天岳先進(jìn)表示，8英寸碳化硅襯底已成為當(dāng)前核心增長極，作為全球第一家具備8英寸導(dǎo)電型襯底量產(chǎn)供應(yīng)能力的企業(yè)，目前該產(chǎn)品的收入占比、出貨占比均持續(xù)提升，并成功獲得全球頭部客戶批量采購。

同時，公司強(qiáng)調(diào)，8英寸產(chǎn)品在良率、質(zhì)量穩(wěn)定性和工藝成熟度方面持續(xù)改善，疊加規(guī)模效應(yīng)釋放，盈利能力顯著優(yōu)于6英寸產(chǎn)品，行業(yè)競爭力持續(xù)鞏固。

關(guān)于行業(yè)趨勢，天岳先進(jìn)指出，過去兩年碳化硅襯底行業(yè)經(jīng)歷充分價格調(diào)整，目前6英寸產(chǎn)品價格已進(jìn)入相對穩(wěn)定區(qū)間，8英寸產(chǎn)品價格亦明顯企穩(wěn)，行業(yè)正從價格調(diào)整階段轉(zhuǎn)向“價格趨穩(wěn)、需求擴(kuò)容”的新階段。

此外，公司于3月16日披露，除新能源汽車這一傳統(tǒng)主力市場外，AI數(shù)據(jù)中心、光儲充、工業(yè)電源等非車規(guī)領(lǐng)域正成為碳化硅需求的重要增量來源。

隨著器件性價比持續(xù)改善，碳化硅正從車規(guī)應(yīng)用向更廣泛的高端電源和工業(yè)場景拓展，尤其在數(shù)據(jù)中心等對性能要求較高的場景，大尺寸產(chǎn)品導(dǎo)入進(jìn)展較快，預(yù)計(jì)這些業(yè)務(wù)將支撐2026年公司需求增長和結(jié)構(gòu)優(yōu)化。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。

三星電子將推出的首款樣品是一款平面SiC?MOSFET，?聚焦車規(guī)級、工業(yè)級等高可靠性應(yīng)用。未來三星還計(jì)劃拓展溝槽型碳化硅MOSFET、碳化硅二極管、功率模塊等全系列產(chǎn)品，完善碳化硅功率器件產(chǎn)品矩陣。

業(yè)界認(rèn)為，三星在碳化硅領(lǐng)域的動作是其完善半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)布局、補(bǔ)齊功率器件短板的關(guān)鍵舉措。2023年三星電子便已聘請安森美半導(dǎo)體前高管洪錫?。⊿tephen?Hong）擔(dān)任副總裁，負(fù)責(zé)組建碳化硅功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)團(tuán)隊(duì)，并成立專門的業(yè)務(wù)部門（V-TF）推動相關(guān)技術(shù)研發(fā)。

同時，三星綜合技術(shù)院等機(jī)構(gòu)積極參與碳化硅溝槽MOSFET等核心技術(shù)的研發(fā)，申請了多項(xiàng)相關(guān)專利，旨在提升器件性能和可靠性。

生產(chǎn)方面，媒體披露，三星投資約1000億至2000億韓元引進(jìn)先進(jìn)工藝設(shè)備，包括Aixtron的MOCVD設(shè)備，用于碳化硅和氮化鎵（GaN）晶圓加工。三星計(jì)劃跳過傳統(tǒng)的6英寸晶圓階段，采用8英寸晶圓制造碳化硅器件，提升生產(chǎn)效率和規(guī)模。

除此之外，三星的布局也有望推動韓國碳化硅產(chǎn)業(yè)集群建設(shè)，助力韓國在全球第三代半導(dǎo)體競爭中占據(jù)有利地位。

稍早之前，韓國產(chǎn)業(yè)通商資源部（MOTIE）正式宣布成立“下一代功率半導(dǎo)體推進(jìn)小組”，并發(fā)布了旨在強(qiáng)化國家競爭力的五年行動計(jì)劃。

