湖南三安Trench MOSFET技術(shù)平臺(tái)導(dǎo)通電阻最低達(dá)1.75 mΩ·cm2，擊穿電壓超過(guò)1400V，核心靜態(tài)性能處于行業(yè)領(lǐng)先。此外，湖南三安計(jì)劃將下一代產(chǎn)品導(dǎo)通電阻再降低20%以上。

據(jù)悉，目前上述技術(shù)平臺(tái)已通過(guò)電性能篩選與可靠性測(cè)試，柵氧品質(zhì)等核心數(shù)據(jù)表現(xiàn)優(yōu)異，可滿足新能源汽車、光伏逆變器、工業(yè)電源等高要求應(yīng)用場(chǎng)景。

未來(lái)，湖南三安將持續(xù)深化碳化硅技術(shù)研發(fā)，加速推進(jìn)第三代半導(dǎo)體在能源轉(zhuǎn)型與高端制造領(lǐng)域的規(guī)?；瘧?yīng)用。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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湖南三安的8英寸碳化硅芯片產(chǎn)線從建設(shè)到通線僅用了不到一年時(shí)間，項(xiàng)目進(jìn)展快于預(yù)期。截至2025年8月，湖南三安已形成較完整的碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈配套能力：6英寸碳化硅產(chǎn)能達(dá)16,000片/月，8英寸襯底與外延產(chǎn)能分別為1,000片/月和2,000片/月。此外，公司還擁有硅基氮化鎵產(chǎn)能2,000片/月。

據(jù)悉，湖南三安SiC項(xiàng)目總投資高達(dá)160億元，旨在打造6吋/8吋兼容SiC全產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合量產(chǎn)平臺(tái)。項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后，將具備年產(chǎn)36萬(wàn)片6吋SiC晶圓、48萬(wàn)片8吋SiC晶圓的制造能力。

圖片來(lái)源：湖南三安

此外，今年2月27日，三安光電與意法半導(dǎo)體在重慶合資設(shè)立的安意法半導(dǎo)體碳化硅晶圓廠也正式通線。該項(xiàng)目預(yù)計(jì)將在今年四季度實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)，將成為國(guó)內(nèi)首條8英寸車規(guī)級(jí)碳化硅功率芯片規(guī)?；慨a(chǎn)線。據(jù)悉，該項(xiàng)目規(guī)劃全面達(dá)產(chǎn)后，每周可以生產(chǎn)約1萬(wàn)片#車規(guī)級(jí)晶圓。

總體來(lái)看，三安光電通過(guò)在湖南和重慶的雙線布局，構(gòu)建了完整的寬禁帶半導(dǎo)體材料矩陣，分別對(duì)應(yīng)高壓（SiC）和高頻（GaN）應(yīng)用場(chǎng)景。湖南三安側(cè)重于打造自主可控的產(chǎn)業(yè)鏈，滿足光伏、消費(fèi)電子、工業(yè)控制等多元化市場(chǎng)需求；而重慶合資項(xiàng)目則直接瞄準(zhǔn)技術(shù)壁壘極高的電動(dòng)汽車市場(chǎng)。

湖南三安的快速發(fā)展也得益于地方政府的強(qiáng)力支持。在湖南湘江新區(qū)，一個(gè)圍繞三安半導(dǎo)體的完整產(chǎn)業(yè)集群正在加速形成，已成功引入15家上下游配套企業(yè)，簽約總金額達(dá)80億元，涵蓋設(shè)備、材料、封裝測(cè)試等關(guān)鍵環(huán)節(jié)。

（集邦化合物半導(dǎo)體 Emma 整理）

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圖片來(lái)源：派瑞股份公告截圖

派瑞股份表示，受國(guó)家相關(guān)政策調(diào)整影響，募投項(xiàng)目被迫延期?，F(xiàn)階段碳化硅（SiC）市場(chǎng)已被國(guó)際先進(jìn)半導(dǎo)體企業(yè)占據(jù)較大份額，產(chǎn)品價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)及關(guān)鍵資源競(jìng)爭(zhēng)激烈，公司缺乏足夠競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。同時(shí)，SiC項(xiàng)目投入高、募集資金有限、難以達(dá)到預(yù)期投資回報(bào)率，因此公司擬取消SiC的研發(fā)及生產(chǎn)等相關(guān)建設(shè)內(nèi)容。

