根據(jù)該協(xié)議，瑞薩將獲得EPC經(jīng)市場驗證的低壓eGaN技術(shù)及其成熟供應(yīng)鏈生態(tài)系統(tǒng)的使用權(quán)，旨在通過全球聯(lián)盟形式加速高性能氮化鎵（GaN）解決方案在各行業(yè)的普及。

此次合作的核心在于技術(shù)的深度整合與供應(yīng)保障。在未來的一年內(nèi)，兩家公司將緊密協(xié)作，在瑞薩內(nèi)部建立針對低壓GaN產(chǎn)品的晶圓制造能力。與此同時，瑞薩將作為EPC幾款熱門量產(chǎn)元件的合格第二供應(yīng)商，這不僅增強了全球客戶的供應(yīng)鏈韌性，也為市場提供了更具保障的供貨選擇。相比傳統(tǒng)硅基材料，GaN電晶體具備更高的轉(zhuǎn)換效率、更快的切換速度及更小的封裝尺寸，正在深刻重塑從消費電子到人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心的電源轉(zhuǎn)換架構(gòu)。

官方新聞稿指出，此次合作是瑞薩電子完善其功率半導(dǎo)體版圖的關(guān)鍵舉措。繼近期完成對Transphorm的收購（主攻650V以上高壓領(lǐng)域）后，引入EPC的低壓eGaN專業(yè)技術(shù)使瑞薩能夠提供涵蓋1V至650V+全譜系的GaN功率組合。瑞薩電子副總裁Rohan Samsi表示，該協(xié)議使瑞薩能夠捕捉高速增長的電源市場，特別是針對從48V降至1V的AI電源架構(gòu)、用戶端運算及電池供電應(yīng)用。

EPC首席執(zhí)行官Alex Lidow強調(diào)，雙方聯(lián)手構(gòu)建的這一全球聯(lián)盟，將通過提供最先進(jìn)的能效方案來顯著降低AI數(shù)據(jù)中心的運營成本，并強化自主系統(tǒng)的性能表現(xiàn)。面對硅材料物理極限對系統(tǒng)微型化的束縛，這一戰(zhàn)略聯(lián)盟被視為推動半導(dǎo)體行業(yè)步入“氮化鎵革命”新階段的重要里程碑，將為追求高功率密度與低碳足跡的電子設(shè)計人員提供強大的技術(shù)支撐。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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英飛凌指出，氮化鎵（GaN）正作為一種變革性創(chuàng)新技術(shù)脫穎而出，在AI數(shù)據(jù)中心、人形機器人及電動汽車等領(lǐng)域不斷突破功率電子的極限。

英飛凌高級副總裁Johannes Schoiswohl博士表示，公司正通過推進(jìn)具備可擴展性的300mm GaN功率晶圓技術(shù)，使單片晶圓的芯片數(shù)量提升至原來的2.3倍，從而顯著降低成本，使其接近傳統(tǒng)硅技術(shù)。

市場預(yù)測顯示，2026年將成為GaN行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵轉(zhuǎn)折點，全球市場規(guī)模預(yù)計將同比增長50%至58%，并在2030年前實現(xiàn)約100億美元的累計收入潛力。這一快速增長得益于自2025年開始的大規(guī)模產(chǎn)能爬坡，以及GaN在消費類電子產(chǎn)品普及后，正加速進(jìn)入數(shù)據(jù)中心架構(gòu)、光伏逆變器和汽車OBC等全新應(yīng)用階段。

在產(chǎn)品創(chuàng)新方面，雙向開關(guān)（BDS）被視為最重要的技術(shù)突破之一，它通過單片集成取代傳統(tǒng)的背靠背方案，顯著縮小了芯片尺寸并降低了寄生電感 。預(yù)計到2026年，設(shè)計人員將發(fā)掘BDS在光伏和電動汽車之外的更多用途，如功率等級超過10kW的AI服務(wù)器電源、大功率充電器及電機驅(qū)動系統(tǒng)等。

此外，英飛凌還在探索垂直GaN（GaN-on-GaN）、藍(lán)寶石襯底及金剛石襯底等前沿材料，并開發(fā)集成功率模塊（IPM）以解決寄生電感和熱密度等物理挑戰(zhàn)。未來的控制器IC還將通過集成電流和溫度感測、故障檢測等SoH功能，利用系統(tǒng)信息提升智能化運行水平與安全性。

針對AI數(shù)據(jù)中心的應(yīng)用，設(shè)計人員預(yù)計在2026年突破功率密度瓶頸，將GaN的應(yīng)用從電源單元（PSU）擴展至電池備用單元（BBU）和中間總線轉(zhuǎn)換器（IBC）?；贕aN的電源可將功率損耗降低50%，在算力每3.4個月翻一番的背景下，這對于支撐到2030年占全球耗電量7%的數(shù)據(jù)中心至關(guān)重要。

同時，汽車市場也將在2026年深度擁抱GaN技術(shù)，通過AEC-Q測試的汽車級器件能夠助力48V架構(gòu)革新，提升動力系統(tǒng)性能并降低10%以上的系統(tǒng)成本。
在機器人領(lǐng)域，GaN將實現(xiàn)更輕量化的設(shè)計和更精準(zhǔn)的運動控制，使人形機器人的關(guān)節(jié)更加緊湊，電機驅(qū)動器體積可縮小40%。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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圖片來源：英諾賽科公告截圖

