1、連科半導(dǎo)體八吋硅區(qū)熔爐及碳化硅電阻爐成果鑒定達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平

“連城數(shù)控”官微消息，近期，中國(guó)有色金屬工業(yè)協(xié)會(huì)在無(wú)錫組織召開科技成果評(píng)價(jià)會(huì)。由中科院技物所褚君浩院士，有研科技集團(tuán)周旗鋼教授以及來(lái)自東南大學(xué)，南京航空航天大學(xué)，浙大科創(chuàng)中心等的五位專家組成的專家組，對(duì)由連科半導(dǎo)體有限公司等單位完成的兩項(xiàng)科技成果進(jìn)行了評(píng)價(jià)。

專家組一致認(rèn)為，“8 吋 / 12 吋碳化硅電阻爐及工藝成套技術(shù)” 項(xiàng)目，聯(lián)合了浙江大學(xué)等單位，在行業(yè)首次推出直流雙電源加熱器、雙溫區(qū)熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)，加熱功率下降35%，降低到28Kw；開發(fā)了高精度控制軟件，實(shí)現(xiàn)了對(duì)氣體流量、壓力的精確控制，滿足了8吋/12吋SiC單晶的穩(wěn)定生長(zhǎng)，技術(shù)難度大、復(fù)雜程度高。在多家碳化硅襯底企業(yè)推廣應(yīng)用后，經(jīng)濟(jì)、社會(huì)效益顯著，助力客戶生長(zhǎng)8吋/12吋碳化硅晶體，厚度達(dá)到5cm以上。項(xiàng)目整體技術(shù)達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。

source：連城數(shù)控

“200mm 區(qū)熔硅單晶爐成套技術(shù)”項(xiàng)目，獨(dú)創(chuàng)了下主軸與密封內(nèi)襯分別由伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)并同步耦合控制的技術(shù)，及第二相機(jī)測(cè)量熔化流量的控制新思路，攻克了主軸高精密加工和裝配問(wèn)題。形成了關(guān)鍵技術(shù)-樣機(jī)示范-產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用的全鏈條技術(shù)體系。技術(shù)難度大、復(fù)雜程度高。項(xiàng)目技術(shù)已在有研半導(dǎo)體硅材料股份公司成功投產(chǎn)并穩(wěn)定運(yùn)行，技術(shù)重現(xiàn)性好、成熟度高。項(xiàng)目整體技術(shù)達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。

2、 “增材制造復(fù)雜結(jié)構(gòu)高性能碳化硅基復(fù)合材料及其部件”榮獲2025年日內(nèi)瓦國(guó)際發(fā)明展金獎(jiǎng)

“武漢理工大學(xué)材料學(xué)院”官微消息，近期，第50屆日內(nèi)瓦國(guó)際發(fā)明展（The 50thInternational Exhibition of Inventions of Geneva）在瑞士日內(nèi)瓦舉行，武漢理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院副院長(zhǎng)劉凱教授攜項(xiàng)目“增材制造復(fù)雜結(jié)構(gòu)高性能碳化硅陶瓷基復(fù)合材料及其部件”參展并榮獲金獎(jiǎng)。

source：武漢理工大學(xué)材料學(xué)院

據(jù)悉， 上述項(xiàng)目面向極端服役環(huán)境對(duì)高性能碳化硅陶瓷材料復(fù)雜構(gòu)件的制造需求，開展了材料-結(jié)構(gòu)-性能一體化增材制造研究。建立了高增材適應(yīng)性碳化硅復(fù)合粉末設(shè)計(jì)制備與激光增材制造工藝方法，研制了纖維增強(qiáng)碳化硅復(fù)合材料復(fù)雜構(gòu)件的增材制造技術(shù)與裝備，推動(dòng)了增材制造碳化硅陶瓷構(gòu)件在航空航天、能源化工、半導(dǎo)體裝備等領(lǐng)域的工程應(yīng)用。

項(xiàng)目相關(guān)成果已獲得多項(xiàng)國(guó)家發(fā)明專利授權(quán)，并在Journal of the European Ceramic Society、Journal of the American Ceramic Society、Composite Structures等期刊上發(fā)表系列論文。

3、結(jié)語(yǔ)

在“雙碳”目標(biāo)與智能制造升級(jí)的雙重需求下，碳化硅正深度賦能新能源汽車、光伏儲(chǔ)能、5G通信等領(lǐng)域，推動(dòng)能源效率革命。上述碳化硅技術(shù)突破表明我國(guó)在半導(dǎo)體材料自主可控方面不斷努力并取得了新成就，隨著技術(shù)迭代與產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展，未來(lái)中國(guó)以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體有望邁上新臺(tái)階。（集邦化合物半導(dǎo)體 秦妍 整理）

天?？h位于甘肅省武威市，地處祁連山下，擁有獨(dú)特地理位置和豐富資源，其工業(yè)主導(dǎo)產(chǎn)業(yè)便是碳化硅。近年來(lái)天?？h緊抓“雙碳”戰(zhàn)略機(jī)遇，積極推動(dòng)碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

據(jù)天?？h最新產(chǎn)業(yè)規(guī)劃，該縣明確提出“兩年優(yōu)化布局、七年集群成勢(shì)”目標(biāo)，計(jì)劃到“十四五”末實(shí)現(xiàn)碳化硅冶煉年產(chǎn)能50萬(wàn)噸、精深加工轉(zhuǎn)化率突破70%，工業(yè)硅年產(chǎn)能達(dá)6萬(wàn)噸，產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值沖刺40億元；至“十五五”末，將建成國(guó)家級(jí)碳硅基新材料產(chǎn)業(yè)基地，形成百億級(jí)產(chǎn)業(yè)集群。

數(shù)據(jù)顯示，全國(guó)碳化硅企業(yè)設(shè)計(jì)產(chǎn)能約130萬(wàn)噸、實(shí)際產(chǎn)能約85萬(wàn)噸。2023年天?？h碳化硅產(chǎn)量47.3萬(wàn)噸，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)值28.62億元，占全縣規(guī)上工業(yè)總產(chǎn)值的65%，且占全國(guó)實(shí)際產(chǎn)能的56%。

2024年1—11月，天祝縣碳化硅生產(chǎn)加工產(chǎn)量達(dá)48.97萬(wàn)噸（其中，冶煉43.36萬(wàn)噸，深加工5.61萬(wàn)噸），實(shí)現(xiàn)產(chǎn)值26.95億元，增長(zhǎng)5.02%，占全縣規(guī)上工業(yè)總產(chǎn)值的58.4%。

