項(xiàng)目占地面積4萬平方米，總建筑面積6.47萬平方米，其中地上建筑面積53708.03平方米，地下建筑面積11046.29平方米。園區(qū)內(nèi)設(shè)有生產(chǎn)廠房、化學(xué)品庫房、動力中心、綜合樓及地下車庫，為企業(yè)提供了一體化空間，一站式解決半導(dǎo)體企業(yè)生產(chǎn)環(huán)節(jié)的所有需求。

圖片來源：北京順義

與一期項(xiàng)目相比，二期項(xiàng)目增配了特氣站、?；穾煲约?萬平方米的動力中心。這些新增設(shè)施不僅擴(kuò)大了生產(chǎn)空間，還通過一體化設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了從原材料存儲到成品研發(fā)的全鏈條銜接，為半導(dǎo)體企業(yè)“一站式”解決了生產(chǎn)需求，進(jìn)一步提升了園區(qū)的綜合服務(wù)能力。

順義區(qū)作為北京第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要承載區(qū)，已集聚21家實(shí)體企業(yè)，初步形成了從裝備到材料、芯片封裝、檢測及下游應(yīng)用的產(chǎn)業(yè)鏈布局。

如在材料及設(shè)備領(lǐng)域，北京銘鎵半導(dǎo)體有限公司專注于氧化鎵單晶生長與檢測分析技術(shù)，自主研發(fā)了氧化鎵晶體爐。圓坤（北京）半導(dǎo)體裝備有限公司則致力于半導(dǎo)體裝備的研發(fā)與生產(chǎn)，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造過程。北京昌龍智芯半導(dǎo)體有限公司在半導(dǎo)體裝備制造領(lǐng)域也展現(xiàn)出較強(qiáng)的技術(shù)實(shí)力，為產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供了重要支撐。

在芯片設(shè)計(jì)與制造方面，泰克天潤半導(dǎo)體科技（北京）有限公司計(jì)劃建設(shè)6英寸碳化硅功率器件生產(chǎn)基地，進(jìn)一步提升順義區(qū)在第三代半導(dǎo)體芯片制造領(lǐng)域的競爭力。國聯(lián)萬眾半導(dǎo)體科技有限公司憑借其在第三代半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)與制造方面的領(lǐng)先技術(shù)，為產(chǎn)業(yè)鏈的高端化發(fā)展注入了強(qiáng)勁動力。瑞能半導(dǎo)體科技股份有限公司則憑借其深厚的技術(shù)積累，在半導(dǎo)體芯片制造領(lǐng)域占據(jù)重要地位。

在封裝檢測及應(yīng)用領(lǐng)域，特思迪半導(dǎo)體設(shè)備（北京）股份有限公司提供先進(jìn)的半導(dǎo)體封裝檢測設(shè)備，為產(chǎn)品質(zhì)量提供了有力保障。泊松芯能空間項(xiàng)目專注于半導(dǎo)體封裝技術(shù)的研發(fā)與應(yīng)用，推動了封裝技術(shù)的創(chuàng)新與發(fā)展。碳化硅功率器件用陶瓷封裝基板項(xiàng)目則致力于相關(guān)材料的研發(fā)，為功率器件的封裝提供了關(guān)鍵技術(shù)支持。

此外，順義區(qū)還建成了#國家級第三代半導(dǎo)體孵化中心，成立了匯集頂尖企業(yè)和研究機(jī)構(gòu)的技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟。這些舉措進(jìn)一步強(qiáng)化了順義區(qū)在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的承載力，推動產(chǎn)業(yè)集群效應(yīng)的顯現(xiàn)，促進(jìn)產(chǎn)業(yè)生態(tài)的完善。

圖片來源：北京順義

隨著二期項(xiàng)目的竣工，順義區(qū)在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的承載力將進(jìn)一步提升。未來，順義區(qū)將繼續(xù)聚焦土地空間的儲備及產(chǎn)業(yè)配套的高質(zhì)量提升，促進(jìn)更多項(xiàng)目落地。同時(shí)，順義區(qū)還將持續(xù)完善生產(chǎn)配套，如工業(yè)污水日處理能力擴(kuò)容至1.5萬噸，并加快推進(jìn)大宗氣站、?；穾斓仍O(shè)施建設(shè)。這些措施將為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的進(jìn)一步發(fā)展提供堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。

（集邦化合物半導(dǎo)體 EMMA 整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。

圖片來源：中電三公司

奠基儀式上，士蘭半導(dǎo)體制造事業(yè)總部總裁范偉宏表示，成都基地是士蘭微三大生產(chǎn)基地中唯一的封裝核心，其IPM模塊已占據(jù)全球30%以上市場份額。二期項(xiàng)目的落地將破解產(chǎn)能瓶頸，構(gòu)建“連續(xù)生產(chǎn)、安全交付”的保障體系，助力士蘭微在汽車半導(dǎo)體賽道上跑得更穩(wěn)、更快。

近年來，士蘭微在汽車電子領(lǐng)域取得了顯著進(jìn)展。其車規(guī)級IGBT模塊已批量供貨比亞迪、吉利等知名車企，SiC產(chǎn)品也進(jìn)入了匯川、零跑等供應(yīng)鏈。2025年，成都士蘭汽車半導(dǎo)體封裝二期項(xiàng)目的奠基將進(jìn)一步提升其在汽車半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的產(chǎn)能，滿足市場對汽車級功率模塊和功率器件的封裝需求。

士蘭微正全面推進(jìn)其在碳化硅領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)布局，多個關(guān)鍵項(xiàng)目取得顯著進(jìn)展。

廈門士蘭集宏8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目于2024年6月開工，總投資120億元，兩期建設(shè)完成后將形成8英寸SiC功率器件芯片年產(chǎn)72萬片的生產(chǎn)能力。

士蘭明鎵6英寸SiC功率器件芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目在今年4月已形成月產(chǎn)9000片6英寸SiC MOS芯片的生產(chǎn)能力。目前，基于第Ⅳ代SiC芯片的功率模塊預(yù)計(jì)將于2025年上量。

此外，士蘭集宏8英寸SiC mini line已實(shí)現(xiàn)通線，預(yù)計(jì)將在2025年4季度實(shí)現(xiàn)全面通線并試生產(chǎn)。

今年7月初，廈門士蘭微8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目（一期）迎來重大進(jìn)展，首臺設(shè)備提前搬入。該項(xiàng)目作為2025年福建省及廈門市重點(diǎn)建設(shè)項(xiàng)目，規(guī)劃總建筑面積達(dá)23.45萬平方米，定位為具備國際先進(jìn)水平的8英寸SiC功率器件制造平臺。項(xiàng)目建成投產(chǎn)后，將極大提升士蘭微碳化硅芯片制造能力，進(jìn)一步鞏固其在中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的戰(zhàn)略地位

在各項(xiàng)戰(zhàn)略項(xiàng)目穩(wěn)步推進(jìn)的同時(shí)，士蘭微的財(cái)務(wù)表現(xiàn)也呈現(xiàn)出強(qiáng)勁的增長態(tài)勢。2025年上半年，士蘭微預(yù)計(jì)實(shí)現(xiàn)凈利潤2.35億元至2.75億元，同比扭虧為盈。此外，預(yù)計(jì)2025年上半年實(shí)現(xiàn)歸屬于母公司所有者的扣除非經(jīng)常性損益后的凈利潤為2.4億元至2.8億元，同比增加90.18%至121.88%。這一業(yè)績增長得益于公司在電源管理芯片、IGBT器件、MEMS傳感器等產(chǎn)品出貨量的增長，以及對大型白電、通訊、工業(yè)、新能源、汽車等高門檻市場的持續(xù)拓展。

圖片來源：士蘭微公告截圖

近期，士蘭微還通過全資設(shè)立廈門士蘭集華微電子有限公司，進(jìn)一步拓展其業(yè)務(wù)版圖。天眼查App顯示，近期廈門士蘭集華微電子有限公司正式成立，注冊資本為1000萬元人民幣。該公司由杭州士蘭微電子股份有限公司全資持股，法定代表人為陳向東。公司的經(jīng)營范圍包括集成電路設(shè)計(jì)、集成電路芯片及產(chǎn)品制造、集成電路制造、集成電路銷售、半導(dǎo)體分立器件制造、半導(dǎo)體分立器件銷售、電子元器件制造。

另外，今年6月25日，士蘭微發(fā)布公告稱，公司獨(dú)立董事何樂年因連續(xù)任職滿六年提交辭職報(bào)告，在新任選出前仍履職。目前士蘭微第八屆董事會即將到期屆滿，公司擬進(jìn)行換屆選舉。第九屆董事會擬由15名董事組成，其中非獨(dú)立董事9名，獨(dú)立董事5名。

（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。

據(jù)悉，48所自研的MOCVD設(shè)備是一款專用于III-V族化合物半導(dǎo)體材料外延生長的關(guān)鍵裝備，該設(shè)備以砷/磷材料體系為核心，可高效制備砷化鎵、磷化銦等材料。

同時(shí)，該設(shè)備適用于光電激光器、射頻器件、空間太陽電池等領(lǐng)域，為5G通信、人工智能和自動駕駛等新興技術(shù)提供了核心材料制備平臺。設(shè)備集成了在線監(jiān)測、全自動傳輸?shù)认冗M(jìn)技術(shù)，在材料均勻性、界面陡峭度和摻雜精度等關(guān)鍵指標(biāo)上均達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平。

資料顯示，48所是國內(nèi)化合物半導(dǎo)體外延裝備領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)之一，已成功推出SiC外延爐、MBE設(shè)備及MOCVD等系列化設(shè)備。此次MOCVD設(shè)備的最新突破，將進(jìn)一步拓寬48所在半導(dǎo)體領(lǐng)域的業(yè)務(wù)范疇，更好助力國家半導(dǎo)體裝備產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)的建設(shè)。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。

