該超級充電站配備了6個充電樁和11把充電槍，可同時滿足11輛車的充放電需求。其充電速度極快，最快可達1秒1公里，同時還能根據(jù)車型需求精準控制充電速度和電量，如同 “智能水龍頭” 般自動調(diào)節(jié)，從而更好地保護電池。該系統(tǒng)采用一體式充電站和10千伏直掛式設(shè)計，具備占地面積小、低能量損耗、充電功率大和電網(wǎng)支撐強等優(yōu)勢，系統(tǒng)效率由傳統(tǒng)的91%提升至96%，能滿足200伏至1000伏范圍內(nèi)電動汽車充電平臺自適應(yīng)匹配的需求。

值得關(guān)注的是，該系統(tǒng)是國網(wǎng)湖南電科院聯(lián)合中車株洲所攻關(guān)，全碳化硅構(gòu)網(wǎng)型10千伏直掛超級充電系統(tǒng)實現(xiàn)從主控芯片到嵌入式操作系統(tǒng)的全國產(chǎn)化，是全國產(chǎn)化中壓碳化硅器件首次實現(xiàn)商業(yè)化應(yīng)用，成本可降低20%。

碳化硅材料具備更高的擊穿電場、更快的開關(guān)速度與更低的導通損耗，這使得電能轉(zhuǎn)換過程中的能量損耗大幅降低，系統(tǒng)整體效率從傳統(tǒng)充電設(shè)備的91%提升至96%，從而實現(xiàn)了更快的充電速度，如該系統(tǒng)最快可達1秒1公里的充電速度。

此外，由于長期以來中壓碳化硅功率器件及充電系統(tǒng)核心控制組件被國外企業(yè)壟斷，成本居高不下。此次全國產(chǎn)化中壓碳化硅器件的應(yīng)用，擺脫了對進口器件的依賴，且國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈具備規(guī)?；a(chǎn)優(yōu)勢，使系統(tǒng)整體建設(shè)成本較采用進口器件的同類設(shè)備降低20%。

（集邦化合物半導體整理）

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圖片來源：納微芯球

該實驗室將納微半導體在高頻、高速、高集成度氮化鎵以及擁有溝槽輔助平面技術(shù)的GeneSiC碳化硅領(lǐng)域的產(chǎn)品優(yōu)勢與兆易創(chuàng)新在GD32 MCU領(lǐng)域的深厚積累相結(jié)合，面向AI數(shù)據(jù)中心、光伏逆變、儲能等新興市場，提供智能、高效的數(shù)字能源解決方案。

自籌備以來，數(shù)字能源聯(lián)合實驗室已取得一系列成果，先后推出4.5kW、12kW服務(wù)器電源，以及500W單級微型逆變器等解決方案。這些方案以先進拓撲，滿足行業(yè)“高效率、高功率密度”等需求演進方向。方案的落地不僅展現(xiàn)了納微半導體 與兆易創(chuàng)新在數(shù)字能源領(lǐng)域的創(chuàng)新實力，也凸顯了雙方技術(shù)融合所帶來的獨特優(yōu)勢與市場競爭力。

比如4.5kW和12kW AI服務(wù)器電源方案，基于納微GaNSafe氮化鎵功率芯片與第三代快速碳化硅MOSFETs產(chǎn)品，結(jié)合兆易創(chuàng)新GD32G553 MCU打造的4.5kW和12kW AI服務(wù)器電源方案，專為AI和傳統(tǒng)服務(wù)器以及超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心設(shè)計。其中的12kW方案不僅符合開放計算項目（OCP）、開放機架v3（ORv3）及CRPS規(guī)范，更以極簡元器件布局，超越80 PLUS紅寶石“Ruby”標準，實現(xiàn)97.8%峰值效率。

（集邦化合物半導體整理）

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01、芯聯(lián)集成全新碳化硅產(chǎn)品開啟量產(chǎn)交付

近期，芯聯(lián)集成與理想汽車舉辦理想&芯聯(lián)集成合作伙伴交流會暨BAREDIE晶圓下線儀式。

圖片來源：芯聯(lián)集成

自2024年3月正式簽署戰(zhàn)略合作框架協(xié)議以來，兩家公司在碳化硅技術(shù)上展開了全面且深入的合作。歷經(jīng)一年多的緊密協(xié)作，由理想汽車設(shè)計開發(fā)、芯聯(lián)集成代工量產(chǎn)的碳化硅產(chǎn)品現(xiàn)已開啟量產(chǎn)交付。

