圖片來(lái)源： 廣州市人民政府辦公廳文件截圖

《規(guī)劃》中明確，廣州將聚焦第三代半導(dǎo)體材料領(lǐng)域，支持氮化鎵、碳化硅等化合物半導(dǎo)體器件和模塊的研發(fā)制造，加快光刻膠、高純度化學(xué)試劑、電子氣體、高密度封裝基板等關(guān)鍵材料研發(fā)生產(chǎn)，培育壯大化合物半導(dǎo)體IDM（集成器件制造）、寬禁帶半導(dǎo)體材料、電子級(jí)多晶硅及硅片企業(yè)。支持開(kāi)展射頻、傳感器、電力電子等器件研發(fā)轉(zhuǎn)化，推動(dòng)化合物半導(dǎo)體產(chǎn)品的推廣應(yīng)用。

廣州加速打造中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新高地

廣州的第三代半導(dǎo)體布局并非憑空起勢(shì)，早在2022年3月，廣州市工業(yè)和信息化局發(fā)布《廣州市半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展行動(dòng)計(jì)劃》，明確提出以黃埔區(qū)、南沙區(qū)為核心載體，重點(diǎn)發(fā)展以碳化硅為主的寬禁帶半導(dǎo)體，建設(shè)12英寸研發(fā)中試線(xiàn)和第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心。此后，一系列重大產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目相繼落地。

2024年，廣州集成電路制造行業(yè)產(chǎn)值達(dá)262.75億元，同比增長(zhǎng)7.19%，其中第三代半導(dǎo)體相關(guān)產(chǎn)值占比超30%；南沙區(qū)作為核心承載區(qū)，半導(dǎo)體與集成電路規(guī)上企業(yè)產(chǎn)值同比增長(zhǎng)34%，2025年1-7月廣州集成電路制造業(yè)工業(yè)增加值增速進(jìn)一步攀升至32.3%，產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng)動(dòng)能持續(xù)釋放。

當(dāng)前，廣州已集聚一批第三代半導(dǎo)體核心企業(yè)。

其中，芯聚能成立于2018年，是國(guó)內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅主驅(qū)模塊量產(chǎn)的標(biāo)桿企業(yè)。公司核心產(chǎn)品涵蓋車(chē)規(guī)級(jí)SiC功率器件及模塊、工業(yè)級(jí)SiC功率模塊與半橋及單管等。2021年，芯聚能作為主要股東投資成立廣東芯粵能半導(dǎo)體有限公司，投建6/8英寸車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅芯片生產(chǎn)線(xiàn)。該項(xiàng)目總投資75億元，被列為廣東省“強(qiáng)芯工程”重點(diǎn)項(xiàng)目，僅用15個(gè)月就完成近20萬(wàn)平方米芯片生產(chǎn)基地建設(shè)。

南砂晶圓成立于2018年，現(xiàn)已構(gòu)建廣州、中山、濟(jì)南三大生產(chǎn)基地，形成從碳化硅單晶爐制造、粉料制備到單晶生長(zhǎng)、襯底制備的完整產(chǎn)業(yè)鏈條。公司主打6英寸、8英寸導(dǎo)電型和半絕緣型碳化硅襯底，其中6英寸產(chǎn)品已切入國(guó)際供應(yīng)鏈，8英寸產(chǎn)品于2022年實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量制備，可滿(mǎn)足新能源汽車(chē)、智能電網(wǎng)、5G通信等領(lǐng)域?qū)Ω咝阅馨雽?dǎo)體材料的需求，且能根據(jù)市場(chǎng)需求靈活拓展產(chǎn)品線(xiàn)。

芯粵能成立于2021年，由芯聚能、威睿電動(dòng)汽車(chē)技術(shù)等企業(yè)合資組建。公司碳化硅芯片制造項(xiàng)目總投資75億元（分一、二期），打造的制造平臺(tái)占地150畝，僅用15個(gè)月就完成近20萬(wàn)平方米芯片生產(chǎn)基地建設(shè)并通線(xiàn)。項(xiàng)目一期規(guī)劃年產(chǎn)24萬(wàn)片6英寸碳化硅晶圓芯片，可滿(mǎn)足100多萬(wàn)輛新能源車(chē)需求，2023年正式實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，當(dāng)前月產(chǎn)能達(dá)1萬(wàn)片；一期達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)值預(yù)計(jì)40億元，一、二期全部達(dá)產(chǎn)后合計(jì)年產(chǎn)值將達(dá)100億元，后續(xù)暫無(wú)三期項(xiàng)目明確規(guī)劃。

此外，廣州已構(gòu)建國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)，尤其在南沙萬(wàn)頃沙集成電路產(chǎn)業(yè)園形成“芯片一條街”，聚集31家核心企業(yè)，覆蓋“襯底制備—芯片制造—封裝測(cè)試—設(shè)備材料—終端應(yīng)用”全環(huán)節(jié)，成為全國(guó)少數(shù)以“車(chē)規(guī)級(jí)第三代半導(dǎo)體”為核心的產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)。

除了企業(yè)主體的快速成長(zhǎng)，廣州還著力構(gòu)建高水平的創(chuàng)新平臺(tái)。

2023年9月22日，西安電子科技大學(xué)廣州第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心中試線(xiàn)正式通線(xiàn)，該中心落地于黃埔區(qū)，聚焦GaN（氮化鎵）射頻與電力電子器件的研發(fā)與中試，填補(bǔ)了大灣區(qū)第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域中試平臺(tái)的空白，強(qiáng)化產(chǎn)學(xué)研協(xié)同創(chuàng)新。與此同時(shí)，南沙靈山島規(guī)劃建設(shè)的“芯片大樓”正吸引一批設(shè)計(jì)企業(yè)與封測(cè)項(xiàng)目集聚；黃埔區(qū)則依托粵芯半導(dǎo)體二期、三期項(xiàng)目，拓展12英寸硅基與化合物半導(dǎo)體兼容制造能力，為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供共性技術(shù)支撐。

面向2035年“再造新廣州”的宏偉目標(biāo)，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)不僅是重要的技術(shù)賽道，更是城市能級(jí)躍升的關(guān)鍵支點(diǎn)。在這場(chǎng)關(guān)乎未來(lái)產(chǎn)業(yè)主導(dǎo)權(quán)的競(jìng)速中，廣州正以系統(tǒng)性布局、全鏈條協(xié)同和市場(chǎng)化機(jī)制，奮力打造國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)“第三極”的核心承載區(qū)，為中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自立自強(qiáng)貢獻(xiàn)不可替代的“廣州力量”。

（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）

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據(jù)介紹，該項(xiàng)目將聚焦7N級(jí)（純度99.99999%）及以上超高純鎵的研發(fā)與生產(chǎn)，規(guī)劃年產(chǎn)規(guī)模達(dá)200噸，旨在構(gòu)建從粗鎵提純到單晶制備的完整產(chǎn)業(yè)鏈，為國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體芯片、5G通信、新能源汽車(chē)逆變器等高端領(lǐng)域提供關(guān)鍵基礎(chǔ)材料。

