖片來源：中國證監(jiān)會官網(wǎng)截圖
資料顯示，#東科半導(dǎo)體?成立于2011年，2017年將總部遷至安徽馬鞍山，是國家級專精特新 “小巨人” 企業(yè)、中國半導(dǎo)體百強企業(yè)。東科半導(dǎo)體多年先后開發(fā)出AC/DC、同步整流、第三代半導(dǎo)體氮化鎵芯片等，被廣泛應(yīng)用于電源管理芯片市場。
2016年東科半導(dǎo)體同步整流芯片研發(fā)成功，其獨特的兩引腳封裝技術(shù)為全球首創(chuàng)，迅速在行業(yè)內(nèi)積累了獨家競爭優(yōu)勢，目前產(chǎn)品已完成蘋果、華為、OPPO、?？低暭伴L城集團等專業(yè)測試，獲得了天寶電子、天音電子、歐陸通、立訊精密、海信等上市企業(yè)的認證。
東科半導(dǎo)體采用 “Fabless+封測” 模式，設(shè)立有4個研發(fā)中心(深圳、無錫、馬鞍山、青島)，一個封測基地；2023年和北大共建聯(lián)合研發(fā)中心推進氮化鎵芯片研發(fā)，還首創(chuàng)兩引腳封裝技術(shù)，也是國內(nèi)首個實現(xiàn)合封氮化鎵電源管理芯片的供應(yīng)商。
11月13日，東科半導(dǎo)體官微宣布華碩旗下a豆品牌推出了一款100W氮化鎵充電器，其內(nèi)部搭載了東科DK8710BD合封氮化鎵芯片，分別支持100W和30W輸出，還支持45W+45W、65W+30W等輸出策略，滿足包括米系用戶在內(nèi)的消費群體對高性能、強兼容、小體積產(chǎn)品的需求。
圖片來源：東科半導(dǎo)體
稍早之前的3月，東科推出多款全新升級AHB控制器——DK87XXBD系列，新一代高集成度AC-DC電源管理芯片，采用不對稱半橋（AHB）架構(gòu)，集成了兩顆氮化鎵功率器件，專為高功率密度、高效率電源系統(tǒng)設(shè)計。該芯片通過諧振腔結(jié)構(gòu)實現(xiàn)原邊功率管零電壓開通和副邊整流管零電流關(guān)斷，在寬負載范圍內(nèi)可將系統(tǒng)效率提升至行業(yè)領(lǐng)先水平，同時顯著降低開關(guān)損耗和電磁干擾。
圖片來源：東科半導(dǎo)體
截至2025年9月，東科半導(dǎo)體自主設(shè)計、封測的GaN電源芯片累計出貨已突破1億元顆，成為國內(nèi)少數(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)的GaN芯片供應(yīng)商之一。GaN芯片憑借高耐壓、高頻率、低損耗等特性，廣泛應(yīng)用于消費級快充、工業(yè)電源以及新能源汽車等場景，顯著提升了能量轉(zhuǎn)換效率并降低了系統(tǒng)成本。
（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）
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圖片來源：Wolfspeed
Wolfspeed介紹，C4MS系列采用軟恢復(fù)體二極管，可實現(xiàn)快速開關(guān)，同時將過沖和振鈴降至最低，從而為工程師提供了更大的設(shè)計空間，以便在應(yīng)用中調(diào)整和優(yōu)化性能。與前代C3M系列器件相比，C4MS系列在開通能量Eon、反向恢復(fù)能量Err和關(guān)斷能量Eoff損耗均有改善，同時在 125°C條件下的導(dǎo)通電阻RDS(on) 降低了 22%。這種平衡設(shè)計可在廣泛的硬開關(guān)拓撲結(jié)構(gòu)中提供最大的性能和效率。
除了改進的開關(guān)性能外，C4MS系列還提供瞬態(tài)過壓能力、在高母線電壓下更長的使用壽命以及寬柵極電壓兼容性，以實現(xiàn)簡化的即插即用替換。
新款器件提供TO-247-4、TO-247-4LP (Low Profile)(gate和Kelvin source pin粗細優(yōu)化)、TO-263-7XL和頂部散熱 (U2) 封裝選項，可在所有工作模式下實現(xiàn)更高效的功率輸出，使電源和逆變器設(shè)計人員能夠以更具成本效益的方式最大化效率，同時降低物料清單 (BOM) 成本和采購挑戰(zhàn)。
Wolfspeed表示，新款產(chǎn)品在滿足效率與功率輸出目標的同時，提升功率密度，減小無源元件尺寸；憑借軟恢復(fù)體二極管，可抑制電壓尖峰并減少電壓降額，從而延長運行壽命，同時減少元件的熱應(yīng)力；具備 15-18V柵極驅(qū)動兼容性，可降低供應(yīng)鏈風(fēng)險，實現(xiàn)多供應(yīng)商采購靈活性；0V關(guān)斷能力可實現(xiàn)更安全的運行并降低物料清單成本；同時有助于簡化EMI濾波器設(shè)計。
