功率半導(dǎo)體大廠英飛凌宣布，其高性能氮化鎵功率器件IGD70R270D2S已成功應(yīng)用于海信最新推出的43R7Q電視適配器。

海信43R7Q適配器采用英飛凌氮化鎵功率器件，其高開關(guān)頻率、低導(dǎo)通損耗及熱管理能力，協(xié)同航嘉電氣的適配器設(shè)計經(jīng)驗，使電源效率提升約1%~1.5%，發(fā)熱量降低10%，同時大幅縮小了適配器體積。

英飛凌介紹，在開發(fā)過程中，各方團隊曾面臨EMI干擾和散熱優(yōu)化等挑戰(zhàn)。英飛凌憑借在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的深厚積累，與海信及合作伙伴航嘉電氣緊密協(xié)作，通過優(yōu)化PCB布局和系統(tǒng)設(shè)計，成功解決了技術(shù)難題。

英飛凌與海信計劃進一步擴大合作，將氮化鎵技術(shù)拓展至更大尺寸電視及激光電視電源方案，持續(xù)推動行業(yè)創(chuàng)新。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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圖片來源：蘇州東微半導(dǎo)體股份有限公司

資料顯示，東微半導(dǎo)體成立于2008年，產(chǎn)品覆蓋高壓超級結(jié)MOSFET、中低壓屏蔽柵MOSFET、超級硅MOSFET、TGBT以及SiC MOSFET等，已廣泛應(yīng)用于新能源汽車充電樁、5G基站電源、數(shù)據(jù)中心和算力服務(wù)器電源等領(lǐng)域，與12英寸氮化鎵的潛力應(yīng)用市場重合。

晶湛半導(dǎo)體成立于2012年，致力于為電力電子以及微顯示等領(lǐng)域提供高品質(zhì)氮化鎵外延材料解決方案。2013年，晶湛在蘇州納米城建設(shè)了一條國際先進的GaN外延材料生產(chǎn)線。2014年底，率先在全球發(fā)布商用8英寸硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品，是國內(nèi)GaN材料研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化的頭部企業(yè)，也是目前國際上可供應(yīng)300mm硅基氮化鎵外延產(chǎn)品的廠商。

當(dāng)前，氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體核心材料，在新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、人形機器人、光伏儲能等高端領(lǐng)域的需求呈爆發(fā)式增長，但12英寸硅基GaN功率器件的規(guī)模化應(yīng)用仍面臨技術(shù)瓶頸。受制于晶格失配與熱失配難題，大尺寸晶圓需通過復(fù)雜緩沖層設(shè)計平衡性能與良率，導(dǎo)致成本居高不下，全球僅有英飛凌等少數(shù)企業(yè)實現(xiàn)技術(shù)突破。

在此背景下，東微半導(dǎo)體與晶湛半導(dǎo)體采用主流的12英寸CMOS實驗線研發(fā)12寸硅基氮化鎵HEMT晶體管，共同推進12寸硅基氮化鎵功率器件的產(chǎn)業(yè)化進程。據(jù)東微半導(dǎo)體介紹，此項產(chǎn)業(yè)技術(shù)的成功開發(fā)，不僅可以大幅降低制造成本，而且可以利用12寸先進的前后道工藝的技術(shù)，充分挖掘氮化鎵材料在高能效、高功率密度方面的潛力，使這一技術(shù)為上述應(yīng)用領(lǐng)域提供更具成本效益和性能優(yōu)勢的解決方案。

此外，雙方合作項目將分階段推進。初期目標(biāo)：專注于基礎(chǔ)外延工藝和器件結(jié)構(gòu)工藝平臺的搭建與優(yōu)化；中期目標(biāo)：在特定應(yīng)用領(lǐng)域推出原型產(chǎn)品；長期目標(biāo)：雙方希望建立起完整的12英寸氮化鎵技術(shù)生態(tài)系統(tǒng)，包括材料、設(shè)計、制造、封測和應(yīng)用等全產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)。

