圖片來源：歌爾股份——圖為50°大視場角碳化硅光波導(dǎo)模組F50Se
據(jù)介紹，F(xiàn)50Se模組創(chuàng)新采用高折射率的碳化硅光波導(dǎo)材料，突破傳統(tǒng)玻璃基底30°視場角的物理限制，達(dá)到50°超大視場角。
同時，通過創(chuàng)新光柵設(shè)計與干法刻蝕工藝，有效消除AR光波導(dǎo)顯示中常見的殘影和彩虹紋干擾，顯著提升視覺純凈度；搭配全彩小型化LCoS光機(jī)，可實現(xiàn)1500尼特以上入眼亮度。通過系列創(chuàng)新，為輕薄型AR眼鏡提供兼具虛擬大屏、全彩色與高亮度的關(guān)鍵光學(xué)解決方案，提升觀影和娛樂場景體驗。
作為第三代半導(dǎo)體核心材料，碳化硅憑借高折射率、高熱導(dǎo)率的雙重優(yōu)勢，正成為破解AR眼鏡顯示瓶頸的關(guān)鍵材料，為行業(yè)技術(shù)迭代提供核心支撐。
其折射率可達(dá)2.6以上，遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)玻璃（最高約1.9）與樹脂材料（最高約1.74），能有效約束光線傳播、擴(kuò)大視場角；同時，高折射率特性可壓縮光的有效波長、降低光柵周期，將環(huán)境光衍射角度移出人眼觀察范圍，從根源上緩解全彩顯示中常見的彩虹紋色散問題。
此外，碳化硅熱導(dǎo)率約490W/m·K，遠(yuǎn)超玻璃（約1W/m·K），可快速傳導(dǎo)光機(jī)模塊熱量，支持高亮度顯示與長時間穩(wěn)定運行，還能簡化設(shè)備散熱設(shè)計、降低整機(jī)重量復(fù)雜度，為AR眼鏡輕薄化、高性能化升級奠定基礎(chǔ)。
歌爾光學(xué)在2025年9月CIOE展會上首發(fā)刻蝕全彩衍射光波導(dǎo)模組，厚度0.65mm、重量3.5g，采用全貼合技術(shù)消除空氣層，30°視場角內(nèi)無彩虹紋，透過率表現(xiàn)優(yōu)異；此次SPIE大會首發(fā)的F50Se模組，進(jìn)一步將視場角提升至50°，形成消費級與專業(yè)級全覆蓋的產(chǎn)品矩陣。
除歌爾光學(xué)外，碳化硅光波導(dǎo)技術(shù)也在行業(yè)內(nèi)形成多點落地態(tài)勢。
秋果計劃Wigain Omnision XR眼鏡于2025年11月上市，據(jù)稱這是國內(nèi)首款深度整合大模型的消費級碳化硅AR設(shè)備，搭載全彩碳化硅波導(dǎo)光學(xué)模組，視場角50°、入眼亮度900nit。
2025年2月，天科合達(dá)與慕德微納在徐州簽署投資合同并共同出資成立合資公司，聚焦AR衍射光波導(dǎo)鏡片的技術(shù)研發(fā)與市場推廣。雙方于同年3月的Semicon China展會上，共同展示了搭載碳化硅光波導(dǎo)技術(shù)的AR眼鏡演示機(jī)，標(biāo)志著合作成果進(jìn)入場景化驗證階段。
（集邦化合物半導(dǎo)體 Niko 整理）
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圖片來源：第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)戰(zhàn)略聯(lián)盟
資料顯示，早在2010年，格力電器便建立了IPM功率模塊生產(chǎn)線，2018年格力零邊界公司成立，聚焦芯片設(shè)計業(yè)務(wù)。2023年，格力電器設(shè)立珠海格力電子元器件有限公司，主要負(fù)責(zé)第三代半導(dǎo)體碳化硅晶圓制造、功率器件封裝測試、半導(dǎo)體檢測及相關(guān)產(chǎn)品服務(wù)，產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于商業(yè)空調(diào)、家用空調(diào)、生活家電、新能源汽車、光伏儲能、充電樁等領(lǐng)域。
珠海格力電子元器件有限公司擁有全球領(lǐng)先的全自動化第三代半導(dǎo)體碳化硅芯片生產(chǎn)線，并配套建設(shè)行業(yè)首座超級能源站，工廠核心設(shè)備國產(chǎn)化率超70%，集成AI缺陷檢測系統(tǒng)，實現(xiàn)“外延片-晶圓-封裝”全流程自主可控。
2025年，珠海格力電子元器件有限公司完成SiC二極管和MOSFET的AEC-Q101認(rèn)證(含高溫反偏測試、功率溫度循環(huán)等)，工廠通過ISO9001質(zhì)量體系認(rèn)證、ANSI/ESD、S20.20-2021靜電防護(hù)管理體系IATF16949汽車質(zhì)量管理體系認(rèn)證，已具備生產(chǎn)高可靠性家電芯片和車規(guī)級芯片的能力。
目前，格力碳化硅芯片已經(jīng)裝機(jī)出貨超過200萬臺空調(diào)，可以實現(xiàn)溫度降低和能效提升。格力用在光伏、儲能產(chǎn)品上的碳化硅器件，也可助力溫度降低和能效提升，2026年將量產(chǎn)。此外，格力用于中央空調(diào)冷水機(jī)組、物流車的碳化硅器件，也能實現(xiàn)能效提升，2026年也將陸續(xù)量產(chǎn)。
馮尹表示，格力的碳化硅工廠建設(shè)了6英寸、8英寸兼容機(jī)臺，具備全自動化天車系統(tǒng)，提供滿足車規(guī)級要求的測試服務(wù)。同時，格力碳化硅芯片工廠提供對外的代工流片服務(wù)。
針對當(dāng)前碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀，馮尹表示公司還面臨行業(yè)低價競爭、芯片推廣過程中客戶認(rèn)為公司產(chǎn)品價格高、以及機(jī)臺設(shè)備配件仍依賴進(jìn)口等痛點，對此其表示希望加強對外合作，協(xié)助更多芯片設(shè)計公司流片、與供應(yīng)商一起打通行業(yè)堵點。
值得一提的是，媒體此前報道，格力電器董事長董明珠在接待廣汽集團(tuán)董事長馮興亞時笑言，未來廣汽的汽車芯片中一半由格力產(chǎn)品替代。
上述言論很快在業(yè)界掀起熱議，對此廣汽集團(tuán)迅速給出回應(yīng)。
圖片來源：廣汽集團(tuán)官方微博
廣汽集團(tuán)發(fā)布官方微博表示，近期不少朋友關(guān)注廣汽與格力的合作動態(tài)，針對網(wǎng)傳“未來廣汽集團(tuán)的汽車芯片中一半由格力芯片替代”內(nèi)容，相關(guān)網(wǎng)傳表述并非事實。