（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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]]>過去十年，該產(chǎn)業(yè)集群吸引了巨額投資，創(chuàng)造了數(shù)千個高質(zhì)量就業(yè)崗位，使威爾士躋身全球化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)先行列。
媒體報道，十年期間，該產(chǎn)業(yè)集群關(guān)鍵里程碑包括：化合物半導(dǎo)體中心的成立、卡迪夫大學(xué)化合物半導(dǎo)體研究所（Institute for Compound Semiconductors）、斯旺西大學(xué)集成半導(dǎo)體材料中心（Centre for Integrative Semiconductor Materials）的建立，以及由英國研究與創(chuàng)新署（UKRI）資助的化合物半導(dǎo)體應(yīng)用彈射中心（Compound Semiconductor Applications Catapult）。2020 年CSconnected 獲得 “地方優(yōu)勢基金”（Strength in Places Fund, SIPF）4300萬英鎊支持，集群正式規(guī)范化運營，產(chǎn)業(yè)協(xié)同效應(yīng)進一步深化。
其中，卡迪夫大學(xué)化合物半導(dǎo)體研究所披露，自2015年成立以來，研究所做了三件事：
搭橋梁——讓實驗室技術(shù)跑進生產(chǎn)線；建平臺——打造歐洲首個化合物半導(dǎo)體原型中心；聚生態(tài)——帶動南威爾士產(chǎn)業(yè)集群，每年狂攬3.8億英鎊經(jīng)濟價值。
展望未來，CSconnected愿景是到2030年，將集群營收提升至10億英鎊，新增skilled就業(yè)崗位至6000個，并通過高薪職位與富有韌性的供應(yīng)鏈，確保區(qū)域內(nèi)充分共享發(fā)展價值。
（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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圖片來源：英諾賽科
這一創(chuàng)新解決方案有望重新定義下一代AI數(shù)據(jù)中心和邊緣計算的電源單元 (PSU)，通過結(jié)合雙方的優(yōu)勢，實現(xiàn)前所未有的效率和功率密度，并加速設(shè)計周期。
這款新型電源供應(yīng)單元參考設(shè)計整合了#英諾賽科?650V和150V高性能的氮化鎵功率晶體管與Allegro創(chuàng)新的Power-Thru? AHV85110隔離式柵極驅(qū)動器，后者具備自供電架構(gòu)，并集成偏置電源。這種獨特組合可實現(xiàn)卓越的開關(guān)性能和精簡的系統(tǒng)設(shè)計，助力工程師達成鈦金級電源效率和超過100W/in3的功率密度，極大地簡化了系統(tǒng)設(shè)計，并顯著減少了無源元件的數(shù)量。
在對尺寸、速度和效率有極高要求的電源系統(tǒng)中，氮化鎵(GaN)正迅速成為首選方案。隨著數(shù)據(jù)中心不斷擴容以支持AI與邊緣計算，設(shè)計人員需要能夠減少能耗、節(jié)省空間并滿足嚴苛可持續(xù)發(fā)展目標的解決方案。
這款參考設(shè)計面向電源開發(fā)人員，提供四項可直接落地的技術(shù)支撐：
其一，功率級全部采用氮化鎵器件，并與變壓器、電感進行磁集成，有效壓縮無源元件體積；
其二，在相同輸入輸出規(guī)格下，功率密度比市面同類方案提高30%，為機架騰出寶貴的空間與風(fēng)量；
其三，借助Allegro單片集成的偏置柵極驅(qū)動器，工程師可減少外圍電源軌和分立驅(qū)動器件，從而縮短開發(fā)周期；
其四，參考板對熱路徑與PCB布局同步優(yōu)化，顯著改善熱阻與均溫性能，確保在高環(huán)境溫度下仍能保持標稱效率。