此次變更后，項(xiàng)目名稱和實(shí)施主體不變，選址仍在西安市高新區(qū)長(zhǎng)安通訊產(chǎn)業(yè)園。建設(shè)內(nèi)容取消了SiC器件，計(jì)劃總投資調(diào)整為53,532.23萬(wàn)元，其中擬優(yōu)先使用募集資金26,931.19萬(wàn)元用于固定資產(chǎn)投資，不足部分通過(guò)銀行貸款或其他自籌資金解決。

該公司表示，本次募集資金投資項(xiàng)目變更，僅取消碳化硅器件相關(guān)產(chǎn)線，減少年產(chǎn)碳化硅0.4萬(wàn)片的產(chǎn)能，不會(huì)對(duì)公司募投項(xiàng)目的產(chǎn)能及收益產(chǎn)生重大影響。后續(xù)公司將深耕現(xiàn)有優(yōu)勢(shì)業(yè)務(wù)，增加產(chǎn)品種類，擴(kuò)大產(chǎn)能，并積極拓展新業(yè)務(wù)。

據(jù)派瑞股份2025年半年度報(bào)告，公司營(yíng)業(yè)收入為8452.1萬(wàn)元，同比下降30.12%；歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)為3012.51萬(wàn)元，同比下降35.6%；扣非歸母凈利潤(rùn)為2155.15萬(wàn)元，同比下降51.26%。不過(guò)，公司經(jīng)營(yíng)現(xiàn)金流凈額為1406萬(wàn)元，同比增長(zhǎng)135.5%。

（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）

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01、連科半導(dǎo)體成功生長(zhǎng)出高品質(zhì)12吋（304mm）碳化硅晶錠

近日，連科半導(dǎo)體在官微宣布，采用中宜創(chuàng)芯提供的7N高純碳化硅粉體，依托完全自主研發(fā)的12吋碳化硅長(zhǎng)晶爐及其熱場(chǎng)，成功生長(zhǎng)出高品質(zhì)12吋（304mm）碳化硅晶錠。

圖片來(lái)源：連城數(shù)控

公開(kāi)資料顯示，連科半導(dǎo)體成立于2023年，是連城數(shù)控的控股子公司，在半導(dǎo)體晶體生長(zhǎng)設(shè)備領(lǐng)域有較強(qiáng)的研發(fā)實(shí)力。中宜創(chuàng)芯則是中國(guó)平煤神馬集團(tuán)控股子公司，其在碳化硅粉體純度提升方面取得了顯著成果。不久前，中宜創(chuàng)芯將碳化硅粉體純度提升至8N8（99.999998%），相當(dāng)于1噸材料中雜質(zhì)不超過(guò)0.2克。

12吋（304mm）碳化硅晶錠是第三代半導(dǎo)體材料的重要成果。一方面，12吋SiC能顯著提升器件單位面積的產(chǎn)出效率，降低芯片制造的成本，另一方面，12吋對(duì)設(shè)備熱場(chǎng)均勻性、長(zhǎng)晶穩(wěn)定性、缺陷控制精度的要求更是呈現(xiàn)指數(shù)級(jí)提升。

在應(yīng)用場(chǎng)景方面，12吋碳化硅晶錠制成的高純半絕緣襯底，憑借其光學(xué)性能優(yōu)勢(shì)，可以成為下一代“AR+AI”智能眼鏡的核心材料。此外，在新能源汽車、光伏儲(chǔ)能、5G通信等領(lǐng)域的應(yīng)用也具有重要意義。

正如連科半導(dǎo)體總經(jīng)理胡動(dòng)力博士表示：按照預(yù)測(cè)，12吋襯底片成本大致為10000元，能切出10-11副眼鏡，對(duì)應(yīng)單副眼鏡碳化硅襯底成本大概1000元左右，大大降低AR眼鏡成本及售價(jià)，并加速在消費(fèi)市場(chǎng)的滲透。

02、西湖大學(xué)+慕德微納：超薄碳化硅衍射光波導(dǎo)新突破

12吋碳化硅晶錠有望解決了AR眼鏡的 “材料供應(yīng)與成本難題”，那么碳化硅衍射光波導(dǎo)的突破則直擊AR眼鏡的 “佩戴體驗(yàn)與顯示效果痛點(diǎn)”。