目前，天祝縣共有碳化硅及精深加工企業(yè)26戶，5戶碳化硅企業(yè)被認(rèn)定為省級(jí)“專精特新”中小企業(yè)，7戶碳化硅企業(yè)被認(rèn)定為創(chuàng)新型中小企業(yè)，19戶冶煉企業(yè)現(xiàn)有23條生產(chǎn)線，設(shè)計(jì)產(chǎn)能60萬(wàn)噸，近年來(lái)招商引進(jìn)碳化硅精深加工項(xiàng)目8個(gè)，精深加工設(shè)計(jì)產(chǎn)能22萬(wàn)噸。此外，天祝高性能碳基材料特色產(chǎn)業(yè)基地入選科技部第三批國(guó)家火炬特色產(chǎn)業(yè)基地名單。

根據(jù)官方公告，近期天?？h多個(gè)碳化硅精深加工項(xiàng)目已落地建設(shè)：

· 利欣新材料年產(chǎn)6萬(wàn)噸微粉深加工項(xiàng)目已完成設(shè)備安裝，進(jìn)入試生產(chǎn)階段；

· 新玉通年產(chǎn)6萬(wàn)噸工業(yè)硅項(xiàng)目已建成投產(chǎn)，預(yù)計(jì)年產(chǎn)值達(dá)12億元；

· 金能宏泰達(dá)生產(chǎn)線節(jié)能改造項(xiàng)目已拆除原年產(chǎn)1.25萬(wàn)噸黑碳化硅生產(chǎn)線，正在砌筑新節(jié)能爐體；

· 蘭寧工貿(mào)4萬(wàn)噸微粉項(xiàng)目已完成車間鋼結(jié)構(gòu)主體施工，正在進(jìn)行車間封閉工作等。

此外，政府提供“標(biāo)準(zhǔn)地”供地、企業(yè)“白名單”制度等政策支持，并設(shè)立專項(xiàng)資金鼓勵(lì)企業(yè)技術(shù)創(chuàng)新。

當(dāng)前，天祝縣碳硅基新材料產(chǎn)業(yè)已形成“冶煉-精深加工-制品應(yīng)用”的梯度發(fā)展格局。未來(lái)，天?？h將圍繞“強(qiáng)龍頭、補(bǔ)鏈條、聚集群”的發(fā)展戰(zhàn)略，深入實(shí)施產(chǎn)業(yè)延鏈補(bǔ)鏈行動(dòng)和優(yōu)質(zhì)企業(yè)培育行動(dòng)，為打造西北地區(qū)新材料產(chǎn)業(yè)高地奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）

T/CASAS 036—2025《碳化硅單晶生長(zhǎng)用等靜壓石墨構(gòu)件純度測(cè)定方法 輝光放電質(zhì)譜法》

T/CASAS 048—2025《碳化硅單晶生長(zhǎng)用等靜壓石墨》

上述兩份文件主要起草單位為：賽邁科先進(jìn)材料股份有限公司、北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司、湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司、山東天岳先進(jìn)科技股份有限公司、山西爍科晶體有限公司、山東大學(xué)、中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、中電化合物半導(dǎo)體有限公司、杭州海乾半導(dǎo)體有限公司、北京第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟。

兩項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)旨在為碳化硅（SiC）單晶生長(zhǎng)技術(shù)的規(guī)模化、高質(zhì)量發(fā)展提供關(guān)鍵支撐。

據(jù)悉，等靜壓石墨是PVT法生長(zhǎng)SiC單晶的重要耗材，占SiC襯底生產(chǎn)物料成本約30%，其國(guó)產(chǎn)化、產(chǎn)業(yè)化、規(guī)?；苿?dòng)了SiC成本的持續(xù)降低，加快了SiC器件更廣泛的應(yīng)用于光伏、儲(chǔ)能、工業(yè)變頻，為我國(guó)的雙碳戰(zhàn)略貢獻(xiàn)力量。

未來(lái)，CASA聯(lián)盟將繼續(xù)圍繞第三代半導(dǎo)體材料、器件及應(yīng)用，加速關(guān)鍵標(biāo)準(zhǔn)研制與國(guó)際化布局，助力第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在全球價(jià)值鏈中占據(jù)更高位勢(shì)。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

01、意法半導(dǎo)體：意大利8英寸SiC工廠即將投產(chǎn)

4月24日，意法半導(dǎo)體近日發(fā)布了2025年第一季度財(cái)報(bào)，該公司第一季度凈營(yíng)收為25.2億美元，同比下降27.3%，環(huán)比下降24.2%。毛利率下滑至33.4%，較去年同期下降830個(gè)基點(diǎn)。凈利潤(rùn)下跌89.1%，為5600萬(wàn)美元。盡管整體業(yè)績(jī)下滑，但該公司個(gè)人電子業(yè)務(wù)的逆勢(shì)增長(zhǎng)部分抵消了汽車與工業(yè)市場(chǎng)的疲軟。在財(cái)報(bào)會(huì)議上，意法半導(dǎo)體高管Jean-Marc Chery表示，公司依舊看好碳化硅業(yè)務(wù)的發(fā)展，從長(zhǎng)遠(yuǎn)趨勢(shì)來(lái)看，意法半導(dǎo)體在碳化硅市場(chǎng)中的整體份額將至少保持在30%以上。

盡管整體市場(chǎng)面臨挑戰(zhàn)，意法半導(dǎo)體在碳化硅（SiC）領(lǐng)域的布局仍顯示出積極的進(jìn)展。該公司計(jì)劃將意大利與法國(guó)的200mm產(chǎn)線轉(zhuǎn)向高毛利的碳化硅與射頻器件生產(chǎn)，目標(biāo)是到2027年將碳化硅營(yíng)收占比提升至15%。此外，意法半導(dǎo)體還啟動(dòng)了全球制造布局重塑計(jì)劃，旨在優(yōu)化成本結(jié)構(gòu)，預(yù)計(jì)到2027年底實(shí)現(xiàn)每年節(jié)省數(shù)億美元成本