氮化鎵產(chǎn)業(yè)協(xié)同加速

東微半導(dǎo)體與晶湛半導(dǎo)體的合作并非個例，近期國內(nèi)氮化鎵產(chǎn)業(yè)技術(shù)協(xié)同與跨域合作不斷。

2025年7月29日，英諾賽科與聯(lián)合汽車電子在聯(lián)合電子蘇州研發(fā)中心舉行了聯(lián)合實驗室揭幕儀式。

雙方將利用氮化鎵（GaN）技術(shù)在尺寸、重量和效率方面的優(yōu)勢，開發(fā)先進的新能源汽車電力電子系統(tǒng)。聯(lián)合汽車電子是在汽車電子領(lǐng)域深耕多年，英諾賽科是氮化鎵工藝創(chuàng)新和功率器件制造領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者，雙方合作中英諾賽科將發(fā)揮其在GaN領(lǐng)域的技術(shù)專長，聯(lián)合電子則憑借其在汽車電子系統(tǒng)方面的專業(yè)能力，共同致力于為新能源汽車打造更小巧、更輕便的電源和驅(qū)動系統(tǒng)，推動新能源汽車電力電子系統(tǒng)的未來發(fā)展。

圖片來源：英諾賽科

2025年3月31日，意法半導(dǎo)體與英諾賽科共同宣布簽署了《氮化鎵技術(shù)開發(fā)與制造協(xié)議》。

雙方將基于該協(xié)議充分發(fā)揮各自優(yōu)勢，提升氮化鎵功率解決方案性能和供應(yīng)鏈韌性。根據(jù)協(xié)議，雙方將合作推進氮化鎵功率技術(shù)的聯(lián)合開發(fā)計劃，并在未來幾年內(nèi)共同推動該技術(shù)在消費電子、數(shù)據(jù)中心、汽車、工業(yè)電源系統(tǒng)等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用。此外，英諾賽科可使用意法半導(dǎo)體在中國以外地區(qū)的前端制造產(chǎn)能生產(chǎn)其氮化鎵晶圓，而意法半導(dǎo)體也可利用英諾賽科在中國的前端制造產(chǎn)能生產(chǎn)其自有的氮化鎵晶圓。

2024年4 月18日，廣東芯賽威科技有限公司與能華科技發(fā)展有限公司成功簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議。

芯賽威是一家專注于模擬和傳感器SoC芯片的半導(dǎo)體供應(yīng)商，深耕電源管理芯片領(lǐng)域多年。能華科技是一家專注于第三代半導(dǎo)體GaN的高新技術(shù)企業(yè)。雙方的合作主要以電源驅(qū)動芯片和氮化鎵（GaN）器件技術(shù)為基礎(chǔ)，為客戶提供更加小型化、高功率密度、高性價比的新一代電源管理方案。

（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）

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圖片來源：Vertical官網(wǎng)新聞稿截圖

Vertical公司的核心使命是解決日益嚴(yán)峻的人工智能數(shù)據(jù)中心電力輸送瓶頸問題，其突破性技術(shù)在于開發(fā)并商業(yè)化垂直氮化鎵（Vertical GaN）晶體管。

公開資料顯示，Vertical脫胎于麻省理工學(xué)院著名的Palacios Group實驗室，專注于氮化鎵（GaN）晶體管的研究。GaN作為新一代半導(dǎo)體材料，相比傳統(tǒng)的硅基芯片，具備更高的效率、更快的開關(guān)速度，以及在更高溫度和電壓下工作的能力，廣泛應(yīng)用于電動汽車和電力電子領(lǐng)域。

Vertical的技術(shù)創(chuàng)新點在于顛覆了傳統(tǒng)的橫向晶體管設(shè)計，將GaN晶體管設(shè)計成垂直堆疊結(jié)構(gòu)。這種創(chuàng)新設(shè)計帶來了多重優(yōu)勢。

首先，它能夠提高密度，在單個芯片內(nèi)集成更多晶體管。其次，它能支持更高電壓，允許電流流經(jīng)晶體管的更多部分，從而顯著提升性能。更重要的是，垂直結(jié)構(gòu)憑借其卓越的熱管理能力，熱量散逸優(yōu)于橫向設(shè)計，支持更高的功率密度。此外，它還能強化可靠性，利用一種名為“雪崩”的自我保護機制，確保晶體管在電壓尖峰期間仍能穩(wěn)定工作。

