瀚薪科技浙江麗水新建碳化硅封測建設(shè)項(xiàng)目順利封頂

5月27日，瀚薪科技通過全資子公司-浙江瀚薪芯昊半導(dǎo)體有限公司在麗水投建的“新建碳化硅封測建設(shè)項(xiàng)目”主體結(jié)構(gòu)正式封頂。

圖片來源：瀚薪科技

這一里程碑的達(dá)成，標(biāo)志著公司在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化的征程中邁出了關(guān)鍵一步。未來瀚薪科技的產(chǎn)品生產(chǎn)將進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)自主可控，研發(fā)技術(shù)快速迭代，以期為客戶提供更全面、更優(yōu)質(zhì)的碳化硅解決方案，助力“雙碳”目標(biāo)與新能源產(chǎn)業(yè)升級！

資料顯示，瀚薪專注SiC功率器件研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化超15年，擁有自主知識產(chǎn)權(quán)及國際領(lǐng)先的芯片設(shè)計(jì)、封裝工藝與測試能力。公司產(chǎn)品已通過車規(guī)級AEC-Q101及工規(guī)級JEDEC認(rèn)證，與多家知名企業(yè)建立了緊密的合作關(guān)系。

廣州這個(gè)氧化鎵外延項(xiàng)目即將投產(chǎn)

近期，由香港科技大學(xué)霍英東研究院與香港科技大學(xué)（廣州）聯(lián)合孵化的“拓諾稀科技”傳出新進(jìn)展，其位于南沙的首個(gè)先進(jìn)生產(chǎn)廠房正式啟用。

該廠房配備高標(biāo)準(zhǔn)潔凈室設(shè)施和完善的生產(chǎn)研發(fā)配套，具備批量化外延制備能力，實(shí)現(xiàn) “從實(shí)驗(yàn)室走向產(chǎn)業(yè)”，為大規(guī)模推進(jìn)氧化鎵外延產(chǎn)品走向市場奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

圖片來源：香港科技大學(xué)快訊

氧化鎵（Ga?O?）作為一種具有超寬禁帶的半導(dǎo)體材料，在高壓功率電子、射頻通訊、光電探測等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。由香港科技大學(xué)（廣州）陳子強(qiáng)教授與其博士生共同創(chuàng)立的拓諾稀科技，聚焦于氧化鎵外延薄膜的制備及高性能半導(dǎo)體器件的開發(fā)，是全球獨(dú)家通過MOCVD工藝實(shí)現(xiàn)了穩(wěn)定p型導(dǎo)電氧化鎵外延層的企業(yè)，填補(bǔ)了氧化鎵材料體系中長期缺失的p型導(dǎo)電空白。

據(jù)悉，拓諾稀科技通過實(shí)現(xiàn)p型導(dǎo)電，使得氧化鎵材料具備構(gòu)建pn結(jié)及其他雙極型器件（如BJT、IGBT）的能力，顯著拓展在新能源汽車、工業(yè)機(jī)器人、電力能源等領(lǐng)域的應(yīng)用空間。團(tuán)隊(duì)采用自主研發(fā)的MOCVD外延及加工工藝，形成全球獨(dú)有的技術(shù)體系，支持多層pn結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)以實(shí)現(xiàn)差異化器件性能。工藝兼容半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備，具備大規(guī)模量產(chǎn)與高度產(chǎn)業(yè)化的可行性，為晶圓加工和芯片集成提供堅(jiān)實(shí)支撐。

（集邦化合物半導(dǎo)體 秦妍 整理）

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資料顯示，NextGO Epi成立于2025年， 專注于高品質(zhì) β-Ga?O? (氧化鎵) 外延片的大規(guī)模制造，旨在為高功率和光電探測應(yīng)用提供關(guān)鍵材料。NextGO Epi 是德國萊布尼茨晶體生長研究所（IKZ）的孵化企業(yè)，由周大順博士、Andreas Popp 博士和 Andreas Fiedler 博士共同創(chuàng)立。

source：鎵仁半導(dǎo)體——圖為NextGO Epi?坐落于德國柏林萊布尼茨晶體研究所

鎵仁半導(dǎo)體則是一家專注于氧化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體材料研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的科技型企業(yè)。鎵仁半導(dǎo)體引領(lǐng)行業(yè)創(chuàng)新，采用自主研發(fā)的鑄造法單晶生長新技術(shù)，全球首發(fā)8英寸氧化鎵單晶襯底，創(chuàng)造了從2英寸到8英寸，每年升級一個(gè)尺寸的行業(yè)紀(jì)錄；開發(fā)了國內(nèi)首臺包含工藝包的氧化鎵專用VB長晶設(shè)備，全面對外銷售。