圖片來源：陜西新聞聯(lián)播

具體而言，該工廠主體工程和設(shè)備安裝基本完成。8月中旬的設(shè)備通電聯(lián)調(diào)是投產(chǎn)前的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，將對所有生產(chǎn)設(shè)備進(jìn)行功能性測試和校準(zhǔn)。9月的流片試生產(chǎn)，意味著芯片設(shè)計(jì)版圖將首次在晶圓上實(shí)際制造，這是驗(yàn)證生產(chǎn)線工藝成熟度和產(chǎn)品良率的重要一步。

公開資料顯示，陜西電子芯業(yè)時(shí)代科技有限公司（全文簡稱“芯業(yè)時(shí)代”）成立于2022年2月22日，注冊資本20億元。它是陜西電子信息集團(tuán)作為投資主體組建的混合所有制企業(yè)，肩負(fù)著填補(bǔ)陜西8英寸芯片制造領(lǐng)域空白、提升區(qū)域集成電路產(chǎn)業(yè)競爭力的重要使命。

據(jù)悉，該項(xiàng)目主要建成一條8英寸高性能高可靠功率器件、功率集成電路生產(chǎn)線，同時(shí)廠房基建預(yù)先滿足未來12英寸生產(chǎn)線可擴(kuò)展性的要求，項(xiàng)目80%的設(shè)備可滿足第三代半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)要求。項(xiàng)目總投資45億元，設(shè)計(jì)月產(chǎn)能5萬片，未來可拓展至10萬片。

圖片來源：陜西新聞聯(lián)播

在8英寸晶圓制造領(lǐng)域，雖然通用邏輯工藝產(chǎn)能日趨飽和，但特色工藝（如模擬芯片、功率器件、MEMS傳感器、射頻芯片等）需求依然旺盛，且利潤空間相對較高。這些芯片廣泛應(yīng)用于新能源汽車、工業(yè)控制、物聯(lián)網(wǎng)、5G通信等高增長領(lǐng)域。

據(jù)陜西電子信息集團(tuán)副總經(jīng)理、陜西電子芯業(yè)時(shí)代科技有限公司董事長楊柯介紹，該項(xiàng)目的目標(biāo)產(chǎn)品具有廣泛應(yīng)用，主要包括工業(yè)級、消費(fèi)級和車規(guī)級等中高端功率器件。并且目前，公司已和清華大學(xué)等國內(nèi)高校在光電融合、第三代半導(dǎo)體等領(lǐng)域進(jìn)行了深入布局，將為我國在功率器件領(lǐng)域的發(fā)展提供助力。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。

圖片來源：聞泰科技公告截圖

此次管理層的“大換血”，與公司正在積極推進(jìn)的產(chǎn)品集成業(yè)務(wù)重大資產(chǎn)出售和業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)深度調(diào)整密切相關(guān)，標(biāo)志著聞泰科技正堅(jiān)定地邁向“純半導(dǎo)體企業(yè)”的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型之路。

剝離ODM業(yè)務(wù)，全面聚焦半導(dǎo)體

聞泰科技此次戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型的核心，在于徹底剝離其傳統(tǒng)優(yōu)勢業(yè)務(wù)產(chǎn)品集成（ODM）業(yè)務(wù)。聞泰科技在2025年3月20日召開董事會和監(jiān)事會，審議通過了《關(guān)于公司重大資產(chǎn)出售方案的議案》。根據(jù)該方案，公司計(jì)劃以現(xiàn)金交易方式，向立訊精密工業(yè)股份有限公司及立訊通訊（上海）有限公司轉(zhuǎn)讓公司旗下的多家子公司股權(quán)及相關(guān)業(yè)務(wù)資產(chǎn)包。

截至2025年7月2日，部分資產(chǎn)的交割和股權(quán)變更已順利完成。具體來看，昆明智通、深圳聞泰、黃石智通、昆明聞訊已完成工商變更登記手續(xù)；無錫聞泰、無錫聞訊的相關(guān)業(yè)務(wù)資產(chǎn)包也已完成轉(zhuǎn)移。此外，印度聞泰部分業(yè)務(wù)資產(chǎn)已完成轉(zhuǎn)移，其余權(quán)屬轉(zhuǎn)移手續(xù)仍在辦理中。香港聞泰及其子公司印尼聞泰的股權(quán)交割，將在完成相關(guān)非交易范圍資產(chǎn)的剝離工作后實(shí)施。

聞泰科技已收到已交割的股權(quán)和業(yè)務(wù)資產(chǎn)包對應(yīng)款項(xiàng)，待全部交割完成后，將繼續(xù)公告具體的收款情況。

從其此前財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)看，產(chǎn)品集成業(yè)務(wù)一直是聞泰科技的營收支柱。數(shù)據(jù)顯示，該業(yè)務(wù)在2023年和2024年分別實(shí)現(xiàn)收入443.15億元和584.31億元，占公司總營業(yè)收入的比例高達(dá)72.39%和79.39%，即便在2025年第一季度，其營收占比仍超過七成。

然而，盡管營收規(guī)模龐大，這項(xiàng)業(yè)務(wù)卻將公司拖入了“增收不增利”的困境。聞泰科技的財(cái)務(wù)報(bào)告揭示了這一挑戰(zhàn)。

在2021年至2023年期間，公司營業(yè)收入從527.29億元增長至612.13億元，實(shí)現(xiàn)了1.98%、10.15%和5.40%的同比增長。然而，同期凈利潤卻呈現(xiàn)下滑趨勢，從26.12億元降至11.81億元，同比增速分別為8.12%、-44.16%和-19%。

進(jìn)入2024年，情況進(jìn)一步惡化。聞泰科技在2024年實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入735.98億元，同比增長20.23%，但凈利潤卻錄得虧損28.33億元，同比大幅下降339.83%。這主要是受產(chǎn)品集成業(yè)務(wù)虧損的拖累，也是公司自2016年以來首次出現(xiàn)年度虧損。

相比之下，半導(dǎo)體業(yè)務(wù)營收雖僅有147.15億元，但毛利率高達(dá)37.52%。此外，公司在資金方面也存在較大需求。2025年4月，聞泰科技公告擬終止部分可轉(zhuǎn)債募投項(xiàng)目，并將約28.46億元的剩余募集資金永久補(bǔ)充流動性。

在此背景下，聞泰科技選擇出售產(chǎn)品集成業(yè)務(wù)，意在卸下盈利“包袱”，通過優(yōu)化財(cái)務(wù)結(jié)構(gòu)，增強(qiáng)償債能力和現(xiàn)金流，為前景和利潤空間更為可觀的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)發(fā)展提供有力保障。

半導(dǎo)體業(yè)務(wù)蓄勢，業(yè)績回暖與技術(shù)突破

聞泰科技的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)主要源于2019年底對安世集團(tuán)的收購，據(jù)悉，安世集團(tuán)在功率半導(dǎo)體行業(yè)具備較強(qiáng)的競爭優(yōu)勢，尤其是在功率分立器件領(lǐng)域。

剝離產(chǎn)品集成業(yè)務(wù)后，聞泰科技的戰(zhàn)略重心將全面轉(zhuǎn)向半導(dǎo)體領(lǐng)域，其盈利能力已顯現(xiàn)積極信號。

今年一季度聞泰科技財(cái)報(bào)顯示，營收130.99億元，同比下降19.38%，但凈利潤達(dá)到2.61億元，同比大幅增長82.29%。其中，半導(dǎo)體業(yè)務(wù)實(shí)現(xiàn)收入37.11億元，同比增長8.40%；毛利率38.32%，同比上升超七個百分點(diǎn)；凈利潤5.78億元，經(jīng)營性凈利潤同比增長65.14%。

7月14日，聞泰科技發(fā)布2025年半年度業(yè)績預(yù)告，預(yù)計(jì)2025年上半年實(shí)現(xiàn)歸屬于母公司所有者的凈利潤3.9億元至5.85億元，同比增長178%至317%。業(yè)績增長主要得益于半導(dǎo)體板塊市場需求回暖、降本增效策略深化及供應(yīng)鏈優(yōu)化，業(yè)務(wù)收入和毛利率均同比提升。

圖片來源：聞泰科技公告截圖

公司已成功推出高性能車規(guī)級1200V SiC MOSFET和碳化硅Trench MOS等產(chǎn)品，這些產(chǎn)品目前已廣泛應(yīng)用于電池儲能、光伏逆變器等工業(yè)場景。聞泰科技還計(jì)劃在德國漢堡工廠投資2億美元用于SiC等產(chǎn)品的研發(fā)和生產(chǎn)設(shè)施建設(shè)。2024年6月，公司宣布了約2億美元的8英寸SiC器件產(chǎn)線投資，預(yù)計(jì)將在近年內(nèi)完成建設(shè)投產(chǎn)，目前已經(jīng)完成部分設(shè)備進(jìn)場。

此外，聞泰科技是業(yè)內(nèi)唯一能夠同時(shí)提供級聯(lián)型（Cascode）和增強(qiáng)型（e-mode）氮化鎵器件的供應(yīng)商。其GaN FET產(chǎn)品已覆蓋40V至700V的電壓規(guī)格，并在消費(fèi)電子快充、通信基站、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)量產(chǎn)交付。

2025年第一季度，聞泰科技推出的級聯(lián)型氮化鎵器件采用疊層結(jié)構(gòu)與級聯(lián)配置，融合650V高壓GaN HEMT H4技術(shù)和低壓硅MOSFET技術(shù)，優(yōu)化柵極驅(qū)動，大幅提升系統(tǒng)穩(wěn)定性。此外，聞泰科技的650V氮化鎵技術(shù)已通過車規(guī)級測試。