作為全球氮化鎵領(lǐng)域的頭部企業(yè)，英諾賽科此次與#谷歌 的合作，聚焦于AI服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心等高增長潛力領(lǐng)域。根據(jù)公告內(nèi)容，英諾賽科將基于當(dāng)前項目開發(fā)與客戶對接進(jìn)展，積極與產(chǎn)業(yè)鏈合作伙伴深化協(xié)作，合規(guī)推進(jìn)相關(guān)產(chǎn)品的商業(yè)化落地，充分滿足谷歌在AI硬件領(lǐng)域的供應(yīng)鏈需求，以及全球算力市場對高性能、高可靠性氮化鎵產(chǎn)品的迫切需求。

據(jù)英諾賽科官網(wǎng)介紹，英諾賽科作為全球首家實現(xiàn)8英寸硅基氮化鎵大規(guī)模量產(chǎn)的IDM企業(yè)，其蘇州工廠8英寸氮化鎵晶圓月產(chǎn)能達(dá)1.5萬片、良率穩(wěn)定在97%。旗下氮化鎵產(chǎn)品可實現(xiàn)服務(wù)器電源功率密度提升50%、系統(tǒng)元件減少60%，En-FCLGA封裝導(dǎo)熱率優(yōu)化65%，100V級方案降低系統(tǒng)功耗超50%。

2025年年底，英諾賽科宣布氮化鎵（GaN）功率芯片累計出貨量已達(dá)20億顆。

英諾賽科的合作版圖與算力布局

在全球產(chǎn)業(yè)鏈布局上，英諾賽科已與多家國際知名企業(yè)達(dá)成深度合作，合作領(lǐng)域覆蓋AI算力、半導(dǎo)體制造、汽車電子、工業(yè)電源等核心賽道。

2025年4月，英諾賽科公告稱與意法半導(dǎo)體簽署氮化鎵技術(shù)開發(fā)與制造協(xié)議，雙方開展氮化鎵功率技術(shù)聯(lián)合開發(fā)，并實現(xiàn)產(chǎn)能資源互補。根據(jù)協(xié)議，英諾賽科可借助意法半導(dǎo)體歐洲制造產(chǎn)能，意法半導(dǎo)體可依托英諾賽科中國產(chǎn)能，共同拓展AI數(shù)據(jù)中心、汽車電子等領(lǐng)域市場，提升雙方供應(yīng)鏈韌性與全球供應(yīng)能力。

隨后11月，英諾賽科宣布其提供的700V GaN晶圓具備優(yōu)異的電氣性能和可靠性，助力意法半導(dǎo)體推出了一系列基于氮化鎵（GaN）技術(shù)的反激式電源集成器件VIPerGaN50W。

2025年10月，英偉達(dá)在官網(wǎng)更新了其800V系統(tǒng)的供應(yīng)商名單，英諾賽科成為了唯一一家進(jìn)入合作名單的中國本土功率半導(dǎo)體企業(yè)。

與英偉達(dá)的合作聚焦AI數(shù)據(jù)中心高端供電架構(gòu)，雙方聯(lián)合推動800伏直流電源架構(gòu)規(guī)?；涞?，英諾賽科提供覆蓋15V到1200V的全鏈路氮化鎵電源解決方案，助力AI數(shù)據(jù)中心實現(xiàn)從千瓦級到兆瓦級的算力飛躍，適配英偉達(dá)新一代兆瓦級計算基礎(chǔ)設(shè)施的高效供電需求。

此外，英諾賽科還發(fā)表《英諾賽科利用全GaN技術(shù)推進(jìn)800VDC架構(gòu)》論文，系統(tǒng)闡述全GaN技術(shù)與800VDC架構(gòu)的適配邏輯，為雙方合作提供了堅實的技術(shù)支撐，也為全球該領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)化推進(jìn)提供了可借鑒的技術(shù)路徑。

2025年12月，英諾賽科宣布與安森美簽署戰(zhàn)略合作諒解備忘錄，整合英諾賽科成熟的200毫米氮化鎵硅基工藝與安森美在系統(tǒng)集成、封裝領(lǐng)域的專業(yè)能力，重點布局40-200V中低壓氮化鎵功率器件，合作覆蓋工業(yè)、汽車、電信基礎(chǔ)設(shè)施、AI數(shù)據(jù)中心等多場景，計劃2026年上半年推出樣品，共同推動氮化鎵產(chǎn)品的規(guī)模化量產(chǎn)與市場普及。

AI算力驅(qū)動氮化鎵產(chǎn)業(yè)，重構(gòu)全球競爭新格局

在AI算力持續(xù)向兆瓦級躍升、數(shù)據(jù)中心加速向800VDC架構(gòu)迭代的背景下，英諾賽科憑借8英寸硅基氮化鎵的量產(chǎn)優(yōu)勢，先后切入英偉達(dá)、谷歌的高端供應(yīng)鏈。

根據(jù)英諾賽科2025年年中財報，報告期內(nèi)，他們面向AI及數(shù)據(jù)中心的銷售同比增長180%，基于100V氮化鎵的48-12V應(yīng)用進(jìn)入量產(chǎn)，并開始規(guī)?；桓?。

氮化鎵作為高效能功率器件，已成為AI服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心實現(xiàn)功耗優(yōu)化與算力升級的核心支撐，也打開了行業(yè)從消費電子向高端算力基礎(chǔ)設(shè)施滲透的增長空間。