廣汽集團(tuán)稱，2026年1月15日，廣汽集團(tuán)董事長馮興亞率隊訪問格力電器，與董事長董明珠及管理團(tuán)隊共商“人車家”智慧生態(tài)融合發(fā)展，探討產(chǎn)業(yè)協(xié)同。后續(xù)如有合作的具體進(jìn)展，公司會第一時間通過官方渠道發(fā)布。
（集邦化合物半導(dǎo)體 秦妍 整理）
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圖片來源：三菱電機(jī)官網(wǎng)新聞稿
相關(guān)產(chǎn)品將于1月21-23日在東京第40屆Nepcon Japan R&D and Manufacturing展首次公開亮相，并計劃在北美、歐洲、中國、印度等核心市場展會持續(xù)展出。
作為第三代半導(dǎo)體材料的核心應(yīng)用方向，SiC MOSFET憑借耐高溫、低損耗、高效率的特性，已成為新能源汽車及可再生能源領(lǐng)域的關(guān)鍵器件。
三菱電機(jī)自2010年起布局SiC功率半導(dǎo)體模塊業(yè)務(wù)，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于空調(diào)、工業(yè)設(shè)備及鐵路車輛逆變系統(tǒng)，此次推出的溝槽型裸片則是對其現(xiàn)有技術(shù)體系的重要升級。據(jù)官方資料顯示，四款新品均采用750V額定電壓設(shè)計，導(dǎo)通電阻覆蓋20mΩ、40mΩ、60mΩ、80mΩ四個檔位，型號分別為WF0020P-0750AA、WF0040P-0750AA、WF0060P-0750AA及WF0080P-0750AA，可滿足不同功率等級器件的封裝需求。
據(jù)悉，在封裝適配性與環(huán)保性方面，新品表面電極支持焊接連接，背電極兼容焊接鍵合與銀燒結(jié)鍵合兩種工藝，為下游廠商提供靈活的封裝解決方案，可廣泛集成于各類功率器件中。產(chǎn)品嚴(yán)格符合RoHS指令（2011/65/EU，(EU) 2015/863）要求，在性能提升的同時實現(xiàn)綠色環(huán)保設(shè)計，契合全球新能源產(chǎn)業(yè)的發(fā)展趨勢。
（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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圖片來源：天域半導(dǎo)體
基于此次合作，雙方將整合各自優(yōu)勢資源——天域半導(dǎo)體在碳化硅材料領(lǐng)域的深厚積累，以及青禾晶元在鍵合設(shè)備定制與優(yōu)化方面的專長，攜手推進(jìn)鍵合材料（涵蓋鍵合碳化硅（bonded SiC）、絕緣體上硅（SOI）、絕緣體上壓電基板（POI）以及超大尺寸（12英寸及以上）SiC復(fù)合散熱基板等）的工藝研發(fā)與技術(shù)革新。
根據(jù)合作協(xié)議，天域半導(dǎo)體將負(fù)責(zé)bonded SiC、SOI、POI、12英寸SiC復(fù)合散熱基板及中介層等鍵合材料的工藝開發(fā)及規(guī)?；a(chǎn)導(dǎo)入工作。青禾晶元則承諾為天域半導(dǎo)體提供離子注入、晶圓級鍵合、精密拋光、晶體修復(fù)及剝離等關(guān)鍵設(shè)備，并給予相應(yīng)的技術(shù)支持。此次攜手，旨在充分發(fā)揮雙方在各自領(lǐng)域的專長，助力天域半導(dǎo)體在鍵合材料領(lǐng)域的技術(shù)實力再上新臺階，從而穩(wěn)固并擴(kuò)大其市場版圖。
此次合作，不僅是技術(shù)層面的深度融合，更是天域半導(dǎo)體順應(yīng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展潮流，進(jìn)行的一次前瞻性戰(zhàn)略布局。近年來，全球半導(dǎo)體行業(yè)的競爭焦點正逐步從傳統(tǒng)硅材料向碳化硅、氮化鎵等第三代半導(dǎo)體材料轉(zhuǎn)移。新能源汽車、光伏發(fā)電、5G通信等產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，對高性能功率器件的需求日益增長，而這些器件的核心材料正是碳化硅及其復(fù)合基板。天域半導(dǎo)體與青禾晶元的合作，正是對這一行業(yè)趨勢的精準(zhǔn)把握。
鍵合技術(shù)，作為一種將不同材料緊密結(jié)合的工藝，正成為推動新一代芯片性能躍升的關(guān)鍵因素。以SOI（絕緣體上硅）為例，其獨特的“三明治”結(jié)構(gòu)能有效減少漏電流和寄生電容，使芯片運行更快、更節(jié)能、更抗輻射，廣泛應(yīng)用于人工智能、5G通信、汽車電子及航空航天等領(lǐng)域。而POI（絕緣體上壓電基板）則在聲學(xué)和光學(xué)器件中發(fā)揮著重要作用，如噪聲監(jiān)測、TWS耳機(jī)主動降噪、醫(yī)學(xué)成像及高分辨率顯示等。
至于Bonded SiC（鍵合碳化硅），其優(yōu)勢尤為突出：一方面，它能顯著提高高質(zhì)量碳化硅單晶的利用率，一片標(biāo)準(zhǔn)厚度的單晶拋光片可制造出50片以上的鍵合拋光片；另一方面，它能降低功率器件的導(dǎo)通電阻，優(yōu)化電學(xué)性能。更值得一提的是，鍵合技術(shù)有望成為解決AI芯片散熱難題的關(guān)鍵工藝，臺積電、英偉達(dá)等行業(yè)巨頭已在此領(lǐng)域展開探索，未來或?qū)⒋呱f片級的市場需求。天域半導(dǎo)體已在金剛石、GaN、AlN等前沿材料上實現(xiàn)了鍵合晶片的制備，進(jìn)一步拓寬了技術(shù)應(yīng)用的邊界。
展望未來，天域半導(dǎo)體將繼續(xù)以技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)升級為核心驅(qū)動力，在保持碳化硅外延片領(lǐng)先優(yōu)勢的同時，積極探索更廣泛的材料應(yīng)用與解決方案。隨著與青禾晶元合作的不斷深入，天域半導(dǎo)體有望在先進(jìn)鍵合材料領(lǐng)域構(gòu)建起新的技術(shù)壁壘，推動整個產(chǎn)業(yè)鏈的升級發(fā)展，為中國半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)的崛起貢獻(xiàn)重要力量。
