1、漢京半導體基地項目今年10月試投產

6月19日，據遼寧日報消息，占地面積9.6萬平方米的遼寧漢京半導體材料有限公司（以下簡稱“漢京半導體”）產業(yè)基地已展露形象，預計今年10月試投產。

據悉，漢京半導體產業(yè)基地作為集成電路裝備產業(yè)集群重點項目，由遼寧漢京半導體材料有限公司投資建設，項目總投資10億元，主要生產集成電路產業(yè)專用材料及設備，包括石英、陶瓷、爐管碳化硅零部、半導體設備先進零部件的開發(fā)等，建成后將吸引集成電路產業(yè)鏈上下游企業(yè)加速聚集，推動遼寧省成為半導體設備重要材料供應基地。

公開資料顯示，漢京半導體是一家半導體材料研發(fā)商，專業(yè)從事SiC燒結、CVD涂層、精加工生產、檢驗、銷售業(yè)務，其自主研發(fā)的半導體設備用碳化硅制品在客戶端已正式通過客戶測試認證。

圖片來源：漢京半導體

漢京半導體副董事長李英龍披露，新廠將建成全球半導體石英精密度最高的生產線，也是國內第一條極高純石英生產線，其對應的是10納米以下工藝的先進制程。

而聚焦爐管碳化硅零部件而言，目前，全球能做同類產品的企業(yè)只有3家，產品交付周期在36個月左右。漢京半導體新廠建設國內第一條半導體爐管碳化硅零部件生產線投產后，產品交付周期預計從36個月縮短至12個月，極大緩解行業(yè)面臨的長交期困境。

不僅如此，新廠的研發(fā)中心還將專注于半導體設備先進零部件的開發(fā)，以期盡快取得技術突破，助力我國半導體產業(yè)延鏈補鏈強鏈。

2、重慶奕能碳化硅模組生產基地項目已封頂

6月4日，據重慶中建西部建設有限公司官微透露，重慶奕能碳化硅模組生產基地項目主體結構已圓滿封頂，標志著項目建設取得重要階段性成果。

圖片來源：中建西部建設集團第一有限公司

據重慶市發(fā)展改革委5月14日消息，重慶奕能碳化硅模組生產基地項目由重慶奕能電子有限公司負責建設，其主要股東為北京奕斯偉科技集團有限公司，占地面積約300畝，總投資達18億元人民幣。

項目規(guī)劃分三期建設。一期工程主要建設碳化硅晶圓制造車間、封裝測試中心及研發(fā)實驗室，設計年產能為12萬片6英寸碳化硅晶圓。項目規(guī)劃的月產能為73萬個碳化硅模組，產品將廣泛應用于電動汽車、新能源、工業(yè)等領域。

項目采用國際領先的物理氣相傳輸法（PVT）晶體生長技術，晶片良品率目標設定為85%，較行業(yè)平均水平提升15個百分點。此外，項目還引入了摻雜鈧元素等創(chuàng)新技術，以提升碳化硅晶格穩(wěn)定性，使器件擊穿場強達到3.5MV/cm。

項目自2024年12月5日取得建設用地規(guī)劃許可證以來進展順利，于2025年1月正式開工。目前，主體施工階段的推進標志著項目正按計劃穩(wěn)步實施。預計項目達產后，年產值將超過80億元，并有望帶動本地配套企業(yè)形成50億元規(guī)模的產業(yè)集群。

3、賽美特碳化硅模組CIM項目啟動

近日，賽美特官方披露，其與國內某碳化硅模組工廠達成項目合作，為其構建CIM解決方案，護航客戶填補國內高端碳化硅器件產能空白。

圖片來源：賽美特

此次項目聚焦打造高端碳化硅模組智慧產線，通過國產化智能制造系統(tǒng)解決方案，助力客戶實現順利量產、產能爬坡、良率管控的全流程精細化管理。

公開資料顯示，碳化硅材料作為第三代半導體核心器件，對生產工藝和質量管理要求極高。此次合作中，賽美特提供整套CIM解決方案，系統(tǒng)涵蓋MES、EAP、SPC、WMS等，助力工廠實現生產全流程的自動化、標準化與智能化管理，提升產能效率與產品良率。

