圖片來源：Wolfspeed
Wolfspeed介紹，C4MS系列采用軟恢復體二極管，可實現(xiàn)快速開關，同時將過沖和振鈴降至最低，從而為工程師提供了更大的設計空間，以便在應用中調整和優(yōu)化性能。與前代C3M系列器件相比，C4MS系列在開通能量Eon、反向恢復能量Err和關斷能量Eoff損耗均有改善，同時在 125°C條件下的導通電阻RDS(on) 降低了 22%。這種平衡設計可在廣泛的硬開關拓撲結構中提供最大的性能和效率。
除了改進的開關性能外，C4MS系列還提供瞬態(tài)過壓能力、在高母線電壓下更長的使用壽命以及寬柵極電壓兼容性，以實現(xiàn)簡化的即插即用替換。
新款器件提供TO-247-4、TO-247-4LP (Low Profile)(gate和Kelvin source pin粗細優(yōu)化)、TO-263-7XL和頂部散熱 (U2) 封裝選項，可在所有工作模式下實現(xiàn)更高效的功率輸出，使電源和逆變器設計人員能夠以更具成本效益的方式最大化效率，同時降低物料清單 (BOM) 成本和采購挑戰(zhàn)。
Wolfspeed表示，新款產品在滿足效率與功率輸出目標的同時，提升功率密度，減小無源元件尺寸；憑借軟恢復體二極管，可抑制電壓尖峰并減少電壓降額，從而延長運行壽命，同時減少元件的熱應力；具備 15-18V柵極驅動兼容性，可降低供應鏈風險，實現(xiàn)多供應商采購靈活性；0V關斷能力可實現(xiàn)更安全的運行并降低物料清單成本；同時有助于簡化EMI濾波器設計。
（集邦化合物半導體整理）
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]]>1、基本半導體港股上市備案獲批
11月26日，基本半導體獲證監(jiān)會境外發(fā)行上市及境內未上市股份“全流通”備案，正式獲批赴港發(fā)行上市備案。這意味著公司在香港聯(lián)合交易所主板的首次公開發(fā)行（IPO）進入實質推進階段，這是其沖刺“中國碳化硅芯片第一股”的關鍵一步。
圖片來源：基本半導體備案通知書截圖
資料顯示，基本半導體是一家專注于第三代半導體——碳化硅（SiC）功率器件的創(chuàng)新企業(yè)，已形成從硅材料制備、芯片設計、晶圓制造、模塊封裝到柵極驅動芯片設計與測試的完整產業(yè)鏈。
基本半導體總部位于深圳，在北京、上海、無錫、香港以及日本名古屋設有研發(fā)中心和制造基地。核心產品包括碳化硅二極管、MOSFET芯片、車規(guī)級和工業(yè)級功率模塊以及功率器件驅動芯片，產品性能已達到國際先進水平，廣泛應用于新能源汽車、電動汽車充電、光伏儲能、軌道交通、智能電網(wǎng)等關鍵場景
2025年5月27日，基本半導體向香港交易所遞交招股書，聯(lián)席保薦人為中信證券、國金證券（香港）和中銀國際，計劃在港交所主板上市。
備案通知書顯示，本次備案文件明確公司計劃發(fā)行不超過39,357,800股境外上市普通股，且有49位股東共計260,148,242股境內未上市股份將轉為境外上市股份，實現(xiàn)全流通。發(fā)行規(guī)模和股份轉換安排旨在為公司后續(xù)的研發(fā)投入、全球渠道拓展以及產能擴張?zhí)峁┏渥愕馁Y本支持。公司已委任中信證券、國金證券（香港）和中銀國際為聯(lián)席保薦人，確保上市過程符合香港監(jiān)管要求。
對于上市募集的資金，基本半導體主要聚焦三方面。一是加大研發(fā)投入，持續(xù)強化技術優(yōu)勢；二是深化IDM與代工合作并行的業(yè)務模式，進一步完善產業(yè)鏈布局；三是拓展碳化硅產品的全球分銷網(wǎng)絡，進而打造碳化硅功率器件的國際領先品牌，提升在全球市場的份額和影響力。
從行業(yè)角度看，基本半導體的港股上市被視為中國碳化硅賽道的里程碑。若成功上市，公司將成為國內首家在境外資本市場掛牌的SiC芯片企業(yè)，進一步提升中國在第三代半導體領域的國際競爭力，并為國內外投資者提供直接參與該高成長細分市場的渠道。