近日，據(jù)西湖大學(xué)工學(xué)院SOE官微宣布，西湖大學(xué)聯(lián)合慕德微納（杭州）科技有限公司發(fā)布了一種顛覆性的解決方案，采用碳化硅（SiC）材料成功研發(fā)出超輕、超薄的衍射光波導(dǎo)，相關(guān)研究成果已發(fā)布在《eLight》期刊上。

圖片來(lái)源：《eLight》期刊截圖

據(jù)了解，該方案首次實(shí)現(xiàn)了單層碳化硅衍射光波導(dǎo)的設(shè)計(jì)、量產(chǎn)級(jí)制造與封裝，為基于SiC的AR技術(shù)路線奠定了開(kāi)創(chuàng)性基礎(chǔ)。并且該技術(shù)與大規(guī)模量產(chǎn)的超薄菲涅爾處方鏡片兼容，為近視用戶提供了“一站式”的輕便AR視覺(jué)解決方案。

研究團(tuán)隊(duì)總結(jié)道，該研究展示了一個(gè)基于碳化硅（SiC）波導(dǎo)的全新AR顯示平臺(tái)，它同時(shí)解決了輕薄化、全彩無(wú)彩虹偽影顯示和規(guī)?；慨a(chǎn)三大核心難題。團(tuán)隊(duì)通過(guò)創(chuàng)新的材料應(yīng)用、光學(xué)設(shè)計(jì)和制造工藝，打造出一款重量?jī)H3.795克、厚度0.75毫米、光效高達(dá)1238.10nit/lm的AR衍射光波導(dǎo)，并集成了超薄視力矯正功能。

值得關(guān)注的是，據(jù)慕德微納測(cè)算，未來(lái)碳化硅光波導(dǎo)的成本將低至650元左右。目前，該技術(shù)方案已供應(yīng)給多家業(yè)內(nèi)頭部企業(yè)。

03、碳化硅 x AR眼鏡：加速消費(fèi)級(jí)普及

碳化硅技術(shù)的突破是AR眼鏡的前提條件之一，碳化硅的材料特性能歐滿足AR眼鏡在輕薄化、顯示效果、性能穩(wěn)定性等多方面的需求。

一方面，碳化硅具有較高的硬度和強(qiáng)度，這使得它在保持良好性能的同時(shí)，可以被加工成更薄的鏡片。西湖大學(xué)與慕德微納研發(fā)的碳化硅AR鏡片，單片重量?jī)H2.7克，厚度僅0.55毫米，相比傳統(tǒng)AR鏡片大大減輕了重量和厚度，提升了佩戴的舒適性。

另一方面，碳化硅具有高導(dǎo)熱性，AR眼鏡中的投影光機(jī)和傳感、計(jì)算單元等會(huì)產(chǎn)生熱量。通過(guò)碳化硅的導(dǎo)熱特性，可以改善AR眼鏡的散熱問(wèn)題，從而增強(qiáng)使用穩(wěn)定性。

再一方面，碳化硅的折射率遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)玻璃等光學(xué)材料，可以實(shí)現(xiàn)大視場(chǎng)角的全彩成像，也可以消除光學(xué)偽影，從而帶來(lái)沉浸的現(xiàn)實(shí)效果。

此外，隨著12吋碳化硅襯底材料的大規(guī)模應(yīng)用，生產(chǎn)成本也或降低，有利于AR眼鏡的規(guī)模化普及。

（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）

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圖片來(lái)源：珂瑪科技公告截圖

其中，結(jié)構(gòu)功能模塊化陶瓷部件產(chǎn)品擴(kuò)建項(xiàng)目旨在建設(shè)靜電卡盤生產(chǎn)線并擴(kuò)建陶瓷加熱器產(chǎn)能，以滿足半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域關(guān)鍵零部件國(guó)產(chǎn)替代需求。半導(dǎo)體設(shè)備用碳化硅材料及部件項(xiàng)目將在安徽現(xiàn)有工廠基礎(chǔ)上，租賃廠房購(gòu)置設(shè)備，擴(kuò)建碳化硅陶瓷結(jié)構(gòu)件全流程生產(chǎn)工廠。補(bǔ)充流動(dòng)資金項(xiàng)目將用于滿足公司業(yè)務(wù)擴(kuò)張對(duì)營(yíng)運(yùn)資金的需求。