意法半導(dǎo)體表示在碳化硅（SiC）領(lǐng)域的布局也取得重要進(jìn)展。其位于意大利卡塔尼亞的8英寸SiC工廠預(yù)計(jì)將于2025年第四季度開始生產(chǎn)。該工廠是意法半導(dǎo)體全球碳化硅生態(tài)系統(tǒng)的核心，將整合碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈生產(chǎn)流程，包括襯底開發(fā)、外延生長(zhǎng)、前端晶圓制造和模塊后端組裝等。全面落成后，預(yù)計(jì)年產(chǎn)能可達(dá)72萬(wàn)片。這一項(xiàng)目的推進(jìn)，將進(jìn)一步鞏固意法半導(dǎo)體在碳化硅市場(chǎng)的領(lǐng)先地位，滿足汽車、工業(yè)和云基礎(chǔ)設(shè)施等領(lǐng)域?qū)Ω咝躍iC設(shè)備的需求。

02、X-fab：碳化硅業(yè)務(wù)增長(zhǎng)強(qiáng)勁

X-fab在2025年第一季度的財(cái)務(wù)表現(xiàn)顯示出其在碳化硅領(lǐng)域的積極進(jìn)展。公司第一季度實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入2.041億美元，較去年同期下降6%。凈利潤(rùn)為1220.2萬(wàn)美元。盡管整體營(yíng)收有所下降，但碳化硅業(yè)務(wù)表現(xiàn)突出。

據(jù)悉，X-fab的碳化硅業(yè)務(wù)在2025年第一季度實(shí)現(xiàn)收入600萬(wàn)美元（約合人民幣0.43億），較上一季度增長(zhǎng)5%。訂單量環(huán)比增長(zhǎng)17%，連續(xù)第二個(gè)季度大幅增長(zhǎng)。這一增長(zhǎng)主要得益于數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的推動(dòng)，顯示出市場(chǎng)對(duì)碳化硅產(chǎn)品的需求正在復(fù)蘇。

值得注意的是，根據(jù)X-fab 2024年的財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)，該公司在中國(guó)市場(chǎng)的業(yè)務(wù)表現(xiàn)十分亮眼。2024年，X-fab在中國(guó)的全產(chǎn)品出貨量達(dá)到了1.025億美元。而在三四年前，X-fab在中國(guó)的汽車業(yè)務(wù)收入幾乎為零。然而，近年來(lái)隨著中國(guó)汽車市場(chǎng)的快速發(fā)展以及對(duì)半導(dǎo)體技術(shù)需求的增加，X-fab在中國(guó)的汽車業(yè)務(wù)實(shí)現(xiàn)了顯著增長(zhǎng)。X-fab預(yù)計(jì)，未來(lái)幾年其與中國(guó)公司的汽車業(yè)務(wù)收入將增長(zhǎng)約60%。

source：X-fab

意法半導(dǎo)體和X-fab在2025年第一季度均在碳化硅領(lǐng)域取得了積極進(jìn)展。意法半導(dǎo)體的訂單出貨比改善以及卡塔尼亞8英寸SiC工廠的即將投產(chǎn)，使其在碳化硅市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力進(jìn)一步增強(qiáng)。而X-fab的SiC收入增長(zhǎng)和訂單量持續(xù)攀升，也顯示出其在該領(lǐng)域的強(qiáng)勁發(fā)展勢(shì)頭。隨著全球?qū)Ω咝馨雽?dǎo)體需求的不斷增加，碳化硅市場(chǎng)有望在未來(lái)幾年繼續(xù)保持增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）

source：深圳平湖實(shí)驗(yàn)室

通過(guò)展示和交流，國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心深圳綜合平臺(tái)能夠更好的發(fā)揮自身在科研、中試、分析檢測(cè)、設(shè)計(jì)仿真等領(lǐng)域的綜合優(yōu)勢(shì)，協(xié)同產(chǎn)業(yè)合作伙伴開展深度合作，打造第三代及第四代功率半導(dǎo)體的技術(shù)創(chuàng)新高地。

資料顯示，根據(jù)科技部統(tǒng)一部署，深圳市從2021年開始承接國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心深圳綜合平臺(tái)建設(shè)任務(wù)，2022年設(shè)立深圳平湖實(shí)驗(yàn)室作為建設(shè)和運(yùn)營(yíng)主體， “一體統(tǒng)籌規(guī)劃、多地分布布局、協(xié)同創(chuàng)新聯(lián)動(dòng)”為建設(shè)原則，聚焦第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域器件物理研究、材料研究、技術(shù)開發(fā)、產(chǎn)品中試，第四代半導(dǎo)體材料器件前沿研究，致力于打造世界領(lǐng)先的第三代及第四代功率半導(dǎo)體創(chuàng)新、中試及共享的平臺(tái)。

2024年11月，國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心深圳綜合平臺(tái)正式建成發(fā)布。
目前，該綜合平臺(tái)已在碳化硅、氧化鎵等多個(gè)領(lǐng)域取得了重要進(jìn)展。

SiC襯底激光剝離技術(shù)領(lǐng)域

SiC由于莫氏硬度高達(dá)9.5，是很難加工的材料。1顆SiC晶錠，厚度為20 mm，單片損失按照300μm，理論產(chǎn)出晶片30片，單片材料損耗率達(dá)到46%。為降低材料損耗，深圳平湖實(shí)驗(yàn)室新技術(shù)研究部開發(fā)激光剝離工藝來(lái)替代傳統(tǒng)的多線切割工藝。其工藝過(guò)程示意圖如下所示：

source：深圳平湖實(shí)驗(yàn)室

激光剝離工藝與多線切割工對(duì)照：

source：深圳平湖實(shí)驗(yàn)室

深圳平湖實(shí)驗(yàn)室表示，激光剝離技術(shù)在提高生產(chǎn)效率、降低成本方面具有顯著效果，該工藝的推廣，對(duì)于快速促進(jìn)8 inch SiC襯底產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程有著重要意義。

氧化鎵理論研究方面

深圳平湖實(shí)驗(yàn)室第四代材料與器件課題組針對(duì)氧化鎵價(jià)帶能級(jí)低和p-型摻雜困難等問(wèn)題，采用銠固溶方式理論開發(fā)了新型β相銠鎵氧三元寬禁帶半導(dǎo)體。該成果已在《Advanced Electronic Materials》期刊上發(fā)表并受邀提供期刊封面設(shè)計(jì)。該文章也被收錄到《Progress and Frontiers in Ultrawide bandgap Semiconductors》專題。