芯聯(lián)集成是國內(nèi)領(lǐng)先的一站式芯片系統(tǒng)代工企業(yè)，在車規(guī)級碳化硅領(lǐng)域擁有深厚技術(shù)積累；而理想汽車作為新能源汽車市場的領(lǐng)軍企業(yè)，近年來持續(xù)加碼純電賽道。

此次量產(chǎn)交付的碳化硅產(chǎn)品，標志著雙方戰(zhàn)略協(xié)同邁入新階段，也是理想純電戰(zhàn)略落地的關(guān)鍵一環(huán)。未來，該產(chǎn)品將在理想i系列純電車型上搭載。

芯聯(lián)集成表示，這款碳化硅產(chǎn)品在綜合性能方面表現(xiàn)卓越，尤其是在導通電阻、應(yīng)用結(jié)溫等方面較市場主流產(chǎn)品展現(xiàn)出更大優(yōu)勢，有助于提升車輛補能效率及續(xù)航里程。

02、悉智科技第10萬顆SiC車載電驅(qū)模塊順利下線

近日，悉智科技第10萬顆SiC車載電驅(qū)模塊順利下線。未來，該公司將向100萬顆交付目標沖刺。

圖片來源：悉智科技

悉智科技CEO劉波表示，從0到10萬交付，這只是第一階段的跨越，接下來悉智不會只滿足于明年突破50萬的交付里程碑，更要全力與客戶、供應(yīng)商和全體員工攜手并進，早日達成100萬交付目標，夯實新能源汽車市場SiC電驅(qū)模塊、SiC電源模塊的高端制造能力，同時為進軍AIDC市場SiC電源模塊領(lǐng)域奠定堅實基礎(chǔ)。

資料顯示，悉智科技于2022年1月1日正式運營，目前研發(fā)人員約100人，占比50%，蘇州和上海兩個辦公地點，已投資超3億元，獲得TüV 16949體系認證。

其中，蘇州建設(shè)一個車規(guī)級封裝工廠，具備失效分析、可靠性、測試開發(fā)能力；上海建設(shè)一個技術(shù)中心，具備測試開發(fā)能力。

（集邦化合物半導體 秦妍 整理）

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圖片來源：格力電子元器件

此次成立聯(lián)合研究中心，雙方將圍繞碳化硅全鏈條難題攻關(guān)，推動科研成果轉(zhuǎn)化，挖掘新應(yīng)用場景，還將建立常態(tài)化溝通、定期技術(shù)研討、人才聯(lián)合培養(yǎng)三大機制，共同挖掘碳化硅器件的藍海市場，為碳化硅技術(shù)創(chuàng)新與我國功率半導體產(chǎn)業(yè)崛起貢獻力量。

過去兩年，雙方合作已取得扎實進展，學?？蒲袌F隊與元器件技術(shù)專家緊密協(xié)作，在平面器件、溝槽技術(shù)、超結(jié)等多個領(lǐng)域開展深入研究并攻克一系列技術(shù)難題；未來，雙方將以聯(lián)合研究中心為基地，在車規(guī)級可靠性、先進模塊封裝、IPM驅(qū)動等方面進一步全面深入拓展合作。

珠海格力電器股份有限公司總裁助理兼珠海格力電子元器件有限公司總經(jīng)理馮尹表示，在“共創(chuàng)”層面，格力電器已發(fā)展成為多元化、科技型的全球工業(yè)制造集團，通過芯片制造、工藝與設(shè)計閉環(huán)實現(xiàn)核心技術(shù)自主可控，內(nèi)部碳化硅需求量巨大。雙方理念契合，可依托聯(lián)合研究中心共同攻克技術(shù)瓶頸，推動科研成果快速落地。

在“共拓”層面，雙方可攜手拓展市場邊界，聚焦于卷技術(shù)、卷質(zhì)量、卷應(yīng)用，整合雙方優(yōu)勢攻克碳化硅技術(shù)瓶頸，挖掘藍海市場，推動科研成果轉(zhuǎn)化與人才協(xié)同。

最后馮尹提出要以自驅(qū)力突破自我，跳出局限共謀創(chuàng)新，承載格力發(fā)展使命，助力產(chǎn)業(yè)騰飛，實現(xiàn)共創(chuàng)共拓共贏。