Vertical的聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官Cynthia Liao堅信，垂直氮化鎵晶體管正是AI數(shù)據(jù)中心當(dāng)前迫切需要的解決方案。她指出：“人工智能硬件最大的瓶頸在于我們向芯片供電的速度。AI的發(fā)展速度不再僅僅受限于算法?！?/p>

廖首席執(zhí)行官進一步解釋，現(xiàn)有的芯片設(shè)計已難以提供足夠的功率來維持更先進的AI工作負載。Vertical的垂直GaN技術(shù)能夠?qū)⒛芰哭D(zhuǎn)換推向更靠近芯片的位置，使其以更少的能量和熱量完成更多計算。

據(jù)公司估算，采用Vertical的解決方案，可以將數(shù)據(jù)中心的效率提高高達30%，同時將功耗降低一半。

Horizontal已在八英寸晶圓上展示了其技術(shù)，并利用標(biāo)準(zhǔn)的互補金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）制造方法，證明其技術(shù)能夠無縫集成到現(xiàn)有的半導(dǎo)體制造和數(shù)據(jù)中心生態(tài)中。

領(lǐng)投方Playground Global的Matt Hershenson對此表示高度贊賞：“Vertical破解了困擾半導(dǎo)體行業(yè)多年的難題，即如何提供高壓、高效且可擴展、可制造的電力電子器件。”他認(rèn)為，Vertical不僅推動了科學(xué)進步，更將“改變計算的經(jīng)濟性”。

Vertical表示，本次獲得的1100萬美元資金將用于加速其商業(yè)化進程。目前，垂直GaN晶體管原型已在開發(fā)中，公司計劃在今年年底前開始向早期客戶提供封裝器件樣品。如果一切順利，預(yù)計將在2026年底前推出完全集成的解決方案。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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2024年瑞薩電子收購GaN領(lǐng)域的先驅(qū)企業(yè)Transphorm，進而完成了布局氮化鎵的關(guān)鍵一步。此次收購，瑞薩獲得了Transphorm的GaN知識產(chǎn)權(quán)、產(chǎn)品，及生產(chǎn)制造業(yè)務(wù)，包括日本和中國臺灣地區(qū)的產(chǎn)能，以及加利福尼亞州的研發(fā)業(yè)務(wù)。今年7月，瑞薩推出了三款全新650V第四代增強型（Gen IV Plus）GaN FET——這也是自收購Transphorm以來的首次重大產(chǎn)品發(fā)布。新產(chǎn)品芯片面積比前代縮小14%，品質(zhì)因數(shù)提高20%。

2025年4月，瑞薩電子宣布與美國明尼蘇達州的Polar Semiconductor達成協(xié)議，將從2027年開始生產(chǎn)200mm硅基氮化鎵（GaN-on-Silicon）器件，從而拓展美國關(guān)鍵制造資源的獲取渠道。

氮化鎵應(yīng)用領(lǐng)域包含數(shù)據(jù)中心、電動汽車與工業(yè)機器人等多個領(lǐng)域，其中，AI風(fēng)潮之下，數(shù)據(jù)中心是當(dāng)前氮化鎵受益最為顯著的領(lǐng)域。

為滿足AI和HPC工作負載的需求，服務(wù)器機柜的功耗已從過去的數(shù)十千瓦（kW）攀升至如今的單柜600千瓦；相應(yīng)的AC-DC電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)功率甚至達到1兆瓦（MW）。采用AI增強技術(shù)的數(shù)據(jù)中心還受益于維也納轉(zhuǎn)換器等雙向功率轉(zhuǎn)換拓撲結(jié)構(gòu)，以及更高的開關(guān)頻率，以應(yīng)對日益增大的系統(tǒng)規(guī)模。

電動汽車領(lǐng)域，得益于GaN橫向架構(gòu)所實現(xiàn)的獨特雙向器件（BDS），GaN簡化了需要雙向功率流的AC-DC轉(zhuǎn)換拓撲結(jié)構(gòu)，減少了元件數(shù)量，提高了系統(tǒng)效率，同時減小了充電子系統(tǒng)的尺寸和重量。