聞泰科技也密集發(fā)布了多款第三代半導(dǎo)體及模擬芯片產(chǎn)品，持續(xù)完善其“從低壓到高壓、從功率到模擬”的全面產(chǎn)品布局。根據(jù)公司公開資料，預(yù)計(jì)包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）和IGBT?在內(nèi)的高壓功率器件和模擬芯片產(chǎn)品，將從2025年底開始逐步實(shí)現(xiàn)放量。

（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。

圖片來源：晶能

晶能是吉利旗下功率半導(dǎo)體平臺，專注于高可靠性功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的研發(fā)與制造。公司在杭州、臺州和嘉興布局了三座智能化生產(chǎn)基地，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏儲能、智能機(jī)器人等場景。

今年6月，晶能與星驅(qū)技術(shù)團(tuán)隊(duì)共同出資設(shè)立的SiC半橋模塊制造項(xiàng)目正式投產(chǎn)，預(yù)計(jì)年產(chǎn)10萬套，年產(chǎn)值約12.5億元。該項(xiàng)目于2024年2月啟動，采用國際領(lǐng)先制造工藝，填補(bǔ)國內(nèi)相關(guān)市場空白，顯著提升晶能在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力，為新能源汽車產(chǎn)業(yè)提供高性能、高可靠性的關(guān)鍵零部件，助力行業(yè)技術(shù)升級。

今年5月，晶能位于杭州市錢江經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)的一期工廠技改項(xiàng)目順利竣工驗(yàn)收。該項(xiàng)目于2024年6月啟動，總投資超過3億元，通過引入先進(jìn)設(shè)備和優(yōu)化生產(chǎn)工藝，顯著提升了工廠的智能化水平和生產(chǎn)效率。技改完成后，工廠具備了年產(chǎn)60萬套IGBT功率模塊及5萬套SiC功率模塊的產(chǎn)能，能夠更好地滿足新能源汽車、光伏儲能等領(lǐng)域的市場需求，進(jìn)一步鞏固了晶能在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的市場地位。

據(jù)悉，晶能微電子在2024年10月完成了5億元B輪融資，由秀洲翎航基金投資。這筆融資將進(jìn)一步支持其在功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì)研發(fā)、模塊制造和上車應(yīng)用等方面的投入。

中車時(shí)代半導(dǎo)體則是中國中車旗下專注于功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的核心企業(yè)，采用IDM（集成設(shè)計(jì)制造）模式運(yùn)營，構(gòu)建了從芯片設(shè)計(jì)到模塊封裝的完整產(chǎn)業(yè)鏈。其技術(shù)積累可追溯至1964年，在IGBT和SiC器件等領(lǐng)域擁有多項(xiàng)自主核心技術(shù)，并在中國和英國設(shè)有研發(fā)中心。公司產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于軌道交通、智能電網(wǎng)、新能源汽車和新能源裝備等領(lǐng)域。

值得關(guān)注的是，中車時(shí)代半導(dǎo)體在SiC領(lǐng)域取得了顯著進(jìn)展。其6英寸SiC芯片中試線已初步具備年產(chǎn)2.5萬片的產(chǎn)能。此外，公司正積極推進(jìn)8英寸SiC晶圓產(chǎn)線建設(shè)，預(yù)計(jì)在2025年底實(shí)現(xiàn)產(chǎn)線拉通。該產(chǎn)線投產(chǎn)后，將具備月產(chǎn)3萬片的產(chǎn)能，有望成為中國技術(shù)最先進(jìn)、產(chǎn)能最大的功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地。

在產(chǎn)品方面，中車時(shí)代半導(dǎo)體的SiC MOSFET產(chǎn)品覆蓋650V至6500V電壓等級，特別適用于高頻、大功率密度系統(tǒng)，已被廣泛應(yīng)用于新能源汽車、不間斷電源（UPS）、風(fēng)力發(fā)電和光伏逆變器等領(lǐng)域。公司預(yù)計(jì)，2025年其SiC MOSFET產(chǎn)品有望在新能源汽車主驅(qū)電驅(qū)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)批量應(yīng)用。

除了SiC領(lǐng)域的進(jìn)展，中車時(shí)代半導(dǎo)體近期還與羅杰斯公司、賽米控丹佛斯等簽署了合作備忘錄，共同開發(fā)功率模塊芯片技術(shù)。

當(dāng)前，全球能源結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)型加速推進(jìn)，新能源汽車、光伏儲能、智能電網(wǎng)等產(chǎn)業(yè)對高效、高可靠性功率器件的需求呈現(xiàn)爆發(fā)式增長。SiC與GaN等第三代半導(dǎo)體技術(shù)憑借其優(yōu)異的性能表現(xiàn)，正成為全球產(chǎn)業(yè)競爭的戰(zhàn)略高地。此次強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合，將進(jìn)一步提升國產(chǎn)功率半導(dǎo)體的自主創(chuàng)新能力和國際競爭力，助力中國高端制造轉(zhuǎn)型升級。

未來，雙方還將在聯(lián)合技術(shù)攻關(guān)、人才培養(yǎng)及產(chǎn)業(yè)生態(tài)建設(shè)等方面深化合作，通過打造產(chǎn)學(xué)研用深度融合的創(chuàng)新平臺，為全球綠色能源與智能交通發(fā)展提供更高效的半導(dǎo)體解決方案。

（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。

近期，第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域迎來一輪新品爆發(fā)期，英諾賽科、Wolfspeed、英飛凌、羅姆、東芝、日本三菱等頭部企業(yè)密集發(fā)布碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）技術(shù)成果，尤其在散熱優(yōu)化、大尺寸晶圓量產(chǎn)、高頻性能突破等方向集中發(fā)力，推動寬禁帶半導(dǎo)體從技術(shù)創(chuàng)新向規(guī)模應(yīng)用加速邁進(jìn)。

碳化硅：散熱技術(shù)突破，提供高效動能

在新能源汽車電驅(qū)、光伏逆變器等高功率場景中，碳化硅器件的散熱能力直接決定系統(tǒng)效率與可靠性。傳統(tǒng)底部散熱封裝因熱阻過高，難以滿足大功率密度設(shè)計(jì)需求，而近期不同企業(yè)通過封裝創(chuàng)新實(shí)現(xiàn)的散熱技術(shù)突破，正重新定義碳化硅的應(yīng)用邊界。

1、Wolfspeed推出新型頂部散熱（TSC）碳化硅MOSFET和肖特基二極管

7月7日，Wolfspeed宣布推出新型頂部散熱（TSC）碳化硅 MOSFET 和肖特基二極管，優(yōu)化熱管理并節(jié)約能耗。

圖片來源：Wolfspeed

據(jù)悉，Wolfspeed 的TSC封裝技術(shù)通過倒裝芯片設(shè)計(jì)，將器件熱量從頂部直接傳導(dǎo)至散熱器，突破了傳統(tǒng)底部散熱方案的熱阻瓶頸。在一些對高功率密度、先進(jìn)熱管理方案和小型化封裝有著嚴(yán)苛要求的應(yīng)用場景，如汽車、電動交通系統(tǒng)等，頂部散熱（TSC）器件通過實(shí)現(xiàn)最大功率耗散并優(yōu)化熱性能，有效滿足了系統(tǒng)的冷卻需求。

此外，Wolfspeed正在擴(kuò)展其行業(yè)領(lǐng)先的碳化硅（SiC）MOSFET 和肖特基二極管分立器件產(chǎn)品線，新增采用頂部散熱（TSC）封裝的U2系列產(chǎn)品。該系列提供650V至1200V多種電壓選項(xiàng)，能顯著提升系統(tǒng)功率密度和效率，同時(shí)優(yōu)化熱管理性能并增強(qiáng)電路板布局靈活性。

2、羅姆的SiC MOSFET應(yīng)用于豐田全新純電車型bZ5

7月2日，羅姆宣布其第四代碳化硅（SiC）MOSFET裸芯片已成功應(yīng)用于豐田汽車全新跨界純電動汽車bZ5的牽引逆變器中。

bZ5的牽引逆變器由羅姆與中國合作伙伴正海集團(tuán)的合資企業(yè)——上海海姆?？瓢雽?dǎo)體有限公司量產(chǎn)供貨。羅姆的SiC MOSFET功率模塊在提升汽車?yán)m(xù)航里程和整體性能方面發(fā)揮了關(guān)鍵作用。

羅姆正在加速推進(jìn)新一代SiC MOSFET的研發(fā)，計(jì)劃在今年完成第五代SiC MOSFET的生產(chǎn)線建設(shè)，并為第六代和第七代產(chǎn)品的市場投放做好準(zhǔn)備。

不久前，羅姆官宣為英偉達(dá)800V HVDC架構(gòu)提供高性能電源解決方案，羅姆不僅提供硅（Si）功率元器件，還擁有包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導(dǎo)體在內(nèi)的豐富產(chǎn)品陣容，可為數(shù)據(jù)中心的設(shè)計(jì)提供更優(yōu)解決方案。

3、英諾賽科推出兩款頂部冷卻En-FCLGA封裝新品

6月25日，英諾賽科 (Innoscience) 宣布推出兩款基于100V雙冷卻 En-FCLGA 封裝的新產(chǎn)品：INN100EA050DAD 和 INN100EA070DAD。

圖片來源：英諾賽科?