該計(jì)劃的核心目標(biāo)是到2030年，將韓國下一代功率半導(dǎo)體的技術(shù)自主率從目前的10%大幅提升至20%，標(biāo)志著韓國已將基于碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等材料的功率半導(dǎo)體提升至“國家戰(zhàn)略基礎(chǔ)設(shè)施”的高度。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。

圖片來源：備案公示截圖

該項(xiàng)目建設(shè)地點(diǎn)選址于赤峰市敖漢旗四家子鎮(zhèn)工業(yè)園區(qū)，總投資達(dá)199185.08萬元（約19.92億元）。

根據(jù)公示內(nèi)容，該項(xiàng)目建設(shè)內(nèi)容豐富且完善，將新建4臺40000KVA碳化硅超細(xì)粉體冶煉爐，配套建設(shè)高純碳化硅超微粉生產(chǎn)裝置、高純度亞微米碳化硅微粉生產(chǎn)裝置及余氣利用裝置，同時配備脫硫、除塵等環(huán)保處理設(shè)施，項(xiàng)目建成后可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)精密高性能陶瓷原料碳化硅超細(xì)粉體15萬噸，計(jì)劃建設(shè)起止年限為2026年8月至2028年8月。

公開工商信息顯示，赤峰天隆成立于2025年7月16日，注冊地址位于內(nèi)蒙古自治區(qū)赤峰市敖漢旗四家子鎮(zhèn)扣河林村扣河林學(xué)校2號廳，注冊資本100萬元，由自然人于軍、劉佳龍分別持股51%和49%，經(jīng)營范圍涵蓋非金屬礦物制品制造與銷售、電子專用材料制造與銷售等多個領(lǐng)域，契合項(xiàng)目建設(shè)定位。

據(jù)悉，碳化硅超細(xì)粉體是精密高性能陶瓷的核心原料，具備耐高溫、高硬度等優(yōu)異特性，廣泛應(yīng)用于機(jī)械制造、半導(dǎo)體、新能源等領(lǐng)域。該項(xiàng)目的落地實(shí)施，不僅可填補(bǔ)當(dāng)?shù)馗叨颂蓟璺垠w產(chǎn)能空白，還能依托區(qū)域資源優(yōu)勢，推動新材料產(chǎn)業(yè)集群發(fā)展，同時帶動就業(yè)、促進(jìn)地方經(jīng)濟(jì)增長，助力碳化硅陶瓷材料國產(chǎn)替代進(jìn)程加速。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。

該工藝平臺支持450V至2300V寬電壓覆蓋，在高壓環(huán)境下驗(yàn)證了高可靠性與穩(wěn)定性，核心制程精準(zhǔn)優(yōu)化后良率超90%，可兼顧效率與產(chǎn)能。企業(yè)提供差異化定制化工藝支持，能根據(jù)客戶需求微調(diào)電氣特性與規(guī)格，適配多元場景。

根據(jù)規(guī)劃，1200V產(chǎn)品開發(fā)已啟動，將應(yīng)用于客戶工業(yè)設(shè)備的熱效率管理，經(jīng)樣片評估與可靠性驗(yàn)證后，預(yù)計(jì)2027年上半年量產(chǎn)。

SK啟方半導(dǎo)體是一家8英寸晶圓代工廠，于2020年9月從Magnachip Semiconductor分拆出來，并于2022年8月成為SK海力士的子公司。SK Powertech前身則為Yes Power Technics，于2022年被SK Inc.收購，以其在設(shè)計(jì)和制造碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體方面的專業(yè)知識而聞名。

去年3月，SK啟方半導(dǎo)體宣布，已成功達(dá)成從SK集團(tuán)收購其子公司SK Powertech98.59%股權(quán)的協(xié)議，交易金額高達(dá)250億韓元。收購后，SK啟方半導(dǎo)體將進(jìn)一步推動SiC技術(shù)在新能源汽車、儲能等領(lǐng)域的應(yīng)用落地。

隨后的11月，SK啟方半導(dǎo)體公布SiC業(yè)務(wù)規(guī)劃：2025年底完成1200V工藝開發(fā)，2026年上半年啟動代工服務(wù)，將業(yè)務(wù)聚焦電動汽車電驅(qū)、工業(yè)電源、可再生能源逆變器等高壓高效場景。

