與國內(nèi)傳動領(lǐng)域頭部企業(yè)達(dá)成戰(zhàn)略合作
12月29日，宏微科技公告稱，公司與一家國內(nèi)傳動領(lǐng)域的控制設(shè)備與系統(tǒng)集成頭部公司簽署了《戰(zhàn)略合作協(xié)議》，未來將聚焦電控系統(tǒng)、液壓控制系統(tǒng)、伺服系統(tǒng)、機(jī)器人核心零部件（執(zhí)行器、電動缸、控制器）中所用到的功率半導(dǎo)體器件，并重點圍繞氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體器件開展聯(lián)合共研，旨在強(qiáng)化雙方在電控系統(tǒng)、液壓控制系統(tǒng)、伺服系統(tǒng)、機(jī)器人等諸多領(lǐng)域的業(yè)務(wù)布局與競爭優(yōu)勢。
圖片來源：宏微科技公告截圖
公告顯示，鑒于對方名稱涉及商務(wù)保密信息，根據(jù)相關(guān)法律法規(guī)規(guī)定予以豁免披露。此次簽署的協(xié)議為框架性、意向性協(xié)議，不涉及具體金額，協(xié)議自雙方加蓋公章之日起生效，有效期三年。協(xié)議項下涉及的具體業(yè)務(wù)，均須雙方另行簽訂業(yè)務(wù)合同，對公司2025年度及未來業(yè)績不構(gòu)成直接影響，具體影響需視后續(xù)項目推進(jìn)實施情況確定。
此外，雙方合作的機(jī)器人應(yīng)用領(lǐng)域的相關(guān)功率器件產(chǎn)品尚處于初期共研階段，后續(xù)具體項目在實施過程中尚存在不確定性。
從行業(yè)發(fā)展邏輯來看，傳動領(lǐng)域的電控、伺服等系統(tǒng)對功率器件的性能要求持續(xù)提升，傳統(tǒng)硅基器件已難以完全適配高端場景下的高頻控制、低損耗及小型化需求。
氮化鎵器件能夠顯著降低開關(guān)與導(dǎo)通損耗，提升功率密度，同時壓縮系統(tǒng)響應(yīng)時延，有效優(yōu)化傳動系統(tǒng)的運(yùn)行效率與控制精度，為工業(yè)機(jī)器人、高端裝備等領(lǐng)域的性能升級提供核心硬件支撐。
此次合作對宏微科技而言，可借助合作方在傳動領(lǐng)域的行業(yè)積累與場景資源，加速氮化鎵器件的市場化驗證與場景適配，精準(zhǔn)切入高端應(yīng)用賽道，夯實第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化優(yōu)勢。
氮化鎵產(chǎn)品已小規(guī)模出貨，適配機(jī)器人賽道
稍早之前的12月26日，宏微科技在互動平臺回答投資者提問時表示，公司自主研發(fā)的100V/7mΩ氮化鎵（GaN）產(chǎn)品已向下游廠商送樣并實現(xiàn)小規(guī)模出貨，產(chǎn)品正在和客戶聯(lián)合共研加速迭代，以更好地適配機(jī)器人關(guān)節(jié)在多工作場景下的需求。未來不排除與部分核心廠商簽訂全面戰(zhàn)略合作協(xié)議。
圖片來源：互動平臺截圖
據(jù)宏微科技此前披露，氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體材料，具有高開關(guān)頻率、低損耗、體積小等特性，契合人形機(jī)器人對關(guān)節(jié)驅(qū)動系統(tǒng)高功率密度、高響應(yīng)速度及緊湊集成的核心要求。此次從小規(guī)模出貨的進(jìn)展來看，距離公司12月5日披露該產(chǎn)品僅完成送樣、尚未量產(chǎn)的狀態(tài)，僅間隔21天，產(chǎn)業(yè)化推進(jìn)節(jié)奏顯著加快。
行業(yè)分析顯示，人形機(jī)器人產(chǎn)業(yè)當(dāng)前已進(jìn)入技術(shù)突破、成本下探與資本加持的三重驅(qū)動階段，上游核心零部件的技術(shù)迭代成為行業(yè)發(fā)展關(guān)鍵，其中氮化鎵器件在關(guān)節(jié)驅(qū)動系統(tǒng)中的應(yīng)用，可顯著提升機(jī)器人運(yùn)動控制的精準(zhǔn)度與靈活性。
國內(nèi)機(jī)器人氮化鎵驅(qū)動賽道已吸引多家企業(yè)布局。其中，英諾賽科等企業(yè)已實現(xiàn)相關(guān)產(chǎn)品批量供貨，固高科技、睿能科技等也在推進(jìn)集成氮化鎵功率級的驅(qū)動方案研發(fā)。宏微科技此次產(chǎn)品從小規(guī)模出貨到聯(lián)合共研的推進(jìn)，標(biāo)志著其正式躋身該賽道的產(chǎn)業(yè)化行列。
對于后續(xù)規(guī)劃，宏微科技在互動回復(fù)中明確，聯(lián)合共研的核心目標(biāo)是適配機(jī)器人關(guān)節(jié)多場景需求，而未來潛在的戰(zhàn)略合作則指向規(guī)模化量產(chǎn)與核心客戶綁定。市場人士認(rèn)為，若該產(chǎn)品后續(xù)順利完成迭代并實現(xiàn)規(guī)?；慨a(chǎn)，將為宏微科技打開人形機(jī)器人電驅(qū)領(lǐng)域這一新興增量市場，同時也將推動國產(chǎn)低壓氮化鎵器件在機(jī)器人領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用進(jìn)程。
公開資料顯示，宏微科技成立于2006年，2021年登陸科創(chuàng)板，長期聚焦功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，依托“芯片—單管—模塊”一體化產(chǎn)品體系，持續(xù)推動碳化硅、氮化鎵等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，產(chǎn)品覆蓋新能源汽車、儲能、工業(yè)控制、AI算力等高端應(yīng)用領(lǐng)域。此次氮化鎵相關(guān)產(chǎn)品小批量出貨及戰(zhàn)略合作的達(dá)成，將進(jìn)一步推進(jìn)公司第三代半導(dǎo)體技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化落地進(jìn)程。
（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）
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圖片來源：安森美公告截圖
安森美攜手格芯研發(fā)下一代氮化鎵技術(shù)