同時，上市募集的資金預計將用于加強研發(fā)平臺、擴大深圳和無錫的生產基地、提升封裝產能以及構建全球分銷網(wǎng)絡，從而鞏固其在新能源汽車和新能源儲能等關鍵應用領域的市場份額。
2、天域半導體開啟港股招股
2025年11月27日至12月2日，#天域半導體 正式啟動港股首次公開發(fā)行（IPO）招股，計劃全球發(fā)售3,007.05萬股H股，其中約300.705萬股（約10%）面向香港公開發(fā)售，剩余約2,706.345萬股（約90%）通過國際配售方式發(fā)行，最多可募資約17.44億港元，預計12月5日在港交所掛牌上市。
本次IPO的主承銷商為中信證券，獨家保薦人為中信證券，確保發(fā)行符合香港交易所《上市規(guī)則》要求。
此次招股引入了廣東原始森林、GloryOcean兩名基石投資者。其中廣東原始森林以場外掉期形式認購1.20億元人民幣，GloryOcean認購3000萬港元，合計認購金額約1.615億港元，占此次發(fā)行份額的9.26%，為上市提供了資金信心支撐。
圖片來源：天域半導體官網(wǎng)公告截圖
資料顯示，天域半導體成立于2009年，是國內碳化硅外延片領域的龍頭企業(yè)，專注于碳化硅外延片的研發(fā)、生產與銷售，同時提供外延代工、清洗及檢測等增值服務。其外延片產品覆蓋4英寸、6英寸、8英寸等多尺寸。
財務數(shù)據(jù)方面，2022年至2024年及2025年前五個月，天域半導體營收分別為4.37億元、11.71億元、5.2億元和2.57億元，外延片業(yè)務始終為主要收入來源。同期，碳化硅外延片銷量分別約為4.5萬片、13.1萬片、7.9萬片和7.8萬片。
IPO前公司已完成7輪累計約14.64億元人民幣的融資，股東包含眾多知名產業(yè)資本。像華為旗下的哈勃科技、比亞迪、上汽集團旗下尚頎資本等也在投資方之列，這些產業(yè)資本不僅帶來資金，更能為其業(yè)務拓展形成協(xié)同效應。
招股說明書顯示，募集資金的主要用途包括：一是擴張整體產能，采購先進設備、擴建產線并完成新基地建設，以提升公司在全球SiC外延片市場的份額；二是加強研發(fā)投入，提升產品質量、縮短新產品研發(fā)周期，保持技術領先；三是進行戰(zhàn)略投資和完善銷售網(wǎng)絡，進一步打開國際市場；四是補充營運資金，提升公司流動性。
（集邦化合物半導體 金水 整理）
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]]>投資超6億元，年產16萬噸高品質碳化硅制品公示
近日，內蒙古自治區(qū)投資項目在線審批辦事大廳對“年產16萬噸高品質碳化硅制品綠色高質量發(fā)展項目”進行備案公示。
圖片來源：備案公示截圖
該項目由巴彥淖爾利源合金材料有限公司新建，選址鎖定甘其毛都口岸加工園區(qū)?？偼顿Y超6億元，計劃2026年7月動工，2028年6月建成，主體工程包括4×40000kVA高品質碳化硅冶煉爐及配套公輔設施，達產后將形成年產16萬噸高品質碳化硅制品規(guī)模，產品面向工業(yè)耐磨、耐火材料和高端磨具市場。
公開股權穿透顯示，巴彥淖爾利源合金材料有限公司是遼寧和展能源集團股份有限公司二級子公司。和展能源為深交所主板上市公司，原主業(yè)以土地一級開發(fā)、供水及污水處理為主，2023年起全面轉向風電、光伏、氫能等清潔能源全周期開發(fā)運營。
此次大手筆切入碳化硅新材料，被公司視為“清潔能源+新材料”雙輪驅動的關鍵落子，項目落地后既可內部配套清潔能源建設，又能對外輸出高附加值產品，進一步完善產業(yè)生態(tài)。
湖南重點研發(fā)計劃“碳化硅基片高效精密加工及其成套技術設備關鍵技術”通過驗收