（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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]]>1、芯元基半導(dǎo)體B+輪融資
根據(jù)天眼查APP于1月7日公布的信息整理，上海芯元基半導(dǎo)體科技有限公司B+輪融資，融資額未披露，參與投資的機(jī)構(gòu)包括金橋基金，泥藕資本，創(chuàng)谷資本。
圖片來源：天眼查信息截圖
資料顯示，芯元基半導(dǎo)體是一家半導(dǎo)體元件研發(fā)生產(chǎn)商，主要從事以GaN為主的第三代半導(dǎo)體材料和電子器件的生產(chǎn)、銷售，擁有LED芯片DPSS復(fù)合襯底、藍(lán)寶石襯底化學(xué)剝離和WLP晶圓級封裝等系列LED芯片生產(chǎn)技術(shù)。
2、能訊半導(dǎo)體完成D輪融資
蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“能訊半導(dǎo)體”）近日完成D輪融資，由池州產(chǎn)投和九華恒創(chuàng)聯(lián)合投資，融資額未披露。
圖片來源：企查查信息截圖
能訊半導(dǎo)體創(chuàng)立于2011年，總部位于江蘇昆山，是一家射頻氮化鎵芯片制造服務(wù)商。目前，能訊半導(dǎo)體已構(gòu)建了覆蓋氮化鎵外延生長、芯片設(shè)計、晶圓制造、封裝測試、可靠性與應(yīng)用電路的全產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)體系，包括：外延生長、工藝開發(fā)、晶圓制造、封裝測試及可靠性等方面，具有0.45μm、0.25μm、0.15μm、0.1μm工藝制程能力。
2025年12月，能訊半導(dǎo)體8英寸氮化鎵晶圓制造項目簽約落戶安徽池州經(jīng)開區(qū)。2026年1月，西安電子科技大學(xué)聯(lián)合能訊半導(dǎo)體在IEDM發(fā)布超高功率密度GaN射頻器件技術(shù)，在10GHz工作頻率、115V高漏壓條件下，實驗器件輸出了41W/mm的飽和功率密度。
3、序輪科技完成A3、A4輪戰(zhàn)略融資
近期，北京序輪科技有限公司（以下簡稱“序輪科技”）于近日完成總額超億元的A3、A4輪戰(zhàn)略融資，投資機(jī)構(gòu)包括北方華創(chuàng)旗下產(chǎn)業(yè)基金諾華資本、北京電控產(chǎn)投基金與前海方舟基金投資。
資金將重點投入于產(chǎn)線與配套體系的升級，以把握市場規(guī)模化上量的關(guān)鍵機(jī)遇；同時，也將在研發(fā)創(chuàng)新與人才建設(shè)上持續(xù)加碼，為長期競爭力提供堅實支撐。
資料顯示，序輪科技專注于半導(dǎo)體先進(jìn)封裝工藝所需的高分子膠膜/膠帶材料，包括UV減粘膜、DAF（芯片貼裝膠膜）、IBF絕緣堆積膜，新能源汽車用功能膠帶、以及液體和薄膜類集成電路塑封料等，產(chǎn)品已全面覆蓋晶圓減薄、切割、芯片貼裝與堆疊、2.5D/3D封裝等關(guān)鍵工藝，廣泛應(yīng)用于射頻、算力、存儲芯片等高端制造領(lǐng)域。
目前，序輪科技產(chǎn)能可達(dá)對應(yīng)約5億元銷售額的規(guī)模。
（集邦化合物半導(dǎo)體 Flora 整理）
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]]>8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底研發(fā)取得新進(jìn)展，將加速產(chǎn)能建設(shè)與釋放
露笑科技表示，公司已全面掌握8英寸導(dǎo)電型碳化硅晶體生長工藝參數(shù)之間的耦合關(guān)系，成功生長出高質(zhì)量的8英寸碳化硅晶體。晶體結(jié)晶質(zhì)量高，晶型控制穩(wěn)定，確保了襯底的高性能和一致性。
圖片來源：露笑科技
公司在8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底的關(guān)鍵參數(shù)，包括微管密度、表面粗糙度、位錯密度、電阻率分布均勻性等，均已達(dá)到或優(yōu)于行業(yè)主流標(biāo)準(zhǔn)。其中，微管密度極低，表面質(zhì)量滿足客戶要求，為下游客戶制造高性能、高可靠性的碳化硅功率器件奠定了堅實基礎(chǔ)。
同時，公司擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的生長設(shè)備和核心技術(shù)，實現(xiàn)了從原料合成、晶體生長、到襯底加工的全產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)布局。公司已建立起可重復(fù)的8英寸碳化硅襯底制造工藝體系，技術(shù)成熟度高。
目前，露笑科技合肥基地一期項目已順利投產(chǎn)，為公司提供了堅實的基礎(chǔ)產(chǎn)能。在此基礎(chǔ)上，公司正積極籌劃二期擴(kuò)產(chǎn)項目。二期項目將重點聚焦于8英寸襯底及外延片的產(chǎn)線建設(shè)，旨在快速形成規(guī)?；a(chǎn)能力，以滿足新能源汽車、光伏發(fā)電、儲能及工業(yè)控制等領(lǐng)域?qū)Ω咝阅?英寸碳化硅襯底日益增長的市場需求。
未來，露笑科技將前瞻性地布局下一代碳化硅技術(shù)，積極探索更大尺寸襯底的研發(fā)，致力于保持在行業(yè)內(nèi)的技術(shù)領(lǐng)先地位，鞏固公司的核心競爭優(yōu)勢。
“第三代功率半導(dǎo)體（碳化硅）產(chǎn)業(yè)園項目”的募集資金計劃投資總額下調(diào)
1月16日，露笑科技發(fā)布公告表示，公司擬將“第三代功率半導(dǎo)體（碳化硅）產(chǎn)業(yè)園項目”的募集資金計劃投資總額，從19.4億元下調(diào)至9.9億元，由此節(jié)余的9.5億元募集資金，將用于永久補充公司的流動資金。
圖片來源：露笑科技公告截圖