同時，英諾賽科通過與意法半導(dǎo)體、安森美的技術(shù)協(xié)同與產(chǎn)能互補，持續(xù)完善氮化鎵全產(chǎn)業(yè)鏈布局，其商業(yè)化進(jìn)展不僅推動了國產(chǎn)氮化鎵在全球高端市場的滲透率提升，更重塑了行業(yè)競爭格局。

未來，隨著全球算力需求的持續(xù)釋放，英諾賽科的AI及數(shù)據(jù)中心業(yè)務(wù)將持續(xù)擴容，而氮化鎵行業(yè)也將在高端場景的規(guī)?；瘧?yīng)用中，迎來技術(shù)迭代與產(chǎn)業(yè)升級的全新階段。

（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）

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在這一高速增長的背景下，晶圓代工龍頭的策略調(diào)整引發(fā)了產(chǎn)業(yè)鏈的重塑——臺積電雖計劃逐步淡出氮化鎵代工業(yè)務(wù)，但通過技術(shù)授權(quán)模式，將其深厚的技術(shù)底蘊轉(zhuǎn)移至世界先進(jìn)與格芯（GlobalFoundries）等合作伙伴，不僅確立了更精細(xì)化的產(chǎn)業(yè)分工，更為數(shù)據(jù)中心、電動汽車及人形機器人等前沿應(yīng)用注入了強勁的發(fā)展動能。

世界先進(jìn)獲臺積電授權(quán)，打造全方位氮化鎵代工平臺

1月28日，世界先進(jìn)正式宣布與臺積電簽署技術(shù)授權(quán)協(xié)議，引入其650V高壓與80V低壓氮化鎵制程技術(shù)。這項合作預(yù)計于2026年初啟動開發(fā)作業(yè)，并計劃在2028年上半年實現(xiàn)量產(chǎn)。

此次授權(quán)對世界先進(jìn)而言具有里程碑意義。通過將硅基底功率氮化鎵（GaN-on-Si）制程擴展至高壓應(yīng)用，并結(jié)合其原有的新基底功率氮化鎵（GaN-on-QST）平臺，世界先進(jìn)將成為全球唯一能同時提供兩種不同基板制程的晶圓代工服務(wù)商。

這一布局使其產(chǎn)品線完整覆蓋了從低于200V的低壓、650V高壓到1200V超高壓的解決方案，能精準(zhǔn)滿足數(shù)據(jù)中心、車用電子、工業(yè)控制及能源管理等領(lǐng)域?qū)Ω咝孰娔苻D(zhuǎn)換的嚴(yán)苛需求。同時，該公司計劃在成熟的8英寸晶圓平臺上進(jìn)行驗證，以確立制程的穩(wěn)定性與高良率。

臺積電策略轉(zhuǎn)向：聚焦AI主戰(zhàn)場，氮化鎵技術(shù)賦能合作伙伴

作為晶圓代工龍頭，臺積電已于2025年7月宣布將逐步退出氮化鎵代工業(yè)務(wù)，并預(yù)計在2027年7月31日正式終止該項業(yè)務(wù)。

這一決策背后，是臺積電面對AI芯片龐大機遇的資源再分配——相較于AI芯片，氮化鎵代工目前的投片量較少，對營收貢獻(xiàn)有限且利潤未達(dá)預(yù)期。

然而，臺積電的退場并不意味著技術(shù)的終結(jié)，其積累的豐富技術(shù)經(jīng)驗正通過授權(quán)形式助力產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

除了世界先進(jìn)，格芯也于2025年11月與臺積電簽署了類似的650V和80V氮化鎵技術(shù)授權(quán)協(xié)議。藉由臺積電的技術(shù)加持，格芯旨在強化其在數(shù)據(jù)中心、工業(yè)及汽車等關(guān)鍵電源應(yīng)用領(lǐng)域的布局，推動半導(dǎo)體電源技術(shù)邁向高效能的新世代。

氮化鎵產(chǎn)業(yè)前景：從消費電子邁向“硬核”科技應(yīng)用

氮化鎵憑借其高電子遷移率、高擊穿電場及高熱導(dǎo)率等優(yōu)異特性，應(yīng)用場景正從傳統(tǒng)的消費電子快充領(lǐng)域，加速向更高階的工業(yè)與科技領(lǐng)域滲透。

在數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域，氮化鎵器件被廣泛應(yīng)用于服務(wù)器電源及不間斷電源（UPS），能將電源轉(zhuǎn)換效率提升至97%-99%，顯著降低能耗與散熱成本，成為綠色數(shù)據(jù)中心的關(guān)鍵技術(shù)。

在新能源汽車方面，氮化鎵在車載充電器（OBC）、直流變換器（DC-DC）及主逆變器中的應(yīng)用日益普及，其高頻特性有助于縮小設(shè)備體積并提升充電效率，進(jìn)而延長電動汽車的續(xù)航里程。

此外，火熱的人形機器人概念也為氮化鎵帶來了新一輪增長點。氮化鎵遠(yuǎn)超傳統(tǒng)硅器件的開關(guān)頻率，能顯著提升電機電流控制精度，使機器人關(guān)節(jié)力矩控制精度達(dá)到±0.05N·m，實現(xiàn)動作的平滑與精準(zhǔn)。同時，其體積小、集成度高的特點，為機器人關(guān)節(jié)內(nèi)部的多傳感器融合與復(fù)雜布線騰出了寶貴空間，滿足了機器人對高爆發(fā)力與精細(xì)操作的雙重需求。