此次合作首波將推出650V高壓元件，預(yù)計于2026年上半年提供樣品，展現(xiàn)雙方在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的強(qiáng)大研發(fā)動能。
在應(yīng)用布局方面，這項合作開發(fā)的650V GaN產(chǎn)品展現(xiàn)了極廣的市場覆蓋度。在AI資料中心領(lǐng)域，該元件將成為高密度服務(wù)器電源及DC-DC 轉(zhuǎn)換器的核心；在電動汽車市場，則可優(yōu)化車載充電機(jī)（OBC）與動力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的效能。此外，該技術(shù)亦將延伸至能源基礎(chǔ)設(shè)施，包括微型光伏逆變器與儲能系統(tǒng)，并在工業(yè)與航空航天領(lǐng)域為精密電機(jī)驅(qū)動器提供卓越的熱管理解決方案。
隨著生成式AI的爆發(fā)式成長，全球資料中心對電力密度的需求急劇攀升，傳統(tǒng)硅基功率元件已面臨效率提升的瓶頸。安森美透過此次合作，將其業(yè)界領(lǐng)先的硅基驅(qū)動器、控制器與強(qiáng)化散熱封裝技術(shù)，與格芯的650V GaN技術(shù)平臺結(jié)合。
GaN元件具備極高的開關(guān)頻率與雙向?qū)ㄌ匦?，能有效減少零組件數(shù)量并縮小系統(tǒng)尺寸。安森美企業(yè)戰(zhàn)略高級副總裁Dinesh Ramanathan指出，這些創(chuàng)新將助力客戶在AI服務(wù)器與航天應(yīng)用等嚴(yán)苛場景下，構(gòu)建體積更小、能效更高的功率系統(tǒng)。
安森美SiC/GaN產(chǎn)能擴(kuò)張與IDM供應(yīng)鏈策略
觀察兩家巨頭的近期動態(tài)，安森美汽車方案事業(yè)部負(fù)責(zé)人在12月11日的發(fā)言中披露，公司正推進(jìn)SiC襯底與器件端的全面擴(kuò)產(chǎn)，并已與頭部車企簽訂長期供貨協(xié)議（LTSA），2025年SiC器件營收占比目標(biāo)提升至12%—15%，這一增長主要來自800V平臺主驅(qū)與車載高壓系統(tǒng)的需求拉動。
技術(shù)層面，安森美基于M3e EliteSiC?技術(shù)的最新功率模塊可實現(xiàn)低于4nH的雜散電感，配合技術(shù)優(yōu)化實現(xiàn)1.4mΩ的內(nèi)阻，導(dǎo)通損耗較前幾代產(chǎn)品降低30%，關(guān)斷損耗最多可降低50%，性能優(yōu)勢顯著。
在GaN領(lǐng)域，公司正加速車載OBC與數(shù)據(jù)中心電源應(yīng)用的落地，結(jié)合垂直GaN（vGaN）技術(shù)與封裝優(yōu)勢，提供700V/1200V高壓器件樣品，有效解決高頻開關(guān)與能效瓶頸。
安森美 強(qiáng)調(diào)，SiC與GaN的產(chǎn)能規(guī)劃將與EliteSiC生態(tài)系統(tǒng)深度綁定，通過IDM模式保障從襯底到器件的全鏈可控，實現(xiàn)高可靠交付與成本優(yōu)化的同步推進(jìn)。
近期安森美剛宣布與汽車大廠佛維亞海拉（FORVIA HELLA）擴(kuò)大技術(shù)結(jié)盟，并獲得董事會批準(zhǔn)60億美元的新股票回購計劃，展現(xiàn)對 AI 驅(qū)動營收成長的強(qiáng)烈信心。
透過此項合作，安森美進(jìn)一步鞏固了其涵蓋低壓、中壓至超高壓垂直GaN的全譜系技術(shù)領(lǐng)先地位。隨著樣品計劃于2026年上半年釋出，雙方將加速推動高效能功率元件的量產(chǎn)規(guī)模，為全球潔凈能源與智慧運(yùn)算市場提供更強(qiáng)大的技術(shù)支撐。
格芯承接臺積電GaN工藝與硅光子純代工轉(zhuǎn)型
格芯則持續(xù)強(qiáng)化全球供應(yīng)鏈韌性，除了近期宣布投入11億歐元擴(kuò)建德國德勒斯登晶圓廠，亦積極在美國本土布局先進(jìn)制程。格芯首席商務(wù)官M(fèi)ike Hogan表示，透過與安森美的策略合作，雙方將在AI與電氣化浪潮中，共同建構(gòu)更具韌性且高效的半導(dǎo)體供應(yīng)鏈。
另外，值得注意的是，格芯近期在氮化鎵（GaN）領(lǐng)域展現(xiàn)了強(qiáng)大的領(lǐng)跑野心，透過戰(zhàn)略收購與技術(shù)授權(quán)快速擴(kuò)張版圖。今年11月，格芯正式宣布獲得#臺積電 650V與80V的氮化鎵技術(shù)授權(quán)，此舉別具戰(zhàn)略意義。由于臺積電預(yù)計將在2027年淡出GaN代工市場，格芯藉此直接承接了領(lǐng)先的工藝規(guī)程，并計劃在美國佛蒙特州廠區(qū)進(jìn)行量產(chǎn)，目標(biāo)是成為美國本土最大的GaN生產(chǎn)基地。
與此同時，格芯也與GaN龍頭#納微半導(dǎo)體（Navitas）達(dá)成深度結(jié)盟，雙方將針對AI資料中心與電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施，共同開發(fā)更高功率密度的解決方案。
圖片來源：格芯新聞稿截圖
在硅光子技術(shù)方面，格芯正全力轉(zhuǎn)型為全球最大的硅光子純代工廠，劍指AI資料中心的核心需求。透過收購新加坡先進(jìn)微鑄造（AMF），格芯顯著增強(qiáng)了光通信芯片的制造能力，這類芯片對于AI服務(wù)器之間的高速數(shù)據(jù)傳輸至關(guān)重要。此外，透過與新加坡科技研究局的合作協(xié)定，格芯正致力于開發(fā)超高速光傳輸技術(shù)，利用光學(xué)互聯(lián)解決目前AI算力集群中電信號傳輸造成的發(fā)熱與延遲問題，從根本上降低AI運(yùn)算的能耗瓶頸。
（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）
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圖片來源：美鎵傳感
美鎵傳感是一家2022年成立的、聚焦氮化鎵相關(guān)傳感技術(shù)的創(chuàng)新型科技企業(yè)，在電力電網(wǎng)、新能源等領(lǐng)域的安全監(jiān)測領(lǐng)域表現(xiàn)突出。公司的核心技術(shù)圍繞第三代半導(dǎo)體氮化鎵，搭配微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）和集成電路技術(shù)展開，而且自主把控研發(fā)設(shè)計、工藝、封裝、測試等全核心環(huán)節(jié)。