（集邦化合物半導體 竹子 整理）

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圖片來源：JLAE鈞聯(lián)電子

鈞聯(lián)電子自2023年底開始與廣汽高域合作，針對eVTOL航空器的特殊需求，共同開發(fā)了這款高可靠性#SiC 控制器。經過多輪技術驗證，該產品于2024年底獲得GOVY AirCab適航量產機型的正式應用。作為飛行汽車動力系統(tǒng)的核心控制單元，該控制器采用了第三代半導體碳化硅技術。

這款SiC控制器具備高功率密度與超低損耗的特性。其能量轉化效率達到99.8%，有助于顯著提升航空器的續(xù)航能力。輕量化設計則有效釋放了航空器的有效載荷空間。同時，控制器支持800V高壓平臺以及400V至900V的寬電壓范圍。這些技術特性為GOVY AirCab實現高效的垂直起降與巡航飛行提供了關鍵支撐。

在量產能力方面，鈞聯(lián)電子于2025年2月在合肥建成了安徽省首條車規(guī)級SiC功率模塊產線，年產能規(guī)劃達到百萬只。該產線采用自動化測試工藝，以滿足航空級功能安全標準，為飛行汽車核心部件的穩(wěn)定供應提供了保障。

今年6月初，鈞聯(lián)電子完成了近億元人民幣的A輪融資，由國元股權領投。所募資金將重點用于SiC產線的擴產以及電驅產品在新能源汽車與eVTOL領域的應用拓展。目前，鈞聯(lián)電子的800V高壓電驅產品已在新能源汽車領域獲得超過10家頭部車企的項目定點。

隨著GOVY AirCab進入量產階段，鈞聯(lián)電子成為國內實現航空級碳化硅控制器量產應用的企業(yè)之一。

（集邦化合物半導體 niko 整理）

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三篇論文工作如下：

1、He離子注入終端實現3kV氧化鎵功率二極管

本研究報道了一種高穩(wěn)定性的垂直結構NiO/β-Ga2O3異質結二極管，該器件實現了3kV的高擊穿電壓和3.10 GW/cm2的巴利加優(yōu)值。

研究團隊創(chuàng)新性地采用氦原子注入技術構建了高效低損傷的邊緣終端結構，有效抑制了異質結PN結處的高電場聚集，將Ga2O3異質結二極管的擊穿電壓從1330 V提升至3000 V。通過擬合分析反向漏電機制，揭示了氦離子注入器件的獨特擊穿特性。進一步采用氧氣退火工藝，將器件的比導通電阻從5.08 mΩ·cm2顯著降低至2.90 mΩ·cm2，并提升了器件穩(wěn)定性。

研究成果以“3 kV/2.9 mΩ·cm2 β-Ga2O3 Vertical p–n Heterojunction Diodes with Helium-implanted Edge Termination and Oxygen Post Annealing”為題目發(fā)表在IEEE ISPSD 2025上并作現場口頭匯報，第一作者為博士生韓甲俊。

圖片來源：深圳大學材料學院

圖為具有He離子注入終端的β-Ga2O3 HJDs（a）截面示意圖和制造關鍵工藝，（b）反向擊穿特性曲線

?2、GaOx界面工程實現高性能氮化鎵MOS電容器

在本研究中，研究團隊采用氫化物氣相外延技術，成功生長了低位錯密度（~1.5×106 cm-2）的單晶氮化鎵襯底及其外延層，這些材料被用于制造高質量的垂直氮化鎵MOS電容器。