總體而言，盡管當(dāng)前市場規(guī)模尚未達(dá)到巨量級，但在AI、新能源車及機器人三大引擎的驅(qū)動下，氮化鎵技術(shù)正處于爆發(fā)前夜，未來發(fā)展空間極為廣闊。

（集邦化合物半導(dǎo)體 秦妍 整理）

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這個問題自2014年相關(guān)成核技術(shù)獲得諾貝爾獎以來，一直未能徹底解決，成為制約射頻芯片功率提升的最大瓶頸。

圖片來源：西安電子科技大學(xué)

工藝的突破直接轉(zhuǎn)化為器件性能的驚人提升?；谶@項創(chuàng)新的氮化鋁薄膜技術(shù)，研究團(tuán)隊制備出的#氮化鎵微波功率器件，在X波段和Ka波段分別實現(xiàn)了42W/mm和20W/mm的輸出功率密度。這一數(shù)據(jù)將國際同類器件的性能紀(jì)錄提升了30%到40%，是近二十年來該領(lǐng)域最大的一次突破。

這意味著，在芯片面積不變的情況下，裝備探測距離可以顯著增加；對于通信基站而言，則能實現(xiàn)更遠(yuǎn)的信號覆蓋和更低的能耗。更深遠(yuǎn)的影響在于，它為推動5G/6G通信、衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)等未來產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，儲備了關(guān)鍵的核心器件能力。

西電以郝躍院士團(tuán)隊為核心，深耕超寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件近20年，在氧化鎵多晶型穩(wěn)定生長、異質(zhì)集成、射頻器件與功率器件開發(fā)上持續(xù)突破，是國內(nèi)氧化鎵研究的標(biāo)桿單位。

在2025年11月，郝躍團(tuán)隊的教授張進(jìn)成、寧靜在氧化鎵散熱難題上取得突破——用金剛石（鉆石）為散熱體，并通過石墨烯緩沖層實現(xiàn)高效熱傳導(dǎo)。

圖片來源：西安電子科技大學(xué)——圖為郝躍（中）團(tuán)隊在實驗室

氧化鎵作為第四代超寬禁帶半導(dǎo)體，熱導(dǎo)率僅為硅的約1/5，高溫大功率工況下易因自熱導(dǎo)致性能衰減與失效，而金剛石熱導(dǎo)率達(dá)約2000W?m?1?K?1，是理想散熱介質(zhì)，但兩者直接貼合存在晶格失配、熱膨脹系數(shù)差異大的界面缺陷問題。

團(tuán)隊以單層/多層石墨烯為緩沖層，結(jié)合“氧-晶格協(xié)同調(diào)控”技術(shù)，屏蔽多晶金剛石襯底粗糙影響，實現(xiàn)氧化鎵薄膜高質(zhì)量范德華外延生長，大幅降低界面應(yīng)力與熱阻。

實驗數(shù)據(jù)顯示，界面熱阻降至2.82m2?K/GW，僅為傳統(tǒng)技術(shù)的1/10，器件工作溫度下降30°C以上，散熱效率顯著提升，基于該結(jié)構(gòu)的光電探測器光暗電流比達(dá)10?、響應(yīng)度210A/W，靈敏度翻倍，適用于5G/6G基站、新能源汽車功率模塊、衛(wèi)星通信等高壓大功率場景。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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1、芯元基半導(dǎo)體B+輪融資

根據(jù)天眼查APP于1月7日公布的信息整理，上海芯元基半導(dǎo)體科技有限公司B+輪融資，融資額未披露，參與投資的機構(gòu)包括金橋基金，泥藕資本，創(chuàng)谷資本。

圖片來源：天眼查信息截圖

資料顯示，芯元基半導(dǎo)體是一家半導(dǎo)體元件研發(fā)生產(chǎn)商，主要從事以GaN為主的第三代半導(dǎo)體材料和電子器件的生產(chǎn)、銷售，擁有LED芯片DPSS復(fù)合襯底、藍(lán)寶石襯底化學(xué)剝離和WLP晶圓級封裝等系列LED芯片生產(chǎn)技術(shù)。

2、能訊半導(dǎo)體完成D輪融資

蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“能訊半導(dǎo)體”）近日完成D輪融資，由池州產(chǎn)投和九華恒創(chuàng)聯(lián)合投資，融資額未披露。

圖片來源：企查查信息截圖

能訊半導(dǎo)體創(chuàng)立于2011年，總部位于江蘇昆山，是一家射頻氮化鎵芯片制造服務(wù)商。目前，能訊半導(dǎo)體已構(gòu)建了覆蓋氮化鎵外延生長、芯片設(shè)計、晶圓制造、封裝測試、可靠性與應(yīng)用電路的全產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)體系，包括：外延生長、工藝開發(fā)、晶圓制造、封裝測試及可靠性等方面，具有0.45μm、0.25μm、0.15μm、0.1μm工藝制程能力。

2025年12月，能訊半導(dǎo)體8英寸氮化鎵晶圓制造項目簽約落戶安徽池州經(jīng)開區(qū)。2026年1月，西安電子科技大學(xué)聯(lián)合能訊半導(dǎo)體在IEDM發(fā)布超高功率密度GaN射頻器件技術(shù)，在10GHz工作頻率、115V高漏壓條件下，實驗器件輸出了41W/mm的飽和功率密度。