其核心產(chǎn)品可分為兩類，一類是氮化鎵紫外、溫度、壓力、氣體、電流等各類傳感器芯片；另一類是基于這些芯片的模組和系統(tǒng)，比如明星產(chǎn)品氮化鎵紫外局放監(jiān)測系統(tǒng)。
國家能源集團(tuán)寧夏煤業(yè)公司棗泉煤礦（簡稱棗泉煤礦）是國家能源集團(tuán)寧夏煤業(yè)公司主力礦井，位于靈武礦區(qū)南部。其110kV變電站10kV總降配電室高壓開關(guān)柜等電力設(shè)備運(yùn)行環(huán)境復(fù)雜，存在多重干擾，對設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行構(gòu)成挑戰(zhàn)。
為提升供電系統(tǒng)可靠性，在此部署了氮化鎵紫外局放監(jiān)測系統(tǒng)。該系統(tǒng)利用氮化鎵材料的紫外靈敏度優(yōu)勢，能在上述環(huán)境下精準(zhǔn)、實時地檢測電氣設(shè)備局部放電現(xiàn)象，實現(xiàn)故障早期預(yù)警，有效保障煤礦電力系統(tǒng)安全穩(wěn)定運(yùn)行。
氮化鎵特性契合場景，技術(shù)優(yōu)勢保障安全
具體來看，氮化鎵（GaN）之所以能夠應(yīng)用于棗泉煤礦氮化鎵紫外局放監(jiān)測系統(tǒng)項目，核心源于其作為第三代半導(dǎo)體材料的優(yōu)異物化特性與光電性能，與煤礦電力系統(tǒng)局部放電監(jiān)測的場景需求高度契合。
一方面，氮化鎵是實現(xiàn)局部放電早期精準(zhǔn)監(jiān)測的核心材料支撐。電力設(shè)備局部放電的初期階段，會伴隨波長處于200–280nm范圍的深紫外光輻射，這一特征光譜是判定設(shè)備絕緣劣化的關(guān)鍵信號。
而氮化鎵材料本身具有寬禁帶（約3.4eV）、高臨界擊穿電場、強(qiáng)紫外光吸收系數(shù)等特性，可直接對深紫外光實現(xiàn)高靈敏度響應(yīng)，無需額外的濾光或信號放大組件即可捕捉到局部放電初期的微弱紫外信號，實現(xiàn)故障隱患的超早期識別。
相較于傳統(tǒng)硅基傳感器，氮化鎵傳感器的響應(yīng)速度更快、探測精度更高，能夠有效區(qū)分局部放電紫外信號與環(huán)境雜散光，從技術(shù)底層解決了早期局放信號“捕捉難、識別難”的行業(yè)痛點。
另一方面，氮化鎵的性能優(yōu)勢完美適配煤礦復(fù)雜嚴(yán)苛的應(yīng)用環(huán)境。煤礦井下存在強(qiáng)電磁干擾、高粉塵、高濕度、溫度波動大等多重復(fù)雜工況，傳統(tǒng)電氣類局放監(jiān)測設(shè)備易受電磁干擾產(chǎn)生誤報、漏報，而光學(xué)監(jiān)測方案雖可規(guī)避電磁干擾，但傳統(tǒng)光學(xué)傳感器的穩(wěn)定性與耐受性難以滿足井下環(huán)境要求。
氮化鎵材料具備出色的耐高溫、抗腐蝕、抗輻射性能，基于其制備的傳感器可在惡劣工況下長期穩(wěn)定運(yùn)行，無需頻繁維護(hù)校準(zhǔn)；同時，氮化鎵傳感器以光信號為檢測載體，完全不受井下電力設(shè)備運(yùn)行產(chǎn)生的電磁噪聲干擾，能夠保障監(jiān)測數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性與可靠性，為煤礦電力系統(tǒng)的安全監(jiān)測提供了穩(wěn)定的技術(shù)保障。
最后，氮化鎵在該項目的應(yīng)用，推動了煤礦電力安全監(jiān)測技術(shù)的升級迭代，具有顯著的行業(yè)示范價值。長期以來，煤礦電力設(shè)備的局部放電監(jiān)測多依賴于接觸式電氣檢測或后期故障排查，不僅難以實現(xiàn)早期預(yù)警，還存在人工巡檢效率低、安全風(fēng)險高等問題。
氮化鎵紫外局放監(jiān)測系統(tǒng)的落地，構(gòu)建了“非接觸式、實時化、高精度”的監(jiān)測體系，實現(xiàn)了從“事后維修”到“事前預(yù)警”的模式轉(zhuǎn)變，大幅降低了因設(shè)備絕緣劣化引發(fā)的停電、火災(zāi)等安全事故風(fēng)險。
與此同時，該項目的成功投運(yùn)，驗證了氮化鎵傳感技術(shù)在工業(yè)級復(fù)雜場景的應(yīng)用可行性，為第三代半導(dǎo)體材料在能源、電力、工業(yè)安全等領(lǐng)域的規(guī)?；瘧?yīng)用提供了實踐范例，助力相關(guān)行業(yè)的技術(shù)升級與高質(zhì)量發(fā)展。
（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）
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]]>據(jù)悉，本屆IEDM上，小米集團(tuán)手機(jī)部與蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司、香港科技大學(xué)合作的論文成功入選，率先報道了應(yīng)用于移動終端的高效率低壓硅基氮化鎵射頻功率放大器，并在GaN and III-V Integration for Next-Generation RF Devices分會場首個亮相。
小米技術(shù)官方微信表示，此次入選標(biāo)志著氮化鎵高電子遷移率晶體管技術(shù)在移動終端通信領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)歷史性突破，并獲得國際頂尖學(xué)術(shù)平臺的高度認(rèn)可。
1、研究背景
小米指出，在當(dāng)前移動通信技術(shù)從5G/5G-Advanced向6G演進(jìn)的關(guān)鍵階段，手機(jī)射頻前端器件正持續(xù)面臨超高效率、超寬帶、超薄化與小型化的多重技術(shù)挑戰(zhàn)。以氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料，憑借其高臨界擊穿電場與優(yōu)異的熱導(dǎo)性能，被視為突破當(dāng)前射頻功放性能瓶頸的重要技術(shù)方向之一。
傳統(tǒng)GaN器件主要面向通信基站設(shè)計，通常需在28V/48V的高壓下工作，無法與手機(jī)終端現(xiàn)有的低壓供電系統(tǒng)相兼容，這成為其在移動設(shè)備中規(guī)?；瘧?yīng)用的關(guān)鍵障礙。