這兩款新品沿用了此前備受市場認(rèn)可的INN100EA035A所采用的Dual-Cool En-FCLGA封裝形式，憑借雙面散熱設(shè)計(jì)和超低導(dǎo)通電阻，為太陽能微型逆變器、儲能系統(tǒng)（ESS）及最大功率點(diǎn)跟蹤（MPPT）優(yōu)化器等應(yīng)用提供了行業(yè)領(lǐng)先的效率解決方案。

據(jù)英諾賽科介紹，這是業(yè)界首款用于硅FET的p2p替代品，允許立即提高效率并增加功率密度。對于36V至80V的輸入，系統(tǒng)功耗降低了50%以上。

4、東芝發(fā)布新型650V第3代SiC MOSFET

5月20日，東芝宣布，其基于第三代碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)的四款650V功率器件——TW031V65C、TW054V65C、TW092V65C及TW123V65C正式投入批量生產(chǎn)。

圖片來源：東芝

該系列采用緊湊型DFN8×8封裝，其體積減小90%以上，為開關(guān)電源、光伏發(fā)電機(jī)功率調(diào)節(jié)器等工業(yè)設(shè)備提供更高功率密度的解決方案。

DFN8×8是一種4引腳封裝，支持對其柵極驅(qū)動的信號源端子進(jìn)行開爾文連接。這減少了封裝內(nèi)部源極線電感的影響，實(shí)現(xiàn)高速開關(guān)性能；以TW054V65C為例，與東芝現(xiàn)有產(chǎn)品相比，其開通損耗降低了約55%，關(guān)斷損耗降低約25%，有助于降低設(shè)備中的功率損耗。

氮化鎵：拓展高頻應(yīng)用場景

相較于碳化硅在高功率場景中對散熱的極致追求，氮化鎵憑借高頻特性在通信與消費(fèi)電子領(lǐng)域的技術(shù)突破同樣顯著，近期進(jìn)展進(jìn)一步推動其規(guī)?；瘧?yīng)用。

1、英飛凌宣布其300毫米（12英寸）GaN-on-Si晶圓制造工藝進(jìn)入穩(wěn)定階段

7月3日，英飛凌宣布其300毫米（12英寸）GaN-on-Si晶圓制造工藝進(jìn)入穩(wěn)定階段，單片晶圓芯片產(chǎn)出量較200毫米提升2.3倍，成本大幅降低。首批樣品將于2025年第四季度交付客戶。

該技術(shù)支持高頻化設(shè)計(jì)（如100kHz以上），在新能源汽車OBC（車載充電機(jī)）中可將功率密度提升至250W/in3，體積較硅基方案縮小40%。在數(shù)據(jù)中心48V電源系統(tǒng)中，采用英飛凌300毫米GaN晶圓的1.2kW四相降壓模塊效率高達(dá)98.1%，較傳統(tǒng)硅基方案降低20%的散熱需求。

此外，英飛凌已與NVIDIA合作開發(fā)AI服務(wù)器電源架構(gòu)，利用GaN的高頻特性優(yōu)化能源效率。

2、日本三菱電機(jī)驗(yàn)證全球首款7GHz氮化鎵基站放大器性能

6月11日，日本三菱電機(jī)宣布成功驗(yàn)證全球首款7GHz頻段氮化鎵(GaN)功率放大器模塊(PAM)的性能。

這款緊湊型模塊采用專有匹配電路技術(shù)，尺寸僅12.0mm×8.0mm，卻實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)最高功率效率。通過5G-Advanced通信信號測試，該技術(shù)將顯著提升基站安裝便捷性，為6G過渡奠定基礎(chǔ)。

該產(chǎn)品采用高密度元件集成設(shè)計(jì)，大幅縮小了傳統(tǒng)基站設(shè)備的體積。三菱電機(jī)表示，這一突破性技術(shù)將重點(diǎn)應(yīng)用于5G-Advanced基站建設(shè)，并持續(xù)優(yōu)化實(shí)際應(yīng)用性能。

結(jié)語

第三代半導(dǎo)體的技術(shù)演進(jìn)中，碳化硅的散熱突破與氮化鎵的高頻創(chuàng)新形成了互補(bǔ)的技術(shù)路徑。從英諾賽科的雙冷卻封裝到Wolfspeed的頂部散熱方案，從羅姆車規(guī)模塊的散熱優(yōu)化到英飛凌的大尺寸GaN晶圓降本，企業(yè)的持續(xù)創(chuàng)新正推動寬禁帶材料從 “實(shí)驗(yàn)室” 走向 “規(guī)模化應(yīng)用”。隨著全球能源轉(zhuǎn)型與數(shù)字化進(jìn)程的加速，這些技術(shù)突破將為新能源、通信、工業(yè)等領(lǐng)域注入更高效的發(fā)展動能，重塑產(chǎn)業(yè)競爭格局。

（集邦化合物半導(dǎo)體 妮蔻 整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。

當(dāng)下的功率半導(dǎo)體市場，正上演一場無聲的暗戰(zhàn)。這不是傳統(tǒng)的市場份額爭奪，而是一場關(guān)乎產(chǎn)業(yè)模式、技術(shù)路線乃至地緣格局的大洗牌。戰(zhàn)場的中央，三股力量正在激烈碰撞，共同塑造著行業(yè)的未來。

第一股力量，是統(tǒng)治這片疆域數(shù)十年的舊日帝國——以英飛凌（Infineon）、意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）為代表的IDM（集成器件制造商）。他們憑借著從設(shè)計(jì)到制造的垂直整合能力，構(gòu)建了深厚的護(hù)城河，長期以來穩(wěn)坐霸主之位。他們的權(quán)力根植于對工藝的深刻理解和對質(zhì)量的絕對掌控。

第二股力量，是來自東方的新生貴族——由中國廠商組成的Fabless（無晶圓廠設(shè)計(jì)公司）生態(tài)系統(tǒng)。他們搭乘著成熟制程產(chǎn)能充裕的順風(fēng)車，以輕資產(chǎn)、高靈活性的姿態(tài)，向傳統(tǒng)格局發(fā)起了猛烈的沖擊。這股力量的崛起，不僅是市場選擇的結(jié)果，更與大國博弈的宏大敘事緊密相連。

第三股力量，則是一件足以顛覆戰(zhàn)場規(guī)則的超級武器——以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體材料。它的出現(xiàn)，不僅拓寬了技術(shù)的邊界，更像一劑催化劑，激化了前兩股力量的矛盾。汽車和工業(yè)領(lǐng)域?qū)Ω呖煽啃缘膰?yán)苛要求，特別是SiC市場的爆發(fā)，反過來強(qiáng)化了IDM模式的必要性，因?yàn)樗芨玫貙?shí)現(xiàn)深度整合和全程質(zhì)量把控。

這場戰(zhàn)爭的核心矛盾，呈現(xiàn)出一種奇特的拉扯。一方面，行業(yè)在走向更精細(xì)的分工合作，這是中國Fabless崛起的底層邏輯；另一方面，新技術(shù)和高端應(yīng)用的需求，卻在反向推動產(chǎn)業(yè)鏈的再度整合。這意味著，市場正同時(shí)被兩股方向相反的力量拉扯：一股是推動產(chǎn)業(yè)鏈解構(gòu)、走向開放協(xié)作的離心力；另一股則是因應(yīng)高階技術(shù)復(fù)雜性而要求垂直整合、強(qiáng)化內(nèi)部控制的向心力。

這不是一個誰將取代誰的簡單故事，而是一場關(guān)于垂直整合與供應(yīng)鏈多元化的激烈戰(zhàn)略博弈。在這場由技術(shù)、經(jīng)濟(jì)和地緣政治共同作用的權(quán)力游戲中，舊的聯(lián)盟正在瓦解，新的秩序尚未成型。我們正站在一個充滿變數(shù)的十字路口，目睹著一場深刻的權(quán)力轉(zhuǎn)移。最終，行業(yè)將走向何方？這個問題的答案，不僅決定了無數(shù)企業(yè)的命運(yùn)，也將為全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的未來定下基調(diào)。

第一章：IDM的舊制度：一座難以撼動的堅(jiān)固堡壘

在功率半導(dǎo)體這個領(lǐng)域，IDM模式的長期統(tǒng)治并非歷史的偶然，而是源于其產(chǎn)品特性和市場結(jié)構(gòu)的內(nèi)在邏輯。這座由傳統(tǒng)巨頭們建立的舊制度堡壘，其堅(jiān)固程度遠(yuǎn)超外界想象。它的護(hù)城河不僅僅是資本和工廠，更是一種深植于行業(yè)骨髓的手藝與信任。

圖片來源：sora AI生成

· 不止是工廠，更是老師傅的手藝

將IDM的優(yōu)勢簡單歸結(jié)為擁有晶圓廠，是一種普遍的誤解。事實(shí)上，與高度標(biāo)準(zhǔn)化的數(shù)字邏輯芯片不同，功率和模擬組件的性能，與其制造工藝的物理和電氣特性深度綁定。這意味著，制造本身并非一項(xiàng)可以輕易外包的服務(wù)，而是產(chǎn)品性能和核心知識產(chǎn)權(quán)不可分割的一部分。

功率組件的設(shè)計(jì)，與其說是在圖紙上堆指標(biāo)，不如說更像是中醫(yī)調(diào)和藥方。每一項(xiàng)性能的提升，都必須兼顧其他五六個相互制衡的參數(shù)。電壓、溫度、導(dǎo)通損耗、開關(guān)速度……幾乎沒有一項(xiàng)指標(biāo)能夠獨(dú)善其身。這種類似于模擬IC設(shè)計(jì)中著名的八邊形法則的權(quán)衡與優(yōu)化，往往無法通過理論計(jì)算完美解決，而是要靠經(jīng)驗(yàn)豐富的資深工程師，在產(chǎn)在線一次次地調(diào)整參數(shù)、摸索工藝，像打磨藝術(shù)品一樣，一點(diǎn)點(diǎn)磨出來。

左圖：模擬集成電路的“八邊形法則” 右圖：功率半導(dǎo)體器件也存在類似的“八邊形法則”