項(xiàng)目實(shí)施將分兩階段推進(jìn)：第一階段重點(diǎn)完成高純鎵提純工藝優(yōu)化與產(chǎn)能建設(shè)，快速形成核心產(chǎn)品供給能力；第二階段將啟動(dòng)赤泥綜合利用項(xiàng)目，提取鎵、鈧、銻等稀有金屬，實(shí)現(xiàn)工業(yè)廢渣的資源循環(huán)利用與產(chǎn)業(yè)價(jià)值鏈延伸。項(xiàng)目投產(chǎn)后，預(yù)計(jì)年產(chǎn)值超10億元，年利稅超1億元，將顯著提升區(qū)域高端半導(dǎo)體材料供給能力。

公開(kāi)資料顯示，深圳羲航半導(dǎo)體有限公司成立于2022年，是一家聚焦半導(dǎo)體領(lǐng)域的高新技術(shù)企業(yè)。公司主營(yíng)業(yè)務(wù)涵蓋集成電路芯片設(shè)計(jì)及服務(wù)、集成電路制造、半導(dǎo)體分立器件銷(xiāo)售、光電子器件制造等多個(gè)領(lǐng)域。

中國(guó)是全球最大的原生鎵生產(chǎn)國(guó)，產(chǎn)量占全球90%以上。鎵主要作為氧化鋁生產(chǎn)過(guò)程中的副產(chǎn)品回收，產(chǎn)業(yè)布局高度依托大型氧化鋁企業(yè)。其中，中國(guó)鋁業(yè)作為全球金屬鎵產(chǎn)能龍頭，已在貴州華錦、云鋁文山等地建成鎵回收項(xiàng)目；東方希望、南山鋁業(yè)、開(kāi)曼鋁業(yè)等企業(yè)也具備相應(yīng)的回收能力。

然而，盡管中國(guó)在粗鎵（4N–6N級(jí)）供應(yīng)上占據(jù)主導(dǎo)地位，高端化合物半導(dǎo)體（如GaN功率器件、Micro-LED）所需的7N（99.99999%）甚至8N級(jí)高純鎵，對(duì)鐵、銅、鋅等雜質(zhì)的控制極為嚴(yán)苛，必須通過(guò)區(qū)域熔煉、電解精煉、真空蒸餾等多級(jí)提純工藝制備。

目前，中鋁鄭州研究院、昆明冶金研究院、有研集團(tuán)等機(jī)構(gòu)已長(zhǎng)期開(kāi)展高純鎵技術(shù)攻關(guān)，部分單位實(shí)現(xiàn)了小批量7N鎵制備，并通過(guò)三安集成、蘇州納維等下游外延廠(chǎng)商的送樣驗(yàn)證。但受限于工藝穩(wěn)定性與成本，尚未形成大規(guī)模、低成本的量產(chǎn)能力，高端市場(chǎng)仍部分依賴(lài)日本Dowa、美國(guó)Indium Corporation和德國(guó)Valence等國(guó)際供應(yīng)商。

國(guó)內(nèi)化合物半導(dǎo)體廠(chǎng)商正加速推動(dòng)高純鎵的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程。三安光電、英諾賽科、海威華芯等企業(yè)已與中鋁、有研集團(tuán)等材料單位建立緊密合作，開(kāi)展7N級(jí)高純鎵的聯(lián)合驗(yàn)證與工藝適配。部分GaN功率器件產(chǎn)線(xiàn)已實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)高純鎵的小批量導(dǎo)入，良率表現(xiàn)穩(wěn)步提升。

隨著下游應(yīng)用場(chǎng)景快速拓展，包括消費(fèi)電子快充、數(shù)據(jù)中心電源和新能源汽車(chē)OBC（車(chē)載充電機(jī)）等，對(duì)高性?xún)r(jià)比、本地化供應(yīng)的需求日益增強(qiáng)，進(jìn)一步激發(fā)了材料—器件—系統(tǒng)全鏈條的協(xié)同創(chuàng)新。

（集邦化合物半導(dǎo)體 Niko 整理）

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圖片來(lái)源：安順市融媒體中心

該項(xiàng)目落地運(yùn)營(yíng)后，將助力我國(guó)第三代半導(dǎo)體碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)鏈核心輔料領(lǐng)域的技術(shù)突破，同時(shí)補(bǔ)強(qiáng)貴州航空產(chǎn)業(yè)城新材料與先進(jìn)制造產(chǎn)業(yè)鏈條，服務(wù)于安順“高端化、智能化、綠色化”現(xiàn)代產(chǎn)業(yè)體系建設(shè)。

據(jù)悉，九淵新材成立于2025年3月，由康命源持股63%控股，齊源（貴州）新材料合伙企業(yè)與自然人梁永齊分別持股27%和10%，核心聚焦半導(dǎo)體級(jí)超高純石墨粉的研發(fā)、生產(chǎn)與銷(xiāo)售。
作為碳化硅晶圓制造的核心輔料，超高純石墨粉因純度要求極高（需達(dá)到99.9995%以上），長(zhǎng)期以來(lái)國(guó)內(nèi)主要依賴(lài)進(jìn)口，成為制約我國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自主可控的“卡脖子”環(huán)節(jié)之一。

此次九淵新材落地安順，核心規(guī)劃建設(shè)兩條專(zhuān)業(yè)化超高純石墨粉生產(chǎn)線(xiàn)，目標(biāo)實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)120噸純度＞99.9995%的產(chǎn)品。

九淵新材表示，公司研發(fā)出固態(tài)添加劑與高溫加熱過(guò)程控制技術(shù)，摒棄了傳統(tǒng)生產(chǎn)工藝中氟氣、氯氣、氟利昂等含鹵素有害氣體的使用，成功攻克技術(shù)壁壘并達(dá)成量產(chǎn)條件。經(jīng)權(quán)威第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu)鑒定，其生產(chǎn)的超高純碳粉純度高達(dá)99.9999%。

此前九淵新材透露，其第三代半導(dǎo)體碳化硅晶圓用超高純石墨粉及碳化硅粉項(xiàng)目即將進(jìn)入設(shè)備安裝與試生產(chǎn)階段。負(fù)責(zé)人王華表示，項(xiàng)目短期內(nèi)將建成產(chǎn)能大于120噸超高純石墨粉生產(chǎn)線(xiàn)；中期將產(chǎn)能擴(kuò)至500噸并搭建碳化硅粉生產(chǎn)線(xiàn)；后期將發(fā)展“超高純石墨粉+碳化硅粉”產(chǎn)品組合，力爭(zhēng)成為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先供應(yīng)商，并進(jìn)軍海外市場(chǎng)。