（集邦化合物半導體整理）

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01、超2億元，瀚薪科技完成新一輪融資

近期，瀚薪科技瀚薪科技宣布完成超2億元的新一輪融資。

瀚薪科技表示 ，該輪融資由西安高新區(qū)芯石投資合伙企業(yè)（有限合伙）領(lǐng)投，西安高新區(qū)多家國有資本投資平臺聯(lián)合投資，標志著瀚薪科技在產(chǎn)業(yè)拓展和區(qū)域協(xié)同發(fā)展方面邁出關(guān)鍵一步。

融資完成后，瀚薪科技將在西安建立第二總部，進一步深化與西北地區(qū)產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)及高校的合作，強化區(qū)域協(xié)同創(chuàng)新能力，加快碳化硅核心產(chǎn)品的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化進程，全面提升公司在全國半導體功率器件領(lǐng)域的輻射力和影響力。

此次融資不僅為瀚薪科技注入新的資本動力，更體現(xiàn)了西安作為西部半導體產(chǎn)業(yè)重鎮(zhèn)對公司技術(shù)實力與發(fā)展前景的高度認可。

瀚薪科技將依托西安豐富的科教與產(chǎn)業(yè)資源，積極構(gòu)建“雙總部、雙輪驅(qū)動”格局，進一步整合產(chǎn)業(yè)鏈，擴大產(chǎn)能布局，助力我國第三代半導體行業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展。未來，瀚薪科技將繼續(xù)聚焦碳化硅核心技術(shù)的研發(fā)與創(chuàng)新，持續(xù)推動產(chǎn)品迭代與市場應(yīng)用，并不斷提升客戶服務(wù)標準，為新能源汽車、工業(yè)控制及光伏等領(lǐng)域提供高性能、高可靠的功率半導體解決方案，為實現(xiàn)科技自主與產(chǎn)業(yè)升級貢獻“芯力量”！

02、國資重磅入場，中科光智再獲數(shù)千萬元投資

近日中科光智宣布正式完成B輪融資首批簽約，獲成都市金牛區(qū)交子私募基金管理有限公司（以下簡稱“金牛交子基金公司”）投資，簽約金額達數(shù)千萬元。

本輪融資將主要用于在成都市金牛區(qū)打造碳化硅芯片封裝設(shè)備研發(fā)制造中心，重點推進高精度全自動貼片機等半導體封裝設(shè)備的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化進程。

圖片來源：中科光智

資料顯示，投資方金牛交子基金公司成立于2020年，是由成都市金牛區(qū)人民政府牽頭，聯(lián)合省級和區(qū)屬國企共同設(shè)立的國有綜合性政府投資基金管理公司，于2021年完成中基協(xié)私募基金管理人登記。

中科光智透露，本輪融資重點支持的高精度全自動貼片機，是由中科光智自主研發(fā)的適用于功率半導體、光通信、LED等領(lǐng)域高精度應(yīng)用場景的先進工藝設(shè)備，也是該公司最為核心的產(chǎn)品之一，搭載先進運動控制系統(tǒng)與視覺識別定位技術(shù)，在穩(wěn)定性、精度與自動化水平方面表現(xiàn)突出，能幫助客戶大幅提升生產(chǎn)效率和產(chǎn)品良率水平。目前，這款設(shè)備已在多家行業(yè)頭部企業(yè)中完成廠內(nèi)驗證。

中科光智表示，本輪融資總規(guī)模目標為1億元人民幣，后續(xù)融資窗口將持續(xù)開放。

03、結(jié)語

隨著融資資金的注入，兩家企業(yè)有望在碳化硅技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)品創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)化推進等方面取得更大突破，為我國第三代半導體產(chǎn)業(yè)的崛起注入源源不斷的活力，引領(lǐng)行業(yè)邁向新的發(fā)展高度。

（集邦化合物半導體 秦妍 整理）

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圖片來源：由NREL的Brook Buchan拍攝
注：NREL的超低電感智能 (ULIS) 電源模塊可以幫助從全球電力供應(yīng)中“榨取”更多可用電力，使其成為應(yīng)對數(shù)據(jù)中心和車輛日益增長的能源需求的有前景的解決方案

ULIS功率模塊的核心在于其獨特的超低電感封裝技術(shù)。NREL團隊通過創(chuàng)新的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和引腳設(shè)計，將寄生電感降至前所未有的水平，有效應(yīng)對了傳統(tǒng)設(shè)計中的瓶頸。這項技術(shù)突破直接帶來了三大顯著的性能提升：開關(guān)速度比現(xiàn)有商用模塊快3到5倍；在特定應(yīng)用中，其效率高達99.5%；制造成本比同類產(chǎn)品低30%以上。