英諾賽科產(chǎn)品應(yīng)用副總裁Larry Chen表示：“英諾賽科正在推動GaN在數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中的效率和性能基準。通過將我們領(lǐng)先的GaN功率器件與Allegro的先進驅(qū)動器技術(shù)相結(jié)合，我們提供了一個全面的電源解決方案，幫助工程師優(yōu)化尺寸、提升設(shè)計效率和功率密度，并加速下一代AI解決方案的上市時間?！?br /> 這款由英諾賽科開發(fā)的4.2kW參考設(shè)計集中展示了英諾賽科最新的氮化鎵場效應(yīng)晶體管（FET）與Allegro的AHV85110柵極驅(qū)動器的協(xié)同應(yīng)用。該設(shè)計采用全氮化鎵架構(gòu)，可實現(xiàn)緊湊高效的功率轉(zhuǎn)換，適用于AI負載場景和超大規(guī)模部署需求。
Allegro AHV85110柵極驅(qū)動器通過集成偏置電源提升了開關(guān)性能。其共模電容僅為2.2pF，比傳統(tǒng)解決方案低5至10倍，從而顯著降低了電磁干擾（EMI）。同時，該驅(qū)動器通過集成偏置電源，簡化了氮化鎵柵極驅(qū)動的實現(xiàn)方式，使驅(qū)動電路設(shè)計中的無源元件數(shù)量大幅減少80%，系統(tǒng)級元件總數(shù)降低15%，解決了高頻電源系統(tǒng)設(shè)計中的一大關(guān)鍵難題。同時，該驅(qū)動器的超薄封裝設(shè)計便于與頂部散熱或雙面散熱的功率封裝無縫配合，從而實現(xiàn)更優(yōu)異的系統(tǒng)級熱設(shè)計性能。
AHV85110的設(shè)計充分體現(xiàn)了Allegro的創(chuàng)新理念：打造基礎(chǔ)性技術(shù)，賦能工程師解決復(fù)雜的系統(tǒng)級問題。
Allegro功率產(chǎn)品副總裁Vijay Mangtani表示：“氮化鎵是數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域的一項變革性技術(shù)，我們很高興英諾賽科選擇Allegro的柵極驅(qū)動器用于此參考設(shè)計。Allegro的核心理念是成為客戶真正的技術(shù)合作伙伴并持續(xù)為他們提供卓越的解決方案，助力客戶實現(xiàn)創(chuàng)新并保持領(lǐng)先地位。我們的柵極驅(qū)動器系列產(chǎn)品有力的體現(xiàn)了這一理念，可以幫助工程師實現(xiàn)前所未有的性能提升?！?/p>
公開資料顯示，Allegro是一家專注于運動控制、電源及傳感解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)者。該公司是汽車（電動汽車、ADAS）、工業(yè)和云計算領(lǐng)域的重要供應(yīng)商，核心優(yōu)勢在于其創(chuàng)新的隔離式柵極驅(qū)動器和高精度傳感技術(shù)。Allegro 的技術(shù)亮點包括提供電動汽車電池電流、電機位置的高精度監(jiān)測，以及通過深度集成的傳感與驅(qū)動方案，確?？量虘?yīng)用環(huán)境下的卓越可靠性與系統(tǒng)效率。
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]]>據(jù)會上披露，2025年光谷半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)規(guī)模將正式突破1000億元，武漢有望躋身北京、上海、深圳、無錫之后的“半導(dǎo)體第五城”。在這一千億規(guī)模中，硅基半導(dǎo)體與化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)規(guī)模比例為4:1，化合物半導(dǎo)體已明確成為光谷半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的第二發(fā)展曲線。
目前，光谷已形成以九峰山實驗室為核心、占地10平方公里的九峰山科技園，集聚長飛光纖、先導(dǎo)稀材等多家上下游企業(yè)，覆蓋“材料—設(shè)計—制造—封裝測試—設(shè)備”全產(chǎn)業(yè)鏈條。
在技術(shù)創(chuàng)新層面，#九峰山實驗室?作為核心創(chuàng)新極核，已實現(xiàn)多項全球領(lǐng)先突破——成功研發(fā)國際首創(chuàng)8英寸硅基氮極性氮化鎵襯底，打破國際技術(shù)壟斷，同時推出全球首片8英寸硅光薄膜鈮酸鋰光電集成晶圓，為射頻通信、自動駕駛等前沿領(lǐng)域提供關(guān)鍵支撐。