為攻克這一難題，研究團(tuán)隊聚焦于硅基氮化鎵（GaN-on-Si）技術(shù)路線，通過電路設(shè)計與半導(dǎo)體工藝的協(xié)同創(chuàng)新，成功開發(fā)出面向手機(jī)低壓應(yīng)用場景的射頻氮化鎵高遷移率電子晶體管（GaN HEMT）技術(shù)，并率先在手機(jī)平臺上完成了系統(tǒng)級性能驗證，為6G時代終端射頻架構(gòu)的演進(jìn)奠定了關(guān)鍵技術(shù)基礎(chǔ)。
2、研究方法和實驗
在外延結(jié)構(gòu)方面，本研究重點圍繞降低射頻損耗與優(yōu)化歐姆接觸兩大關(guān)鍵問題展開技術(shù)攻關(guān)。
一方面，通過實施原位襯底表面預(yù)處理，并結(jié)合熱預(yù)算精確調(diào)控的 AlN成核層工藝，顯著抑制了Si基GaN外延中的界面反應(yīng)與晶體缺陷，有效降低了射頻信號傳輸過程中的襯底耦合損耗與緩沖層泄漏，使其射頻性能逼近當(dāng)前先進(jìn)的SiC基GaN器件水平。
另一方面，通過開發(fā)高質(zhì)量再生長歐姆接觸新工藝，在降低界面勢壘與提升載流子注入效率方面取得突破，實現(xiàn)了極低的接觸電阻與均勻一致的方塊電阻，為提升器件跨導(dǎo)、輸出功率及高溫穩(wěn)定性奠定了工藝基礎(chǔ)。
圖片來源：小米技術(shù)
得益于外延設(shè)計優(yōu)化與工藝創(chuàng)新，該#晶體管 能夠在10V工作電壓下，實現(xiàn)了功率附加效率突破80%、輸出功率密度達(dá)2.84W/mm的卓越性能。
圖片來源：小米技術(shù)
結(jié)合手機(jī)終端產(chǎn)品的器件需求定義，我們進(jìn)一步制定了器件的具體實現(xiàn)方案。該方案針對耗盡型高電子遷移率晶體管（D-Mode HEMT）的常開特性，設(shè)計了專用的柵極負(fù)壓供電架構(gòu)，通過精確的負(fù)壓偏置與緩啟動電路，確保器件在開關(guān)過程中保持穩(wěn)定可靠，有效規(guī)避誤開啟與擊穿風(fēng)險。
在模組集成層面，通過多芯片協(xié)同設(shè)計與封裝技術(shù)，實現(xiàn)了GaN HEMT工藝的功放芯片與Si CMOS工藝的電源管理芯片在模組內(nèi)進(jìn)行高密度封裝集成。最終，該器件在手機(jī)射頻前端系統(tǒng)中完成了關(guān)鍵性能指標(biāo)的全面驗證，為低壓氮化鎵技術(shù)在下一代移動通信終端中的應(yīng)用提供重要參考。
3、結(jié)語
小米認(rèn)為，相較于傳統(tǒng)的GaAs基功率放大器，在保持相當(dāng)線度性的同時，研究團(tuán)隊開發(fā)的低壓氮化鎵功放展現(xiàn)出顯著的性能優(yōu)勢。最終，該器件實現(xiàn)了比上一代更高的功率附加效率（PAE），并同時兼顧通信系統(tǒng)的線性度和功率等級要求，在系統(tǒng)級指標(biāo)上達(dá)成重要突破。
這一成果的實現(xiàn)，標(biāo)志著低壓硅基氮化鎵射頻技術(shù)從器件研發(fā)成功跨越至系統(tǒng)級應(yīng)用。這不僅從學(xué)術(shù)層面驗證了該技術(shù)的可行性，更在產(chǎn)業(yè)層面彰顯了其在新一代高效移動通信終端中的巨大潛力。小米將持續(xù)深化與產(chǎn)業(yè)鏈的協(xié)同創(chuàng)新，推動該技術(shù)向更復(fù)雜的通信場景拓展，加速其在移動終端領(lǐng)域的規(guī)?；逃眠M(jìn)程。
（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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一、戰(zhàn)略收縮：巨頭的理性“止損”與資產(chǎn)優(yōu)化
2025年下半年，兩大行業(yè)巨頭的動作揭示了資本對射頻氮化鎵市場的重新定價。
1、恩智浦：5G夢醒后的決斷
近期，隨著分析機(jī)構(gòu)EJL Wireless Research在Linkedin上的一則爆料，#恩智浦 正式確認(rèn)將關(guān)閉其位于美國亞利桑那州錢德勒（Chandler）的“Echo”晶圓廠，該廠定于2027年第一季度生產(chǎn)最后一批晶圓后謝幕。
“Echo”晶圓廠并非泛泛之輩，它是恩智浦于2020年9月高調(diào)投產(chǎn)的旗艦項目。彼時，恩智浦半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理保羅·哈特（Paul Hart）曾對其寄予厚望，豪言該廠將于當(dāng)年底達(dá)到滿負(fù)荷生產(chǎn)。為此，恩智浦在2018至2020年間投入約1億美元（超7億人民幣），專門打造6英寸GaN-on-SiC產(chǎn)線，意圖主宰5G基站射頻功率放大器（PA）市場。
然而，僅僅運(yùn)行不到五年，該工廠便黯然落幕。財報數(shù)據(jù)揭示了背后的無奈：2024年，恩智浦“通信基礎(chǔ)設(shè)施及其他”業(yè)務(wù)收入下滑近20%，不足17億美元；進(jìn)入2025年，前九個月收入同比進(jìn)一步暴跌25%，僅余9.62億美元。
嚴(yán)酷的現(xiàn)實表明，在復(fù)蘇前景黯淡的射頻市場空耗現(xiàn)金流已不合時宜。恩智浦選擇向“Fab-Lite”（輕晶圓廠）模式轉(zhuǎn)型，關(guān)閉老舊產(chǎn)線，將資源聚焦于核心的汽車電子與工業(yè)控制，或通過參與德國ESMC等合資項目獲取更具成本優(yōu)勢的300mm產(chǎn)能。
2、臺積電：AI浪潮下的“戰(zhàn)略性斷舍離”
作為晶圓代工霸主，#臺積電 在2025年7月做出逐步退出GaN代工業(yè)務(wù)的決定，同樣震動了業(yè)界。臺積電明確表示，將在2027年中前完全停止GaN代工服務(wù)，并將原本負(fù)責(zé)該業(yè)務(wù)的新竹Fab 5廠逐步轉(zhuǎn)型為先進(jìn)封裝（CoWoS）產(chǎn)能。
這一決策背后是極致的資源博弈。在AI芯片需求井噴的當(dāng)下，先進(jìn)制程與封裝產(chǎn)能“寸土寸金”。雖然GaN業(yè)務(wù)穩(wěn)步增長，但其基于6英寸晶圓的營收貢獻(xiàn)與利潤率，遠(yuǎn)無法與服務(wù)于英偉達(dá)（NVIDIA）等客戶的12英寸AI產(chǎn)線相提并論。臺積電的退出，實質(zhì)上是先進(jìn)邏輯制程對特色功率工藝的一次資源擠出。