工業(yè)機器人與自動化設(shè)備領(lǐng)域，高效率、高可靠性和緊湊設(shè)計至關(guān)重要。GaN通過提升驅(qū)動器與電機系統(tǒng)的整體能效，助力實現(xiàn)更小巧、高效的伺服驅(qū)動與交流驅(qū)動系統(tǒng)。

氮化鎵產(chǎn)品正從150mm晶圓向200mm晶圓遷移，未來還將轉(zhuǎn)向300mm晶圓推進。這一過充充滿挑戰(zhàn)與機遇，在瑞薩看來，公司差異化優(yōu)勢體現(xiàn)在成熟的d-mode高壓SuperGaN?技術(shù)、將GaN與控制器和驅(qū)動器集成的能力，以及世界級的系統(tǒng)級設(shè)計支持。

展望未來，除成熟的高壓GaN（650V+）產(chǎn)品外，瑞薩還在積極研發(fā)低壓GaN（40-200V）產(chǎn)品，以將該技術(shù)的優(yōu)勢擴展至電源次級側(cè)轉(zhuǎn)換應(yīng)用，如AI HVDC系統(tǒng)（從48V降至12V或1V）、PC客戶端計算和電池管理、工業(yè)動力工具，以及電動出行等領(lǐng)域。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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此次合作將大幅增強CGD的供應(yīng)鏈能力，利用格芯成熟的8英寸晶圓制程，擴大其獨有的ICeGaN?單晶片功率器件的全球供應(yīng)規(guī)模，以滿足電動汽車、數(shù)據(jù)中心和消費電子等高增長市場對高效能、高可靠性GaN解決方案的迫切需求。

圖片來源：CGD公告截圖

合作焦點：鞏固Fabless戰(zhàn)略，加速規(guī)?；a(chǎn)

此次CGD與GlobalFoundries的合作，是CGD邁向全球規(guī)?；a(chǎn)的關(guān)鍵一步。通過與GF合作，CGD將能夠確保其核心ICeGaN?產(chǎn)品的制造能力和供應(yīng)鏈穩(wěn)定，這對于一家快速擴張的公司至關(guān)重要。

CGD首席運營官SimonStacey表示，此次合作將利用GF卓越的代工服務(wù)和對GaN技術(shù)的投入，能夠?qū)GD的設(shè)計流程與GF的制程設(shè)計套件（PDK）相結(jié)合，大幅加快下一代GaN功率器件的開發(fā)和上市速度。雙方將利用GlobalFoundries成熟的8英寸CMOS晶圓代工平臺，以具備競爭力的成本加速CGD單晶片GaN技術(shù)的量產(chǎn)。

公開資料顯示，CGD由Giorgia Longobardi博士和Florin Udrea教授于2016年創(chuàng)立，其技術(shù)根植于劍橋大學(xué)高壓微電子和傳感器研究組（HVMS）。公司的核心競爭力在于其ICeGaN?增強型氮化鎵 (HEMT) 技術(shù)，它徹底改變了GaN器件的設(shè)計方式。

ICeGaN?最顯著的特點是采用了獨特的單晶片集成架構(gòu)。它在同一GaN晶片上集成了GaN開關(guān)、智能介面和保護電路，與市面上大多數(shù)采用多晶片或共封裝的解決方案形成了鮮明對比。這種單晶片設(shè)計帶來了前所未有的易用性和高可靠性。

首先，ICeGaN?能夠像標(biāo)準(zhǔn)矽MOSFET一樣，直接由常用的矽MOSFET驅(qū)動器驅(qū)動，顯著簡化了客戶的設(shè)計流程，消除了使用復(fù)雜驅(qū)動電路的需求。其次，集成的保護電路提升了器件的抗雜訊能力和過壓耐受性，確保了卓越的柵極可靠性。這種整合不僅提高了GaN器件的固有優(yōu)勢——高效率和高功率密度，還解決了其在工業(yè)應(yīng)用中的易用性和可靠性挑戰(zhàn)。

