公告顯示，星沅光電本輪總增資2400萬(wàn)元，除研究院外，另有3家機(jī)構(gòu)合計(jì)出資1600萬(wàn)元。增資前，研究院持有星沅光電20%股權(quán)；增資完成后，其持股比例將提升至23.07%，星沅光電注冊(cè)資本將由625萬(wàn)元增至812.5萬(wàn)元，其他股東均放棄優(yōu)先認(rèn)購(gòu)權(quán)。

圖片來(lái)源：長(zhǎng)光華芯公告截圖

此次增資的核心關(guān)聯(lián)的是化合物半導(dǎo)體賽道。公告明確，星沅光電核心業(yè)務(wù)為高端磷化銦（InP）激光器芯片、器件及模塊的研發(fā)生產(chǎn)，而磷化銦是Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體的重要品類，與長(zhǎng)光華芯主業(yè)的砷化鎵（GaAs）同屬化合物半導(dǎo)體材料體系。

長(zhǎng)光華芯采用IDM模式進(jìn)行半導(dǎo)體激光芯片的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，構(gòu)建了砷化鎵、磷化銦等五大材料體系，建立了邊發(fā)射和面發(fā)射兩大工藝技術(shù)和制造平臺(tái)，是全球少數(shù)幾家具備6寸線外延、晶圓制造等關(guān)鍵制程生產(chǎn)能力的IDM半導(dǎo)體激光器企業(yè)之一。

長(zhǎng)光華芯表示，公司本次向關(guān)聯(lián)方增資系為了保障星沅光電的產(chǎn)線建設(shè)與日常運(yùn)營(yíng)資金需求，加快開(kāi)發(fā)高端磷化銦激光器芯片、器件及相關(guān)模塊、子系統(tǒng)，提升公司核心競(jìng)爭(zhēng)力。

據(jù)悉，磷化銦具有優(yōu)異的光電特性，是AI數(shù)據(jù)中心高速光通信、激光雷達(dá)等領(lǐng)域的核心材料，屬于當(dāng)前高景氣的化合物半導(dǎo)體賽道。長(zhǎng)光華芯通過(guò)本次增資，實(shí)現(xiàn)從成熟GaAs激光芯片向高增長(zhǎng)InP芯片的延伸，完善化合物半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈布局，助力國(guó)產(chǎn)高端光芯片替代。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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01、投資超1.5億歐元，6英寸磷化銦工廠落子歐洲

近期，一座宣稱為“世界首座”的6英寸（150mm）級(jí)磷化銦光子芯片工業(yè)晶圓廠在荷蘭埃因霍溫正式動(dòng)工。這不僅是一座制造廠，更是一條極具戰(zhàn)略意義的工業(yè)級(jí)中試線，旨在大幅加速磷化銦芯片從前沿概念邁向商業(yè)化應(yīng)用的整個(gè)流程。

該工廠所生產(chǎn)的6英寸光子晶圓是一種薄薄的圓形晶片，其顛覆性在于，晶片上制造的芯片是利用“光”而非傳統(tǒng)的“電”來(lái)進(jìn)行數(shù)據(jù)的處理與傳輸。在算力需求呈指數(shù)級(jí)爆炸的今天，這種高能效的晶圓對(duì)于建設(shè)節(jié)能型人工智能數(shù)據(jù)中心、部署6G網(wǎng)絡(luò)、推動(dòng)醫(yī)療創(chuàng)新以及支撐超級(jí)計(jì)算機(jī)的運(yùn)行都起著至關(guān)重要的作用。

該項(xiàng)目的落地匯聚了歐洲頂級(jí)的產(chǎn)學(xué)研資源，由荷蘭主要研究機(jī)構(gòu)TNO、埃因霍溫理工大學(xué)（TU/e）、PhotonDelta、SMART Photonics以及埃因霍溫高科技園區(qū)等多方聯(lián)手合作開(kāi)展。

在資金注入上，該工廠的投資額超過(guò)了1.5億歐元，并且直接獲得了《歐洲芯片法案》的資金資助。按照規(guī)劃時(shí)間表，這座承載厚望的工廠將于2028年實(shí)現(xiàn)全面投產(chǎn)。屆時(shí)，它將具備每年生產(chǎn)多達(dá)1萬(wàn)片晶圓以及1000萬(wàn)個(gè)光子芯片的龐大產(chǎn)能，光子芯片商業(yè)化有望步入發(fā)展快車道。