在產(chǎn)業(yè)落地方面，投資120億元的先導(dǎo)稀材高端化合物半導(dǎo)體材料及芯片產(chǎn)業(yè)化基地，從簽約到實質(zhì)開工僅4個月，預(yù)計2025年底部分投產(chǎn)，將填補光通信及激光產(chǎn)業(yè)所需半導(dǎo)體襯底空白；長飛先進武漢基地作為國內(nèi)最大碳化硅芯片生產(chǎn)基地，已進入設(shè)備調(diào)試階段，即將實現(xiàn)量產(chǎn)通線，年產(chǎn)36萬片6英寸碳化硅晶圓。
按照規(guī)劃，在“十五五”期內(nèi)，光谷將以九峰山實驗室等創(chuàng)新載體為圓心，全力建成存儲、化合物半導(dǎo)體兩大千億街區(qū)，預(yù)計新增10座晶圓廠，芯片總產(chǎn)能有望達到50萬片/月，進一步鞏固其在全國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局中的重要地位。
（集邦化合物半導(dǎo)體 Niko 整理）
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本次會議匯聚了全球半導(dǎo)體存儲與終端應(yīng)用產(chǎn)業(yè)重量級嘉賓、集邦咨詢核心分析師團隊，以及來自產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)的逾千名業(yè)界精英?，F(xiàn)場氣氛熱烈，座無虛席，盡顯行業(yè)對未來趨勢的渴求與關(guān)注。峰會當天，線上直播平臺更是吸引了超萬名業(yè)內(nèi)人士實時關(guān)注，共同見證這場年度盛宴。
會議伊始，集邦咨詢顧問(深圳)有限公司董事長董昀昶致辭，他首先對與會嘉賓的出席表達了歡迎。針對AI浪潮給存儲行業(yè)帶來的影響，董昀昶先生指出，雖然AI使存儲市場價格波動劇烈但AI并非泡沫，需求真實存在，且已改變高科技制造供應(yīng)鏈供給順序。同時，他表示希望當天的演講能為嘉賓答疑解惑。最后他指出集邦咨詢成立25年來以專業(yè)中立促進行業(yè)溝通合作為目標，感謝大家信任并希望未來25年能繼續(xù)收獲業(yè)界伙伴的支持。
△集邦咨詢顧問(深圳)有限公司董事長董昀昶
隨后，集邦咨詢分析師與行業(yè)大咖相繼發(fā)表精彩演講，演講精華匯總?cè)缦隆?/p>
1、集邦咨詢資深研究副總經(jīng)理郭祚榮：解析AI狂潮與供需變量下的晶圓代工雙面格局
TrendForce集邦咨詢預(yù)估2026年晶圓代工產(chǎn)業(yè)營收將達到19%的年成長，其中AI相關(guān)的強勁需求更讓先進工藝市場年增28%，增幅最為顯著。
△集邦咨詢資深研究副總經(jīng)理郭祚榮
臺積電今年下半年已導(dǎo)入2nm工藝生產(chǎn)，未來還有A16甚至A10逐步向1nm工藝持續(xù)推進；先進封裝也不遑多讓，明年產(chǎn)能年增率預(yù)計達到27%。除了CoWoS工藝逐步壯大外，像CoPoS與CoWoP也在未來蓄勢待發(fā)。
在芯片領(lǐng)域，英偉達仍是AI領(lǐng)域的王者，但同時2026年也將成為ASIC芯片起飛的元年，美國四大云端業(yè)者都相繼推出自己的AI芯片，而國內(nèi)自研芯片市場亦有華為與寒武紀的芯片推陳出新，配合國內(nèi)的大語言模型，其性能不容小覷。
上述芯片都需依賴最先進的工藝，2026年的半導(dǎo)體代工領(lǐng)域如何增加產(chǎn)能與技術(shù)趨勢，均是市場未來關(guān)注的焦點。
2、英特爾數(shù)據(jù)中心與人工智能集團副總裁兼中國區(qū)總經(jīng)理陳葆立：至強6 賦能云時代的存算引擎
陳葆立先生指出，人工智能自1956年概念誕生以來，近年來因生成式AI技術(shù)爆發(fā)式增長而進入全新周期。AI技術(shù)的飛速發(fā)展對數(shù)據(jù)中心提出更高要求，全球數(shù)據(jù)總量預(yù)計將以約40%的年復(fù)合增長率持續(xù)攀升。
△英特爾數(shù)據(jù)中心與人工智能集團副總裁兼中國區(qū)總經(jīng)理陳葆立
為應(yīng)對AI帶來的挑戰(zhàn)，英特爾提供了廣泛的數(shù)據(jù)中心產(chǎn)品組合，包括至強可擴展處理器、Gaudi加速器等。全新推出的至強6系列產(chǎn)品憑借卓越的性能表現(xiàn)和豐富的加速引擎，已成為全球AI服務(wù)器的首選處理器。至強6可通過AMX加速引擎完成中小規(guī)模模型的推理，并采用創(chuàng)新性的CacheClip方案，結(jié)合AMX和內(nèi)置QAT加速器，帶來超過2倍的TTFT性能提升。
此外，英特爾構(gòu)建了全新的“CPU+GPU”異構(gòu)LLM服務(wù)方案Hetero Flow，通過CPU動態(tài)卸載稀疏MoE中的冷專家，顯著提升大模型推理并發(fā)能力。至強6增強了對CXL內(nèi)存Type 3分層的支持，助力構(gòu)建AI時代的存算一體新架構(gòu) 。