半導(dǎo)體材料的功率特性（巴利加優(yōu)值）與其帶隙的立方成正比。氧化鎵具有超寬的帶隙（4.9電子伏）和成熟的制備方法，是功率器件的理想材料。

然而，已有氧化鎵器件的功率特性仍顯著低于材料的理論極限，原因在于氧化鎵價(jià)帶頂能級(jí)低，能帶色散關(guān)系平坦。雜質(zhì)摻雜受主能級(jí)多在1電子伏以上，難以實(shí)現(xiàn)有效的p-型導(dǎo)電。目前氧化鎵器件多基于肖特基勢(shì)壘或與其他氧化物(如氧化鎳)形成p-n異質(zhì)結(jié)。較低的肖特基勢(shì)壘及p-n異質(zhì)結(jié)的高界面態(tài)限制了氧化鎵器件的功率特性。如何實(shí)現(xiàn)氧化鎵的p-型摻雜成為當(dāng)下研究的一個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題。

source：深圳平湖實(shí)驗(yàn)室（β相氧化鎵晶體結(jié)構(gòu)及能帶結(jié)構(gòu)圖）

本工作基于第一性原理考察了銠固溶氧化鎵結(jié)構(gòu)。由于銠的原子半徑與鎵接近，銠固溶氧化鎵具有較低的混合焓，固溶構(gòu)型具有高穩(wěn)定性。這種現(xiàn)象在實(shí)驗(yàn)上也得到了證實(shí)，采用Pt-Rh坩堝生長(zhǎng)氧化鎵晶體時(shí)，銠易進(jìn)入氧化鎵晶格?；谀軒ЫY(jié)構(gòu)分析，銠固溶氧化鎵仍是寬禁帶半導(dǎo)體，其價(jià)帶頂由銠和鄰近的氧原子軌道雜化形成，對(duì)應(yīng)能級(jí)較氧化鎵價(jià)帶頂顯著上升。

此外，價(jià)帶頂附近能帶色散曲率增加，這與沿[010]晶向離域的電子態(tài)密度密切相關(guān)，故該工作作者建議在氧化鎵[010]晶向襯底外延生長(zhǎng)銠固溶氧化鎵外延層。具體地，銠固溶摩爾比濃度在0-50%范圍內(nèi)，固溶體的半導(dǎo)體帶隙在3.77和4.10電子伏之間，其價(jià)帶頂能級(jí)相較于氧化鎵上升了至少1.35電子伏。銠摩爾比為25%時(shí)，其空穴有效質(zhì)量?jī)H為氧化鎵的52.3%，這有助于實(shí)現(xiàn)p型摻雜，擴(kuò)展材料應(yīng)用范圍和改進(jìn)器件的性能。

source：深圳平湖實(shí)驗(yàn)室（圖中(a)和(b)分別為銠固溶摩爾比為25%時(shí)的晶體結(jié)構(gòu)及能帶結(jié)構(gòu)圖，(c) 銠固溶氧化鎵β-(RhxGa1-x)2O3在不同摩爾濃度x下的能帶對(duì)齊圖）

（集邦化合物半導(dǎo)體 Flora 整理）

據(jù)悉，該工廠自2024年投產(chǎn)以來(lái)，其碳化硅功率芯片在家用空調(diào)中的裝機(jī)量已經(jīng)突破100萬(wàn)臺(tái)。

SiC材料具有高耐壓、高頻率、高效率等優(yōu)勢(shì)，能夠顯著提升空調(diào)的能效。搭載SiC芯片后，空調(diào)的電能轉(zhuǎn)換效率得到優(yōu)化，制冷制熱效果增強(qiáng)，實(shí)現(xiàn)能耗降低，同時(shí)可以提升產(chǎn)品性能、降低能耗，增強(qiáng)格力空調(diào)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

格力該工廠是全球第二座、亞洲首座全自動(dòng)化6英寸碳化硅芯片工廠。2022年12月，格力投資近百億元的碳化硅芯片工廠正式打樁建設(shè)。2024年12月，這座碳化硅芯片工廠正式投產(chǎn)，創(chuàng)下388天建廠通線的行業(yè)紀(jì)錄。該工廠年產(chǎn)能達(dá)24萬(wàn)片，覆蓋新能源汽車、光伏儲(chǔ)能等戰(zhàn)略領(lǐng)域，核心設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率超70%，并集成人工智能缺陷檢測(cè)系統(tǒng)，良率達(dá)99.6%。

source：格力

根據(jù)《第一財(cái)經(jīng)》報(bào)道，本次股東大會(huì)展開前，格力電器首次帶領(lǐng)投資者參觀該碳化硅芯片工廠。

除了建設(shè)珠海碳化硅芯片工廠，格力電器在SiC半導(dǎo)體領(lǐng)域進(jìn)行了更多布局。

通過(guò)自建工廠，格力整合了SiC材料、器件、應(yīng)用等環(huán)節(jié)，形成內(nèi)部協(xié)同效應(yīng)，降低成本并提升供應(yīng)鏈穩(wěn)定性。并與華為等企業(yè)合作，探索SiC芯片在更多場(chǎng)景的應(yīng)用，同時(shí)通過(guò)投資砷化鎵晶圓生產(chǎn)線等項(xiàng)目，拓展化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域。在新興市場(chǎng)上，格力也將SiC技術(shù)延伸至新能源汽車、光伏儲(chǔ)能等領(lǐng)域，例如其“無(wú)稀土+碳化硅”技術(shù)矩陣已在深圳地鐵12號(hào)線應(yīng)用，年節(jié)電1500萬(wàn)元。

董明珠強(qiáng)調(diào)，格力造芯未依賴國(guó)家補(bǔ)貼，而是通過(guò)“設(shè)計(jì)-制造-封測(cè)”全鏈條布局實(shí)現(xiàn)技術(shù)突圍。隨著8英寸碳化硅晶圓量產(chǎn)計(jì)劃推進(jìn)，格力正以自主技術(shù)重塑全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局。（集邦化合物半導(dǎo)體 妮蔻 整理）

1、聞泰科技：AI賦能，功率半導(dǎo)體迎來(lái)新機(jī)遇

聞泰科技是一家全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體和通信技術(shù)公司，業(yè)務(wù)涵蓋半導(dǎo)體、光學(xué)、無(wú)線和功率器件等領(lǐng)域。2024年，公司繼續(xù)在半導(dǎo)體領(lǐng)域加大研發(fā)投入，特別是在碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等第三代半導(dǎo)體材料方面取得了顯著進(jìn)展。