作為控股方，康命源是高分子材料領(lǐng)域的國(guó)家級(jí)“專(zhuān)精特新”重點(diǎn)小巨人企業(yè)，深耕市政管道領(lǐng)域多年，擁有雄厚的研發(fā)實(shí)力與產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗(yàn)。公司成立于2016年，注冊(cè)資本超1.3億元，累計(jì)擁有專(zhuān)利152項(xiàng)，曾獲貴州省科技進(jìn)步獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)，主持制定多項(xiàng)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，2024年銷(xiāo)售額達(dá)1.3億元。此次跨界控股九淵新材，是康命源從高分子管道向半導(dǎo)體新材料領(lǐng)域拓展的重要戰(zhàn)略布局，將依托自身技術(shù)積累與資源優(yōu)勢(shì)，為九淵新材的量產(chǎn)落地與市場(chǎng)拓展提供支撐。

碳化硅作為第三代半導(dǎo)體核心材料，憑借高電壓、高溫度、低損耗等優(yōu)異性能，已成為新能源汽車(chē)、光伏逆變器、智能電網(wǎng)、AI數(shù)據(jù)中心等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵支撐，其產(chǎn)業(yè)鏈自主可控對(duì)國(guó)家產(chǎn)業(yè)升級(jí)與能源革命具有重要意義。

（集邦化合物半導(dǎo)體 Niko 整理）

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深技大副校長(zhǎng)鄧元龍代表學(xué)校，分別與清華大學(xué)深圳國(guó)際研究生院、深圳平湖實(shí)驗(yàn)室、深圳國(guó)際量子研究院、南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院、深圳光峰科技股份有限公司、藍(lán)河科技(紹興)有限公司、騰璞顯示技術(shù)（深圳）有限公司、深圳市中科米格實(shí)驗(yàn)室技術(shù)有限公司等科研院校及機(jī)構(gòu)代表完成集中簽約。簽約內(nèi)容涵蓋框架協(xié)議、聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室共建、員工互聘、校外實(shí)習(xí)實(shí)訓(xùn)基地共建及項(xiàng)目合作協(xié)議等多個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域。

圖片來(lái)源：SZTU光電芯

作為深圳市首個(gè)聚焦化合物半導(dǎo)體光電子領(lǐng)域的公共服務(wù)平臺(tái)，該平臺(tái)的投用填補(bǔ)了深圳市在“光載信息”和“智能傳感”半導(dǎo)體芯片領(lǐng)域的空白，將為粵港澳大灣區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展提供關(guān)鍵支撐，筑牢深技大應(yīng)用研究型人才培養(yǎng)根基。

資料顯示，深圳技術(shù)大學(xué)半導(dǎo)體微納加工中心與測(cè)試平臺(tái)是國(guó)內(nèi)高校系統(tǒng)中獨(dú)立建成的規(guī)模最大、工藝最完整、運(yùn)營(yíng)職業(yè)化的#化合物半導(dǎo)體 光電芯片公共服務(wù)平臺(tái)之一。

中心建筑面積2600平方米，其中千級(jí)、百級(jí)及萬(wàn)級(jí)潔凈區(qū)面積達(dá)2100平方米，配置120余臺(tái)套先進(jìn)教學(xué)與研發(fā)工藝設(shè)備，構(gòu)建起覆蓋光刻、刻蝕、薄膜沉積、切磨拋及測(cè)試表征等關(guān)鍵環(huán)節(jié)的全流程工藝體系，可提供“設(shè)計(jì)—加工—封裝—測(cè)試”一站式技術(shù)解決方案。

中心以“科研牽引、產(chǎn)業(yè)協(xié)同、人才培養(yǎng)”為使命，精準(zhǔn)對(duì)接深技大應(yīng)用研究型人才培養(yǎng)需求，致力于打造國(guó)際先進(jìn)、國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的產(chǎn)學(xué)研協(xié)同創(chuàng)新高地。依托深技大集成電路與光電芯片學(xué)院，組建了由50多名高層次科研人員構(gòu)成的核心團(tuán)隊(duì)，已構(gòu)建起從基礎(chǔ)研究到工藝實(shí)現(xiàn)、從中試到產(chǎn)業(yè)化的完整創(chuàng)新鏈條。作為學(xué)院本碩博學(xué)生的核心實(shí)踐載體，將深度融合科研與教學(xué)，助力構(gòu)建實(shí)踐型人才培養(yǎng)體系，為產(chǎn)業(yè)輸送高素質(zhì)專(zhuān)業(yè)人才，實(shí)現(xiàn)教學(xué)、科研、產(chǎn)業(yè)三大目標(biāo)的精準(zhǔn)對(duì)接。

業(yè)界指出，當(dāng)前，深圳市在光載信息產(chǎn)業(yè)和智能傳感器系列產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域缺乏上游工藝芯片制造公共服務(wù)平臺(tái)，深圳技術(shù)大學(xué)半導(dǎo)體微納加工中心與測(cè)試平臺(tái)的落成彌補(bǔ)了這一空白，其產(chǎn)業(yè)服務(wù)線(xiàn)精準(zhǔn)對(duì)接深圳市“20+8”產(chǎn)業(yè)集群中的光載信息產(chǎn)業(yè)和智能傳感器系列產(chǎn)業(yè)，能滿(mǎn)足粵港澳大灣區(qū)在該領(lǐng)域的相關(guān)需求。未來(lái)，中心將進(jìn)一步助力學(xué)校深化產(chǎn)教融合、推進(jìn)新型研究型大學(xué)建設(shè)，為粵港澳大灣區(qū)建設(shè)產(chǎn)業(yè)科技策源地貢獻(xiàn)深技大力量。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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圖片來(lái)源：揚(yáng)杰科技

根據(jù)協(xié)議，雙方將在聯(lián)創(chuàng)總部設(shè)立聯(lián)合開(kāi)放實(shí)驗(yàn)室，通過(guò)專(zhuān)用安全數(shù)據(jù)通道系統(tǒng)共享零部件級(jí)至系統(tǒng)級(jí)的試驗(yàn)數(shù)據(jù)、失效分析報(bào)告及車(chē)規(guī)級(jí)可靠性數(shù)據(jù)庫(kù)，實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)閉環(huán)與產(chǎn)品快速迭代。揚(yáng)杰

科技研發(fā)團(tuán)隊(duì)將在概念階段即深度介入聯(lián)創(chuàng)新一代車(chē)型平臺(tái)規(guī)劃，圍繞底盤(pán)域、電驅(qū)系統(tǒng)等核心應(yīng)用，共同開(kāi)發(fā)750V/1200V SiC模塊、雙面散熱IGBT等新封裝器件，并在“需求—開(kāi)發(fā)—驗(yàn)證”一體化流程下完成導(dǎo)入，預(yù)計(jì)2026年第四季度實(shí)現(xiàn)批量搭載。

聯(lián)創(chuàng)汽車(chē)電子作為國(guó)內(nèi)EPS電機(jī)及底盤(pán)域控制器龍頭，2025年出貨量預(yù)計(jì)突破1200萬(wàn)套，在上汽集團(tuán)整車(chē)出口和國(guó)產(chǎn)化率要求不低于80%的背景下，急需精簡(jiǎn)供應(yīng)商體系、聚焦優(yōu)質(zhì)伙伴。