11月20日，由#宇環(huán)數(shù)控 牽頭承擔的湖南省重點研發(fā)計劃——“碳化硅基片高效精密加工及其成套技術設備關鍵技術”項目，順利通過湖南省科技廳組織的綜合績效評價驗收。
圖片來源：數(shù)控裝備聯(lián)盟
項目實施期間，宇環(huán)數(shù)控圍繞碳化硅基片高效精密磨削、研磨與拋光工藝展開系統(tǒng)研究，在高精度氣浮電主軸、氣浮旋轉轉臺、拋光盤壓力穩(wěn)定控制、高精度靜壓轉臺等核心模塊取得突破，創(chuàng)新性提出碳化硅減薄磨床立柱布局新結構。
據(jù)悉，該項目成果已轉化為三款整機——高精度立式單面磨床、高精度立式雙面研磨（拋光）機，整體技術達到國際先進水平，累計形成顯著經(jīng)濟與社會效益。專家組建議企業(yè)繼續(xù)加大新產品推廣力度，并依托核心技術開發(fā)系列化裝備，滿足快速擴張的第三代半導體市場。
此次驗收通過，標志著宇環(huán)數(shù)控在第三代半導體加工裝備領域邁出關鍵一步，公司表示將持續(xù)深化技術迭代與成果轉化，為湖南先進制造業(yè)高質量發(fā)展注入新動能。
（集邦化合物半導體 EMMA 整理）
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圖片來源：環(huán)保驗收文件截圖
目前，該條生產線已具備年產2萬片車規(guī)級MOSFET芯片的能力，產品將主要面向新能源汽車、光伏儲能及充電樁等高壓高功率應用場景。
根據(jù)投資方案，安意法8英寸SiC項目總體分兩期建設，每期設計年產能26萬片車規(guī)級MOSFET芯片，全面達產后合計年產52萬片。一期一階段先行釋放2萬片年產能，后續(xù)產能將根據(jù)市場需求與設備搬入節(jié)奏逐年爬坡。項目總占地約30.8萬平方米，總建筑面積約25.5萬平方米，涵蓋芯片廠房、外延廠房、動力中心、廢水處理站及配套辦公樓等完整生產與輔助設施。
據(jù)悉，重慶三安意法半導體碳化硅項目包含2個工廠：安意法8英寸SiC晶圓制造廠（由三安光電和意法半導體共同成立），以及8英寸SiC襯底制造廠（由三安獨立運營）。
（集邦化合物半導體整理）
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]]>Wolfspeed推出1200V碳化硅六單元動力模塊
Wolfspeed率先推出的1200V碳化硅六單元（Six-Pack）動力模塊，是一款高度集成的解決方案，專為需要最高功率密度和可靠性的應用而設計，特別是重型車輛、工程機械和農業(yè)機械等高功率需求領域。
圖片來源：Wolfspeed
該模塊在耐久性方面實現(xiàn)了顯著飛躍，它融合了燒結芯片粘接和銅夾互連等先進封裝技術，使其在工作溫度下的功率循環(huán)能力達到同類產品的三倍，從而顯著提升了車輛的終身可靠性和使用壽命。
在電流能力方面，六單元模塊也有顯著提升。在行業(yè)標準封裝尺寸下，逆變器電流能力提高了15%。得益于Gen4技術，該模塊在125°C下的導通電阻降低了22%，同時開關損耗大幅優(yōu)化，直接轉化為更高的能源效率。此外，該模塊采用了行業(yè)標準封裝，可直接替代現(xiàn)有IGBT解決方案，無需復雜的冷板安裝和功率端子激光焊接，極大地簡化了系統(tǒng)集成過程，助力OEM廠商實現(xiàn)快速部署。
Wolfspeed宣布推出新型車規(guī)級塑封TM4功率模塊
Wolfspeed同步推出的1200V塑封TM4功率模塊系列，則專注于為設計人員提供極致的靈活性和可擴展性。該模塊采用行業(yè)標準的”TPAK”塑封封裝，并通過AQG 324認證，具備值得信賴的車規(guī)級可靠性。
圖片來源：Wolfspeed
TM4模塊旨在將控制權交回給設計人員，以實現(xiàn)系統(tǒng)性能的靈活優(yōu)化。它提供2芯片、3芯片和4芯片選項，客戶可以根據(jù)具體的逆變器功率等級需求，輕松實現(xiàn)并聯(lián)擴展。