此舉迫使供應(yīng)鏈迅速重構(gòu)：格芯（GlobalFoundries）借機(jī)承接了溢出的商業(yè)與國防訂單，利用美國《芯片與科學(xué)法案》資金強(qiáng)化本土制造；而力積電則利用其在存儲制造中的成本控制經(jīng)驗，開發(fā)基于180nm節(jié)點的200mm GaN-on-Si工藝，成為了Fabless（無晶圓設(shè)計）廠商新的避風(fēng)港。
二、陣痛與洗牌：Fabless模式邁入調(diào)整期
臺積電的離場，將高度依賴代工服務(wù)的Fabless廠商推向了風(fēng)口浪尖，其中納微半導(dǎo)體（Navitas）的遭遇尤為典型。
受臺積電業(yè)務(wù)調(diào)整影響，納微被迫在2025年宣布將其主要晶圓代工方轉(zhuǎn)移至力積電。在半導(dǎo)體行業(yè)，更換晶圓廠風(fēng)險大、耗時長，涉及長達(dá)12-24個月的重新認(rèn)證周期與良率爬坡風(fēng)險，期間極易被競爭對手搶占市場份額。
供應(yīng)鏈危機(jī)疊加業(yè)績壓力，引發(fā)了納微管理層的劇烈動蕩。聯(lián)合創(chuàng)始人兼CEO Gene Sheridan于2025年8月卸任，CTO Dan Kinzer也辭去高管職務(wù)。創(chuàng)始團(tuán)隊的集體淡出，標(biāo)志著納微“創(chuàng)業(yè)講故事”時代的終結(jié)，公司被迫進(jìn)入由職業(yè)經(jīng)理人主導(dǎo)的“止血求生”階段。
與此同時，美國獨立IDM陣營在2024-2025年間也經(jīng)歷了劇烈整合。Wolfspeed為了全力押注碳化硅（SiC），以1.25億美元的“白菜價”將射頻GaN業(yè)務(wù)剝離給MACOM，以支撐其莫霍克谷工廠的巨額開支；曾被視為技術(shù)標(biāo)桿的Transphorm則被日本瑞薩電子收購，標(biāo)志著美國本土又失去了一家獨立的GaN技術(shù)持有者。
三、西線反擊：歐美IDM巨頭的差異化進(jìn)擊
與代工業(yè)務(wù)的收縮相反，擁有垂直整合能力（IDM）的歐美巨頭正在通過差異化路線瘋狂擴(kuò)張。
1、MACOM：吃下CHIPS法案紅利的軍工巨鱷
MACOM走了一條“去商業(yè)化”的軍工高端路線。在收購Wolfspeed射頻業(yè)務(wù)后，MACOM于今年1月宣布了高達(dá)3.45億美元的五年投資計劃，借助CHIPS法案資金，對其馬薩諸塞州和北卡羅來納州的工廠進(jìn)行現(xiàn)代化改造，核心是將產(chǎn)線升級為6英寸GaN-on-SiC。
2、德州儀器（TI）：95%自造率的成本碾壓
模擬芯片之王TI則試圖用“硅的邏輯”重塑GaN市場。2024年底，TI在日本會津工廠量產(chǎn)GaN器件，產(chǎn)能瞬間翻了兩番。更具威懾力的是，TI正在達(dá)拉斯總部利用12英寸產(chǎn)線進(jìn)行GaN試點。一旦導(dǎo)入成功，其成本將呈指數(shù)級下降。TI明確提出2030年實現(xiàn)95%芯片內(nèi)部制造的目標(biāo)，意圖通過超大規(guī)模制造壓低邊際成本，從而占領(lǐng)更大份額市場。
3、英飛凌（Infineon）：打造虛擬超級工廠
德國巨頭#英飛凌 正在執(zhí)行“One Virtual Fab（虛擬工廠）”戰(zhàn)略，打通奧地利菲拉赫與馬來西亞居林的產(chǎn)能。One Virtual Fab是一種先進(jìn)的制造模式，旨在通過數(shù)字技術(shù)將不同地理位置的生產(chǎn)基地緊密連接，實現(xiàn)技術(shù)、流程和產(chǎn)能的協(xié)同優(yōu)化，以提升效率和快速響應(yīng)市場需求。
2025年，投資高達(dá)50億歐元的居林第三工廠啟動擴(kuò)建，重點生產(chǎn)8英寸GaN和SiC晶圓。英飛凌正試圖確立“硅+碳化硅+氮化鎵”的全能霸權(quán)，在AI數(shù)據(jù)中心急需的鈦金級電源市場構(gòu)筑防線。
四、東線崛起：中國力量的全產(chǎn)業(yè)鏈突圍
在中國市場，一條從設(shè)計到制造的全產(chǎn)業(yè)鏈正在快速發(fā)展，并展現(xiàn)出強(qiáng)大的市場穿透力。
1、英諾賽科：產(chǎn)能怪獸的資本首秀
作為全球最大的8英寸硅基氮化鎵IDM廠商，#英諾賽科 被視為逼退臺積電消費(fèi)級業(yè)務(wù)的重要推手。2024年底至2025年初，英諾賽科成功登陸港股，募資約14億港元。其招股書披露的計劃顯示，產(chǎn)能將從2024年的1.25萬片/月狂飆至2029年的7萬片/月。
基石投資者意法半導(dǎo)體（ST）的出現(xiàn)，更暗示了“歐洲設(shè)計+中國制造”的新聯(lián)盟可能。2025年上半年，英諾賽科營收大漲43%并首次實現(xiàn)毛利轉(zhuǎn)正，證明了其IDM模式在成本控制上的成功。然而，由于持續(xù)的高額研發(fā)投入和產(chǎn)線折舊，公司在凈利潤層面仍處于虧損狀態(tài)，這在IDM企業(yè)的擴(kuò)張初期屬于典型特征。
2、三安集成與芯聯(lián)集成：車規(guī)與射頻的雙輪驅(qū)動
三安集成在射頻與功率領(lǐng)域雙線并進(jìn)。其與意法半導(dǎo)體在重慶的合資工廠預(yù)計于2025年三季度量產(chǎn)8英寸SiC和GaN器件，精準(zhǔn)卡位中國電動汽車市場。同時，其射頻GaN業(yè)務(wù)在5G-A基站和低軌衛(wèi)星領(lǐng)域保持了穩(wěn)定的現(xiàn)金流。
前身為中芯集成的#芯聯(lián)集成，則利用IGBT和SiC的車規(guī)經(jīng)驗，將“零缺陷”管理引入GaN制造，并提供“系統(tǒng)代工”服務(wù)。其車規(guī)功率模塊收入在2024年實現(xiàn)翻倍增長，成功實現(xiàn)EBITDA轉(zhuǎn)正，成為汽車Tier 1廠商的重要合作伙伴。
此外，潤新微憑借D-Mode技術(shù)實現(xiàn)差異化發(fā)展，新微半導(dǎo)體在硅光與射頻SOI領(lǐng)域進(jìn)行工藝孵化，氮矽科技在驅(qū)動芯片設(shè)計上取得突破，他們共同構(gòu)成了中國GaN產(chǎn)業(yè)豐富而堅韌的生態(tài)底色。
五、結(jié)語：產(chǎn)業(yè)邏輯的深刻嬗變
縱觀2025年的產(chǎn)業(yè)全景，我們可以提煉出驅(qū)動市場變革的三大底層邏輯。
首先，射頻與功率徹底分道揚(yáng)鑣。NXP和Wolfspeed退出的皆是射頻GaN，而英飛凌、TI與英諾賽科爭奪的則是功率GaN。前者回歸軍工與特種應(yīng)用，后者則在AI與汽車?yán)顺敝杏瓉肀l(fā)。