2020年8月，露笑科技與合肥市長豐縣人民政府簽署《戰(zhàn)略合作框架協(xié)議》，擬在長豐縣共同投資建設(shè)第三代功率半導(dǎo)體（碳化硅）產(chǎn)業(yè)園，主要建設(shè)國際領(lǐng)先的第三代功率半導(dǎo)體（碳化硅）的設(shè)備制造、長晶生產(chǎn)、襯底加工、外延制作等產(chǎn)業(yè)鏈的研發(fā)和生產(chǎn)基地
根據(jù)最新公告，公司董事會會議已審議通過議案，同意對“第三代功率半導(dǎo)體（碳化硅）產(chǎn)業(yè)園項目”（一期）的投資規(guī)模進(jìn)行調(diào)整。擬將總投資金額由21億元調(diào)整為11.50億元，募集資金計劃投資總額由19.40億元調(diào)整為9.90億元。
對此，露笑科技在公告中表示，該項目自規(guī)劃以來，行業(yè)總體競爭格局、市場環(huán)境發(fā)生了較大變化。首先，6英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底市場競爭日趨激烈。在國家產(chǎn)業(yè)政策支持和下游市場發(fā)展預(yù)期的驅(qū)動下，全球碳化硅襯底廠商產(chǎn)能擴(kuò)張速度加快，導(dǎo)致6英寸產(chǎn)品的產(chǎn)能快速釋放。
然而，自2024年以來，受宏觀經(jīng)濟(jì)環(huán)境、歐美新能源政策調(diào)整等因素影響，全球新能源汽車市場增速放緩，下游汽車廠商需求疲軟，并持續(xù)利用議價優(yōu)勢壓低產(chǎn)品價格。同時，光伏逆變、軌道交通等其他應(yīng)用領(lǐng)域雖然需求增長，但短期內(nèi)難以消化龐大的襯底產(chǎn)能。此外，8英寸等更大尺寸的碳化硅襯底片陸續(xù)面世，也對6英寸產(chǎn)品形成了技術(shù)和市場上的沖擊。
露笑科技認(rèn)為，在此背景下，如果繼續(xù)按照原計劃大規(guī)模投入建設(shè)，將大幅增加公司的固定成本和經(jīng)營風(fēng)險，不符合公司長遠(yuǎn)利益。公司判斷，調(diào)整投資規(guī)模后的產(chǎn)能，預(yù)計已能夠滿足現(xiàn)階段的發(fā)展需求，無需再按照原計劃進(jìn)行投入。
（集邦化合物半導(dǎo)體 秦妍 整理）
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]]>雷軍表示，現(xiàn)在小米反小字營銷，力求每一個事情都準(zhǔn)確。新一代小米SU7汽車的“碳化硅高壓平臺”都明確到了752V、897V等具體數(shù)字，沒有叫800V或者900V。
雷軍認(rèn)為，以前的350V叫400V是“行業(yè)陋習(xí)”，小米愿意接受更高標(biāo)準(zhǔn)的要求，不應(yīng)該開玩笑，也不應(yīng)該發(fā)牢騷，能用大字說明用大字說明、能寫完整的寫完整、能寫準(zhǔn)確的寫準(zhǔn)確，不要講行業(yè)過去怎么說。
資料顯示，小米新一代SU7車型即將于同年4月上市。新車在三電系統(tǒng)、智能駕駛等核心領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)全維升級，其中“全系標(biāo)配碳化硅高壓平臺”的配置策略，成為碳化硅半導(dǎo)體技術(shù)在中端豪華純電市場規(guī)模化應(yīng)用的重要里程碑。
具體而言，新車標(biāo)準(zhǔn)版、Pro版配備752V碳化硅高壓平臺，Max版升級為897V碳化硅高壓平臺；依托碳化硅材料高導(dǎo)熱、低損耗的優(yōu)異特性，新車形成梯度化超長續(xù)航矩陣，其中標(biāo)準(zhǔn)版CLTC續(xù)航720km、Pro版902km、Max版835km，最低能耗僅11.7kWh/100km。補能效率方面，Max版車型在常溫環(huán)境下自營充電樁實測可實現(xiàn)15分鐘最快補能CLTC續(xù)航670km的高效表現(xiàn)，大幅緩解用戶充電焦慮。
（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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]]>如果說此前十年，行業(yè)關(guān)注的焦點是如何從4英寸跨越到6英寸，以及解決8英寸襯底的良率瓶頸，那么2025年的主旋律則是“向下兼容硅基工藝生態(tài)”與“向上突破物理生長極限”。
隨著全球首款12英寸（300mm）SiC外延晶片的技術(shù)首發(fā)，以及長晶爐、切割設(shè)備、研磨拋光中試線的全面通線，一個由大尺寸驅(qū)動的成本革命正席回全球功率電子與光電產(chǎn)業(yè)鏈。
1、12英寸碳化硅為何成為“兵家必爭之地”？
在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，尺寸即效率，尺寸即成本，尺寸即戰(zhàn)略制高點。從6英寸向8英寸、12英寸演進(jìn)，是摩爾定律在功率器件領(lǐng)域的“另類延續(xù)”。據(jù)行業(yè)測算，相較8英寸產(chǎn)線，12英寸碳化硅襯底可在單位晶圓上提升約2.25倍的有效芯片數(shù)量，同時顯著降低單位芯片制造成本（CoO），并提升制造一致性與良率窗口。
更重要的是，12英寸平臺與主流硅基CMOS產(chǎn)線實現(xiàn)設(shè)備兼容（如光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、清洗機(jī)等），為SiC器件的“IDM+代工”融合模式打開通路，是實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)與國產(chǎn)替代的關(guān)鍵前提。
2025年，全球碳化硅產(chǎn)業(yè)正式進(jìn)入“12英寸技術(shù)驗證與客戶送樣”關(guān)鍵年。而中國在12英寸碳化硅領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了從“點狀突破”到“鏈?zhǔn)絽f(xié)同”的躍遷，形成了以襯底—外延—設(shè)備—工藝為核心的完整技術(shù)生態(tài)。
圖片來源：集邦化合物半導(dǎo)體制圖
2、襯底環(huán)節(jié)多元突破，技術(shù)迭代加速推進(jìn)