資料顯示，珂瑪科技主要從事先進(jìn)陶瓷材料零部件的研發(fā)、制造、銷售、服務(wù)以及泛半導(dǎo)體設(shè)備表面處理服務(wù)。

8月26日，珂瑪科技披露2025年半年度報(bào)告。2025年上半年，該公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)總收入5.2億元，同比增長(zhǎng)35.34%；歸母凈利潤(rùn)1.72億元，同比增長(zhǎng)23.52%；扣非凈利潤(rùn)1.71億元，同比增長(zhǎng)25.04%；經(jīng)營(yíng)活動(dòng)產(chǎn)生的現(xiàn)金流量?jī)纛~為1.41億元，同比增長(zhǎng)2.46%；報(bào)告期內(nèi)，珂瑪科技基本每股收益為0.3942元，加權(quán)平均凈資產(chǎn)收益率為10.70%。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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這一業(yè)績(jī)的取得，得益于公司在大型白電、汽車、新能源等高門檻市場(chǎng)的持續(xù)拓展，以及子公司士蘭集成、士蘭集昕等生產(chǎn)線的滿負(fù)荷生產(chǎn)。據(jù)悉，士蘭微功率半導(dǎo)體和分立器件產(chǎn)品的營(yíng)業(yè)收入達(dá)到30.08億元，同比增長(zhǎng)約25%，其中應(yīng)用于汽車、光伏的IGBT和SiC（模塊、器件）的營(yíng)收同比增長(zhǎng)80%以上。

圖片來(lái)源：士蘭微財(cái)務(wù)報(bào)告截圖

公司財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)顯示，2025年上半年，士蘭微基于Ⅱ代SiC-MOSFET芯片生產(chǎn)的電動(dòng)汽車主電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊出貨量累計(jì)達(dá)2萬(wàn)顆，客戶端反饋良好，客戶數(shù)量持續(xù)增加。

另外，該公司新一代產(chǎn)品即將上量，士蘭微第Ⅳ代SiC芯片與模塊已送客戶評(píng)測(cè)，基于第Ⅳ代SiC芯片的功率模塊將于2025年下半年上量。這將有助于提升公司在碳化硅領(lǐng)域的技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力，滿足市場(chǎng)對(duì)高性能碳化硅產(chǎn)品的需求。

目前，士蘭明鎵已形成月產(chǎn)1萬(wàn)片6寸SiC-MOSFET芯片的生產(chǎn)能力，為滿足市場(chǎng)需求提供了有力的產(chǎn)能支持。

圖片來(lái)源：士蘭微財(cái)務(wù)報(bào)告截圖

在8英寸碳化硅產(chǎn)線上，士蘭集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目進(jìn)展順利。2025年6月底，士蘭集宏已實(shí)現(xiàn)首臺(tái)工藝設(shè)備搬入，預(yù)計(jì)今年四季度將實(shí)現(xiàn)8英寸SiC大線通線。

產(chǎn)業(yè)鏈最新消息顯示，近兩個(gè)月，士蘭微正積極與國(guó)內(nèi)多家頭部新能源車企和Tier 1供應(yīng)商就下一代車型進(jìn)行更深度的合作洽談。焦點(diǎn)主要集中在其即將量產(chǎn)的第四代SiC功率模塊以及車規(guī)級(jí)MCU、高壓驅(qū)動(dòng)芯片等產(chǎn)品。

（集邦化合物半導(dǎo)體 Emma 整理）

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圖片來(lái)源：芯聯(lián)集成

此次量產(chǎn)的混合碳化硅產(chǎn)品由小鵬汽車進(jìn)行設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)，芯聯(lián)集成則負(fù)責(zé)功率芯片的聯(lián)合開(kāi)發(fā)、制造以及封裝工藝的落地生產(chǎn)。其核心創(chuàng)新在于，在電驅(qū)逆變器等關(guān)鍵部件中，創(chuàng)造性地將部分高成本的碳化硅（SiC）MOSFET與技術(shù)成熟的IGBT（絕緣柵雙極晶體管）相結(jié)合。

這一“混合”方案，旨在精準(zhǔn)平衡性能與成本，既能保留800V高壓平臺(tái)帶來(lái)的高效率和超快充核心優(yōu)勢(shì)，又能顯著降低整個(gè)功率模塊的成本，直擊當(dāng)前純碳化硅方案價(jià)格高昂的行業(yè)痛點(diǎn)。