其次，IDM模式加冕，F(xiàn)abless日漸式微。臺積電的退出與納微的危機(jī)證明，在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，器件性能高度依賴材料與工藝的耦合。無法掌控生產(chǎn)流程的Fabless模式，在成本與良率上難以與IDM抗衡。
最后，供應(yīng)鏈邏輯正在深刻重構(gòu)。在追求自主可控與供應(yīng)穩(wěn)定的趨勢下，氮化鎵產(chǎn)業(yè)正從單一的市場競爭，轉(zhuǎn)向以區(qū)域化布局為特征的深度深耕。
（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）
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圖片來源：VisIC Technologies官網(wǎng)新聞稿截圖
聲明表示，資金將專項用于氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體技術(shù)的迭代升級及車載應(yīng)用場景的規(guī)?；茝V。如第三代750V GaN芯片和功率模塊的優(yōu)化、認(rèn)證和發(fā)布；研發(fā)適用于全系列電動汽車設(shè)計的第四代1350V GaN技術(shù)；穩(wěn)定供應(yīng)鏈并提高用于牽引逆變器的氮化鎵產(chǎn)品交付能力；擴(kuò)展氮化鎵解決方案，以應(yīng)用于新興的800V數(shù)據(jù)中心電源應(yīng)用等。
作為專注于電動汽車牽引逆變器核心器件研發(fā)的創(chuàng)新企業(yè)，VisIC憑借其獨特的氮化鎵功率器件設(shè)計方案，在高耐壓、高功率密度、低損耗等關(guān)鍵性能指標(biāo)上表現(xiàn)突出，其產(chǎn)品可有效提升電動汽車的能源轉(zhuǎn)換效率、縮短充電時間，并助力整車實現(xiàn)輕量化設(shè)計。VisIC的D3GaN?平臺為400V和800V電動汽車架構(gòu)帶來了全新的效率、可擴(kuò)展性和可靠性，從而實現(xiàn)了更輕、更小、更節(jié)能的牽引逆變器。
值得關(guān)注的是，現(xiàn)代汽車與起亞的戰(zhàn)略入局成為本輪融資的一大亮點。當(dāng)前，全球新能源汽車行業(yè)正加速向“800V高壓平臺”轉(zhuǎn)型，氮化鎵作為適配高壓場景的核心功率器件，已成為車企提升產(chǎn)品競爭力的關(guān)鍵布局方向。通過投資VisIC，現(xiàn)代起亞將進(jìn)一步強(qiáng)化在車載氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)鏈話語權(quán)，為其未來新能源車型的性能升級儲備核心技術(shù)資源，雙方有望在牽引逆變器等關(guān)鍵部件上展開深度合作，推動氮化鎵器件在量產(chǎn)車型中的規(guī)?；瘧?yīng)用。
VisIC首席執(zhí)行官Tamara Baksht表示：“這項投資對VisIC和全球電動汽車行業(yè)而言都是一個重要的里程碑。我們的D3GaN技術(shù)正在重新定義電動汽車的電力電子技術(shù)，而戰(zhàn)略合作伙伴的支持將加速我們?yōu)橄乱淮鲂刑峁└咝?、可擴(kuò)展解決方案的使命。”
現(xiàn)代汽車公司和起亞汽車表示：“現(xiàn)代汽車公司和起亞汽車致力于推進(jìn)可持續(xù)出行。與VisIC的合作使我們能夠?qū)⒓舛说腉aN技術(shù)集成到我們的電動汽車平臺中，從而提高效率、可靠性和性能，共同塑造電動交通的未來。”
（集邦化合物半導(dǎo)體 Niko 整理）
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圖片來源：英諾賽科
該系統(tǒng)采用#英諾賽科 650V高壓氮化鎵功率器件，創(chuàng)新整合車載充電器（OBC）與車載直流變換器（DC-DC）功能，形成二合一電源產(chǎn)品，核心性能指標(biāo)達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平：整機(jī)功率密度提升30%至4.8kW/L，綜合效率較傳統(tǒng)硅基方案高出2%，整機(jī)重量降低20%，不僅解決了新能源汽車“輕量化、高效率”的核心訴求，還通過優(yōu)化設(shè)計為整車節(jié)省了車內(nèi)空間，提升了集成設(shè)計靈活性。
作為國內(nèi)新能源汽車動力系統(tǒng)獨立供應(yīng)商領(lǐng)軍企業(yè)，聯(lián)合動力聚焦電驅(qū)與電源系統(tǒng)研發(fā)，擁有豐富的車載部件集成經(jīng)驗和整車適配能力；英諾賽科則是全球氮化鎵工藝創(chuàng)新和功率器件制造的領(lǐng)導(dǎo)者，GaN工藝節(jié)點電壓范圍覆蓋15V至1200V。
聯(lián)合動力作為長安汽車的核心零部件供應(yīng)商，此前已在電驅(qū)系統(tǒng)、傳統(tǒng)硅基電源產(chǎn)品等領(lǐng)域建立長期合作關(guān)系。此次氮化鎵OBC裝車，是在原有合作基礎(chǔ)上的技術(shù)升級延伸——長安汽車提供量產(chǎn)車型的應(yīng)用場景、整車參數(shù)及驗證資源，聯(lián)合動力則結(jié)合英諾賽科的器件優(yōu)勢，定制化開發(fā)適配長安車型的電源系統(tǒng)。
01、氮化鎵OBC為何成為車企下一代核心選擇
車載充電機(jī)（On-Board Charger，簡稱OBC）是新能源汽車（純電、插混）三電系統(tǒng)的核心組成部分，屬于車輛的 “內(nèi)置大功率智能充電核心”，是連接電網(wǎng)與車載動力電池的關(guān)鍵樞紐。
OBC的功率決定了車輛通過交流充電樁（如家用或公共慢充樁）充電的效率。例如，6.6kW OBC在220V電壓下可實現(xiàn)約30A的電流輸入，而11kW OBC則能提供更高的充電速度（需配套更高電壓或電流的充電樁）。注：國內(nèi)車企幾乎清一色地把OBC限制在6.6kW（因此沒有必要購買11kW交流充電樁）了。
OBC的核心功能圍繞 “安全、高效充電” 展開，主要包括將電網(wǎng)交流電轉(zhuǎn)換為電池可用的直流電；與BMS（電池管理系統(tǒng)）協(xié)同工作，確保充電安全；支持多種充電協(xié)議（如GB/T、IEC 62196等）。