揚(yáng)杰科技憑借IDM模式下的芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封測(cè)及銷(xiāo)售全鏈條能力，可提供從MOSFET、IGBT到SiC的全系列車(chē)規(guī)級(jí)功率器件，正好契合聯(lián)創(chuàng)對(duì)供應(yīng)鏈安全與降本增效的雙重訴求。未來(lái)五年，雙方計(jì)劃將合作規(guī)模擴(kuò)大至300萬(wàn)套以上，并依托上汽海外項(xiàng)目共同拓展全球新能源汽車(chē)市場(chǎng)，實(shí)現(xiàn)資源互補(bǔ)與互利共贏(yíng)。

（集邦化合物半導(dǎo)體 EMMA 整理）

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圖片來(lái)源：中關(guān)村順義園

此次上榜的4家企業(yè)均聚焦第三代半導(dǎo)體這一戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)核心領(lǐng)域，覆蓋半導(dǎo)體設(shè)備、關(guān)鍵材料、器件研發(fā)等關(guān)鍵環(huán)節(jié)。

其中，北京特思迪半導(dǎo)體設(shè)備有限公司是一家專(zhuān)注于半導(dǎo)體領(lǐng)域超精密平面加工設(shè)備研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售的國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)，核心產(chǎn)品包括減薄機(jī)、拋光機(jī)、CMP設(shè)備、貼片機(jī)與刷洗機(jī)等。這設(shè)備在半導(dǎo)體制造過(guò)程中起著至關(guān)重要的作用，特別是對(duì)于第三代半導(dǎo)體材料的加工。

今年5月，特思迪展示了其最新的金剛石拋光設(shè)備—TGP-1040。該設(shè)備精準(zhǔn)的加工能力能夠滿(mǎn)足金剛石在高頻高功率器件、新能源汽車(chē)等戰(zhàn)略新興領(lǐng)域?qū)芗庸さ膰?yán)苛要求。無(wú)論是從設(shè)備的穩(wěn)定性、操作的便捷性，還是加工精度的卓越性來(lái)看，金剛石拋光機(jī)都展現(xiàn)出特思迪在半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)制造上的深厚底蘊(yùn)，有望推動(dòng)金剛石材料在第四代半導(dǎo)體領(lǐng)域的規(guī)?；瘧?yīng)用進(jìn)程。

針對(duì)第四代半導(dǎo)體材料氧化鎵的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用瓶頸，特思迪創(chuàng)新研發(fā)出專(zhuān)業(yè)磨拋系統(tǒng)解決方案。該方案構(gòu)建了”貼膜-減薄-拋光-照射”全流程協(xié)同加工體系，依托精密工藝裝備與先進(jìn)材料科學(xué)技術(shù)的深度融合，實(shí)現(xiàn)了氧化鎵片加工良率與效率的雙重提升。

圖片來(lái)源：特思迪半導(dǎo)體官網(wǎng)

北京銘鎵半導(dǎo)體有限公司專(zhuān)注于氧化鎵材料、高頻磷化銦晶體及大尺寸摻雜光學(xué)晶體的研發(fā)與生產(chǎn)。

4英寸氧化鎵單晶襯底方面，目前，湖南、無(wú)錫等地器件廠(chǎng)商、知名車(chē)企、tier 1廠(chǎng)商均與銘鎵建立了初步合作聯(lián)系，廣州知名工業(yè)電源廠(chǎng)商用氧化鎵替代現(xiàn)有襯底材料，制備工業(yè)電源拓?fù)湓碝OSFET/SBD的整流橋和整流二極管，實(shí)現(xiàn)功率提升、能耗降低。

磷化銦多晶錠領(lǐng)域，銘鎵半導(dǎo)體將多晶價(jià)格對(duì)比國(guó)外降低50%，供貨期縮減至1個(gè)月，快速完成國(guó)產(chǎn)替代，有望提升該材料在終端的滲透比例，為AI具身智能、光模塊、激光雷達(dá)、6G通訊市場(chǎng)提供高質(zhì)量高頻材料支持。銘鎵半導(dǎo)體為云南、南京、廣東、浙江、青島、蘇州、大慶等地多家客戶(hù)穩(wěn)定供貨并獲得高度評(píng)價(jià)，2025年已完成終端出貨3000公斤，并加緊擴(kuò)充產(chǎn)能中。

此外，銘鎵成為國(guó)內(nèi)大尺寸摻雜人工光學(xué)晶體最大規(guī)模生產(chǎn)者，針對(duì)于精密儀器窗口、激光基礎(chǔ)物質(zhì)窗口以及工業(yè)用球閥、透鏡、珠寶裝飾等方向持續(xù)發(fā)力，目前已開(kāi)發(fā)多種規(guī)格尺寸、色譜序列的產(chǎn)品以滿(mǎn)足不同客戶(hù)的需求。

圖片來(lái)源：銘鎵半導(dǎo)體

近年，北京市順義區(qū)積極謀劃與布局第三代等先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，以“產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新與生態(tài)聚合”為引領(lǐng)，堅(jiān)持高起點(diǎn)、高標(biāo)準(zhǔn)、高品質(zhì)，聚焦產(chǎn)業(yè)承載、政策牽引、服務(wù)配套、創(chuàng)新生態(tài)等方面，在材料研發(fā)、關(guān)鍵裝備、芯片制造及封裝測(cè)試等全產(chǎn)業(yè)鏈不同環(huán)節(jié)“深耕細(xì)作”，聚集了晶格領(lǐng)域、銘鎵半導(dǎo)體、中博芯、特思迪、國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾、泰科天潤(rùn)、瑞能微恩等優(yōu)質(zhì)企業(yè)。目前，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已經(jīng)成為順義區(qū)三大主導(dǎo)產(chǎn)業(yè)之一，為新能源汽車(chē)、航空航天等重要產(chǎn)業(yè)提供了重要供應(yīng)鏈協(xié)同。

未來(lái)，隨著園區(qū)創(chuàng)新生態(tài)的持續(xù)完善和產(chǎn)業(yè)扶持政策的深度落地，有望培育出更多具備核心競(jìng)爭(zhēng)力的創(chuàng)新型企業(yè)，推動(dòng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量發(fā)展，為區(qū)域經(jīng)濟(jì)轉(zhuǎn)型升級(jí)和新質(zhì)生產(chǎn)力發(fā)展提供更堅(jiān)實(shí)的支撐。

（集邦化合物半導(dǎo)體 秦妍 整理）

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圖片來(lái)源：CHIPX Global社交平臺(tái)

這座工廠(chǎng)將成為東盟區(qū)域內(nèi)首條8英寸GaN/SiC前端晶圓產(chǎn)線(xiàn)。行業(yè)分析認(rèn)為，其技術(shù)方向并非傳統(tǒng)SiC功率器件或GaN射頻器件，而是聚焦光子集成電路、高帶寬光互連及先進(jìn)材料工程領(lǐng)域，核心適配下一代人工智能數(shù)據(jù)中心、高性能計(jì)算系統(tǒng)的需求，例如為AI數(shù)據(jù)中心提供SiC光子集成電路、SiC中介層，以及面向GPU處理器的GaN晶圓等產(chǎn)品。

