《規(guī)劃》明確將氧化鎵、金剛石、碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體材料列為新一代半導(dǎo)體領(lǐng)域重點(diǎn)發(fā)展方向，與3-7nm晶圓制程突破、先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)等任務(wù)協(xié)同推進(jìn)，旨在構(gòu)建具有全球競(jìng)爭(zhēng)力的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)，為建設(shè)全球先進(jìn)制造業(yè)基地提供核心支撐。
《規(guī)劃》提出，到2030年浙江省集成電路產(chǎn)業(yè)營(yíng)收目標(biāo)將達(dá)4500億元，而氧化鎵、金剛石等第四代半導(dǎo)體與碳化硅、氮化鎵第三代半導(dǎo)體的協(xié)同發(fā)展，將成為實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的重要增長(zhǎng)極。
寬禁帶半導(dǎo)體材料憑借獨(dú)特性能構(gòu)建起差異化競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。其中，碳化硅與氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體的核心品類，已在新能源汽車(chē)、光伏儲(chǔ)能等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)規(guī)?；瘧?yīng)用突破；氧化鎵、金剛石則作為第四代超寬禁帶半導(dǎo)體代表，具備更高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、更優(yōu)熱導(dǎo)率等特性，在特高壓輸電、高端芯片散熱等高端場(chǎng)景擁有廣闊前景。
目前，浙江已集聚士蘭微電子、晶盛機(jī)電、鎵仁半導(dǎo)體等一批領(lǐng)先企業(yè)。在碳化硅領(lǐng)域，士蘭微電子投資120億元建設(shè)的8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線于2026年1月正式通線，達(dá)產(chǎn)后將形成年產(chǎn)72萬(wàn)片芯片的產(chǎn)能，為新能源汽車(chē)等領(lǐng)域提供核心器件保障。
（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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]]>雷軍表示，現(xiàn)在小米反小字營(yíng)銷(xiāo)，力求每一個(gè)事情都準(zhǔn)確。新一代小米SU7汽車(chē)的“碳化硅高壓平臺(tái)”都明確到了752V、897V等具體數(shù)字，沒(méi)有叫800V或者900V。
雷軍認(rèn)為，以前的350V叫400V是“行業(yè)陋習(xí)”，小米愿意接受更高標(biāo)準(zhǔn)的要求，不應(yīng)該開(kāi)玩笑，也不應(yīng)該發(fā)牢騷，能用大字說(shuō)明用大字說(shuō)明、能寫(xiě)完整的寫(xiě)完整、能寫(xiě)準(zhǔn)確的寫(xiě)準(zhǔn)確，不要講行業(yè)過(guò)去怎么說(shuō)。
資料顯示，小米新一代SU7車(chē)型即將于同年4月上市。新車(chē)在三電系統(tǒng)、智能駕駛等核心領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)全維升級(jí)，其中“全系標(biāo)配碳化硅高壓平臺(tái)”的配置策略，成為碳化硅半導(dǎo)體技術(shù)在中端豪華純電市場(chǎng)規(guī)?；瘧?yīng)用的重要里程碑。
具體而言，新車(chē)標(biāo)準(zhǔn)版、Pro版配備752V碳化硅高壓平臺(tái)，Max版升級(jí)為897V碳化硅高壓平臺(tái)；依托碳化硅材料高導(dǎo)熱、低損耗的優(yōu)異特性，新車(chē)形成梯度化超長(zhǎng)續(xù)航矩陣，其中標(biāo)準(zhǔn)版CLTC續(xù)航720km、Pro版902km、Max版835km，最低能耗僅11.7kWh/100km。補(bǔ)能效率方面，Max版車(chē)型在常溫環(huán)境下自營(yíng)充電樁實(shí)測(cè)可實(shí)現(xiàn)15分鐘最快補(bǔ)能CLTC續(xù)航670km的高效表現(xiàn)，大幅緩解用戶充電焦慮。
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]]>如果說(shuō)此前十年，行業(yè)關(guān)注的焦點(diǎn)是如何從4英寸跨越到6英寸，以及解決8英寸襯底的良率瓶頸，那么2025年的主旋律則是“向下兼容硅基工藝生態(tài)”與“向上突破物理生長(zhǎng)極限”。
隨著全球首款12英寸（300mm）SiC外延晶片的技術(shù)首發(fā)，以及長(zhǎng)晶爐、切割設(shè)備、研磨拋光中試線的全面通線，一個(gè)由大尺寸驅(qū)動(dòng)的成本革命正席回全球功率電子與光電產(chǎn)業(yè)鏈。
1、12英寸碳化硅為何成為“兵家必爭(zhēng)之地”？
在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，尺寸即效率，尺寸即成本，尺寸即戰(zhàn)略制高點(diǎn)。從6英寸向8英寸、12英寸演進(jìn)，是摩爾定律在功率器件領(lǐng)域的“另類延續(xù)”。據(jù)行業(yè)測(cè)算，相較8英寸產(chǎn)線，12英寸碳化硅襯底可在單位晶圓上提升約2.25倍的有效芯片數(shù)量，同時(shí)顯著降低單位芯片制造成本（CoO），并提升制造一致性與良率窗口。
更重要的是，12英寸平臺(tái)與主流硅基CMOS產(chǎn)線實(shí)現(xiàn)設(shè)備兼容（如光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、清洗機(jī)等），為SiC器件的“IDM+代工”融合模式打開(kāi)通路，是實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)與國(guó)產(chǎn)替代的關(guān)鍵前提。
2025年，全球碳化硅產(chǎn)業(yè)正式進(jìn)入“12英寸技術(shù)驗(yàn)證與客戶送樣”關(guān)鍵年。而中國(guó)在12英寸碳化硅領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了從“點(diǎn)狀突破”到“鏈?zhǔn)絽f(xié)同”的躍遷，形成了以襯底—外延—設(shè)備—工藝為核心的完整技術(shù)生態(tài)。
圖片來(lái)源：集邦化合物半導(dǎo)體制圖