研究團隊引入了一種界面技術，通過等離子體增強原子層沉積在Al2O3/GaN界面處沉積一層薄薄的氧化鎵作為中間層。實驗結果顯示，這些器件的界面陷阱密度（Dit）低至~8×1010 cm-2 eV-1，且VFB遲滯僅為50 mV。引入GaOx界面技術不僅有效抑制了柵極漏電流，還鈍化了氮和氧相關的空位及懸掛鍵。這一方法為垂直氮化鎵MOSFET的制造提供了新的方法。

研究成果以“Enhancing Key Performance of Vertical GaN MOS Capacitors through GaOx Interface Technology”為題目發(fā)表在IEEE ISPSD 2025上，第一作者為碩士生林錦沛。

圖片來源：深圳大學材料學院

圖為具有GaOx界面層的垂直GaN MOS電容（a）結構示意圖及關鍵工藝，（b）器件的界面態(tài)密度參數提取

3、高性能垂直p-NiO/n-GaN功率二極管

本研究報道了一種高性能的垂直p-NiO/n-GaN異質結二極管。

通過氫化物氣相外延技術生長的低位錯密度氮化鎵晶圓，N面經氧氣等離子體處理（OPT）有效緩解了費米能級釘扎效應，并鈍化了表面，使接觸電阻（ρc）降至3.84×10-6Ω·cm2。通過氧氣后退火處理濺射的氧化鎳薄膜，優(yōu)化了異質結界面。因此，擊穿電壓提升至1135 V，優(yōu)值（FOM）達到0.23 GW/cm2，導通狀態(tài)電阻降至5.7 mΩ·cm2。

研究成果以“Enhancing Key Performance of Vertical p-NiO/n-GaN Heterojunction Diodes through Plasma Treatment and Oxygen Post-Annealing”為題目發(fā)表在IEEE ISPSD 2025上，碩士生黃燁瑩、王敏為文章的共同第一作者。

圖片來源：深圳大學材料學院

圖中，（a）NiO/GaN垂直pn HJD的結構示意圖，（b）之前報道的NiO/GaN PND的FOM與擊穿電壓的對比

（集邦化合物半導體整理）

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圖片來源：中電化合物

作為國內領先的第三代半導體材料供應商，中電化合物專注于碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）材料的研發(fā)與生產，其產品廣泛應用于電力電子、射頻通信、光電子等領域。

甬江實驗室則作為省市共建的浙江省新材料實驗室，致力于材料前沿科學研究，突破材料關鍵核心技術，貫通材料創(chuàng)新全鏈條。甬江實驗室在新型顯示、光學器件及AR/VR技術領域具有深厚的研究積累，是浙江省重點打造的高能級創(chuàng)新平臺。

雙方將充分發(fā)揮各自優(yōu)勢，共同推動SiC晶片在AR顯示中的規(guī)?；瘧茫R行業(yè)實現更清晰、更沉浸的視覺體驗。

此次戰(zhàn)略合作不僅聚焦于光學級SiC晶片的研發(fā)，還涵蓋了SiC材料制備所需的熱場涂層、專用原料等關鍵技術領域。通過產學研的深度結合，雙方將共同攻克SiC材料在光學應用中的技術難題，推動SiC材料的產業(yè)化進程。

近年來，隨著增強現實（AR）技術的快速發(fā)展，AR眼鏡作為下一代智能穿戴設備的核心產品，對光學材料提出了更高的要求。光學碳化硅（SiC）晶片憑借其高硬度、高熱導率、高透光性等優(yōu)異特性，成為AR眼鏡光學晶片的理想材料之一。相較于傳統(tǒng)玻璃或樹脂鏡片，SiC晶片能夠顯著提升光學性能、優(yōu)化散熱能力，并實現輕薄設計，為用戶帶來更清晰、更沉浸的視覺體驗。