在襯底領(lǐng)域，國內(nèi)企業(yè)呈現(xiàn)出百花齊放的態(tài)勢，多家廠商圍繞晶體質(zhì)量提升、缺陷密度降低及成本控制展開差異化布局，推動國產(chǎn)襯底在性能與供給能力上的持續(xù)改善。
晶盛機(jī)電于2025年5月12日宣布，其子公司浙江晶瑞SuperSiC成功實現(xiàn)12英寸導(dǎo)電型碳化硅（SiC）單晶生長，首顆晶體直徑達(dá)309mm且質(zhì)量完好，標(biāo)志著中國在大尺寸晶體生長領(lǐng)域邁出關(guān)鍵一步。
圖片來源：浙江晶瑞SuperSiC 圖為首顆12英寸導(dǎo)電型碳化硅（SiC）單晶
緊隨其后，浙江晶越半導(dǎo)體于2025年7月23日宣布研制出高品質(zhì)12英寸SiC晶錠，2025年上半年以來，晶越半導(dǎo)體在熱場設(shè)計、籽晶粘接、厚度提升以及缺陷控制方面不斷調(diào)整和優(yōu)化工藝，成功進(jìn)入12英寸SiC襯底梯隊。
圖片來源：浙江晶越半導(dǎo)體有限公司
合盛硅業(yè)旗下寧波合盛新材料也同步推進(jìn)，在2025年年內(nèi)成功研發(fā)出12英寸導(dǎo)電型SiC單晶，并同步啟動了針對大尺寸晶體的切割、研磨、拋光等后道工藝的系統(tǒng)性研究，體現(xiàn)了其“材料+工藝”一體化的深度布局思路。
圖片來源：合盛硅業(yè) 左圖為12英寸晶片，右圖為12英寸晶錠
南砂晶圓則在2025年5月的行業(yè)大會上公開亮相了其12英寸導(dǎo)電型SiC襯底產(chǎn)品，成為國內(nèi)首家實現(xiàn)大尺寸襯底“實物化”并公開亮相的企業(yè)，引發(fā)了業(yè)界的廣泛關(guān)注。
2025年3月，天岳先進(jìn)更是攜全系列12英寸碳化硅襯底產(chǎn)品亮相上海，包括12英寸高純半絕緣型碳化硅襯底、12英寸導(dǎo)電P型及12英寸導(dǎo)電N型碳化硅襯底，展現(xiàn)了其全面的技術(shù)儲備和全品類供應(yīng)能力。
圖片來源：山東天岳先進(jìn)科技股份有限公司
2025年10月，天成半導(dǎo)體依托自主研發(fā)的12英寸碳化硅長晶設(shè)備成功研制出12英寸高純半絕緣碳化硅單晶材料，12英寸N型碳化硅單晶材料晶體有效厚度突破35mm厚。這一指標(biāo)對于制造高耐壓、大功率的電力電子器件至關(guān)重要，為下游應(yīng)用提供了更厚的有源層支撐。
圖片來源：天成半導(dǎo)體
科友半導(dǎo)體在2025年9月初成功制備出12英寸SiC晶錠后，于10月中旬再傳捷報，成功制備12英寸半絕緣碳化硅單晶，實現(xiàn)了雙路線的重大跨越。
圖片來源：科友半導(dǎo)體
環(huán)球晶（GlobalWafers） 2025年11月4日宣布，其12英寸SiC晶圓原型開發(fā)成功，并已正式進(jìn)入客戶送樣與驗證階段。同時，其方形SiC晶圓技術(shù)也取得了突破性進(jìn)展，為提升芯片切割利用率提供了創(chuàng)新性的解決方案。
圖片來源：環(huán)球晶官網(wǎng)新聞稿截圖
3、外延打通器件應(yīng)用關(guān)鍵鏈路
襯底之后，外延是決定器件性能的“最后一公里”。
瀚天天成于2025年12月重磅發(fā)布了全球首款12英寸SiC外延晶片技術(shù)。與此同時，晶盛機(jī)電也宣布向瀚天天成交付了12英寸單片式SiC外延設(shè)備，實現(xiàn)了“材料—設(shè)備—工藝”的完美閉環(huán)。
圖片來源：晶盛機(jī)電
目前，瀚天天成已啟動12英寸SiC外延晶片的批量供應(yīng)籌備工作。相關(guān)產(chǎn)品在關(guān)鍵性能指標(biāo)上表現(xiàn)優(yōu)異，其外延層厚度不均勻性控制在3%以內(nèi)，摻雜濃度不均勻性≤8%，2mm×2mm芯片良率大于96%，可充分滿足下游功率器件領(lǐng)域的高可靠性應(yīng)用需求。
4、SiC設(shè)備反向賦能材料創(chuàng)新
設(shè)備是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的“工業(yè)母機(jī)”，2025年，中國SiC設(shè)備企業(yè)集體崛起，成為12英寸突破的核心支撐力量。
晶升股份在年底壓軸登場，于2025年12月29日完成12英寸碳化硅單晶爐小批量發(fā)貨，正式交付客戶投入應(yīng)用。這一里程碑事件標(biāo)志著國產(chǎn)長晶設(shè)備已從前期的“技術(shù)驗證”階段，正式邁入“量產(chǎn)導(dǎo)入”的實戰(zhàn)階段。
圖片來源：晶升股份
晶馳機(jī)電則成功開發(fā)出電阻法12英寸晶體生長設(shè)備，為行業(yè)主流的PVT（物理氣相傳輸法）技術(shù)提供了新的設(shè)備路徑選擇。
圖片來源：晶馳機(jī)電
山東力冠攻克了12英寸PVT電阻加熱長晶爐的技術(shù)難關(guān)，其設(shè)備在高溫、高真空環(huán)境下的溫度場與氣流場穩(wěn)定性控制能力達(dá)到新高度。
在加工設(shè)備方面，#天晶智能 在2025年4月就推出了TJ320型超高速多線切割機(jī)，該設(shè)備專為12英寸SiC晶錠切割設(shè)計，有效解決了大尺寸晶錠切割效率低下的瓶頸問題，單臺年產(chǎn)能達(dá)20萬片，可滿足500輛新能源汽車的碳化硅電驅(qū)需求。
圖片來源：天晶智能 圖為天晶智能TJ3545多線切割機(jī)
西湖儀器與晟光硅研分別在激光剝離與水導(dǎo)激光加工領(lǐng)域取得突破，前者率先實現(xiàn)12英寸襯底激光剝離，后者完成了晶錠小批量加工驗證，為后續(xù)的薄片化、異構(gòu)集成等先進(jìn)工藝提供了關(guān)鍵的設(shè)備支撐。
圖片來源：西湖儀器
值得一提的是，晶飛半導(dǎo)體利用自研的激光剝離設(shè)備成功實現(xiàn)了12英寸晶圓的剝離，標(biāo)志著中國在“無損解理”這一高難度工藝環(huán)節(jié)實現(xiàn)了自主可控。
5、12英寸技術(shù)解鎖多元市場新空間
12英寸碳化硅技術(shù)的成熟正在打開新的市場空間。
在新能源汽車領(lǐng)域，大尺寸襯底可顯著提升功率器件的性能與可靠性，契合下游市場對高效節(jié)能的迫切需求。