02、6G利好磷化銦，全球廠商加速布局

除了歐洲的大手筆投資，宏觀政策的定調(diào)與新一代通信技術(shù)的演進(jìn)，正賦予磷化銦不可替代的產(chǎn)業(yè)使命。

中國(guó)對(duì)未來(lái)產(chǎn)業(yè)的布局正全面提速，2026年政府工作報(bào)告中明確提出，要建立未來(lái)產(chǎn)業(yè)投入增長(zhǎng)和風(fēng)險(xiǎn)分擔(dān)機(jī)制，并重點(diǎn)培育發(fā)展未來(lái)能源、量子科技、具身智能、腦機(jī)接口以及6G等極具潛力的未來(lái)產(chǎn)業(yè)。

作為繼5G之后的下一代全球通信技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)體系，6G被業(yè)界廣泛譽(yù)為萬(wàn)物互聯(lián)的“引擎”和數(shù)字時(shí)代的“底座”。未來(lái)，6G網(wǎng)絡(luò)將支持峰值速率達(dá)到Tbps級(jí)、空口時(shí)延低至0.1毫秒，連接密度提升至每平方公里千萬(wàn)級(jí)，并通過(guò)空天地海一體化架構(gòu)實(shí)現(xiàn)從深海到深空的全域覆蓋。

在這一龐大的6G產(chǎn)業(yè)帝國(guó)中，處于產(chǎn)業(yè)鏈上游基礎(chǔ)層的化合物半導(dǎo)體材料（如砷化鎵、氮化鎵、磷化銦）、太赫茲射頻器件等構(gòu)筑了產(chǎn)業(yè)基石。

其中，磷化銦憑借其優(yōu)異的高頻、高速及光電轉(zhuǎn)換等性能，將成為6G通信技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵材料之一，推動(dòng)其在太赫茲通信、光電融合、衛(wèi)星通信及量子技術(shù)等領(lǐng)域的創(chuàng)新應(yīng)用，有望在6G產(chǎn)業(yè)發(fā)展浪潮下深度受益。

巨大的市場(chǎng)潛能引發(fā)了全球范圍內(nèi)的激烈角逐。目前的全球磷化銦廠商主要集中在日本、美國(guó)和中國(guó)，國(guó)際廠商憑借深厚的技術(shù)積累依然占據(jù)著主導(dǎo)地位。其中，日本住友電工是全球磷化銦襯底市場(chǎng)的龍頭，其采用垂直布里奇曼法（VB法）生產(chǎn)，可穩(wěn)定供應(yīng)2-6英寸的優(yōu)質(zhì)襯底，產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于光通信與射頻器件領(lǐng)域，并與全球頭部的光模塊廠商保持著深度合作。此外，美國(guó)AXT、法國(guó)的InPact等公司同樣占據(jù)舉足輕重的地位。

面對(duì)國(guó)際巨頭的主導(dǎo)地位，中國(guó)國(guó)內(nèi)廠商在國(guó)產(chǎn)替代的進(jìn)程中加速突破，正成為推動(dòng)全球磷化銦產(chǎn)業(yè)發(fā)展的核心力量。

其中，云南鍺業(yè)（持股云南鑫耀）作為國(guó)內(nèi)磷化銦襯底的領(lǐng)軍企業(yè)，已成功實(shí)現(xiàn)6英寸磷化銦襯底的量產(chǎn)，產(chǎn)能規(guī)模在國(guó)內(nèi)處于領(lǐng)先地位，且產(chǎn)品已順利進(jìn)入國(guó)內(nèi)頭部光模塊廠商的供應(yīng)鏈。

有研新材承擔(dān)了國(guó)家02專項(xiàng)“6英寸磷化銦單晶片制備”項(xiàng)目，其2-4英寸襯底已實(shí)現(xiàn)小批量生產(chǎn)，而關(guān)鍵的6英寸襯底已完成技術(shù)攻關(guān)，具備了快速產(chǎn)業(yè)化的能力。

三安光電作為國(guó)內(nèi)化合物半導(dǎo)體IDM龍頭，深度布局了磷化銦全產(chǎn)業(yè)鏈，其生產(chǎn)的磷化銦外延片及光芯片產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)批量供貨，并被應(yīng)用于800G/1.6T高速光模塊中，規(guī)模優(yōu)勢(shì)與技術(shù)迭代能力強(qiáng)勁。
陜西銦杰半導(dǎo)體致力于國(guó)產(chǎn)替代，技術(shù)團(tuán)隊(duì)具備扎實(shí)的晶體生長(zhǎng)和外延工藝研發(fā)能力，產(chǎn)品線覆蓋了2-4英寸襯底及外延片，正聯(lián)合國(guó)內(nèi)機(jī)構(gòu)全力推動(dòng)磷化銦技術(shù)國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程。