ULIS的革命性，源于其突破傳統(tǒng)的新型設(shè)計。它摒棄了笨重的磚狀封裝，轉(zhuǎn)而采用扁平的八邊形設(shè)計，這種“壓薄餅”式的結(jié)構(gòu)使其在更小的面積內(nèi)容納更多器件，從而實現(xiàn)更小、更輕的整體封裝。

圖片來源：由NREL的Brook Buchan拍攝

ULIS可以使用廣泛可用的設(shè)備進行加工，從而將電源模塊的制造成本從數(shù)千美元降至數(shù)百美元。

此外，ULIS還具備多項前瞻性特性，支持無線控制和監(jiān)控，其類似樂高的模塊化特性，使其能夠輕松嵌入數(shù)據(jù)中心服務(wù)器、飛機和軍用車輛等各種復雜設(shè)備中。更重要的是，ULIS的設(shè)計面向未來，能夠兼容下一代基于氮化鎵甚至氧化鎵等新材料的半導體器件，確保其技術(shù)的長遠適用性。

NREL研究人員表示，ULIS模塊的成功開發(fā)不僅是實驗室里的一個技術(shù)奇跡，更是對整個功率電子產(chǎn)業(yè)的一次深刻重塑。它將加速碳化硅技術(shù)在下一代電力系統(tǒng)中的應(yīng)用，為構(gòu)建更高效、更可持續(xù)的能源未來提供了堅實的技術(shù)基礎(chǔ)。

（集邦化合物半導體整理）

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圖片來源：Resonac

該廠房將專注于生產(chǎn)8英寸（200mm）SiC外延片，旨在通過更大尺寸的晶圓提高芯片產(chǎn)出量、降低成本，以滿足電動汽車、可再生能源及工業(yè)設(shè)備市場日益增長的需求。根據(jù)規(guī)劃，新設(shè)施已于2024年9月動工，并計劃于2026年正式投入運營。

圖片來源：Resonac

據(jù)悉，該項目是日本政府依據(jù)《經(jīng)濟安全保障推進法》所認定的關(guān)鍵物資供應(yīng)保障計劃的一部分。早在2023年6月，#Resonac 就已通過政府補助認證，最高可獲得約103億日元（約5億元人民幣）的補助金，用于擴充SiC襯底和外延片的產(chǎn)能。
根據(jù)此前的計劃，Resonac預(yù)計在2027年4月實現(xiàn)SiC襯底的年產(chǎn)能達到11.7萬片（折合6英寸計算），并在2027年5月將SiC外延片的年產(chǎn)能提升至28.8萬片（折合6英寸計算）。

進入2025年，Resonac的戰(zhàn)略布局遠不止于產(chǎn)能擴張。

今年9月3日，Resonac宣布，已聯(lián)合全球半導體供應(yīng)鏈中的27家企業(yè)，成立了名為“JOINT3”的共創(chuàng)聯(lián)盟。該聯(lián)盟將專注于開發(fā)面板級有機中介層技術(shù)，以應(yīng)對生成式AI和自動駕駛汽車對高性能半導體封裝日益增長的需求。作為聯(lián)盟領(lǐng)導者，Resonac將在位于茨城縣結(jié)城市的工廠設(shè)立“先進面板級中介層中心（APLIC）”，該中心計劃于2026年開始運營。

今年4月22日與橫濱國立大學簽署了全面合作協(xié)議，旨在共同研發(fā)下一代半導體材料、推進先進封裝技術(shù)（如3D封裝）以及可持續(xù)的制造工藝。此合作將加速其在半導體下游工藝的材料與技術(shù)開發(fā)。

（集邦化合物半導體 竹子 整理）

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灌膠模塊線：兼容EASY、34MM等多規(guī)格產(chǎn)品，年產(chǎn)能達20萬只；

塑封模塊線：支持SOT-227、IPM等封裝類型，年產(chǎn)能規(guī)劃100萬只。

為強化車規(guī)級市場布局，工廠還將專設(shè)TPAK、DCM等車規(guī)模塊產(chǎn)線，進一步提升對新能源汽車、光伏、電網(wǎng)等高可靠性場景的覆蓋能力。

隨著碳中和進程不斷推進，碳化硅器件在提升能源轉(zhuǎn)換效率方面的作用日益突出。至信微電子以南通基地為依托，有望進一步鞏固其在高壓應(yīng)用領(lǐng)域的先發(fā)優(yōu)勢，為中國高端制造與綠色能源發(fā)展注入新動能。