CHIPX Global 成立于2022年（注冊(cè)地英國(guó)，企業(yè)歸屬愛(ài)爾蘭），核心團(tuán)隊(duì)具備半導(dǎo)體行業(yè)資深經(jīng)驗(yàn)——?jiǎng)?chuàng)始人欽莫伊?巴魯阿（ChinmoyBaruah）擁有材料科學(xué)領(lǐng)域?qū)W術(shù)背景及初創(chuàng)企業(yè)運(yùn)營(yíng)經(jīng)驗(yàn)，聯(lián)合創(chuàng)始人兼CTO姚耀成（音譯）曾任職于比亞迪、Vishay等企業(yè)，深耕模擬芯片設(shè)計(jì)與GaN技術(shù)研發(fā)，為項(xiàng)目技術(shù)落地提供了基礎(chǔ)。

1、英飛凌馬來(lái)西亞8英寸SiC廠(chǎng)量產(chǎn)

馬來(lái)西亞本身已具備半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)，尤其在第三代半導(dǎo)體（SiC/GaN）領(lǐng)域，已吸引一些國(guó)際巨頭落地核心產(chǎn)能。

作為全球功率半導(dǎo)體龍頭，英飛凌在馬來(lái)西亞的布局堪稱(chēng)標(biāo)桿，其位于吉打州居林（Kulim）的制造基地已發(fā)展為全球規(guī)模領(lǐng)先的SiC晶圓生產(chǎn)中心。

早在2006年，英飛凌便在居林開(kāi)設(shè)了亞洲首座前道晶圓廠(chǎng)，2022年正式啟動(dòng)第三廠(chǎng)區(qū)建設(shè)，專(zhuān)門(mén)聚焦8英寸SiC功率半導(dǎo)體制造，項(xiàng)目總投資達(dá)70億歐元（一期20億歐元、二期50億歐元），是馬來(lái)西亞迄今最大的半導(dǎo)體單筆投資之一。

2024年8月，該工廠(chǎng)一期項(xiàng)目正式投產(chǎn)運(yùn)營(yíng)，馬來(lái)西亞總理安瓦爾?易卜拉欣親自出席啟動(dòng)儀；一期產(chǎn)線(xiàn)初期以6英寸晶圓生產(chǎn)為過(guò)渡，2024年底已具備8英寸SiC晶圓量產(chǎn)條件，2025年第一季度已開(kāi)始向汽車(chē)、可再生能源領(lǐng)域客戶(hù)交付8英寸SiC器件產(chǎn)品，預(yù)計(jì)2027年將全面轉(zhuǎn)向8英寸晶圓規(guī)?；a(chǎn)。

值得關(guān)注的是，該工廠(chǎng)采用與奧地利菲拉赫工廠(chǎng)聯(lián)動(dòng)的“虛擬協(xié)同工廠(chǎng)”模式，共享核心技術(shù)與工藝標(biāo)準(zhǔn)，目前已吸引六家全球主流整車(chē)廠(chǎng)及新能源企業(yè)簽訂設(shè)計(jì)訂單，累計(jì)訂單額超50億歐元，還收到約10億歐元客戶(hù)預(yù)付款，產(chǎn)能消化確定性強(qiáng)。

2、意法半導(dǎo)體、奧特斯完善封裝與材料配套

除英飛凌外，國(guó)際巨頭意法半導(dǎo)體也在馬來(lái)西亞加碼特色工藝與封裝測(cè)試環(huán)節(jié)。

意法半導(dǎo)體在馬來(lái)西亞柔佛州麻坡（Muar）打造了先進(jìn)的功率半導(dǎo)體封裝測(cè)試基地，重點(diǎn)聚焦汽車(chē)級(jí)SiC器件的后道工藝。

該基地配備了針對(duì)SiC功率模塊的高可靠性封裝生產(chǎn)線(xiàn)，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于新能源汽車(chē)主逆變器、工業(yè)變頻器等場(chǎng)景，與英飛凌的晶圓制造產(chǎn)能形成工藝互補(bǔ)，共同完善了馬來(lái)西亞SiC產(chǎn)業(yè)鏈的“制造-封裝”閉環(huán)。

此外，奧地利科技企業(yè)奧特斯（AT&S）于2024年在吉打州居林高科技園區(qū)啟用高端半導(dǎo)體封裝載板工廠(chǎng)，總投資超10億歐元，專(zhuān)為AMD等企業(yè)的第三代半導(dǎo)體相關(guān)芯片提供封裝載板支持，2024年底已正式量產(chǎn)。封裝載板作為SiC/GaN芯片封裝的核心材料，其本地化供應(yīng)進(jìn)一步降低了馬來(lái)西亞第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的供應(yīng)鏈成本。

3、中企加碼SiC襯底與封測(cè)環(huán)節(jié)

中國(guó)企業(yè)方面，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備龍頭#晶盛機(jī)電 的全球化布局成為馬來(lái)西亞第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要補(bǔ)充。

2025年7月，晶盛機(jī)電子公司浙江晶瑞SuperSiC在檳城州舉行8英寸SiC襯底制造工廠(chǎng)奠基儀式，項(xiàng)目總占地面積4萬(wàn)平方米，一期建成后將實(shí)現(xiàn)24萬(wàn)片/年的8英寸SiC襯底產(chǎn)能，產(chǎn)品主要供應(yīng)電動(dòng)汽車(chē)充電器、電信基站電源等領(lǐng)域。

圖片來(lái)源：晶盛機(jī)電

該工廠(chǎng)整合了晶體生長(zhǎng)、切割、拋光等全流程工藝，是東南亞地區(qū)規(guī)模領(lǐng)先的SiC襯底生產(chǎn)基地，不僅填補(bǔ)了當(dāng)?shù)氐谌雽?dǎo)體核心材料制造的空白，還能依托檳城已有的300多家半導(dǎo)體企業(yè)集群，快速接入全球供應(yīng)鏈。

此外，通富微電、華天科技等中企通過(guò)收購(gòu)馬來(lái)西亞當(dāng)?shù)胤鉁y(cè)企業(yè)，已將業(yè)務(wù)延伸至SiC器件的封裝測(cè)試領(lǐng)域，成為馬來(lái)西亞第三代半導(dǎo)體后道環(huán)節(jié)的重要力量。

（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）

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一、戰(zhàn)略收縮：巨頭的理性“止損”與資產(chǎn)優(yōu)化