2、襯底環(huán)節(jié)多元突破，技術(shù)迭代加速推進(jìn)
在襯底領(lǐng)域，國(guó)內(nèi)企業(yè)呈現(xiàn)出百花齊放的態(tài)勢(shì)，多家廠商圍繞晶體質(zhì)量提升、缺陷密度降低及成本控制展開(kāi)差異化布局，推動(dòng)國(guó)產(chǎn)襯底在性能與供給能力上的持續(xù)改善。
晶盛機(jī)電于2025年5月12日宣布，其子公司浙江晶瑞SuperSiC成功實(shí)現(xiàn)12英寸導(dǎo)電型碳化硅（SiC）單晶生長(zhǎng)，首顆晶體直徑達(dá)309mm且質(zhì)量完好，標(biāo)志著中國(guó)在大尺寸晶體生長(zhǎng)領(lǐng)域邁出關(guān)鍵一步。
圖片來(lái)源：浙江晶瑞SuperSiC 圖為首顆12英寸導(dǎo)電型碳化硅（SiC）單晶
緊隨其后，浙江晶越半導(dǎo)體于2025年7月23日宣布研制出高品質(zhì)12英寸SiC晶錠，2025年上半年以來(lái)，晶越半導(dǎo)體在熱場(chǎng)設(shè)計(jì)、籽晶粘接、厚度提升以及缺陷控制方面不斷調(diào)整和優(yōu)化工藝，成功進(jìn)入12英寸SiC襯底梯隊(duì)。
圖片來(lái)源：浙江晶越半導(dǎo)體有限公司
合盛硅業(yè)旗下寧波合盛新材料也同步推進(jìn)，在2025年年內(nèi)成功研發(fā)出12英寸導(dǎo)電型SiC單晶，并同步啟動(dòng)了針對(duì)大尺寸晶體的切割、研磨、拋光等后道工藝的系統(tǒng)性研究，體現(xiàn)了其“材料+工藝”一體化的深度布局思路。
圖片來(lái)源：合盛硅業(yè) 左圖為12英寸晶片，右圖為12英寸晶錠
南砂晶圓則在2025年5月的行業(yè)大會(huì)上公開(kāi)亮相了其12英寸導(dǎo)電型SiC襯底產(chǎn)品，成為國(guó)內(nèi)首家實(shí)現(xiàn)大尺寸襯底“實(shí)物化”并公開(kāi)亮相的企業(yè)，引發(fā)了業(yè)界的廣泛關(guān)注。
2025年3月，天岳先進(jìn)更是攜全系列12英寸碳化硅襯底產(chǎn)品亮相上海，包括12英寸高純半絕緣型碳化硅襯底、12英寸導(dǎo)電P型及12英寸導(dǎo)電N型碳化硅襯底，展現(xiàn)了其全面的技術(shù)儲(chǔ)備和全品類供應(yīng)能力。
圖片來(lái)源：山東天岳先進(jìn)科技股份有限公司
2025年10月，天成半導(dǎo)體依托自主研發(fā)的12英寸碳化硅長(zhǎng)晶設(shè)備成功研制出12英寸高純半絕緣碳化硅單晶材料，12英寸N型碳化硅單晶材料晶體有效厚度突破35mm厚。這一指標(biāo)對(duì)于制造高耐壓、大功率的電力電子器件至關(guān)重要，為下游應(yīng)用提供了更厚的有源層支撐。
圖片來(lái)源：天成半導(dǎo)體
科友半導(dǎo)體在2025年9月初成功制備出12英寸SiC晶錠后，于10月中旬再傳捷報(bào)，成功制備12英寸半絕緣碳化硅單晶，實(shí)現(xiàn)了雙路線的重大跨越。
圖片來(lái)源：科友半導(dǎo)體
環(huán)球晶（GlobalWafers） 2025年11月4日宣布，其12英寸SiC晶圓原型開(kāi)發(fā)成功，并已正式進(jìn)入客戶送樣與驗(yàn)證階段。同時(shí)，其方形SiC晶圓技術(shù)也取得了突破性進(jìn)展，為提升芯片切割利用率提供了創(chuàng)新性的解決方案。
圖片來(lái)源：環(huán)球晶官網(wǎng)新聞稿截圖
3、外延打通器件應(yīng)用關(guān)鍵鏈路
襯底之后，外延是決定器件性能的“最后一公里”。
瀚天天成于2025年12月重磅發(fā)布了全球首款12英寸SiC外延晶片技術(shù)。與此同時(shí)，晶盛機(jī)電也宣布向瀚天天成交付了12英寸單片式SiC外延設(shè)備，實(shí)現(xiàn)了“材料—設(shè)備—工藝”的完美閉環(huán)。
圖片來(lái)源：晶盛機(jī)電
目前，瀚天天成已啟動(dòng)12英寸SiC外延晶片的批量供應(yīng)籌備工作。相關(guān)產(chǎn)品在關(guān)鍵性能指標(biāo)上表現(xiàn)優(yōu)異，其外延層厚度不均勻性控制在3%以內(nèi)，摻雜濃度不均勻性≤8%，2mm×2mm芯片良率大于96%，可充分滿足下游功率器件領(lǐng)域的高可靠性應(yīng)用需求。
4、SiC設(shè)備反向賦能材料創(chuàng)新
設(shè)備是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的“工業(yè)母機(jī)”，2025年，中國(guó)SiC設(shè)備企業(yè)集體崛起，成為12英寸突破的核心支撐力量。
晶升股份在年底壓軸登場(chǎng)，于2025年12月29日完成12英寸碳化硅單晶爐小批量發(fā)貨，正式交付客戶投入應(yīng)用。這一里程碑事件標(biāo)志著國(guó)產(chǎn)長(zhǎng)晶設(shè)備已從前期的“技術(shù)驗(yàn)證”階段，正式邁入“量產(chǎn)導(dǎo)入”的實(shí)戰(zhàn)階段。
圖片來(lái)源：晶升股份
晶馳機(jī)電則成功開(kāi)發(fā)出電阻法12英寸晶體生長(zhǎng)設(shè)備，為行業(yè)主流的PVT（物理氣相傳輸法）技術(shù)提供了新的設(shè)備路徑選擇。
圖片來(lái)源：晶馳機(jī)電
山東力冠攻克了12英寸PVT電阻加熱長(zhǎng)晶爐的技術(shù)難關(guān)，其設(shè)備在高溫、高真空環(huán)境下的溫度場(chǎng)與氣流場(chǎng)穩(wěn)定性控制能力達(dá)到新高度。
在加工設(shè)備方面，#天晶智能 在2025年4月就推出了TJ320型超高速多線切割機(jī)，該設(shè)備專為12英寸SiC晶錠切割設(shè)計(jì)，有效解決了大尺寸晶錠切割效率低下的瓶頸問(wèn)題，單臺(tái)年產(chǎn)能達(dá)20萬(wàn)片，可滿足500輛新能源汽車(chē)的碳化硅電驅(qū)需求。
圖片來(lái)源：天晶智能 圖為天晶智能TJ3545多線切割機(jī)
西湖儀器與晟光硅研分別在激光剝離與水導(dǎo)激光加工領(lǐng)域取得突破，前者率先實(shí)現(xiàn)12英寸襯底激光剝離，后者完成了晶錠小批量加工驗(yàn)證，為后續(xù)的薄片化、異構(gòu)集成等先進(jìn)工藝提供了關(guān)鍵的設(shè)備支撐。
圖片來(lái)源：西湖儀器
值得一提的是，晶飛半導(dǎo)體利用自研的激光剝離設(shè)備成功實(shí)現(xiàn)了12英寸晶圓的剝離，標(biāo)志著中國(guó)在“無(wú)損解理”這一高難度工藝環(huán)節(jié)實(shí)現(xiàn)了自主可控。
5、12英寸技術(shù)解鎖多元市場(chǎng)新空間
12英寸碳化硅技術(shù)的成熟正在打開(kāi)新的市場(chǎng)空間。
在新能源汽車(chē)領(lǐng)域，大尺寸襯底可顯著提升功率器件的性能與可靠性，契合下游市場(chǎng)對(duì)高效節(jié)能的迫切需求。