此次SiC工藝平臺是其收購?fù)瘓F(tuán)SiC專業(yè)公司SK powertech后，整合雙方核心能力的首個成果，實(shí)現(xiàn)技術(shù)與資源協(xié)同，加速商業(yè)化落地。

SK啟方半導(dǎo)體的首席執(zhí)行官Derek D. Lee表示：”SiC平面MOSFET工藝平臺的開發(fā)，標(biāo)志著SK keyfoundry已在全球化合物半導(dǎo)體市場確立了獨(dú)立的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)地位。依托我們兼具高良率與高可靠性的差異化工藝，我們將持續(xù)拓展高壓功率半導(dǎo)體解決方案，以滿足國內(nèi)外客戶的需求。”

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。

01、天岳先進(jìn)：8英寸產(chǎn)品成核心增長極，獲全球頭部客戶批量采購

3月16日，天岳先進(jìn)發(fā)布投資者關(guān)系活動記錄表公告。其中提到，8英寸產(chǎn)品是公司當(dāng)前的核心增長極，也是構(gòu)建長期競爭力的關(guān)鍵所在。公司作為全球第一家具備8英寸導(dǎo)電型襯底量產(chǎn)供應(yīng)能力的企業(yè)，當(dāng)前8英寸產(chǎn)品的收入占比與出貨占比均持續(xù)提升，且已成功獲得全球頭部客戶的批量采購。

在產(chǎn)品性能方面，8英寸產(chǎn)品在良率、質(zhì)量穩(wěn)定性和工藝成熟度上持續(xù)改善。規(guī)模效應(yīng)的釋放，使其盈利能力顯著優(yōu)于6英寸產(chǎn)品，且良率和質(zhì)量穩(wěn)定性在行業(yè)內(nèi)處于領(lǐng)先水平。后續(xù)隨著產(chǎn)能逐步釋放，8英寸產(chǎn)品不僅將帶動公司收入增長，還將持續(xù)優(yōu)化公司的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)和利潤結(jié)構(gòu)。

從行業(yè)發(fā)展方向來看，大尺寸化是明確趨勢。新增技術(shù)投入、客戶導(dǎo)入和產(chǎn)業(yè)升級重心正持續(xù)向8英寸傾斜，預(yù)計(jì)今年8英寸出貨占比會繼續(xù)增長。過去兩年，碳化硅襯底行業(yè)經(jīng)歷了較為充分的價格調(diào)整。目前，6英寸產(chǎn)品價格已逐步進(jìn)入相對穩(wěn)定區(qū)間，8英寸產(chǎn)品雖仍在以市場化方式推動滲透，但整體價格明顯企穩(wěn)。

從需求側(cè)分析，隨著碳化硅相對硅基功率器件經(jīng)濟(jì)性持續(xù)改善，傳統(tǒng)功率領(lǐng)域，包括車規(guī)領(lǐng)域滲透率實(shí)現(xiàn)跨越式提升，同時數(shù)據(jù)中心、光伏儲能、工業(yè)電源以及部分消費(fèi)和家電場景的導(dǎo)入加速。整體而言，行業(yè)正從此前的價格快速調(diào)整階段，逐步轉(zhuǎn)向“價格趨穩(wěn)、需求擴(kuò)容”的新階段，公司對今年的出貨增長保持積極判斷。

02、中瓷電子：碳化硅器件批量供貨國內(nèi)頭部車企，產(chǎn)業(yè)鏈布局完整

3月16日，中瓷電子在投資者關(guān)系平臺上答復(fù)投資者關(guān)心的問題。針對“公司是否有產(chǎn)品應(yīng)用于比亞迪公司的閃充系統(tǒng)”這一問題，中瓷電子表示，充電市場是子公司國聯(lián)萬眾重點(diǎn)布局的領(lǐng)域。針對電動汽車閃充設(shè)備，國聯(lián)萬眾開發(fā)了多款碳化硅器件產(chǎn)品，并且已經(jīng)在國內(nèi)頭部車企實(shí)現(xiàn)批量供貨，性能和品質(zhì)表現(xiàn)優(yōu)異。