未來，英特爾將基于18A制程節(jié)點 ，于2026年推出下一代能效核產(chǎn)品Clearwater Forest（至強6+） ，支持高達8:1的服務(wù)器整合比例，可實現(xiàn)約750千瓦的功耗節(jié)約以及3.5倍的能效提升 。英特爾期待與各位行業(yè)伙伴“共贏智算新時代” 。
3、時創(chuàng)意董事長倪黃忠：芯儲未來-AI存儲的價值重構(gòu)與生態(tài)共贏
倪黃忠先生全面闡述了在AI算力浪潮下，存儲行業(yè)面臨的機遇、挑戰(zhàn)以及技術(shù)解決方案，并明確了時創(chuàng)意在產(chǎn)業(yè)生態(tài)中的定位。
△時創(chuàng)意董事長倪黃忠
2023年OpenAI激發(fā)全球AI需求，算力成為核心驅(qū)動力。業(yè)界預(yù)計到2025年，推理應(yīng)用的興起將推動AI基礎(chǔ)設(shè)施集約化發(fā)展，并將DRAM與NAND的需求推向新高。與此同時，全球存儲產(chǎn)業(yè)面臨結(jié)構(gòu)性、長周期的嚴重缺貨，市場價格波動劇烈。
AI終端（包括具身機器人、新能源汽車、AI眼鏡、數(shù)據(jù)中心等）對存儲芯片封裝工藝要求為超薄、小型化、大容量、高速度。為滿足小尺寸大容量需求，傳統(tǒng)塑封工藝難以支持。為此，時創(chuàng)意采用先進的SDBG制程，其切割精度可達1μm，晶圓抗折強度提升30%。同時，C-Molding封裝工藝支持8疊/16疊Die，產(chǎn)品封裝厚度可薄至0.6mm，滿足當前趨勢。AI驅(qū)動DRAM向大容量、高帶寬、低延時、超高頻發(fā)展。時創(chuàng)意LPDDR5X產(chǎn)品傳輸速率高達8533Mbps，內(nèi)置ECC實時糾錯，并新增DVFS動態(tài)電壓頻率切換功能，其尺寸相比LPDDR4X減小30%。
時創(chuàng)意立志成全球一流的存儲芯片解決方案提供商，在生態(tài)系統(tǒng)中發(fā)揮核心作用，串聯(lián)存儲晶圓廠、封裝測試、固件、技術(shù)支持與硬件生產(chǎn)制造等環(huán)節(jié)，推動生態(tài)共贏。
4、集邦咨詢資深研究副總經(jīng)理邱宇彬：體驗革命-AI頭戴裝置的未來之路
邱宇彬先生指出，AI和AR眼鏡正在形成強大的共生關(guān)系。AI在圖像識別和語言處理進步神速，為AR眼鏡提供了強大的功能支持。AR眼鏡則是AI在人機交互中最自然的平臺，所見即所得以及實時信息推送，不僅增強了AI應(yīng)用的黏性，還加速了大語言模型的數(shù)據(jù)積累并縮短了訓(xùn)練周期。這種雙向驅(qū)動的技術(shù)聯(lián)袂正引領(lǐng)我們邁向更加智慧的未來生活。
△集邦咨詢資深研究副總經(jīng)理邱宇彬
由于重量、功耗、顯示光機與光學(xué)器件等設(shè)計元素和零組件整合的復(fù)雜度高，這兩年不帶顯示器的AI眼鏡仍是國際大廠布局焦點。然而，人類70%的感官信息來自視覺，AR眼鏡仍是產(chǎn)品的終極形態(tài)。Meta Ray-Ban于今年9月推出的首款Display Glasses反映出硬件整合上的突破，并標志AI眼鏡邁向AR眼鏡的時代來臨。TrendForce集邦咨詢預(yù)估在Google、Apple等品牌AR眼鏡于2027年后密集上市的推動下，2030年全球AR眼鏡出貨量將超千萬副，有望成為繼智能手機后人手一機的終端裝置。
中國在全球AR眼鏡發(fā)展中扮演重要角色，除了Xreal、RayNeo、Rokid等品牌囊括超過50萬副出貨外，在LEDoS微型顯示光機、輕量化光波導(dǎo)材料與加工、以及AR眼鏡制造與供應(yīng)鏈整合方面同樣領(lǐng)先全球，為接下來AR眼鏡爆發(fā)式增長提供了有力的產(chǎn)業(yè)鏈支持。
5、集邦咨詢資深研究副總經(jīng)理吳雅婷：產(chǎn)能博弈，價格狂飆？ 2026年內(nèi)存發(fā)展趨勢分析
吳雅婷女士指出，AI服務(wù)器與通用服務(wù)器正共同驅(qū)動新一輪存儲器超級周期。TrendForce集邦咨詢預(yù)估，AI與服務(wù)器相關(guān)應(yīng)用到2026年將占DRAM總產(chǎn)能的66%，云端服務(wù)供貨商(CSPs)也積極簽訂長約(LTA)確保服務(wù)器DRAM供給。由于此輪需求產(chǎn)品組合復(fù)雜(含HBM/DDR5/LPDDR)，預(yù)期缺貨時間將更為持久 。
△集邦咨詢資深研究副總經(jīng)理吳雅婷