除了制造端的戰(zhàn)略合作，CGD在技術(shù)應(yīng)用方面也積極布局，瞄準(zhǔn)高功率市場。公司最近推出了ComboICeGaN?技術(shù)，這是一種混合開關(guān)解決方案，將智能ICeGaNHEMTIC與IGBT（絕緣柵雙極晶體管）集成于同一模塊中。該技術(shù)旨在為電動汽車逆變器提供一種具成本效益、替代昂貴碳化矽（SiC）的解決方案，是CGD進軍高功率汽車應(yīng)用的關(guān)鍵。

此外，CGD也與工業(yè)技術(shù)研究院（ITRI）簽署了合作備忘錄，共同開發(fā)先進的高功率密度USB-PD適配器，為電動汽車、電動工具、筆記本電腦和手機等應(yīng)用提供高達140-240W的高效電源解決方案。

（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）

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圖片來源：英諾賽科公告截圖

英諾賽科在公告中指出，公司與配售代理訂立配售協(xié)議，配售代理同意作為本公司代理盡力促使不少于六名承配人按照配售協(xié)議所載條款并在其條件規(guī)限下購20,700,000股新H股，配售價為每股H股75.58港元。

假設(shè)所有配售股份均獲悉數(shù)配售，預(yù)計配售所得款項總額及所得款項凈額（經(jīng)扣除傭金及估計開支后）分別為1,564.506百萬港元及約1,550.425百萬港元（15.50億港元）。

英諾賽科披露了關(guān)于此次配售所得款項的用途：

約4.82億港元用于產(chǎn)能擴充及產(chǎn)品迭代升級；英諾賽科計劃未來三年將持續(xù)擴充產(chǎn)能，以滿足氮化鎵功率器件市場指數(shù)級增長需求，并對產(chǎn)線進行改造，以生產(chǎn)應(yīng)用于車規(guī)、工業(yè)、數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域的更高等級產(chǎn)品。

此外，約3.76億港元用于償還有息負債；約6.92億港元用于營運資金及一般公司用途，包括：薪金、社會保障、住房公積金及其他人力資源支出、向供應(yīng)商及服務(wù)提供商支付的款項及潛在境內(nèi)外投資。

英諾賽科配售后，公司注冊資本及股份總數(shù)將分別變更為人民幣915,100,653元及915,100,653股。公司將向聯(lián)交所申請批準(zhǔn)配售股份上市及買賣，并根據(jù)中國證監(jiān)會備案規(guī)則進行備案。

資料顯示，英諾賽科已于2024年12月30日在香港聯(lián)合交易所主板上市，成為全球首家實現(xiàn)8英寸GaN晶圓大規(guī)模量產(chǎn)的IDM上市公司。

作為國內(nèi)GaN技術(shù)的重要推動者，英諾賽科產(chǎn)品涵蓋15V至900V電壓范圍的Single GaN、雙向GaN（VGaN?）、雙冷卻LGA封裝以及系統(tǒng)級封裝SolidGaN?等多個產(chǎn)品系列，覆蓋家電、數(shù)據(jù)中心、新能源、汽車和機器人等多個關(guān)鍵領(lǐng)域，具備在高壓、高功率密度應(yīng)用方面的技術(shù)實力。

與此同時，英諾賽科在氮化鎵領(lǐng)域也在積極瞄準(zhǔn)產(chǎn)業(yè)協(xié)同，與多家公司實現(xiàn)戰(zhàn)略合作。今年9月29日，英諾賽科便宣布與聯(lián)合電子以及納芯微共同簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，三方將聚焦新能源汽車功率電子系統(tǒng)，聯(lián)合研發(fā)智能集成氮化鎵（GaN）相關(guān)產(chǎn)品。

（集邦化合物半導(dǎo)體 Flora 整理）

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1、imec啟動12英寸氮化鎵項目，公布首批合作伙伴

近期，比利時微電子研究中心（imec）宣布，AIXTRON、格芯、科磊、新思科技和維易科成為其300毫米（12英寸）氮化鎵低壓和高壓電力電子應(yīng)用開放創(chuàng)新計劃的首批合作伙伴。