4月25日，聞泰科技發(fā)布2024年年報(bào)，顯示公司營(yíng)收達(dá)到735.98億元，同比增長(zhǎng)20.23%。其中，半導(dǎo)體業(yè)務(wù)表現(xiàn)尤為突出，實(shí)現(xiàn)營(yíng)收147.15億元，凈利潤(rùn)22.97億元，毛利率達(dá)37.47%。

source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖

值得強(qiáng)調(diào)的是，聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)在中國(guó)區(qū)市場(chǎng)表現(xiàn)強(qiáng)勁，收入連續(xù)四個(gè)季度實(shí)現(xiàn)環(huán)比增長(zhǎng)，中國(guó)區(qū)收入占比穩(wěn)步提升至46.91%，且在2025年第一季度同比增長(zhǎng)約24%。

在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，聞泰科技在碳化硅和氮化鎵方面均取得了顯著進(jìn)展。

碳化硅方面， 公司成功推出了高性能車規(guī)級(jí)1200V SiC MOSFET，該產(chǎn)品憑借其卓越的性能，已廣泛應(yīng)用于電池儲(chǔ)能、光伏逆變器等工業(yè)場(chǎng)景，展現(xiàn)出強(qiáng)大的市場(chǎng)潛力。

氮化鎵方面， 聞泰科技作為行業(yè)內(nèi)少數(shù)能夠同時(shí)提供D-mode（耗盡型）和E-mode（增強(qiáng)型）GaN器件的企業(yè)，其產(chǎn)品線覆蓋了40V至700V的電壓規(guī)格，并已在消費(fèi)電子快充以及通信基站等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)量產(chǎn)交付，進(jìn)一步鞏固了公司在高效能、低功耗半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。

為進(jìn)一步滿足全球客戶對(duì)下一代寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品的需求，聞泰科技于2024年6月宣布計(jì)劃投資2億美元用于SiC、GaN等產(chǎn)品的研發(fā)，并將在漢堡工廠建設(shè)相應(yīng)的生產(chǎn)設(shè)施，彰顯了公司在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的戰(zhàn)略決心。

此外，由聞泰科技控股股東代建的臨港12英寸車規(guī)級(jí)晶圓廠已順利完成車規(guī)認(rèn)證并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。這一里程碑事件標(biāo)志著聞泰科技在車規(guī)級(jí)芯片的自主產(chǎn)能和工藝水平邁上了新的臺(tái)階，為其包括碳化硅在內(nèi)的模擬芯片國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程提供了堅(jiān)實(shí)的保障。

在報(bào)告中，聞泰科技指出，AI算力的爆發(fā)為功率半導(dǎo)體開辟了新的增長(zhǎng)點(diǎn)。在AI服務(wù)器和AI終端中，公司GaN器件能夠有效提升能源轉(zhuǎn)換效率，降低能耗和成本，并實(shí)現(xiàn)更小的器件尺寸，從而提高數(shù)據(jù)中心等運(yùn)算密集型應(yīng)用的效率。同時(shí)，隨著端側(cè)算力的發(fā)展，GaN FET芯片已成功在消費(fèi)電子快充客戶中實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

2、三安光電：深耕化合物半導(dǎo)體，碳化硅業(yè)務(wù)多點(diǎn)開花

三安光電持續(xù)聚焦化合物半導(dǎo)體核心主業(yè)，穩(wěn)步推進(jìn)LED業(yè)務(wù)，并積極拓展射頻前端、電力電子、光技術(shù)等集成電路業(yè)務(wù)。

source：三安光電

根據(jù)最新報(bào)告，三安光電在2025年第一季度實(shí)現(xiàn)主營(yíng)收入43.12億元，較上年同期增長(zhǎng)21.23%。更為顯著的是，歸屬于母公司的凈利潤(rùn)達(dá)到2.12億元，同比大幅增長(zhǎng)78.46%?？鄢墙?jīng)常性損益后的凈利潤(rùn)為7469萬(wàn)元，較去年同期激增331.43%，展現(xiàn)出強(qiáng)勁的盈利能力。

回顧2024年，三安光電實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入約118.5億元，同比增長(zhǎng)約14.61%。盡管年度凈利潤(rùn)約為2.5億元，同比下降約31.02%，但值得關(guān)注的是，集成電路業(yè)務(wù)表現(xiàn)突出，實(shí)現(xiàn)主營(yíng)業(yè)務(wù)收入同比增長(zhǎng)23.86%，其中碳化硅產(chǎn)品展現(xiàn)出強(qiáng)勁的增長(zhǎng)勢(shì)頭，為公司整體營(yíng)收增長(zhǎng)注入了新的動(dòng)能。

source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖

據(jù)悉，在2024年，三安光電集成電路業(yè)務(wù)實(shí)現(xiàn)顯著進(jìn)展，其中碳化硅業(yè)務(wù)是三安光電的重點(diǎn)發(fā)展方向，公司圍繞車規(guī)級(jí)應(yīng)用，加快碳化硅MOSFET技術(shù)迭代，并穩(wěn)步推進(jìn)與意法半導(dǎo)體合資的重慶8英寸碳化硅項(xiàng)目落地。湖南三安作為國(guó)內(nèi)為數(shù)不多的碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合制造平臺(tái)，已擁有6英寸碳化硅配套產(chǎn)能16,000片/月，8英寸碳化硅襯底、外延產(chǎn)能1,000片/月，8英寸碳化硅芯片產(chǎn)線正在建設(shè)中，擁有硅基氮化鎵產(chǎn)能2,000片/月。具體來(lái)看：

產(chǎn)品布局：湖南三安已完成650V到2000V、1A到100A的全電壓電流的碳化硅二極管產(chǎn)品梯度建設(shè)，其中第五代高浪涌版本碳化硅二極管主要應(yīng)用于光伏領(lǐng)域，第六代低正向?qū)妷寒a(chǎn)品主要應(yīng)用于電源領(lǐng)域。

SiC MOSFET產(chǎn)品：公司已完成從650V到2000V、13mΩ到1000mΩ的全系列SiC MOSFET的產(chǎn)品布局，應(yīng)用于光伏、充電樁、工業(yè)電源、數(shù)據(jù)中心及AI服務(wù)器電源等工業(yè)級(jí)市場(chǎng)，部分產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)并批量供貨。