為應(yīng)對強勁需求，三大DRAM供貨商正積極提升資本支出，并規(guī)劃新廠優(yōu)先供應(yīng)HBM。產(chǎn)能排擠效應(yīng)已浮現(xiàn)。AI服務(wù)器(如NVIDIA GB300)對LPDDR5X的需求激增 ，已開始嚴重壓縮智能型手機的LPDRAM供給。服務(wù)器用的模組同樣被HBM排擠，價格于4Q25開始飆升。
TrendForce集邦咨詢分析，DRAM將面臨比NAND更嚴峻的缺貨，市場將出現(xiàn)產(chǎn)能競價以爭奪有限產(chǎn)能。受ASP持續(xù)上漲帶動(2026年DRAM ASP估年增36%)，2026年DRAM營收預(yù)計將飆升56%。盡管供貨商上調(diào)資本支出，但受限于無塵室空間與設(shè)備交付周期，對2026年的位元產(chǎn)出增長助力仍將有限。
6、Solidigm亞太區(qū)銷售副總裁倪錦峰：從核心到邊緣，存儲創(chuàng)新助力AI突破
倪錦峰先生指出，ICT行業(yè)正歷經(jīng)巨變，AI崛起和數(shù)據(jù)量爆發(fā)式增長，對存儲性能、容量和能耗提出了更高要求。 針對AI時代海量工作負載和復(fù)雜的存儲挑戰(zhàn)，Solidigm不滿足于單點優(yōu)化，而是要做系統(tǒng)級的突破，提供端到端存儲解決方案，助力伙伴共建存力基礎(chǔ)。
△Solidigm亞太區(qū)銷售副總裁倪錦峰
戰(zhàn)略布局上，Solidigm是QLC產(chǎn)品的首位推動者和引領(lǐng)者。自2018年以來已累積出貨超過100EB的QLC產(chǎn)品。同時，Solidigm還推出了122TB Solidigm D5-P5336數(shù)據(jù)中心SSD，極大地提升了能效和空間利用率。
在對讀寫性能有高要求的數(shù)據(jù)準備、訓(xùn)練和推理階段，Solidigm推出了超高性能PCIe 5.0 SSD，例如Gen5 SSD產(chǎn)品D7-PS1010/PS1030，進一步提升存儲效率和性能。 為解決AI等 工作負載導(dǎo)致的熱功耗攀升，Solidigm發(fā)布了D7-PS1010 E1.S，這是業(yè)界首款采用單面冷板液體冷卻技術(shù)的固態(tài)硬盤，可實現(xiàn)創(chuàng)新的無風(fēng)扇服務(wù)器設(shè)計。 此外，Solidigm在美國總部設(shè)立了AI中央實驗室，為生態(tài)伙伴提供聯(lián)合創(chuàng)新驗證平臺和強大助力。
展望未來，Solidigm認為2026年算力與存力都繼續(xù)呈現(xiàn)爆發(fā)式增長的態(tài)勢，Solidigm將立足于持續(xù)提供高能效和強大性能的存儲解決方案，助力全行業(yè)AI發(fā)展。
7、銓興科技董事長黃少娃：存算協(xié)同創(chuàng)新，推動AI應(yīng)用普惠
黃少娃女士指出，當前AI產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展，但AI應(yīng)用落地面臨成本高、能耗大、數(shù)據(jù)安全隱患等核心痛點。
△銓興科技董事長黃少娃
銓興科技基于多年存儲技術(shù)積累，聚焦存算協(xié)同創(chuàng)新，推出全離線、軟硬一體的AI超顯存融合解決方案，支持6B-671B模型全參微調(diào)，降本90%且推理并發(fā)性能提升50%，打通AI本地化部署“最后一公里”，讓低成本、低能耗、高安全的AI應(yīng)用惠及千行百業(yè)。
銓興科技同步布局高端存儲芯片矩陣，推出適配AI推理/訓(xùn)練的PCIe 5.0 eSSD，具備高容量、低延遲、高可靠等優(yōu)勢，為AI數(shù)據(jù)流提供高效支撐。
銓興科技以“存儲筑基·AI賦能”為戰(zhàn)略核心，將致力打造AI時代存算融合創(chuàng)新底座。
8、歐康諾科技總經(jīng)理趙銘：存儲產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的“隱形推手”
趙銘先生認為，在AI時代，測試技術(shù)對存儲產(chǎn)業(yè)發(fā)展的核心意義在于保障存儲產(chǎn)品品質(zhì)可靠及一致性，并且更加經(jīng)濟地實現(xiàn)存儲產(chǎn)品的大規(guī)模量產(chǎn)。專業(yè)的全自動測試系統(tǒng)能夠消除人工操作錯誤，并提供詳細的失效定位，以此解決傳統(tǒng)多工站周轉(zhuǎn)帶來的高成本、高出錯率和品質(zhì)良莠不齊等問題。
△歐康諾科技總經(jīng)理趙銘