3、序輪科技完成A3、A4輪戰(zhàn)略融資

近期，北京序輪科技有限公司（以下簡稱“序輪科技”）于近日完成總額超億元的A3、A4輪戰(zhàn)略融資，投資機構(gòu)包括北方華創(chuàng)旗下產(chǎn)業(yè)基金諾華資本、北京電控產(chǎn)投基金與前海方舟基金投資。

資金將重點投入于產(chǎn)線與配套體系的升級，以把握市場規(guī)?；狭康年P(guān)鍵機遇；同時，也將在研發(fā)創(chuàng)新與人才建設(shè)上持續(xù)加碼，為長期競爭力提供堅實支撐。

資料顯示，序輪科技專注于半導(dǎo)體先進(jìn)封裝工藝所需的高分子膠膜/膠帶材料，包括UV減粘膜、DAF（芯片貼裝膠膜）、IBF絕緣堆積膜，新能源汽車用功能膠帶、以及液體和薄膜類集成電路塑封料等，產(chǎn)品已全面覆蓋晶圓減薄、切割、芯片貼裝與堆疊、2.5D/3D封裝等關(guān)鍵工藝，廣泛應(yīng)用于射頻、算力、存儲芯片等高端制造領(lǐng)域。

目前，序輪科技產(chǎn)能可達(dá)對應(yīng)約5億元銷售額的規(guī)模。

（集邦化合物半導(dǎo)體 Flora 整理）

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圖片來源：英諾賽科

據(jù)公開數(shù)據(jù)顯示，英諾賽科的氮化鎵芯片出貨量實現(xiàn)了跨越式增長：2019年累計出貨量尚不足500萬顆，到2024年已突破12億顆，2025年便攀升至20億顆，較2024年同比增長超66%，較2019年更是實現(xiàn)了400倍的指數(shù)級增長。

英諾賽科的出貨量爆發(fā)，離不開全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)崛起的時代浪潮。從市場需求端來看，下游應(yīng)用領(lǐng)域的持續(xù)擴張為氮化鎵產(chǎn)業(yè)提供了廣闊增長空間。

在消費電子領(lǐng)域，氮化鎵快充憑借體積小、效率高的優(yōu)勢，已成為主流手機廠商及安克、綠聯(lián)等頭部配件品牌的標(biāo)配，推動低壓與高壓快充芯片需求持續(xù)攀升。

在新能源汽車領(lǐng)域，車載充電機（OBC）、激光雷達(dá)電源等核心部件對高效功率器件的需求激增，氮化鎵器件憑借輕量化、高效率特性，正加速替代傳統(tǒng)硅基器件。

在AI數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域，英偉達(dá)推動的800V直流電源架構(gòu)轉(zhuǎn)型，對氮化鎵芯片的高頻、高效特性提出迫切需求，單機柜功率密度提升至300kW的技術(shù)升級，進(jìn)一步放大了氮化鎵的應(yīng)用價值。

此外，光伏儲能、工業(yè)電源等領(lǐng)域在全球“雙碳”目標(biāo)驅(qū)動下，對高效節(jié)能功率器件的需求也持續(xù)釋放，共同構(gòu)成了氮化鎵產(chǎn)業(yè)增長的核心動力。

在全球氮化鎵產(chǎn)業(yè)的競爭格局中，成立于2015年的英諾賽科已成長為不容忽視的頭部力量。作為全球率先布局8英寸硅基氮化鎵量產(chǎn)線的企業(yè)之一，英諾賽科自成立之初已確立了“全產(chǎn)業(yè)鏈模式+8英寸規(guī)模化量產(chǎn)”的戰(zhàn)略定位。

目前，英諾賽科已建成兩座8英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)基地，采用先進(jìn)的IDM全產(chǎn)業(yè)鏈模式，實現(xiàn)了從外延、器件設(shè)計到芯片制造、封裝測試的全流程自主可控。
財務(wù)數(shù)據(jù)顯示，2025年上半年英諾賽科營收達(dá)到5.53億元，同比增長43.4%，毛利率實現(xiàn)6.8%的正向突破，結(jié)束了此前的虧損狀態(tài)，標(biāo)志著企業(yè)已進(jìn)入規(guī)?；年P(guān)鍵拐點。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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圖片來源：上海證券交易所截圖

資料顯示，#中圖科技?成立于2013年，是一家專注于半導(dǎo)體上游核心材料研發(fā)、生產(chǎn)與銷售的高新技術(shù)企業(yè)，核心定位為氮化鎵（GaN）外延所需圖形化襯底材料供應(yīng)商。

據(jù)中圖科技披露的招股說明書（申報稿）顯示，公司核心產(chǎn)品包括2至6英寸圖形化藍(lán)寶石襯底（PSS）和4至6英寸圖形化復(fù)合材料襯底（MMS），這類產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于Mini/Micro LED、汽車照明及車載顯示、RGB直顯、背光顯示等領(lǐng)域，同時在氮化鎵功率器件領(lǐng)域的應(yīng)用已日漸成熟。

作為全球少數(shù)具備納米級PSS及8英寸圖形化襯底制造能力的企業(yè)之一，中圖科技成功突破早期由日韓及中國臺灣企業(yè)主導(dǎo)的技術(shù)壁壘，掌握全系列氮化鎵基LED芯片用圖形化襯底設(shè)計與制造的關(guān)鍵核心技術(shù)，相關(guān)技術(shù)為下游芯片質(zhì)量及良率提升提供重要支撐。

圖片來源：中圖科技官網(wǎng)