合資項(xiàng)目進(jìn)展：湖南三安與意法半導(dǎo)體在重慶設(shè)立的合資公司安意法已于2025年2月實(shí)現(xiàn)通線，首次建設(shè)產(chǎn)能2,000片/月，規(guī)劃達(dá)產(chǎn)后8英寸外延、芯片產(chǎn)能為48萬(wàn)片/年。湖南三安與理想汽車成立的合資公司蘇州斯科半導(dǎo)體一期產(chǎn)線已實(shí)現(xiàn)通線，全橋功率模塊已在2025年一季度實(shí)現(xiàn)批量下線。

而在射頻前端領(lǐng)域，該公司構(gòu)建了專業(yè)的射頻代工平臺(tái)和產(chǎn)品封裝平臺(tái)，提供包括射頻功放/低噪放、濾波器、SIP封裝等差異化解決方案，廣泛應(yīng)用于手機(jī)、WiFi、物聯(lián)網(wǎng)、路由器、通信基站等市場(chǎng)。受益于終端市場(chǎng)需求的回暖以及客戶供應(yīng)鏈的調(diào)整，公司的砷化鎵射頻代工及濾波器業(yè)務(wù)營(yíng)業(yè)收入較上年同期實(shí)現(xiàn)了大幅增長(zhǎng)，鞏固了其在射頻前端國(guó)產(chǎn)供應(yīng)鏈中的重要地位。

在氮化鎵射頻代工領(lǐng)域，公司面向通信基站市場(chǎng)提供高性能氮化鎵射頻功放代工平臺(tái)，并積極投入消費(fèi)級(jí)射頻及6G應(yīng)用工藝的研發(fā)，客戶結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)突破，與國(guó)際客戶的合作產(chǎn)品已通過(guò)初步驗(yàn)證。（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）

source：丹佛斯動(dòng)力系統(tǒng)

結(jié)合官方和南京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)消息，丹佛斯南京園區(qū)設(shè)有兩家工廠，分別隸屬于賽米控丹佛斯和丹佛斯Editron事業(yè)部，分別投資了不同的項(xiàng)目。

其中，IGBT半導(dǎo)體模塊項(xiàng)目總投資約1億歐元（約8億元人民幣），主要從事新能源汽車用IGBT功率器件的生產(chǎn)，用地約75畝，2022底啟動(dòng)項(xiàng)目建設(shè)，單條產(chǎn)線預(yù)期年產(chǎn)能可達(dá)250萬(wàn)件。該工廠已于今年3月實(shí)現(xiàn)試生產(chǎn)。為滿足中國(guó)市場(chǎng)持續(xù)增長(zhǎng)的需求，賽米控丹佛斯計(jì)劃將潔凈室擴(kuò)建至一萬(wàn)平方米，以進(jìn)一步提升產(chǎn)能。

source：南京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)（圖為位于南京經(jīng)開區(qū)的丹佛斯南京園區(qū)）

據(jù)悉，賽米控丹佛斯eMPack模塊是業(yè)界知名的車規(guī)級(jí)碳化硅功率模塊，憑借其領(lǐng)先的高可靠性連接技術(shù)和優(yōu)異的雜散電感設(shè)計(jì)，高度契合800V平臺(tái)碳化硅應(yīng)用趨勢(shì)，充分釋放第三代半導(dǎo)體的卓越性能。其中，賽米控丹佛斯的兩款車規(guī)級(jí)碳化硅功率模塊——eMPack模塊和丹佛斯DCM1000功率模塊的性能尤其受到業(yè)界關(guān)注。

此外，賽米控丹佛斯近年來(lái)致力于模塊封裝技術(shù)的創(chuàng)新，公司正積極開發(fā)下一代光伏和儲(chǔ)能平臺(tái)，這些平臺(tái)將采用最新的封裝技術(shù)。

另外，丹佛斯Editron南京工廠主要生產(chǎn)電機(jī)、馬達(dá)等產(chǎn)品，為全球各地油田、海工、港口等重型設(shè)備的電氣化提供系統(tǒng)性的高效解決方案。目前，該工廠已實(shí)現(xiàn)PMI240、PMI375和PMI540三個(gè)平臺(tái)全系列電機(jī)的生產(chǎn)。其中，PMI540電機(jī)的功率可達(dá)1兆瓦（MW），是Editron南京工廠的獨(dú)有產(chǎn)能。此外，該工廠計(jì)劃于2025年內(nèi)完成首臺(tái)高壓控制器的引入。

據(jù)此前賽米控丹佛斯中國(guó)區(qū)總經(jīng)理許德慧采訪時(shí)提到，他們的南京工廠一期已于2024年8月落成，而珠海工廠的生產(chǎn)線于2024年9月份搬到南京。公開資料顯示，2007年，賽米控在珠海建立了失效分析中心。2018年賽米控在珠海新增了生產(chǎn)MiniSKiiP的生產(chǎn)線，2020年正式量產(chǎn)。截至2021年賽米控珠海工廠有兩條功率模塊的生產(chǎn)線，分別是應(yīng)用在風(fēng)力發(fā)電的SKiiP和應(yīng)用在工業(yè)變頻器和UPS上的MiniSKiiP。

丹佛斯集團(tuán)成立于1933年，其業(yè)務(wù)涵蓋交流驅(qū)動(dòng)器、壓縮機(jī)、傳感器等核心領(lǐng)域。2024年，集團(tuán)全球銷售額突破97億歐元，中國(guó)區(qū)業(yè)績(jī)達(dá)到94億元人民幣，使其成為其全球第二大市場(chǎng)。

丹佛斯在全球范圍內(nèi)持續(xù)優(yōu)化其產(chǎn)能布局。2023年10月，賽米控-丹佛斯韓國(guó)分公司在接受韓國(guó)媒體采訪時(shí)透露，公司正大力擴(kuò)充其位于美國(guó)尤蒂卡的SiC產(chǎn)線，主要生產(chǎn)SiC和IGBT功率模塊。