2025年下半年，兩大行業(yè)巨頭的動(dòng)作揭示了資本對(duì)射頻氮化鎵市場(chǎng)的重新定價(jià)。

1、恩智浦：5G夢(mèng)醒后的決斷

近期，隨著分析機(jī)構(gòu)EJL Wireless Research在Linkedin上的一則爆料，#恩智浦 正式確認(rèn)將關(guān)閉其位于美國(guó)亞利桑那州錢(qián)德勒（Chandler）的“Echo”晶圓廠(chǎng)，該廠(chǎng)定于2027年第一季度生產(chǎn)最后一批晶圓后謝幕。

“Echo”晶圓廠(chǎng)并非泛泛之輩，它是恩智浦于2020年9月高調(diào)投產(chǎn)的旗艦項(xiàng)目。彼時(shí)，恩智浦半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理保羅·哈特（Paul Hart）曾對(duì)其寄予厚望，豪言該廠(chǎng)將于當(dāng)年底達(dá)到滿(mǎn)負(fù)荷生產(chǎn)。為此，恩智浦在2018至2020年間投入約1億美元（超7億人民幣），專(zhuān)門(mén)打造6英寸GaN-on-SiC產(chǎn)線(xiàn)，意圖主宰5G基站射頻功率放大器（PA）市場(chǎng)。

然而，僅僅運(yùn)行不到五年，該工廠(chǎng)便黯然落幕。財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)揭示了背后的無(wú)奈：2024年，恩智浦“通信基礎(chǔ)設(shè)施及其他”業(yè)務(wù)收入下滑近20%，不足17億美元；進(jìn)入2025年，前九個(gè)月收入同比進(jìn)一步暴跌25%，僅余9.62億美元。

嚴(yán)酷的現(xiàn)實(shí)表明，在復(fù)蘇前景黯淡的射頻市場(chǎng)空耗現(xiàn)金流已不合時(shí)宜。恩智浦選擇向“Fab-Lite”（輕晶圓廠(chǎng)）模式轉(zhuǎn)型，關(guān)閉老舊產(chǎn)線(xiàn)，將資源聚焦于核心的汽車(chē)電子與工業(yè)控制，或通過(guò)參與德國(guó)ESMC等合資項(xiàng)目獲取更具成本優(yōu)勢(shì)的300mm產(chǎn)能。

2、臺(tái)積電：AI浪潮下的“戰(zhàn)略性斷舍離”

作為晶圓代工霸主，#臺(tái)積電 在2025年7月做出逐步退出GaN代工業(yè)務(wù)的決定，同樣震動(dòng)了業(yè)界。臺(tái)積電明確表示，將在2027年中前完全停止GaN代工服務(wù)，并將原本負(fù)責(zé)該業(yè)務(wù)的新竹Fab 5廠(chǎng)逐步轉(zhuǎn)型為先進(jìn)封裝（CoWoS）產(chǎn)能。

這一決策背后是極致的資源博弈。在A(yíng)I芯片需求井噴的當(dāng)下，先進(jìn)制程與封裝產(chǎn)能“寸土寸金”。雖然GaN業(yè)務(wù)穩(wěn)步增長(zhǎng)，但其基于6英寸晶圓的營(yíng)收貢獻(xiàn)與利潤(rùn)率，遠(yuǎn)無(wú)法與服務(wù)于英偉達(dá)（NVIDIA）等客戶(hù)的12英寸AI產(chǎn)線(xiàn)相提并論。臺(tái)積電的退出，實(shí)質(zhì)上是先進(jìn)邏輯制程對(duì)特色功率工藝的一次資源擠出。

此舉迫使供應(yīng)鏈迅速重構(gòu)：格芯（GlobalFoundries）借機(jī)承接了溢出的商業(yè)與國(guó)防訂單，利用美國(guó)《芯片與科學(xué)法案》資金強(qiáng)化本土制造；而力積電則利用其在存儲(chǔ)制造中的成本控制經(jīng)驗(yàn)，開(kāi)發(fā)基于180nm節(jié)點(diǎn)的200mm GaN-on-Si工藝，成為了Fabless（無(wú)晶圓設(shè)計(jì)）廠(chǎng)商新的避風(fēng)港。

二、陣痛與洗牌：Fabless模式邁入調(diào)整期

臺(tái)積電的離場(chǎng)，將高度依賴(lài)代工服務(wù)的Fabless廠(chǎng)商推向了風(fēng)口浪尖，其中納微半導(dǎo)體（Navitas）的遭遇尤為典型。

受臺(tái)積電業(yè)務(wù)調(diào)整影響，納微被迫在2025年宣布將其主要晶圓代工方轉(zhuǎn)移至力積電。在半導(dǎo)體行業(yè)，更換晶圓廠(chǎng)風(fēng)險(xiǎn)大、耗時(shí)長(zhǎng)，涉及長(zhǎng)達(dá)12-24個(gè)月的重新認(rèn)證周期與良率爬坡風(fēng)險(xiǎn)，期間極易被競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手搶占市場(chǎng)份額。

供應(yīng)鏈危機(jī)疊加業(yè)績(jī)壓力，引發(fā)了納微管理層的劇烈動(dòng)蕩。聯(lián)合創(chuàng)始人兼CEO Gene Sheridan于2025年8月卸任，CTO Dan Kinzer也辭去高管職務(wù)。創(chuàng)始團(tuán)隊(duì)的集體淡出，標(biāo)志著納微“創(chuàng)業(yè)講故事”時(shí)代的終結(jié)，公司被迫進(jìn)入由職業(yè)經(jīng)理人主導(dǎo)的“止血求生”階段。

與此同時(shí)，美國(guó)獨(dú)立IDM陣營(yíng)在2024-2025年間也經(jīng)歷了劇烈整合。Wolfspeed為了全力押注碳化硅（SiC），以1.25億美元的“白菜價(jià)”將射頻GaN業(yè)務(wù)剝離給MACOM，以支撐其莫霍克谷工廠(chǎng)的巨額開(kāi)支；曾被視為技術(shù)標(biāo)桿的Transphorm則被日本瑞薩電子收購(gòu)，標(biāo)志著美國(guó)本土又失去了一家獨(dú)立的GaN技術(shù)持有者。

三、西線(xiàn)反擊：歐美IDM巨頭的差異化進(jìn)擊

與代工業(yè)務(wù)的收縮相反，擁有垂直整合能力（IDM）的歐美巨頭正在通過(guò)差異化路線(xiàn)瘋狂擴(kuò)張。

1、MACOM：吃下CHIPS法案紅利的軍工巨鱷

MACOM走了一條“去商業(yè)化”的軍工高端路線(xiàn)。在收購(gòu)Wolfspeed射頻業(yè)務(wù)后，MACOM于今年1月宣布了高達(dá)3.45億美元的五年投資計(jì)劃，借助CHIPS法案資金，對(duì)其馬薩諸塞州和北卡羅來(lái)納州的工廠(chǎng)進(jìn)行現(xiàn)代化改造，核心是將產(chǎn)線(xiàn)升級(jí)為6英寸GaN-on-SiC。