業(yè)界指出，氧化鎵（Ga?O?）是第四代半導(dǎo)體材料，因其超寬禁帶、高擊穿場強(qiáng)和低成本潛力，正成為電力電子、軍事雷達(dá)、電動汽車充電等領(lǐng)域的關(guān)鍵材料。

我國在氧化鎵領(lǐng)域已形成從材料生長到器件研發(fā)的完整產(chǎn)業(yè)鏈，部分技術(shù)達(dá)國際領(lǐng)先水平，主要氧化鎵公司包括北京鎵族科技、杭州富加鎵業(yè)、中電科46所、鎵仁半導(dǎo)體等。與此同時(shí)，西安電子科技大學(xué)、浙江大學(xué)等高校也為氧化鎵技術(shù)突破做出了貢獻(xiàn)。

（集邦化合物半導(dǎo)體 Flora 整理）

氧化鎵熔點(diǎn)高達(dá)1900℃，不溶于水，微溶于熱酸或堿溶液。其β相穩(wěn)定性最佳，具有4.9eV的禁帶寬度（遠(yuǎn)超硅的1.1eV和碳化硅的3.3eV），以及8MV/cm的高擊穿場強(qiáng)，使其在高壓、高頻、高溫等極端環(huán)境下表現(xiàn)優(yōu)異，未來發(fā)展?jié)摿薮?，全球競相角逐研發(fā)，其中亞洲市場表現(xiàn)亮眼，近期傳出新動態(tài)。

1、日本NCT全球首發(fā)全氧化鎵基Planar SBD器件

近期，日本株式會社（NCT）宣布向全球合作客戶推出其創(chuàng)新的Planar SBD（肖特基勢壘二極管）器件。該器件基于全氧化鎵材料制造，標(biāo)志著NCT在氧化鎵半導(dǎo)體領(lǐng)域的重大突破。

此次推出的Planar SBD器件為Research Sample（RS）級別，專為科研及早期應(yīng)用探索而設(shè)計(jì)。產(chǎn)品提供兩種電極尺寸規(guī)格供客戶選擇：

規(guī)格一：電極尺寸為2.4mm square，適用于特定測試及應(yīng)用場景。
規(guī)格二：電極尺寸為3.2mm square，提供更大的電極面積，滿足不同客戶的測試需求。此次發(fā)布的

Planar SBD器件旨在滿足客戶對氧化鎵器件的測試、分析及應(yīng)用探索需求，進(jìn)一步推動氧化鎵行業(yè)的產(chǎn)業(yè)化發(fā)展。

氧化鎵布局上，NCT公司于2021年推出了全球首個(gè)量產(chǎn)4英寸氧化鎵晶圓，并計(jì)劃2028年實(shí)現(xiàn)8英寸氧化鎵量產(chǎn)。

2、鎵仁半導(dǎo)體成功制備全球首款8英寸氧化鎵晶圓襯底

今年3月，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司(以下簡稱“鎵仁半導(dǎo)體”)宣布，基于自主創(chuàng)新的氧化鎵單晶生長技術(shù)與大尺寸襯底加工技術(shù)，公司成功制備了全球首款8英寸（200mm）氧化鎵晶圓襯底，國內(nèi)第四代半導(dǎo)體氧化鎵晶圓襯底率先邁入8英寸時(shí)代。

source：鎵仁半導(dǎo)體

資料顯示，鎵仁半導(dǎo)體氧化鎵晶圓襯底尺寸快速演進(jìn)：2022年推出2英寸襯底，2023年推出4英寸襯底，2024年推出6英寸襯底，2025年推出8英寸襯底。

鎵仁半導(dǎo)體指出，未來氧化鎵應(yīng)用前景廣闊，主要表現(xiàn)在三個(gè)領(lǐng)域：

功率器件領(lǐng)域，尤其是大于650V的中壓、高壓以及特高壓功率器件領(lǐng)域，比如新能源汽車快充、工業(yè)電源、電網(wǎng)高壓功率模塊等。

高功率射頻器件領(lǐng)域，氧化鎵的電子飽和速度、約翰遜優(yōu)值較高，在射頻器件領(lǐng)域具有很大應(yīng)用潛力，比如通信基站和雷達(dá)系統(tǒng)等，對于通信、國防、航空航天等領(lǐng)域具有重要意義。

深紫外光電器件領(lǐng)域，氧化鎵還可用于日盲探測、輻射探測等特有領(lǐng)域?！叭彰ぁ弊贤馓綔y是近年來迅速發(fā)展起來的一種新型探測技術(shù)，主要應(yīng)用于紫外預(yù)警、紫外偵察、紫外制導(dǎo)和紫外非視線通訊等軍事領(lǐng)域，以及環(huán)境監(jiān)測、生化檢測、工業(yè)燃燒過程控制、醫(yī)學(xué)紫外成像等民用領(lǐng)域。（集邦化合物半導(dǎo)體秦妍整理）