行業(yè)地位方面，中圖科技已形成顯著的規(guī)模優(yōu)勢與市場影響力。招股書顯示，公司折合4英寸的圖形化襯底年產(chǎn)能超1800萬片。

客戶結(jié)構(gòu)上，公司直接服務(wù)于富采光電、首爾偉傲世、三安光電、華燦光電等海內(nèi)外頭部LED芯片企業(yè)，產(chǎn)品最終應(yīng)用于蘋果、三星、LG、海信、TCL及比亞迪、賽力斯、蔚來等消費電子與新能源汽車知名品牌，尤其在Mini/Micro LED領(lǐng)域已進(jìn)入蘋果、三星等頭部企業(yè)供應(yīng)體系，核心競爭力得到行業(yè)廣泛認(rèn)可。

財務(wù)數(shù)據(jù)顯示，中圖科技具備良好的持續(xù)經(jīng)營能力。報告期內(nèi)，公司營業(yè)收入分別為10.63億元、12.08億元、11.49億元和5.32億元，歸屬于母公司股東的凈利潤分別為4220.32萬元、7417.78萬元、9446.06萬元和4213.24萬元，整體盈利水平保持穩(wěn)定。

關(guān)于募資用途，中圖科技擬公開發(fā)行不超過14200.62萬股普通股，占發(fā)行后總股本比例不低于15%，募集資金將主要投向Mini/Micro LED及車用LED芯片圖形化襯底產(chǎn)業(yè)化項目、半導(dǎo)體襯底材料工程技術(shù)研究中心項目，并補充流動資金。

公司表示，本次募資項目均圍繞主營業(yè)務(wù)的科技創(chuàng)新領(lǐng)域，將從產(chǎn)能擴張、前沿產(chǎn)品產(chǎn)業(yè)化、研發(fā)能力提升和流動資金保障四個維度助力戰(zhàn)略落地，進(jìn)一步鞏固行業(yè)領(lǐng)先地位，同時拓展氮化鎵材料在功率器件等領(lǐng)域的應(yīng)用，探索在超算等領(lǐng)域的創(chuàng)新應(yīng)用場景。

中圖科技的業(yè)務(wù)與氮化鎵形成“上游材料支撐下游器件制造”的深度綁定關(guān)系，是氮化鎵基半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)化的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。

具體而言，#氮化鎵?作為第三代半導(dǎo)體核心材料，具備禁帶寬度大、電子遷移率高、耐高溫等優(yōu)異特性，廣泛應(yīng)用于LED、功率器件、射頻器件等領(lǐng)域，但氮化鎵難以直接制備成大面積單晶襯底，行業(yè)普遍采用“異質(zhì)外延”技術(shù)——即在藍(lán)寶石等襯底材料上生長氮化鎵薄膜，而中圖科技的圖形化襯底產(chǎn)品，正是這一技術(shù)路徑中不可或缺的核心支撐材料。

公司的核心業(yè)務(wù)邏輯是為下游氮化鎵基器件企業(yè)提供襯底材料綜合解決方案：通過對藍(lán)寶石平片進(jìn)行薄膜沉積、勻膠、曝光、顯影、刻蝕等精密加工，制成具有特定圖形結(jié)構(gòu)的襯底產(chǎn)品，這類圖形化結(jié)構(gòu)能有效改善氮化鎵外延層的晶體質(zhì)量，降低因藍(lán)寶石與氮化鎵熱膨脹系數(shù)、晶格系數(shù)不匹配導(dǎo)致的缺陷密度，進(jìn)而提升氮化鎵基器件的發(fā)光效率、穩(wěn)定性和使用壽命。

總而言之，中圖科技深耕半導(dǎo)體上游材料領(lǐng)域，其產(chǎn)品與技術(shù)契合新型顯示產(chǎn)業(yè)發(fā)展方向及第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)政策導(dǎo)向，此次IPO若順利推進(jìn)，將進(jìn)一步拓寬企業(yè)研發(fā)投入渠道，助力國內(nèi)LED與顯示產(chǎn)業(yè)鏈上游材料自主化進(jìn)程，為相關(guān)戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供資本與技術(shù)雙重支撐。

（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）

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與國內(nèi)傳動領(lǐng)域頭部企業(yè)達(dá)成戰(zhàn)略合作

12月29日，宏微科技公告稱，公司與一家國內(nèi)傳動領(lǐng)域的控制設(shè)備與系統(tǒng)集成頭部公司簽署了《戰(zhàn)略合作協(xié)議》，未來將聚焦電控系統(tǒng)、液壓控制系統(tǒng)、伺服系統(tǒng)、機器人核心零部件（執(zhí)行器、電動缸、控制器）中所用到的功率半導(dǎo)體器件，并重點圍繞氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體器件開展聯(lián)合共研，旨在強化雙方在電控系統(tǒng)、液壓控制系統(tǒng)、伺服系統(tǒng)、機器人等諸多領(lǐng)域的業(yè)務(wù)布局與競爭優(yōu)勢。

圖片來源：宏微科技公告截圖

公告顯示，鑒于對方名稱涉及商務(wù)保密信息，根據(jù)相關(guān)法律法規(guī)規(guī)定予以豁免披露。此次簽署的協(xié)議為框架性、意向性協(xié)議，不涉及具體金額，協(xié)議自雙方加蓋公章之日起生效，有效期三年。協(xié)議項下涉及的具體業(yè)務(wù)，均須雙方另行簽訂業(yè)務(wù)合同，對公司2025年度及未來業(yè)績不構(gòu)成直接影響，具體影響需視后續(xù)項目推進(jìn)實施情況確定。

