圖片來源：JX官網(wǎng)新聞稿截圖

此輪追加投資額與該公司7月份宣布的投資合并計算，總投資額約達33億日元（約合2200萬美元），旨在將公司InP襯底的產(chǎn)能提升約50%（相比2025年水平）。此舉明確指向由生成式AI驅(qū)動的全球超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心建設(shè)熱潮。

AI推動光通信材料需求急增
此次大規(guī)模擴產(chǎn)的核心驅(qū)動力是AI算力對高速光通信的爆炸性需求。

磷化銦（InP）襯底是制造高性能光通信器件的關(guān)鍵核心材料。隨著生成式AI的快速普及，全球數(shù)據(jù)中心的建設(shè)正在加速，導(dǎo)致數(shù)據(jù)中心內(nèi)部和之間的數(shù)據(jù)傳輸量呈指數(shù)級增長。InP襯底對于生產(chǎn)光通信中的光發(fā)射器和接收器至關(guān)重要，是保障數(shù)據(jù)在光模塊中實現(xiàn)高速、大容量、低能耗傳輸?shù)幕?/p>

JX金屬在7月份宣布了首輪約15億日元的投資計劃（將產(chǎn)能提高約20%）。然而，鑒于AI持續(xù)演進帶來的InP需求激增速度遠超預(yù)期，公司決定進一步追加投資。

JX金屬在新聞稿中表示，建立一個能應(yīng)對InP襯底需求急劇增加的系統(tǒng)已成為當(dāng)務(wù)之急。

InP：未來光電融合技術(shù)的關(guān)鍵
作為全球少數(shù)幾家擁有40多年InP襯底制造經(jīng)驗的制造商之一，JX金屬此舉不僅是為了滿足當(dāng)前光通信市場的需求，更是對未來技術(shù)的戰(zhàn)略布局。

InP襯底除了廣泛應(yīng)用于光通信模塊外，還是光電融合技術(shù)（Photonic-Electronic Convergence Technology）的潛在核心材料。光電融合技術(shù)被視為下一代信息通信基礎(chǔ)設(shè)施的關(guān)鍵，它有望將高速數(shù)據(jù)處理能力和極低的能耗帶入板間、甚至芯片封裝間的通信。

通過此次總額達33億日元的投資，JX金屬將顯著強化其在化合物半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的全球競爭力和供應(yīng)鏈地位，為全球AI和高速通信基礎(chǔ)設(shè)施提供強有力的支持。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。

圖片來源：九峰山實驗室（圖為九峰山實驗室6英寸磷化銦PIN探測器外延片）

該成果不僅將關(guān)鍵性能指標(biāo)提升至國際領(lǐng)先水平，更是國內(nèi)首次在大尺寸磷化銦材料制備上實現(xiàn)從核心設(shè)備到關(guān)鍵材料的全面國產(chǎn)化，為我國光電子器件產(chǎn)業(yè)的規(guī)?；l(fā)展提供了有力支撐。

作為光通信、量子計算等前沿領(lǐng)域的核心材料，磷化銦（InP）的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用一直受限于大尺寸制備的技術(shù)瓶頸。長期以來，行業(yè)主流停留在3英寸工藝階段，高昂的生產(chǎn)成本難以滿足光通信、激光雷達、太赫茲通信等下游產(chǎn)業(yè)的爆發(fā)式增長需求。

九峰山實驗室此次的突破在于，依托國產(chǎn)MOCVD設(shè)備和國內(nèi)合作伙伴云南鑫耀的6英寸磷化銦襯底技術(shù)，成功解決了大尺寸外延均勻性控制這一世界性難題。

其自主研發(fā)的6英寸外延生長工藝，使得FP激光器量子阱PL發(fā)光波長片內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)差小于1.5nm，組分與厚度均勻性小于1.5%；PIN探測器材料本底濃度小于4×101?cm?3，遷移率大于11000cm2/V·s，這些關(guān)鍵性能指標(biāo)均達到國際領(lǐng)先水平。

此項技術(shù)突破有望將國產(chǎn)光芯片的制造成本降低至3英寸工藝的60%至70%，顯著增強我國光芯片的市場競爭力。

九峰山實驗室本次技術(shù)突破的另一大亮點是其協(xié)同創(chuàng)新模式。通過聯(lián)合國內(nèi)上下游產(chǎn)業(yè)鏈，實驗室實現(xiàn)了從襯底、外延設(shè)備到關(guān)鍵工藝的“全鏈路”突破。其中，云南鑫耀作為合作方，其6英寸高品質(zhì)磷化銦單晶片的產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)已取得突破，即將進入量產(chǎn)階段。

這一模式對促進我國化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的協(xié)同發(fā)展、奠定產(chǎn)業(yè)自主可控的基礎(chǔ)具有深遠影響。未來，九峰山實驗室將繼續(xù)優(yōu)化6英寸InP外延平臺，并推動下游產(chǎn)品驗證，為我國光電子產(chǎn)業(yè)的升級貢獻力量。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。

該公司預(yù)計未來InP襯底的需求將持續(xù)走高，也正在考慮根據(jù)需要靈活地進行進一步投資。

早在2019年，JX先進金屬公司便已將其重點業(yè)務(wù)（包括半導(dǎo)體材料、信息通信材料等先進材料）定位為增長戰(zhàn)略的核心，該公司一直在努力打造繼半導(dǎo)體濺射靶材、壓延銅箔等主力產(chǎn)品之后的下一代收入支柱，磷化銦襯底被寄予厚望。

資料顯示，磷化銦可廣泛應(yīng)用于光通信收發(fā)器件、可穿戴設(shè)備中的接近傳感器及工業(yè)級圖像傳感器領(lǐng)域。作為全球少數(shù)具備磷化銦襯底量產(chǎn)能力的制造商之一，JX先進金屬已深耕該材料研發(fā)與生產(chǎn)長達四十余年。該公司看好磷化銦未來前景，認(rèn)為隨著光通信越來越多地用于數(shù)據(jù)中心內(nèi)的數(shù)據(jù)傳輸，市場對磷化銦襯底的需求也在不斷增長。

業(yè)界指出，在AI技術(shù)重塑全球產(chǎn)業(yè)格局的今天，半導(dǎo)體材料作為底層支撐正經(jīng)歷深刻變革。磷化銦憑借超高速電子傳輸、精準(zhǔn)光譜匹配、耐極端環(huán)境等特性，有望成為AI時代高速通信、高頻計算與量子技術(shù)的核心材料。

（文/集邦化合物半導(dǎo)體整理）

<<<歡迎評論區(qū)留言或者私信，獲取更多化合物半導(dǎo)體相關(guān)內(nèi)容