在制造兼容性上，TM4模塊支持可燒結或可焊接的背面組裝方式，功率端子可激光焊接，讓OEM廠商能夠選擇最適合其生產線的制造方法。同時，該模塊采用了可靠的互聯(lián)技術，將熱性能提升高達8%，配合更強的功率循環(huán)能力，進一步增強了系統(tǒng)的耐用性。這使得TM4能夠滿足從標準乘用車到特定功能車輛的廣泛需求。
（集邦化合物半導體 EMMA 整理）
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]]>01、英飛凌推出首款100V車規(guī)級GaN晶體管
11月6日，英飛凌科技股份公司宣布推出其首款符合汽車電子委員會(AEC)汽車應用標準的氮化鎵(GaN)晶體管系列，正式進軍車規(guī)級GaN市場。該系列命名為CoolGaN? 100V G1，已開始提供符合AEC-Q101標準的預量產樣品，包括CoolGaN?高壓(HV)車規(guī)級晶體管及多種雙向開關。
圖片來源：英飛凌
英飛凌科技GaN業(yè)務線負責人Johannes Schoiswohl表示：”通過將GaN功率技術引入快速發(fā)展的軟件定義汽車和電動汽車市場，英飛凌將進一步鞏固其在汽車半導體解決方案領域的全球領先優(yōu)勢。此次推出100V GaN車規(guī)級晶體管解決方案和即將擴展的高壓產品組合，是我們開發(fā)高能效、高可靠性的車規(guī)級功率晶體管進程中的重要里程碑。”
相比傳統(tǒng)硅基器件，GaN功率器件能實現(xiàn)更小的尺寸、提供更高的能效，同時降低系統(tǒng)成本。在軟件定義汽車從12V向48V系統(tǒng)轉型的過程中，基于GaN的功率轉換系統(tǒng)不僅能提升性能，還可支持線控轉向、實時底盤控制等先進功能，極大改善駕乘舒適性與操控性。
CoolGaN? 100V G1車規(guī)級晶體管主要適用于區(qū)域控制和主DC-DC轉換器、高性能輔助系統(tǒng)及D類音頻放大器等應用場景，為車載信息娛樂系統(tǒng)、高級駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)和新型氣候控制系統(tǒng)提供高效電源解決方案。
02、GE Aerospace發(fā)布第4代碳化硅MOSFET器件
11月12日，GE Aerospace宣布在紐約尼斯卡尤納的研究中心成功演示了第四代碳化硅（SiC）功率MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）芯片，這將提升切換速度、效率和耐用性。
圖片來源：GE Aerospace官網(wǎng)
據(jù)了解，這款最新一代的SiC功率器件芯片尺寸為5毫米×5毫米，提供1200V和11mΩ的電壓，擁有業(yè)內領先的200°C溫度額定。 隨著各行業(yè)在混合動力和純電動車（HEV和BEV）平臺中采用先進半導體技術，以及更高效的電力解決方案，這些先進電力設備將在效率和功率密度上帶來重大突破，以滿足日益增長的能源和電力需求。
GE Aerospace 總裁兼總經(jīng)理Kris Shepherd表示：“我們最新的第四代SiC MOSFET在性能上帶來了飛躍性的變化，使其在汽車、可再生能源、人工智能數(shù)據(jù)中心和工業(yè)電力行業(yè)等多個行業(yè)中極具吸引力?！边@些行業(yè)有機會在所有這些應用領域實現(xiàn)效率、可靠性和功率密度的顯著提升?！?/p>
03、SemiQ推出新型SOT-227封裝高性能碳化硅模塊
11月13日，SemiQ Inc宣布推出了五款提供R功能的SOT-227模塊DSon（DSon）分別是7.4、14.5和34 mΩ。SemiQ的GCMS模塊采用肖特基勢場二極管（SBD），在高溫下開關損耗更低，尤其與非SBD的GCMX模塊相比。
圖片來源：SemiQ Inc官網(wǎng)