AR眼鏡領(lǐng)域也成為12英寸SiC的重要增長(zhǎng)極。SiC的高折射率可以使其以更薄的鏡片承載更大的視場(chǎng)角，并且一塊12英寸SiC晶圓可加工出8-9副AR眼鏡鏡片，生產(chǎn)效率呈幾何級(jí)數(shù)提升。
此外，在AI芯片先進(jìn)封裝領(lǐng)域，隨著AI模型規(guī)模的指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，芯片功耗已突破極限。行業(yè)消息透露，頭部企業(yè)計(jì)劃在2027年前將CoWoS封裝中的硅中介層替換為碳化硅材料，以提升散熱效率、縮小封裝尺寸。
更值得關(guān)注的是，隨著12英寸半絕緣型襯底的突破，碳化硅在智能電網(wǎng)領(lǐng)域的應(yīng)用加速推進(jìn)，國(guó)家電網(wǎng)相關(guān)專家表示，電網(wǎng)對(duì)碳化硅器件的需求未來(lái)或?qū)⒖氨刃履茉雌?chē)領(lǐng)域，成為產(chǎn)業(yè)發(fā)展的新藍(lán)海。
6、結(jié)語(yǔ)
全球范圍內(nèi)，12英寸碳化硅領(lǐng)域仍不乏強(qiáng)有力的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，國(guó)際老牌巨頭憑借技術(shù)積淀維持著顯著的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。
Wolfspeed在2025年9月正式開(kāi)啟200mm（8英寸）SiC材料的商業(yè)化投放，并已在2026年初成功演示了單晶12英寸SiC晶圓。#Coherent 亦在2025年12月宣布了其300mm SiC平臺(tái)的重大進(jìn)展，目標(biāo)直指AI數(shù)據(jù)中心的散熱管理。這種策略上的趨同反映出，12英寸SiC的主戰(zhàn)場(chǎng)已從單純的功率模塊延伸至熱管理與光電集成領(lǐng)域。
然而，中國(guó)產(chǎn)業(yè)也并非在同一條起跑線上被動(dòng)追趕。我們擁有全球最活躍的新能源汽車(chē)與智能制造應(yīng)用市場(chǎng)，這為12英寸大尺寸產(chǎn)線提供了寶貴的嘗試空間。同時(shí)，國(guó)內(nèi)已形成的“材料-裝備-工藝”全鏈條協(xié)同創(chuàng)新機(jī)制，使得設(shè)備國(guó)產(chǎn)化與工藝改進(jìn)的響應(yīng)速度極快。
未來(lái)幾年，隨著產(chǎn)業(yè)鏈上下游的持續(xù)磨合與技術(shù)成熟度的不斷提升，國(guó)產(chǎn)12英寸SiC不僅將重塑?chē)?guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體格局，更將在全球高端制造版圖中占據(jù)舉足輕重的一席之地。
（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）
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圖片來(lái)源：珂瑪科技公告截圖
另外，珂瑪科技在投資者交流活動(dòng)中系統(tǒng)披露了可轉(zhuǎn)債進(jìn)展、產(chǎn)能建設(shè)、產(chǎn)品性能及外延并購(gòu)四大關(guān)切。
公司表示，可轉(zhuǎn)債申請(qǐng)已獲深交所受理并正處審核階段，同步完成蘇州高新區(qū)項(xiàng)目用地購(gòu)置；募投將重點(diǎn)新建靜電卡盤(pán)產(chǎn)線并進(jìn)一步擴(kuò)大陶瓷加熱器產(chǎn)能，以滿足半導(dǎo)體設(shè)備關(guān)鍵零部件國(guó)產(chǎn)替代需求。
2025年內(nèi)，公司先把原先分散于各租賃場(chǎng)地的陶瓷加熱器設(shè)備整體遷入IPO募投的先進(jìn)材料生產(chǎn)基地，并配套建成潔凈車(chē)間，顯著提升交付保障能力。
在性能對(duì)比方面，珂瑪科技自2023年四季度起已實(shí)現(xiàn)陶瓷加熱器批量出貨，產(chǎn)品用于晶圓廠薄膜沉積環(huán)節(jié)，關(guān)鍵指標(biāo)已滿足主流客戶制程要求。公司透露，將持續(xù)優(yōu)化材料配方與工藝，開(kāi)發(fā)更耐腐蝕、耐高溫、等離子沖刷壽命更長(zhǎng)的迭代型號(hào)，以縮小與國(guó)際龍頭在極致工藝窗口和長(zhǎng)期可靠性上的差距。
針對(duì)靜電卡盤(pán)產(chǎn)業(yè)化進(jìn)度落后于陶瓷加熱器的疑問(wèn)，公司解釋稱，兩者研發(fā)起點(diǎn)不同：陶瓷加熱器自2016年承擔(dān)國(guó)家02專項(xiàng)至今積累九年，而靜電卡盤(pán)項(xiàng)目2020年才啟動(dòng)，僅五年多時(shí)間；加之材料體系由氮化鋁轉(zhuǎn)為氧化鋁，工藝流程差異大，導(dǎo)致驗(yàn)證周期更長(zhǎng)。
目前，12英寸ICP/CCP刻蝕機(jī)用Monopolar靜電卡盤(pán)已通過(guò)設(shè)備廠驗(yàn)證并小批量生產(chǎn)，多區(qū)加熱版本亦交付客戶端測(cè)試。珂瑪科技計(jì)劃借助可轉(zhuǎn)債資金建設(shè)專業(yè)產(chǎn)線，復(fù)制陶瓷加熱器的全流程技術(shù)閉環(huán)，快速提升靜電卡盤(pán)良率與性能指標(biāo)。
關(guān)于外延擴(kuò)張，公司明確將并購(gòu)作為長(zhǎng)期成長(zhǎng)路徑之一。2025年7月完成的蘇州鎧欣73%股權(quán)收購(gòu)是首單案例，其CVD碳化硅涂層及塊體陶瓷技術(shù)與珂瑪現(xiàn)有高純氧化鋁、氮化鋁結(jié)構(gòu)陶瓷形成互補(bǔ)，正同步推進(jìn)銷(xiāo)售渠道、供應(yīng)鏈及信息系統(tǒng)整合。
未來(lái)并購(gòu)將聚焦三大方向：一是半導(dǎo)體設(shè)備零部件領(lǐng)域的功能-結(jié)構(gòu)一體化模塊及特殊工藝；二是陶瓷材料在新能源、化工環(huán)保、生物醫(yī)藥、汽車(chē)等場(chǎng)景的跨行業(yè)應(yīng)用；三是高純氮化鋁、碳化硅微粉等上游粉體環(huán)節(jié)。公司表示，所有潛在項(xiàng)目將嚴(yán)格遵循法律法規(guī)，及時(shí)履行信息披露義務(wù)。
（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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圖片來(lái)源：公告截圖