上述項目是imec氮化鎵電力電子工業(yè)聯(lián)盟計劃（IIAP）的組成部分，旨在研發(fā)300毫米氮化鎵外延生長技術(shù)，以及低壓、高壓氮化鎵高電子遷移率晶體管（HEMT）工藝流程。

資料顯示，目前市場上氮化鎵產(chǎn)能主要集中在200毫米規(guī)格，imec依托自身在200毫米氮化鎵領(lǐng)域的技術(shù)積累， 推出了300毫米氮化鎵項目，邁出了技術(shù)發(fā)展的下一步。

imec表示，向300毫米晶圓轉(zhuǎn)型的優(yōu)勢不僅限于擴大產(chǎn)能和降低制造成本，而且還將推動更先進電力電子器件的研發(fā)，例如用于CPU和GPU的高效低壓負載點轉(zhuǎn)換器。

imec在成功完成300毫米晶圓處理測試與掩模版研發(fā)后，正式啟動了此次項目，并計劃于2025年底前在其300毫米潔凈室中全面部署相關(guān)技術(shù)能力。

2、英諾賽科攜手聯(lián)合電子與納芯微，瞄準(zhǔn)新能源汽車功率電子領(lǐng)域

近期，英諾賽科宣布與聯(lián)合電子以及納芯微共同簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，三方將聚焦新能源汽車功率電子系統(tǒng)，聯(lián)合研發(fā)智能集成氮化鎵（GaN）相關(guān)產(chǎn)品。

圖片來源：英諾賽科

全新開發(fā)的智能GaN產(chǎn)品將依托三方技術(shù)積淀，提供更可靠的驅(qū)動及GaN保護集成方案，進一步提升系統(tǒng)功率密度。三方還將協(xié)同推動相關(guān)解決方案的產(chǎn)業(yè)化落地，助力新能源汽車產(chǎn)業(yè)的可持續(xù)發(fā)展與價值提升。

英諾賽科表示，此次合作，三方將充分發(fā)揮各自優(yōu)勢，以聯(lián)合研發(fā)與應(yīng)用驗證為抓手，突破效率、可靠性與成本等關(guān)鍵挑戰(zhàn)，為行業(yè)客戶提供兼具性能與成本優(yōu)勢的創(chuàng)新解決方案。聯(lián)合電子擁有豐富的整車及系統(tǒng)集成經(jīng)驗，納芯微在高性能模擬與混合信號芯片領(lǐng)域積累深厚，英諾賽科則專精于GaN等先進功率器件研發(fā)。三方將攜手構(gòu)建跨領(lǐng)域協(xié)同創(chuàng)新平臺，共同應(yīng)對未來系統(tǒng)應(yīng)用的發(fā)展需求。

此次戰(zhàn)略合作標(biāo)志著英諾賽科、聯(lián)合電子與納芯微在新能源汽車功率電子領(lǐng)域的合作邁出了堅實且關(guān)鍵的一步。作為第三代半導(dǎo)體氮化鎵的引領(lǐng)者，英諾賽科具備先進的氮化鎵研發(fā)與制造能力，其車規(guī)級GaN已通過驗證并在汽車市場上驗證。

（集邦化合物半導(dǎo)體 秦妍 整理）

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安費諾推出高效氮化鎵微型逆變器，開辟商用市場新機遇

安費諾能源（Enphase Energy）近日在加州發(fā)布了其最新的三相微型逆變器IQ9N-3P，專為商用光伏項目設(shè)計。這款逆變器首次引入氮化鎵（GaN）技術(shù)，氮化鎵是一種高效能半導(dǎo)體材料，有助于提升轉(zhuǎn)換效率和降低功率損耗，具有97.5%的轉(zhuǎn)換效率。

據(jù)了解，IQ9N-3P適用于480伏的商用項目，能夠承受16安培的直流持續(xù)電流，峰值輸出功率可達427伏安，支持高達600瓦的組件。安費諾表示，該產(chǎn)品不僅適合100千瓦以下的小型商用系統(tǒng)，還能擴展至數(shù)百千瓦的大型系統(tǒng)，具備靈活性，未來擴容時無需重新設(shè)計。