在更早的2018年，丹佛斯集團(tuán)子公司丹佛斯硅動(dòng)力公司在德國(guó)慕尼黑成立了碳化硅（SiC）技術(shù)中心。該中心匯聚了十幾位前通用電氣電力電子專家，其團(tuán)隊(duì)在模塊、測(cè)試和應(yīng)用方面擁有強(qiáng)大的SiC技術(shù)實(shí)力和豐富的經(jīng)驗(yàn)。此外，丹佛斯還在慕尼黑設(shè)立了“SiC卓越中心”，該中心包括多個(gè)辦事處和一個(gè)占地600平方米的實(shí)驗(yàn)室，用于半導(dǎo)體的認(rèn)證與開發(fā)以及各類測(cè)試場(chǎng)景（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）

source：廣納院

本次合作的核心目標(biāo)是圍繞碳化硅基底刻蝕制備衍射光波導(dǎo)鏡片這一關(guān)鍵技術(shù)展開深度協(xié)同創(chuàng)新，并加速其量產(chǎn)落地。此舉旨在提升AR眼鏡產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié)的國(guó)產(chǎn)化水平，為消費(fèi)級(jí)AR產(chǎn)品的普及注入強(qiáng)勁動(dòng)力。

在AR眼鏡邁向大眾消費(fèi)市場(chǎng)的關(guān)鍵時(shí)期，光波導(dǎo)作為核心光學(xué)組件，其性能和量產(chǎn)能力直接影響著產(chǎn)品的輕薄度、顯示效果以及成本競(jìng)爭(zhēng)力。半絕緣型碳化硅（SiC）憑借其卓越的物理化學(xué)特性，正引領(lǐng)AR光波導(dǎo)技術(shù)革新，有望突破現(xiàn)有瓶頸。

本次戰(zhàn)略合作充分整合了碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的優(yōu)勢(shì)環(huán)節(jié)。爍科晶體將提供高質(zhì)量的碳化硅原材料，為碳化硅刻蝕光波導(dǎo)的量產(chǎn)奠定堅(jiān)實(shí)的物質(zhì)基礎(chǔ)。廣納四維則憑借其成熟的衍射光波導(dǎo)光學(xué)設(shè)計(jì)、先進(jìn)的刻蝕工藝技術(shù)和豐富的量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，確保產(chǎn)品的性能和市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。同時(shí)，依托國(guó)納智造的國(guó)家級(jí)納米技術(shù)多領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新平臺(tái)，將為碳化硅刻蝕光波導(dǎo)的規(guī)模化制造提供全面的納米技術(shù)支持和產(chǎn)業(yè)協(xié)同服務(wù)。

source：廣納院

碳化硅材料因其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，被認(rèn)為是衍射光波導(dǎo)實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)的關(guān)鍵突破口。相較于傳統(tǒng)的玻璃基底，碳化硅更高（2.6以上）的折射率能夠顯著提升光波導(dǎo)的衍射效率和視場(chǎng)角，從而增強(qiáng)AR顯示的亮度與對(duì)比度，并有望實(shí)現(xiàn)單片全彩顯示，有效抑制彩虹紋效應(yīng)，提升在戶外強(qiáng)光環(huán)境下的顯示可見性。

此外，碳化硅優(yōu)異的超高熱導(dǎo)率（490W/m·K）是傳統(tǒng)玻璃的三倍，能夠快速散發(fā)高功率Micro-LED光引擎產(chǎn)生的熱量，避免因熱膨脹導(dǎo)致的光柵結(jié)構(gòu)變形，保障設(shè)備的長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行。

三方在本次合作中分工明確，優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)。

廣納四維依托自主研發(fā)的波導(dǎo)設(shè)計(jì)軟件以及DUV光刻+刻蝕工藝，主導(dǎo)碳化硅刻蝕光波導(dǎo)設(shè)計(jì)與工藝優(yōu)化，其超衍射極限結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)可以精確制備復(fù)雜多元納米光柵結(jié)構(gòu)，使得碳化硅刻蝕光波導(dǎo)實(shí)現(xiàn)單片全彩、極致輕薄以及0彩虹紋效應(yīng)，為用戶帶來(lái)更好優(yōu)質(zhì)的視覺(jué)體驗(yàn)。

山西爍科晶體作為高品質(zhì)碳化硅基底等原材料的供應(yīng)商，在國(guó)內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)碳化硅材料產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈自主可控，成功突破4、6、8英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底技術(shù)攻關(guān)。其12英寸高純半絕緣碳化硅襯底將發(fā)揮光學(xué)性能優(yōu)勢(shì)，為碳化硅刻蝕光波導(dǎo)的量產(chǎn)制造提供堅(jiān)實(shí)的物質(zhì)基礎(chǔ)。

國(guó)納智造作為國(guó)家級(jí)產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新平臺(tái)，憑借其在納米技術(shù)領(lǐng)域深厚的研發(fā)積累與產(chǎn)業(yè)協(xié)同優(yōu)勢(shì)，為碳化硅刻蝕光波導(dǎo)的研發(fā)以及產(chǎn)業(yè)資源的整合提供關(guān)鍵支持，進(jìn)行多要素賦能。通過(guò)突破納米級(jí)精密加工與超表面處理等工藝瓶頸，并結(jié)合材料性能優(yōu)化創(chuàng)新，系統(tǒng)性解決碳化硅刻蝕光波導(dǎo)制備的技術(shù)難點(diǎn)。同時(shí)，依托國(guó)家級(jí)平臺(tái)優(yōu)勢(shì)，推動(dòng)光波導(dǎo)器件產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新與價(jià)值升級(jí)。

本次簽約合作不僅是技術(shù)的融合，更是AR產(chǎn)業(yè)鏈條的深度重構(gòu)。廣納四維、爍科晶體和國(guó)納智造產(chǎn)業(yè)鏈之間的深度合作與協(xié)同，將加速技術(shù)轉(zhuǎn)化，有望令碳化硅AR眼鏡在輕量化、高清顯示與成本控制等多方面實(shí)現(xiàn)質(zhì)的飛躍，加速開啟消費(fèi)級(jí)AR的“千元時(shí)代”。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖

報(bào)告顯示，芯聯(lián)集成計(jì)劃通過(guò)發(fā)行股份及支付現(xiàn)金的方式，向包括紹興濱海新區(qū)芯興股權(quán)投資基金合伙企業(yè)（有限合伙）在內(nèi)的15名交易對(duì)方購(gòu)買其合計(jì)持有的芯聯(lián)越州集成電路制造（紹興）有限公司（以下簡(jiǎn)稱“芯聯(lián)越州”）72.33%的股權(quán)。交易完成后，芯聯(lián)越州將成為芯聯(lián)集成的全資子公司。