這正是IDM模式的根本優(yōu)勢所在：它能夠在內(nèi)部實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)與工藝技術(shù)的上下游協(xié)同。設(shè)計(jì)部門可以根據(jù)新組件架構(gòu)的需求，向工藝部門提出調(diào)整流程的請求；反之，工藝部門的任何改進(jìn)，也能迅速反饋給設(shè)計(jì)部門，催生出新的設(shè)計(jì)思路。這種持續(xù)、高效的內(nèi)部反饋閉環(huán)，在Fabless與代工廠（Foundry）的合作模式中，雖然也可以開展，但溝通成本高昂，效率也難以相提并論。

中國IDM領(lǐng)軍企業(yè)士蘭微電子董事長陳向東曾指出，功率器件行業(yè)內(nèi)高達(dá)75%到80%的產(chǎn)出來自IDM，其根本原因就在于歐美日的傳統(tǒng)巨頭們，憑借數(shù)十年積累的特殊工藝技術(shù)構(gòu)筑了強(qiáng)大的市場壁壘。這些技術(shù)本身就是一種獨(dú)特的、難以轉(zhuǎn)移的專有資產(chǎn)，例如英飛凌的 1200V CoolSiC MOSFET工藝，它不僅僅是一套生產(chǎn)流程，更是英飛凌核心競爭力的體現(xiàn)。

這也解釋了為何功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的Fabless模式，面臨著比數(shù)字集成電路領(lǐng)域高得多的門坎。一家功率Fabless公司無法簡單地從代工廠提供的標(biāo)準(zhǔn)工藝菜單中挑選，而必須投入巨大的成本與代工廠進(jìn)行深度協(xié)同開發(fā)，這在很大程度上削弱了其輕資產(chǎn)模式的初衷。在標(biāo)準(zhǔn)化、開放的功率組件工藝平臺真正成熟之前，IDM模式憑借將設(shè)計(jì)和工藝開發(fā)都掌握在自己手中的天然優(yōu)勢，將繼續(xù)保持其在性能和技術(shù)迭代上的領(lǐng)先地位。

· 雜貨鋪也是一種護(hù)城河

功率半導(dǎo)體市場的另一個顯著特點(diǎn)，是其高度碎片化的產(chǎn)品組合。根據(jù)電壓、電流、封裝、功能等參數(shù)的不同排列組合，市場上的產(chǎn)品型號 數(shù)以萬計(jì)。這就像一個巨大的雜貨鋪，客戶的需求五花八門，而且往往是少量多樣。

這種市場結(jié)構(gòu)，對Fabless公司構(gòu)成了巨大的挑戰(zhàn)。通過外部代工廠來管理如此龐大的產(chǎn)品組合，將面臨巨大的交易成本。每一款產(chǎn)品、每一個小批量訂單，都可能需要獨(dú)立的合同談判、IP保護(hù)協(xié)議、質(zhì)量保證審核以及頻繁的技術(shù)溝通。這種摩擦成本會隨著產(chǎn)品種類的增加而急劇上升，嚴(yán)重侵蝕利潤。

IDM模式則通過將這些活動內(nèi)部化，顯著降低了交易成本。其統(tǒng)一、集成的產(chǎn)品開發(fā)與制造流程，使得企業(yè)能以更低的邊際成本推出多樣化的產(chǎn)品組合。這正是德州儀器（Texas Instruments）、英飛凌、意法半導(dǎo)體等行業(yè)巨頭能夠維持其市場領(lǐng)導(dǎo)地位的關(guān)鍵競爭優(yōu)勢之一。他們之所以能成為行業(yè)的雜貨鋪巨頭，并非僅僅因?yàn)橐?guī)模大，更是因?yàn)樗麄兊慕M織架構(gòu)天然地適應(yīng)了這種少量多樣的市場需求。從經(jīng)濟(jì)學(xué)的角度看，IDM的垂直整合模式，是應(yīng)對功率半導(dǎo)體市場高度復(fù)雜性和碎片化所帶來的交易成本問題的最優(yōu)解。其主導(dǎo)地位是市場效率選擇的結(jié)果，而不僅僅是歷史的慣性。

· 客戶信任的另一座長城

如果說技術(shù)和商業(yè)模式是IDM堡壘的磚石，那么信任就是將這一切粘合在一起、并使其堅(jiān)不可摧的水泥。在對可靠性和質(zhì)量要求極為嚴(yán)苛的汽車和工業(yè)市場，這種基于長期合作和穩(wěn)定供應(yīng)的品牌聲譽(yù)，本身就是一種難以估量的戰(zhàn)略資產(chǎn)。

建設(shè)和運(yùn)營一座功率半導(dǎo)體晶圓廠需要巨大的資本投入，同時(shí)在研發(fā)上的持續(xù)支出也構(gòu)成了強(qiáng)大的資金門坎。這種重資產(chǎn)模式雖然使IDM在行業(yè)周期性波動中面臨一定風(fēng)險(xiǎn)，但它也賦予了這些企業(yè)掌控自身技術(shù)路線圖、保護(hù)核心工藝秘密以及建立強(qiáng)大品牌聲譽(yù)的能力。

在汽車和工業(yè)應(yīng)用中，一個微小的組件失效都可能導(dǎo)致災(zāi)難性的后果。因此，客戶在選擇供貨商時(shí)，除了考慮性能和成本，更看重其長期的可靠性記錄和供應(yīng)鏈的穩(wěn)定性。一個擁有數(shù)十年歷史、經(jīng)歷過多輪行業(yè)周期考驗(yàn)的IDM巨頭，其品牌本身就代表了一種質(zhì)量承諾。這種信任，是新進(jìn)入者難以在短時(shí)間內(nèi)建立的，它構(gòu)成了一道無形的、卻又極其堅(jiān)固的信任長城。

數(shù)據(jù)源：集邦化合物半導(dǎo)體整理

這張表格清晰地勾勒出了三種商業(yè)模式的根本差異。它不僅是一個簡單的對比，更是理解整個功率半導(dǎo)體行業(yè)競爭格局的基礎(chǔ)框架。IDM的優(yōu)勢在于整合與控制，F(xiàn)abless的優(yōu)勢在于專注與靈活，而Foundry則立足于規(guī)模與專業(yè)。這三者之間的博弈與共生，構(gòu)成了我們接下來要探討的所有故事的背景。

第二章：中國Fabless的“閃電戰(zhàn)”：一場天時(shí)地利的突襲

長期以來由IDM巨頭們主導(dǎo)的穩(wěn)定格局，正被一股來自東方的力量以“閃電戰(zhàn)”般的速度撕開缺口。由中國廠商形成的Fabless生態(tài)系統(tǒng)，其崛起并非偶然，而是一場在特定市場條件、充足代工產(chǎn)能和國家戰(zhàn)略共同作用下的、堪稱天時(shí)地利的突襲。

· 東風(fēng)已備：成熟產(chǎn)能的 大水漫灌

中國Fabless崛起的背后，最關(guān)鍵的東風(fēng)是中國晶圓代工產(chǎn)業(yè)在成熟制程節(jié)點(diǎn)上，具備了充足的產(chǎn)能和深厚的工藝積累。

首先，中國是全球最大的半導(dǎo)體消費(fèi)市場，但長期高度依賴進(jìn)口，這催生了巨大的市場替代空間。尤其在電動汽車、光伏、工業(yè)控制等高增長領(lǐng)域，對功率半導(dǎo)體的需求呈爆炸式增長，為本土廠商提供了肥沃的土壤。

其次，功率半導(dǎo)體的主戰(zhàn)場并非尖端制程，而是通常大于65納米的成熟節(jié)點(diǎn)。與建造一座耗資超過200億美元的先進(jìn)邏輯芯片晶圓廠不同，用于生產(chǎn)功率半導(dǎo)體的成熟制程晶圓廠，尤其是200mm（8英寸）產(chǎn)線，資本密集度相對較低，技術(shù)門檻也更容易跨越。

這恰好與中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀完美契合。芯聯(lián)集成、華虹半導(dǎo)體等中國本土代工廠，在過去十幾年里建立了龐大的成熟制程產(chǎn)能。在國內(nèi)廠商競爭激烈的背景下，為了充分利用產(chǎn)能，這些代工廠對數(shù)量較小、種類多樣的特色工藝訂單有著濃厚興趣，不像頭部大廠那樣會嚴(yán)苛挑選客戶和訂單。這與新興Fabless公司“船小好掉頭”的業(yè)務(wù)模式和發(fā)展需求形成了完美的共生關(guān)系：Fabless無需承擔(dān)巨額資本開支即可獲得制造能力，而代工廠則通過承接這些高附加值的訂單來填補(bǔ)產(chǎn)能，實(shí)現(xiàn)了雙贏。這股成熟產(chǎn)能的大潮水，為中國Fabless的幼苗提供了最關(guān)鍵的灌溉。

· 奇兵突出：從標(biāo)準(zhǔn)化的IGBT撕開缺口

如果說成熟產(chǎn)能是東風(fēng)，那么標(biāo)準(zhǔn)化的IGBT模塊，就是中國Fabless發(fā)動閃電戰(zhàn)時(shí)選定的“奇兵”。他們沒有選擇在IDM防守最嚴(yán)密的領(lǐng)域（如高度客制化、對工藝?yán)斫庖髽O高的分立器件）進(jìn)行正面強(qiáng)攻，而是巧妙地選擇了IDM整合優(yōu)勢最弱、代工模式成本優(yōu)勢最強(qiáng)的環(huán)節(jié)作為突破口。

與規(guī)格復(fù)雜、種類繁多的普通功率組件不同，IGBT（絕緣柵雙極晶體管）通常以模塊 ?（Module）的形式封裝和銷售。這些模塊將多個IGBT芯片和續(xù)流二極管等集成在一起，形成標(biāo)準(zhǔn)化的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。這使得不同制造商生產(chǎn)的、功能和額定參數(shù)相同的IGBT模塊，在封裝尺寸、引腳定義、電氣參數(shù)等方面具有高度的通用性。