AR眼鏡領(lǐng)域也成為12英寸SiC的重要增長極。SiC的高折射率可以使其以更薄的鏡片承載更大的視場角，并且一塊12英寸SiC晶圓可加工出8-9副AR眼鏡鏡片，生產(chǎn)效率呈幾何級數(shù)提升。
此外，在AI芯片先進(jìn)封裝領(lǐng)域，隨著AI模型規(guī)模的指數(shù)級增長，芯片功耗已突破極限。行業(yè)消息透露，頭部企業(yè)計劃在2027年前將CoWoS封裝中的硅中介層替換為碳化硅材料，以提升散熱效率、縮小封裝尺寸。
更值得關(guān)注的是，隨著12英寸半絕緣型襯底的突破，碳化硅在智能電網(wǎng)領(lǐng)域的應(yīng)用加速推進(jìn)，國家電網(wǎng)相關(guān)專家表示，電網(wǎng)對碳化硅器件的需求未來或?qū)⒖氨刃履茉雌囶I(lǐng)域，成為產(chǎn)業(yè)發(fā)展的新藍(lán)海。
6、結(jié)語
全球范圍內(nèi)，12英寸碳化硅領(lǐng)域仍不乏強有力的競爭對手，國際老牌巨頭憑借技術(shù)積淀維持著顯著的競爭優(yōu)勢。
Wolfspeed在2025年9月正式開啟200mm（8英寸）SiC材料的商業(yè)化投放，并已在2026年初成功演示了單晶12英寸SiC晶圓。#Coherent 亦在2025年12月宣布了其300mm SiC平臺的重大進(jìn)展，目標(biāo)直指AI數(shù)據(jù)中心的散熱管理。這種策略上的趨同反映出，12英寸SiC的主戰(zhàn)場已從單純的功率模塊延伸至熱管理與光電集成領(lǐng)域。
然而，中國產(chǎn)業(yè)也并非在同一條起跑線上被動追趕。我們擁有全球最活躍的新能源汽車與智能制造應(yīng)用市場，這為12英寸大尺寸產(chǎn)線提供了寶貴的嘗試空間。同時，國內(nèi)已形成的“材料-裝備-工藝”全鏈條協(xié)同創(chuàng)新機(jī)制，使得設(shè)備國產(chǎn)化與工藝改進(jìn)的響應(yīng)速度極快。
未來幾年，隨著產(chǎn)業(yè)鏈上下游的持續(xù)磨合與技術(shù)成熟度的不斷提升，國產(chǎn)12英寸SiC不僅將重塑國內(nèi)功率半導(dǎo)體格局，更將在全球高端制造版圖中占據(jù)舉足輕重的一席之地。
（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）
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]]>安徽10億元碳化硅項目簽約
1月13日，據(jù)“合肥高新發(fā)布”官方消息，合肥高新區(qū)在推動“產(chǎn)業(yè)先導(dǎo)區(qū)”建設(shè)方面取得重要進(jìn)展，思朗科技區(qū)域中心及3D科學(xué)計算中心等16個高質(zhì)量項目相繼簽約落地，總投資106.7億元。
圖片來源：合肥高新發(fā)布
其中包括總投資超10億元的碳化硅功率模塊封裝測試項目，該項目達(dá)產(chǎn)后預(yù)計年產(chǎn)值15億元、稅收1億元，有效支撐新能源汽車、光伏儲能等下游應(yīng)用。
合肥已集聚一批覆蓋碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié)的代表性企業(yè)，形成了從材料、器件到模塊、封測的產(chǎn)業(yè)生態(tài)雛形。
其中，#鈞聯(lián)電子 在2025年2月建成安徽省首條先進(jìn)工藝碳化硅車規(guī)功率模塊產(chǎn)線，新產(chǎn)線全面交付后，將形成年產(chǎn)20萬臺電控、10萬套電驅(qū)總成及100萬只功率模塊的綜合供應(yīng)能力。
合肥世紀(jì)金芯半導(dǎo)體成立于2019年，是第三代半導(dǎo)體碳化硅材料服務(wù)商，重點研發(fā)生產(chǎn)碳化硅單晶材料，已攻克高純碳化硅粉料提純、6-8 英寸碳化硅單晶制備等關(guān)鍵技術(shù)。
芯合半導(dǎo)體（合肥）有限公司是合肥產(chǎn)投旗下碳化硅功率半導(dǎo)體 IDM 企業(yè)，業(yè)務(wù)涵蓋 SiC 晶圓、MOSFET、SBD 及功率模塊研發(fā)生產(chǎn)，合肥八吋產(chǎn)線已成功產(chǎn)出晶圓，產(chǎn)品應(yīng)用于新能源汽車、光儲充等多個行業(yè)。
云南1000噸/年碳化硅制品項目落地
1月7日，昆明市生態(tài)環(huán)境發(fā)布了關(guān)于碳化硅陶瓷及非金屬復(fù)合材料加工銷售新建項目環(huán)境影響報告表的批復(fù)。標(biāo)志著云南劍峰新材料有限公司投資建設(shè)的1000噸/年碳化硅制品項目已完成關(guān)鍵環(huán)保審批流程，即將進(jìn)入實質(zhì)性建設(shè)階段。
圖片來源：公告截圖
據(jù)官方批復(fù)信息顯示，該項目全稱為“碳化硅陶瓷及非金屬復(fù)合材料加工銷售新建項目”，建設(shè)單位為#云南劍峰新材料有限公司，項目性質(zhì)為新建，選址定于云南省昆明市嵩明縣楊林鎮(zhèn)震?？苿?chuàng)園1號。項目總投資530萬元，其中專門安排環(huán)保投資18.3萬元。
項目建設(shè)將采用集約高效的發(fā)展模式，租用已建標(biāo)準(zhǔn)化廠房開展生產(chǎn)活動，有效降低建設(shè)周期與土地資源占用成本。在此基礎(chǔ)上，將新建原輔料庫、五金庫房、修理車間、模具及鋁墊板堆放區(qū)、配料混料區(qū)、干燥室等完善的配套基礎(chǔ)設(shè)施，構(gòu)建起全流程標(biāo)準(zhǔn)化生產(chǎn)體系。
根據(jù)規(guī)劃，項目建成后將實現(xiàn)年產(chǎn)碳化硅制品1000噸，產(chǎn)品涵蓋碳化硅陶瓷及非金屬復(fù)合材料等，可廣泛應(yīng)用于機(jī)床制造、精密機(jī)械、電子信息等多個高端領(lǐng)域。
新佳電子車規(guī)級碳化硅功率模塊生產(chǎn)線全線運轉(zhuǎn)
1月6日，據(jù)“威海高新區(qū)發(fā)布”官方消息，新佳電子去年投產(chǎn)的車規(guī)級碳化硅功率模塊生產(chǎn)線目前正全線滿負(fù)荷運轉(zhuǎn)，設(shè)備國產(chǎn)化率超60%。
車規(guī)級碳化硅功率模塊被譽為新能源汽車的”最強大腦”，承擔(dān)著直流電與交流電轉(zhuǎn)換、功率控制等核心功能，其性能直接影響新能源汽車的續(xù)航里程、動力性能與安全穩(wěn)定性。