作為此次合作的量產(chǎn)方，芯聯(lián)集成近年來(lái)在碳化硅領(lǐng)域的布局與技術(shù)突破備受矚目，為本次合作的成功奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

芯聯(lián)集成已成功建設(shè)國(guó)內(nèi)首條8英寸SiC MOSFET生產(chǎn)線，并于2025年上半年實(shí)現(xiàn)批量量產(chǎn)，關(guān)鍵性能指標(biāo)達(dá)到業(yè)界領(lǐng)先水平。相較于傳統(tǒng)的6英寸產(chǎn)線，8英寸產(chǎn)線能顯著提升單位晶圓的芯片產(chǎn)出率，進(jìn)一步從規(guī)模上降低成本。

芯聯(lián)集成在碳化硅領(lǐng)域持續(xù)發(fā)力，取得了顯著的成果。根據(jù)最新財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)，2025年上半年，芯聯(lián)集成實(shí)現(xiàn)主營(yíng)收入34.57億元，同比增長(zhǎng)24.93%，歸母凈利潤(rùn)同比減虧63.82%，其中二季度歸母凈利潤(rùn)0.12億元，首次實(shí)現(xiàn)單季度歸母凈利潤(rùn)轉(zhuǎn)正。

其中，在碳化硅業(yè)務(wù)方面，2025年上半年，芯聯(lián)集成的車規(guī)功率模塊收入同比增長(zhǎng)超過(guò)200%，凸顯了其在新能源汽車領(lǐng)域的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)力。

小鵬汽車與芯聯(lián)集成的此次合作，不僅是單一企業(yè)間的技術(shù)突破，更對(duì)整個(gè)新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈具有重要意義。它驗(yàn)證了通過(guò)產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)的深度協(xié)同創(chuàng)新，能夠有效加速前沿技術(shù)的商業(yè)化落地進(jìn)程。

業(yè)內(nèi)人士分析指出，混合碳化硅方案的量產(chǎn)，為車企在“性能”與“成本”之間找到了新的平衡點(diǎn)，有望推動(dòng)800V高壓技術(shù)從高端車型向更廣泛的主流市場(chǎng)下探。這不僅將提升小鵬汽車自身產(chǎn)品的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，也將為中國(guó)新能源汽車產(chǎn)業(yè)在全球競(jìng)爭(zhēng)中提供更強(qiáng)的技術(shù)和成本優(yōu)勢(shì)，加速行業(yè)的整體降本增效進(jìn)程。

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圖片來(lái)源：山東天岳先進(jìn)科技股份有限公司

天岳先進(jìn)表示，雙方將針對(duì)SiC功率半導(dǎo)體特性提升與品質(zhì)改善的技術(shù)協(xié)作，以及運(yùn)用合作成果擴(kuò)大高品質(zhì)穩(wěn)定襯底供應(yīng)的商業(yè)合作。今后雙方將就共同推進(jìn)或相互協(xié)作的具體事項(xiàng)展開(kāi)詳細(xì)磋商。

據(jù)悉，東芝電子元 以鐵路用SiC功率半導(dǎo)體的開(kāi)發(fā)、制造及供應(yīng)實(shí)績(jī)?yōu)榛A(chǔ)，正加速推進(jìn)服務(wù)器電源用、車載用等SiC器件開(kāi)發(fā)，未來(lái)將致力于進(jìn)一步降低SiC功率半導(dǎo)體損耗，開(kāi)發(fā)面向高效電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用的高可靠性、高效率產(chǎn)品。除自主研發(fā)外，與SiC襯底技術(shù)改良的緊密協(xié)作也至關(guān)重要。

天岳先進(jìn)自2010年創(chuàng)立以來(lái)，始終專注于單晶SiC襯底的開(kāi)發(fā)生產(chǎn)，在SiC襯底開(kāi)發(fā)及量產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域具有優(yōu)勢(shì)，該公司2024年率先發(fā)布全球首款12英寸SiC襯底，2025年實(shí)現(xiàn)n型、半絕緣型及p型全系產(chǎn)品12英寸襯底布局。