2、德州儀器（TI）：95%自造率的成本碾壓

模擬芯片之王TI則試圖用“硅的邏輯”重塑GaN市場(chǎng)。2024年底，TI在日本會(huì)津工廠(chǎng)量產(chǎn)GaN器件，產(chǎn)能瞬間翻了兩番。更具威懾力的是，TI正在達(dá)拉斯總部利用12英寸產(chǎn)線(xiàn)進(jìn)行GaN試點(diǎn)。一旦導(dǎo)入成功，其成本將呈指數(shù)級(jí)下降。TI明確提出2030年實(shí)現(xiàn)95%芯片內(nèi)部制造的目標(biāo)，意圖通過(guò)超大規(guī)模制造壓低邊際成本，從而占領(lǐng)更大份額市場(chǎng)。

3、英飛凌（Infineon）：打造虛擬超級(jí)工廠(chǎng)

德國(guó)巨頭#英飛凌 正在執(zhí)行“One Virtual Fab（虛擬工廠(chǎng)）”戰(zhàn)略，打通奧地利菲拉赫與馬來(lái)西亞居林的產(chǎn)能。One Virtual Fab是一種先進(jìn)的制造模式，旨在通過(guò)數(shù)字技術(shù)將不同地理位置的生產(chǎn)基地緊密連接，實(shí)現(xiàn)技術(shù)、流程和產(chǎn)能的協(xié)同優(yōu)化，以提升效率和快速響應(yīng)市場(chǎng)需求。

2025年，投資高達(dá)50億歐元的居林第三工廠(chǎng)啟動(dòng)擴(kuò)建，重點(diǎn)生產(chǎn)8英寸GaN和SiC晶圓。英飛凌正試圖確立“硅+碳化硅+氮化鎵”的全能霸權(quán)，在A(yíng)I數(shù)據(jù)中心急需的鈦金級(jí)電源市場(chǎng)構(gòu)筑防線(xiàn)。

四、東線(xiàn)崛起：中國(guó)力量的全產(chǎn)業(yè)鏈突圍

在中國(guó)市場(chǎng)，一條從設(shè)計(jì)到制造的全產(chǎn)業(yè)鏈正在快速發(fā)展，并展現(xiàn)出強(qiáng)大的市場(chǎng)穿透力。

1、英諾賽科：產(chǎn)能怪獸的資本首秀

作為全球最大的8英寸硅基氮化鎵IDM廠(chǎng)商，#英諾賽科 被視為逼退臺(tái)積電消費(fèi)級(jí)業(yè)務(wù)的重要推手。2024年底至2025年初，英諾賽科成功登陸港股，募資約14億港元。其招股書(shū)披露的計(jì)劃顯示，產(chǎn)能將從2024年的1.25萬(wàn)片/月狂飆至2029年的7萬(wàn)片/月。

基石投資者意法半導(dǎo)體（ST）的出現(xiàn)，更暗示了“歐洲設(shè)計(jì)+中國(guó)制造”的新聯(lián)盟可能。2025年上半年，英諾賽科營(yíng)收大漲43%并首次實(shí)現(xiàn)毛利轉(zhuǎn)正，證明了其IDM模式在成本控制上的成功。然而，由于持續(xù)的高額研發(fā)投入和產(chǎn)線(xiàn)折舊，公司在凈利潤(rùn)層面仍處于虧損狀態(tài)，這在IDM企業(yè)的擴(kuò)張初期屬于典型特征。

2、三安集成與芯聯(lián)集成：車(chē)規(guī)與射頻的雙輪驅(qū)動(dòng)

三安集成在射頻與功率領(lǐng)域雙線(xiàn)并進(jìn)。其與意法半導(dǎo)體在重慶的合資工廠(chǎng)預(yù)計(jì)于2025年三季度量產(chǎn)8英寸SiC和GaN器件，精準(zhǔn)卡位中國(guó)電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)。同時(shí)，其射頻GaN業(yè)務(wù)在5G-A基站和低軌衛(wèi)星領(lǐng)域保持了穩(wěn)定的現(xiàn)金流。

前身為中芯集成的#芯聯(lián)集成，則利用IGBT和SiC的車(chē)規(guī)經(jīng)驗(yàn)，將“零缺陷”管理引入GaN制造，并提供“系統(tǒng)代工”服務(wù)。其車(chē)規(guī)功率模塊收入在2024年實(shí)現(xiàn)翻倍增長(zhǎng)，成功實(shí)現(xiàn)EBITDA轉(zhuǎn)正，成為汽車(chē)Tier 1廠(chǎng)商的重要合作伙伴。

此外，潤(rùn)新微憑借D-Mode技術(shù)實(shí)現(xiàn)差異化發(fā)展，新微半導(dǎo)體在硅光與射頻SOI領(lǐng)域進(jìn)行工藝孵化，氮矽科技在驅(qū)動(dòng)芯片設(shè)計(jì)上取得突破，他們共同構(gòu)成了中國(guó)GaN產(chǎn)業(yè)豐富而堅(jiān)韌的生態(tài)底色。

五、結(jié)語(yǔ)：產(chǎn)業(yè)邏輯的深刻嬗變

縱觀(guān)2025年的產(chǎn)業(yè)全景，我們可以提煉出驅(qū)動(dòng)市場(chǎng)變革的三大底層邏輯。

首先，射頻與功率徹底分道揚(yáng)鑣。NXP和Wolfspeed退出的皆是射頻GaN，而英飛凌、TI與英諾賽科爭(zhēng)奪的則是功率GaN。前者回歸軍工與特種應(yīng)用，后者則在A(yíng)I與汽車(chē)?yán)顺敝杏瓉?lái)爆發(fā)。

其次，IDM模式加冕，F(xiàn)abless日漸式微。臺(tái)積電的退出與納微的危機(jī)證明，在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，器件性能高度依賴(lài)材料與工藝的耦合。無(wú)法掌控生產(chǎn)流程的Fabless模式，在成本與良率上難以與IDM抗衡。

最后，供應(yīng)鏈邏輯正在深刻重構(gòu)。在追求自主可控與供應(yīng)穩(wěn)定的趨勢(shì)下，氮化鎵產(chǎn)業(yè)正從單一的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)，轉(zhuǎn)向以區(qū)域化布局為特征的深度深耕。

（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）

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化合物半導(dǎo)體在列，韓國(guó)重金投向四大芯片領(lǐng)域

韓國(guó)計(jì)劃將位于京畿道龍仁市正在建設(shè)的大型半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群拓展為一個(gè)引領(lǐng)人工智能驅(qū)動(dòng)創(chuàng)新的全球中心，并將加快下一代半導(dǎo)體領(lǐng)域研究，涉及AI芯片、存儲(chǔ)技術(shù)、先進(jìn)封裝以及化合物半導(dǎo)體等多個(gè)領(lǐng)域。

韓國(guó)將在2032年前投資2159億韓元用于下一代存儲(chǔ)器，在2030年前投資1.2676萬(wàn)億韓元用于人工智能專(zhuān)用半導(dǎo)體，在2031年前投資3606億韓元用于先進(jìn)封裝，韓國(guó)計(jì)劃在2031年前為化合物半導(dǎo)體投入2601億韓元。