資料顯示，中瓷電子在碳化硅（SiC）領(lǐng)域已形成從芯片到模塊的完整產(chǎn)業(yè)鏈布局。子公司國聯(lián)萬眾的8英寸SiC芯片生產(chǎn)線已于2025年10月量產(chǎn)。1200V/18mΩ與750V/14mΩ SiC MOS芯片已通過多家頭部車企驗(yàn)證，并簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議，下一代1200V/10mΩ低損耗芯片正在研發(fā)中。此外，中瓷電子還在積極布局低空經(jīng)濟(jì)（如無人機(jī)、人形機(jī)器人）等新興場景的SiC解決方案。

（集邦化合物半導(dǎo)體 Flora 整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。

格力電器介紹，目前公司正在推進(jìn)碳化硅JFET，溝槽MOSFET，超結(jié)MOSFET等新一代先進(jìn)SiC器件研發(fā)。

資料顯示，格力電器很早便已啟動芯片全鏈條布局，目前已經(jīng)覆蓋了設(shè)計(jì)、制造、封裝等環(huán)節(jié)。

碳化硅領(lǐng)域，格力電器全資子公司珠海格力電子元器件有限公司于2022年12月啟動建設(shè)亞洲首座全自動化6英寸碳化硅芯片工廠，2023年12月實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品通線，2024年正式投產(chǎn)。

格力通過自主研發(fā)突破碳化硅芯片核心工藝，包括高溫離子注入、全自動缺陷檢測等技術(shù)，實(shí)現(xiàn)碳化硅二極管、溝槽MOS等工藝平臺，并完成AEC-Q101車規(guī)級認(rèn)證，具備生產(chǎn)高可靠性家電芯片和車規(guī)級芯片的能力。

今年1月，媒體報道格力碳化硅芯片已經(jīng)裝機(jī)出貨超過200萬臺空調(diào)，可以實(shí)現(xiàn)溫度降低和能效提升。同時，格力電器總裁助理、珠海格力電子元器件有限公司總經(jīng)理馮尹對外透露，格力電器碳化硅芯片工廠在量產(chǎn)家電用碳化硅芯片后，今年光伏儲能用、物流車用碳化硅芯片也將量產(chǎn)。

問：格力的多元化一直備受關(guān)注，從手機(jī)到芯片，再到現(xiàn)在的數(shù)控機(jī)床、碳化硅芯片。你在布局這些板塊時是出于怎樣的考慮？

董明珠：本身我們就有這種想法。智能化發(fā)展是成體系的，不能靠某一個轉(zhuǎn)化器就說是智能化。我認(rèn)為，更多的是要研究物與物之間的直接打通、人與物的打通。

以芯片為例，我們之所以做芯片，就是因?yàn)榧译姰a(chǎn)品也是靠海量芯片來支撐的，并且技術(shù)的不斷升級也與芯片息息相關(guān)。如果芯片都要靠買，又何談自主創(chuàng)新？最終只能永遠(yuǎn)跟在別人身后。所以，我們很早就啟動芯片全鏈條布局，目前已經(jīng)覆蓋了設(shè)計(jì)、制造、封裝等環(huán)節(jié)。

未來，我們的芯片用量會持續(xù)放大，最終目標(biāo)是全部自主可控。只有掌握了關(guān)鍵核心技術(shù)，我們才能為全世界服務(wù)。我們不需要依靠別人，更多是希望給別人賦能，這才能體現(xiàn)企業(yè)的價值。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。

圖片來源：Wolfspeed

Wolfspeed在2026年1月成功生產(chǎn)出單晶300mm碳化硅晶圓，Wolfspeed正在與 人工智能 (AI) 生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴展開合作，探索300mm碳化硅襯底如何助力解決正日益限制下一代人工智能 (AI) 和高性能計(jì)算 (HPC) 封裝架構(gòu)的熱學(xué)、機(jī)械和電氣性能瓶頸。