這種高度的標(biāo)準(zhǔn)化，為中國Fabless廠商提供了一個天然的切入口。一家設(shè)計(jì)公司可以專注于設(shè)計(jì)少數(shù)幾個市場需求量最大的熱門模塊，然后將這些少樣大量的標(biāo)準(zhǔn)化訂單放心地交給代工廠生產(chǎn)。這種模式不僅極大地降低了與代工廠的溝通成本和管理復(fù)雜度，還能通過規(guī)模效應(yīng)顯著降低代工成本。這正是對IDM模式少量多樣優(yōu)勢的精準(zhǔn)打擊。

資料來源：集邦化合物半導(dǎo)體整理

中國IGBT設(shè)計(jì)領(lǐng)導(dǎo)者斯達(dá)半導(dǎo)（StarPower）與主要代工廠華虹半導(dǎo)體之間的合作，是這一模式成功運(yùn)作的典范。通過雙方合作，華虹半導(dǎo)體成為全球首家同時(shí)在8英寸和12英寸產(chǎn)在線大規(guī)模量產(chǎn)先進(jìn)IGBT的純晶圓代工廠。同樣，無錫新潔能也通過與一流的8英寸晶圓代工廠緊密合作，來保證其產(chǎn)品的高質(zhì)量和穩(wěn)定供應(yīng)。這些成功案例，清晰地展示了中國Fabless如何通過精準(zhǔn)的產(chǎn)品定位，將代工模式的優(yōu)勢發(fā)揮到極致。

· 戰(zhàn)略迂回：繞開封鎖的陽關(guān)大道

將視角拉遠(yuǎn)，中國Fabless的熱潮背后，還隱藏著更深層次的戰(zhàn)略邏輯。這不僅僅是一個產(chǎn)業(yè)趨勢，更是一項(xiàng)符合政策方向的發(fā)展戰(zhàn)略。

近年來，美國等國的出口管制主要集中在7納米以下的先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)和高端AI芯片領(lǐng)域。而功率半導(dǎo)體所依賴的成熟工藝節(jié)點(diǎn)，在很大程度上相對不受管制影響。然而，這些節(jié)點(diǎn)的發(fā)展，同樣對于提升一個國家的產(chǎn)業(yè)規(guī)模、積累技術(shù)能力、保障關(guān)鍵領(lǐng)域供應(yīng)鏈安全至關(guān)重要。

因此，通過大力發(fā)展Fabless功率半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)，中國可以在不直接挑戰(zhàn)最嚴(yán)苛技術(shù)封鎖的前提下，迅速提升在汽車、工業(yè)等國家命脈領(lǐng)域的半導(dǎo)體自給率和供應(yīng)鏈安全。這可以被視為一種巧妙的“戰(zhàn)略迂回”。它繞開了封鎖最嚴(yán)密的“獨(dú)木橋”，選擇了一條雖然不那么光鮮靚麗、但同樣能夠通向產(chǎn)業(yè)自主的“陽關(guān)大道” ?。這場 “閃電戰(zhàn)”的目標(biāo)，不僅僅是市場份額，更是產(chǎn)業(yè)安全的戰(zhàn)略縱深。

數(shù)據(jù)源：集邦化合物半導(dǎo)體整理

這張表格就像是中國Fabless 新貴們的一張群像。它具體地展示了這股新興力量的代表性企業(yè)和他們的核心產(chǎn)品，將抽象的 Fabless熱潮落實(shí)到了一個個真實(shí)的市場參與者身上，勾勒出中國在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域新興生態(tài)系統(tǒng)的版圖。

第三章：碳化硅的“權(quán)力的游戲”：誰能坐上鐵王座？

如果說IDM與Fabless的對決是舊制度與新勢力的較量，那么碳化硅（SiC）的出現(xiàn)，則徹底改變了游戲規(guī)則。這不僅僅是一次技術(shù)升級，更是一場深刻的材料革命。它正以其卓越的性能，重塑著功率半導(dǎo)體行業(yè)的競爭格局、供應(yīng)鏈結(jié)構(gòu)和成本模型，并對IDM與Fabless之爭產(chǎn)生了決定性的影響。一場圍繞SiC的“權(quán)力游戲”已經(jīng)拉開序幕，所有玩家都想坐上未來的“鐵王座”。

· 汽車的“心臟病” 與SiC的“特效藥”

SiC市場正迎來史無前例的爆發(fā)式增長。根據(jù)TrendForce集邦咨詢的預(yù)測，到2030年，全球SiC功率組件的市場規(guī)模將接近164億美元，2025至2030年的復(fù)合年增長率（CAGR）高達(dá)驚人的31%。

Figure 1 SiC功率器件的市場規(guī)模

資料來源：TrendForce全球SiC功率半導(dǎo)體市場報(bào)告

這場爆發(fā)的核心驅(qū)動力，來自于汽車行業(yè)，特別是純電動汽車（BEV）。隨著各大車廠紛紛轉(zhuǎn)向800V高壓平臺以追求更高的充電效率和續(xù)航里程，傳統(tǒng)的硅基IGBT開始力不從心。高電壓下的開關(guān)損耗和散熱問題，成為了制約電動車性能提升的 “心臟病”。而SiC，正是治療這種“心臟病” 的“特效藥” ?。預(yù)計(jì)到2030年，來自汽車領(lǐng)域的需求將占據(jù)SiC總需求的約70% 。

SiC的價(jià)值主張，必須在系統(tǒng)層面才能完全體現(xiàn)。盡管在單個組件層面，SiC MOSFET的價(jià)格仍然遠(yuǎn)高于其對目標(biāo)硅基IGBT，通常是同等規(guī)格產(chǎn)品的3倍左右，其核心成本來自于價(jià)格可能是硅晶圓20到40倍的SiC襯底 。但其優(yōu)越的性能——如極低的開關(guān)損耗——允許系統(tǒng)在更高的頻率下工作，從而顯著減小濾波器、電容等被動組件的尺寸、重量和成本。其更高的轉(zhuǎn)換效率能夠有效提升電動車的續(xù)航里程，并降低對龐大散熱系統(tǒng)的要求。例如，在逆變器應(yīng)用中，用SiC MOSFET替代IGBT，可以將總功率損耗降低約41% 。正是這種系統(tǒng)級的巨大優(yōu)勢，證明了在電動車等高端應(yīng)用中采用更高成本組件的合理性。

· 兩條路線的世紀(jì)豪賭

SiC的戰(zhàn)略重要性，使其上游的襯底材料成為了兵家必爭之地。由于SiC襯底的生產(chǎn)技術(shù)壁壘極高，高度依賴經(jīng)驗(yàn)積累，在市場發(fā)展初期，供應(yīng)被Wolfspeed等少數(shù)幾家供貨商壟斷，造成了嚴(yán)重的供應(yīng)瓶頸。為了確保關(guān)鍵原材料的穩(wěn)定供應(yīng)，行業(yè)內(nèi)部出現(xiàn)了兩條截然不同的戰(zhàn)略路線，這是一場關(guān)乎未來的“世紀(jì)豪賭”。

圖片來源：sora AI生成

第一條路：垂直整合，掌控一切。

以onsemi為代表的廠商，選擇了這條最為決絕的路。通過收購襯底大廠GTAT，并大力投資內(nèi)部研發(fā)和產(chǎn)能建設(shè)，onsemi的目標(biāo)是掌控從晶體生長到模塊封裝的全價(jià)值鏈。目前，其SiC襯底材料的自給率已超過50%，并提出了實(shí)現(xiàn)50%毛利率的宏大目標(biāo)。這是一個基于“ 控制力”的賭注：他們相信，只有將最核心、最不確定的環(huán)節(jié)牢牢掌握在自己手中，才能帶來最終的成本、質(zhì)量和供應(yīng)保障優(yōu)勢。

第二條路：多元采購，保持靈活。

行業(yè)巨頭英飛凌則采取了截然不同的戰(zhàn)略。它刻意避免自行生產(chǎn)SiC晶體，轉(zhuǎn)而建立一個多元化的供貨商網(wǎng)絡(luò)，其中甚至包括了天科合達(dá)和山東天岳等中國供貨商。這是一個基于“靈活性”的賭注：英飛凌押注SiC襯底市場最終會走向成熟和商品化，通過避免在非核心能力上進(jìn)行巨額資本投資，他們保持了戰(zhàn)略的靈活性，分散了地緣政治風(fēng)險(xiǎn)，并能將研發(fā)資源集中在價(jià)值創(chuàng)造能力更強(qiáng)的組件設(shè)計(jì)和制造環(huán)節(jié)。

Figure 2 SiC器件行業(yè)的主導(dǎo)商業(yè)模式長期趨勢

資料來源：TrendForce全球SiC功率半導(dǎo)體市場報(bào)告

這場“世紀(jì)豪賭”誰會贏？關(guān)鍵取決于一個變數(shù)：中國以及其他新興的SiC襯底廠商，能否在未來幾年內(nèi)快速追上頂級水平。如果他們做到了，襯底市場將如英飛凌所愿變得更具競爭性，其多元化采購的策略將大獲全勝；如果質(zhì)量和良率的差距依然巨大，那么onsemi那條自給自足的整合路線將顯得更加穩(wěn)固。這場路線之爭的結(jié)果，不僅關(guān)乎兩家公司的命運(yùn)，更將為整個半導(dǎo)體行業(yè)在面對未來新材料時(shí)，應(yīng)如何構(gòu)建供應(yīng)鏈提供一個決定性的范例。

· 價(jià)格戰(zhàn)的“血色婚禮”