隨著光學碳化硅（SiC）晶片在AR眼鏡領域的應用受到越來越多企業(yè)的關注，相關合作案例不斷涌現。

2月27日，晶盛機電與龍旗科技、XREAL、鯤游光電四家行業(yè)領軍企業(yè)正式簽署《AI/AR產業(yè)鏈戰(zhàn)略合作協(xié)議》。晶盛機電子公司SuperSiC浙江晶瑞憑借在碳化硅領域的全鏈條設備和工藝優(yōu)勢，將提供碳化硅襯底的產能、品質和成本保障，推動AR眼鏡的普及和應用。此次合作旨在通過“技術標準+產業(yè)閉環(huán)+國家品牌”的三重戰(zhàn)略，打造AI/AR產業(yè)鏈深度協(xié)同。

2月21日，天科合達宣布與慕德微納簽署了投資合同，共同出資成立合資公司。雙方將在AR衍射光波導鏡片技術研發(fā)與市場推廣方面展開深度合作，共同推動AR行業(yè)的技術創(chuàng)新與應用落地。

此外，三安光電的碳化硅襯底在AI/AR眼鏡領域與國內外終端廠商、光學元件廠商緊密合作，已向多家客戶送樣驗證。這表明碳化硅材料在AR眼鏡領域的應用正在加速推進，相關產業(yè)鏈企業(yè)正在積極布局。

（集邦化合物半導體 竹子 整理）

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圖片來源：先為科技

先為科技表示，此次發(fā)貨的 GaN MOCVD BrillMO 外延設備，各項性能均達到行業(yè)領先水平。該設備運用特有的溫場和流場設計，不僅能實現高質量的成膜效果，為功率芯片、射頻芯片、Micro LED 芯片的GaN外延制造提供堅實保障，而且在產能上表現卓越，能夠大幅提升生產效率，同時有效降低了使用成本，為客戶提供優(yōu)異的GaN外延加工解決方案。

作為先為科技的創(chuàng)新之作，該設備通過潛心鉆研的正向自主研發(fā)，具備完全的自主知識產權，能夠有力地推動化合物半導體外延設備的自主化。此次 GaN MOCVD 外延設備的發(fā)貨，不僅是先為科技自身發(fā)展的重大突破，更是先導集團在半導體領域“裝備自主”戰(zhàn)略推進的又一重要成果體現。

資料顯示，先為科技是一家致力于化合物半導體外延設備的研發(fā)、制造與銷售的創(chuàng) 新型和科技型企業(yè)，為全球客戶提供高端化合物半導體外延設備與服務。

先為科技是先導集團在半導體產業(yè)的關鍵企業(yè)，公司依托集團在高端裝備制造領域的深厚積累，在化合物半導體外延設備領域，擁有正向研發(fā)且知識產權自主可控的GaN MOCVD外延設備、SiC Epi外延設備，應用于功率芯片、射頻芯片、Micro LED芯片及碳化硅功率芯片的生產制造，各項性能均達到行業(yè)領先水平，為客戶提供高可靠性、高性能的量產外延裝備及全生命周期解決方案。

（集邦化合物半導體整理）

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圖片來源：威科賽樂

威科賽樂于2017年由廣東先導集團與重慶萬林投資公司共同出資成立，項目總投資14億元，2018年落戶萬州。公司聚焦于砷化鎵、磷化銦基垂直腔面激光發(fā)射器（VCSEL）芯片等化合物半導體晶片、襯底、外延片、芯片，以及光電模組、光電器件、光電系統(tǒng)、電子元器件、半導體設備等的研發(fā)和制造。

威科賽樂依托先導科技集團資源優(yōu)勢，在萬州構建了完整的化合物半導體產業(yè)鏈布局。基地涵蓋金屬鎵提取、外延晶圓生長、芯片制造及封裝模組生產等核心環(huán)節(jié)，年產能覆蓋150噸高純鎵及配套化合物半導體材料。通過垂直整合，企業(yè)實現了從原材料供應到終端產品交付的閉環(huán)運作，有效降低對外部供應鏈的依賴。

此次投產的封裝模組生產線聚焦激光器封裝與模塊化產品制造，采用行業(yè)主流技術方案，可支持5G通信、智能終端等多領域應用需求?！半S著封裝模組生產線的投用，我們設計制造化合物半導體芯片，不再依賴外部資源就能完成系統(tǒng)級集成，具備了從材料到終端產品的完整交付能力。” 威科賽樂微電子股份有限公司研發(fā)中心負責人宋世金表示。