資料顯示，深圳至信微電子有限公司專注于第三代半導體技術(shù)的研發(fā)，該公司率先在國內(nèi)研發(fā)成功車規(guī)級碳化硅MOSFET，并已通過國內(nèi)汽車客戶的樣品測試。

（集邦化合物半導體整理）

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圖片來源：平煤股份公告截圖

此次重組不僅是河南省深化國企改革、提升能源化工產(chǎn)業(yè)競爭力的關(guān)鍵舉措，更將圍繞碳化硅（SiC）等高端新材料展開深度協(xié)同，助力“雙碳”目標下的綠色低碳轉(zhuǎn)型。

公開資料顯示，平煤神馬與河南能源均為河南省國資委控股，資產(chǎn)規(guī)模合計超過5500億元，年營業(yè)收入預(yù)計突破2500億元。其中平煤神馬是由原平煤集團和原神馬集團于2008年重組而成，現(xiàn)已發(fā)展成為以煤焦、尼龍化工、新能源新材料三大產(chǎn)業(yè)為核心的大型企業(yè)集團。

資源+技術(shù)雙輪驅(qū)動，助力碳化硅產(chǎn)業(yè)升級

平煤神馬早在2000年就通過旗下易成新材切入碳化硅精細微粉領(lǐng)域，2021年，投資7000萬元啟動碳化硅基半導體材料示范線項目，2022?年2月，平煤神馬集團與平頂山發(fā)展投資控股集團共同出資設(shè)立中宜創(chuàng)芯公司，該公司主要開展碳化硅半導體粉體的研發(fā)與生產(chǎn)，產(chǎn)品覆蓋半絕緣型、摻氮型、不摻氮型、立方型等系列，純度高、種類齊全，廣泛應(yīng)用于碳化硅單晶生長。

2023年6月，公司年產(chǎn)2000噸碳化硅半導體粉體項目啟動，總投資20億元，一期500噸已建成投產(chǎn)，純度達到8N（99.999999%），接近國際頂尖水平。2024年，#中宜創(chuàng)芯?實驗室成功生長出全省首塊8英寸碳化硅單晶晶錠，驗證了平煤神馬碳化硅粉體在長晶方面的優(yōu)勢。

據(jù)上海證券報報道，目前，中宜創(chuàng)芯一期500噸碳化硅半導體粉體生產(chǎn)線已順利達產(chǎn)。全部2000噸項目達產(chǎn)后，平煤神馬的碳化硅粉體產(chǎn)品預(yù)計在國內(nèi)市占率將超過30%，全球市場率也將超過10%。

河南能源則擁有284億噸煤炭資源儲量和近1000萬噸化工產(chǎn)品產(chǎn)能，其在基礎(chǔ)化工領(lǐng)域的規(guī)?；a(chǎn)能力，可為碳化硅粉體合成提供穩(wěn)定的原料保障與能源供給。

碳化硅作為第三代半導體的核心材料，在新能源汽車、5G基站、光伏風電等戰(zhàn)略性新興領(lǐng)域具有不可替代的作用。平煤神馬與河南能源的重組不僅是兩家國企的規(guī)模整合，更是河南省在第三代半導體領(lǐng)域搶占制高點、支撐國家“雙碳”戰(zhàn)略的重要一步。

（集邦化合物半導體 金水 整理）

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1、茂睿芯

9月22日，茂睿芯官微宣布，正式推出國內(nèi)首款直驅(qū)SiC MOSFET flyback AC/DC產(chǎn)品MK2606S。

圖片來源：Meraki Integrated茂睿芯

據(jù)介紹，該產(chǎn)品支持16~30V寬VCC供電驅(qū)動電壓16V，可以直驅(qū)SiC MOSFET支持135kHz開關(guān)頻率專有的軟起機方案，在開機時可以降低次級同步整流尖峰抖頻功能，優(yōu)化系統(tǒng)EMI恒功率、Line OVP功能可開放SOT23-6封裝。

茂睿芯表示，MK2606S是國內(nèi)首發(fā)，小6pin直驅(qū)SiC，30V高頻QR反激控制器，應(yīng)用場景包括AC/DC適配器、工業(yè)輔源、儲能系統(tǒng)輔助電源組串逆變器輔源、汽車直流充電樁輔源等。