該設備面向中壓高功率轉換應用，包括電池充電器、光伏逆變器、服務器電源和儲能系統(tǒng)。所有模塊均通過晶圓級柵極氧化層燒入測試進行篩查，電壓超過1400伏，并進行了800 mJ的雪崩測試（34 mΩ模塊為330 mJ），它們專為堅固、易于安裝和熱性能而設計，具有隔離背板和直接安裝到散熱器的能力。
7.4mΩ GCMX007C120S1-E1模塊實現(xiàn)了4.66mJ（3.72mJ導通，0.94mJ關斷）的低開關損耗和593nC的體二極管反向恢復電荷。結到殼的熱阻范圍為0.23°C/W至0.70°C/W，具體取決于模塊。
資料顯示，SemiQ Inc是一家總部位于美國的碳化硅（SiC）功率半導體專業(yè)企業(yè)，專注為高壓場景提供高性能碳化硅解決方案，產品包括分立、模塊和裸芯片格式的MOSFET和二極管等。
（集邦化合物半導體 金水 整理）
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]]>據(jù)介紹，該技術平臺通過器件結構與工藝制程的雙重優(yōu)化，實現(xiàn)“高效率、高功率密度、高可靠”核心目標，全面覆蓋電驅與電源兩大核心應用場景，可廣泛應用新能源汽車主驅、車載電源及AI數(shù)據(jù)中心電源等廣闊市場。
在電驅領域，芯聯(lián)集成碳化硅G2.0電驅版憑借更低導通損耗與優(yōu)異開關軟度，功率密度提升20%，可顯著增強新能源汽車主驅系統(tǒng)動力輸出與能效表現(xiàn)，為整車續(xù)航提升提供關鍵支撐。
圖片來源：芯聯(lián)集成
在電源場景中，芯聯(lián)集成碳化硅G2.0電源版針對性優(yōu)化寄生電容設計，通過封裝優(yōu)化強化散熱，開關損耗降低高達30%，兼具強化的動態(tài)可靠性設計，實現(xiàn)電源轉換效率與系統(tǒng)功率密度大幅提升，完美適配SST、HVDC等AI數(shù)據(jù)中心電源及車載OBC電源需求。
資料顯示，芯聯(lián)集成成立于2018年，是一家專注于功率、傳感和傳輸應用領域，提供模擬芯片及模塊封裝的代工服務的制造商。主要從事MEMS、IGBT、MOSFET、模擬ICMCU的研發(fā)、生產、銷售，為汽車、新能源、工控家電等領域提供完整的一站式芯片系統(tǒng)代工方案。
11月12日，芯聯(lián)集成旗下產業(yè)投資機構芯聯(lián)資本宣布完成首期12.5億元主基金募集。該支基金整體規(guī)模預計超15億元，當前重點布局半導體上游(設備、材料和零部件）、設計公司以及下游人工智能、機器人和新能源等硬科技相關領域。
在財報表現(xiàn)方面，10月27日芯聯(lián)集成發(fā)布了2025年第三季度財報，數(shù)據(jù)顯示，第三季度公司實現(xiàn)營收19.27億元，同比增長15.52%。受第三季度良好業(yè)績帶動，公司前三季度累計營業(yè)收入達54.22億元，同比增長19.23%，實現(xiàn)毛利率3.97%，連續(xù)五個季度正毛利增長，盈利基本面持續(xù)夯實。
此外，據(jù)介紹，芯聯(lián)集成自主研發(fā)的8英寸SiCMOSFET器件已送樣歐美AI公司，這也標志著芯聯(lián)集成在“新能源+AI”雙賽道布局中取得關鍵突破。
（集邦化合物半導體 Niko 整理）
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]]>1、SiC價格趨勢分析：基礎原料上揚與高階襯底價格戰(zhàn)
近期碳化硅（SiC）市場價格呈現(xiàn)出明顯的結構性分化特征。
一方面，SiC大宗流通價格（如黑碳化硅、綠碳化硅的流通粉末或顆粒）受多重因素推動而走強。根據(jù)CIP商品行情網(wǎng)、生意社等價格網(wǎng)站披露，過去一周SiC流通價報每公噸6,271人民幣，實現(xiàn)0.21%的周漲幅。