資料顯示，聯(lián)訊儀器是國(guó)內(nèi)高端測(cè)試儀器設(shè)備企業(yè)，主營(yíng)業(yè)務(wù)為電子測(cè)量?jī)x器和半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備的研發(fā)、制造、銷(xiāo)售及服務(wù)，專業(yè)為全球高速通信和半導(dǎo)體等領(lǐng)域用戶提供高速率、高精度、高效率的核心測(cè)試儀器設(shè)備，助力人工智能、新能源、半導(dǎo)體等前沿科技行業(yè)提升產(chǎn)品開(kāi)發(fā)和量產(chǎn)效率。
2022年至2024年，聯(lián)訊儀器營(yíng)業(yè)收入從2.14億元跨越式增長(zhǎng)至7.89億元；歸母凈利潤(rùn)成功扭虧為盈，2024年達(dá)到1.4億元。2025年度可實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入約11.5億元至12億元，同比增幅約45.82%至52.16%。
聯(lián)訊儀器計(jì)劃募集資金17.11億元，將投資于下一代光通信測(cè)試設(shè)備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項(xiàng)目、車(chē)規(guī)芯片測(cè)試設(shè)備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項(xiàng)目、存儲(chǔ)測(cè)試設(shè)備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項(xiàng)目、數(shù)字測(cè)試儀器研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項(xiàng)目和下一代測(cè)試儀表設(shè)備研發(fā)中心建設(shè)項(xiàng)目。
其中，下一代光通信測(cè)試設(shè)備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項(xiàng)目將進(jìn)一步鞏固聯(lián)訊儀器在光通信測(cè)試領(lǐng)域的領(lǐng)先地位；車(chē)規(guī)芯片測(cè)試設(shè)備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項(xiàng)目、存儲(chǔ)測(cè)試設(shè)備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項(xiàng)目將拓展新的增長(zhǎng)點(diǎn)；數(shù)字測(cè)試儀器研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項(xiàng)目和下一代測(cè)試儀表設(shè)備研發(fā)中心建設(shè)項(xiàng)目將提升公司整體研發(fā)能力與技術(shù)儲(chǔ)備。
稍早之前，芯邁半導(dǎo)體與威兆半導(dǎo)體兩家功率半導(dǎo)體廠商同樣傳出IPO新進(jìn)展：
芯邁半導(dǎo)體已經(jīng)更新IPO招股書(shū)，正式推進(jìn)香港主板上市進(jìn)程，華泰國(guó)際擔(dān)任本次上市獨(dú)家保薦人。
芯邁半導(dǎo)體成立于2019年，總部位于杭州，采用Fab-Lite集成器件制造商（IDM）業(yè)務(wù)模式，核心業(yè)務(wù)涵蓋電源管理集成電路和功率器件的研發(fā)、銷(xiāo)售，產(chǎn)品覆蓋移動(dòng)技術(shù)、顯示技術(shù)和功率器件三大領(lǐng)域，廣泛應(yīng)用于汽車(chē)、電信設(shè)備、數(shù)據(jù)中心、工業(yè)應(yīng)用及消費(fèi)電子產(chǎn)品等多個(gè)場(chǎng)景。
在功率器件領(lǐng)域，芯邁半導(dǎo)體構(gòu)建了涵蓋硅基和碳化硅（SiC）基的完備產(chǎn)品組合。公司的核心技術(shù)涵蓋了超結(jié)MOSFET和屏蔽柵溝槽型MOSFET（SGT MOSFET）。
威兆半導(dǎo)體已向港交所主板遞交上市申請(qǐng)，廣發(fā)證券為其保薦人。
威兆半導(dǎo)體專注于高性能功率半導(dǎo)體器件的研發(fā)、設(shè)計(jì)與銷(xiāo)售，尤其是WLCSP（晶圓級(jí)芯片尺寸封裝）產(chǎn)品，該產(chǎn)品為公司主要產(chǎn)品之一。
功率半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)而言，威兆半導(dǎo)體的中低壓產(chǎn)品主要包括Trench MOSFET及SGT MOSFET，被廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、汽車(chē)電子、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、工業(yè)電源等。在中低壓產(chǎn)品中，公司的WLCSP產(chǎn)品憑借其產(chǎn)品尺寸小、散熱性能高、抗沖擊性強(qiáng)等特點(diǎn)，是智能手機(jī)、平板電腦和可穿戴電子設(shè)備等鋰電池保護(hù)應(yīng)用的關(guān)鍵元件。公司的高壓產(chǎn)品主要包括IGBT、 SJ MOSFET及Planar MOSFET，專為滿足嚴(yán)苛環(huán)境下對(duì)高耐壓、高功率密度和可靠性能的需求而設(shè)計(jì)，被廣泛應(yīng)用于汽車(chē)電子、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及新能源等應(yīng)用場(chǎng)景。
（集邦化合物半導(dǎo)體 Flora 整理）
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]]>安徽10億元碳化硅項(xiàng)目簽約
1月13日，據(jù)“合肥高新發(fā)布”官方消息，合肥高新區(qū)在推動(dòng)“產(chǎn)業(yè)先導(dǎo)區(qū)”建設(shè)方面取得重要進(jìn)展，思朗科技區(qū)域中心及3D科學(xué)計(jì)算中心等16個(gè)高質(zhì)量項(xiàng)目相繼簽約落地，總投資106.7億元。
圖片來(lái)源：合肥高新發(fā)布
其中包括總投資超10億元的碳化硅功率模塊封裝測(cè)試項(xiàng)目，該項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后預(yù)計(jì)年產(chǎn)值15億元、稅收1億元，有效支撐新能源汽車(chē)、光伏儲(chǔ)能等下游應(yīng)用。
合肥已集聚一批覆蓋碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié)的代表性企業(yè)，形成了從材料、器件到模塊、封測(cè)的產(chǎn)業(yè)生態(tài)雛形。
其中，#鈞聯(lián)電子 在2025年2月建成安徽省首條先進(jìn)工藝碳化硅車(chē)規(guī)功率模塊產(chǎn)線，新產(chǎn)線全面交付后，將形成年產(chǎn)20萬(wàn)臺(tái)電控、10萬(wàn)套電驅(qū)總成及100萬(wàn)只功率模塊的綜合供應(yīng)能力。