隨著人工智能 (AI) 的工作負(fù)載快速增加，數(shù)據(jù)中心集成化正在將封裝尺寸、功率密度和功能復(fù)雜性推向傳統(tǒng)材料的極限之上。Wolfspeed的300mm碳化硅平臺旨在通過將高導(dǎo)熱性、優(yōu)異的結(jié)構(gòu)穩(wěn)固性和電氣性能結(jié)合在一個可量產(chǎn)形式之中，并與現(xiàn)有的300mm半導(dǎo)體基礎(chǔ)設(shè)施對齊，來幫助應(yīng)對這些挑戰(zhàn)。

通過與正在合作的伙伴評估，Wolfspeed與晶圓廠、OSAT（外包半導(dǎo)體封裝和測試供應(yīng)商）、系統(tǒng)架構(gòu)師和研究機(jī)構(gòu)合作，評估技術(shù)可行性、性能優(yōu)勢、可靠性和集成路徑。這種合作方法旨在加速學(xué)習(xí)，幫助降低采用風(fēng)險，并幫助行業(yè)為未來人工智能 (AI) 工作負(fù)載所需的混合碳化硅-硅封裝架構(gòu)做好準(zhǔn)備。

300mm碳化硅晶圓將先進(jìn)封裝材料與前沿的半導(dǎo)體制造和晶圓級封裝工藝相結(jié)合，利用了現(xiàn)有的產(chǎn)業(yè)工具套件和基礎(chǔ)設(shè)施。這旨在實(shí)現(xiàn)可重復(fù)、高體量的可制造性，同時支持成本降低和生態(tài)系統(tǒng)兼容性。此外，300mm平臺能夠制造更大的中介層和散熱組件，支持行業(yè)朝著日益增大的封裝外形尺寸和更復(fù)雜的多組件半導(dǎo)體組裝的趨勢發(fā)展。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。

圖片來源：天成半導(dǎo)體 圖為14英寸碳化硅原生晶錠

事實(shí)上，天成的突破并非孤立事件，近期全球國內(nèi)外多家企業(yè)在12英寸、14英寸碳化硅單晶及襯底領(lǐng)域發(fā)力，形成多點(diǎn)開花的競爭格局，而這場圍繞“尺寸升級”的產(chǎn)業(yè)競賽，背后是全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)降本增效、搶占高端市場的核心訴求。

碳化硅作為第三代半導(dǎo)體核心材料，其尺寸升級的行業(yè)價值不言而喻。相較于當(dāng)前主流的6英寸、8英寸碳化硅襯底，12英寸及以上大尺寸產(chǎn)品可在同等生產(chǎn)條件下大幅提升芯片有效面積，不僅能降低單位芯片制造成本，更能適配高端功率器件、半導(dǎo)體制造設(shè)備部件等場景的需求，是新能源汽車、光伏儲能、AI數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域技術(shù)升級的關(guān)鍵支撐。

據(jù)行業(yè)測算，12英寸碳化硅襯底相較于6英寸產(chǎn)品，單位面積芯片產(chǎn)出可提升3倍以上，綜合成本降低40%左右，而14英寸產(chǎn)品的落地，將進(jìn)一步放大這一優(yōu)勢，推動碳化硅規(guī)?；瘧?yīng)用進(jìn)入新階段。

1、國內(nèi)多企業(yè)梯隊(duì)化發(fā)力大尺寸賽道

在12英寸領(lǐng)域，國內(nèi)龍頭企業(yè)與新興力量齊頭并進(jìn)，形成了多元化競爭格局。

作為此次14英寸突破的主角，天成半導(dǎo)體早已在12英寸領(lǐng)域奠定基礎(chǔ)。

2025年，公司已掌握12英寸高純半絕緣和N型單晶生長雙成熟工藝，其中12英寸N型碳化硅單晶有效厚度突破35㎜，此次14英寸產(chǎn)品的研制依托自主研發(fā)的碳化硅單晶爐，完成了從粉料制備、單晶生長到材料加工的全自主知識產(chǎn)權(quán)閉環(huán)，其14英寸產(chǎn)品主要應(yīng)用于半導(dǎo)體制造設(shè)備的碳化硅部件，成功打破日韓歐企業(yè)在該領(lǐng)域的壟斷格局。