歐康諾成立于2005年，專注于半導(dǎo)體存儲器測試系統(tǒng)開發(fā)，提供先進的一站式存儲器測試系統(tǒng)和產(chǎn)品測試服務(wù)。歐康諾的產(chǎn)品覆蓋了全棧工業(yè)存儲制造測試，核心系統(tǒng)包括針對SSD的GA300系列（支持PCIe GEN5/GEN4等）、針對RDIMM/UDIMM的SW400系列，以及針對UFS和LPDDR的ES100系列。
技術(shù)上，歐康諾具備純自研的測試系統(tǒng)底層驅(qū)動及IO引擎，便于進行靈活的二次開發(fā)和失效分析。
歐康諾立志于為半導(dǎo)體存儲器產(chǎn)業(yè)貢獻“中國智慧”。歐康諾正積極開發(fā)下一代存儲器的測試系統(tǒng)，發(fā)布了PCIe GEN6 SSD測試系統(tǒng)、RDIMM 8000MT/s及MRDIMM 10400MT/s的測試系統(tǒng)、UFS 4.1/3.1/2.2嵌入式存儲器測試系統(tǒng)，以及針對普通消費級SSD的低成本測試系統(tǒng)，通過優(yōu)化測試Pattern，在同等效果下可大幅縮短測試時長80%，有效提高測試效率、降低測試工藝成本。
9、集邦咨詢研究經(jīng)理龔明德：傳統(tǒng)與AI雙輪驅(qū)動，2026年服務(wù)器市場誰主沉浮？
龔明德先生指出，根據(jù)TrendForce集邦咨詢據(jù)供應(yīng)鏈調(diào)查，估計2025年全球Server出貨成長有望逾7%，AI Server將成長逼25%；展望2026年，受惠大型CSP業(yè)者仍積極擴大CAPEX規(guī)劃，加上各國主權(quán)云建置數(shù)據(jù)中心項目需求仍旺，促全球Server出貨量有機會再成長逾9%，AI Server則再提升至成長達2成以上。
△集邦咨詢研究經(jīng)理龔明德
預(yù)期2026年AI Server仍為全球Server主力成長驅(qū)動力，將促競爭者愈為激烈，大致上可分為三大陣營：
一為以NVIDIA、AMD為主的GPU AI市場，此仍為AI市場主力；此外，預(yù)期美、中CSP業(yè)者將更明顯擴大自研ASIC風(fēng)潮，以追求更具成本效益的AI方案。最后，預(yù)期在國際形勢影響下，將促中國業(yè)者更致力邁向AI芯片自主化一途，包含互聯(lián)網(wǎng)業(yè)者(如BBAT)自研ASIC，以及本土AI供貨商如華為、寒武紀，亦積極發(fā)展AI軟硬件方案并以強化生態(tài)系影響力為目標。
10、集邦咨詢分析師龔瑞驕：AI電源變革來襲!算力狂飆引爆碳化硅/氮化鎵
龔瑞驕先生表示，英偉達正在透過AI算力改變功率半導(dǎo)體市場的需求結(jié)構(gòu)和增長節(jié)奏，隨著AI芯片功耗迅速攀升，數(shù)據(jù)中心供電架構(gòu)正在轉(zhuǎn)向800V HVDC，SiC/GaN將成為推動轉(zhuǎn)型的關(guān)鍵技術(shù)。
△集邦咨詢分析師龔瑞驕
超高壓SiC技術(shù)對于供電架構(gòu)前端的固態(tài)變壓器（SST）至關(guān)重要，GaN主要用于供電架構(gòu)中端和末端，追求極致的功率密度和動態(tài)效應(yīng)。SiC憑借近些年大規(guī)模產(chǎn)能擴張和技術(shù)升級，逐步在高壓應(yīng)用場景確立領(lǐng)導(dǎo)地位，特別是電動汽車和能源系統(tǒng)。GaN則已經(jīng)越過初期的技術(shù)驗證和市場導(dǎo)入階段，正式進入由成本效益驅(qū)動、多應(yīng)用領(lǐng)域共進的快速增長期，新興應(yīng)用場景包括AI數(shù)據(jù)中心、機器人、汽車。
另外，SiC/GaN晶圓由6英寸加速邁向8英寸，12英寸GaN值得期待。
11、集邦咨詢研究經(jīng)理羅智文：HBF與AI SSD重塑產(chǎn)業(yè)新價值，2026年閃存市場預(yù)測
羅智文先生指出，AI浪潮下，LLM參數(shù)規(guī)模暴增導(dǎo)致嚴峻的存儲器瓶頸。HBM（高帶寬存儲器）雖快，但面臨容量有限、成本高昂的挑戰(zhàn)，在HBM（極快、極貴）與傳統(tǒng)SSD（慢、便宜）間形成效能斷層。同時，HDD市場因供應(yīng)鏈限制導(dǎo)致交期長達52周，2026年預(yù)計將有150EB缺口，迫使需求轉(zhuǎn)向高密度QLC eSSD，造成2026年供不應(yīng)求。
△集邦咨詢研究經(jīng)理羅智文