通過(guò)全資控股芯聯(lián)越州，芯聯(lián)集成將實(shí)現(xiàn)一體化管理，整合雙方在8英寸硅基產(chǎn)能、工藝平臺(tái)、定制設(shè)計(jì)及供應(yīng)鏈等方面的優(yōu)勢(shì)，降低管理復(fù)雜度，提升執(zhí)行效率。另外，芯聯(lián)集成還將利用自身技術(shù)、客戶和資金優(yōu)勢(shì)，重點(diǎn)支持SiCMOSFET、高壓模擬IC等高技術(shù)產(chǎn)品和業(yè)務(wù)的發(fā)展，貫徹整體戰(zhàn)略部署。

報(bào)告顯示，2024年5-10月，標(biāo)的公司芯聯(lián)越州硅基產(chǎn)線的產(chǎn)能利用率為83.23%，化合物產(chǎn)線的產(chǎn)能利用率為95.87%，化合物產(chǎn)線已接近滿產(chǎn)。

據(jù)悉，芯聯(lián)越州2025~2027年6英寸及8英寸碳化硅晶圓及模組（目前6英寸碳化硅客戶及訂單待后續(xù)8英寸產(chǎn)線成熟后可轉(zhuǎn)入8英寸產(chǎn)線）需求量預(yù)測(cè)合計(jì)超過(guò)100億元，標(biāo)的公司及上市公司2025~2027年IGBT及硅基MOSFET（暫未包括為填充產(chǎn)能承接的MOSFET訂單）需求量預(yù)測(cè)合計(jì)超過(guò)100億元。

在碳化硅領(lǐng)域，芯聯(lián)越州將持續(xù)優(yōu)化產(chǎn)品和客戶結(jié)構(gòu)。目前，芯聯(lián)越州正在逐步推動(dòng)SiC MOSFET產(chǎn)品從6英寸升級(jí)至8英寸，其8英寸SiC MOSFET產(chǎn)線于2024年4月實(shí)現(xiàn)工程批下線，目前正在客戶驗(yàn)證中，預(yù)計(jì)于2025年上半年實(shí)現(xiàn)風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn)，2025年三季度實(shí)現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)，該公司有望成為國(guó)內(nèi)首家規(guī)模量產(chǎn)8英寸SiC MOSFET的企業(yè)。

在未來(lái)需求預(yù)測(cè)較為充足的情況下，芯聯(lián)越州擬加快8英寸碳化硅布局，將現(xiàn)有1萬(wàn)片/月8英寸硅基產(chǎn)線及8千片/月的6英寸碳化硅產(chǎn)線，逐步改造為8英寸碳化硅產(chǎn)線，推動(dòng)標(biāo)的公司營(yíng)業(yè)收入及盈利能力快速增長(zhǎng)。截至2026年末，芯聯(lián)越州將擁有6萬(wàn)片/月硅基產(chǎn)能，5千片/月的6英寸碳化硅產(chǎn)能以及1.5萬(wàn)片/月8英寸碳化硅產(chǎn)能。2027年，標(biāo)的公司將繼續(xù)推動(dòng)剩余5千片/月6英寸碳化硅產(chǎn)能逐步轉(zhuǎn)為8英寸碳化硅產(chǎn)能。

在碳化硅產(chǎn)品及技術(shù)方面，除推動(dòng)8英寸碳化硅于2025年三季度規(guī)模量產(chǎn)外，芯聯(lián)越州還在同步研發(fā)8英寸溝槽柵碳化硅技術(shù)，不斷推出附加值更高、性能更好的新一代產(chǎn)品，迭代優(yōu)化產(chǎn)品結(jié)構(gòu)。

據(jù)悉，芯聯(lián)越州的SiC MOSFET產(chǎn)品良率和技術(shù)參數(shù)已達(dá)世界先進(jìn)水平，已完成三代產(chǎn)品技術(shù)迭代及溝槽型產(chǎn)品技術(shù)儲(chǔ)備。交易完成后，芯聯(lián)集成將協(xié)調(diào)更多資源在碳化硅領(lǐng)域重點(diǎn)投入，把握汽車電子領(lǐng)域碳化硅器件快速滲透的市場(chǎng)機(jī)遇。

而從收購(gòu)方芯聯(lián)集成業(yè)績(jī)情況看，在此前的2021年至2023年，芯聯(lián)集成實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入分別為20.24億元、46.06億元和53.24億元，同比分別增長(zhǎng)173.82%、127.59%和15.59%。歸母凈利潤(rùn)分別為-12.36億元、-10.88億元和-19.58億元，歸母凈利潤(rùn)同比增長(zhǎng)分別為9.54%、11.92%和-79.92%。同期，公司資產(chǎn)負(fù)債率分別為65.74%、72.52%和49.80%。

而在2024年，芯聯(lián)集成業(yè)績(jī)快報(bào)顯示，該公司營(yíng)業(yè)總收入達(dá)到65.09億元，同比增長(zhǎng)22.25%。盡管仍處于虧損狀態(tài)，但凈利潤(rùn)為-9.68億元，同比減虧50.57%，這一積極變化表明公司盈利能力正在逐步改善。

source：芯聯(lián)集成

目前，碳化硅業(yè)務(wù)已成為芯聯(lián)集成的第二增長(zhǎng)曲線，2024年該公司SiC業(yè)務(wù)收入達(dá)10.16億元，較上年增長(zhǎng)超100%，主要是在在車載和工控領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了規(guī)?；慨a(chǎn)。其中在車載領(lǐng)域，芯聯(lián)集成實(shí)現(xiàn)收入約32.53億元，同比增長(zhǎng)約41.02%。公司深度布局整車約70%的汽車芯片平臺(tái)數(shù)量，以功率芯片及模組、傳感類產(chǎn)品為主，提供完整代工方案，深度融入車規(guī)芯片國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程。

展望2025年，芯聯(lián)集成預(yù)計(jì)新平臺(tái)、新應(yīng)用的推廣以及新產(chǎn)能的投產(chǎn)，將推動(dòng)模擬IC、模組、SiC及MEMS業(yè)務(wù)顯著增長(zhǎng)。隨著新型電源需求的不斷攀升，芯聯(lián)集成有望步入高速增長(zhǎng)期。預(yù)計(jì)毛利率將穩(wěn)步提升，公司計(jì)劃在2026年實(shí)現(xiàn)全面盈利。

（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）