國內(nèi)碳化硅龍頭三安光電近期披露，其12英寸碳化硅襯底已向客戶送樣驗(yàn)證，同時產(chǎn)線稼動率穩(wěn)步提升，首代溝槽MOSFET技術(shù)平臺處于送樣階段，湖南三安生產(chǎn)的主驅(qū)逆變器用SiC MOSFET已通過國內(nèi)頭部電動車企驗(yàn)證，成為合格供應(yīng)商。

爍科晶體作為全球首片12英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底的研制企業(yè)，目前正推進(jìn)年產(chǎn)百萬片級碳化硅單晶襯底項(xiàng)目落地。

新興企業(yè)的突破同樣亮眼。露笑科技在2026年2月宣布，首次制備出12英寸碳化硅單晶樣品，完成從長晶到襯底全流程工藝的開發(fā)測試，打破了行業(yè)技術(shù)壁壘。

海目芯微（海目星激光子公司）則實(shí)現(xiàn)了6英寸、8英寸及12英寸全尺寸長晶技術(shù)鏈自主可控，成功研制12英寸碳化硅單晶晶錠，形成了全尺寸覆蓋的技術(shù)優(yōu)勢。

晶盛機(jī)電旗下的晶瑞Super SiC于2025年5月實(shí)現(xiàn)12英寸導(dǎo)電型碳化硅單晶生長突破，同年9月12英寸中試線正式通線且核心設(shè)備100%國產(chǎn)化，2026年1月更是突破襯底厚度均勻性（TTV）≤1μm的關(guān)鍵指標(biāo)，為12英寸產(chǎn)品量產(chǎn)奠定了核心基礎(chǔ)。

2、海外巨頭加速卡位，全球協(xié)同推進(jìn)技術(shù)迭代

從全球格局來看，大尺寸碳化硅的“尺寸競賽”已進(jìn)入白熱化階段，海外企業(yè)也正蓄力突破。

北美企業(yè)Wolfspeed作為全球碳化硅領(lǐng)域的先行者，于2026年1月宣布制造出單晶300mm（12英寸）碳化硅晶圓，其300mm平臺將兼顧功率電子器件制造與高純度半絕緣襯底研發(fā)。

韓國SK Siltron在美國密歇根州貝城建設(shè)的碳化硅晶圓工廠已投入運(yùn)營，年產(chǎn)量預(yù)計(jì)達(dá)6萬片，主要聚焦8英寸產(chǎn)品量產(chǎn)，12英寸產(chǎn)品仍處于研發(fā)推進(jìn)階段，尚未實(shí)現(xiàn)規(guī)?；涞?。

歐洲企業(yè)同樣在加速布局，英飛凌啟動馬來西亞碳化硅晶圓廠，一期項(xiàng)目投資額達(dá)20億歐元，第二階段建設(shè)完成后，該工廠或?qū)⒊蔀槿蜃畲蟮?00毫米（8英寸）碳化硅功率半導(dǎo)體晶圓廠，主要生產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體及氮化鎵外延產(chǎn)品，與奧地利菲拉赫制造基地形成“虛擬協(xié)同工廠”，共享技術(shù)工藝以實(shí)現(xiàn)快速量產(chǎn)。

意法半導(dǎo)體則通過與三安光電合資，布局8英寸碳化硅器件制造，試圖依托中國市場優(yōu)勢，加速大尺寸產(chǎn)品的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。

3、結(jié)語

從行業(yè)影響來看，大尺寸碳化硅的突破，本質(zhì)是全球新能源汽車、光伏儲能、AI數(shù)據(jù)中心、高端半導(dǎo)體設(shè)備等領(lǐng)域旺盛需求驅(qū)動的必然結(jié)果。

當(dāng)前，全球碳化硅市場需求持續(xù)攀升，應(yīng)用場景不斷拓展，無論是國內(nèi)天成半導(dǎo)體、三安光電等企業(yè)，還是海外Wolfspeed、英飛凌等巨頭，都在全力加速大尺寸碳化硅的技術(shù)研發(fā)與產(chǎn)能布局，整個產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)出欣欣向榮、協(xié)同發(fā)展的良好態(tài)勢。