此外，AI時代應(yīng)用，NAND Flash正發(fā)展新技術(shù)產(chǎn)品，從被動儲存轉(zhuǎn)型為輔助運算核心，催生兩大新趨勢：其一是 HBF (高帶寬閃存)，定位為HBM的低成本補充 ，提供TB級容量 ，如同GPU的“巨型倉庫（溫區(qū)），解決“模型容量”瓶頸 ；其二是AI SSD，將NPU整合至控制器，實現(xiàn)近數(shù)據(jù)處理，在本地過濾數(shù)據(jù)（如 RAG的Top-K），角色如同GPU的智能助手（智能前哨），解決數(shù)據(jù)管線瓶頸，讓GPU專注于核心數(shù)據(jù)處理。
TrendForce集邦咨詢總結(jié)，2026年NAND Flash業(yè)界在持續(xù)供應(yīng)緊缺情況下，將迎來一片榮景。而HBF與AI SSD的問世，將共同協(xié)助HBM/GPU專注核心任務(wù)，重塑NAND產(chǎn)業(yè)價值，帶來產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新機會。
會議同期，TrendForce還舉辦了2026十大科技市場趨勢預(yù)測發(fā)布暨TechFuture Awards頒獎典禮。TrendForce集邦咨詢致力于通過嚴謹?shù)臄?shù)據(jù)分析、獨到的市場洞察以及趨勢預(yù)測，為行業(yè)內(nèi)外提供具有前瞻性，能輔助企業(yè)決策的研究成果?；?025年的產(chǎn)業(yè)總結(jié)和“2026年重點科技領(lǐng)域的市場趨勢預(yù)測”，TrendForce為各領(lǐng)域杰出企業(yè)頒發(fā)了屬于他們的榮譽，以下為獲獎企業(yè)名單：
在演講嘉賓、參會觀眾以及Solidigm思得、Sandisk閃迪、時創(chuàng)意電子、銓興科技、建興儲存科技、歐康諾科技、康盈半導(dǎo)體、鎧俠、康芯威、得瑞領(lǐng)新、芝奇國際與大普微的大力支持下，#“MTS2026存儲產(chǎn)業(yè)趨勢研討會” 與#2026十大科技市場趨勢預(yù)測發(fā)布 暨 TechFuture Awards頒獎典禮成功落下帷幕。讓我們期待下次再相會！
（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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]]>資料顯示，星鑰半導(dǎo)體專注于硅基Micro-LED產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，核心是把第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵的發(fā)光單元微縮至微米級乃至納米級并高度集成陣列，主打高亮度Micro-LED微顯示芯片。該類產(chǎn)品具有響應(yīng)速度快、對比度與色彩飽和度高、穩(wěn)定性強等優(yōu)勢。
星鑰半導(dǎo)體掌握8英寸硅基氮化鎵LED外延技術(shù)，憑借成熟的無損去硅技術(shù)保障產(chǎn)品良率，且產(chǎn)線與8英寸CMOS半導(dǎo)體芯片工藝高度兼容。
今年9月，星鑰半導(dǎo)體在光谷的Micro LED生產(chǎn)線就完成了正式通線，成為國內(nèi)首條8英寸硅基氮化鎵Micro LED芯片中試線。實現(xiàn)了從外延生長到模組組裝的端到端完整流程覆蓋，填補了國內(nèi)相關(guān)領(lǐng)域空白。
據(jù)悉，該項目達產(chǎn)后年產(chǎn)能將達1.2萬片8英寸Micro LED芯片，當下主攻單色顯示的規(guī)模量產(chǎn)并逐步向全彩化邁進，生產(chǎn)產(chǎn)品可應(yīng)用于AR/MR眼鏡。
值得一提的是，星鑰半導(dǎo)體的創(chuàng)始人駱薇薇也是英諾賽科的創(chuàng)始人。在業(yè)內(nèi)，駱薇薇被譽為“氮化鎵女王”，推動英諾賽科落地蘇州工廠，成為全球第一家實現(xiàn)8英寸硅基氮化鎵晶圓量產(chǎn)的企業(yè)。
今年3月，英諾賽科與星鑰半導(dǎo)體簽訂了2025-2027年的產(chǎn)品、服務(wù)及設(shè)備銷售框架協(xié)議。根據(jù)協(xié)議，英諾賽科會向星鑰半導(dǎo)體提供氮化鎵外延晶圓、失效分析等測試服務(wù)以及外延生長設(shè)備。星鑰半導(dǎo)體的8英寸硅基氮化鎵Micro LED芯片產(chǎn)線，與英諾賽科的8英寸硅基氮化鎵晶圓量產(chǎn)能力高度匹配，這種合作形成了“材料-制造”的供應(yīng)鏈協(xié)同閉環(huán)。
（集邦化合物半導(dǎo)體 Niko 整理）
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