此外，雙方合作的機器人應(yīng)用領(lǐng)域的相關(guān)功率器件產(chǎn)品尚處于初期共研階段，后續(xù)具體項目在實施過程中尚存在不確定性。

從行業(yè)發(fā)展邏輯來看，傳動領(lǐng)域的電控、伺服等系統(tǒng)對功率器件的性能要求持續(xù)提升，傳統(tǒng)硅基器件已難以完全適配高端場景下的高頻控制、低損耗及小型化需求。

氮化鎵器件能夠顯著降低開關(guān)與導(dǎo)通損耗，提升功率密度，同時壓縮系統(tǒng)響應(yīng)時延，有效優(yōu)化傳動系統(tǒng)的運行效率與控制精度，為工業(yè)機器人、高端裝備等領(lǐng)域的性能升級提供核心硬件支撐。

此次合作對宏微科技而言，可借助合作方在傳動領(lǐng)域的行業(yè)積累與場景資源，加速氮化鎵器件的市場化驗證與場景適配，精準(zhǔn)切入高端應(yīng)用賽道，夯實第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化優(yōu)勢。

氮化鎵產(chǎn)品已小規(guī)模出貨，適配機器人賽道

稍早之前的12月26日，宏微科技在互動平臺回答投資者提問時表示，公司自主研發(fā)的100V/7mΩ氮化鎵（GaN）產(chǎn)品已向下游廠商送樣并實現(xiàn)小規(guī)模出貨，產(chǎn)品正在和客戶聯(lián)合共研加速迭代，以更好地適配機器人關(guān)節(jié)在多工作場景下的需求。未來不排除與部分核心廠商簽訂全面戰(zhàn)略合作協(xié)議。

圖片來源：互動平臺截圖

據(jù)宏微科技此前披露，氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體材料，具有高開關(guān)頻率、低損耗、體積小等特性，契合人形機器人對關(guān)節(jié)驅(qū)動系統(tǒng)高功率密度、高響應(yīng)速度及緊湊集成的核心要求。此次從小規(guī)模出貨的進(jìn)展來看，距離公司12月5日披露該產(chǎn)品僅完成送樣、尚未量產(chǎn)的狀態(tài)，僅間隔21天，產(chǎn)業(yè)化推進(jìn)節(jié)奏顯著加快。

行業(yè)分析顯示，人形機器人產(chǎn)業(yè)當(dāng)前已進(jìn)入技術(shù)突破、成本下探與資本加持的三重驅(qū)動階段，上游核心零部件的技術(shù)迭代成為行業(yè)發(fā)展關(guān)鍵，其中氮化鎵器件在關(guān)節(jié)驅(qū)動系統(tǒng)中的應(yīng)用，可顯著提升機器人運動控制的精準(zhǔn)度與靈活性。

國內(nèi)機器人氮化鎵驅(qū)動賽道已吸引多家企業(yè)布局。其中，英諾賽科等企業(yè)已實現(xiàn)相關(guān)產(chǎn)品批量供貨，固高科技、睿能科技等也在推進(jìn)集成氮化鎵功率級的驅(qū)動方案研發(fā)。宏微科技此次產(chǎn)品從小規(guī)模出貨到聯(lián)合共研的推進(jìn)，標(biāo)志著其正式躋身該賽道的產(chǎn)業(yè)化行列。

對于后續(xù)規(guī)劃，宏微科技在互動回復(fù)中明確，聯(lián)合共研的核心目標(biāo)是適配機器人關(guān)節(jié)多場景需求，而未來潛在的戰(zhàn)略合作則指向規(guī)?；慨a(chǎn)與核心客戶綁定。市場人士認(rèn)為，若該產(chǎn)品后續(xù)順利完成迭代并實現(xiàn)規(guī)?；慨a(chǎn)，將為宏微科技打開人形機器人電驅(qū)領(lǐng)域這一新興增量市場，同時也將推動國產(chǎn)低壓氮化鎵器件在機器人領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用進(jìn)程。

公開資料顯示，宏微科技成立于2006年，2021年登陸科創(chuàng)板，長期聚焦功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，依托“芯片—單管—模塊”一體化產(chǎn)品體系，持續(xù)推動碳化硅、氮化鎵等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，產(chǎn)品覆蓋新能源汽車、儲能、工業(yè)控制、AI算力等高端應(yīng)用領(lǐng)域。此次氮化鎵相關(guān)產(chǎn)品小批量出貨及戰(zhàn)略合作的達(dá)成，將進(jìn)一步推進(jìn)公司第三代半導(dǎo)體技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化落地進(jìn)程。

（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）

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圖片來源：安森美公告截圖

安森美攜手格芯研發(fā)下一代氮化鎵技術(shù)

此次合作首波將推出650V高壓元件，預(yù)計于2026年上半年提供樣品，展現(xiàn)雙方在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的強大研發(fā)動能。

在應(yīng)用布局方面，這項合作開發(fā)的650V GaN產(chǎn)品展現(xiàn)了極廣的市場覆蓋度。在AI資料中心領(lǐng)域，該元件將成為高密度服務(wù)器電源及DC-DC 轉(zhuǎn)換器的核心；在電動汽車市場，則可優(yōu)化車載充電機（OBC）與動力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的效能。此外，該技術(shù)亦將延伸至能源基礎(chǔ)設(shè)施，包括微型光伏逆變器與儲能系統(tǒng)，并在工業(yè)與航空航天領(lǐng)域為精密電機驅(qū)動器提供卓越的熱管理解決方案。