合肥世紀(jì)金芯半導(dǎo)體成立于2019年，是第三代半導(dǎo)體碳化硅材料服務(wù)商，重點(diǎn)研發(fā)生產(chǎn)碳化硅單晶材料，已攻克高純碳化硅粉料提純、6-8 英寸碳化硅單晶制備等關(guān)鍵技術(shù)。
芯合半導(dǎo)體（合肥）有限公司是合肥產(chǎn)投旗下碳化硅功率半導(dǎo)體 IDM 企業(yè)，業(yè)務(wù)涵蓋 SiC 晶圓、MOSFET、SBD 及功率模塊研發(fā)生產(chǎn)，合肥八吋產(chǎn)線已成功產(chǎn)出晶圓，產(chǎn)品應(yīng)用于新能源汽車(chē)、光儲(chǔ)充等多個(gè)行業(yè)。
云南1000噸/年碳化硅制品項(xiàng)目落地
1月7日，昆明市生態(tài)環(huán)境發(fā)布了關(guān)于碳化硅陶瓷及非金屬?gòu)?fù)合材料加工銷(xiāo)售新建項(xiàng)目環(huán)境影響報(bào)告表的批復(fù)。標(biāo)志著云南劍峰新材料有限公司投資建設(shè)的1000噸/年碳化硅制品項(xiàng)目已完成關(guān)鍵環(huán)保審批流程，即將進(jìn)入實(shí)質(zhì)性建設(shè)階段。
圖片來(lái)源：公告截圖
據(jù)官方批復(fù)信息顯示，該項(xiàng)目全稱為“碳化硅陶瓷及非金屬?gòu)?fù)合材料加工銷(xiāo)售新建項(xiàng)目”，建設(shè)單位為#云南劍峰新材料有限公司，項(xiàng)目性質(zhì)為新建，選址定于云南省昆明市嵩明縣楊林鎮(zhèn)震?？苿?chuàng)園1號(hào)。項(xiàng)目總投資530萬(wàn)元，其中專門(mén)安排環(huán)保投資18.3萬(wàn)元。
項(xiàng)目建設(shè)將采用集約高效的發(fā)展模式，租用已建標(biāo)準(zhǔn)化廠房開(kāi)展生產(chǎn)活動(dòng)，有效降低建設(shè)周期與土地資源占用成本。在此基礎(chǔ)上，將新建原輔料庫(kù)、五金庫(kù)房、修理車(chē)間、模具及鋁墊板堆放區(qū)、配料混料區(qū)、干燥室等完善的配套基礎(chǔ)設(shè)施，構(gòu)建起全流程標(biāo)準(zhǔn)化生產(chǎn)體系。
根據(jù)規(guī)劃，項(xiàng)目建成后將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)碳化硅制品1000噸，產(chǎn)品涵蓋碳化硅陶瓷及非金屬?gòu)?fù)合材料等，可廣泛應(yīng)用于機(jī)床制造、精密機(jī)械、電子信息等多個(gè)高端領(lǐng)域。
新佳電子車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅功率模塊生產(chǎn)線全線運(yùn)轉(zhuǎn)
1月6日，據(jù)“威海高新區(qū)發(fā)布”官方消息，新佳電子去年投產(chǎn)的車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅功率模塊生產(chǎn)線目前正全線滿負(fù)荷運(yùn)轉(zhuǎn)，設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率超60%。
車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅功率模塊被譽(yù)為新能源汽車(chē)的”最強(qiáng)大腦”，承擔(dān)著直流電與交流電轉(zhuǎn)換、功率控制等核心功能，其性能直接影響新能源汽車(chē)的續(xù)航里程、動(dòng)力性能與安全穩(wěn)定性。
圖片來(lái)源：威海高新區(qū)發(fā)布
回顧項(xiàng)目推進(jìn)歷程，新佳電子車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅模塊專用生產(chǎn)線于2025年1月進(jìn)入設(shè)備安裝調(diào)試階段，當(dāng)年第二季度正式投產(chǎn)，達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅模塊30萬(wàn)只；2025年10月，一期產(chǎn)線全部投入使用，二期進(jìn)入設(shè)備安裝調(diào)試；2025年12月底，全線實(shí)現(xiàn)滿負(fù)荷運(yùn)轉(zhuǎn)，項(xiàng)目建設(shè)與產(chǎn)能釋放速度遠(yuǎn)超行業(yè)平均水平。
目前，新佳電子車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅功率模塊已成功進(jìn)入比亞迪、吉利等多家知名車(chē)企供應(yīng)鏈，同時(shí)正積極拓展風(fēng)光儲(chǔ)能、智能電控、智能電網(wǎng)等新興領(lǐng)域市場(chǎng)。
公司相關(guān)負(fù)責(zé)人表示，二期項(xiàng)目全部達(dá)產(chǎn)后，可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)功率半導(dǎo)體模塊1200萬(wàn)只、產(chǎn)值20億元的目標(biāo)。
碳化硅產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目熱潮涌動(dòng)
2026年1月，#浙江堅(jiān)膜科技有限公司 與#福建浦城 簽約的碳化硅膜高端裝備項(xiàng)目進(jìn)入廠房選址階段，正式啟動(dòng)產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。
該項(xiàng)目將建設(shè)兩條碳化硅膜高端裝備組裝生產(chǎn)線，涵蓋核心設(shè)備加工、精密制造、系統(tǒng)集成等全鏈條服務(wù)，全面投產(chǎn)后預(yù)計(jì)年產(chǎn)值突破2000萬(wàn)元。
項(xiàng)目依托企業(yè)自主研發(fā)的重結(jié)晶燒結(jié)技術(shù)與純質(zhì)碳化硅膜制備技術(shù)，產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于飲用水凈化、海水淡化、工業(yè)污水資源化回用等場(chǎng)景，技術(shù)水平處于國(guó)內(nèi)領(lǐng)先地位，已構(gòu)筑34項(xiàng)相關(guān)專利的技術(shù)體系。
2026年1月4日，士蘭微在廈門(mén)海滄區(qū)舉行8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線通線儀式，該產(chǎn)線為企業(yè)自主研發(fā)且規(guī)?；慨a(chǎn)的8英寸碳化硅芯片生產(chǎn)線，成功突破多項(xiàng)核心工藝難題。