公開資料顯示，安費諾能源（Enphase Energy）成立于2006年，2012年在納斯達克上市，總部位于加利福尼亞州弗里蒙特，主要產(chǎn)品包括太陽能微逆變器、電池儲能系統(tǒng)和電動汽車充電站。

氮矽科技推出TOLL封裝的增強型硅基氮化鎵（GaN）晶體管

近日，氮矽科技官微宣布，推出TOLL封裝的增強型硅基氮化鎵（GaN）晶體管。

圖片來源：氮矽科技

據(jù)介紹，DX65TA030是一款650V, 30mΩ增強型硅基氮化鎵（GaN）晶體管，采用TOLL封裝與寬禁帶技術(shù)，實現(xiàn)高功率密度。具備開爾文連接，抗干擾能力強，符合工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，具備高可靠性，是高性能電力電子應(yīng)用的優(yōu)選方案。

氮矽科技成立于2019年，是一家專注于氮化鎵功率半導(dǎo)體研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化的高新技術(shù)企業(yè)。公司擁有 “E-mode GaN HEMT、GaN Driver、GaN PIIP?（Power integrated in package）和PWM GaN”四大產(chǎn)品線，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于消費電子、工業(yè)市場、新能源汽車、航空航天等領(lǐng)域。

瑞薩發(fā)布用于功率轉(zhuǎn)換的650V GaN FET

瑞薩電子推出3款新型高壓650V GaN FET，分別為TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS。

圖片來源：Renesas瑞薩電子

這三款產(chǎn)品基于第四代增強型SuperGaN?平臺，該平臺采用經(jīng)實際應(yīng)用驗證的耗盡型（d-mode）常關(guān)斷架構(gòu)，由Transphorm公司首創(chuàng)，瑞薩電子于2024年6月收購了該公司。與硅基、碳化硅（SiC）和其它GaN產(chǎn)品相比，基于低損耗耗盡型技術(shù)的產(chǎn)品具有更高的效率。

這些第四代增強型（Gen IV Plus）器件專為多千瓦級應(yīng)用而設(shè)計，將高效GaN技術(shù)與硅兼容柵極驅(qū)動輸入相結(jié)合，在保留硅FET操作簡便性的同時，顯著降低了開關(guān)功率損耗。

新產(chǎn)品適用于人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器電源（包括新型800V高壓直流架構(gòu)）、電動汽車充電、不間斷電源電池備份設(shè)備、電池儲能和太陽能逆變器等領(lǐng)域。此外，在工業(yè)電機驅(qū)動領(lǐng)域，也能提供高可靠性、高效率的功率轉(zhuǎn)換，支持設(shè)備小型化與能效升級。

（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）

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PCIM Asia作為亞太地區(qū)電力電子與可再生能源管理領(lǐng)域的重要盛會，持續(xù)推動寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)新與應(yīng)用。本次展會聚焦碳化硅、氮化鎵、電機驅(qū)動和運動控制等熱點領(lǐng)域，英諾賽科作為國內(nèi)GaN技術(shù)的重要推動者，帶來了涵蓋15V至900V電壓范圍的Single GaN、雙向GaN（VGaN?）、雙冷卻LGA封裝以及系統(tǒng)級封裝SolidGaN?等多個產(chǎn)品系列，展現(xiàn)了其在高壓、高功率密度應(yīng)用方面的技術(shù)實力。

本次展會上，#英諾賽科 六大創(chuàng)新方案首次亮相，覆蓋家電、數(shù)據(jù)中心、新能源、汽車和機器人等多個關(guān)鍵領(lǐng)域，顯示出GaN技術(shù)在提升能效與系統(tǒng)集成度方面的廣泛適用性：

家電領(lǐng)域：推出300W高壓電機解決方案，助力家電能效升級；

數(shù)據(jù)中心：展示12kW 800-48V DCDC轉(zhuǎn)換器及8kW 54-12V 16相Buck轉(zhuǎn)換器，提升服務(wù)器電源效率；