圖片來源：威海高新區(qū)發(fā)布
回顧項目推進(jìn)歷程，新佳電子車規(guī)級碳化硅模塊專用生產(chǎn)線于2025年1月進(jìn)入設(shè)備安裝調(diào)試階段，當(dāng)年第二季度正式投產(chǎn)，達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)車規(guī)級碳化硅模塊30萬只；2025年10月，一期產(chǎn)線全部投入使用，二期進(jìn)入設(shè)備安裝調(diào)試；2025年12月底，全線實現(xiàn)滿負(fù)荷運轉(zhuǎn)，項目建設(shè)與產(chǎn)能釋放速度遠(yuǎn)超行業(yè)平均水平。
目前，新佳電子車規(guī)級碳化硅功率模塊已成功進(jìn)入比亞迪、吉利等多家知名車企供應(yīng)鏈，同時正積極拓展風(fēng)光儲能、智能電控、智能電網(wǎng)等新興領(lǐng)域市場。
公司相關(guān)負(fù)責(zé)人表示，二期項目全部達(dá)產(chǎn)后，可實現(xiàn)年產(chǎn)功率半導(dǎo)體模塊1200萬只、產(chǎn)值20億元的目標(biāo)。
碳化硅產(chǎn)業(yè)項目熱潮涌動
2026年1月，#浙江堅膜科技有限公司 與#福建浦城 簽約的碳化硅膜高端裝備項目進(jìn)入廠房選址階段，正式啟動產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。
該項目將建設(shè)兩條碳化硅膜高端裝備組裝生產(chǎn)線，涵蓋核心設(shè)備加工、精密制造、系統(tǒng)集成等全鏈條服務(wù)，全面投產(chǎn)后預(yù)計年產(chǎn)值突破2000萬元。
項目依托企業(yè)自主研發(fā)的重結(jié)晶燒結(jié)技術(shù)與純質(zhì)碳化硅膜制備技術(shù)，產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于飲用水凈化、海水淡化、工業(yè)污水資源化回用等場景，技術(shù)水平處于國內(nèi)領(lǐng)先地位，已構(gòu)筑34項相關(guān)專利的技術(shù)體系。
2026年1月4日，士蘭微在廈門海滄區(qū)舉行8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線通線儀式，該產(chǎn)線為企業(yè)自主研發(fā)且規(guī)模化量產(chǎn)的8英寸碳化硅芯片生產(chǎn)線，成功突破多項核心工藝難題。
項目總投資120億元，分兩期建設(shè)，一期設(shè)計產(chǎn)能每年42萬片晶圓，一二期全部達(dá)產(chǎn)后將形成年產(chǎn)72萬片晶圓的生產(chǎn)能力，重點服務(wù)于新能源電動汽車、光伏、儲能、充電樁等應(yīng)用場景，可滿足國內(nèi)40%以上的車規(guī)級碳化硅芯片需求。
2026年1月9日，無錫高新區(qū)官方發(fā)布消息，#基本半導(dǎo)體 車規(guī)級第三代半導(dǎo)體研發(fā)制造總部基地項目已正式簽約落戶。
作為國內(nèi)碳化硅功率器件領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，基本半導(dǎo)體已掌握碳化硅芯片設(shè)計、晶圓制造、模塊封裝等核心技術(shù)，其汽車級碳化硅功率模塊產(chǎn)線已實現(xiàn)全面量產(chǎn)，累計出貨碳化硅功率器件超3000萬顆，服務(wù)全球數(shù)百家客戶。
此次簽約的總部基地項目，將聚焦車規(guī)級第三代半導(dǎo)體研發(fā)與制造，進(jìn)一步強化無錫高新區(qū)在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)布局。
結(jié)語
2026年開年以來碳化硅產(chǎn)業(yè)項目的密集落地與推進(jìn)，是我國新能源產(chǎn)業(yè)升級需求、核心技術(shù)突破與政策引導(dǎo)共振的必然結(jié)果。
此外，碳化硅作為第三代半導(dǎo)體核心材料的戰(zhàn)略價值——其在新能源汽車、光伏儲能等領(lǐng)域的應(yīng)用已進(jìn)入規(guī)?；l(fā)期，市場需求為產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供了強勁牽引力。
未來，隨著更多項目落地投產(chǎn)，我國碳化硅產(chǎn)業(yè)將實現(xiàn)從“跟跑”向“并跑”“領(lǐng)跑”的跨越，為新能源產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展與高端制造業(yè)升級提供核心支撐。
（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）
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]]>國內(nèi)方面，晶盛機(jī)電子公司浙江晶瑞電子材料有限公司實現(xiàn)12英寸碳化硅襯底TTV≤1μm突破；國際方面，Wolfspeed宣布成功制造出單晶12英寸碳化硅晶圓。
01、晶盛機(jī)電實現(xiàn)12英寸碳化硅襯底TTV≤1μm突破
1月13日，晶盛機(jī)電官微宣布，依托自主搭建的12英寸中試線，其子公司浙江晶瑞電子材料有限公司（以下簡稱“浙江晶瑞SuperSiC”）于近日成功實現(xiàn)12英寸碳化硅襯底厚度均勻性（TTV）≤1μm的關(guān)鍵技術(shù)突破。
圖片來源：晶盛機(jī)電
碳化硅憑借高禁帶寬度、高熱導(dǎo)率、高耐壓等優(yōu)異特性，已成為新能源汽車、光伏儲能、智能電網(wǎng)等高壓高頻場景的關(guān)鍵支撐材料，而隨著AI/AR眼鏡、先進(jìn)封裝等新興領(lǐng)域的崛起，大尺寸碳化硅襯底的需求愈發(fā)迫切。
但大尺寸化進(jìn)程中，厚度均勻性控制始終是技術(shù)攻堅難點——碳化硅莫氏硬度高達(dá)9.5，僅次于鉆石，精密加工難度極大，尤其12英寸襯底在后道光刻、先進(jìn)封裝鍵合等工藝中，對TTV的控制精度提出了嚴(yán)苛要求。
此次晶盛機(jī)電實現(xiàn)的12英寸碳化硅襯底TTV≤1μm突破，核心依托于其“裝備+材料”的協(xié)同創(chuàng)新優(yōu)勢。