03、結(jié)語(yǔ)

無(wú)論是在歐洲斥巨資投建6英寸磷化銦工廠，還是2026年中國(guó)政府工作報(bào)告將6G列為未來(lái)產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)，都彰顯了磷化銦在數(shù)字基建中不可替代的戰(zhàn)略地位。盡管美日國(guó)際廠商目前占據(jù)主導(dǎo)，但在國(guó)產(chǎn)替代浪潮下，中國(guó)企業(yè)正憑借技術(shù)攻關(guān)與產(chǎn)能擴(kuò)張加速突圍。隨著6G商用時(shí)代的逼近，全球磷化銦產(chǎn)業(yè)必將迎來(lái)新一輪的爆發(fā)與重塑。

（集邦化合物半導(dǎo) 秦妍 整理）

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圖片來(lái)源：JX官網(wǎng)新聞稿截圖

此輪追加投資額與該公司7月份宣布的投資合并計(jì)算，總投資額約達(dá)33億日元（約合2200萬(wàn)美元），旨在將公司InP襯底的產(chǎn)能提升約50%（相比2025年水平）。此舉明確指向由生成式AI驅(qū)動(dòng)的全球超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心建設(shè)熱潮。

AI推動(dòng)光通信材料需求急增
此次大規(guī)模擴(kuò)產(chǎn)的核心驅(qū)動(dòng)力是AI算力對(duì)高速光通信的爆炸性需求。

磷化銦（InP）襯底是制造高性能光通信器件的關(guān)鍵核心材料。隨著生成式AI的快速普及，全球數(shù)據(jù)中心的建設(shè)正在加速，導(dǎo)致數(shù)據(jù)中心內(nèi)部和之間的數(shù)據(jù)傳輸量呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)。InP襯底對(duì)于生產(chǎn)光通信中的光發(fā)射器和接收器至關(guān)重要，是保障數(shù)據(jù)在光模塊中實(shí)現(xiàn)高速、大容量、低能耗傳輸?shù)幕?/p>

JX金屬在7月份宣布了首輪約15億日元的投資計(jì)劃（將產(chǎn)能提高約20%）。然而，鑒于AI持續(xù)演進(jìn)帶來(lái)的InP需求激增速度遠(yuǎn)超預(yù)期，公司決定進(jìn)一步追加投資。

JX金屬在新聞稿中表示，建立一個(gè)能應(yīng)對(duì)InP襯底需求急劇增加的系統(tǒng)已成為當(dāng)務(wù)之急。

InP：未來(lái)光電融合技術(shù)的關(guān)鍵
作為全球少數(shù)幾家擁有40多年InP襯底制造經(jīng)驗(yàn)的制造商之一，JX金屬此舉不僅是為了滿足當(dāng)前光通信市場(chǎng)的需求，更是對(duì)未來(lái)技術(shù)的戰(zhàn)略布局。

InP襯底除了廣泛應(yīng)用于光通信模塊外，還是光電融合技術(shù)（Photonic-Electronic Convergence Technology）的潛在核心材料。光電融合技術(shù)被視為下一代信息通信基礎(chǔ)設(shè)施的關(guān)鍵，它有望將高速數(shù)據(jù)處理能力和極低的能耗帶入板間、甚至芯片封裝間的通信。

通過(guò)此次總額達(dá)33億日元的投資，JX金屬將顯著強(qiáng)化其在化合物半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的全球競(jìng)爭(zhēng)力和供應(yīng)鏈地位，為全球AI和高速通信基礎(chǔ)設(shè)施提供強(qiáng)有力的支持。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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圖片來(lái)源：九峰山實(shí)驗(yàn)室（圖為九峰山實(shí)驗(yàn)室6英寸磷化銦PIN探測(cè)器外延片）

該成果不僅將關(guān)鍵性能指標(biāo)提升至國(guó)際領(lǐng)先水平，更是國(guó)內(nèi)首次在大尺寸磷化銦材料制備上實(shí)現(xiàn)從核心設(shè)備到關(guān)鍵材料的全面國(guó)產(chǎn)化，為我國(guó)光電子器件產(chǎn)業(yè)的規(guī)模化發(fā)展提供了有力支撐。