項(xiàng)目總投資120億元，分兩期建設(shè)，一期設(shè)計(jì)產(chǎn)能每年42萬(wàn)片晶圓，一二期全部達(dá)產(chǎn)后將形成年產(chǎn)72萬(wàn)片晶圓的生產(chǎn)能力，重點(diǎn)服務(wù)于新能源電動(dòng)汽車(chē)、光伏、儲(chǔ)能、充電樁等應(yīng)用場(chǎng)景，可滿足國(guó)內(nèi)40%以上的車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅芯片需求。
2026年1月9日，無(wú)錫高新區(qū)官方發(fā)布消息，#基本半導(dǎo)體 車(chē)規(guī)級(jí)第三代半導(dǎo)體研發(fā)制造總部基地項(xiàng)目已正式簽約落戶。
作為國(guó)內(nèi)碳化硅功率器件領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，基本半導(dǎo)體已掌握碳化硅芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、模塊封裝等核心技術(shù)，其汽車(chē)級(jí)碳化硅功率模塊產(chǎn)線已實(shí)現(xiàn)全面量產(chǎn)，累計(jì)出貨碳化硅功率器件超3000萬(wàn)顆，服務(wù)全球數(shù)百家客戶。
此次簽約的總部基地項(xiàng)目，將聚焦車(chē)規(guī)級(jí)第三代半導(dǎo)體研發(fā)與制造，進(jìn)一步強(qiáng)化無(wú)錫高新區(qū)在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)布局。
結(jié)語(yǔ)
2026年開(kāi)年以來(lái)碳化硅產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目的密集落地與推進(jìn)，是我國(guó)新能源產(chǎn)業(yè)升級(jí)需求、核心技術(shù)突破與政策引導(dǎo)共振的必然結(jié)果。
此外，碳化硅作為第三代半導(dǎo)體核心材料的戰(zhàn)略價(jià)值——其在新能源汽車(chē)、光伏儲(chǔ)能等領(lǐng)域的應(yīng)用已進(jìn)入規(guī)?；l(fā)期，市場(chǎng)需求為產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供了強(qiáng)勁牽引力。
未來(lái)，隨著更多項(xiàng)目落地投產(chǎn)，我國(guó)碳化硅產(chǎn)業(yè)將實(shí)現(xiàn)從“跟跑”向“并跑”“領(lǐng)跑”的跨越，為新能源產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展與高端制造業(yè)升級(jí)提供核心支撐。
（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）
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]]>根據(jù)協(xié)議，三方將同相關(guān)方共同出資設(shè)立“武漢星曦光科技有限公司”。未來(lái)，三方將整合各自在車(chē)載照明、芯片研發(fā)制造及化合物半導(dǎo)體研發(fā)的優(yōu)勢(shì)，通過(guò)技術(shù)協(xié)同打破壁壘，共同推進(jìn)Micro-LED車(chē)載照明、光通信、AI顯示等前沿技術(shù)的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。
同時(shí)，三方還將重點(diǎn)圍繞技術(shù)協(xié)同研發(fā)與課題攻關(guān)、聯(lián)合申報(bào)重點(diǎn)項(xiàng)目、人才培養(yǎng)交流、項(xiàng)目孵化、供應(yīng)鏈深度協(xié)作等方面開(kāi)展務(wù)實(shí)戰(zhàn)略合作，實(shí)現(xiàn)“車(chē)載應(yīng)用場(chǎng)景+前沿技術(shù)研發(fā)+芯片制造能力”的深度融合，共同構(gòu)建從技術(shù)創(chuàng)新到產(chǎn)業(yè)落地的完整生態(tài)鏈。
芯聯(lián)集成是國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的具備車(chē)規(guī)級(jí)IGBT/SiC芯片及模組和數(shù)?；旌细邏耗M芯片生產(chǎn)能力的一站式系統(tǒng)代工解決方案提供商，是國(guó)內(nèi)重要的AI、車(chē)規(guī)、高端工業(yè)控制和消費(fèi)芯片及模組制造基地。
星宇股份是中國(guó)車(chē)燈行業(yè)的知名企業(yè)，擁有完整的自主研發(fā)體系和強(qiáng)大的設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)制造能力，產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于國(guó)內(nèi)外主流汽車(chē)品牌。
九峰山實(shí)驗(yàn)室則是全球領(lǐng)先的化合物半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)，在光電材料與器件領(lǐng)域擁有深厚的技術(shù)積累和開(kāi)放的工藝平臺(tái)，是集成電路領(lǐng)域唯一的一家國(guó)家級(jí)制造業(yè)中試平臺(tái)。
九峰山實(shí)驗(yàn)室主任丁琪超表示，與星宇股份、芯聯(lián)集成的合作，將打通從基礎(chǔ)研究到產(chǎn)業(yè)應(yīng)用的最后一公里，讓更多創(chuàng)新成果走出實(shí)驗(yàn)室、走向市場(chǎng)，為我國(guó)光電產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展貢獻(xiàn)力量。
（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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圖片來(lái)源：2025年度廣東省中試平臺(tái)認(rèn)定名單截圖
此次獲批的“廣東省化合物功率半導(dǎo)體中試平臺(tái)”具備研發(fā)、中試與產(chǎn)業(yè)化能力，平臺(tái)構(gòu)建了從器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、工藝開(kāi)發(fā)到產(chǎn)品測(cè)試的全流程的中試服務(wù)體系，能有效破解行業(yè)技術(shù)轉(zhuǎn)化瓶頸，加速高性能芯片國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程，為新能源汽車(chē)、軌道交通、智能電網(wǎng)、5G通信等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)提供核心技術(shù)支撐。作為連接實(shí)驗(yàn)室技術(shù)成果與產(chǎn)業(yè)化規(guī)?；a(chǎn)的“關(guān)鍵橋梁”，化合物功率半導(dǎo)體中試平臺(tái)精準(zhǔn)聚焦行業(yè)痛點(diǎn)，降低科技成果轉(zhuǎn)化風(fēng)險(xiǎn)，加速創(chuàng)新產(chǎn)品落地，賦能產(chǎn)業(yè)鏈升級(jí)。