（集邦化合物半導(dǎo)體 林曉 整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。

據(jù)悉，此次發(fā)布會上，比亞迪重點(diǎn)推出自研自產(chǎn)的1500V車規(guī)級SiC功率模塊（型號BME1400B15JE34U5N），該模塊為全球首款在乘用車主驅(qū)逆變器上大規(guī)模量產(chǎn)的1500V耐壓器件，已批量裝車漢L和唐L車型。

官方披露，該SiC功率模塊采用DCM雙觸點(diǎn)半橋封裝架構(gòu)、ShowerPower 3D三通道直接液冷散熱及雙面銀燒結(jié)互連技術(shù)，熱導(dǎo)率達(dá)200 W/(m·K)，壽命較傳統(tǒng)焊料提升5-10倍，可穩(wěn)定承載大電流沖擊，開關(guān)頻率達(dá)100kHz以上，遠(yuǎn)超硅基IGBT器件。

此次發(fā)布會中，比亞迪三大核心技術(shù)均依托該碳化硅模塊實(shí)現(xiàn)落地：全域1000V高壓平臺以該SiC模塊為核心，徹底取消升壓模塊，使電控效率突破99%；兆瓦閃充2.0借助該模塊實(shí)現(xiàn)單槍峰值功率1500kW，5分鐘可補(bǔ)充400-500公里續(xù)航；DM6.0超級混動系統(tǒng)同樣搭載1000V+SiC電驅(qū)架構(gòu)，電驅(qū)效率超99%。

比亞迪官方表示，1500V SiC功率模塊的規(guī)模化應(yīng)用，推動車規(guī)級碳化硅從旗艦專屬走向大眾標(biāo)配，后續(xù)將在2026年內(nèi)逐步下放至15萬級以上主流車型，同時帶動國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同升級，助力半導(dǎo)體供應(yīng)鏈自主可控。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。

圖片來源：科友半導(dǎo)體

根據(jù)科友半導(dǎo)體的介紹，此次突破性進(jìn)展集中在加工環(huán)節(jié)：一是設(shè)備兼容性優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)同等主機(jī)中心距下由8英寸向12英寸的“零改裝”升級，顯著降低客戶產(chǎn)線轉(zhuǎn)型成本；二是采用拓?fù)鋬?yōu)化技術(shù)開發(fā)大直徑薄壁游星輪結(jié)構(gòu)，兼顧高強(qiáng)度與輕量化，提升傳輸穩(wěn)定性；三是改進(jìn)非標(biāo)準(zhǔn)漸開線齒形設(shè)計(jì)，降低嚙合沖擊，適配低速高扭矩高精度加工場景；四是引入數(shù)字孿生仿真平臺，可在虛擬環(huán)境中全流程模擬驗(yàn)證，縮短研發(fā)周期并降低試錯成本。

產(chǎn)品性能方面，科友半導(dǎo)體12英寸碳化硅晶片已實(shí)現(xiàn)總厚度偏差（TTV）≤1.0μm、局部平坦度（LTV）≤0.5μm、表面粗糙度（Ra）≤0.2nm，可滿足大功率電子器件及射頻器件制造所需的高質(zhì)量襯底要求。

近年來，科友半導(dǎo)體在12英寸碳化硅領(lǐng)域持續(xù)突破。2025年9月，科友半導(dǎo)宣布體依托自主研發(fā)的12英寸碳化硅長晶爐及熱場技術(shù)，成功制備出12英寸碳化硅晶錠。2025年10月中旬，科友半導(dǎo)體宣布在成功制備12英寸半絕緣碳化硅單晶。

業(yè)內(nèi)分析認(rèn)為，12英寸碳化硅晶片因單晶圓芯片產(chǎn)出量更大、單位成本更低，是全球第三代半導(dǎo)體向高效低成本發(fā)展的重要方向?？朴寻雽?dǎo)體的全鏈突破不僅打破了國外在大尺寸SiC加工領(lǐng)域的技術(shù)壁壘，也有望加速新能源汽車、5G通信、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域?qū)Ω咝阅躍iC器件的規(guī)模化應(yīng)用。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。