這波上漲主要由三股力量驅動：原材料成本的堅挺、下游需求應用領域的持續(xù)擴大，以及供應端因環(huán)保檢查或產能限制所導致的供應整頓。這些因素共同作用，將成本壓力傳導至市場流通環(huán)節(jié)，推動基礎原料價格上揚。
另一方面，用于功率器件的高階6英寸SiC晶圓襯底市場卻面臨激烈的價格競爭。由于全球主要制造商產能的快速釋放，市場一度出現(xiàn)供過于求的風險，導致SiC襯底價格持續(xù)暴跌。
供應鏈消息顯示，襯底價格在2024年年中至Q4期間已跌至500美元/片以下，降幅超過20%。進入2025年后，價格競爭仍在持續(xù)，主流報價保持在400美元/片左右或更低，部分產品報價甚至逼近生產商的成本線，市場競爭格局正在加速洗牌。
圖片來源：千庫網(wǎng)
2、應用趨勢聚焦：AI高性能計算（HPC）領域的結構性爆發(fā)
SiC在高性能計算（HPC）領域的導入確定性，成為截至2025年11月最新的強勁增長驅動力。隨著AI算力芯片（如GPU）的功率飆升，傳統(tǒng)散熱材料難以應對，SiC憑借其卓越的導熱性能（熱導率高達500W/mK）成為解決方案的核心。
行業(yè)最新消息顯示，全球龍頭企業(yè)的布局已透露出最新進展：
NVIDIA平臺導入SiC襯底作為中介層：英偉達（NVIDIA）傳出將在2025年推出的Rubin平臺中導入SiC技術。計劃與臺積電合作，將現(xiàn)行的CoWoS先進封裝工藝中的硅中介層升級為碳化硅（SiC Interposer），以應對高功耗散熱挑戰(zhàn)。
臺積電推動12英寸SiC載板供應鏈：晶圓代工巨頭#臺積電（TSMC）正積極推動供應鏈配合，研究將12英寸單晶碳化硅應用于散熱載板，以取代現(xiàn)有的陶瓷基板，解決未來HPC芯片極限熱功耗問題。襯底龍頭企業(yè)之一天岳先進也已在2025年Q1推出全系列12英寸SiC襯底，為此應用提供材料基礎。
數(shù)據(jù)中心架構轉型：受惠于NVIDIA推動數(shù)據(jù)中心過渡至800V HVDC架構，對SiC功率元件的需求可望大幅躍升，進一步擴大SiC在AI服務器電源供應鏈中的市場份額。
新興光學應用：VR/AR/MR眼鏡：SiC因其折射率高達2.6-2.7（遠高于傳統(tǒng)玻璃），有潛力用于制造AR/MR眼鏡的核心光學元件，幫助設備實現(xiàn)更輕薄、視場角更廣（例如70度以上）的設計，有望成為下一代消費電子光學元件的關鍵材料。
這些舉措標志著SiC不僅限于電力電子，更將深度參與到HPC的核心散熱體系中，開辟了SiC產業(yè)的第二成長曲線。
3、結語
截至2025年11月，SiC市場正經(jīng)歷從產能擴張到應用升級的關鍵轉折。盡管高階襯底市場的價格戰(zhàn)和整合仍在持續(xù)，但資本市場已將目光從短期價格波動轉向SiC在AI/HPC領域的長期戰(zhàn)略價值。
預期未來幾年，隨著NVIDIA和TSMC平臺SiC方案的落地，產業(yè)將進入需求結構性爆發(fā)期，技術領先且具備成本控制優(yōu)勢的企業(yè)將主導市場，并引領SiC產業(yè)進入一個更高價值、更廣應用的新紀元。
（集邦化合物半導體 竹子 整理）
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圖片來源：SK keyfoundry官網(wǎng)新聞稿截圖
資料顯示，SK keyfoundry是韓國一家專注于8英寸晶圓代工的企業(yè)，總部位于韓國清州。其擁有一座晶圓廠，月產能約為10萬片晶圓。主要從事模擬混合信號芯片的代工業(yè)務，產品包括顯示驅動芯片（DDI）、微控制器（MCU）和8英寸功率分立器件等，適用于小批量多樣化產品生產。
2025年3月，SK keyfoundry在董事會會議上宣布達成收購協(xié)議，以250億韓元（約1.25億元人民幣）從SK集團手中收購其子公司SK Powertech98.59%的股權。據(jù)外媒報道，該收購案已于近期完成。