平湖實(shí)驗(yàn)室表示，下一步將持續(xù)高標(biāo)準(zhǔn)推進(jìn)平臺(tái)建設(shè)運(yùn)營(yíng)，開(kāi)放共享中試資源，匯聚國(guó)內(nèi)外創(chuàng)新力量，深化與上下游企業(yè)、高校及科研機(jī)構(gòu)的協(xié)同合作，加快形成新質(zhì)生產(chǎn)力，有力支撐廣東省半導(dǎo)體行業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。
資料顯示，深圳平湖實(shí)驗(yàn)室成立于2022年8月，下設(shè)多個(gè)先進(jìn)功率半導(dǎo)體課題組及相關(guān)管理支撐部門(mén)。實(shí)驗(yàn)室采取開(kāi)放共享的運(yùn)行模式，積極開(kāi)展國(guó)內(nèi)外科技合作和學(xué)術(shù)交流，建設(shè)面向全國(guó)的公共、開(kāi)放、共享的平臺(tái)，涉及8英寸SiC、GaN芯片，核心裝備及零部件和材料驗(yàn)證，材料研究及器件測(cè)試與認(rèn)證共享服務(wù)與科技服務(wù)共享四大技術(shù)平臺(tái)，瞄準(zhǔn)五大應(yīng)用方向：新能源汽車(chē)與軌道交通電驅(qū)動(dòng)、新型電力系統(tǒng)、新一代通信和數(shù)據(jù)中心的基礎(chǔ)設(shè)施供電、消費(fèi)類電子和通用電源、特種裝備及其它。
2025年11月，深圳平湖實(shí)驗(yàn)室第三代躍升課題組在碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（SiC JFET）技術(shù)研發(fā)上取得重要進(jìn)展，成功研發(fā)出的750V平面型SiC JFET器件，技術(shù)指標(biāo)達(dá)到了國(guó)際先進(jìn)水平。
2025年12月，深圳平湖實(shí)驗(yàn)室表示在高壓650V氮化鎵（GaN）功率器件領(lǐng)域取得關(guān)鍵進(jìn)展，成功研制出高性能高壓GaN E-HEMT（增強(qiáng)型高電子遷移率晶體管）器件，關(guān)鍵性能達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，可為數(shù)據(jù)中心一次電源、工業(yè)機(jī)器人、車(chē)載OBC提供有競(jìng)爭(zhēng)力的解決方案。
同期，在國(guó)家科技重大專項(xiàng)支持下，深圳平湖實(shí)驗(yàn)室在高壓1200V級(jí)GaN功率器件領(lǐng)域取得關(guān)鍵性突破，首次在8英寸Si襯底上實(shí)現(xiàn)了超過(guò)8μm的低翹曲GaN外延，成功驗(yàn)證了1200V等級(jí)科研小器件電性，關(guān)鍵性能達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，為提升數(shù)據(jù)中心800V母線供電、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)等關(guān)鍵產(chǎn)業(yè)的核心元器件自主供應(yīng)能力奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。
（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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]]>國(guó)內(nèi)方面，晶盛機(jī)電子公司浙江晶瑞電子材料有限公司實(shí)現(xiàn)12英寸碳化硅襯底TTV≤1μm突破；國(guó)際方面，Wolfspeed宣布成功制造出單晶12英寸碳化硅晶圓。
01、晶盛機(jī)電實(shí)現(xiàn)12英寸碳化硅襯底TTV≤1μm突破
1月13日，晶盛機(jī)電官微宣布，依托自主搭建的12英寸中試線，其子公司浙江晶瑞電子材料有限公司（以下簡(jiǎn)稱“浙江晶瑞SuperSiC”）于近日成功實(shí)現(xiàn)12英寸碳化硅襯底厚度均勻性（TTV）≤1μm的關(guān)鍵技術(shù)突破。
圖片來(lái)源：晶盛機(jī)電
碳化硅憑借高禁帶寬度、高熱導(dǎo)率、高耐壓等優(yōu)異特性，已成為新能源汽車(chē)、光伏儲(chǔ)能、智能電網(wǎng)等高壓高頻場(chǎng)景的關(guān)鍵支撐材料，而隨著AI/AR眼鏡、先進(jìn)封裝等新興領(lǐng)域的崛起，大尺寸碳化硅襯底的需求愈發(fā)迫切。
但大尺寸化進(jìn)程中，厚度均勻性控制始終是技術(shù)攻堅(jiān)難點(diǎn)——碳化硅莫氏硬度高達(dá)9.5，僅次于鉆石，精密加工難度極大，尤其12英寸襯底在后道光刻、先進(jìn)封裝鍵合等工藝中，對(duì)TTV的控制精度提出了嚴(yán)苛要求。
此次晶盛機(jī)電實(shí)現(xiàn)的12英寸碳化硅襯底TTV≤1μm突破，核心依托于其“裝備+材料”的協(xié)同創(chuàng)新優(yōu)勢(shì)。
2025年9月，浙江晶瑞SuperSiC搭建的12英寸碳化硅中試線正式通線。據(jù)了解，該中試線已實(shí)現(xiàn)從晶體生長(zhǎng)、激光切割、減薄、拋光到清洗、檢測(cè)的全流程覆蓋，且核心加工與檢測(cè)設(shè)備100%國(guó)產(chǎn)化，其中高精密減薄機(jī)、雙面精密研磨機(jī)等關(guān)鍵設(shè)備均為晶盛機(jī)電自主研發(fā)，性能指標(biāo)達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平。
圖片來(lái)源：晶盛機(jī)電
晶盛機(jī)電表示，針對(duì)12英寸碳化硅TTV控制的行業(yè)痛點(diǎn)，晶盛機(jī)電研發(fā)中心與浙江晶瑞SuperSiC團(tuán)隊(duì)從減薄設(shè)備剛性、研磨和拋光盤(pán)形控制、減薄-研磨-拋光工藝對(duì)面形影響等多個(gè)維度協(xié)同攻關(guān)，最終達(dá)成TTV≤1μm的關(guān)鍵突破。
資料顯示，晶盛機(jī)電成立于2006年，是一家專注于半導(dǎo)體材料裝備、化合物半導(dǎo)體襯底材料制造的高新技術(shù)企業(yè)。浙江晶瑞SuperSiC是晶盛機(jī)電的全資子公司，成立于2014年5月，專注于化合物半導(dǎo)體材料的研發(fā)與生產(chǎn)。2024年9月，浙江晶瑞SuperSiC公司注冊(cè)資本由5億人民幣增至10億人民幣。
