圖片來源:九峰山實(shí)驗(yàn)室(圖為九峰山實(shí)驗(yàn)室6英寸磷化銦PIN探測(cè)器外延片)
該成果不僅將關(guān)鍵性能指標(biāo)提升至國(guó)際領(lǐng)先水平,更是國(guó)內(nèi)首次在大尺寸磷化銦材料制備上實(shí)現(xiàn)從核心設(shè)備到關(guān)鍵材料的全面國(guó)產(chǎn)化,為我國(guó)光電子器件產(chǎn)業(yè)的規(guī)?;l(fā)展提供了有力支撐。
作為光通信、量子計(jì)算等前沿領(lǐng)域的核心材料,磷化銦(InP)的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用一直受限于大尺寸制備的技術(shù)瓶頸。長(zhǎng)期以來,行業(yè)主流停留在3英寸工藝階段,高昂的生產(chǎn)成本難以滿足光通信、激光雷達(dá)、太赫茲通信等下游產(chǎn)業(yè)的爆發(fā)式增長(zhǎng)需求。
九峰山實(shí)驗(yàn)室此次的突破在于,依托國(guó)產(chǎn)MOCVD設(shè)備和國(guó)內(nèi)合作伙伴云南鑫耀的6英寸磷化銦襯底技術(shù),成功解決了大尺寸外延均勻性控制這一世界性難題。
其自主研發(fā)的6英寸外延生長(zhǎng)工藝,使得FP激光器量子阱PL發(fā)光波長(zhǎng)片內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)差小于1.5nm,組分與厚度均勻性小于1.5%;PIN探測(cè)器材料本底濃度小于4×101?cm?3,遷移率大于11000cm2/V·s,這些關(guān)鍵性能指標(biāo)均達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。
此項(xiàng)技術(shù)突破有望將國(guó)產(chǎn)光芯片的制造成本降低至3英寸工藝的60%至70%,顯著增強(qiáng)我國(guó)光芯片的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。
九峰山實(shí)驗(yàn)室本次技術(shù)突破的另一大亮點(diǎn)是其協(xié)同創(chuàng)新模式。通過聯(lián)合國(guó)內(nèi)上下游產(chǎn)業(yè)鏈,實(shí)驗(yàn)室實(shí)現(xiàn)了從襯底、外延設(shè)備到關(guān)鍵工藝的“全鏈路”突破。其中,云南鑫耀作為合作方,其6英寸高品質(zhì)磷化銦單晶片的產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)已取得突破,即將進(jìn)入量產(chǎn)階段。
這一模式對(duì)促進(jìn)我國(guó)化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的協(xié)同發(fā)展、奠定產(chǎn)業(yè)自主可控的基礎(chǔ)具有深遠(yuǎn)影響。未來,九峰山實(shí)驗(yàn)室將繼續(xù)優(yōu)化6英寸InP外延平臺(tái),并推動(dòng)下游產(chǎn)品驗(yàn)證,為我國(guó)光電子產(chǎn)業(yè)的升級(jí)貢獻(xiàn)力量。
(集邦化合物半導(dǎo)體整理)
更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊,請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào):集邦化合物半導(dǎo)體。
]]>該公司預(yù)計(jì)未來InP襯底的需求將持續(xù)走高,也正在考慮根據(jù)需要靈活地進(jìn)行進(jìn)一步投資。
早在2019年,JX先進(jìn)金屬公司便已將其重點(diǎn)業(yè)務(wù)(包括半導(dǎo)體材料、信息通信材料等先進(jìn)材料)定位為增長(zhǎng)戰(zhàn)略的核心,該公司一直在努力打造繼半導(dǎo)體濺射靶材、壓延銅箔等主力產(chǎn)品之后的下一代收入支柱,磷化銦襯底被寄予厚望。
資料顯示,磷化銦可廣泛應(yīng)用于光通信收發(fā)器件、可穿戴設(shè)備中的接近傳感器及工業(yè)級(jí)圖像傳感器領(lǐng)域。作為全球少數(shù)具備磷化銦襯底量產(chǎn)能力的制造商之一,JX先進(jìn)金屬已深耕該材料研發(fā)與生產(chǎn)長(zhǎng)達(dá)四十余年。該公司看好磷化銦未來前景,認(rèn)為隨著光通信越來越多地用于數(shù)據(jù)中心內(nèi)的數(shù)據(jù)傳輸,市場(chǎng)對(duì)磷化銦襯底的需求也在不斷增長(zhǎng)。
業(yè)界指出,在AI技術(shù)重塑全球產(chǎn)業(yè)格局的今天,半導(dǎo)體材料作為底層支撐正經(jīng)歷深刻變革。磷化銦憑借超高速電子傳輸、精準(zhǔn)光譜匹配、耐極端環(huán)境等特性,有望成為AI時(shí)代高速通信、高頻計(jì)算與量子技術(shù)的核心材料。
(文/集邦化合物半導(dǎo)體整理)
<<<歡迎評(píng)論區(qū)留言或者私信,獲取更多化合物半導(dǎo)體相關(guān)內(nèi)容
]]>