在這場權(quán)力游戲的背后，一場殘酷的價(jià)格戰(zhàn)已經(jīng)打響。在技術(shù)升級和產(chǎn)能擴(kuò)張的雙重驅(qū)動下，SiC市場正在經(jīng)歷一場“價(jià)格破壞效應(yīng)”，其慘烈程度堪比一場“血色婚禮”。

一方面，為了降低單位芯片成本，整個行業(yè)正處于從150mm（6英寸）向200mm（8英寸）晶圓過渡的關(guān)鍵時(shí)期。Wolfspeed是這一轉(zhuǎn)型的先行者，博世、英飛凌、意法半導(dǎo)體等巨頭也緊隨其后。晶圓尺寸的增大，理論上可以大幅降低單顆芯片的成本。

另一方面，全球（尤其是在中國）正在進(jìn)行大規(guī)模的SiC產(chǎn)能擴(kuò)張。這兩股力量疊加，共同導(dǎo)致了SiC晶圓和組件價(jià)格的持續(xù)走低。從2024年的價(jià)格趨勢圖可以看出，無論是1200V/40mΩ還是1200V/80mΩ的SiC MOSFET，都經(jīng)歷了一場雪崩式的下跌。

Figure 3 1200V/40mΩ的SiC MOSFET價(jià)格趨勢（unit:USD）

資料來源：TrendForce全球SiC功率半導(dǎo)體市場報(bào)告

由上圖可以看出，1200V/40Ω的SiC MOSFET在2024年經(jīng)歷了明顯的下滑，尤其是高端市場的價(jià)格，受到的沖擊更為明顯，下滑的速率也更高。

Figure 4 1200V/80mΩ的SiC MOSFET價(jià)格趨勢（unit:USD）

資料來源：TrendForce全球SiC功率半導(dǎo)體市場報(bào)告

而在1200V/80Ω的SiC MOSFET市場，同樣也經(jīng)歷了一場雪崩式的下跌。這背后的關(guān)鍵驅(qū)動因素正是SiC襯底市場出現(xiàn)了6英寸向8英寸切換的歷史性變化。

然而，市場正陷入一個致命的悖論：電動汽車需求的短期放緩，與大規(guī)模的產(chǎn)能建設(shè)同時(shí)發(fā)生。這給那些已經(jīng)進(jìn)行了巨額資本投資的企業(yè)帶來了巨大的財(cái)務(wù)壓力。這場血色婚禮正在無情地清洗市場，只有那些在技術(shù)、成本和供應(yīng)鏈上擁有真正護(hù)城河的玩家，才能在這場混戰(zhàn)中幸存下來，并最終登上“鐵王座” ?。

數(shù)據(jù)源：集邦化合物半導(dǎo)體整理

這張表格是SiC 權(quán)力游戲的實(shí)時(shí)記分牌。它揭示了兩個核心事實(shí)：第一，市場高度集中，前四家IDM巨頭合計(jì)占據(jù)了近八成的市場份額，顯示了IDM模式在SiC領(lǐng)域的絕對主流地位。第二，巨頭們的戰(zhàn)略路徑清晰分野，從意法半導(dǎo)體在中國的合資，到onsemi的整合，再到英飛凌的采購，每一步棋都充滿了深思熟慮的戰(zhàn)略考慮。這場游戲的結(jié)局，遠(yuǎn)未到來。

第四章：終局之戰(zhàn)：回歸“品質(zhì)與信任”的強(qiáng)大引力

在技術(shù)迭代、模式創(chuàng)新和地緣政治的紛繁擾動之下，功率半導(dǎo)體行業(yè)的終局之戰(zhàn)，最終將回歸到一個古老而樸素的戰(zhàn)場——品質(zhì)與信任。這股強(qiáng)大的引力，源自汽車和工業(yè)等關(guān)鍵應(yīng)用領(lǐng)域?qū)ζ放坪涂煽啃缘臉O致要求。一個看似矛盾的現(xiàn)象正在發(fā)生：推動市場增長的技術(shù)創(chuàng)新，本身也反向強(qiáng)化了那些有利于傳統(tǒng)IDM巨頭的、基于保守和信任的采購行為。

在汽車和工業(yè)應(yīng)用中，可靠性永遠(yuǎn)是超越性能或成本的首要考慮因素。一個汽車零部件被期望在嚴(yán)酷的工作環(huán)境下，實(shí)現(xiàn)長達(dá)15至20年的零失效壽命。對于一家大型汽車制造商（OEM）而言，哪怕是百萬分之一（PPM）的失效率，也可能意味著每天有數(shù)十輛新車存在潛在缺陷，這將導(dǎo)致無法估量的聲譽(yù)和財(cái)務(wù)損失。因此，供貨商在質(zhì)量和可靠性方面的品牌聲譽(yù)，成為了一張最高級的入場券。

圖片來源：sora AI生成

汽車行業(yè)嚴(yán)格的安全標(biāo)準(zhǔn)（如AEC-Q101）和漫長的驗(yàn)證流程，為新進(jìn)入者設(shè)置了極高的壁壘。芯片制造商為了滿足這些標(biāo)準(zhǔn)，甚至需要建立專門服務(wù)于汽車行業(yè)的晶圓廠和工藝流程。這種環(huán)境天然地有利于那些與OEM建立了數(shù)十年合作關(guān)系、并擁有良好交付記錄的成熟企業(yè)，如英飛凌、意法半導(dǎo)體等。

更深層次的變化在于，汽車行業(yè)的技術(shù)演進(jìn)正在從根本上改變其風(fēng)險(xiǎn)評估體系。過去，汽車行業(yè)傾向于使用經(jīng)過多年驗(yàn)證的成熟半導(dǎo)體技術(shù)，其失效模式已廣為人知。而現(xiàn)在，隨著高級駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）和電動化的普及，汽車制造商被迫采用最前沿的技術(shù)，包括先進(jìn)的系統(tǒng)級芯片（SoC）和SiC等新材料。這意味著，他們正在將汽車的安全與性能，押注在那些長期失效模式尚不完全明確的新技術(shù)上，這也必然導(dǎo)致現(xiàn)場意外失效的風(fēng)險(xiǎn)急劇增加。

在這種高風(fēng)險(xiǎn)環(huán)境中，采購方自然會出現(xiàn)一種 “向質(zhì)量看齊”（flight to quality）的轉(zhuǎn)變，他們會本能地傾向于選擇最值得信賴的合作伙伴來共同管理和降低風(fēng)險(xiǎn)。這種信任，建立在長期的質(zhì)量記錄、深入的技術(shù)合作以及對制造過程的透明控制之上。這為老牌的IDM巨頭創(chuàng)造了強(qiáng)大的結(jié)構(gòu)性優(yōu)勢。他們能夠?yàn)镺EM提供從設(shè)計(jì)、制造到質(zhì)量保證的 “一站式”服務(wù)，提供一種Fabless/Foundry聯(lián)盟難以匹敵的責(zé)任和問責(zé)機(jī)制。

汽車行業(yè)，無疑是決定功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)未來結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵戰(zhàn)場。市場預(yù)測顯示，每輛汽車的半導(dǎo)體用量將從2024年的700美元，提高到2030年的1400美元 。僅在2025年，由電動汽車效率和續(xù)航需求驅(qū)動的SiC和氮化鎵（GaN）功率組件的需求，預(yù)計(jì)就將增長超過20% 。在這片增長最快、利潤最豐厚、同時(shí)要求也最嚴(yán)苛的戰(zhàn)場上，信任的引力和價(jià)值將會被放大到極致。

因此，我們看到了一個深刻的悖論：正是驅(qū)動汽車半導(dǎo)體市場增長的SiC技術(shù)革命，反過來鞏固了“舊制度”的根基。創(chuàng)新帶來了風(fēng)險(xiǎn)，而風(fēng)險(xiǎn)催生了對信任的需求，信任最終流向了那些擁有最深厚歷史積淀的IDM巨頭。

結(jié)語：沒有終局的戰(zhàn)爭

這場功率半導(dǎo)體的戰(zhàn)爭，不會有單一的勝利者，也不會有一個一勞永逸的終局。未來，一個更加復(fù)雜、動態(tài)共存的產(chǎn)業(yè)新格局將會浮現(xiàn)：

IDM巨頭將繼續(xù)鞏固其在金字塔尖的統(tǒng)治地位。在汽車電子、關(guān)鍵工業(yè)控制等對可靠性、安全性和供應(yīng)鏈穩(wěn)定性要求達(dá)到極致的高價(jià)值核心市場，他們憑借設(shè)計(jì)與工藝的深度融合，以及數(shù)十年建立的 信任長城 ?，其優(yōu)勢短期內(nèi)無可替代。

中國的Fabless新貴則會在更廣闊的領(lǐng)域開疆拓土。在消費(fèi)電子、標(biāo)準(zhǔn)化工業(yè)模塊以及對成本更為敏感的市場區(qū)間，他們憑借輕資產(chǎn)的靈活性、快速的市場響應(yīng)和與本土代工廠的協(xié)同效應(yīng)，將繼續(xù)蠶食市場份額，成為一股不可忽視的力量。

真正的戰(zhàn)場，將在廣闊的中間地帶展開。這不是一場模式的替代戰(zhàn)爭，而是一場動態(tài)的共存與演進(jìn)。

對于身處其中的每一位業(yè)者而言，看清這場十字路口的暗戰(zhàn)，理解背后的權(quán)力游戲規(guī)則，才能在復(fù)雜多變的市場中，找到屬于自己的航道。

（集邦化合物半導(dǎo)體 Figo 整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。

《若干措施》圍繞“強(qiáng)鏈、穩(wěn)鏈、補(bǔ)鏈”目標(biāo)，提出10條具體支持舉措，其中“加速化合物半導(dǎo)體成熟”被單獨(dú)列為重點(diǎn)任務(wù)。聚焦氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等第三代半導(dǎo)體材料的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，助力深圳在5G通信、新能源汽車、光伏等戰(zhàn)略領(lǐng)域搶占技術(shù)制高點(diǎn)。