2025年5月，浙江晶瑞SuperSiC成功實(shí)現(xiàn)12英寸導(dǎo)電型碳化硅單晶生長(zhǎng)技術(shù)突破，首顆晶體直徑達(dá)309mm且質(zhì)量完好，基于自主研發(fā)的SiC單晶生長(zhǎng)爐及迭代升級(jí)的長(zhǎng)晶工藝，攻克溫場(chǎng)不均、晶體開(kāi)裂等核心難題，實(shí)現(xiàn)6-12英寸全尺寸長(zhǎng)晶技術(shù)自主可控。
2025年7月，浙江晶瑞SuperSiC(Malaysia)SdnBhd在馬來(lái)西亞檳城柏淡（Bertam）科技園舉辦新廠房奠基儀式。該新廠區(qū)占地面積達(dá)40000平方米，預(yù)計(jì)將在未來(lái)一年內(nèi)啟動(dòng)建設(shè)。根據(jù)規(guī)劃，項(xiàng)目一期完工后，將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)24萬(wàn)片8英寸碳化硅晶圓的產(chǎn)能。
02、Wolfspeed制造出單晶300mm碳化硅晶圓
當(dāng)?shù)貢r(shí)間1月13日，Wolfspeed宣布成功生產(chǎn)出單晶300毫米（12英寸）碳化硅晶圓。
圖片來(lái)源：Wolfspeed官網(wǎng)新聞稿
Wolfspeed的300毫米平臺(tái)將統(tǒng)一用于電力電子的高量碳化硅制造與高純度半絕緣基板的先進(jìn)能力，應(yīng)用于光學(xué)和射頻系統(tǒng)。這一融合將支持一種跨光學(xué)、光子、熱能和功率領(lǐng)域的新型晶圓尺度集成。
依托全球碳化硅領(lǐng)域規(guī)模最大、基礎(chǔ)最深厚的知識(shí)產(chǎn)權(quán)組合，Wolfspeed目前擁有超2300項(xiàng)已授權(quán)及待審專利，正加速推進(jìn)300毫米碳化硅技術(shù)的商業(yè)化進(jìn)程。
在Wolfspeed官方新聞稿中，Wolfspeed多次提及300毫米碳化硅技術(shù)對(duì)AI基礎(chǔ)設(shè)施、AR/VR以及其他先進(jìn)的電力設(shè)備應(yīng)用的變革性作用。
具體而言，在AI基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域，隨著數(shù)據(jù)處理負(fù)載攀升，數(shù)據(jù)中心電力需求激增，碳化硅材料優(yōu)異的導(dǎo)熱性與機(jī)械強(qiáng)度可精準(zhǔn)匹配高功率密度、高效散熱及能源效率提升的核心需求。
而在下一代AR/VR領(lǐng)域，其導(dǎo)熱性與光學(xué)折射可控特性，成為構(gòu)建緊湊輕薄、高亮度、廣視野設(shè)備多功能光學(xué)架構(gòu)的理想選擇。
同時(shí)，該技術(shù)還將為電網(wǎng)級(jí)高壓能量傳輸、下一代工業(yè)系統(tǒng)等場(chǎng)景提供先進(jìn)功率器件支撐，推動(dòng)相關(guān)組件向更小體積、更優(yōu)性能、更低發(fā)熱量方向升級(jí)。
當(dāng)前，300毫米碳化硅已成為全球半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)焦點(diǎn)。
據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體不完全觀察，截至目前國(guó)內(nèi)外已有15家企業(yè)成功制備12英寸碳化硅晶體或襯底，其中國(guó)內(nèi)廠商如#天岳先進(jìn)、#晶盛機(jī)電 等也在該領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)重要突破，全球碳化硅產(chǎn)業(yè)格局正加速重塑。
盡管現(xiàn)階段12英寸碳化硅晶體生長(zhǎng)仍處于技術(shù)突破早期，良率提升與成本優(yōu)化仍是行業(yè)共同面臨的挑戰(zhàn)，但隨著頭部企業(yè)持續(xù)研發(fā)投入及下游新興應(yīng)用需求拉動(dòng)，其技術(shù)成熟與商業(yè)化進(jìn)程有望持續(xù)加速。
03、結(jié)語(yǔ)
行業(yè)普遍認(rèn)為，12英寸碳化硅技術(shù)的突破具有關(guān)鍵產(chǎn)業(yè)價(jià)值。相較于當(dāng)前主流的6英寸、8英寸產(chǎn)品，12英寸碳化硅襯底及晶圓可顯著提升單片芯片產(chǎn)出量。數(shù)據(jù)顯示，12英寸產(chǎn)品單片晶圓芯片產(chǎn)出量較8英寸增加約2.5倍，能大幅降低長(zhǎng)晶、加工及下游器件制造的單位成本。
此次國(guó)內(nèi)外兩大突破，不僅印證了12英寸碳化硅技術(shù)的可行性，更將加速碳化硅材料在新能源汽車(chē)、可再生能源發(fā)電、數(shù)據(jù)中心供電模塊、5G/6G射頻器件、AR/VR光學(xué)模組等領(lǐng)域的規(guī)?；瘧?yīng)用，為全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入強(qiáng)勁動(dòng)力。
（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）
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]]>中科光智成都子公司主要聚焦研發(fā)與制造高精度貼片機(jī)、光通信封裝關(guān)鍵設(shè)備以及用于顯示封裝等領(lǐng)域的設(shè)備，解決高端封裝領(lǐng)域尤其是第三代半導(dǎo)體（如碳化硅）的工藝難題，致力于成為國(guó)產(chǎn)高端封裝裝備的領(lǐng)先供應(yīng)商。
資料顯示，中科光智成立于2021年，專注于半導(dǎo)體封裝設(shè)備領(lǐng)域。憑借多年研發(fā)積累，公司率先在國(guó)內(nèi)推出用于高可靠性SiC芯片封裝的預(yù)貼片和納米銀燒結(jié)設(shè)備，并于2024年陸續(xù)導(dǎo)入客戶SiC模塊產(chǎn)線。
2025年末，媒體報(bào)道中科光智已經(jīng)完成B輪融資首家簽約并獲數(shù)千萬(wàn)元投資，碳化硅芯片封裝設(shè)備研發(fā)制造中心正式落地成都金牛，將填補(bǔ)區(qū)域半導(dǎo)體制造后道環(huán)節(jié)空白。
根據(jù)規(guī)劃，該項(xiàng)目不僅涵蓋高精度全自動(dòng)貼片機(jī)及納米銀壓力燒結(jié)機(jī)等核心設(shè)備的研發(fā)、制造、銷(xiāo)售與結(jié)算，還將同步打造半導(dǎo)體封裝測(cè)試驗(yàn)證公共服務(wù)平臺(tái)。
（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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