新能源應(yīng)用：700W微逆方案適用于光伏儲能場景；

汽車電子：6.6kW單級車載充電器（OBC）具備高功率密度，支持電動車快速充電；

機器人：3kW電機驅(qū)動與關(guān)節(jié)模塊，增強機器人動力響應(yīng)與緊湊化設(shè)計。

值得一提的是，6.6kW單級OBC系統(tǒng)峰值效率達97%，體積小巧（224×186×48mm），功率密度為54W/inch3，采用四顆ISG6121BTA與INV650TQ015E芯片，顯示出英諾賽科在整合設(shè)計與半導(dǎo)體性能方面的協(xié)同優(yōu)勢。

機器人用3kW電機驅(qū)動方案同樣表現(xiàn)突出，支持48–72V寬電壓輸入，最高相電流95A，在無風(fēng)冷條件下仍保持良好溫控，結(jié)構(gòu)緊湊，適用于高關(guān)節(jié)負載應(yīng)用場景。

與此同時，英諾賽科GaN IC設(shè)計產(chǎn)品副總陳敏在氮化鎵專題論壇中發(fā)表題為《創(chuàng)新型氮化鎵InnoGaN為下一代電力電子應(yīng)用賦能》的演講，從技術(shù)演進與行業(yè)趨勢角度，解析GaN器件在高頻、高效電能轉(zhuǎn)換中的核心價值與發(fā)展前景。

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山東鎵數(shù)氮化鎵單晶襯底項目全面達產(chǎn)

近期，山東鎵數(shù)智能科技有限公司的氮化鎵單晶襯底項目已全面達產(chǎn)，該公司總經(jīng)理梁如儉介紹道，該項目規(guī)劃50條生產(chǎn)線，年產(chǎn)量可達10萬片氮化鎵單晶襯底。

上述項目位于臨沂電創(chuàng)產(chǎn)業(yè)園，主要生產(chǎn)高亮度、高結(jié)晶質(zhì)量的2英寸GaN襯底，2024年規(guī)?；懂a(chǎn)，2025年5月開始試產(chǎn)沖刺，截至目前已建設(shè)10條國際領(lǐng)先的生產(chǎn)線。

該項目曾以畝均稅收50萬元、年產(chǎn)值2.3億元的經(jīng)濟效益榮獲臨沂市2024年度“十大好項目”，產(chǎn)品已于今年6月進入中科院采購目錄，并已形成訂單。

另據(jù)山東鎵數(shù)董事馬賽賽表示，公司HVPE設(shè)備已實現(xiàn)三片同時生長，已具備六片生長的技術(shù)儲備，且可以生長出大尺寸的單晶襯底晶片。

東部高科：將推出專屬氮化鎵多項目晶圓（MPW）項目

近期，外媒報道，東部高科DB HiTek宣布，公司650VGaN HEMT工藝開發(fā)已進入最終階段，計劃于10月底推出專屬氮化鎵多項目晶圓（MPW）項目。

與傳統(tǒng)硅基功率器件相比，氮化鎵半導(dǎo)體在高壓、高頻及高溫工作環(huán)境下具備卓越性能，功率效率出眾。特別是650V增強型氮化鎵HEMT，憑借其高速開關(guān)性能與穩(wěn)健的運行穩(wěn)定性，成為電動汽車充電設(shè)施、超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)及先進5G網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的理想選擇。

據(jù)悉，完成650V工藝開發(fā)后，DB HiTek還計劃在2026年底前推出200V GaN工藝及針對集成電路優(yōu)化的650V GaN工藝，并逐步拓展更廣泛的電壓范圍。

東部高科負責(zé)人透露，“通過新增氮化鎵工藝能力，我們將以更廣泛的技術(shù)組合增強市場競爭力?！?/p>

為支持以上舉措，東部高科還在進一步完善產(chǎn)能建設(shè)。媒體報道，東部高科韓國忠清北道Fab2潔凈室設(shè)施正在擴建，預(yù)計每月將新增約3.5萬片8英寸晶圓產(chǎn)能，用于氮化鎵、BCDMOS和碳化硅工藝的生產(chǎn)。擴建完成后，DB HiTek的晶圓月總產(chǎn)能將提升23%，從15.4萬片增至19萬片。

（集邦化合物半導(dǎo)體 Flora 整理）

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