被收購方SK Powertech前身為YesPowerTechnics，2022年5月被SKInc.納入SK集團旗下，其掌握SiC核心單元工藝等批量生產技術，能夠實現(xiàn)SiC功率半導體的穩(wěn)定量產與研發(fā)，產品廣泛應用于新能源汽車、太陽能逆變器、家用電器、工業(yè)傳動以及智能電網(wǎng)等場景。
通過收購，SK keyfoundry直接獲得了SK Powertech的碳化硅工藝與設計技術，快速補齊技術短板。收購完成后，SK keyfoundry計劃加速推進碳化硅（SiC）化合物功率半導體技術開發(fā)，目標在今年年底前推出碳化硅MOSFET 1200V工藝技術，并于明年上半年啟動碳化硅功率半導體代工業(yè)務，逐漸將碳化硅功率半導體業(yè)務打造為新一代增長引擎。
政策+企業(yè)雙輪驅動，韓國發(fā)力第三代半導體
韓國在第三代半導體領域起步早、布局完善，通過政府長期政策扶持與三星、SK等龍頭企業(yè)的密集動作，已構建起涵蓋碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等核心材料的產業(yè)體系，當前正處于技術突破與產能擴張的關鍵階段。
早在2000年韓國就制訂了氮化鎵（GaN）開發(fā)計劃，2004-2008年政府聯(lián)合企業(yè)累計投入超12億美元支持光電子產業(yè)，助力韓國成為亞洲最大光電子器件生產國；2024年宣布投資約5.22億人民幣在釜山建設8英寸SiC示范基地。
2025年又拿出364億韓元支持下一代半導體相關研發(fā)項目。同時，韓國還設定了清晰目標，計劃到2030年將SiC功率半導體技術自給率從當前的10%提升至20%，以此帶動全產業(yè)鏈核心技術突破。
在企業(yè)方面，三星電子重啟功率半導體事業(yè)部后，聚焦SiC/GaN材料研究，還通過投資IVworks等初創(chuàng)企業(yè)完善GaN產業(yè)鏈，其與美國康寧合資公司早在2011年就完成4英寸高品質GaN基板研發(fā)；
SK集團構建了“SK Siltron（SiC襯底）→SK Powertech（SiC器件）→SK Signet（電動汽車充電器）”的垂直產業(yè)鏈，旗下SK keyfoundry通過收購SK Powertech快速補齊SiC技術、短板。
LGInnotek成功開發(fā)6英寸單晶氮化鎵Heating-FreeLED技術，大幅提升生產效率并降低成本。
（集邦化合物半導體 金水 整理）
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圖片來源：羅姆
業(yè)務方面，羅姆將大幅拓展基于碳化硅的功率器件業(yè)務，同時縮減并淘汰不盈利的業(yè)務。應用領域中，羅姆的增長戰(zhàn)略是專注于汽車領域的增長，未來羅姆汽車行業(yè)的銷售額提升至2750億日元，占總銷售額的55%，并擴大人工智能服務器工業(yè)設備的銷售。
羅姆計劃2028財年實現(xiàn)碳化硅業(yè)務的盈利，并使其成為利潤增長的驅動力。目前，羅姆已在中國，歐洲、日本和美洲等地拓展其碳化硅裸芯片業(yè)務，還通過推出第五代產品來增強自身競爭力。
此外，羅姆已開始交付高附加值的碳化硅功率模塊“TRCDRIVE pack”，并預計隨著模塊業(yè)務占比的提高，其銷售額也將隨之增長。
羅姆將從襯底、器件等領域實現(xiàn)碳化硅業(yè)務盈利。羅姆德國子公司SiCrystal將負責推進碳化硅晶體襯底制造工藝的改進；器件方面，羅姆將通過自主生產外延晶片來降低成本，并提高良率。
同時，羅姆也認為加快向8英寸晶圓的過渡至關重要，因為8英寸晶圓的良率更高，質量更好。
（集邦化合物半導體 Flora 整理）
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