OBC在電動汽車（EV）的發(fā)展中起著至關(guān)重要的作用，其性能將影響充電時間和電池壽命。車載充電機(jī)（OBC）需要在效率、可靠性、緊湊性和成本效益之間取得平衡。將氮化鎵（GaN）技術(shù)集成到車載充電機(jī)設(shè)計中，將能實現(xiàn)更小的體積、更高的效率和更大的功率密度。
效率更高：氮化鎵開關(guān)速度極快，幾乎無反向恢復(fù)損耗，適合高頻工作場景，使得車載充電系統(tǒng)的轉(zhuǎn)換效率大幅提升，不僅能縮短充電時間，還能減少行駛中的能源消耗，間接提升整車?yán)m(xù)航里程。
體積更小：氮化鎵的高頻特性可大幅縮小相關(guān)元件體積，結(jié)合集成化設(shè)計能進(jìn)一步精簡系統(tǒng)結(jié)構(gòu)，讓電源產(chǎn)品更小巧輕便，既節(jié)省車內(nèi)空間，又契合新能源汽車“輕量化”的發(fā)展趨勢。
可靠性更強(qiáng)：經(jīng)車規(guī)級認(rèn)證的氮化鎵器件，可適應(yīng)寬溫度范圍工作，抗震動、抗電磁干擾能力滿足汽車行業(yè)最高標(biāo)準(zhǔn)，經(jīng)過長期可靠性測試，在各類嚴(yán)苛條件下仍能保持穩(wěn)定性能，解決了早期半導(dǎo)體材料“實驗室性能優(yōu)異、裝車可靠性不足”的痛點。
成本更具潛力：隨著相關(guān)企業(yè)規(guī)?；慨a(chǎn)推進(jìn)，器件良率持續(xù)提升，單位成本正快速下降，未來有望與中高端硅基方案持平，成為車企兼顧性能與成本的最優(yōu)解。
02、行業(yè)密集跟進(jìn)，氮化鎵OBC量產(chǎn)加速落地
除上述事件外，隨著氮化鎵技術(shù)在效率、體積、可靠性等方面的優(yōu)勢持續(xù)凸顯，越來越多車企與Tier1廠商加速布局，推動氮化鎵OBC從技術(shù)驗證走向規(guī)?；慨a(chǎn)。
2024年10月，長安汽車正式發(fā)布了全球首個基于氮化鎵（GaN）的商用車載充電器技術(shù)平臺，并將該平臺應(yīng)用于當(dāng)時即將量產(chǎn)的長安啟源?E07車型。平臺采用納微半導(dǎo)體（Navitas）提供的GaN功率IC（GaNSafe系列），實現(xiàn)了行業(yè)領(lǐng)先的96%以上充電效率和約6?kW/L的體積功率密度，標(biāo)志著長安汽車在新能源汽車電源系統(tǒng)上實現(xiàn)了氮化鎵技術(shù)的首次量產(chǎn)裝車。
2025年初，陽光電動力推出6.6kW氮化鎵二合一OBC方案，其采用氮化鎵器件與創(chuàng)新單級拓?fù)浼軜?gòu)，取代傳統(tǒng)兩級式拓?fù)洌瑑H需一次隔離變換即可實現(xiàn)交直流雙向功率控制。該方案額定輸出功率6.6kW，全電壓充電效率達(dá)96.2%，峰值效率超98%，功率密度更是達(dá)到6.1kW/L，較傳統(tǒng)方案重量減輕25%以上，同時通過去除母線電解電容提升了使用壽命，可直接適配新能源車型的車載電源需求，屬于成熟的可落地裝車類氮化鎵OBC產(chǎn)品。
2025年8月，欣銳科技發(fā)布車載電源9代平臺“銳虎”，該平臺實現(xiàn)全行業(yè)首次基于雙向氮化鎵器件的單級矩陣變換器拓?fù)淞慨a(chǎn)技術(shù)。此平臺方案是與某頭部主機(jī)廠聯(lián)合攻關(guān)研發(fā)且經(jīng)多次測試驗證，具備多重安全架構(gòu)與超緊湊設(shè)計，適配全行業(yè)車型，兼容獨立與大集成產(chǎn)品形態(tài)。欣銳科技此前已為比亞迪、小鵬、理想等100多家主機(jī)廠供應(yīng)車載電源產(chǎn)品。
（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）
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圖片來源：中國光谷
團(tuán)隊負(fù)責(zé)人李思超博士說，該成果目前已完成概念驗證，即將開始中試驗證，預(yù)計3-5年內(nèi)量產(chǎn)，屆時可滿足千億級市場需求。
1、吉瓦級算力爆發(fā)式增長，AI數(shù)據(jù)中心能耗缺口凸顯
當(dāng)下AI算力中心是典型的“以電換算”模式，1座1吉瓦AI算力中心一年用電量達(dá)87.6億度，相當(dāng)于一座大型核電站的滿負(fù)荷發(fā)電量。其中負(fù)責(zé)將高壓電轉(zhuǎn)換為XPU（專用處理器）所需低壓電的電源模塊，年耗電量就有10億度，占中心總用電量的11%，是能耗占比極高的核心部件。
未來算力中心的能耗壓力正以“吉瓦級”為單位持續(xù)攀升，全球科技巨頭與國家層面的算力基建布局，更直觀印證了能耗問題的緊迫性，節(jié)能已成為算力產(chǎn)業(yè)不可回避的核心訴求。
谷歌與AI獨角獸Anthropic在2025年10月達(dá)成數(shù)百億美元算力合作，明確配套1吉瓦電力容量，為百萬個TPU芯片提供算力支撐，僅這一單一合作項目的能耗就相當(dāng)于一座大型核電站的供電規(guī)模。
OpenAI更是密集布局超大型算力集群，與博通、AMD分別推進(jìn)兩項10吉瓦級定制算力項目，疊加與甲骨文、軟銀聯(lián)合打造的8吉瓦“星際之門”算力園區(qū)，僅其公開披露的項目總能耗就已突破28吉瓦，相當(dāng)于紐約市峰值用電規(guī)模的兩倍以上。
但此前算力中心電源模塊多采用硅基芯片，這種傳統(tǒng)方案存在明顯短板。一方面電能轉(zhuǎn)換過程中損耗高，造成大量電力浪費(fèi)；另一方面硅基模塊體積較大，不利于算力機(jī)柜的高密度部署，且長期使用下來綜合成本也居高不下。
02、氮化鎵技術(shù)“降電革命”，破解吉瓦級算力能耗困局
氮化鎵作為新一代半導(dǎo)體材料，具有更高的電子遷移率和耐壓特性。將其制成硅基氮化鎵芯片裝入電源模塊后，電能轉(zhuǎn)換損耗能降低30%，這正是該模塊實現(xiàn)大幅節(jié)能的核心原因。同時，氮化鎵材料的特性還能讓模塊體積縮小30%，既節(jié)省機(jī)柜空間，又能適配算力中心高密度部署需求。
為了搶占未來的產(chǎn)業(yè)技術(shù)制高點，九峰山實驗室在今年初組建了一支由李思超博士領(lǐng)導(dǎo)的跨部門攻關(guān)團(tuán)隊，專注于氮化鎵電源模塊的研發(fā)。盡管氮化鎵半導(dǎo)體工藝復(fù)雜，涉及上千道工序，且加工精度要求達(dá)到納米級別，但實驗室的7名博士經(jīng)過數(shù)百輪測試與優(yōu)化，成功實現(xiàn)了氮化鎵全產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)的閉環(huán)。