此外，威科賽樂通過與大型氧化鋁企業(yè)九龍萬博合作，從其生產過程中產生的伴生物提取高純鎵，于今年3月在萬州建成全球單體最大的金屬鎵生產基地一期項目，實現了關鍵原材料 “家門口” 穩(wěn)定供應。

（集邦化合物半導體整理）

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圖片來源：芯粵能

這一成就的背后，是芯聚能與芯粵能的深度協(xié)同與長期技術積累。芯聚能憑借其在新能源汽車主驅模塊領域累計超過45萬個的豐富交付經驗，奠定了堅實的芯片篩選測試與工藝質量管控基礎。此次量產的主驅模塊，正是搭載了由芯粵能半導體制造的SiC芯片。這些芯片和模塊通過了從芯片、模塊、電驅系統(tǒng)到整車的全產業(yè)鏈車規(guī)級驗證，不僅獲得了多個主驅項目定點，更已進入大規(guī)模交付階段。

圖片來源：芯粵能

芯粵能強調，這一突破在激烈競爭中實現了關鍵技術自主可控，構建了碳化硅功率半導體的車規(guī)級保障體系，旨在通過技術整合優(yōu)化產品性能、可靠性和成本效益，為客戶提供強大競爭力。芯聚能也將以此為契機，深化SiC技術創(chuàng)新，提供高可靠性功率半導體解決方案。

芯粵能半導體研發(fā)副總裁相奇在2025年3月接受《廣州日報》專訪時曾預言，2025年將是國產碳化硅芯片量產上車的“元年”，芯粵能的產品有望在上半年上車，這一規(guī)劃如今已成為現實。

芯粵能作為首個通過國家重大項目審批的大規(guī)模碳化硅芯片制造項目，規(guī)劃了一期6英寸、二期8英寸SiC芯片年產能各24萬片，產能規(guī)模全球領先。公司自建廠伊始便對標先進硅基制造體系，配備全自動化設備，確保了產品在可靠性、穩(wěn)定性方面的優(yōu)勢。

近年來，芯粵能持續(xù)加大研發(fā)投入，成功開發(fā)出第一代碳化硅溝槽MOSFET工藝平臺，并已通過可靠性測試。該平臺采用自主知識產權的溝槽MOSFET結構，顯著降低了導通電阻、提高了電流密度，并在確?？煽啃缘耐瑫r突破了平面MOSFET的性能瓶頸，有效降低了成本并使性能接近國際先進水平。

芯粵能半導體研發(fā)副總裁相奇表示，未來SiC芯片價格的下降將加速對IGBT的替代，尤其是在新能源汽車高壓快充技術（800V以上電壓系統(tǒng)）領域，SiC芯片將因其卓越的耐高溫和穩(wěn)定性而成為不可替代的選擇。

（集邦化合物半導體 EMMA 整理）

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圖片來源：新微半導體

據介紹，該平臺采用了4英寸GaAs/AlGaAs異質結外延技術，結合深臺面刻蝕、側壁鈍化及BCB/PBO平坦化等關鍵工藝，具備低暗電流、低電容、高響應度、高帶寬及高可靠性等優(yōu)越性能。其代工產品能夠在-40℃到85℃的寬溫范圍內穩(wěn)定運行，確保設備在嚴寒、高溫等嚴苛環(huán)境下的性能一致性，保障終端設備可靠運行。

在可靠性驗證上，其代工產品已通過Telcordia GR468可靠性標準測試，涵蓋HTOL（高溫工作壽命）、ESD（靜電放電）、T/C（溫度循環(huán)）及THB（高溫高濕壽命）等關鍵測試項目。在175℃的HTOL測試以及THB（溫度85℃、濕度85%RH）測試環(huán)境中，施加-5V偏置電壓條件，三批產品（抽樣標準77顆樣品）經過2000小時老化后，均實現零失效，產品可靠性滿足通信級標準。