隨著生成式AI的爆發(fā)式成長，全球資料中心對電力密度的需求急劇攀升，傳統(tǒng)硅基功率元件已面臨效率提升的瓶頸。安森美透過此次合作，將其業(yè)界領(lǐng)先的硅基驅(qū)動器、控制器與強化散熱封裝技術(shù)，與格芯的650V GaN技術(shù)平臺結(jié)合。

GaN元件具備極高的開關(guān)頻率與雙向?qū)ㄌ匦?，能有效減少零組件數(shù)量并縮小系統(tǒng)尺寸。安森美企業(yè)戰(zhàn)略高級副總裁Dinesh Ramanathan指出，這些創(chuàng)新將助力客戶在AI服務(wù)器與航天應(yīng)用等嚴(yán)苛場景下，構(gòu)建體積更小、能效更高的功率系統(tǒng)。

安森美SiC/GaN產(chǎn)能擴張與IDM供應(yīng)鏈策略

觀察兩家巨頭的近期動態(tài)，安森美汽車方案事業(yè)部負(fù)責(zé)人在12月11日的發(fā)言中披露，公司正推進(jìn)SiC襯底與器件端的全面擴產(chǎn)，并已與頭部車企簽訂長期供貨協(xié)議（LTSA），2025年SiC器件營收占比目標(biāo)提升至12%—15%，這一增長主要來自800V平臺主驅(qū)與車載高壓系統(tǒng)的需求拉動。

技術(shù)層面，安森美基于M3e EliteSiC?技術(shù)的最新功率模塊可實現(xiàn)低于4nH的雜散電感，配合技術(shù)優(yōu)化實現(xiàn)1.4mΩ的內(nèi)阻，導(dǎo)通損耗較前幾代產(chǎn)品降低30%，關(guān)斷損耗最多可降低50%，性能優(yōu)勢顯著。

在GaN領(lǐng)域，公司正加速車載OBC與數(shù)據(jù)中心電源應(yīng)用的落地，結(jié)合垂直GaN（vGaN）技術(shù)與封裝優(yōu)勢，提供700V/1200V高壓器件樣品，有效解決高頻開關(guān)與能效瓶頸。

安森美 強調(diào)，SiC與GaN的產(chǎn)能規(guī)劃將與EliteSiC生態(tài)系統(tǒng)深度綁定，通過IDM模式保障從襯底到器件的全鏈可控，實現(xiàn)高可靠交付與成本優(yōu)化的同步推進(jìn)。

近期安森美剛宣布與汽車大廠佛維亞海拉（FORVIA HELLA）擴大技術(shù)結(jié)盟，并獲得董事會批準(zhǔn)60億美元的新股票回購計劃，展現(xiàn)對 AI 驅(qū)動營收成長的強烈信心。

透過此項合作，安森美進(jìn)一步鞏固了其涵蓋低壓、中壓至超高壓垂直GaN的全譜系技術(shù)領(lǐng)先地位。隨著樣品計劃于2026年上半年釋出，雙方將加速推動高效能功率元件的量產(chǎn)規(guī)模，為全球潔凈能源與智慧運算市場提供更強大的技術(shù)支撐。

格芯承接臺積電GaN工藝與硅光子純代工轉(zhuǎn)型

格芯則持續(xù)強化全球供應(yīng)鏈韌性，除了近期宣布投入11億歐元擴建德國德勒斯登晶圓廠，亦積極在美國本土布局先進(jìn)制程。格芯首席商務(wù)官Mike Hogan表示，透過與安森美的策略合作，雙方將在AI與電氣化浪潮中，共同建構(gòu)更具韌性且高效的半導(dǎo)體供應(yīng)鏈。

另外，值得注意的是，格芯近期在氮化鎵（GaN）領(lǐng)域展現(xiàn)了強大的領(lǐng)跑野心，透過戰(zhàn)略收購與技術(shù)授權(quán)快速擴張版圖。今年11月，格芯正式宣布獲得#臺積電 650V與80V的氮化鎵技術(shù)授權(quán)，此舉別具戰(zhàn)略意義。由于臺積電預(yù)計將在2027年淡出GaN代工市場，格芯藉此直接承接了領(lǐng)先的工藝規(guī)程，并計劃在美國佛蒙特州廠區(qū)進(jìn)行量產(chǎn)，目標(biāo)是成為美國本土最大的GaN生產(chǎn)基地。

與此同時，格芯也與GaN龍頭#納微半導(dǎo)體（Navitas）達(dá)成深度結(jié)盟，雙方將針對AI資料中心與電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施，共同開發(fā)更高功率密度的解決方案。

圖片來源：格芯新聞稿截圖

在硅光子技術(shù)方面，格芯正全力轉(zhuǎn)型為全球最大的硅光子純代工廠，劍指AI資料中心的核心需求。透過收購新加坡先進(jìn)微鑄造（AMF），格芯顯著增強了光通信芯片的制造能力，這類芯片對于AI服務(wù)器之間的高速數(shù)據(jù)傳輸至關(guān)重要。此外，透過與新加坡科技研究局的合作協(xié)定，格芯正致力于開發(fā)超高速光傳輸技術(shù)，利用光學(xué)互聯(lián)解決目前AI算力集群中電信號傳輸造成的發(fā)熱與延遲問題，從根本上降低AI運算的能耗瓶頸。

（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）

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