天岳先進(jìn)指出，此次與東芝電子元件達(dá)成合作，天岳先進(jìn)將把SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的需求，以及東芝對(duì)SiC襯底核心技術(shù)應(yīng)用的期待，轉(zhuǎn)化為襯底品質(zhì)與可靠性的提升，助力SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)發(fā)展。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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圖片來(lái)源：上海證券報(bào)截圖

宏微科技表示，此次項(xiàng)目定點(diǎn)體現(xiàn)了車企客戶對(duì)公司研發(fā)能力、供應(yīng)鏈保障及產(chǎn)品質(zhì)量的認(rèn)可，將進(jìn)一步擴(kuò)大公司在碳化硅（SiC）器件領(lǐng)域的配套份額，鞏固并提升市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。若后續(xù)訂單順利落地，預(yù)計(jì)將對(duì)公司經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)產(chǎn)生積極影響。

宏微科技是一家專注于功率半導(dǎo)體器件的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的高新技術(shù)企業(yè)。公司產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏逆變器、變頻器等多個(gè)領(lǐng)域。芯動(dòng)能作為宏微科技的控股子公司，繼承了宏微科技在半導(dǎo)體領(lǐng)域的深厚技術(shù)積累，專注于SiC等寬禁帶半導(dǎo)體器件的研發(fā)與生產(chǎn)，致力于為客戶提供高性能、高可靠性的半導(dǎo)體產(chǎn)品。

公開(kāi)資料顯示，宏微科技的第七代IGBT模塊產(chǎn)品已于2024年上半年實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)。該產(chǎn)品已成功進(jìn)入國(guó)內(nèi)頭部車企供應(yīng)鏈體系。第七代IGBT模塊產(chǎn)品采用微溝槽技術(shù)，具有低導(dǎo)通壓降與開(kāi)關(guān)損耗的良好平衡，其性能指標(biāo)對(duì)標(biāo)國(guó)際先進(jìn)水平，全面覆蓋650V/750V/1000V/1200V電壓等級(jí)。

另外，宏微科技的1200V SiC MOSFET芯片已于2024年上半年研制成功并通過(guò)可靠性驗(yàn)證，目前正在進(jìn)行小批量出貨。車規(guī)級(jí)1200V SiC自研模塊也已通過(guò)可靠性驗(yàn)證。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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圖片來(lái)源：芯能半導(dǎo)體

相比傳統(tǒng)硅基IGBT IPM，碳化硅IPM系統(tǒng)效率可提升2%至5%甚至更高，尤其在部分負(fù)載和開(kāi)關(guān)頻率提升時(shí)優(yōu)勢(shì)更明顯。同時(shí)，碳化硅IPM能大幅降低能源損耗，減少散熱需求，直接降低系統(tǒng)運(yùn)行成本和溫升。此外，SiC器件支持?jǐn)?shù)倍于硅基器件的開(kāi)關(guān)頻率 (可達(dá)100kHz甚至更高)。

芯能半導(dǎo)體介紹，上述方案集成了半橋驅(qū)動(dòng)芯片、高性能SiC-MOSFET，適用于正弦波或梯形波調(diào)制應(yīng)用，內(nèi)部集成自舉二極管，雙通道欠壓保護(hù)，所有通道延遲時(shí)間匹配，兼容3.3V邏輯電平輸入，輸入信號(hào)互鎖保護(hù)，防止橋臂直通，內(nèi)部集成過(guò)流保護(hù)和過(guò)溫保護(hù)功能，集成溫度監(jiān)控與輸出功能，并具備上電及斷電使能功能。

系統(tǒng)測(cè)試顯示，無(wú)散熱系統(tǒng)，將IPM模塊頂部/底部粘上熱電偶探頭；IPM樣品頂部溫度通過(guò)熱電偶探頭使用溫度記錄儀器監(jiān)控實(shí)時(shí)溫度；在環(huán)境溫度35℃，控制載波頻率16KHz，母線電壓310V；持續(xù)運(yùn)行負(fù)載電流0.6A、0.8A、1.5A、2.0A（峰峰電流）采集整機(jī)恒定溫度。

電流0.8A下，同類產(chǎn)品優(yōu)化40度，不同封裝優(yōu)化50度，并且無(wú)散熱器電流能達(dá)到2A。功率在300W以下支持無(wú)散熱器應(yīng)用。安裝散熱片的情況下，功率可以支持到1000瓦。

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