作為先進的化合物半導體晶圓代工企業(yè)，新微半導體自成立以來，一直專注于為功率和光電兩大應用領域的客戶提供多元化的晶圓代工及配套服務。除了此次推出的砷化鎵光電探測器工藝平臺，公司還擁有基于3/4吋磷化銦（InP）材料的全系列光電工藝解決方案，以及氮化鎵（GaN）功率器件制造平臺等，產品廣泛應用于通信、新能源、消費電子、汽車、工業(yè)和生物醫(yī)療等多個終端應用領域。

新微半導體總經理王慶宇博士表示：“新微半導體始終致力于為客戶提供最先進的化合物半導體工藝解決方案。此次高速和陣列砷化鎵光電探測器工藝平臺的推出，是我們在光電領域的又一重大突破。我們相信，憑借該平臺的卓越性能，將幫助客戶在市場競爭中取得優(yōu)勢，推動行業(yè)的技術進步和應用拓展。”

（集邦化合物半導體整理）

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資料顯示，天域半導體成立于2009年，主要業(yè)務是研發(fā)、生產和銷售#第三代半導體 碳化硅外延片。天域半導體是中國首批實現4英吋及6英吋#碳化硅 外延片量產的公司之一，以及及中國首批擁有量產8英吋碳化硅外延片能力的公司之一?？蛻舾采w華為、比亞迪、韓國現代、美國X-FAB等頭部企業(yè)。

2024年12月23日，天域半導體在港交所遞交招股書，中信證券獨家保薦。

招股書顯示，2021-2023年天域半導體銷量從1.7萬片飆升至13.2萬片，年復合增長率178.7%。2021-2023年營收從1.55億元躍升至11.71億元，年復合增長率175.2%；但2024年上半年營收3.61億元，同比下降14.9%。

（集邦化合物半導體整理）

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圖片來源：縱慧芯光

這一里程碑不僅標志著縱慧芯光在高端光電子芯片領域取得又一重大突破，更意味著中國在高速光通信核心芯片自主化的道路上邁出了關鍵一步。

據悉，FabX項目投資規(guī)模達5.5億元人民幣，旨在建設一條年產能為5000萬顆芯片的半導體高速通信光芯片3英寸生產線，并配套先進的研發(fā)中心和測試中心。此前2024年10月，縱慧芯光披露，其“3英寸化合物半導體芯片制造項目”封頂儀式完成，計劃新建生產用房及輔助用房約2.8萬平方米，預計2025年投產，達產后將形成年產3英寸砷化鎵芯片和3英寸磷化銦芯片合計約5000萬顆的生產能力。

公開資料顯示，縱慧芯光專注于光芯片的設計、研發(fā)與生產，其核心產品VCSEL（垂直腔面發(fā)射激光器）芯片廣泛應用于5G/數據中心光通信、3D傳感、硅光集成等前沿領域。FabX的成功通線，意味著縱慧芯光已具備了從VCSEL芯片設計到晶圓制造的全流程自主生產能力，將顯著提升中國在這些關鍵應用領域光芯片的自主供給能力，并有望撬動更多行業(yè)變革。

自2015年成立以來，縱慧芯光憑借在光芯片領域的持續(xù)創(chuàng)新，獲得了資本市場的廣泛青睞。公司吸引了包括華為哈勃、小米、比亞迪等產業(yè)資本，以及超過20家知名VC/PE機構的投資。

通過C4輪數億元的融資支持，縱慧芯光得以持續(xù)擴張產能，為其技術研發(fā)和市場拓展提供了堅實的資金保障。目前，縱慧芯光已建立起完善的全球運營網絡，總部設于江蘇常州，并在美國、韓國、中國臺灣、上海、深圳、新加坡等地設立分支機構，以便更好地貼近市場，服務全球客戶。

（集邦化合物半導體 EMMA 整理）

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