政策明確支持化合物半導(dǎo)體材料制備、器件設(shè)計(jì)、芯片制造等關(guān)鍵環(huán)節(jié)的技術(shù)突破，鼓勵企業(yè)開展碳化硅功率器件、氮化鎵射頻芯片等產(chǎn)品的量產(chǎn)化應(yīng)用，并通過專項(xiàng)資助、研發(fā)補(bǔ)貼等方式降低企業(yè)研發(fā)成本。

作為政策的重要配套措施，“賽米產(chǎn)業(yè)私募基金”已于2025年5月完成工商登記注冊。該基金由深圳市引導(dǎo)基金、龍崗區(qū)引導(dǎo)基金等政府資本牽頭，深創(chuàng)投擔(dān)任管理人，首期出資36億元，重點(diǎn)投向半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié)，包括化合物半導(dǎo)體芯片的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。

圖片來源：天眼查截圖

基金投資方向明確指向“構(gòu)建自主可控的本地化產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈”，將優(yōu)先支持與深圳現(xiàn)有產(chǎn)業(yè)生態(tài)互補(bǔ)的項(xiàng)目，如碳化硅襯底材料、氮化鎵外延片制造、車規(guī)級化合物半導(dǎo)體模塊等。據(jù)基金管理人深創(chuàng)投透露，未來將通過“產(chǎn)業(yè)+資本”雙輪驅(qū)動，導(dǎo)入已投企業(yè)生態(tài)資源，為化合物半導(dǎo)體企業(yè)提供從技術(shù)研發(fā)到市場應(yīng)用的全周期支持。

深圳產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)雄厚 搶占第三代半導(dǎo)體先機(jī)

深圳作為中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)重鎮(zhèn)，在產(chǎn)業(yè)布局方面，不同區(qū)域各有側(cè)重。例如寶安區(qū)規(guī)劃石巖第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園重點(diǎn)發(fā)展碳化硅功率器件，目標(biāo)引進(jìn)15家以上企業(yè)，形成200億元年產(chǎn)值，涵蓋襯底、外延、芯片制造、封裝測試全鏈條；龍華區(qū)規(guī)劃建設(shè)化合物半導(dǎo)體集聚區(qū)，聚焦材料、器件制造與封裝測試環(huán)節(jié)，推動全產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同；龍崗區(qū)則已形成四大集成電路產(chǎn)業(yè)基地，覆蓋設(shè)計(jì)、制造、封測，集聚企業(yè)超千家。

數(shù)據(jù)顯示，截至2025年6月，深圳已集聚化合物半導(dǎo)體相關(guān)企業(yè)超過80家，涵蓋材料、器件、設(shè)備等全鏈條環(huán)節(jié)。如華為海思、比亞迪半導(dǎo)體、方正微電子、重投天科等龍頭企業(yè)已取得顯著突破。

比亞迪半導(dǎo)體的碳化硅功率模塊已實(shí)現(xiàn)大規(guī)模裝車應(yīng)用，此前3月比亞迪發(fā)布其自研量產(chǎn)全新碳化硅功率芯片，電壓高達(dá)1500V；重投天科的6英寸碳化硅襯底生產(chǎn)線產(chǎn)能逐步釋放，技術(shù)指標(biāo)達(dá)到國際先進(jìn)水平。 據(jù)悉，重投天科是北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司和深圳市重大產(chǎn)業(yè)投資集團(tuán)有限公司兩家企業(yè)為主要股東合資成立的半導(dǎo)體企業(yè)。主要聚焦于碳化硅襯底和外延的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。

政策出臺后，深圳將進(jìn)一步強(qiáng)化產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同。龍崗區(qū)作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)核心集聚區(qū)，正規(guī)劃建設(shè)專業(yè)集成電路產(chǎn)業(yè)園，重點(diǎn)承接化合物半導(dǎo)體制造項(xiàng)目，并通過市級產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟推動龍頭企業(yè)與32家中小企業(yè)達(dá)成供應(yīng)鏈合作。

結(jié)語

深圳此次出臺的政策與基金，標(biāo)志著其在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)“彎道超車”的戰(zhàn)略進(jìn)入實(shí)質(zhì)性實(shí)施階段。同時(shí)，通過聚焦化合物半導(dǎo)體這一關(guān)鍵賽道，深圳不僅為自身產(chǎn)業(yè)升級注入新動能，更為粵港澳大灣區(qū)構(gòu)建自主可控的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈提供了示范樣本。

（集邦化合物半導(dǎo)體 妮蔻 整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。

圖片來源：思銳智能

作為山東省2024年度及2025年度連續(xù)兩年的重大項(xiàng)目，以及青島市的重點(diǎn)項(xiàng)目，思銳智能半導(dǎo)體先進(jìn)裝備研發(fā)制造中心由思銳智能與青島城投集團(tuán)聯(lián)合打造。該中心總占地約95畝，總建筑面積達(dá)8.6萬平方米，計(jì)劃總投資逾12億元人民幣。其核心任務(wù)聚焦于原子層沉積鍍膜（ALD）和離子注入機(jī)（IMP）兩大關(guān)鍵半導(dǎo)體前道設(shè)備的研發(fā)與規(guī)?；a(chǎn)。

該中心的投產(chǎn)，有效填補(bǔ)了青島市在半導(dǎo)體核心裝備領(lǐng)域的空白，標(biāo)志著青島在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自主創(chuàng)新和高端裝備制造領(lǐng)域邁出了里程碑式的一步。

思銳智能董事長聶翔強(qiáng)調(diào)，該中心不僅僅是一個年產(chǎn)百臺設(shè)備的生產(chǎn)基地，更是構(gòu)建“技術(shù)-制造-生態(tài)”閉環(huán)的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，公司將依托此中心加速突破ALD、IMP等關(guān)鍵技術(shù)瓶頸，深化在集成電路、功率化合物等領(lǐng)域的戰(zhàn)略布局。

資本市場加持：思銳智能估值躍升，A股IPO啟動

思銳智能業(yè)務(wù)的快速發(fā)展，離不開其在資本市場的持續(xù)賦能與有力支撐。公司于2025年2月成功完成數(shù)億元人民幣的B輪及B+輪融資，估值躍升至41億元人民幣。此輪融資獲得了包括上汽集團(tuán)、尚頎資本、鼎暉投資、招商局創(chuàng)投、上海金浦、新鼎資本等在內(nèi)的多家機(jī)構(gòu)的戰(zhàn)略投資。

伴隨融資的完成，思銳智能已于2025年2月正式啟動A股IPO進(jìn)程，并已向中國證券監(jiān)督管理委員會青島監(jiān)管局進(jìn)行輔導(dǎo)備案。據(jù)悉，為進(jìn)一步優(yōu)化公司治理結(jié)構(gòu)并為后續(xù)上市鋪平道路，思銳智能已完成股份制改制，正式更名為“青島思銳智能科技股份有限公司”（原用名“青島四方思銳智能技術(shù)有限公司”）。此外，公司的注冊資本也已由約9.5億元人民幣增至約11.2億元人民幣。

公開資料顯示，思銳智能由中國中車集團(tuán)及旗下基金通過深度“產(chǎn)融結(jié)合”方式聯(lián)合發(fā)起設(shè)立，是一家高科技企業(yè)。值得一提的是，官方資料顯示，思銳智能是目前國內(nèi)唯一一家能夠同時(shí)提供離子注入機(jī)和原子層沉積設(shè)備，并實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵技術(shù)自主突破的企業(yè)。

公司主要聚焦半導(dǎo)體前道工藝設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，旨在提供具有自主可控關(guān)鍵核心技術(shù)的系統(tǒng)裝備產(chǎn)品和技術(shù)服務(wù)方案。其ALD和IMP設(shè)備廣泛應(yīng)用于集成電路、以功率與化合物為代表的第三代半導(dǎo)體、新能源、光學(xué)、生物醫(yī)學(xué)等諸多高精尖領(lǐng)域。

圖片來源：思銳智能

圖為思銳智能Transform系列ALD設(shè)備產(chǎn)品

自2018年9月成功收購ALD技術(shù)發(fā)源地——芬蘭倍耐克公司（BENEQ）100%股權(quán)以來，思銳智能開啟了ALD技術(shù)國內(nèi)外聯(lián)合研發(fā)與本土產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。此后，思銳智能進(jìn)一步布局IMP設(shè)備業(yè)務(wù)，通過自主研發(fā)逐步完成面向硅基及化合物半導(dǎo)體的全系列機(jī)型布局，成為國內(nèi)首家全自主研發(fā)、實(shí)現(xiàn)工業(yè)級量產(chǎn)并通過多家客戶量產(chǎn)驗(yàn)證的全系列離子注入機(jī)供應(yīng)商。

公開資料顯示，IMP設(shè)備是《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》要求重點(diǎn)發(fā)展的三種設(shè)備之一，難度僅次于光刻機(jī)，而思銳智能首先研發(fā)的便是難度最大的高能離子注入機(jī)，已于2023年9月交付國內(nèi)頭部客戶。

目前，思銳智能及其子公司BENEQ在全球范圍內(nèi)擁有近480余項(xiàng)專利，在ALD和IMP技術(shù)及應(yīng)用方面積累了雄厚的技術(shù)實(shí)力。

據(jù)悉，思銳智能已成功備案設(shè)立國家級博士后科研工作站，成為青島自貿(mào)片區(qū)首家國家級博士后科研工作站，這預(yù)示著公司在高端人才引進(jìn)和科技創(chuàng)新方面將邁上新的臺階。

（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。