作為光通信、量子計(jì)算等前沿領(lǐng)域的核心材料，磷化銦（InP）的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用一直受限于大尺寸制備的技術(shù)瓶頸。長(zhǎng)期以來(lái)，行業(yè)主流停留在3英寸工藝階段，高昂的生產(chǎn)成本難以滿足光通信、激光雷達(dá)、太赫茲通信等下游產(chǎn)業(yè)的爆發(fā)式增長(zhǎng)需求。

九峰山實(shí)驗(yàn)室此次的突破在于，依托國(guó)產(chǎn)MOCVD設(shè)備和國(guó)內(nèi)合作伙伴云南鑫耀的6英寸磷化銦襯底技術(shù)，成功解決了大尺寸外延均勻性控制這一世界性難題。

其自主研發(fā)的6英寸外延生長(zhǎng)工藝，使得FP激光器量子阱PL發(fā)光波長(zhǎng)片內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)差小于1.5nm，組分與厚度均勻性小于1.5%；PIN探測(cè)器材料本底濃度小于4×101?cm?3，遷移率大于11000cm2/V·s，這些關(guān)鍵性能指標(biāo)均達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。

此項(xiàng)技術(shù)突破有望將國(guó)產(chǎn)光芯片的制造成本降低至3英寸工藝的60%至70%，顯著增強(qiáng)我國(guó)光芯片的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

九峰山實(shí)驗(yàn)室本次技術(shù)突破的另一大亮點(diǎn)是其協(xié)同創(chuàng)新模式。通過(guò)聯(lián)合國(guó)內(nèi)上下游產(chǎn)業(yè)鏈，實(shí)驗(yàn)室實(shí)現(xiàn)了從襯底、外延設(shè)備到關(guān)鍵工藝的“全鏈路”突破。其中，云南鑫耀作為合作方，其6英寸高品質(zhì)磷化銦單晶片的產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)已取得突破，即將進(jìn)入量產(chǎn)階段。

這一模式對(duì)促進(jìn)我國(guó)化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的協(xié)同發(fā)展、奠定產(chǎn)業(yè)自主可控的基礎(chǔ)具有深遠(yuǎn)影響。未來(lái)，九峰山實(shí)驗(yàn)室將繼續(xù)優(yōu)化6英寸InP外延平臺(tái)，并推動(dòng)下游產(chǎn)品驗(yàn)證，為我國(guó)光電子產(chǎn)業(yè)的升級(jí)貢獻(xiàn)力量。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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該公司預(yù)計(jì)未來(lái)InP襯底的需求將持續(xù)走高，也正在考慮根據(jù)需要靈活地進(jìn)行進(jìn)一步投資。

早在2019年，JX先進(jìn)金屬公司便已將其重點(diǎn)業(yè)務(wù)（包括半導(dǎo)體材料、信息通信材料等先進(jìn)材料）定位為增長(zhǎng)戰(zhàn)略的核心，該公司一直在努力打造繼半導(dǎo)體濺射靶材、壓延銅箔等主力產(chǎn)品之后的下一代收入支柱，磷化銦襯底被寄予厚望。

資料顯示，磷化銦可廣泛應(yīng)用于光通信收發(fā)器件、可穿戴設(shè)備中的接近傳感器及工業(yè)級(jí)圖像傳感器領(lǐng)域。作為全球少數(shù)具備磷化銦襯底量產(chǎn)能力的制造商之一，JX先進(jìn)金屬已深耕該材料研發(fā)與生產(chǎn)長(zhǎng)達(dá)四十余年。該公司看好磷化銦未來(lái)前景，認(rèn)為隨著光通信越來(lái)越多地用于數(shù)據(jù)中心內(nèi)的數(shù)據(jù)傳輸，市場(chǎng)對(duì)磷化銦襯底的需求也在不斷增長(zhǎng)。

業(yè)界指出，在AI技術(shù)重塑全球產(chǎn)業(yè)格局的今天，半導(dǎo)體材料作為底層支撐正經(jīng)歷深刻變革。磷化銦憑借超高速電子傳輸、精準(zhǔn)光譜匹配、耐極端環(huán)境等特性，有望成為AI時(shí)代高速通信、高頻計(jì)算與量子技術(shù)的核心材料。

（文/集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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