業(yè)界指出，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)版圖中，韓國(guó)憑借存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)在全球占據(jù)重要地位。近年，各國(guó)爭(zhēng)相推出芯片利好政策，推動(dòng)本土芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)加劇。

與此同時(shí)，AI浪潮之下，全球芯片產(chǎn)業(yè)正從傳統(tǒng)存儲(chǔ)芯片向AI芯片、化合物半導(dǎo)體與先進(jìn)封裝等下一代技術(shù)轉(zhuǎn)型，上述背景下，韓國(guó)如果想維持半導(dǎo)體優(yōu)勢(shì)并實(shí)現(xiàn)新一輪發(fā)展，擁抱AI，積極發(fā)力下一代技術(shù)勢(shì)在必行?；衔锇雽?dǎo)體在新能源、5G通信等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，先進(jìn)封裝則是提升芯片性能、降低成本的關(guān)鍵技術(shù)路徑。韓國(guó)的這一系列資金布局，既能夠快速響應(yīng)當(dāng)前市場(chǎng)需求，又有望為未來(lái)10-20年的產(chǎn)業(yè)發(fā)展奠定了基礎(chǔ)。

從碳化硅到氧化鎵，韓國(guó)化合物半導(dǎo)體布局成績(jī)顯著

化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域，通過(guò)長(zhǎng)期政策扶持以及半導(dǎo)體大廠(chǎng)頻繁布局，韓國(guó)已經(jīng)建起涵蓋碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等核心材料的產(chǎn)業(yè)體系。

今年11月，韓國(guó)SK keyfoundry重磅宣布，已完成SK Powertech的收購(gòu)，正加速開(kāi)發(fā)碳化硅（SiC）化合物功率半導(dǎo)體技術(shù)，目標(biāo)在2025年底前推出碳化硅MOSFET 1200V工藝技術(shù)，并于2026年上半年啟動(dòng)碳化硅功率半導(dǎo)體代工業(yè)務(wù)。

圖片來(lái)源：SK keyfoundry官網(wǎng)新聞稿截圖

資料顯示，SK Powertech前身為YesPowerTechnics，2022年5月被SKInc.納入SK集團(tuán)旗下，其掌握SiC核心單元工藝等批量生產(chǎn)技術(shù)，能夠?qū)崿F(xiàn)SiC功率半導(dǎo)體的穩(wěn)定量產(chǎn)與研發(fā)，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于新能源汽車(chē)、太陽(yáng)能逆變器、家用電器、工業(yè)傳動(dòng)以及智能電網(wǎng)等場(chǎng)景。

此外，在第四代半導(dǎo)體氧化鎵領(lǐng)域，韓國(guó)也有所布局。今年12月，據(jù)媒體報(bào)道，韓國(guó)企業(yè)PowerCubeSemi計(jì)劃于2026年上市。

資料顯示，PowerCubeSemi成立于2013年，專(zhuān)注于基于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氧化鎵（Ga?O?）的化合物半導(dǎo)體器件，運(yùn)營(yíng)全球首家專(zhuān)門(mén)用于大規(guī)模生產(chǎn)氧化鎵的晶圓廠(chǎng)。目前，PowerCubeSemi已經(jīng)獲得了60億韓元的IPO前融資。

業(yè)界認(rèn)為，PowerCubeSemi氧化鎵生產(chǎn)能力使韓國(guó)能夠在未來(lái)半導(dǎo)體材料經(jīng)濟(jì)中占據(jù)一席之地，與韓國(guó)正在進(jìn)行的SiC、GaN和以人工智能為中心的芯片基礎(chǔ)設(shè)施方面的國(guó)家投資形成互補(bǔ)。

結(jié)語(yǔ)

韓國(guó)此次投入巨額資金發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，尤其是在化合物半導(dǎo)體等下一代技術(shù)領(lǐng)域的布局，展現(xiàn)出其在全球半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)中積極進(jìn)取的姿態(tài)。隨著各項(xiàng)計(jì)劃的推進(jìn)，韓國(guó)有望在未來(lái)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展中占據(jù)更有利地位，其發(fā)展成果也值得全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)持續(xù)關(guān)注。

（文/集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）

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圖片來(lái)源：芯上微裝

AST6200光刻機(jī)是芯上微裝基于多年光學(xué)系統(tǒng)設(shè)計(jì)、精密運(yùn)動(dòng)控制與半導(dǎo)體工藝?yán)斫夥e淀，傾力打造的高性能、高可靠性、全自主可控的步進(jìn)式光刻設(shè)備，專(zhuān)為功率、射頻、光電子及Micro LED等先進(jìn)制造場(chǎng)景量身定制。核心性能亮點(diǎn)包括：

高分辨率成像滿(mǎn)足先進(jìn)工藝需求，搭載大數(shù)值孔徑投影物鏡，結(jié)合多種照明模式與可變光瞳技術(shù)，實(shí)現(xiàn)350nm高分辨率，滿(mǎn)足當(dāng)前主流化合物半導(dǎo)體芯片的光刻工藝要求。

高精度套刻配置高精度對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)正面套刻80nm，背面套刻500nm，確保多層圖形精準(zhǔn)套刻，提升器件良率。

高產(chǎn)率設(shè)計(jì)，顯著降低擁有成本（COO）

• 高照度I-line光源（365nm）
• 高速直線(xiàn)電機(jī)基底傳輸系統(tǒng)，支持2/3/4/6/8英寸多種規(guī)格基片快速切換
• 高速高精度運(yùn)動(dòng)臺(tái)系統(tǒng)，最大加速度1.5g，大幅提升單位時(shí)間產(chǎn)能
• 強(qiáng)工藝適應(yīng)性，兼容多材質(zhì)、多形態(tài)基底

支持Si、SiC、InP、GaAs、藍(lán)寶石等多種材質(zhì)基片

• 兼容平邊、雙平邊、Notch等多種基片類(lèi)型
• 創(chuàng)新調(diào)焦調(diào)平系統(tǒng)，采用多光斑、大角度入射設(shè)計(jì)，可精準(zhǔn)測(cè)量透明、半透明、不透明及大臺(tái)階基底
• 支持背面對(duì)準(zhǔn)模塊，滿(mǎn)足鍵合片等復(fù)雜制程的背面對(duì)準(zhǔn)需求
• 100%軟件自主可控打造全棧國(guó)產(chǎn)生態(tài)，AST6200搭載芯上微裝自主研發(fā)的全棧式軟件控制系統(tǒng)
• 從底層驅(qū)動(dòng)到上層工藝管理，實(shí)現(xiàn)完全自主主權(quán)。系統(tǒng)具備強(qiáng)大的工藝擴(kuò)展性與遠(yuǎn)程運(yùn)維能力
• 持續(xù)賦能設(shè)備生命周期，助力客戶(hù)實(shí)現(xiàn)智能化產(chǎn)線(xiàn)升級(jí)。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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