2、羅姆半導體

9月22日，羅姆半導體在官網(wǎng)宣布，其開發(fā)了二合一SiC模壓模塊——DOT-247。

圖片來源：羅姆半導體集團

據(jù)了解，該產(chǎn)品非常適合光伏逆變器、UPS和半導體繼電器等工業(yè)設(shè)備的應(yīng)用場景。新模塊保留了功率元器件中廣泛使用的“TO-247”的通用性，同時還能實現(xiàn)更高的設(shè)計靈活性和功率密度。

具體來看，DOT-247采用將兩個TO-247封裝相連的造型，通過配備在TO-247結(jié)構(gòu)上難以容納的大型芯片，并采用ROHM自有的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)了更低導通電阻。另外，通過優(yōu)化封裝結(jié)構(gòu)，其熱阻比TO-247降低了約15%，電感降低了約50%。由此，在半橋*1結(jié)構(gòu)中，可實現(xiàn)使用TO-247時2.3倍的功率密度，并能以約一半的體積實現(xiàn)等效的功率轉(zhuǎn)換電路。

值得關(guān)注的是，新產(chǎn)品已于2025年9月開始暫以月產(chǎn)1萬個的規(guī)模投入量產(chǎn)（樣品價格：20,000日元/個，不含稅）。另外，符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101的產(chǎn)品，也計劃于2025年10月開始提供樣品。

3、方正微電子

9月15日，據(jù)#方正微電子?官微介紹，其高性能SIC MOS功率模塊—TPAK模塊FA120T003BA（1200V 3.1mΩ），專為新能源汽車主驅(qū)電機控制器、EVTOL電機控制器、電動船、超級充電站等高端應(yīng)用需求而設(shè)計，旨在提供極致效率、極致功率密度和極致可靠性的解決方案。

圖片來源：方正微電子

具體來看，TPAK模塊FMIC采用了最新一代的自研SICMOS芯片，實現(xiàn)了單模塊內(nèi)阻Rdson＜3mΩ，該型號模塊的電流密度增加了＞50%，其功率容量、性能得到了顯著提升；單模組峰值輸出功率＞100kW，極大提高系統(tǒng)功率密度。

此外，芯片關(guān)鍵可靠性項目可輕松通過3000h認證，模塊滿足AQG-324可靠性標準，封裝通過凹槽設(shè)計，實現(xiàn)高爬電距離，提高高電壓平臺應(yīng)用的可靠性，可提供1200V多款低Rdson＜10mΩ產(chǎn)品。

4、Wolfspeed

9月11日，Wolfspeed宣布其200mm碳化硅材料產(chǎn)品開啟大規(guī)模商用，同時同步推出可供即時認證的200mm碳化硅外延片，結(jié)合其200 mm裸晶圓，能夠?qū)崿F(xiàn)突破性的規(guī)?；慨a(chǎn)與更為優(yōu)異的品質(zhì)，助力下一代高性能功率器件的開發(fā)。

Wolfspeed表示，Wolfspeed 200mm碳化硅裸晶圓在350μm厚度下實現(xiàn)了更為優(yōu)異的參數(shù)規(guī)格，而200mm外延片則具備行業(yè)領(lǐng)先且進一步改善的摻雜和厚度均勻性。這些特性使得器件制造商能夠提高MOSFET良率、縮短產(chǎn)品推向市場的時間，并為汽車、可再生能源、工業(yè)及其他高增長應(yīng)用領(lǐng)域提供更具競爭力的解決方案。

5、英飛凌

9月8日，英飛凌官微推出新品——CoolSiC MOSFET 1200V分立器件TO247-4引腳IMZA封裝。

圖片來源：英飛凌工業(yè)半導體

根據(jù)英飛凌介紹，第二代CoolSiC MOSFET G2 1200V/53mΩ，TO247-4引腳IMZA封裝，確保安裝兼容性并可輕松替換現(xiàn)有系統(tǒng)設(shè)計，為更經(jīng)濟高效、緊湊、易設(shè)計且可靠的系統(tǒng)提供領(lǐng)先的解決方案。該器件在硬開關(guān)操作和軟開關(guān)拓撲中均能表現(xiàn)出更優(yōu)異的性能，適用于所有常見的AC-DC、DC-DC和DC-AC組合拓撲。

新品具有開關(guān)損耗降低25%，總功率損耗減少10%，MOSFET溫度降低11%，抗米勒效應(yīng)可靠性，并聯(lián)表現(xiàn)更優(yōu)等多種競爭優(yōu)勢，可廣泛應(yīng)用于光伏、儲能、不間斷電源UPS、電動汽車充電、驅(qū)動等領(lǐng)域。

（集邦化合物半導體 金水 整理）

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