2025年9月，浙江晶瑞SuperSiC搭建的12英寸碳化硅中試線正式通線。據(jù)了解，該中試線已實現(xiàn)從晶體生長、激光切割、減薄、拋光到清洗、檢測的全流程覆蓋，且核心加工與檢測設(shè)備100%國產(chǎn)化，其中高精密減薄機(jī)、雙面精密研磨機(jī)等關(guān)鍵設(shè)備均為晶盛機(jī)電自主研發(fā)，性能指標(biāo)達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平。
圖片來源：晶盛機(jī)電
晶盛機(jī)電表示，針對12英寸碳化硅TTV控制的行業(yè)痛點，晶盛機(jī)電研發(fā)中心與浙江晶瑞SuperSiC團(tuán)隊從減薄設(shè)備剛性、研磨和拋光盤形控制、減薄-研磨-拋光工藝對面形影響等多個維度協(xié)同攻關(guān)，最終達(dá)成TTV≤1μm的關(guān)鍵突破。
資料顯示，晶盛機(jī)電成立于2006年，是一家專注于半導(dǎo)體材料裝備、化合物半導(dǎo)體襯底材料制造的高新技術(shù)企業(yè)。浙江晶瑞SuperSiC是晶盛機(jī)電的全資子公司，成立于2014年5月，專注于化合物半導(dǎo)體材料的研發(fā)與生產(chǎn)。2024年9月，浙江晶瑞SuperSiC公司注冊資本由5億人民幣增至10億人民幣。
2025年5月，浙江晶瑞SuperSiC成功實現(xiàn)12英寸導(dǎo)電型碳化硅單晶生長技術(shù)突破，首顆晶體直徑達(dá)309mm且質(zhì)量完好，基于自主研發(fā)的SiC單晶生長爐及迭代升級的長晶工藝，攻克溫場不均、晶體開裂等核心難題，實現(xiàn)6-12英寸全尺寸長晶技術(shù)自主可控。
2025年7月，浙江晶瑞SuperSiC(Malaysia)SdnBhd在馬來西亞檳城柏淡（Bertam）科技園舉辦新廠房奠基儀式。該新廠區(qū)占地面積達(dá)40000平方米，預(yù)計將在未來一年內(nèi)啟動建設(shè)。根據(jù)規(guī)劃，項目一期完工后，將實現(xiàn)年產(chǎn)24萬片8英寸碳化硅晶圓的產(chǎn)能。
02、Wolfspeed制造出單晶300mm碳化硅晶圓
當(dāng)?shù)貢r間1月13日，Wolfspeed宣布成功生產(chǎn)出單晶300毫米（12英寸）碳化硅晶圓。
圖片來源：Wolfspeed官網(wǎng)新聞稿
Wolfspeed的300毫米平臺將統(tǒng)一用于電力電子的高量碳化硅制造與高純度半絕緣基板的先進(jìn)能力，應(yīng)用于光學(xué)和射頻系統(tǒng)。這一融合將支持一種跨光學(xué)、光子、熱能和功率領(lǐng)域的新型晶圓尺度集成。
依托全球碳化硅領(lǐng)域規(guī)模最大、基礎(chǔ)最深厚的知識產(chǎn)權(quán)組合，Wolfspeed目前擁有超2300項已授權(quán)及待審專利，正加速推進(jìn)300毫米碳化硅技術(shù)的商業(yè)化進(jìn)程。
在Wolfspeed官方新聞稿中，Wolfspeed多次提及300毫米碳化硅技術(shù)對AI基礎(chǔ)設(shè)施、AR/VR以及其他先進(jìn)的電力設(shè)備應(yīng)用的變革性作用。
具體而言，在AI基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域，隨著數(shù)據(jù)處理負(fù)載攀升，數(shù)據(jù)中心電力需求激增，碳化硅材料優(yōu)異的導(dǎo)熱性與機(jī)械強度可精準(zhǔn)匹配高功率密度、高效散熱及能源效率提升的核心需求。
而在下一代AR/VR領(lǐng)域，其導(dǎo)熱性與光學(xué)折射可控特性，成為構(gòu)建緊湊輕薄、高亮度、廣視野設(shè)備多功能光學(xué)架構(gòu)的理想選擇。
同時，該技術(shù)還將為電網(wǎng)級高壓能量傳輸、下一代工業(yè)系統(tǒng)等場景提供先進(jìn)功率器件支撐，推動相關(guān)組件向更小體積、更優(yōu)性能、更低發(fā)熱量方向升級。
當(dāng)前，300毫米碳化硅已成為全球半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的競爭焦點。
據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體不完全觀察，截至目前國內(nèi)外已有15家企業(yè)成功制備12英寸碳化硅晶體或襯底，其中國內(nèi)廠商如#天岳先進(jìn)、#晶盛機(jī)電 等也在該領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)重要突破，全球碳化硅產(chǎn)業(yè)格局正加速重塑。
盡管現(xiàn)階段12英寸碳化硅晶體生長仍處于技術(shù)突破早期，良率提升與成本優(yōu)化仍是行業(yè)共同面臨的挑戰(zhàn)，但隨著頭部企業(yè)持續(xù)研發(fā)投入及下游新興應(yīng)用需求拉動，其技術(shù)成熟與商業(yè)化進(jìn)程有望持續(xù)加速。
03、結(jié)語
行業(yè)普遍認(rèn)為，12英寸碳化硅技術(shù)的突破具有關(guān)鍵產(chǎn)業(yè)價值。相較于當(dāng)前主流的6英寸、8英寸產(chǎn)品，12英寸碳化硅襯底及晶圓可顯著提升單片芯片產(chǎn)出量。數(shù)據(jù)顯示，12英寸產(chǎn)品單片晶圓芯片產(chǎn)出量較8英寸增加約2.5倍，能大幅降低長晶、加工及下游器件制造的單位成本。
此次國內(nèi)外兩大突破，不僅印證了12英寸碳化硅技術(shù)的可行性，更將加速碳化硅材料在新能源汽車、可再生能源發(fā)電、數(shù)據(jù)中心供電模塊、5G/6G射頻器件、AR/VR光學(xué)模組等領(lǐng)域的規(guī)?；瘧?yīng)用，為全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入強勁動力。
（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）
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