圖片來源：中國光谷
目前，九峰山實驗室已與多家國內(nèi)數(shù)據(jù)中心電源廠商達(dá)成合作，承接商業(yè)訂單規(guī)模超過千萬元。此外，實驗室還與光谷國資平臺合作，成功孵化了8家化合物半導(dǎo)體相關(guān)企業(yè)，推動前沿技術(shù)成果的轉(zhuǎn)化與應(yīng)用。該氮化鎵電源模塊預(yù)計將滿足千億級市場需求，隨著全球AI算力中心的擴(kuò)張，電源模塊市場潛力巨大。
（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）
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]]>會上，新微半導(dǎo)體宣布其100V-200V氮化鎵功率工藝平臺發(fā)布，同時該公司氮化鎵功率全工藝平臺實現(xiàn)年產(chǎn)能突破60,000片。
圖片來源：新微半導(dǎo)體
新微半導(dǎo)體指出，這一平臺的建成，為國內(nèi)氮化鎵功率器件設(shè)計提供了強(qiáng)大而可靠的制造基石，將有力推動高效率、高密度電源解決方案在AI計算、汽車電子等領(lǐng)域的創(chuàng)新與應(yīng)用。
新微集團(tuán)總裁秦曦表示，新微將氮化鎵功率器件產(chǎn)業(yè)鏈的縱深布局提升至核心戰(zhàn)略高度，規(guī)劃不僅涵蓋芯片設(shè)計環(huán)節(jié)，更系統(tǒng)性延伸至上游材料與裝備、中游制造與封測以及下游系統(tǒng)應(yīng)用，致力于構(gòu)建一個開放協(xié)同、富有韌性的氮化鎵產(chǎn)業(yè)生態(tài)圈。
資料顯示，新微半導(dǎo)體專注化合物半導(dǎo)體晶圓代工，已在功率半導(dǎo)體方向構(gòu)建起全面的硅基氮化鎵功率工藝平臺，覆蓋從低壓（30V-100V）、中壓（100V-200V）到高壓（650V-700V）的全電壓范圍，廣泛適用于消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心、人形機(jī)器人及新能源汽車等終端場景，助力能效提升。
（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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圖片來源：英諾賽科新聞稿截圖
此次合作將結(jié)合Onsemi的系統(tǒng)集成、驅(qū)動和封裝專業(yè)知識，配合Innoscience的氮化鎵晶圓及大規(guī)模制造領(lǐng)導(dǎo)力，力求更快地將成本效益高、節(jié)能的解決方案推向市場，加速氮化鎵的普及。
雙方合作將擴(kuò)大Onsemi的低壓和中壓氮化鎵功率組合，并將氮化鎵制造規(guī)模擴(kuò)大到全球，從而加快市場供應(yīng)和更廣泛的采用。
雙方將依托#安森美 的GaN功率解決方案與英諾賽科的領(lǐng)先晶圓制造技術(shù)，共同瞄準(zhǔn)GaN功率器件市場——該市場預(yù)計到2030年將達(dá)到29億美元總體市場規(guī)模，為雙方帶來數(shù)億美元的潛在價值。
圖片來源：集邦化合物半導(dǎo)體制圖
兩家公司的技術(shù)預(yù)計將為工業(yè)、汽車、電信基礎(chǔ)設(shè)施、消費(fèi)及人工智能數(shù)據(jù)中心市場提供更小、更高效的氮化鎵解決方案。
多領(lǐng)域深度綁定：英諾賽科的氮化鎵生態(tài)版圖
英諾賽科是全球領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體氮化鎵芯片企業(yè)，在蘇州、珠海擁有兩座8英寸硅基氮化鎵晶圓生產(chǎn)基地。采用IDM全產(chǎn)業(yè)鏈模式，專注于氮化鎵芯片與電源模塊的設(shè)計、生產(chǎn)制造，可提供15V至1200V全電壓譜系的氮化鎵晶圓、分立器件、集成功率集成電路及模組產(chǎn)品。產(chǎn)品主要應(yīng)用于消費(fèi)電子、汽車電子、數(shù)據(jù)中心、可再生能源及工業(yè)電源等領(lǐng)域。
英諾賽科作為氮化鎵領(lǐng)域龍頭，合作企業(yè)既涵蓋英偉達(dá)、意法半導(dǎo)體這類全球頂尖半導(dǎo)體及科技巨頭，同時還與美的、聯(lián)合電子等終端領(lǐng)域企業(yè)深度綁定，覆蓋半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈及新能源、家電等應(yīng)用領(lǐng)域。
其中，今年10月，英諾賽科宣布成為英偉達(dá)800V直流電源架構(gòu)合作商名錄中唯一的中國芯片企業(yè)，為其提供氮化鎵功率器件，攜手推動該架構(gòu)在AI數(shù)據(jù)中心的規(guī)?；瘧?yīng)用，助力單機(jī)柜功率密度突破300kW，推動AI數(shù)據(jù)中心邁入兆瓦級供電時代。
稍早一點的4月，意法半導(dǎo)體與英諾賽科正式簽署氮化鎵技術(shù)開發(fā)與制造協(xié)議，雙方攜手推進(jìn)氮化鎵功率技術(shù)的聯(lián)合開發(fā)計劃，目標(biāo)是攻克下一代氮化鎵技術(shù)，并在未來幾年內(nèi)共同推動該技術(shù)在消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心、汽車、工業(yè)電源系統(tǒng)等領(lǐng)域獲得廣泛應(yīng)用的光明前景。
國內(nèi)合作方面，今年7月，英諾賽科與聯(lián)合電子共建氮化鎵聯(lián)合實驗室，聚焦車規(guī)級氮化鎵電驅(qū)系統(tǒng)開發(fā)，以此支撐新能源汽車的高壓快充和電機(jī)控制需求，推動氮化鎵技術(shù)在新能源汽車電力電子系統(tǒng)中的落地。
此外，英諾賽科與美的集團(tuán)旗下多個子公司與英諾賽科達(dá)成合作，其中700V高壓氮化鎵產(chǎn)品已在美的抽油煙機(jī)實現(xiàn)量產(chǎn)，還和美的威靈在空調(diào)電機(jī)驅(qū)動領(lǐng)域開展戰(zhàn)略合作，共同推動氮化鎵技術(shù)在家電領(lǐng)域的規(guī)?；瘧?yīng)用。
（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）
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